CN117420262A - 圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置 - Google Patents

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CN117420262A
CN117420262A CN202311219329.2A CN202311219329A CN117420262A CN 117420262 A CN117420262 A CN 117420262A CN 202311219329 A CN202311219329 A CN 202311219329A CN 117420262 A CN117420262 A CN 117420262A
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恩云飞
路国光
周斌
朱春龙
董显山
苏伟
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Abstract

本申请涉及一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置。所述方法包括：获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。采用本方法能够准确获取圆片级真空封装器件内部材料的放气特性。

Description

圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置
技术领域
本申请涉及微机电系统封装技术领域，特别是涉及一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置。
背景技术
随着微机电系统（Micro-Electro Mechanical System，MEMS）封装技术的发展，出现了圆片级封装技术，但MEMS器件圆片级真空封装后，封装腔体内部气压的稳定性会因腔体内部材料的放气而产生波动，而MEMS圆片级气密封装的微小腔体内气压的变化会导致MEMS器件性能的退化。
高温应力会使MEMS圆片级真空封装腔体内部材料放气，从而引起MEMS圆片级真空封装器件性能的漂移，影响器件性能的稳定性。为了明确真空封装MEMS器件在高温下的性能漂移特性，目前已有多种技术研究以解决MEMS微小腔体内气压及气压变化的测试需求，如品质因子监测法、IR透射法、拉曼光谱法以及残余气体分析法等。然而，品质因子监测法通过获取圆片级真空封装工艺所引起的内部材料放气所导致的内部腔体气压的变化来推导真空封装工艺所引起的内部材料放气量；IR透射法和拉曼光谱法通过测试腔体内部的气体成分及气体量的方法以获取腔内气体的相关信息；残余气体分析法通过扎破微小腔体，对腔体内的气体进行取样，然后用质谱仪进行分析，从而获取腔内气体的相关信息。
这些方法均是直接考虑的内部材料的放气量，并未考虑真空封装MEMS器件在高温下发生的其他变化，比如高温会使腔体内部材料的结构产生残余应力以及使结构的刚度发生变化。因此，这些方法对真空封装后腔体内部材料放气特性的测试结果均不准确。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置。
第一方面，本申请提供了一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法，包括：
获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
在其中一个实施例中，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率，包括：
针对每一试验温度，将温度试验箱中的温度调整至该试验温度；在温度试验箱的温度稳定于该试验温度的情况下，对试验样品的品质因子和谐振频率分别进行至少两次测试，得到试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率；根据试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
在其中一个实施例中， 根据试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率，包括：
将试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二品质因子；将试验样品在该试验温度下的至少两个谐振频率的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二谐振频率。
在其中一个实施例中，根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度，包括：
针对每一试验温度，确定第一谐振频率与试验样品在该试验温度下的第二谐振频率之间的频率差；将频率差与第一谐振频率之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的频率变化幅度。
在其中一个实施例中，根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度，包括：
针对每一试验温度，确定第一品质因子与试验样品在该试验温度下的第二品质因子之间的因子差；将因子差与第一品质因子之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的因子变化幅度。
在其中一个实施例中，根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性，包括：
针对每一试验温度，将试验样品在该试验温度下的频率变化幅度与因子变化幅度之间的差值，作为试验样品在该试验温度下新的因子变化幅度；根据试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
第二方面，本申请还提供了一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定装置，包括：
第一获取模块，用于获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
第二获取模块，用于在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
第一确定模块，用于根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
第二确定模块，用于根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
第三确定模块，用于根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
第三方面，本申请还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
上述圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置，通过对试验样品（即圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件）在标准温度下的第一品质因子和在各试验温度下的第二品质因子进行分析，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；以及通过对试验样品在标准温度下的第一谐振频率和在各试验温度下的第二谐振频率进行分析，可确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；由于频率变化幅度可用来表征高温下残余应力和结构刚度的变化，因此根据频率变化幅度和因子变化幅度，来确定试验样品的内部材料的放气特性，可消除或者减轻高温下残余应力和结构刚度变化对品质因子的影响，最终使圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定更加精准。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中提供的一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法的流程示意图；
图2为本申请实施例中提供的一种获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率的流程示意图；
图3为本申请实施例中提供的一种确定内部材料的放气特性的流程示意图；
图4为本申请实施例中提供的另一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法的流程示意图；
图5为本申请实施例中提供的一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定装置的结构框图；
图6为本申请实施例中提供的另一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定装置的结构框图；
图7为本申请实施例中提供的一种计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
圆片级封装技术是一种先进的封装技术，因其具有尺寸小、电性能优良、散热好、成本低等优势，近年来发展迅速。但MEMS器件圆片级真空封装后，封装腔体内部气压的稳定性会因腔体内部材料的放气而产生波动，而MEMS圆片级气密封装的微小腔体内气压的变化会导致MEMS器件性能的退化。
高温应力会使MEMS圆片级真空封装腔体内部材料放气，并且会使腔体内部材料的结构产生残余应力以及结构的刚度发生变化，从而引起MEMS圆片级真空封装器件性能的漂移，影响器件性能的稳定性。
目前已有多种技术研究以解决MEMS微小腔体内气压及气压变化的测试需求，如品质因子监测法、IR透射法、拉曼光谱法以及残余气体分析法等。然而，这些方法均是直接考虑的内部材料的放气量，并未考虑真空封装MEMS器件在高温下发生的其他变化，例如，腔体内部材料的结构产生残余应力以及结构的刚度变化等。因此，这些方法对真空封装后内部材料放气特性的测试结果均不准确。
基于此，为了对真空封装后内部材料放气特性的测试更加准确，本申请实施例提供了一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法，可以应用于计算机设备，该计算机设备可以是服务器，或者可以是计算功能比较强大的终端。
需要说明的是，在详细介绍本申请实施例之前，以MEMS器件的内部结构为圆片级真空封装电容式Z轴双解耦音叉陀螺为例，对本申请实施例中所引入的谐振频率进行说明。
电容式Z轴双解耦音叉陀螺的结构通常采用SOG（Spin On Glass）工艺加工制备而成，其驱动模态包含驱动梳齿和驱检梳齿，用于闭环驱动控制；检测模态包含检测梳齿和力反馈梳齿，用于检测闭环控制；模态匹配梳齿用于实时模态匹配控制。结构的驱动模态的固有频率wd和检测模态的固有频率ws可以表示为：
（1）
（2）
其中，md、kd为驱动模态的质量和刚度，ms、ks为检测模态的质量和刚度。
驱动模态的阻尼比和检测模态的阻尼比/>可以表示为：
（3）
（4）
其中，cd和cs分别为驱动模态和检测模态的阻尼力系数。
驱动模态的品质因子Qd和检测模态的品质因子Qs可以表示为：
（5）
（6）
由公式（1）和（2）可以看出，结构的固有频率主要由刚度和质量决定，而其中的刚度，则会受到结构中残余应力的影响而发生变化，如在MEMS圆片级真空封装过程中的键合工艺，在高温条件下键合后，当器件结构的温度恢复到室温时，由于键合界面异质材料的热膨胀系数的不匹配，将会在结构中产生残余应力，进而影响结构的刚度。例如，当结构中存在拉伸残余应力时，将会导致结构的刚度增加，进而提高结构的固有频率。
由公式（3）至（6）可以看出，品质因子通过阻尼比表示，而阻尼比可以通过固有频率和阻尼力系数表示，其中，阻尼力系数的变化主要来自真空封装腔体内部气压的变化，气压越大，阻尼力系数越大。因此，圆片级真空封装过程的高温键合可能会导致腔体内部材料的放气，进而导致腔体气压上升、阻尼力系数增大，最后引起品质因子下降。同时，还可以看出，结构固有频率的变化也会引起品质因子的变化。拉伸残余应力上升，相同气压环境下，结构的固有频率也将上升。
因此，固有频率和阻尼力系数的变化均会引起品质因子的变化。其中，残余应力的变化和结构刚度的变化，均会导致结构固有频率的变化；而阻尼力系数的变化主要来自真空封装腔体内部气压的变化，气压越大，阻尼力系数越大。从而，残余应力、结构刚度和真空封装腔体内部气压的变化都会引起品质因子的变化。为了确定真空封装器件内部材料的放气特性，本申请实施例引入频率来消除或者降低残余应力的变化和结构刚度的变化对品质因子的影响。
图1为本申请实施例中提供的一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法的流程示意图，以该方法由服务器执行为例进行说明。如图1所示，该圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法包括以下S101至S105。其中：
S101，获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率。
其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件。标准温度是指为了使试验的测量条件标准化而设定的温度，可以与试验温度进行对比试验；可选的，在本申请实施例中，标准温度可以是室温（即25℃）。品质因子是表征圆片级真空封装器件内部材料放气特性的特征参数；谐振频率是指在试验过程中圆片级真空封装器件内部材料的振动频率。
示例性的，将试验样品放置于测试电路板上，并将测试电路板与测试仪器相连接；在标准温度下，通过控制测试仪器对试验样本的品质因子和谐振频率进行测试，进而可从测试仪器获取试验样品在标准温度下的第一品质因子Q1和第一谐振频率W1。
S102，在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
示例性的，将放置有试验样品的测试电路板固定在温度试验箱中，并将测试电路板的电引线连接后引出到温度试验箱外面，并与外部的电源及相关测试仪器相连接；进而可通过控制测试仪器，完成试验样品在各试验温度下的测试。
例如，设定试验温度有n个，分别为T1、T1、…、Tn，其中试验温度的关系为T1<T1<…<Tn，在本申请实施例中可按照温度递增的顺序依次调节温度试验箱的温度；在试验的过程中，针对每一个试验温度，通过测试仪器对试验样品进行测试，确定试验样品在该试验温度下的第二品质因子Q2和第二谐振频率W2。将所有试验温度测试完成后，得到n个第二品质因子Q2和n个第二谐振频率W2。
S103，根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度。
其中，针对每一试验温度，该试验温度的频率变化幅度即为该试验温度下的第二谐振频率值与标准温度下的第一谐振频率值相比，增长或者减少的比率。可选的，针对每一试验温度，确定第一谐振频率与试验样品在该试验温度下的第二谐振频率之间的频率差；将频率差与第一谐振频率之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的频率变化幅度。即频率变化幅度=（|第二谐振频率值-第一谐振频率值|）/第一谐振频率值*100%。
示例性的，完成所有的试验温度（T1、T1、…、Tn）测试后，得到标准温度下的第一谐振频率W1和各试验温度下的第二谐振频率W2，将第一谐振频率W1与各第二谐振频率W2做差，即| W1- W2|，得到n个频率差；其中，一个试验温度对应一个频率差。将每一频率差与第一谐振频率的比值，作为各试验温度下的频率变化幅度，即fw=（W2- W1）/ W1。
S104，根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度。
其中，针对每一试验温度，该试验温度的因子变化幅度即为该试验温度下的第二品质因子值与标准温度下的第一品质因子值相比，增长或者减少的比率。可选的，可选的，针对每一试验温度，确定第一品质因子与试验样品在该试验温度下的第二品质因子之间的因子差；将因子差与第一品质因子之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的因子变化幅度。即因子变化幅度=（|第二品质因子值-第一品质因子值|）/第一品质因子值*100%。
示例性的，完成所有的试验温度（T1、T1、…、Tn）测试后，得到标准温度下的第一品质因子Q1和各试验温度下的第二品质因子Q2，将第一品质因子Q1与各第二品质因子Q2做差，即| Q1- Q2|，得到n个因子差；其中，一个试验温度对应一个因子差。将每一因子差与第一品质因子的比值，作为各试验温度下的因子变化幅度，即fQ=（Q2- Q1）/ Q1。
S105，根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
示例性的，在得到试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度之后，可以从因子变化幅度中去除频率变化幅度，以消除或者降低残余应力和结构刚度对品质因子的影响，实现精准计算因材料放气而引起的品质因子变化，从而精准确定试验样品的内部材料的放气特性。
上述圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法，通过对试验样品（即圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件）在标准温度下的第一品质因子和在各试验温度下的第二品质因子进行分析，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；以及通过对试验样品在标准温度下的第一谐振频率和在各试验温度下的第二谐振频率进行分析，可确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；由于频率变化幅度可用来表征高温下残余应力和结构刚度的变化，因此根据频率变化幅度和因子变化幅度，来确定试验样品的内部材料的放气特性，可消除或者减轻高温下残余应力和结构刚度变化对品质因子的影响，最终使圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定更加精准。
在一个示例性的实施例中，如图2所示，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率包括S201至S203。其中：
S201，针对每一试验温度，将温度试验箱中的温度调整至该试验温度。
示例性的，针对每一试验温度，可以向温度试验箱下发包括该试验温度的温度调整指令，以使温度试验箱将其温度调整至该试验温度。
S202，在温度试验箱的温度稳定于该试验温度的情况下，对试验样品的品质因子和谐振频率分别进行至少两次测试，得到试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率。
以试验温度T1为例进行说明。进行试验温度T1测试时，在温度试验箱的温度稳定于试验温度T1后，保持试验温度箱温度T1不变，保持时间为Δh（一般情况下，0h＜Δh≤24h），在温度保持时间段内，通过测试仪器对试验样品进行多次测试，获得试验样品在试验温度T1下的特征参数；例如在温度保持时间段内对试验样品进行3次测试，按照平均时间间隔（时间间隔=保持时间/n，n为测试次数）测试试验样品的特征参数，最终得到试验样品在试验温度T1下的3个品质因子和3个谐振频率。
S203，根据试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
以试验温度T1为例进行说明。在试验温度T1下按照平均时间间隔测试试验样品3次，得到的3个品质因子和3个谐振频率，可以选取3个品质因子的中间值作为试验样品在试验温度T1下的第二品质因子Q2，或者可以选取3个品质因子的最大值（或者最小值）作为试验样品在试验温度T1下的第二品质因子Q2，同样方法确定试验样品在试验温度T1下的第二谐振频率W2。
为了保证测试的准确性，可以将试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二品质因子；将试验样品在该试验温度下的至少两个谐振频率的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二谐振频率。例如，对3个品质因子和3个谐振频率分别取均值，将取得的均值分别作为试验样品在试验温度T1下的第二品质因子Q2和第二谐振频率W2。
本实施例中，通过对试验样品进行多次测试，提高了第二品质因子和第二谐振频率的准确性，从而使真空封装器件内部材料放气特性的确定更加准确。
在一个示例性的实施例中，如图3所示，根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性包括S301至S302。其中：
S301，针对每一试验温度，将试验样品在该试验温度下的频率变化幅度与因子变化幅度之间的差值，作为试验样品在该试验温度下新的因子变化幅度。
以试验温度T1为例进行说明。将试验温度T1下的因子变化幅度| Q1- Q2|/ Q1和频率变化幅度| W1- W2|/ W1做差，即|（| Q1- Q2|/ Q1）-（| W1- W2|/ W1）|，得到试验样品在试验温度T1下新的因子变化幅度。
S302，根据试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
示例性的，根据试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，可以得到多组温度与新的因子变化幅度的对应关系，进而可以得到以温度为横轴，以新的因子变化幅度为纵轴的曲线；采用曲线来描述试验样品的内部材料的放气特性。
在本实施例中，通过减去频率变化幅度，消除了高温下残余应力和刚度变化对品质因子变化幅度的影响，得到因试验样品内部材料放气而引起的品质因子变化，从而推断出圆片级真空封装器件内部材料的放气特性。
在上述实施例的基础上，本实施例提供了一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法的可选实例。如图4所示，具体实现过程如下：
S401，获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率。
其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件。
S402，在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
可选的，针对每一试验温度，将温度试验箱中的温度调整至该试验温度；在温度试验箱的温度稳定于该试验温度的情况下，对试验样品的品质因子和谐振频率分别进行至少两次测试，得到试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率；将试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二品质因子；将试验样品在该试验温度下的至少两个谐振频率的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二谐振频率。
S403，确定第一谐振频率与试验样品在各试验温度下的第二谐振频率之间的频率差。
S404，将各频率差与第一谐振频率之间的比值，作为试验样品在各试验温度下的频率变化幅度。
S405，确定第一品质因子与试验样品在各试验温度下的第二品质因子之间的因子差。
S406，将各因子差与第一品质因子之间的比值，作为试验样品在各试验温度下的因子变化幅度。
S407，将试验样品在各试验温度下的频率变化幅度与因子变化幅度之间的差值，作为试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度。
S408，根据试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
上述S401-S408的具体过程可以参考上述方法实施例的描述，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法的圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于特性确定方法的限定，在此不再赘述。
在一个示例性的实施例中，如图5所示，提供了一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定装置1，包括：第一获取模块10、第二获取模块20、第一确定模块30、第二确定模块40和第三确定模块50，其中：
第一获取模块10，用于获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件。
第二获取模块20，用于在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
第一确定模块30，用于根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度。
第二确定模块40，用于根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度。
第三确定模块50，用于根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
在一个实施例中，如图6所示，第二获取模块20包括：
温度调节单元21，用于针对每一试验温度，将温度试验箱中的温度调整至该试验温度；
参数获取单元22，用于在温度试验箱的温度稳定于该试验温度的情况下，对试验样品的品质因子和谐振频率分别进行至少两次测试，得到试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率；
参数确定单元23，用于根据试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
在一个实施例中，参数确定单元23具体用于：
将试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二品质因子；将试验样品在该试验温度下的至少两个谐振频率的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二谐振频率。
在一个实施例中，第一确定模块30具体用于：
针对每一试验温度，确定第一谐振频率与试验样品在该试验温度下的第二谐振频率之间的频率差；将频率差与第一谐振频率之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的频率变化幅度。
在一个实施例中，第二确定模块40具体用于：
针对每一试验温度，确定第一品质因子与试验样品在该试验温度下的第二品质因子之间的因子差；将因子差与第一品质因子之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的因子变化幅度。
在一个实施例中，第三确定模块50具体用于：
针对每一试验温度，将试验样品在该试验温度下的频率变化幅度与因子变化幅度之间的差值，作为试验样品在该试验温度下新的因子变化幅度；根据试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
上述圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个示例性的实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图7所示。该计算机设备包括处理器、存储器、输入/输出接口(Input/Output，简称I/O）和通信接口。其中，处理器、存储器和输入/输出接口通过系统总线连接，通信接口通过输入/输出接口连接到系统总线。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储试验数据。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外部设备之间交换信息。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法。
本领域技术人员可以理解，图7中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个示例性的实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，将温度试验箱中的温度调整至该试验温度；在温度试验箱的温度稳定于该试验温度的情况下，对试验样品的品质因子和谐振频率分别进行至少两次测试，得到试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率；根据试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
将试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二品质因子；将试验样品在该试验温度下的至少两个谐振频率的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二谐振频率。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，确定第一谐振频率与试验样品在该试验温度下的第二谐振频率之间的频率差；将频率差与第一谐振频率之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的频率变化幅度。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，确定第一品质因子与试验样品在该试验温度下的第二品质因子之间的因子差；将因子差与第一品质因子之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的因子变化幅度。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，将试验样品在该试验温度下的频率变化幅度与因子变化幅度之间的差值，作为试验样品在该试验温度下新的因子变化幅度；根据试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，将温度试验箱中的温度调整至该试验温度；在温度试验箱的温度稳定于该试验温度的情况下，对试验样品的品质因子和谐振频率分别进行至少两次测试，得到试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率；根据试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
将试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二品质因子；将试验样品在该试验温度下的至少两个谐振频率的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二谐振频率。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，确定第一谐振频率与试验样品在该试验温度下的第二谐振频率之间的频率差；将频率差与第一谐振频率之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的频率变化幅度。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，确定第一品质因子与试验样品在该试验温度下的第二品质因子之间的因子差；将因子差与第一品质因子之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的因子变化幅度。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，将试验样品在该试验温度下的频率变化幅度与因子变化幅度之间的差值，作为试验样品在该试验温度下新的因子变化幅度；根据试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，将温度试验箱中的温度调整至该试验温度；在温度试验箱的温度稳定于该试验温度的情况下，对试验样品的品质因子和谐振频率分别进行至少两次测试，得到试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率；根据试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
将试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二品质因子；将试验样品在该试验温度下的至少两个谐振频率的均值，作为试验样品在该试验温度下的第二谐振频率。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，确定第一谐振频率与试验样品在该试验温度下的第二谐振频率之间的频率差；将频率差与第一谐振频率之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的频率变化幅度。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，确定第一品质因子与试验样品在该试验温度下的第二品质因子之间的因子差；将因子差与第一品质因子之间的比值，作为试验样品在该试验温度下的因子变化幅度。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
针对每一试验温度，将试验样品在该试验温度下的频率变化幅度与因子变化幅度之间的差值，作为试验样品在该试验温度下新的因子变化幅度；根据试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法，其特征在于，所述方法包括：
获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，所述试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
在所述试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取所述试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
根据所述第一谐振频率和各第二谐振频率，确定所述试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
根据所述第一品质因子和各第二品质因子，确定所述试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
根据所述试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定所述试验样品的内部材料的放气特性。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取所述试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率，包括：
针对每一试验温度，将温度试验箱中的温度调整至该试验温度；
在所述温度试验箱的温度稳定于该试验温度的情况下，对所述试验样品的品质因子和谐振频率分别进行至少两次测试，得到所述试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率；
根据所述试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定所述试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子和至少两个谐振频率，确定所述试验样品在该试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率，包括：
将所述试验样品在该试验温度下的至少两个品质因子的均值，作为所述试验样品在该试验温度下的第二品质因子；
将所述试验样品在该试验温度下的至少两个谐振频率的均值，作为所述试验样品在该试验温度下的第二谐振频率。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一谐振频率和各第二谐振频率，确定所述试验样品在各试验温度下的频率变化幅度，包括：
针对每一试验温度，确定所述第一谐振频率与所述试验样品在该试验温度下的第二谐振频率之间的频率差；
将所述频率差与所述第一谐振频率之间的比值，作为所述试验样品在该试验温度下的频率变化幅度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一品质因子和各第二品质因子，确定所述试验样品在各试验温度下的因子变化幅度，包括：
针对每一试验温度，确定所述第一品质因子与所述试验样品在该试验温度下的第二品质因子之间的因子差；
将所述因子差与所述第一品质因子之间的比值，作为所述试验样品在该试验温度下的因子变化幅度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定所述试验样品的内部材料的放气特性，包括：
针对每一试验温度，将所述试验样品在该试验温度下的频率变化幅度与因子变化幅度之间的差值，作为所述试验样品在该试验温度下新的因子变化幅度；
根据所述试验样品在各试验温度下新的因子变化幅度，确定所述试验样品的内部材料的放气特性。
7.一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；其中，所述试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；
第二获取模块，用于在所述试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取所述试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；
第一确定模块，用于根据所述第一谐振频率和各第二谐振频率，确定所述试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；
第二确定模块，用于根据所述第一品质因子和各第二品质因子，确定所述试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；
第三确定模块，用于根据所述试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定所述试验样品的内部材料的放气特性。
8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
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