CN117378823A - 气溶胶生成设备及其加热控制方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种气溶胶生成设备及其加热控制方法、气溶胶生成基质的温度检测方法以及计算机可读存储介质。该气溶胶生成设备，包括：光发射模块，用于向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质；光电检测模块，用于依据接收的衰减光输出检测信号；其中，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光，检测信号用于确定气溶胶生成基质的温度。该气溶胶生成设备可以实现对气溶胶生成基质温度的实时检测，既具有很快的响应速度，又有很高的准确度。

Description

气溶胶生成设备及其加热控制方法

技术领域

本申请涉及雾化技术领域，特别是涉及一种气溶胶生成设备及其加热控制方法、气溶胶生成基质的温度检测方法以及计算机可读存储介质。

背景技术

在雾化技术中，气溶胶生成基质需要被加热到一定温度才能生成足够的气溶胶，但是气溶胶生成基质的温度过高可能会导致产生有害物质。因此，在对气溶胶生成基质进行加热的过程中，需要精准监测气溶胶生成基质的温度，才可更好地实现控温。但气溶胶生成设备所使用的温度监测手段存在着响应速度慢且准确度不高的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种气溶胶生成设备及其加热控制方法、气溶胶生成基质的温度检测方法以及计算机可读存储介质。

第一方面，本发明实施例提供一种气溶胶生成设备，包括：光发射模块，用于向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质；光电检测模块，用于依据接收的衰减光输出检测信号；其中，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光，检测信号用于确定气溶胶生成基质的温度。

在其中一个实施例中，检测信号用于根据第一对应关系确定气溶胶生成基质的温度；其中，第一对应关系用于反映检测信号与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

在其中一个实施例中，在气溶胶生成基质的温度达到预设温度后，光发射模块发射光的发射总功率降低，以将气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于预设温度。

在其中一个实施例中，光发射模块用于在气溶胶生成基质的温度达到预设温度前，发射预设峰值功率的连续光，以及用于在气溶胶生成基质的温度达到预设温度后，根据脉冲光参数发射预设峰值功率的脉冲光，以将气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于预设温度。

在其中一个实施例中，脉冲光参数包括脉冲光的脉冲宽度，和/或脉冲光之间的脉冲间隔。

在其中一个实施例中，检测信号用于根据第二对应关系确定气溶胶生成基质的温度；其中，第二对应关系用于反映光衰减率和气溶胶生成基质的温度之间的对应关系，光衰减率根据光发射模块的实时功率以及检测信号确定。

在其中一个实施例中，还包括光学滤波模块和/或基质固定模块；光学滤波模块设置于衰减光的光路上，以在光电检测模块接收到衰减光前对衰减光进行滤波；基质固定模块用于防止气溶胶生成基质在加热过程中发生形变。

第二方面，本发明实施例提供一种气溶胶生成基质的温度检测方法，包括：

向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质；

获取检测信号，检测信号根据衰减光生成，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光；

根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度。

在其中一个实施例中，根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度包括：根据检测信号和第一对应关系，确定气溶胶生成基质的温度；第一对应关系用于反映检测信号与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

在其中一个实施例中，气溶胶生成基质在光发射模块发射的光的照射下加热，根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度包括：根据检测信号和光发射模块的功率，确定光衰减率；根据光衰减率和第二对应关系，确定气溶胶生成基质的温度；第二对应关系用于反映光衰减率与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

第三方面，本发明实施例提供一种气溶胶生成设备的加热控制方法，气溶胶生成设备包括光发射模块和光电检测模块，光发射模块用于向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质，光电检测模块用于依据接收的衰减光输出检测信号；其中，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光，加热控制方法包括：控制光发射模块发射光并获取检测信号；根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度；在气溶胶生成基质的温度达到预设温度的情况下，调整光发射模块的功率，以将气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于预设温度。

在其中一个实施例中，控制光发射模块发射光包括：控制光发射模块发射预设峰值功率的连续光；

调整光发射模块的功率包括：控制光发射模块发射预设峰值功率的脉冲光，通过调整脉冲光参数调整光发射模块的功率。

在其中一个实施例中，脉冲光参数包括脉冲光的脉冲宽度，和/或脉冲光之间的脉冲间隔。

第四方面，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的温度检测方法的步骤或上述加热控制方法的步骤。

基于上述任一实施例，为保证加热响应速度使用光发射模块发射照射光来加热气溶胶生成基质，而根据气溶胶生成基质的温度将影响气溶胶基质对照射光的衰减作用强度的现象，使用光电检测模块获取衰减光并输出检测信号，根据该检测信号即可确定气溶胶生成基质的温度。由于光电检测模块是根据光电效应将衰减光转换为检测信号的，光电效应的反映速度极快，因此，根据检测信号确定的气溶胶生成基质的温度实时性较好。该气溶胶生成设备可以实现对气溶胶生成基质温度的实时检测，既具有很快的响应速度，又有很高的准确度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中气溶胶生成设备的结构示意图；

图2为一个实施例中气溶胶生成设备的模块示意图；

图3为一个实施例中获取第一对应关系时检测信号和气溶胶生成基质温度的变化曲线图；

图4为一个实施例中第一对应关系的示意图；

图5为一个实施例中光发射模块在气溶胶生成基质加热过程中的功率示意图；

图6为一个实施例中第二对应关系的示意图；

图7为一个实施例中气溶胶生成基质的温度检测方法的流程示意图；

图8为一个实施例中气溶胶生成设备的加热控制方法的流程示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种气溶胶生成设备及其加热控制方法、气溶胶生成基质的温度检测方法以及计算机可读存储介质。

图1示出了本发明实施例中的气溶胶生成设备1，该气溶胶生成设备1可用于吸食气溶胶，气溶胶生成设备1包括光发射模块100和光电检测模块200，还可以包括控制器300和电池杆400，控制器300可以集成在光发射模块100中或其他模块中，也可以独立设置。工作时，控制器300在电池杆400供电下，控制光发射模块100提供激光，激光照射在植物草叶类或膏类固态基质900上，对其进行加热，且发射光经过固态基质900衰减后投射至光电检测模块200，其中，该固态基质900可以被制造成块状、条状、饼状、带状等，在此不作限制。光电检测模块200设置在衰减光的光路上，基于该设置下，光电检测模块200可以根据衰减光的能量大小输出不同的电信号，即检测信号，检测信号可以表征气溶胶生成基质的温度。光电检测模块200可以将该检测信号传输至控制器300，使其根据气溶胶生成基质的温度情况调整发光检测模块200的发射光。

气溶胶生成设备1的形态不受局限，以符合用户使用习惯为原则，例如，在一些实施例中可呈椭圆形柱状，可以理解地，该气溶胶生成设备1并不局限于呈椭圆形柱状，其也可以呈圆柱状、方形柱状、扁平柱状等其他形状。

在一个实施例中，请参阅图2，气溶胶生成设备包括光发射模块100和光电检测模块200。光发射模块100用于向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质。可以理解，气溶胶生成基质被加热将会产生气溶胶，且气溶胶生成基质的温度与产生气溶胶的数量有关，一般气溶胶生成基质被加热到350℃左右即可产生足量气溶胶，但是当温度过高时，可能会同时产生大量有害物质，因此，在加热气溶胶生成基质时需要精准控制其温度。而传统加热方式常通过电阻式或电磁式加热，其加热是依赖热传导原理，但是热传导需要等待的时间较长，难以保证气溶胶生成设备的即抽即停。而本实施例中采用光发射模块100向气溶胶生成基质发射照射光，气溶胶生成基质在照射光的作用下被加热，由于光照射加热的能量密度高且响应速度快，相较于传统加热方式可以更好地实现气溶胶生成设备的即抽即停。光发射模块100发射的照射光可以是红外光、激光等。可选地，光发射模块100可包括VCSEL激光芯片。VCSEL激光芯片可选用QFN结构，保证使用过程中的可靠性。

由于光发射模块100的加热速度快，所以应采用测温响应速度较快的温度检测手段才便于实现对气溶胶生成基质的精准控温。传统技术中进行温度测量的手段包括热传导式和红外测温式。以采用热电偶进行测温为例。热传导式测温也需等待热传导的时间，所以响应速度较慢，并且需在每一次抽吸过程中使热电偶与气溶胶生成基质接触进行实时测温，装配工艺难以实现。若应用快速响应的薄膜类热电偶元件则因其无法透射光，而导致难以将其贴在被照射光照射的面测量气溶胶生成基质的温度，同样难以实现实时测温。而红外测温式温度探头的频率一般在30-50Hz左右，也就是说对于即抽即停系统应用需要的0.5s内达到350摄氏度的设定温度来讲，温度探测的理论误差至少大于14摄氏度。

而照射光在照射到气溶胶生成基质后，会受到气溶胶生成基质的衰减作用(如透射、反射、折射等)，即部分能量被气溶胶生成基质吸收后成为衰减光重新射出。根据气溶胶生成基质在加热升温过程中，其对照射光的衰减作用强度(如吸收率、反射率和透射率等)都会因焦化或高温而变化，所以衰减光的能量变化可以用来指示气溶胶生成基质的实时温度状态。基于上述原理，为了解决传统测温中的问题，本实施例在衰减光的光路上设置光电检测模块200，光电检测模块200可以根据衰减光的能量大小输出不同的电信号，即检测信号。由于检测信号与衰减光的能量大小相关，衰减光的能量大小又与气溶胶生成基质的温度相关，因此可以根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度。光电检测模块200可包括光电二极管、PIN型光电二极管、雪崩光电二极管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。该检测信号可以输入到气溶胶生成设备的主控中，主控内包含对检测信号解算的算法，以得到气溶胶生成基质的实时温度，从而在加热过程中控制光发射模块100的功率。另外，本实施例中的光发射模块100和光电检测模块200的数量不做限定。如为了保证加热效率可设置多个光发射模块100。为保证检测准确度也可设置多个光电检测模块200。为节约空间也可仅设置一个光发射模块100和一个光电检测模块200。

基于本实施例中的气溶胶生成设备，为保证加热响应速度使用光发射模块100发射照射光来加热气溶胶生成基质，而根据气溶胶生成基质的温度将影响气溶胶基质对照射光的衰减作用强度，使用光电检测模块200获取衰减光并输出检测信号，根据该检测信号即可确定气溶胶生成基质的温度。由于光电检测模块200是根据光电效应将衰减光转换为检测信号的，光电效应的反映速度极快，因此，根据检测信号确定的气溶胶生成基质的温度实时性较好。该气溶胶生成设备可以实现对气溶胶生成基质温度的实时检测，既具有很快的响应速度，又有很高的准确度。

在其中一个实施例中，检测信号用于根据第一对应关系确定气溶胶生成基质的温度。其中，第一对应关系用于反映检测信号与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。可以理解，通过实验可以获取不同检测信号对应的气溶胶生成基质的温度，从而得到第一对应关系，例如，控制光发射模块100对不同温度气溶胶生成基质发射脉冲照射光，并获取各温度气溶胶生成基质被脉冲光照射时对应的检测信号，根据各温度和对应的检测信号建立第一对应关系。又例如，控制光发射模块100对气溶胶生成基质发射连续照射光，持续加热气溶胶生成基质，利用红外热像仪或其他温度传感器测得气溶胶生成基质实时温度的变化曲线，同时获取实时检测信号的变化曲线，根据这两个变化曲线得到第一对应关系。可参阅图3，图中细线即为检测信号的变化曲线，粗线即为气溶胶生成基质的温度变化曲线，由图3可见，每一检测信号可对应一个气溶胶生成基质的温度，根据这两条变化曲线即可得到第一对应关系。第一对应关系应为检测信号越小，则对应的气溶胶生成基质的温度越高，并且在气溶胶生成基质的温度200摄氏度以后基本成线性变化。

在其中一个实施例中，请参阅图4，在获取第一对应关系的过程中发现，检测信号在随着气溶胶生成基质的温度升高的过程会出现先增再降这一异常变化趋势。虽然在对气溶胶生成基质进行温度控制时，气溶胶生成基质的温度一般都在200℃以上，图4中异常趋势的干扰因素不明显。但是若为更精准的检测温度，该异常变化趋势是由升温后自身发出的红外辐射、气溶胶生成基质受热卷曲变形以及环境光干扰等因素影响。因此，在有些实施例中可设置光学滤波模块和/或基质固定模块。光学滤波模块设置于衰减光的光路上，以在光电检测模块接收到衰减光前对衰减光进行滤波。基质固定模块用于防止气溶胶生成基质在加热过程中发生形变。还可选择使用厚度较大的气溶胶生成基质，减小发生形变的可能。

为避免加热过程中加热温度过高导致的气溶胶生成装置生成过程中，还伴有大量有害物质生成，在有些实施例中，在气溶胶生成基质的温度达到预设温度后，光发射模块发射光的发射总功率降低，以将气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于预设温度。

通过降低光发射模块发射总功率，可以防止继续加热过程中，由于加热温度过高导致的大量有害物质的产生，从而提高气溶胶生成基质生成品质和可靠性。其中，预设温度是指气溶胶生成时不产生有害物体的一个温度，该预设温度可以依据气溶胶生成基质的具体组成成分进行设置，在此不作限制。

在其中一个实施例中，针对使用第一对应关系确定气溶胶生成基质的温度的情况，在气溶胶生成基质达到一定温度后需要调整光发射模块的功率。但是由于衰减光的能量除了与气溶胶生成基质相关以外，还与照射光的能量相关，如选择调低照射光峰值功率的方式，将难以区分衰减光的变化是由照射光的能量变化引起的还是由气溶胶生成基质的温度变化引起的。因此，本实施例的光发射模块在气溶胶生成基质的温度达到预设温度前，发射预设峰值功率的连续光。以及在气溶胶生成基质的温度达到预设温度后，根据脉冲光参数发射预设峰值功率的脉冲光，以将气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于预设温度。可参阅图5，即在整个加热过程中，照射光保持不变的峰值功率，在需要调整功率时，通过改变光发射模块的脉冲光参数，以改变平均功率，实现将气溶胶生成基质的温度维持在预设温度的效果。可选地，脉冲光参数包括脉冲光的脉冲宽度，和/或脉冲光之间的脉冲间隔。气溶胶生成设备可以获取检测信号，并根据第一对应关系确定气溶胶生成基质是否达到预设温度，从而控制光发射模块发射连续光或脉冲光。也可是在光发射模块中集成控制器，将检测信号输入至光发射模块内的控制器，由该控制器控制光发射模块的功率。

在其中一个实施例中，检测信号用于根据第二对应关系确定气溶胶生成基质的温度。其中，第二对应关系用于反映光衰减率和气溶胶生成基质的温度之间的对应关系，光衰减率根据光发射模块的实时功率以及检测信号确定。第二对应关系可参照图6。可以理解，光衰减率可以反映衰减光的能量与照射光的能量之间关系。而由于检测信号与衰减光的能量相关，光发射模块的功率与照射光的功率相关，因此根据检测信号与光发射模块的实时功率可得到气溶胶生成基质的实时光衰减率。而光衰减率与气溶胶生成基质的温度相关。通过实验可以获取不同光衰减率对应的气溶胶生成基质的温度，从而得到第二对应关系。例如，增加一个面向光发射模块接收其出照射光的光电检测模块，直接测量光发射模块发出的部分照射光的能量。将接收照射光的光电检测模块称为第一光电检测模块，输出第一检测信号。将接收衰减光的光电检测模块称为第二光电检测模块，输出第二检测信号。以第一检测信号反映光发射模块的功率大小。利用第二检测信号与第一检测信号做比得到光衰减率。可利用上述获取第一对应关系时的方式获取光衰减率与气溶胶生成基质的温度的对应关系。又例如，也可以直接用检测信号和光电检测模块的实时功率做比。对于使用第二对应关系确定气溶胶生成基质的温度，由于光衰减率已考虑了光发射模块功率变化带来的影响，光衰减率仅与气溶胶生成基质的温度有关。因此，在控制光发射模块的功率时较为灵活，既可以通过发射脉冲光，改变脉冲光参数(可同时调整各脉冲光的峰值功率)来调整功率。也可以保持发射连续光，改变连续光的峰值功率。

本发明实施例提供一种气溶胶生成基质的温度检测方法，请参阅图7，温度检测方法包括S702、S704与S706。该温度检测方法可应用于气溶胶生成设备的主控中，也可应用在其他需要确定气溶胶生成基质的温度的控制器中。

S702，向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质；

S704，获取检测信号，检测信号根据衰减光生成，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光。

气溶胶生成设备包括光发射模块和光电检测模块。光发射模块向气溶胶生成基质发生照射光，照射光经气溶胶生成基质衰减作用后成为衰减光。光电检测模块接收衰减光，并根据光电效应将衰减光转换为检测信号。

S706，根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度。

关于步骤S702、S704和步骤S706的进一步说明可参照上文。

基于本实施例中的温度检测方法，为保证加热响应速度使用光发射模块发射照射光来加热气溶胶生成基质，而根据气溶胶生成基质的温度将影响气溶胶基质对照射光的衰减作用强度，获取和衰减光相关的检测信号，根据该检测信号即可确定气溶胶生成基质的温度。由于光电检测模块是根据光电效应将衰减光转换为检测信号的，光电效应的反映速度极快，因此，根据检测信号确定的气溶胶生成基质的温度实时性较好。该温度检测方法可以实现对气溶胶生成基质温度的实时检测，既具有很快的响应速度，又有很高的准确度。

在其中一个实施例中，根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度包括：根据检测信号和第一对应关系，确定气溶胶生成基质的温度；第一对应关系用于反映检测信号与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

在其中一个实施例中，气溶胶生成基质在光发射模块发射的光的照射下加热，根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度包括：根据检测信号和光发射模块的功率，确定光衰减率；根据光衰减率和第二对应关系，确定气溶胶生成基质的温度；第二对应关系用于反映光衰减率与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的气溶胶生成基质的温度检测方法的气溶胶生成基质的温度检测装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个气溶胶生成基质的温度检测装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于气溶胶生成基质的温度检测方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，提供了一种气溶胶生成基质的温度检测装置，包括：

发射光模块，用于向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质；

模块，用于获取检测信号，检测信号根据衰减光生成，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光；

温度确定模块，用于根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度。

上述气溶胶生成基质的温度检测装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

本发明实施例提供一种气溶胶生成设备的加热控制方法，请参阅图2以及图8。气溶胶生成设备包括光发射模块和光电检测模块，光发射模块用于向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质，光电检测模块用于依据接收的衰减光输出检测信号。其中，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光。该加热控制方法包括S802至S806。

S802，控制光发射模块发射光并获取检测信号。

S804，根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度。

气溶胶生成基质在照射光的照射下温度逐渐升高，在其温度升高的过程中，可多次获取检测信号，以实时监测气溶胶生成基质的温度。可根据检测信号和第一对应关系，确定气溶胶生成基质的温度；第一对应关系用于反映检测信号与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。也可根据检测信号和光发射模块的功率，确定光衰减率；根据光衰减率和第二对应关系，确定气溶胶生成基质的温度；第二对应关系用于反映光衰减率与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。第一对应关系和第二对应关系的进一步说明可参照上文。

S806，在气溶胶生成基质的温度达到预设温度的情况下，调整光发射模块的功率，以将气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于预设温度。

预设温度应低于气溶胶生成基质产生有害物质的阈值温度，以保证在使用气溶胶生成设备的过程中不会吸入有害物质。

在其中一个实施例中，针对使用第一对应关系确定气溶胶生成基质的温度的情况，控制光发射模块发射光包括：控制光发射模块发射预设峰值功率的连续光。调整光发射模块的功率包括：控制光发射模块发射预设峰值功率的脉冲光，通过调整脉冲光参数调整光发射模块的功率。由于衰减光的能量除了与气溶胶生成基质相关以外，还与照射光的能量相关，如选择调低照射光峰值功率的方式，将难以区分衰减光的变化是由照射光的能量变化引起的还是由气溶胶生成基质的温度变化引起的。因此，本实施例的光发射模块在气溶胶生成基质的温度达到预设温度前，发射预设峰值功率的连续光。以及在气溶胶生成基质的温度达到预设温度后，根据脉冲光参数发射预设峰值功率的脉冲光，以将气溶胶生成基质的温度维持在预设温度。

在其中一个实施例中，脉冲光参数包括脉冲光的脉冲宽度，和/或脉冲光之间的脉冲间隔。

应该理解的是，虽然图7以及图8的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且图7以及图8中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的气溶胶生成设备的加热控制方法的气溶胶生成设备的加热控制装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个气溶胶生成设备的加热控制装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于气溶胶生成设备的加热控制方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，提供了一种气溶胶生成设备的加热控制装置，气溶胶生成设备包括光发射模块和光电检测模块，光发射模块用于向气溶胶生成基质发射光以加热气溶胶生成基质，光电检测模块用于依据接收的衰减光输出检测信号；其中，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光，加热控制装置包括：

发射光控制和检测信号获取模块，用于控制光发射模块发射光并获取检测信号；

温度获取模块，用于根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度；

温控执行模块，用于在气溶胶生成基质的温度达到预设温度的情况下，调整光发射模块的功率，以将气溶胶生成基质的温度维持在预设温度。

上述气溶胶生成设备的加热控制装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现：

获取检测信号，检测信号为根据衰减光生成的，衰减光为经气溶胶生成基质衰减作用后的光；

根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度。

在其中一个实施例中，计算机程序被处理器执行时实现：

控制光发射模块发射光并获取检测信号；

根据检测信号确定气溶胶生成基质的温度；

在气溶胶生成基质的温度达到预设温度的情况下，调整光发射模块的功率，以将气溶胶生成基质的温度维持在预设温度。

在其中一个实施例中，计算机程序被处理器执行时实现：

根据检测信号和第一对应关系，确定气溶胶生成基质的温度；第一对应关系用于反映检测信号与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

在其中一个实施例中，计算机程序被处理器执行时实现：

根据检测信号和光发射模块的功率，确定光衰减率；根据光衰减率和第二对应关系，确定气溶胶生成基质的温度；第二对应关系用于反映光衰减率与气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

在其中一个实施例中，计算机程序被处理器执行时实现上述的温度检测方法的步骤或上述加热控制方法的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (14)

1.一种气溶胶生成设备，其特征在于，包括：

光发射模块，用于向气溶胶生成基质发射光以加热所述气溶胶生成基质；

光电检测模块，用于依据接收的衰减光输出检测信号；其中，所述衰减光为经所述气溶胶生成基质衰减作用后的光，所述检测信号用于确定所述气溶胶生成基质的温度。

2.根据权利要求1所述的气溶胶生成设备，其特征在于，所述检测信号用于根据第一对应关系确定所述气溶胶生成基质的温度；其中，所述第一对应关系用于反映所述检测信号与所述气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

3.根据权利要求2所述的气溶胶生成设备，其特征在于，在所述气溶胶生成基质的温度达到预设温度后，所述光发射模块发射光的发射总功率降低，以将所述气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于所述预设温度。

4.根据权利要求3所述的气溶胶生成设备，其特征在于，所述光发射模块用于在所述气溶胶生成基质的温度达到预设温度前，发射预设峰值功率的连续光，以及用于在所述气溶胶生成基质的温度达到预设温度后，根据脉冲光参数发射所述预设峰值功率的脉冲光，以将所述气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于所述预设温度。

5.根据权利要求4所述的气溶胶生成设备，其特征在于，所述脉冲光参数包括所述脉冲光的脉冲宽度，和/或所述脉冲光之间的脉冲间隔。

6.根据权利要求1所述的气溶胶生成设备，其特征在于，所述检测信号用于根据第二对应关系确定所述气溶胶生成基质的温度；其中，所述第二对应关系用于反映光衰减率和所述气溶胶生成基质的温度之间的对应关系，所述光衰减率根据所述光发射模块的实时功率以及所述检测信号确定。

7.根据权利要求1-6任一项所述的气溶胶生成设备，其特征在于，还包括光学滤波模块和/或基质固定模块；

所述光学滤波模块设置于所述衰减光的光路上，以在所述光电检测模块接收到所述衰减光前对所述衰减光进行滤波；

所述基质固定模块用于防止所述气溶胶生成基质在加热过程中发生形变。

8.一种气溶胶生成基质的温度检测方法，其特征在于，包括：

向气溶胶生成基质发射光以加热所述气溶胶生成基质；

获取检测信号，所述检测信号根据衰减光生成，所述衰减光为经所述气溶胶生成基质衰减作用后的光；

根据所述检测信号确定所述气溶胶生成基质的温度。

9.根据权利要求8所述的温度检测方法，其特征在于，所述根据所述检测信号确定所述气溶胶生成基质的温度包括：

根据所述检测信号和第一对应关系，确定所述气溶胶生成基质的温度；所述第一对应关系用于反映所述检测信号与所述气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

10.根据权利要求8所述的温度检测方法，其特征在于，所述气溶胶生成基质在光发射模块发射的光的照射下加热，所述根据所述检测信号确定所述气溶胶生成基质的温度包括：

根据所述检测信号和所述光发射模块的功率，确定光衰减率；

根据所述光衰减率和第二对应关系，确定所述气溶胶生成基质的温度；所述第二对应关系用于反映所述光衰减率与所述气溶胶生成基质的温度之间的对应关系。

11.一种气溶胶生成设备的加热控制方法，其特征在于，所述气溶胶生成设备包括光发射模块和光电检测模块，所述光发射模块用于向气溶胶生成基质发射光以加热所述气溶胶生成基质，所述光电检测模块用于依据接收的衰减光输出检测信号；其中，所述衰减光为经所述气溶胶生成基质衰减作用后的光，所述加热控制方法包括：

控制所述光发射模块发射光并获取所述检测信号；

根据所述检测信号确定所述气溶胶生成基质的温度；

在所述气溶胶生成基质的温度达到预设温度的情况下，调整所述光发射模块的功率，以将所述气溶胶生成基质的温度维持在小于或等于所述预设温度。

12.根据权利要求11所述的加热控制方法，其特征在于，所述控制所述光发射模块发射光包括：

控制所述光发射模块发射预设峰值功率的连续光；

所述调整所述光发射模块的功率包括：

控制所述光发射模块发射所述预设峰值功率的脉冲光，通过调整脉冲光参数调整所述光发射模块的功率。

13.根据权利要求12所述的加热控制方法，其特征在于，所述脉冲光参数包括所述脉冲光的脉冲宽度，和/或所述脉冲光之间的脉冲间隔。

14.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求8至10中任一项所述的温度检测方法的步骤或权利要求11至13中任一项所述加热控制方法的步骤。