CN117368663A - 用于电容检测设备的自检方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供用于电容检测设备的自检方法,其采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据,以此对电容检测设备进行变化冲击电压发生数据获取,确定设备是否能够精确发生冲击电压,再对保护电路在不同冲击电压下的对设备的保护作用进行持续检测,以此对保护电路的故障电路元件进行识别;再基于电容检测设备对薄膜电容器件施加的冲击电压,得到设备施加冲击电压过程的漏电流状态,对导致漏电流的故障元件进行准确识别定位;还基于电容检测设备对薄膜电容器件的检测数据,确定其电容检测误差,从而判断电容检测设备是否满足检测精度条件,实现内部元件故障与否的识别,提高设备自检的可靠性和准确性。
Description
技术领域
本发明涉及设备自动检测的技术领域,特别涉及用于电容检测设备的自检方法。
背景技术
薄膜电容广泛应用于集成电路,薄膜电容是利用金属箔作为电极和聚酯材料薄膜作为电容板,并结合相应的卷绕加工工艺生产形成。薄膜电容的电容特性决定于采用的聚酯材料薄膜类型和聚酯材料薄膜的尺寸。在薄膜电容生产完毕后,需要利用电容检测设备来检测薄膜电容的实际电容大小,而电容检测设备是通过向薄膜电容施加不同大小的冲击电压,计算薄膜电容的介电强度,以此实现对薄膜电容的电容值确定。在实际检测操作中,电容检测设备产生的冲电压大小会直接影响电容检测的准确性,当电容检测设备内部保护电路失能或者存在故障元件均使电容检测设备无法产生精确稳定的冲击电压,从而降低薄膜电容检测的可靠性和准确性。
发明内容
针对现有技术存在的缺陷,本发明提供用于电容检测设备的自检方法,其采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据,以此对电容检测设备进行变化冲击电压发生数据获取,确定设备是否能够精确发生冲击电压,再对保护电路在不同冲击电压下的对设备的保护作用进行持续检测,以此对保护电路的故障电路元件进行识别;再基于电容检测设备对薄膜电容器件施加的冲击电压,得到设备施加冲击电压过程的漏电流状态,对导致漏电流的故障元件进行准确识别定位;还基于电容检测设备对薄膜电容器件的检测数据,确定其电容检测误差,从而判断电容检测设备是否满足检测精度条件,其对电容检测设备进行不同冲击电压发生模式下的保护电路和漏电流检测,实现内部元件故障与否的识别,还对设备的检测精度进行量化确定,提高设备自检的可靠性和准确性。
本发明提供用于电容检测设备的自检方法,包括如下步骤:
步骤S1,采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下对应的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据;对所述实际冲击电压发生数据进行分析,判断所述电容检测设备是否满足预设冲击电压发生条件;
步骤S2,当所述电容检测设备不满足预设冲击电压发生条件,对所述保护电路工作数据进行分析,得到所述电容检测设备的保护电路对应存在的故障电路元件;
步骤S3,采集所述电容检测设备对薄膜电容器件的冲击电压施加数据,对所述冲击电压施加数据进行分析,得到所述电容检测设备在施加冲击电压过程对应的漏电流数据;基于所述漏电流数据,确定所述电容检测设备的故障元件;
步骤S4,基于所述电容检测设备对所述薄膜电容器件的检测数据,得到所述电容检测设备对所述薄膜电容器件的电容检测误差,以此确定所述电容检测设备是否满足预设检测精度条件。
进一步,在所述步骤S1中,采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下对应的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据,包括:
采集电容检测设备以等间隔升压方式产生若干不同冲击电压模式下对应的实际冲击电压发生期间的冲击电压值变化数据,以及所述电容检测设备的保护电路在所述实际冲击电压发生期间各个电路元件的工作数据;其中,所述工作数据包括所述电路元件的工作电压数据和工作电流数据。
进一步,在所述步骤S1中,还包括:
步骤S101,冲击电压存在上下波动情况,使得冲击电压的实际值需要以预设固定采集频率对击穿电压进行电压值采集,利用下面公式(1),根据单位时间内采集的电压值,得到击穿电压的有效值,
在上述公式(1)中,表示击穿电压的有效值;U(a)表示单位时间内以预设固定频率采集到的第a个电压值;f表示预设固定频率值;T表示单位时间;
步骤S102,利用下面公式(2),根据单位时间内采集到的电压值,得到击穿电压在单位时间内的最大变化电压值和瞬时最大电压变化量,
在上述公式(2)中,ΔUM表示击穿电压在单位时间内的最大变化电压值;ΔuM表示击穿电压在单位时间内的瞬时最大电压变化量;表示将a的值从1取值到T×f代入到括号内得到括号内的最大值;/>表示将a的值从1取值到T×f代入到括号内得到括号内的最小值;U(a-1)表示单位时间内利用预设固定频率采集到的第a-1个电压值;
步骤S103,利用下面公式(3),根据击穿电压在单位时间内的最大变化电压值和瞬时最大电压变化量对击穿电压的有效值增加电压波动余量,得到击穿电压的实际值,
在上述公式(3)中,u'表示击穿电压的实际值;max(ΔUM,ΔuM)表示求取ΔUM和ΔuM两者中的最大值。
进一步,在所述步骤S1中,对所述实际冲击电压发生数据进行分析,判断所述电容检测设备是否满足预设冲击电压发生条件,包括:
对所述冲击电压值变化数据进行分析,得到所述电容检测设备在产生不同冲击电压发生期间各自的冲击电压变化率;
若每个冲击电压发生期间对应的冲击电压变化率分别小于或等于对应的变化率阈值,则判断所述电容检测设备满足预设冲击电压发生稳定度条件;否则,确定所述电容检测设备不满足预设冲击电压发生稳定度条件,并标定所有冲击电压变化率大于对应的变化率阈值的冲击电压发生期间;其中,所述冲击电压发生期间对应所述电容检测设备产生相应大小的冲击电压的持续期间。’
进一步,在所述步骤S2中,当所述电容检测设备不满足预设冲击电压发生条件,对所述保护电路工作数据进行分析,得到所述电容检测设备的保护电路对应存在的故障电路元件,包括:
当所述电容检测设备不满足预设冲击电压发生稳定度条件时,获取所述标定的所有冲击电压发生期间各自对应的保护电路工作数据;并对所述保护电路工作数据包含的电路元件的工作电压数据和工作电流数据进行滤波处理;
基于所述工作电压数据和所述工作电流数据,判断所述电路元件是否属于故障电路元件。
进一步,在所述步骤S2中,基于所述工作电压数据和所述工作电流数据,判断所述电路元件是否属于故障电路元件,包括:
基于所述工作电压数据和所述工作电流数据,得到所述电路元件的工作电压变化曲线和工作电流变化曲线;再将所述工作电压变化曲线与预设电压变化基准曲线进行对比,和将所述工作电流变化曲线与预设电流变化基准曲线进行对比,判断所述电路元件是否属于故障电路元件;并确定所述故障电路元件在所述保护电路的位置。
进一步,在所述步骤S3中,采集所述电容检测设备对薄膜电容器件的冲击电压施加数据,对所述冲击电压施加数据进行分析,得到所述电容检测设备在施加冲击电压过程对应的漏电流数据,包括:
采集所述电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,薄膜电容器件内部形成的电场分布数据;其中,所述薄膜电容器件是电容分布特性已知的电容器件;
基于所述电场分布数据和所述薄膜电容器件的电容分布特征,得到所述电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,对所述薄膜电容器件实际接收的冲击电压数据;
基于所述电容检测设备发生的冲击电压数据和所述薄膜电容器件实际接收的冲击电压数据之间的差异,得到所述电容检测而设备向所述薄膜电容器件施加冲击电压过程对应的漏电流数据。
进一步,在所述步骤S3中,基于所述漏电流数据,确定所述电容检测设备的故障元件,包括:
对所述漏电流数据进行分析,得到所述电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,所述电容检测设备的漏电流分布信息;
基于所述漏电流分布信息,确定所述电容检测设备被冲击电压击穿而形成的故障元件。
进一步,在所述步骤S4中,基于所述电容检测设备对所述薄膜电容器件的检测数据,得到所述电容检测设备对所述薄膜电容器件的电容检测误差,以此确定所述电容检测设备是否满足预设检测精度条件,包括:
将所述电容检测设备对所述薄膜电容器件不同部位的电容检测结果与所述薄膜电容器件的已知电容分布特性进行对比,得到所述电容检测设备对所述薄膜电容器件不同部位的电容检测误差;对所有电容检测误差进行分析处理,确定电容检测设备是否满足预设检测精度条件。
相比于现有技术,该用于电容检测设备的自检方法采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据,以此对电容检测设备进行变化冲击电压发生数据获取,确定设备是否能够精确发生冲击电压,再对保护电路在不同冲击电压下的对设备的保护作用进行持续检测,以此对保护电路的故障电路元件进行识别;再基于电容检测设备对薄膜电容器件施加的冲击电压,得到设备施加冲击电压过程的漏电流状态,对导致漏电流的故障元件进行准确识别定位;还基于电容检测设备对薄膜电容器件的检测数据,确定其电容检测误差,从而判断电容检测设备是否满足检测精度条件,其对电容检测设备进行不同冲击电压发生模式下的保护电路和漏电流检测,实现内部元件故障与否的识别,还对设备的检测精度进行量化确定,提高设备自检的可靠性和准确性。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的用于电容检测设备的自检方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参阅图1,为本发明实施例提供的用于电容检测设备的自检方法的流程示意图。该用于电容检测设备的自检方法包括如下步骤:
步骤S1,采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下对应的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据;对该实际冲击电压发生数据进行分析,判断该电容检测设备是否满足预设冲击电压发生条件;
步骤S2,当该电容检测设备不满足预设冲击电压发生条件,对该保护电路工作数据进行分析,得到该电容检测设备的保护电路对应存在的故障电路元件;
步骤S3,采集该电容检测设备对薄膜电容器件的冲击电压施加数据,对该冲击电压施加数据进行分析,得到该电容检测设备在施加冲击电压过程对应的漏电流数据;基于该漏电流数据,确定该电容检测设备的故障元件;
步骤S4,基于该电容检测设备对该薄膜电容器件的检测数据,得到该电容检测设备对该薄膜电容器件的电容检测误差,以此确定该电容检测设备是否满足预设检测精度条件。
上述技术方案的有益效果为:该用于电容检测设备的自检方法采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据,以此对电容检测设备进行变化冲击电压发生数据获取,确定设备是否能够精确发生冲击电压,再对保护电路在不同冲击电压下的对设备的保护作用进行持续检测,以此对保护电路的故障电路元件进行识别;再基于电容检测设备对薄膜电容器件施加的冲击电压,得到设备施加冲击电压过程的漏电流状态,对导致漏电流的故障元件进行准确识别定位;还基于电容检测设备对薄膜电容器件的检测数据,确定其电容检测误差,从而判断电容检测设备是否满足检测精度条件,其对电容检测设备进行不同冲击电压发生模式下的保护电路和漏电流检测,实现内部元件故障与否的识别,还对设备的检测精度进行量化确定,提高设备自检的可靠性和准确性。
优选地,在该步骤S1中,采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下对应的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据,包括:
采集电容检测设备以等间隔升压方式产生若干不同冲击电压模式下对应的实际冲击电压发生期间的冲击电压值变化数据,以及该电容检测设备的保护电路在该实际冲击电压发生期间各个电路元件的工作数据;其中,该工作数据包括该电路元件的工作电压数据和工作电流数据。
上述技术方案的有益效果为:为了保证电容检测设备能够对不同型号的薄膜电容器件进行精确个性化的电容检测,电容检测设备需要向薄膜电容器件施加不同大小的冲击电压,确定薄膜电容器件在不同冲击电压作用下的抗电压强度,以此得到薄膜电容器件的抗电压强度极限,便于计算薄膜电容器件的电容大小。电容检测设备施加的冲击电压的大小精确度和稳定性直接决定电容检测的准确性。指示电容检测设备进入到冲击电压发生工作模式,以使电容检测设备能够以等间隔升压方式产生若干不同冲击电压,即指示电容检测设备发生一系列不同的冲击电压,并且任意相邻两个冲击电压之间的电压差值均相等,以及随着时间推移冲击电压的电压值也逐渐增大,这样可以对电压检测设备在不同大小冲击电压发生需求下的实际冲击电压发生状态进行检测。通过上述方式,采集得到电容检测设备以等间隔升压方式产生若干不同冲击电压模式下对应的实际冲击电压发生期间的冲击电压值变化数据,该冲击电压值变化数据可为但不限于是每当要求电容检测设备发生一个固定大小的冲击电压时,电容检测设备在当前冲击电压发生期间实际发生的冲击电压值变化数据。同时还采集电容检测设备的保护电路在该实际冲击电压发生期间各个电路元件的工作电压数据和工作电流数据,从而对保护电路在不同冲击电压发生过程中的实际工作状态进行全面记录。
优选地,在该步骤S1中,还包括:
步骤S101,冲击电压存在上下波动情况,使得冲击电压的实际值需要以预设固定采集频率对击穿电压进行电压值采集,利用下面公式(1),根据单位时间内采集的电压值,得到击穿电压的有效值,
在上述公式(1)中,表示击穿电压的有效值;U(a)表示单位时间内以预设固定频率采集到的第a个电压值;f表示预设固定频率值;T表示单位时间;
步骤S102,利用下面公式(2),根据单位时间内采集到的电压值,得到击穿电压在单位时间内的最大变化电压值和瞬时最大电压变化量,
在上述公式(2)中,ΔUM表示击穿电压在单位时间内的最大变化电压值;ΔuM表示击穿电压在单位时间内的瞬时最大电压变化量;表示将a的值从1取值到T×f代入到括号内得到括号内的最大值;/>表示将a的值从1取值到T×f代入到括号内得到括号内的最小值;U(a-1)表示单位时间内利用预设固定频率采集到的第a-1个电压值;
步骤S103,利用下面公式(3),根据击穿电压在单位时间内的最大变化电压值和瞬时最大电压变化量对击穿电压的有效值增加电压波动余量,得到击穿电压的实际值,
在上述公式(3)中,u'表示击穿电压的实际值;max(ΔUM,ΔuM)表示求取ΔUM和ΔuM两者中的最大值。
上述技术方案的有益效果为:利用上述公式(1),根据单位时间内采集的电压值,得到击穿电压的有效值,从而将电压进行归一化处理,简化了对电压处理的分析,节省了系统工作时间;再利用上述公式(2),根据单位时间内采集到的电压值,得到击穿电压在单位时间内的最大变化电压值和瞬时最大电压变化量,从而知晓电压在单位时间内的具体变化,并通过电压的变化情况增加余量防止电压变化过快导致击穿电压的性能变化;最后利用上述公式(3),根据击穿电压在单位时间内的最大变化电压值和瞬时最大电压变化量对击穿电压的有效值增加电压波动余量,得到击穿电压的实际值,使得到的电压实际值可以准确的反映出单位时间内电压的情况。
优选地,在该步骤S1中,对该实际冲击电压发生数据进行分析,判断该电容检测设备是否满足预设冲击电压发生条件,包括:
对该冲击电压值变化数据进行分析,得到该电容检测设备在产生不同冲击电压发生期间各自的冲击电压变化率;
若每个冲击电压发生期间对应的冲击电压变化率分别小于或等于对应的变化率阈值,则判断该电容检测设备满足预设冲击电压发生稳定度条件;否则,确定该电容检测设备不满足预设冲击电压发生稳定度条件,并标定所有冲击电压变化率大于对应的变化率阈值的冲击电压发生期间;其中,该冲击电压发生期间对应该电容检测设备产生相应大小的冲击电压的持续期间。
上述技术方案的有益效果为:每当要求电容检测设备发生一个固定大小的冲击电压时,对应的冲击电压值变化数据进行分析拟合,得到电容检测设备在当前冲击电压发生期间的冲击电压变化率,并对冲击电压变化率进行阈值对比处理,以此判断电容检测设备是否满足预设冲击电压发生稳定度条件,从而对电容检测设备的冲击电压大小发生稳定与否进行精确识别。
优选地,在该步骤S2中,当该电容检测设备不满足预设冲击电压发生条件,对该保护电路工作数据进行分析,得到该电容检测设备的保护电路对应存在的故障电路元件,包括:
当该电容检测设备不满足预设冲击电压发生稳定度条件时,获取该标定的所有冲击电压发生期间各自对应的保护电路工作数据;并对该保护电路工作数据包含的电路元件的工作电压数据和工作电流数据进行滤波处理;
基于该工作电压数据和该工作电流数据,判断该电路元件是否属于故障电路元件。
上述技术方案的有益效果为:当电容检测设备不满足预设冲击电压发生稳定度条件时,确定其对应所在的冲击电压发生期间,继而得到该确定的冲击电压发生期间电容检测设备的保护电路工作数据,便于在电容检测设备产生的冲击电压不稳定的情况下,相应对电容检测设备的保护电路进行工作分析。而对保护电路工作数据包含的电路元件的工作电压数据和工作电流数据进行滤波处理,能够有效消除保护电路工作数据的噪声干扰,便于准确判断保护电路的电路元件是否属于故障电路元件。
优选地,在该步骤S2中,基于该工作电压数据和该工作电流数据,判断该电路元件是否属于故障电路元件,包括:
基于该工作电压数据和该工作电流数据,得到该电路元件的工作电压变化曲线和工作电流变化曲线;再将该工作电压变化曲线与预设电压变化基准曲线进行对比,和将该工作电流变化曲线与预设电流变化基准曲线进行对比,判断该电路元件是否属于故障电路元件;并确定该故障电路元件在该保护电路的位置。
上述技术方案的有益效果为:以电路元件的工作电压数据和工作电流数据为基准,拟合得到电路元件在电容检测设备发出冲击电压过程中的工作电压变化曲线和工作电流变化曲线,再分别与预设电压变化基准曲线和预设电流变化基准曲线进行对比,得到相应的电压变化曲线偏差信息和电流变化曲线偏差信息,当的电压变化曲线偏差信息或电流变化曲线偏差信息超出预定允许电压偏差范围或预定允许电流偏差范围,则确定电路元件属于故障电路元件,继而进一步确定故障电路元件在保护电路的位置,便于后续对保护电路进行准确维修。其中,预设电压变化基准曲线和预设电流变化基准曲线是指电路元件在正常工作状态下的标准工作电压变化曲线和标准工作电流变化曲线。
优选地,在该步骤S3中,采集该电容检测设备对薄膜电容器件的冲击电压施加数据,对该冲击电压施加数据进行分析,得到该电容检测设备在施加冲击电压过程对应的漏电流数据,包括:
采集该电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,薄膜电容器件内部形成的电场分布数据;其中,该薄膜电容器件是电容分布特性已知的电容器件;
基于该电场分布数据和该薄膜电容器件的电容分布特征,得到该电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,对该薄膜电容器件实际接收的冲击电压数据;
基于该电容检测设备发生的冲击电压数据和该薄膜电容器件实际接收的冲击电压数据之间的差异,得到该电容检测而设备向该薄膜电容器件施加冲击电压过程对应的漏电流数据。
上述技术方案的有益效果为:在实际自检过程中,还会利用标准薄膜电容器件对电容检测设备进行真实检测,该标准薄膜电容器件是电容分布特征(即薄膜电容器件的整个薄膜表面不同位置的电容值分布特征)已知的电容器件,利用该标准薄膜电容器件作为参照,能够对电容检测设备在检测过程中对标准薄膜电容器件实际施加的冲击电压及其漏电流状态进行准确的反演评估。在实际电容检测过程中,当电容检测设备存在漏电流时,薄膜电容器件实际接收到的冲击电压会小于电容检测设备实际产生的冲击电压,并且当漏电流越大,两者的电压差异也越大。基于电容检测设备发生的冲击电压数据和薄膜电容器件实际接收的冲击电压数据之间的差异,能够准确确定电容检测设备施加冲击电压过程存在的漏电流。
优选地,在该步骤S3中,基于该漏电流数据,确定该电容检测设备的故障元件,包括:
对该漏电流数据进行分析,得到该电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,该电容检测设备的漏电流分布信息;
基于该漏电流分布信息,确定该电容检测设备被冲击电压击穿而形成的故障元件。
上述技术方案的有益效果为:对漏电流数据进行分析,得到电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,电容检测设备的漏电流分布信息,该漏电流分布信息可为但不限于是电容检测设备内部所有电子元件的漏电流大小。当某一电子元件的漏电流大于或等于预设漏电流阈值,则确定该电子元件已经被冲击电压击穿而无法正常工作,以此判定该电子元件为故障元件。
优选地,在该步骤S4中,基于该电容检测设备对该薄膜电容器件的检测数据,得到该电容检测设备对该薄膜电容器件的电容检测误差,以此确定该电容检测设备是否满足预设检测精度条件,包括:
将该电容检测设备对该薄膜电容器件不同部位的电容检测结果与该薄膜电容器件的已知电容分布特性进行对比,得到该电容检测设备对该薄膜电容器件不同部位的电容检测误差;对所有电容检测误差进行分析处理,确定电容检测设备是否满足预设检测精度条件。
上述技术方案的有益效果为:将电容检测设备对该薄膜电容器件不同部位的电容检测结果与薄膜电容器件的已知电容分布特性进行对比,得到电容检测设备对薄膜电容器件不同部位的电容检测误差,这样能够对电容检测设备的实际电容检测误差进行量化判断。若电容检测误差大于或等于预设误差阈值,则确定电容检测设备不满足预设检测精度条件,从而实现对电容检测设备的检测精度性能自检。
从上述实施例的内容可知,该用于电容检测设备的自检方法采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据,以此对电容检测设备进行变化冲击电压发生数据获取,确定设备是否能够精确发生冲击电压,再对保护电路在不同冲击电压下的对设备的保护作用进行持续检测,以此对保护电路的故障电路元件进行识别;再基于电容检测设备对薄膜电容器件施加的冲击电压,得到设备施加冲击电压过程的漏电流状态,对导致漏电流的故障元件进行准确识别定位;还基于电容检测设备对薄膜电容器件的检测数据,确定其电容检测误差,从而判断电容检测设备是否满足检测精度条件,其对电容检测设备进行不同冲击电压发生模式下的保护电路和漏电流检测,实现内部元件故障与否的识别,还对设备的检测精度进行量化确定,提高设备自检的可靠性和准确性。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.用于电容检测设备的自检方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1,采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下对应的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据;对所述实际冲击电压发生数据进行分析,判断所述电容检测设备是否满足预设冲击电压发生条件;
步骤S2,当所述电容检测设备不满足预设冲击电压发生条件,对所述保护电路工作数据进行分析,得到所述电容检测设备的保护电路对应存在的故障电路元件;
步骤S3,采集所述电容检测设备对薄膜电容器件的冲击电压施加数据,对所述冲击电压施加数据进行分析,得到所述电容检测设备在施加冲击电压过程对应的漏电流数据;基于所述漏电流数据,确定所述电容检测设备的故障元件;
步骤S4,基于所述电容检测设备对所述薄膜电容器件的检测数据,得到所述电容检测设备对所述薄膜电容器件的电容检测误差,以此确定所述电容检测设备是否满足预设检测精度条件。
2.如权利要求1所述的用于电容检测设备的自检方法,其特征在于:
在所述步骤S1中,采集电容检测设备在预设冲击电压发生模式下对应的实际冲击电压发生数据和保护电路工作数据,包括:
采集电容检测设备以等间隔升压方式产生若干不同冲击电压模式下对应的实际冲击电压发生期间的冲击电压值变化数据,以及所述电容检测设备的保护电路在所述实际冲击电压发生期间各个电路元件的工作数据;其中,所述工作数据包括所述电路元件的工作电压数据和工作电流数据。
3.如权利要求2所述的用于电容检测设备的自检方法,其特征在于:
在所述步骤S1中,还包括:
步骤S101,冲击电压存在上下波动情况,使得冲击电压的实际值需要以预设固定采集频率对击穿电压进行电压值采集,利用下面公式(1),根据单位时间内采集的电压值,得到击穿电压的有效值,
在上述公式(1)中,表示击穿电压的有效值;U(a)表示单位时间内以预设固定频率采集到的第a个电压值;f表示预设固定频率值;T表示单位时间;
步骤S102,利用下面公式(2),根据单位时间内采集到的电压值,得到击穿电压在单位时间内的最大变化电压值和瞬时最大电压变化量,
在上述公式(2)中,ΔUM表示击穿电压在单位时间内的最大变化电压值;ΔuM表示击穿电压在单位时间内的瞬时最大电压变化量;表示将a的值从1取值到T×f代入到括号内得到括号内的最大值;/>表示将a的值从1取值到T×f代入到括号内得到括号内的最小值;U(a-1)表示单位时间内利用预设固定频率采集到的第a-1个电压值;
步骤S103,利用下面公式(3),根据击穿电压在单位时间内的最大变化电压值和瞬时最大电压变化量对击穿电压的有效值增加电压波动余量,得到击穿电压的实际值,
在上述公式(3)中,u'表示击穿电压的实际值;max(ΔUM,ΔuM)表示求取ΔUM和ΔuM两者中的最大值。
4.如权利要求2所述的用于电容检测设备的自检方法,其特征在于:
在所述步骤S1中,对所述实际冲击电压发生数据进行分析,判断所述电容检测设备是否满足预设冲击电压发生条件,包括:
对所述冲击电压值变化数据进行分析,得到所述电容检测设备在产生不同冲击电压发生期间各自的冲击电压变化率;
若每个冲击电压发生期间对应的冲击电压变化率分别小于或等于对应的变化率阈值,则判断所述电容检测设备满足预设冲击电压发生稳定度条件;否则,确定所述电容检测设备不满足预设冲击电压发生稳定度条件,并标定所有冲击电压变化率大于对应的变化率阈值的冲击电压发生期间;其中,所述冲击电压发生期间对应所述电容检测设备产生相应大小的冲击电压的持续期间。
5.如权利要求4所述的用于电容检测设备的自检方法,其特征在于:
在所述步骤S2中,当所述电容检测设备不满足预设冲击电压发生条件,对所述保护电路工作数据进行分析,得到所述电容检测设备的保护电路对应存在的故障电路元件,包括:
当所述电容检测设备不满足预设冲击电压发生稳定度条件时,获取所述标定的所有冲击电压发生期间各自对应的保护电路工作数据;并对所述保护电路工作数据包含的电路元件的工作电压数据和工作电流数据进行滤波处理;
基于所述工作电压数据和所述工作电流数据,判断所述电路元件是否属于故障电路元件。
6.如权利要求5所述的用于电容检测设备的自检方法,其特征在于:
在所述步骤S2中,基于所述工作电压数据和所述工作电流数据,判断所述电路元件是否属于故障电路元件,包括:
基于所述工作电压数据和所述工作电流数据,得到所述电路元件的工作电压变化曲线和工作电流变化曲线;再将所述工作电压变化曲线与预设电压变化基准曲线进行对比,和将所述工作电流变化曲线与预设电流变化基准曲线进行对比,判断所述电路元件是否属于故障电路元件;并确定所述故障电路元件在所述保护电路的位置。
7.如权利要求1所述的用于电容检测设备的自检方法,其特征在于:
在所述步骤S3中,采集所述电容检测设备对薄膜电容器件的冲击电压施加数据,对所述冲击电压施加数据进行分析,得到所述电容检测设备在施加冲击电压过程对应的漏电流数据,包括:
采集所述电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,薄膜电容器件内部形成的电场分布数据;其中,所述薄膜电容器件是电容分布特性已知的电容器件;
基于所述电场分布数据和所述薄膜电容器件的电容分布特征,得到所述电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,对所述薄膜电容器件实际接收的冲击电压数据;
基于所述电容检测设备发生的冲击电压数据和所述薄膜电容器件实际接收的冲击电压数据之间的差异,得到所述电容检测而设备向所述薄膜电容器件施加冲击电压过程对应的漏电流数据。
8.如权利要求7所述的用于电容检测设备的自检方法,其特征在于:
在所述步骤S3中,基于所述漏电流数据,确定所述电容检测设备的故障元件,包括:
对所述漏电流数据进行分析,得到所述电容检测设备在发生不同大小冲击电压情况下,所述电容检测设备的漏电流分布信息;
基于所述漏电流分布信息,确定所述电容检测设备被冲击电压击穿而形成的故障元件。
9.如权利要求1所述的用于电容检测设备的自检方法,其特征在于:
在所述步骤S4中,基于所述电容检测设备对所述薄膜电容器件的检测数据,得到所述电容检测设备对所述薄膜电容器件的电容检测误差,以此确定所述电容检测设备是否满足预设检测精度条件,包括:
将所述电容检测设备对所述薄膜电容器件不同部位的电容检测结果与所述薄膜电容器件的已知电容分布特性进行对比,得到所述电容检测设备对所述薄膜电容器件不同部位的电容检测误差;对所有电容检测误差进行分析处理,确定电容检测设备是否满足预设检测精度条件。
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