CN117318684B - 关断电路和电子设备 - Google Patents

关断电路和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN117318684B
CN117318684B CN202311623035.6A CN202311623035A CN117318684B CN 117318684 B CN117318684 B CN 117318684B CN 202311623035 A CN202311623035 A CN 202311623035A CN 117318684 B CN117318684 B CN 117318684B
Authority
CN
China
Prior art keywords
switching tube
resistor
turn
voltage
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202311623035.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117318684A (zh
Inventor
熊凯
黄辉
傅俊寅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Bronze Sword Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Bronze Sword Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Bronze Sword Technology Co ltd filed Critical Shenzhen Bronze Sword Technology Co ltd
Priority to CN202311623035.6A priority Critical patent/CN117318684B/zh
Publication of CN117318684A publication Critical patent/CN117318684A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117318684B publication Critical patent/CN117318684B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

本申请公开了一种关断电路和电子设备,关断电路用于关断目标开关管,关断电路包括检测模块、控制模块和关断模块;检测模块用于采集目标开关管两端的电压信号,并根据电压信号确定目标开关管故障时,生成并输出故障信号;控制模块用于:响应于接收到故障信号,生成并输出第一关断信号;响应于接收到电路外部的关断指令,生成并输出第二关断信号;关断模块用于:响应于接收到第一关断信号,根据第一速度降低控制端的电压至关断阈值,并对控制端接入第一阻抗;响应于接收到第二关断信号,根据第二速度降低控制端的电压至关断阈值,并对控制端接入第二阻抗;第一速度小于第二速度,第一阻抗大于第二阻抗。本申请可以有效抑制故障导致的电压尖峰。

Description

关断电路和电子设备
技术领域
本申请涉开关管控制技术领域,具体涉及一种关断电路和电子设备。
背景技术
现有的半导体开关管,在关断的过程中容易产生较大的电压变化,从而会导致开关管在关断过程中出现斜度较大的电压尖峰,由于开关管的耐压能力有限,在出现电压尖峰时容易导致开关管损坏。
在相关技术中,一般采用多级关断,在开关管关断阶段通过切换至少两路信号来进行多级关断,从而降低关断过程中电压尖峰以及电压振荡的斜度。然而现有的多级关断的实现方法比较复杂,以及成本较高。
发明内容
鉴于此,本申请提供一种关断电路和电子设备,在目标开关管出现故障时可以降低关断速度难并抑制故障导致的电压尖峰,从而避免目标开关管损坏。本申请技术方案如下:
本申请第一方面提供一种关断电路,用于关断目标开关管,所述关断电路包括检测模块、控制模块和关断模块;所述检测模块与所述目标开关管的第一端和第二端连接,所述检测模块用于采集所述目标开关管两端的电压信号,并根据所述电压信号确定所述目标开关管故障时,生成并输出故障信号;所述控制模块与所述检测模块连接,所述控制模块用于:响应于接收到所述故障信号,生成并输出第一关断信号;响应于接收到电路外部的关断指令,生成并输出第二关断信号;所述关断模块与所述控制模块及所述目标开关管的控制端连接,所述关断模块用于:响应于接收到所述第一关断信号,根据第一速度降低所述控制端的电压至关断阈值,并对所述控制端接入第一阻抗;响应于接收到所述第二关断信号,根据第二速度降低所述控制端的电压至所述关断阈值,并对所述控制端接入第二阻抗;所述第一速度小于所述第二速度,所述第一阻抗大于所述第二阻抗。
在本申请一实施例中,所述关断模块包括第一关断单元和第二关断单元,所述第一关断单元连接所述控制模块和所述目标开关管的控制端,所述第二关断单元连接所述控制模块和所述目标开关管的控制端;所述控制模块还用于:响应于生成所述第一关断信号,传输所述第一关断信号至所述第一关断单元;响应于生成所述第二关断信号,传输所述第二关断信号至所述第二关断单元;所述第一关断单元用于响应于接收到所述第一关断信号,根据第一速度降低所述控制端的电压至关断阈值,并对所述控制端接入第一阻抗;所述第二关断单元用于响应于接收到所述第二关断信号,根据第二速度降低所述控制端的电压至所述关断阈值,并对所述控制端接入第二阻抗。
在本申请一实施例中,所述第一关断单元包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第一开关管;所述第一开关管的控制端通过所述第一电阻连接至所述控制模块,所述第一开关管的第一端与第二电阻的第一端连接,所述第一开关管的第二端用于接收负电压;所述第二电阻的第二端连接第三电阻的第一端,所述第三电阻的第二端连接所述目标开关管的控制端;所述第一电容与所述第三电阻并联。
在本申请一实施例中,所述第二关断单元包括:第四电阻和第二开关管;所述第二开关管的控制端通过所述第四电阻连接至所述控制模块,所述第二开关管的第一端连接所述第三电阻的第一端,所述第二开关管的第二端用于接收负电压。
在本申请一实施例中,所述关断模块还包括驱动单元,所述驱动单元连接所述控制模块和所述目标开关管的控制端;控制模块还用于响应于接收到电路外部的导通指令,生成并传输导通信号至所述驱动单元;所述驱动单元用于响应于所述导通信号,控制所述目标开关管导通。
在本申请一实施例中,所述驱动单元包括:第五电阻、第六电阻、第三开关管;所述第三开关管的控制端通过所述第五电阻连接至所述控制模块,所述第三开关管的第一端用于接收正电压,所述第三开关管的第二端通过所述第六电阻连接至所述目标开关管的控制端。
在本申请一实施例中,所述检测模块包括短路检测单元和欠压检测单元,所述短路检测单元连接所述控制模块和所述目标开关管的第一端和第二端,所述欠压检测单元连接所述控制模块和所述目标开关管的第二端;所述短路检测单元用于根据所述目标开关管的第一端的电压信号确定所述目标开关管短路时,生成并输出所述故障信号至所述控制模块;所述欠压检测单元用于根据所述目标开关管的第二端的电压信号确定所述目标开关管欠压时,生成并输出所述故障信号至所述控制模块。
在本申请一实施例中,所述短路检测单元包括:第四开关管、第一比较器、第七电阻、第八电阻、第二电容、第一二极管以及第二二极管;所述第四开关管的控制端连接所述控制模块,所述第四开关管的第一端连接所述第一比较器的正极输入端,所述第四开关管的第二端用于接收负电压;所述第一比较器的输出端连接所述控制模块,所述第一比较器的正极输入端通过第七电阻接收正电压,通过第二电容接收负电压以及连接至所述第一二极管的正极,所述第一比较器的负极输入端接收基准电压以及通过第八电阻连接所述目标开关管的第二端;所述第一二极管的负极连接所述第二二极管的正极,所述第二二极管的负极连接所述目标开关管的第一端。
在本申请一实施例中,所述欠压检测单元包括:第五开关管、第六开关管、第二比较器、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第三电容、第三二极管、第四二极管和第五二极管;所述第二比较器的输出端连接所述控制模块,所述第二比较器的正极输入端通过所述第九电阻接收正电压,并通过第十三电阻连接所述目标开关管的第二端,所述第二比较器的负极输入端连接所述第六开关管的第一端;所述第六开关管的第二端连接所述目标开关管的第二端,所述第六开关管的控制端连接所述第五开关管的第一端;所述第五开关管的第二端连接所述目标开关管的第二端,所述第五开关管的控制端连接第四二极管的负极;所述第十电阻连接所述第九电阻及所述第六开关管的第一端;所述第三电容并联所述第六开关管的第二端及控制端;所述第十四电阻并联所述第六开关管的第二端及控制端;所述第四二极管的正极通过所述第十二电阻接收正电压,并连接至所述第三二极管的负极;所述第三二极管的正极用于接收负电压;所述第五二极管的正极通过所述第十一电阻连接所述第五开关管的第一端,所述第五二极管的负极用于接收正电压。
本申请第二方面提供一种电子设备,包括目标开关管及所述的关断电路。
本申请实施例中,关断模块响应于第一关断信号,即目标开关管故障时,关断模块根据第一速度降低控制端的电压至关断阈值,并对控制端接入第一阻抗,由于第一速度相比于第二速度较小,即在目标开关管故障时采用更低的关断速度,可以有效抑制故障导致的电压尖峰,并且由于第一阻抗相比于第二阻抗较大,可以进一步抑制故障导致的电压尖峰,进而避免开关管损坏,相比于多级关断更加简单以及成本较低。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种关断电路的示意框图。
图2是本申请实施例提供的一种关断模块的示意框图。
图3是本申请实施例提供的一种关断模块的电路示意图。
图4是本申请实施例提供的第二种关断模块的示意框图。
图5是本申请实施例提供的第二种关断模块的电路示意图。
图6是本申请实施例提供的一种检测模块的示意框图。
图7是本申请实施例提供的一种短路检测单元的电路示意图。
图8是本申请实施例提供的一种欠压检测单元的电路示意图。
具体实施方式
需要说明的是,本申请实施例中“至少一个”是指一个或者多个,“多个”是指两个或多于两个。“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B的情况,其中A,B可以是单数或者复数。本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不是用于描述特定的顺序或先后次序。
另外需要说明的是,本申请实施例中公开的方法或流程图所示出的方法,包括用于实现方法的一个或多个步骤,在不脱离权利要求的范围的情况下,多个步骤的执行顺序可以彼此互换,其中某些步骤也可以被删除。
现有的半导体开关管,在关断的过程中容易产生较大的电压变化,从而会导致开关管在关断过程中出现斜度较大的电压尖峰,由于开关管的耐压能力有限,在出现电压尖峰时容易导致开关管损坏。
在相关技术中,一般采用多级关断,在开关管关断阶段通过切换至少两路信号来进行多级关断,从而降低关断过程中电压尖峰以及电压振荡的斜度。然而现有的多级关断的实现方法比较复杂,以及成本较高。
本申请实施例提供一种关断电路和电子设备,在目标开关管出现故障时可以降低关断速度难并抑制故障导致的电压尖峰,从而避免目标开关管损坏,相比于多级关断更加简单以及成本较低。
请参考图1,图1为本申请实施例提供的一种关断电路的示意框图。其中,关断电路100包括检测模块110、控制模块120和关断模块130。
本申请实施例中,检测模块110与目标开关管200的第一端和第二端连接,检测模块110用于采集目标开关管200两端的电压信号,并根据电压信号确定目标开关管200故障时,生成并输出故障信号。
其中,上述目标开关管200包括IGBT(IGBT,Insulate-Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)或碳化硅MOS管等半导体开关器件,例如目标开关管200为IGBT时,第一端可以为集电极,第二端为发射极,控制端为栅极。即检测模块110可以分别连接目标开关管200的集电极和发射极,以采集集电极和发射极两端的电压信号,根据电压信号确定目标开关管200是否故障。
本申请实施例中,目标开关管200的故障类型包括短路和欠压,检测模块110根据电压信号检测出目标开关管200短路或者欠压时,生成并输出故障信号。
控制模块120与检测模块110连接,控制模块120用于:响应于接收到故障信号,生成并输出第一关断信号,响应于接收到电路外部的关断指令,生成并输出第二关断信号。
可以理解,关断电路100可以为电子设备的其中一电路,用于关断电子设备中的目标开关管200,除了在目标开关管200出现故障时进行关断,电子设备在需要对目标开关管200进行正常关断时,通过主控制器向控制模块120传输上述的关断指令。
关断模块130与控制模块120及目标开关管200的控制端连接,关断模块130用于:响应于接收到第一关断信号,根据第一速度降低控制端的电压至关断阈值,并对控制端接入第一阻抗,响应于接收到第二关断信号,根据第二速度降低控制端的电压至关断阈值,并对控制端接入第二阻抗,其中,第一速度小于第二速度,第一阻抗大于第二阻抗。
本申请实施例中,关断模块130响应于第一关断信号,即目标开关管200故障时,关断模块130根据第一速度降低控制端的电压至关断阈值,并对控制端接入第一阻抗,由于第一速度相比于第二速度较小,即在目标开关管200故障时采用更低的关断速度,可以有效抑制故障导致的电压尖峰,并且由于第一阻抗相比于第二阻抗较大,可以进一步抑制故障导致的电压尖峰,进而避免开关管损坏。
请参考图2,图2为本申请实施例提供的一种关断模块130a的示意框图。其中,关断模块130a包括第一关断单元131和第二关断单元132。
本申请实施例中,第一关断单元131连接控制模块120和目标开关管200的控制端,第二关断单元132连接控制模块120和目标开关管200的控制端。
其中,控制模块120还用于:响应于生成第一关断信号,传输第一关断信号至第一关断单元131,响应于生成第二关断信号,传输第二关断信号至第二关断单元132。
第一关断单元131用于响应于接收到第一关断信号,根据第一速度降低控制端的电压至关断阈值,并对控制端接入第一阻抗。第二关断单元132用于响应于接收到第二关断信号,根据第二速度降低控制端的电压至关断阈值,并对控制端接入第二阻抗。
请参考图3,图3为本申请实施例提供的一种关断模块130a的电路示意图。其中,关断模块130a包括第一关断单元131和第二关断单元132。
本申请实施例中,第一关断单元131包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1和第一开关管Q1。第一开关管Q1的控制端通过第一电阻R1连接至控制模块120,第一开关管Q1的第一端与第二电阻R2的第一端连接,第一开关管Q1的第二端用于接收负电压。第二电阻R2的第二端连接第三电阻R3的第一端,第三电阻R3的第二端连接目标开关管200的控制端。第一电容C1与第三电阻R3并联。
其中,上述第一开关管Q1可以为MOS管,第一开关管Q1的第一端为MOS管的漏极,第一开关管Q1的第二端为MOS管的源极,第一开关管Q1的控制端为MOS管的栅极。第一关断信号可以为预设时间的高电平驱动信号,用于驱动第一开关管Q1在预设时间内导通,使第二电阻R2、第三电阻R3以及第一电容C1形成关断回路。通过第一电容C1拉低目标开关端的控制端的电压,达到关断阈值,通过第二电阻R2延缓拉低电压的速度至第一速度,并通过第三电阻R3抑制关断时的电压尖峰,最终使目标开关管200关断。
第二关断单元132包括:第四电阻R4和第二开关管Q2。第二开关管Q2的控制端通过第四电阻R4连接至控制模块120,第二开关管Q2的第一端连接第三电阻R3的第一端,第二开关管Q2的第二端用于接收负电压。
其中,上述第二开关管Q2可以为MOS管,第二开关管Q2的第一端为MOS管的漏极,第二开关管Q2的第二端为MOS管的源极,第二开关管Q2的控制端为MOS管的栅极。第二关断信号可以为高电平驱动信号,用于驱动第二开关管Q2导通,使第三电阻R3和第一电容C1形成关断回路,通过第一电容C1快速拉低目标开关端的控制端的电压,并通过第三电阻R3抑制关断时的电压尖峰,最终使目标开关管200关断。
请参考图4,图4为本申请实施例提供的第二种关断模块130b的示意框图。其中,与图2所示的关断模块130a相比,图4所示的关断模块130b还包括驱动单元133。
本申请实施例中,驱动单元133连接控制模块120和目标开关管200的控制端。控制模块120还用于响应于接收到电路外部的导通指令,生成并传输导通信号至驱动单元133。驱动单元133用于响应于导通信号,控制目标开关管200导通。
请参考图5,图5为本申请实施例提供的第二种关断模块130b的电路示意图。其中,与图3所示的关断模块130a相比,图5所示的关断模块130b还包括驱动单元133。
本申请实施例中,驱动单元133包括:第五电阻R5、第六电阻R6、第三开关管Q3。第三开关管Q3的控制端通过第五电阻R5连接至控制模块120,第三开关管Q3的第一端用于接收正电压,第三开关管Q3的第二端通过第六电阻R6连接至目标开关管200的控制端。
其中,第三开关管Q3可以为MOS管,第三开关管Q3的第一端为MOS管的漏极,第三开关管Q3的第二端为MOS管的源极,第三开关管Q3的控制端为MOS管的栅极。导通信号可以为高电平驱动信号,用于驱动第三开关管Q3导通,使正电压经第六电阻R6传输至目标开关管200的控制端,从而使目标开关管200导通。
请参考图6,图6为本申请实施例提供的一种检测模块110的示意框图。其中,检测模块110包括短路检测单元111和欠压检测单元112。
本申请实施例中,短路检测单元111连接控制模块120和目标开关管200的第一端和第二端,欠压检测单元112连接控制模块120和目标开关管200的第二端。
短路检测单元111用于根据目标开关管200的第一端的电压信号确定目标开关管200短路时,生成并输出故障信号至控制模块120。欠压检测单元112用于根据目标开关管200的第二端的电压信号确定目标开关管200欠压时,生成并输出故障信号至控制模块120。
请参考图7,图7为本申请实施例提供的一种短路检测单元111的电路示意图。
其中,短路检测单元111包括:第四开关管Q4、第一比较器U1、第七电阻R7、第八电阻R8、第二电容C2、第一二极管D1以及第二二极管D2。
第四开关管Q4的控制端连接控制模块120,第四开关管Q4的第一端连接第一比较器U1的正极输入端,第四开关管Q4的第二端用于接收负电压。第一比较器U1的输出端连接控制模块120,第一比较器U1的正极输入端通过第七电阻R7接收正电压,通过第二电容C2接收负电压以及连接至第一二极管D1的正极,第一比较器U1的负极输入端接收基准电压以及通过第八电阻R8连接目标开关管200的第二端。第一二极管D1的负极连接第二二极管D2的正极,第二二极管D2的负极连接目标开关管200的第一端。
本申请实施例中,在目标开关管200正常工况下第一端和第二端之间的电压为压降,第一比较器U1的正极输入端的电压小于负极输入端的电压,第一比较器U1输出低电平信号。当目标开关管200发生短路时,目标开关管200的第一端和第二端之间的电压迅速上升,由于第一二极管D1和第二二极管D2反相截止,第七电阻R7开始向第二电容C2充电是第一比较器U1的正极输入端电压提高,当第一比较器U1的正极输入端的电压大于负极输入端的电压时,第一比较器U1输出高电平信号为故障信号。
请参考图8,图8为本申请实施例提供的一种欠压检测单元112的电路示意图。
其中,欠压检测单元112包括:第五开关管Q5、第六开关管Q6、第二比较器U2、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第三电容C3、第三二极管D3、第四二极管D4和第五二极管D5。
第二比较器U2的输出端连接控制模块120,第二比较器U2的正极输入端通过第九电阻R9接收正电压,并通过第十三电阻R13连接目标开关管200的第二端,第二比较器U2的负极输入端连接第六开关管Q6的第一端。第六开关管Q6的第二端连接目标开关管200的第二端,第六开关管Q6的控制端连接第五开关管Q5的第一端。第五开关管Q5的第二端连接目标开关管200的第二端,第五开关管Q5的控制端连接第四二极管D4的负极。第十电阻R10连接第九电阻R9及第六开关管Q6的第一端。第三电容C3并联第六开关管Q6的第二端及控制端;第十四电阻R14并联第六开关管Q6的第二端及控制端。第四二极管D4的正极通过第十二电阻R12接收正电压,并连接至第三二极管D3的负极。第三二极管D3的正极用于接收负电压。第五二极管D5的正极通过第十一电阻R11连接第五开关管Q5的第一端,第五二极管D5的负极用于接收正电压。
本申请实施例中,在目标开关管200正常工况时,第三二极管D3的电压设定值小于负电压的绝对值,且第五二极管D5的电压设定值小于正电压的绝对值,第五开关管Q5关闭第六开关管Q6导通,第二比较器U2的负极输入端的电压小于正极输入端的电压,第二比较器U2输出高电平信号。在目标开关管200欠压时,第三二极管D3的电压设定值大于负电压的绝对值,或者第五二极管D5的电压设定值大于正电压的绝对值,第五开关管Q5导通第六开关管Q6关闭,第二比较器U2的负极输入端的电压大于正极输入端的电压,第二比较器U2输出低电平信号为故障信号。
本申请实施例还提供了一种电子设备,该电子设备包括目标开关管200及上述任意实施例的关断电路100。可以理解,本申请实施例提供的电子设备所能达到的有益效果可参考上文所提供的对应的关断电路100的有益效果,此处不再赘述。
以上所述的实施例仅仅是本申请的优选实施例方式进行描述,并非对本申请的范围进行限定,在不脱离本申请的设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本申请的技术方案作出的各种变形及改进,均应落入本申请的权利要求书确定的保护范围内。

Claims (8)

1.一种关断电路,其特征在于,用于关断目标开关管,所述关断电路包括检测模块、控制模块和关断模块;
所述检测模块与目标开关管的第一端和第二端连接,所述检测模块用于采集所述目标开关管两端的电压信号,并根据所述电压信号确定所述目标开关管故障时,生成并输出故障信号;
所述控制模块与所述检测模块连接,所述控制模块用于:
响应于接收到所述故障信号,生成并输出第一关断信号;
响应于接收到电路外部的关断指令,生成并输出第二关断信号;
所述关断模块与所述控制模块及所述目标开关管的控制端连接,所述关断模块用于:
响应于接收到所述第一关断信号,根据第一速度降低所述控制端的电压至关断阈值,并对所述控制端接入第一阻抗;
响应于接收到所述第二关断信号,根据第二速度降低所述控制端的电压至所述关断阈值,并对所述控制端接入第二阻抗;
所述第一速度小于所述第二速度,所述第一阻抗大于所述第二阻抗;
所述关断模块包括第一关断单元和第二关断单元,所述第一关断单元连接所述控制模块和所述目标开关管的控制端,所述第二关断单元连接所述控制模块和所述目标开关管的控制端;
所述控制模块还用于:
响应于生成所述第一关断信号,传输所述第一关断信号至所述第一关断单元;
响应于生成所述第二关断信号,传输所述第二关断信号至所述第二关断单元;
所述第一关断单元用于响应于接收到所述第一关断信号,根据第一速度降低所述控制端的电压至关断阈值,并对所述控制端接入第一阻抗;
所述第二关断单元用于响应于接收到所述第二关断信号,根据第二速度降低所述控制端的电压至所述关断阈值,并对所述控制端接入第二阻抗;
所述第一关断单元包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第一开关管;所述第一开关管的控制端通过所述第一电阻连接至所述控制模块,所述第一开关管的第一端与第二电阻的第一端连接,所述第一开关管的第二端用于接收负电压;所述第二电阻的第二端连接第三电阻的第一端,所述第三电阻的第二端连接所述目标开关管的控制端;所述第一电容与所述第三电阻并联。
2.如权利要求1所述的关断电路,其特征在于,所述第二关断单元包括:第四电阻和第二开关管;所述第二开关管的控制端通过所述第四电阻连接至所述控制模块,所述第二开关管的第一端连接所述第三电阻的第一端,所述第二开关管的第二端用于接收负电压。
3.如权利要求1所述的关断电路,其特征在于,所述关断模块还包括驱动单元,所述驱动单元连接所述控制模块和所述目标开关管的控制端;
控制模块还用于响应于接收到电路外部的导通指令,生成并传输导通信号至所述驱动单元;
所述驱动单元用于响应于所述导通信号,控制所述目标开关管导通。
4.如权利要求3所述的关断电路,其特征在于,所述驱动单元包括:第五电阻、第六电阻、第三开关管;所述第三开关管的控制端通过所述第五电阻连接至所述控制模块,所述第三开关管的第一端用于接收正电压,所述第三开关管的第二端通过所述第六电阻连接至所述目标开关管的控制端。
5.如权利要求1所述的关断电路,其特征在于,所述检测模块包括短路检测单元和欠压检测单元,所述短路检测单元连接所述控制模块和所述目标开关管的第一端和第二端,所述欠压检测单元连接所述控制模块和所述目标开关管的第二端;
所述短路检测单元用于根据所述目标开关管的第一端的电压信号确定所述目标开关管短路时,生成并输出所述故障信号至所述控制模块;
所述欠压检测单元用于根据所述目标开关管的第二端的电压信号确定所述目标开关管欠压时,生成并输出所述故障信号至所述控制模块。
6.如权利要求5所述的关断电路,其特征在于,所述短路检测单元包括:第四开关管、第一比较器、第七电阻、第八电阻、第二电容、第一二极管以及第二二极管;所述第四开关管的控制端连接所述控制模块,所述第四开关管的第一端连接所述第一比较器的正极输入端,所述第四开关管的第二端用于接收负电压;所述第一比较器的输出端连接所述控制模块,所述第一比较器的正极输入端通过第七电阻接收正电压,通过第二电容接收负电压以及连接至所述第一二极管的正极,所述第一比较器的负极输入端接收基准电压以及通过第八电阻连接所述目标开关管的第二端;所述第一二极管的负极连接所述第二二极管的正极,所述第二二极管的负极连接所述目标开关管的第一端。
7.如权利要求5所述的关断电路,其特征在于,所述欠压检测单元包括:第五开关管、第六开关管、第二比较器、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第三电容、第三二极管、第四二极管和第五二极管;
所述第二比较器的输出端连接所述控制模块,所述第二比较器的正极输入端通过所述第九电阻接收正电压,并通过第十三电阻连接所述目标开关管的第二端,所述第二比较器的负极输入端连接所述第六开关管的第一端;所述第六开关管的第二端连接所述目标开关管的第二端,所述第六开关管的控制端连接所述第五开关管的第一端;所述第五开关管的第二端连接所述目标开关管的第二端,所述第五开关管的控制端连接第四二极管的负极;所述第十电阻连接所述第九电阻及所述第六开关管的第一端;所述第三电容并联所述第六开关管的第二端及控制端;所述第十四电阻并联所述第六开关管的第二端及控制端;所述第四二极管的正极通过所述第十二电阻接收正电压,并连接至所述第三二极管的负极;所述第三二极管的正极用于接收负电压;所述第五二极管的正极通过所述第十一电阻连接所述第五开关管的第一端,所述第五二极管的负极用于接收正电压。
8.一种电子设备,其特征在于,包括目标开关管及如权利要求1至7中任一项所述的关断电路。
CN202311623035.6A 2023-11-30 2023-11-30 关断电路和电子设备 Active CN117318684B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311623035.6A CN117318684B (zh) 2023-11-30 2023-11-30 关断电路和电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311623035.6A CN117318684B (zh) 2023-11-30 2023-11-30 关断电路和电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117318684A CN117318684A (zh) 2023-12-29
CN117318684B true CN117318684B (zh) 2024-05-07

Family

ID=89250314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311623035.6A Active CN117318684B (zh) 2023-11-30 2023-11-30 关断电路和电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117318684B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118135927A (zh) * 2024-04-16 2024-06-04 惠科股份有限公司 显示驱动模组和显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN219204344U (zh) * 2022-11-24 2023-06-16 宁德时代新能源科技股份有限公司 驱动电路、电能转换电路以及电子设备
CN116667644A (zh) * 2023-04-19 2023-08-29 致沿科技(南京)有限公司 一种功率开关器件驱动电路及其电机控制器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104604134B (zh) * 2012-08-30 2017-06-30 株式会社电装 半导体装置
KR20160014455A (ko) * 2014-07-29 2016-02-11 삼성전기주식회사 전원전압 보호기능을 갖는 전압 레귤레이터

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN219204344U (zh) * 2022-11-24 2023-06-16 宁德时代新能源科技股份有限公司 驱动电路、电能转换电路以及电子设备
CN116667644A (zh) * 2023-04-19 2023-08-29 致沿科技(南京)有限公司 一种功率开关器件驱动电路及其电机控制器

Also Published As

Publication number Publication date
CN117318684A (zh) 2023-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102315632B (zh) 抑制igbt过电流的驱动电路
US9059709B2 (en) Gate drive circuit for transistor
CN117318684B (zh) 关断电路和电子设备
US11316443B2 (en) Control of active neutral-point clamped three-level converter
CN103178694A (zh) 绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路
TWI661675B (zh) 功率半導體開關的驅動電路
CN113676029B (zh) 一种基于igbt的有源钳位电路
CN109510176A (zh) 一种智能功率模块驱动保护电路
JP2018011467A (ja) 半導体スイッチング素子のゲート駆動回路
CN114977753B (zh) 有源钳位方法、电路及电力变换设备
CN108847835B (zh) 一种功率器件驱动保护电路及其控制方法
CN110572011B (zh) 带短路保护的igbt驱动电路软开关装置
CN113765070B (zh) 基于电感电流变化率的igbt短路保护电路和方法
CN209283196U (zh) 绝缘栅双极型晶体管的过流保护电路
CN106411297B (zh) 一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路
CN116316436A (zh) 电机驱动电路与电子设备
CN110460227A (zh) 两级式并网逆变器的驱动控制系统和驱动控制方法
CN216774737U (zh) 一种半导体器件短路保护电路
CN109547001A (zh) 绝缘栅双极型晶体管的过流保护电路
US11239838B2 (en) Driving device and method of power device
CN112751410A (zh) 低压直流电路供电控制电路
CN220475623U (zh) 同步整流驱动电路、同步整流电路和电压变换设备
CN113890518B (zh) 一种半导体器件短路保护电路及方法
CN218734246U (zh) 一种过压保护电路及电力设备
CN213151639U (zh) 逆变器输出h桥igbt的短路保护电路及系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant