CN117296098A - 基于临时电压移位偏移的电压块组校准 - Google Patents

Abstract

确定存储器装置的当前温度与先前温度之间的差值。响应于确定所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的所述差值满足温度准则，测量与所述存储器装置处的一组电压块组中的第一电压块组相关联的块族的一组存储器单元的电压移位量。所述第一电压块组与第一电压偏移相关联。基于所述所确定电压移位量及与所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的所述差值相关联的临时电压移位偏移来确定所述一组存储器单元的经调整电压移位量。响应于确定所述经调整电压移位量满足电压移位准则，所述块族与所述一组电压块组中的第二电压块组相关联。所述第二电压块组与第二电压偏移相关联。

Description

基于临时电压移位偏移的电压块组校准

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说涉及基于临时电压移位偏移的电压块组校准。

背景技术

存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。举例来说，所述存储器装置可为非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以将数据存储于存储器装置处及从存储器装置检索数据。

附图说明

将从下面给出的详细描述及从本公开的各种实施例的附图中更充分地理解本公开。然而，图式不应被视为将本公开限定于特定实施例，而仅用于解释及理解。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。

图2示意性地说明根据本公开的一些实施例的由三电平存储器单元展现的缓慢电荷损失引起的时间电压移位。

图3描绘说明根据本公开的一些实施例的阈值电压偏移对编程之后的时间(即，自块已被编程以来经过的时间段)的依赖性的实例图。

图4示意性地说明根据本公开的实施例的一组预定义阈值电压偏移块组。

图5说明根据本公开的实施例的由块族管理器组件实施的块族管理操作。

图6示意性地说明根据本公开的实施例选择用于校准的块族。

图7是根据本公开的一些实施例的用于基于交叉温度电压移位偏移的电压块组校准的实例方法的流程图。

图8说明根据本公开的一些实施例的使用交叉温度电压移位偏移来确定存储器单元的经调整电压移位的实例。

图9是根据本公开的一些实施例的用于基于交叉温度电压移位偏移的电压块组校准的另一实例方法的流程图。

图10A到10B说明根据本公开的一些实施例的使用交叉温度电压移位偏移来确定存储器单元的经调整电压移位的另一实例。

图11是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的方面涉及基于临时电压移位偏移的电压块组校准。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的组合。下面结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个存储器组件的存储器子系统，例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据，并且可请求待从存储器子系统检索的数据。

存储器子系统可利用一或多个存储器装置，包含不同类型的非易失性存储器装置及/或易失性存储器装置的任一组合，以存储由主机系统提供的数据。在一些实施例中，非易失性存储器装置可由与非(NAND)型快闪存储器装置提供。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可被分组成逻辑部件(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面由一组物理块组成。每一块由一组页面组成。本文的“块”应是指一组连续或不连续存储器页面。“块”的实例是“可擦除块”，其为存储器的最小可擦除单位，而“页面”是存储器的最小可写入单位。每一页面包含一组存储器单元。存储器单元是存储信息的电子电路。

数据操作可由存储器子系统执行。数据操作可为主机启动的操作。举例来说，主机系统可在存储器子系统上启动数据操作(例如，写入、读取、擦除等)。主机系统可向存储器子系统发送存取请求(例如，写入命令、读取命令)，例如将数据存储在存储器子系统处的存储器装置上，并从存储器子系统上的存储器装置读取数据。如由主机请求指定的待读取或写入的数据在下文称为“主机数据”。主机请求可包含用于主机数据的逻辑地址信息(例如，逻辑块地址(LBA)、命名空间)，主机数据是主机系统与主机数据相关联的位置。逻辑地址信息(例如，LBA、命名空间)可为用于主机数据的元数据的部分。元数据还可包含错误处置数据(例如，ECC码字、奇偶校验码)、数据版本(例如，用于区分写入数据的年龄)、有效位图(其LBA或逻辑传送部件含有有效数据)等等。

存储器装置包含多个存储器单元，其中的每一者可取决于存储器单元类型来存储一或多个信息位。通过向存储器单元施加一定电压，可对存储器单元进行编程(写入到存储器单元)，这导致由存储器单元保持电荷，因此允许调制由存储器单元产生的电压分布。此外，精确控制由存储器单元存储的电荷量允许建立对应于不同逻辑电平的多个阈值电压电平，因此有效地允许单个存储器单元存储多个信息位：以2ⁿ个不同阈值电压电平操作的存储器单元能够存储n个信息位。本文的“阈值电压”应是指定义对应于两个逻辑电平的两个相邻电压分布之间的边界的电压电平。因此，可通过将由存储器单元展现的所测量电压与一或多个参考电压电平进行比较来执行读取操作，以便区分单电平单元的两个逻辑电平及区分多电平单元的多个逻辑电平。

归因于被称为缓慢电荷损失或SCL(也称为存储电荷损失或系统电荷损失)的现象，存储器单元的阈值电压随着单元的电荷降级而随时间改变，这被称为“时间电压移位”(因为降级电荷致使电压分布沿电压轴朝向较低电压电平移位)。阈值电压首先快速改变(紧接在存储器单元被编程之后)，且接着关于自单元编程事件以来经过的时间，以近似对数线性方式减速。因此，未能减轻由缓慢电荷损失引起的时间电压移位可导致读取操作中的增加位错误率。

然而，各种常见实施方案未能充分解决时间电压移位或采用导致高位错误率及/或展现其它缺点的低效策略。本公开的实施例通过实施采用基于块族的错误避免策略的存储器子系统来解决上述及其它缺陷，因此显著改进由存储器子系统展现的位错误率。

根据本公开的实施例，针对按块族分组的一组编程存储器单元选择性地跟踪时间电压移位，且基于与某个块族呈块从属关系的适当电压偏移被应用于基本读取电平，以便执行读取操作。本文的“块族”应是指已在指定时间窗口及指定温度窗口内编程的一组可能不连续的存储器单元(其可驻留在一或多个完整及/或部分块中，部分块在本文称为“分区”)，且因此预期在其相应数据状态度量中展现用于缓慢电荷损失的类似或相关改变。块族可被制成具有任何粒度，仅含有整个码字、整个页面、整个超级页面或整个超级块，或这些的任一组合。本文的“数据状态度量”应是指从存储在存储器装置上的数据的状态测量或推断的数量。具体来说，数据状态度量可反映时间电压移位的状态、读取干扰程度及/或数据状态的其它可测量函数。复合数据状态度量是一组组件状态度量的函数(例如，加权和)。

在这些实施例中，块族使用聚合温度经历指定温度范围，所述聚合温度可根据不同实施例中的温度度量来改变或定义。例如，响应于定时器达到软关闭值，存储器子系统的控制器可执行块族的软关闭(即，向块族管理器发出信号，表示块的打开时间即将结束，并准备块族的硬关闭)。或者，替代地，响应于聚合温度(基于从存储器装置的温度传感器接收的温度值)大于或等于指定阈值温度，控制器同样地可执行块族的软关闭。

在执行软关闭之后，存储器子系统可继续对部分写入块进行编程，直到定时器达到硬关闭值或块族满足硬关闭准则。以此方式，存储器子系统在硬关闭之前具有扩展时间，在此期间完成写入到部分写入块，决定是对块进行分区还是在硬关闭之后将虚设数据写入到块的未写入部分。在一个块族的硬关闭(即，存储器子系统控制器不再将数据写入到块族)之后，对存储器装置的裸片的进一步编程是到新打开的块族。考虑到损耗均衡保持块到类似程序擦除计数，编程之后经过的时间及温度是影响时间电压移位的主要因素，假设单个块族内的所有块及/或分区在存储器单元中展现类似阈值电压分布，且因此，需要将相同电压偏移应用于用于读取操作的基本读取电平以考虑SCL。本文的“基本读取电平”应是指编程之后由存储器单元立即展现的初始阈值电压电平。在一些实施方案中，基本读取电平可存储在存储器装置的元数据中。

可关于块编程事件异步创建块族。在说明性实例中，每当自创建最后一个块族以来经过指定的时间段(例如，预定的分钟数)或者存储器单元的参考温度改变超过指定阈值时，就可创建新的块族。存储器子系统控制器可维持活动块族的标识符，所述标识符在一或多个块被编程时与所述一或多个块相关联。

存储器子系统控制器可周期性地执行校准过程(例如，校准扫描)，以将每个块族的每一裸片与预定义阈值电压偏移块组(称为电压块组)中的一者相关联，所述电压块组又与要应用于读取操作的电压偏移相关联。在一个实施例中，页面或块与块族的关联，以及块族及裸片与电压块组的关联，可由存储在由存储器子系统控制器维持的相应元数据表中的元数据来表示。在一些例子中，存储器子系统控制器可通过确定在对块族执行校准过程的时间段(即，当前时间段)与先前时间段(例如，将块族的数据编程到存储器装置的时间段)之间的存储器存取电压分布的移位量来执行校准过程。存储器存取电压分布的移位量(也称为电压移位)可对应于阈值电压偏移，所述阈值电压偏移先前经确定以最小化对块族执行的操作(例如读取操作)的错误率。存储器子系统控制器可确定对应于阈值电压偏移的特定电压块组，且更新块族的元数据以对应于所确定电压块组。

由于变化的环境条件，存储器装置在当前时间段的操作温度可不同于存储器装置在先前时间段的操作温度。存储器装置的操作温度在存储器页面被编程的时间与存储器页面被存取或校准的时间之间的差值被称为交叉温度。存储器装置在给定时间段的操作温度可影响由存储器装置的存储器单元在所述时间段期间展现的缓慢电荷损失量。因此，与相关联于小交叉温度的存储器页面的存储器单元相比，与大交叉温度相关联的存储器页面的存储器单元可展现不同的电压分布移位量。

另外，在存储器装置的整个寿命期间，存储器装置可经历一或多个临时温度摆动。例如，存储器装置可在第一温度下操作存储器装置寿命的大部分(例如，90％、95％等)，且对于存储器装置寿命的小部分(例如，5％、10％等)，存储器装置的操作温度可从第一温度偏离到其它温度。存储器子系统控制器可在存储器装置在第一温度下操作时对块族进行编程且可在存储器装置经历临时温度摆动(即，存储器装置临时在第二温度下操作)时启动块族的校准过程。额外地或替代地，存储器子系统控制器可在存储器装置经受临时温度摆动时对块族进行编程且可在存储器装置在第一温度下操作时启动校准过程。

在一些例子中，在启动校准过程时，块族的存储器页面可与大交叉温度相关联，且因此，与块族内没有经历大交叉温度的其它存储器页面相比，存储器页面的存储器单元可展现不同的电压分布移位量。在说明性实例中，当存储器子系统的操作温度约为80摄氏度(C)时，可创建块族，且可将第一块(块A)的数据编程到存储器装置。在对块A进行编程之后的10分钟内，存储器子系统的操作温度可降到约30℃。在此时间段时或其前后，可对块族的第二块(块B)的数据进行编程。当存储器子系统的操作温度约为30℃时，可关闭块族。由于块A是在操作温度约为80℃时编程，因此与块A相关联的交叉温度约为50℃。然而，由于块B是在操作温度约为30℃时编程，与块B相关联的交叉温度约为0℃。因此，块A在存储器子系统的寿命期间可展现与块B不同的SCL，即使块B包含在与块A相同的块族中。

基于校准过程，存储器子系统控制器可将块族指派到与大阈值电压偏移相关联的电压块组，以解决由存储器单元展现的大电压分布移位量。在其它或类似例子中，存储器装置的存储器单元可具有大电压分布移位量(例如，基于自存储器子系统控制器对存储器单元编程以来经过的时间量)，且临时温度摆动可致使存储器单元展现小电压分布移位量。基于校准过程，鉴于由存储器单元展现的小电压分布移位量，存储器子系统控制器可将块族指派到与小阈值电压偏移相关联的电压块组。

由于由存储器单元展现的大(或小)的电压分布移位量是基于由存储器装置的临时条件引起的存储器页面交叉温度，因此指派到块族的阈值电压偏移可能不是块族的校准过程之间的大部分时间的准确阈值电压偏移。例如，如果存储器子系统控制器在临时温度摆动期间启动块族的校准过程，那么存储器装置可在校准过程完成之后不久返回到第一温度。因此，基于由存储器单元展现的大电压分布移位而指派到块族的阈值电压偏移可为不准确的，因为在指派之后不久，存储器装置可返回到第一温度，且在启动后续校准过程之前的剩余时间段内，存储器页面的交叉温度(以及由存储器单元展现的电压分布偏移)可显著降低。由于存储器子系统控制器将在临时温度摆动期间指派的阈值电压偏移应用于块族，因此可导致大量错误。块族的大量错误可降低存储器装置的总体性能评级(例如，位错误评级等)。另外，存储器子系统控制器可执行大量错误控制操作以校正在大电压偏移上引起的错误，这可消耗大量的系统资源。因此，在整个系统上延迟增加，且整个系统效率降低。

本公开的方面通过基于交叉温度电压移位偏移来校准存储器装置处的电压块组来解决上述及其它缺陷。在块族的校准扫描期间，存储器子系统控制器可确定存储器装置在校准扫描的时间段(即，当前时间段)的操作温度与存储器装置在先前时间段的操作温度的差值。例如，存储器子系统控制器可确定存储器装置在其期间对存储器页面编程的时间段(即，初始时间段)的温度以及存储器装置在当前时间段的操作温度。存储器子系统控制器可基于所确定操作温差来识别存储器装置的临时电压移位偏移(例如，经由临时电压移位偏移数据结构)。临时电压移位偏移对应于在存储器装置的临时温度摆动期间由存储器页面的存储器单元展现的电压移位量。在一些实施例中，基于在存储器子系统处的存储器装置的安装及/或初始化之前为存储器装置收集的实验数据来定义临时电压移位偏移。在其它或类似实施例中，存储器子系统控制器可基于由其它块族的其它存储器页面的存储器单元在存储器装置的临时温度摆动期间展现的电压移位量来产生临时电压移位偏移。

存储器子系统控制器可执行校准操作以测量存储器页面的存储器单元在当前时间段的电压移位量，且可将临时电压移位偏移应用于所测量的电压移位量，以获得存储器单元的经调整电压移位量。如果存储器装置不经受临时条件(例如临时温度摆动)，那么经调整电压移位量可对应于预期用于存储器单元的电压移位量。预期电压移位量可对应于基于缓慢电荷损失的现象而预期在当前时间段与先前时间段之间发生的电压移位量。存储器子系统控制器可将包含存储器页面的块族指派到与对应于经调整电压移位量的电压偏移相关联的存储器装置的一组电压块组中的相应电压块组。

本公开的优点包含(但不限于)减少在临时温度摆动期间对存储器装置执行校准过程之后可能发生的错误的数目。通过将临时电压移位偏移应用于所测量的电压移位量，存储器子系统控制器可获得经调整电压移位量，所述电压移位量准确地反映在校准过程之间的大部分时间期间块族的存储器页面的电压移位。因此，存储器子系统控制器可将块族指派到与阈值电压相关联的电压块组，所述阈值电压对于块族在校准过程之间的大部分时间内是准确的。由于存储器子系统控制器在块族的存储器存取操作期间施加准确阈值电压，因此在存储器存取操作期间发生的错误数目显著减少，从而致使存储器子系统的总体性能评级增加。另外，执行较少数目个错误校正操作来校正块族的错误，从而增加可用于其它存储器子系统过程的系统资源量。因此，系统的总体系统延时降低，系统的总体系统效率增加。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或此组合。

存储器子系统110可为存储装置、存储器模块或存储装置及存储器模块的组合。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(eMMC)驱动器、通用快闪存储(UFS)驱动器、安全数字(SD)卡及硬盘驱动器(HDD)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)及各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。

计算系统100可为计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它交通工具)、具有物联网(IoT)能力的装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业装备或联网商业装置中的计算机)，或包含存储器及处理装置的此类计算装置。

计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的多个存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文使用，“耦合到”或“与...耦合”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，不具有中介组件)，无论是有线的还是无线的，包含例如电连接、光学连接、磁性连接等连接。

主机系统120可包含处理器芯片组及由处理器芯片组执行的软件栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存、存储器控制器(例如，NVDIMM控制器)及存储协议控制器(例如，PCIe控制器、SATA控制器)。主机系统120例如使用存储器子系统110以将数据写入到存储器子系统110并从存储器子系统110读取数据。

主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含(但不限于)串行高级技术附接(SATA)接口、外围组件互连快速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行附接SCSI(SAS)、双倍数据速率(DDR)存储器总线、小型计算机系统接口(SCSI)、双列直插式存储器模块(DIMM)接口(例如，支持双数据速率(DDR)的DIMM插槽接口)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。主机系统120可进一步利用NVM快速(NVMe)接口以在存储器子系统110通过物理主机接口(例如，PCIe总线)与主机系统120耦合时存取组件(例如，存储器装置130)。所述物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据及其它信号的接口。图1举例说明存储器子系统110。一般来说，主机系统120可经由相同通信连接、多个单独通信连接及/或通信连接组合来存取多个存储器子系统。

存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置及/或易失性存储器装置的任一组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为(但不限于)随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)。

非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包括与非(NAND)型快闪存储器及就地写入存储器，例如三维交叉点(“3D交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器单元的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格数据存取阵列，基于体电阻的变化而执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行原位写入操作，其中可对非易失性存储器单元进行编程而无需事先擦除非易失性存储器单元。NAND型快闪存储器包含例如二维NAND(2D NAND)及三维NAND(3DNAND)。

存储器装置130中的每一者可包含存储器单元的一或多个阵列。一种类型的存储器单元(例如单电平单元(SLC))可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元(例如多电平单元(MLC)、三电平单元(TLC)、四电平单元(QLC)及五电平单元(PLC))可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一者可包含存储器单元的一或多个阵列，例如SLC、MLC、TLC、QLC、PLC或其任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的SLC部分及MLC部分、TLC部分、QLC部分或PLC部分。存储器装置130的存储器单元可被分组为页面，页面可指用于存储数据的存储器装置的逻辑单位。针对一些类型的存储器(例如，NAND)，可对页面进行分组以形成块。

尽管描述非易失性存储器组件(例如非易失性存储器单元的3D交叉点阵列及NAND型快闪存储器(例如，2D NAND、3D NAND))，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(ROM)、相变存储器(PCM)、自选择存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、或非(NOR)快闪存储器或电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。

存储器子系统控制器115(或简称为控制器115)可与存储器装置130通信以在存储器装置130处执行例如读取数据、写入数据或擦除数据的操作及其它此类操作。存储器子系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路及/或离散组件、缓冲存储器或者其组合。硬件可包含具有专用(即，硬编码)逻辑以执行本文所描述的操作的数字电路系统。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)或其它合适处理器。

存储器子系统控制器115可包含处理装置，其包含经配置以执行存储在本地存储器119中的指令的一或多个处理器(例如，处理器117)。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含嵌入式存储器，所述嵌入式存储器经配置以存储用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程及例程的指令。

在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的实例存储器子系统110已被说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是可依赖于外部控制(例如，由外部主机提供，或者由与存储器子系统分开的处理器或控制器提供)。

一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作且可将命令或操作转换成指令或适当命令以实现对存储器装置130的所期望存取。存储器子系统控制器115可负责与存储器装置130相关联的其它操作，例如损耗均衡操作、废弃项目收集操作、错误检测及错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作及逻辑地址(例如，逻辑块地址(LBA)、命名空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。存储器子系统控制器115可进一步包含用以经由物理主机接口与主机系统120通信的主机接口电路系统。主机接口电路系统可将从主机系统接收到的命令转换成用以存取存储器装置130的命令指令，并且将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。

存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含可从存储器子系统控制器115接收地址并解码所述地址以存取存储器装置130的高速缓存或缓冲器(例如，DRAM)及地址电路系统(例如，行解码器及列解码器)。

在一些实施例中，存储器装置130包含结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作的本地媒体控制器135。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可从外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器子系统110是受管理存储器装置，其为在裸片上具有控制逻辑(例如，本地控制器132)的原始存储器装置130及用于同一存储器装置封装内的媒体管理的控制器(例如，存储器子系统控制器115)。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。

存储器子系统110包含块族管理器组件113，其可选择将与存储器装置处的块族相关联的阈值电压偏移块组(称为电压块组或块组)。在一些实施例中，存储器子系统控制器115包含块族管理器组件113的至少一部分。举例来说，存储器子系统控制器115可包含处理器117(处理装置)，其经配置以执行存储在本地存储器119中的用于执行本文描述的操作的指令。在一些实施例中，块族管理器组件113是主机系统120、应用程序或操作系统的部分。下文描述关于块族及块族管理器组件113的另外细节。

图2示意性地说明根据本公开的一些实施例的由三电平存储器单元展现的缓慢电荷损失引起的时间电压移位。虽然图2的说明性实例利用三电平单元，但可进行相同观察，且因此，相同补救措施适用于单电平单元及多电平单元，以及每单元的任何其它分数或整数位数(例如，每单元3.5个位等)，以便补偿缓慢电荷损失。

如上所述，通过向存储器单元施加一定电压，可对存储器单元进行编程(写入到存储器单元)，这导致由存储器单元保持电荷，因此允许调制由存储器单元产生的电压分布。精确控制由存储器单元存储的电荷量允许建立对应于不同逻辑电平的多个阈值电压电平，因此有效地允许单个存储器单元存储多个信息位：以2ⁿ个不同阈值电压电平操作的存储器单元能够存储n个信息位。

在图2中，每一图形220A到220N展示由相应写入电平(可假设其位于分布的中点处)编程以编码对应逻辑电平(例如，在TLC的情况下，从“000”到“111”)的存储器单元产生的电压分布。为了区分相邻分布(对应于两个不同逻辑电平)，定义读取阈值电压电平(由竖直虚线展示)，使得下降到低于阈值电平的任何所测量电压与相邻分布对中的一个分布相关联，而大于或等于阈值电平的任何所测量电压与所述相邻分布对中的另一分布相关联。

从比较分别反映紧接在编程之后的时间段及编程后的相应小时数的实例图210及230可看出，由于缓慢电荷损失，电压分布随时间改变，这导致读取阈值电压电平的漂移值，其由竖直虚线展示。在本公开的各种实施例，针对按块族分组的经编程页面或块选择性地跟踪时间电压移位，且将基于与某个块族呈页面或块从属关系的适当电压偏移应用于基本读取电平，以便执行读取操作。

图3描绘说明根据本公开的一些实施例的阈值电压偏移对编程之后的时间(即，自页面被编程以来经过的时间段)的依赖性的实例图。如由图3示意性地说明，存储器装置的块族被分组到块组330A到330N中，使得每一块族包含在指定时间窗口及指定温度窗口内编程的一或多个页面或块。如上文所述，由于编程之后经过的时间及温度是影响时间电压移位的主要因素，假设单个块族310内的所有页面、块及/或分区在存储器单元中展现类似阈值电压分布，且因此将需要相同电压改变用于读取操作。

可关于页面编程事件异步创建块族。在说明性实例中，图1的存储器子系统控制器115可在自创建最后一个块族以来已经过去指定时间段(例如，预定分钟数)时，或者在自创建当前块族以来以指定时间间隔更新的存储器单元的参考温度已经改变超过指定阈值时，创建新块族。

新创建的块族可与特定块组(例如，块组0、块组1等)相关联。然后，存储器子系统控制器可周期性地执行校准过程，以便将每个块族的每一裸片与预定义电压块组(图3的说明性实例中的块组0到7)中的一者相关联，所述电压块组又与待应用于读取操作的电压偏移相关联。块与块族以及块族及裸片与电压块组的关联可存储在由存储器子系统控制器维持的相应元数据表中。

图4示意性地说明根据本公开的实施例的一组预定义阈值电压偏移块组(在本文称为电压块组或块组)。如由图4示意性地说明，阈值电压偏移图可细分为多个电压块组，使得每一电压块组对应于阈值电压偏移的预定范围。虽然图4的说明性实例为单个谷定义十个电压块组，但在其它实施方案中，可采用各种其它数目个电压块组。

存储器子系统控制器可基于周期性执行的校准过程来将每个块族的每一裸片与电压块组相关联。校准过程定义一组阈值电压偏移，以应用于基本电压读取电平以便执行读取操作。在一些实施例中，校准过程涉及相对于正在被校准的块族内的指定数目个随机选择页面或块利用不同阈值电压偏移执行读取操作，以及选取使读取操作的错误率(例如，位错误率)最小化的阈值电压偏移。在其它或类似实施例中，校准过程涉及对块族的存储器页面进行采样(即，测量存储器页面的存储器单元的存取电压分布)，且紧接在编程之后或在编程之后不久确定从块族的存取电压分布的电压分布移位量。关于图7及9提供关于校准过程的另外细节。

图5示意性地说明根据本公开的实施例的由存储器子系统控制器115的块族管理器组件113实施的块族管理操作。如由图5示意性地说明，块族管理器组件113可在存储器变量中维持活动块族的标识符520，其在游标530A到530K的一或多个页面或块被编程时与所述一或多个页面或块相关联。本文的“游标”应广义地指代存储器装置上正被写入数据的位置。

存储器子系统控制器可利用通电分钟数(POM)时钟来跟踪块族的创建时间。在一些实施方案中，除POM时钟之外，还可利用当控制器处于各种低功率状态时继续运行的较不准确时钟，使得当控制器从低功率状态唤醒时，POM时钟基于较不准确时钟来更新。

因此，在初始化每一块族时，块族管理器组件113将当前时间540存储在存储器变量中，作为块族开始时间550。在对页面或块进行编程时，块族管理器组件113将当前时间540与块族开始时间550进行比较。响应于检测到当前时间540与块族开始时间550的差值大于或等于指定时间段(例如，预定的分钟数)，块族管理器组件113更新存储活动块族标识符520的存储器变量以存储下一块族号(例如，下一循序整数)，且更新存储块族开始时间550的存储器变量以存储当前时间540。

块族管理器组件113还维持两个存储器变量，用于存储每一存储器装置的所选择裸片的高及低参考温度。在初始化每一块族时，高温度560及低温度570变量存储存储器装置的所选择裸片的当前温度的值。在操作中，在活动块族标识符520保持相同时，周期性地获得温度测量值，且将其与所存储高温度560及低温度570值进行比较，所述值相应地更新：如果发现温度测量值大于或等于由高温度变量560存储的当前值，更新高温度变量560以存储所述温度测量值；相反，如果发现温度测量值下降到低于由低温度变量570存储的当前值，那么更新低温度变量570以存储所述温度测量值。

块族管理器组件113可进一步周期性地计算高温度560与低温度570之间的差值。响应于确定高温度560与低温度570之间的差值大于或等于指定温度阈值，块族管理器组件113可关闭现有块族，且可创建新活动块族：更新存储活动块族标识符520的存储器变量以存储下一块族号(例如，下一循续整数)，更新存储块族开始时间550的存储器变量以存储当前时间540，且更新高温度560及低温度570变量以存储存储器装置的所选择裸片的当前温度的值。在对块进行编程时，块族管理器组件113将块与当前活动块族相关联。每一块与对应块族的关联由块族元数据580反映。

如先前描述，基于周期性执行的校准过程(例如，校准扫描)，块族管理器组件113将每个块族的每一裸片与相应电压块组相关联，所述电压块组定义待应用于基本电压读取电平以便执行读取操作的一组相应阈值电压偏移。在一些实施例中，校准过程涉及对块族的存储器页面的存储器单元进行采样，以测量存储器页面的当前电压分布。在一些实施例中，当前电压分布可对应于在执行校准过程的时间段(即，在当前时间段)的一组采样存储器单元的平均分布。在其它或类似实施例中，当前电压分布可为不同聚合量度。

在一些实施例中，块族管理器组件113可基于块族的当前电压分布及先前电压分布来确定用于存储器页面的存储器单元的移位量。在一些实施例中，先前电压分布可对应于在先前时间段(例如，举例而言当将存储器页面的数据编程在存储器装置处时)针对存储器页面测量的电压分布。在此类实施例中，块族管理器组件113可基于当前电压分布与先前电压分布之间的差值来确定用于存储器页面的存储器单元的电压移位量。所确定的电压移位量可对应于先前确定的阈值电压偏移(例如，基于实验数据等)以最小化对块族执行的操作(例如读取操作)的错误率。块族管理器113可确定对应于阈值电压偏移的特定电压块组，且更新块族的元数据以对应于所确定电压块组。在其它或类似实施例中，根据本文提供的实施例，块族管理器组件113可使用参考电压来确定存储器单元的电压移位量。

在一些例子中，存储器装置在当前时间段的操作温度可不同于存储器装置在先前时间段的操作温度。例如，在对存储器页面的数据进行编程时存储器装置的操作温度可不同于在块族管理器组件113执行校准过程时存储器装置的操作温度。存储器装置的操作温度在存储器页面被编程的时间(即，初始时间段)与存储器页面被存取或校准的时间之间的差值被称为交叉温度。存储器装置的操作温度可影响由存储器装置的存储器单元展现的缓慢电荷损失量。因此，与相关联于小交叉温度的存储器页面的存储器单元相比，与初始时间段与当前时间段之间的大交叉温度相关联的存储器页面可展现不同的电压分布移位量。

在一些实施例中，存储器装置130、140可在存储器装置的整个寿命期间经历一或多个临时温度摆动。例如，存储器装置可在第一温度下操作存储器装置寿命的大部分(例如，90％、95％等)，且对于存储器装置寿命的小部分(例如，5％、10％等)，存储器装置的操作温度可从第一温度偏离到一或多个其它温度。在一些例子中，当存储器装置130、140在第一温度下操作时，存储器子系统控制器115可对块族进行编程且当存储器装置经受临时温度摆动(即，存储器装置临时在第二温度下操作)时，块族管理器组件113可启动块族的校准过程。在其它例子中，当存储器装置130、140经受临时温度摆动时，存储器子系统控制器115可对块族进行编程且当存储器装置在第一温度下操作时，块族管理器组件113可启动校准过程。在两个例子中，在启动校准过程时，存储器页面的存储器单元可基于存储器页面的交叉温度展现大(或小)的电压分布移位量。在一些实施例中，根据下文描述的实施例，块族管理器组件113可将临时电压移位偏移应用于针对存储器页面测量的电压分布移位量，以获得经调整电压分布移位量。在此类实施例中，块族管理器组件113可基于用于存储器页面的经调整电压分布移位量来将块族指派到特定电压块组。

在一些实施例中，存储器子系统控制器对每一电压块组执行校准过程的频率可基于与电压块组相关联的块族的年限。如先前关于图3所描述，新创建的块族可与电压块组0相关联，且存储器装置上的较旧块族可与随后编号的电压块组相关联。较年轻电压块组中的块族的时间电压移位比与较旧电压块组相关联的块族的时间电压移位更快。这在图4中说明，因为块组0的电压偏移以快于较旧电压块组(例如，电压块组9、8、7等)的电压偏移的速率移位。因此，存储器子系统控制器可以比与电压块组9相关联的块族更高的频率来执行与电压块组0相关联的块族的校准过程以将每一块族与适当电压块组相关联。

图6示意性地说明根据本公开的实施例选择用于校准的块族。归因于缓慢电荷损失，电压块组中最旧块族可在当前块组的其它块族之前迁移到下一电压块组。因而，存储器子系统控制器可将校准操作限制于块组中最旧块族(例如，块组0中的块族610及块组1中的块族620)。在一些实施例中，存储器子系控制器可基于块组的块组边界来识别电压块组中的最旧块族。块组边界可表示各自与不同块组相关联的两个邻近块族之间的边界。存储器子系统控制器可使用块族元数据表来识别特定电压块组的块组边界。

再次参考图1，鉴于经调整时间电压移位量，块族管理器组件113可经配置以周期性地校准存储器装置130、140以将块族与适当电压块组相关联。块族可在紧接于数据被编程或写入到块族的存储器页面之后或在数据被编程或写入到块族的存储器页面之后不久的第一时间段(本文也称为先前时间段)与第一电压分布相关联。在一些实施例中，当数据被编程或写入到存储器页面时，存储器装置130、140可在第一温度下操作。在第一时间段之后的第二时间段(在本文也称为当前时间段)期间，块族管理器组件113可确定块族满足校准准则(例如，自创建块族以来已经过阈值时间量，块族达到编程/擦除(P/E)循环的阈值数目，等等)。块族管理器113可对块族的存储器页面执行校准操作(例如，校准扫描)，以测量存储器页面的存储器单元的电压移位量。块族管理器113还可确定存储器装置130、140在第二时间段的操作温度与存储器装置130、140在第一时间段的操作温度之间的差值，且可基于所确定差值来获得临时电压移位偏移。在一些实施例中，可基于在安装及/或初始化存储器装置130、140之前为存储器装置130及140收集的实验及/或测试数据来定义临时电压移位偏移。在其它或类似实施例中，块族管理器组件113可基于在存储器装置130、140的临时温度摆动期间针对块族及/或其它块族的其它存储器页面测量的电压移位量来产生临时电压移位偏移。块族管理器113可将临时电压移位偏移应用于存储器单元的所测量电压移位量，以确定存储器单元的经调整电压移位量。块族管理器组件113可将包含存储器页面的块族与适当电压块组相关联，所述适当电压块组与对应于经调整时间电压移位量的时间电压偏移相关联。本文关于图7到10B提供关于校准过程的另外细节。

图7是根据本公开的一些实施例的用于基于交叉温度电压移位偏移的电压块组校准的实例方法700的流程图。方法700可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法700由图1的块族管理器组件113执行。在其它或类似实施例中，方法700的一或多个操作由存储器子系统控制器的另一组件执行，例如块族管理器(例如，块族管理器组件113)。尽管以特定序列或顺序展示，除非另有指定，否则可修改过程的顺序。因此，所说明实施例应仅被理解为实例，并且所说明过程可以不同顺序执行，并且一些过程可并行执行。另外，在各种实施例中可省略一或多个过程。因此，并非在每一个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。

在操作710处，处理逻辑确定存储器装置的当前温度与先前温度之间的差值。如上文描述，可将数据编程到存储器装置(例如图1的存储器装置130、140)处的存储器页面。在数据被编程到存储器页面(即，在第一时间段)时，存储器装置130、140可与操作温度相关联。在一些实施例中，操作温度可对应于存储器装置130、140在存储器装置的寿命的大部分(例如，90％、95％等)期间的操作温度(称为正常操作温度或标准操作温度)。在其它或类似实施例中，操作温度可对应于存储器装置130、140在临时温度摆动期间的操作温度。如上文描述，临时温度摆动是指存储器装置130、140的操作温度在存储器装置寿命的短部分(例如，5％、10％等)内偏离正常或标准操作温度(称为异常温度或离群温度)。在一些实施例中，存储器装置130、140可响应于围绕存储器装置130、140的环境的改变而经受临时温度摆动。例如，在存储器装置130、140的寿命的大部分期间，存储器装置130、140可在环境温度在约25到30摄氏度(C)之间的第一环境中操作。存储器装置130、140可在短时间段内移动到环境温度在约65到70℃之间的第二环境(例如，移动到完全暴露在阳光下的汽车后备箱中)，且接着随后移动回到第一环境。存储器装置130、140在短时间段内从第一环境到第二环境的移动被称为临时温度摆动。在一些实施例中，当存储器装置130、140在第二环境中操作时(即，当存储器装置130、140在异常或离群温度下操作时)，存储器子系统控制器(例如，存储器子系统控制器115)可将数据编程到存储器页面。

存储器子系统控制器115可针对编程在存储器装置130、140处的存储器页面存储与存储器装置130、140的操作温度相关联的数据。例如，在对存储器页面的数据编程期间或之后不久，存储器子系统控制器115可从存储器子系统110的温度传感器获得存储器装置130、140的操作温度，且将所获得操作温度存储在用于存储器子系统控制器及/或存储器装置130、140的存储器处(例如，在本地存储器119处)。在其它或类似实施例中，存储器子系统控制器115可针对编程到存储器装置130、140的一或多组存储器页面，而不是针对每一个别存储器页面存储与存储器装置130、140的操作温度相关联的数据。例如，存储器子系统控制器115可在固定时间间隔期间将多个存储器页面编程到存储器装置130、140，且可(例如，从存储器子系统110的温度传感器)获得存储器装置130、140在时间间隔的初始时段及/或固定时间间隔的最后时段的操作温度。存储器子系统控制器115可产生所获得温度与在固定时间间隔期间编程的每一存储器页面的地址之间的一或多个映射，且将每一存储器页面的映射存储在本地存储器119处。在一些实施例中，存储器装置130、140的操作温度可为由块族管理器组件113使用以定义包含相应存储器页面的块族的温度，如关于图5描述。

在第二时间段，处理逻辑可启动存储器装置130、140的块族的校准过程。由于第二时间段可在第一时间段之后(即，当存储器页面的数据被编程到存储器装置130、140时)，根据本文提供的一些实施例，第二时间段可被称为当前时间段，且第一时间段可被称为先前时间段。块族可包含在一组电压块组中的第一电压块组中，所述第一电压块组与第一阈值电压偏移相关联，如上文描述。在一些实施例中，鉴于块族的校准协议，处理逻辑可启动校准过程。例如，处理逻辑可响应于确定满足块族的校准准则而启动块族的校准过程。在一些实施例中，处理逻辑可响应于确定自创建块族以来经过的时间量满足(例如，满足或超过)阈值时间量来确定满足块族的校准准则。在其它或类似实施例中，处理逻辑可响应于确定与块族相关联的P/E循环数目满足P/E循环的阈值数目来确定满足校准准则。响应于确定满足块族的校准准则，存储器装置可选择块族的存储器页面以执行一或多个校准过程操作(例如，校准扫描操作)。在一些实施例中，处理逻辑可鉴于块族的校准协议来选择用于校准操作的块族的存储器页面。

响应于选择块族的存储器页面，处理逻辑可获得存储器页面在先前时间段的操作温度(即，存储器装置130、140的先前温度)。根据前面描述的实施例，处理逻辑可从本地存储器119检索存储器页面的先前温度。处理逻辑还可确定存储器装置130、140在当前时间段的操作温度(称为存储器装置130及140的当前温度)。在一些实施例中，当前温度可对应于存储器装置130、140的临时温度摆动期间的操作温度。在其它或类似实施例中，当前温度可对应于存储器装置130、140的正常操作温度或标准操作温度，如上文描述。

在一些实施例中，处理逻辑可获得如上文描述的存储器装置130、140的当前温度。例如，在一些实施例中，响应于确定满足关于块族的校准准则，过程逻辑可从存储器子系统110的温度传感器获得存储器装置130、140的当前操作温度。在另一实例中，存储器子系统控制器115可从存储器子系统110的温度传感器获得存储器装置130、140的当前操作温度，且将当前操作温度存储在本地存储器119处。过程逻辑可从本地存储器119检索当前操作温度。

在框720处，处理逻辑可确定存储器装置130、140的先前温度与当前温度之间的差值是否满足温度准则。在一些实施例中，处理逻辑可通过确定存储器装置130、140的先前温度与当前温度之间的差值下降到低于温差阈值来确定满足温度准则。温差阈值可对应于存储器页面的交叉温度的值，其中确定(例如，基于存储器装置130、140的实验数据及/或测试数据)不能成功地执行校准操作以将块族准确地指派到与准确阈值电压偏移相关联的电压块组。例如，处理逻辑可确定存储器装置130、140的先前温度(例如，15℃)与当前温度(例如，90℃)之间的差值约对应于75℃。响应于基于为存储器装置130、

140收集的实验及/或测试数据来确定处理逻辑不能将电压块组准确地指派到与高于70℃的交叉温度相关联的块族，存储器装置130、140的制造及/或测试系统的用户可将存储器装置130、140的温差阈值定义为70℃。因此，处理逻辑可响应于确定与选择用于校准的块族的存储器页面相关联的先前温度与当前温度之间的差值超过70℃的温差阈值来确定满足温度准则。在其它或类似实施例中，可基于在存储器子系统115的操作期间为存储器装置130、140收集的数据来定义温差阈值。

响应于处理逻辑确定满足温度准则，方法700可继续到操作730，其中处理逻辑可修改块族的校准协议。在一些实施例中，处理逻辑可修改校准协议以延迟块族的所选择存储器页面的一或多个校准操作。例如，处理逻辑可修改校准协议以将块族的所选择存储器页面的校准操作延迟特定的时间量，且在特定时间量过去之后，处理逻辑可启动所选择存储器页面的校准操作。在另一实例中，处理逻辑可修改校准协议以延迟所选择存储器页面的校准操作，直到存储器装置的当前操作温度(即，第二温度)对应于目标温度。目标温度可为经确定以满足温度准则的温度(例如，先前温度与目标温度之间的差值下降到低于温差阈值)。响应于确定存储器装置130、140的当前温度对应于目标温度，处理逻辑可启动所选择存储器页面的校准操作。在其它或类似实施例中，处理逻辑可修改校准操作协议以选择块族的另一存储器页面来执行一或多个校准操作。例如，处理逻辑可确定最初选择的存储器页面的先前时间段包含或落在存储器装置130、140的临时温度摆动的时间段内。因此，处理逻辑可选择在临时温度摆动的时间段内未编程的块族的另一存储器页面来执行一或多个校准操作。

响应于处理逻辑确定满足温度准则，方法700可继续到操作740，其中处理逻辑测量所选择存储器页面的一组存储器单元的电压移位量。应注意，在一些实施例中，处理逻辑可在执行操作710之前执行操作740。例如，如本文描述，处理逻辑可通过测量所述一组存储器单元的电压移位量来启动校准过程。如上文描述，处理逻辑随后可确定当前时间段与先前时间段的温度之间的差值。

在一些实施例中，处理逻辑可通过执行一或多个校准操作以测量一组存储器单元在当前时间段的电压分布(称为当前电压分布)来测量所述存储器单元的电压移位量。处理逻辑可通过对存储器页面进行采样来测量存储器页面的当前电压分布以确定与所述一组存储器单元中的每一存储器单元相关联的存储器存取电压。在一些实施例中，所述一组存储器单元可包含存储器页面的所有存储器单元，或者可包含存储器页面的少于所有存储器单元。当前电压分布可表示在为存储器页面获得测量值的时间段存储器页面的单元中的一或多者的存储器存取电压的差值。

在其它或类似实施例中，处理逻辑可使用参考电压来确定存储器单元的电压移位量。参考电压可对应于存储器装置处的存储器单元的相应逻辑电平的电压分布的特定点(例如，尾端)或特定分位数(例如，50％分位数)。在紧接于对块族进行编程之后或在对块族进行编程之后不久的时间段(例如，在先前时间段)，块族的存储器页面可与特定电压分布(称为先前电压分布)相关联。在一个实例中，参考电压可对应于电压分布的尾端的存储器单元的电压。与先前存储器存取电压分布的尾端相关联的存储器单元的电压可约对应于由存储器子系统控制器使用以将数据编程到存储器单元的阈值电压(称为编程电压或程序验证(PV)电压)。因而，与先前电压分布相关联的参考电压的值(称为参考电压的先前值)对应于存储器单元的编程电压。在另一实例中，参考电压可对应于电压分布的特定分位数(例如，50％分位数)处的存储器单元的电压。

处理逻辑可如上文描述那样测量所选择存储器页面的存储器单元的当前电压分布，且基于当前电压分布来确定参考电压的当前值。例如，如果参考电压对应于电压分布的尾端，那么参考电压的当前值可对应于为当前电压分布的尾端测量的电压。在一些实施例中，处理逻辑可基于先前参考电压与当前参考电压的值之间的差值来确定存储器单元的移位量。

在操作750处，处理逻辑基于所确定电压移位量及临时电压移位偏移来确定所述一组存储器单元的经调整电压移位量。在一些实施例中，如关于操作740描述，处理逻辑可通过获得临时电压移位偏移且将临时电压移位偏移应用于针对所述一组存储器单元测量的电压移位量来确定所述一组存储器单元的经调整电压移位量。在一些实施方案中，处理逻辑可从临时电压移位偏移数据结构(例如图8中说明的数据结构800)获得临时电压移位偏移。数据结构800包含一组条目810，其各自包含存储器页面交叉温差字段812及临时电压移位偏移字段814。

如上文描述，每一条目810的交叉温差字段812可指示与存储器装置130、140的存储器页面的先前温度与当前温度之间的差值相关联的值或值的范围。鉴于存储器页面的交叉温度，每一条目810的临时电压移位偏移字段814可指示待应用于存储器页面的所测量电压移位的临时电压移位偏移。在一些实施例中，可基于在存储器子系统110处安装及/或初始化存储器装置130、140之前为存储器装置130、140收集的实验及/或测试数据来确定每一临时电压移位偏移。条目810的临时电压移位偏移可对应于经确定以由条目810中的交叉温差字段812中指示的交叉温度的范围内的交叉温度引起的电压移位量。

在一个实例中，在与存储器装置130、140相关联的一组存储器装置的测试过程期间，在第一存储器装置在20℃的第一温度下操作时，可在第一存储器装置处编程存储器页面的数据。在一些例子中，第一存储器装置的环境温度可显著增加到第二温度(例如，80℃)。在其它或类似例子中，第一存储器装置的环境温度可显著降低到第二温度(例如，0℃)。在第一存储器装置存储器装置在第二温度下操作时，可测量存储器页面的第一电压移位量。在第二存储器装置在20℃的第一温度下操作时，可在第二存储器装置处编程存储器页面的数据。在一些例子中，第二存储器装置的环境温度维持在约第一温度(例如，维持在约18℃与22℃之间的温度)。在第二存储器装置维持在第一温度时，可测量存储器页面的第二电压移位量。在一些实施例中，测试设施的处理装置可确定第一电压移位量与第二电压移位量之间的差值，且产生所确定差值到交叉温度的值的映射。交叉温度的值可表示第一及第二装置的第一温度与第一存储器装置的第二温度之间的差值。第一电压移位量与第二电压移位量之间的差值可对应于由映射到所述差值的交叉温度的值引起的电压移位量。所产生映射可包含在数据结构800中，数据结构800可存储于在测试设施处测试的一或多个存储器子系统(例如，存储器子系统110)的存储器(例如，本地存储器119、存储器装置130、140)处。

如上文描述，处理逻辑可识别数据结构800的条目，其在交叉温差字段812中包含对应于所选择存储器页面的先前温度与当前温度之间的差值的值。在说明性实例中，如在图8中所说明，与所选择存储器页面相关联的先前温度816可为20℃，且与所选择存储器页面相关联的当前温度818可为70℃。因此，与所选择存储器页面相关联的先前温度与当前温度之间的差值约为50℃。处理逻辑可识别数据结构800的条目810，条目810包含对应于约50℃的所确定差值的交叉温差字段812的值或值的范围。处理逻辑可通过提取包含在所识别条目810的临时电压移位偏移字段814中的值来获得待应用于所选择存储器页面的所测量电压移位的临时电压移位偏移。如在图8所说明，所选择存储器页面的所测量电压移位820约为30毫伏(mV)，且来自所识别条目810的字段814的临时电压移位偏移约为-20mV。处理逻辑可将-20mV的所获得临时电压移位偏移应用于所测量电压移位820，以确定用于所选择存储器页面的约10mV的经调整电压移位822。

再次参考图7，在操作760处，处理逻辑确定所选择存储器页面的经调整电压移位量是否满足电压移位准则。在一些实施例中，处理逻辑响应于确定经调整电压移位量满足或超过电压移位的阈值量来确定经调整电压移位量满足电压移位准则。类似地，处理逻辑可响应于确定经调整电压移位量不超过电压移位的阈值量来确定经调整电压移位量不满足电压移位准则。响应于处理逻辑确定不满足电压移位准则，方法700可继续到操作770，其中处理逻辑可将包含所选择存储器页面的块族与第一电压块组相关联。响应于处理逻辑确定满足电压移位准则，方法700可继续到操作780，其中处理逻辑可将包含所选择存储器页面的块族与第二电压块组相关联。第二电压块组可对应于与对应于第一电压块组的第一阈值电压偏移不同的第二阈值电压偏移。在一些实施例中，处理逻辑可通过更新到第二电压块组的电压块组边界的指针来将块族与第二电压块组相关联，如先前描述。例如，处理逻辑可更新包含存储器页面的块族的元数据表，以指示用于第二电压块组的指针与块族对应。

图9是根据本公开的一些实施例的用于基于交叉温度电压移位偏移的电压块组校准的另一实例方法的流程图。方法900可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法900由图1的块族管理器组件113执行。在其它或类似实施例中，方法900的一或多个操作由存储器子系统控制器的另一组件执行，例如块族管理器。尽管以特定序列或顺序展示，除非另有指定，否则可修改过程的顺序。因此，所说明实施例应仅被理解为实例，并且所说明过程可以不同顺序执行，并且一些过程可并行执行。另外，在各种实施例中可省略一或多个过程。因此，并非在每一个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。

在操作910处，过程逻辑在第一时间段对存储器装置130、140的第一块族的第一存储器页面进行编程。当处理逻辑对第一存储器页面进行编程时，存储器装置130、140可在第一温度下操作。例如，存储器装置130、140可在对应于存储器装置130、140的正常或标准操作温度的温度下操作，如先前描述。在另一实例中，存储器装置130、140可经受临时温度摆动，且因此可在对应于异常或离群操作温度的温度下操作。

在操作920处，处理逻辑基于在第一时间段与第二时间段之间针对第一存储器页面的第一组存储器单元测量的电压移位量，为存储器装置130、140产生临时电压移位偏移。临时电压移位偏移可与存储器装置130、140在第一与第二时间段之间的第一温差相关联。在一些实施例中，处理逻辑可基于对第一存储器页面执行的校准过程的结果来确定产生临时电压移位偏移。例如，鉴于用于存储器装置130、140的校准协议，处理逻辑可启动校准过程，如本文描述。响应启动校准过程，处理逻辑可通过执行校准操作(例如，校准扫描)来测量电压移位量，以获得第一组存储器单元的当前电压阈值分布，且可基于存储器单元的当前电压阈值分布与先前电压阈值分布之间的差值来确定电压移位量，如上文描述。在另一实例中，处理逻辑可使用用于存储器单元的先前及当前阈值电压分布的参考电压来测量电压移位量，如上文描述。

处理逻辑可通过确定第一组存储器单元的所测量电压移位量是否满足临时电压移位准则来确定是否产生临时电压。处理逻辑可通过确定电压移位的测量量超过第一时间段与第二时间段之间的预期电压移位量来确定所测量电压移位量满足临时电压移位准则。在一些实施例中，可基于在存储器子系统110处安装及/或初始化存储器装置130、140之前为存储器装置130、140收集的实验及/或测试数据来确定预期电压移位量。在其它或类似实施例中，可基于在对应于第一时间段与第二时间段之间的时间量的时间段间隔期间针对存储器装置130、140的存储器页面观察到的电压移位量来确定预期电压移位量。

在一些实施例中，处理逻辑可通过确定存储器装置130、140在第一时间段与第二时间段之间的第一温差是否超过温度摆动准则来进一步确定满足临时电压移位准则。如上文描述，处理逻辑可从存储器子系统110的存储器(例如，从本地存储器119)获得存储器装置130、140的第一温度。如本文描述，处理逻辑可从存储器子系统110的温度传感器或从存储器子系统110的存储器获得存储器装置130、140的第二温度。在一些实施例中，响应于确定第一温差超过阈值差值，处理逻辑可确定存储器装置130、140的第一温差超过温度摆动准则。阈值差值可指示存储器装置130、140处对应于存储器装置130、140的正常或标准操作特性的两个或更多个时间段之间的最大温差。超过阈值差值的两个或更多个时间段之间的温差可指示存储器装置130、140经受异常或非标准操作条件，例如临时温度摆动。在一些实施例中，如本文描述，可基于存储器装置130、140的实验及/或测试数据来确定阈值差值。

在其它或类似实施例中，处理逻辑可基于存储器装置130、140在第一时间段与中间时间段之间的另一温差来确定满足温度摆动准则。例如，第一时间段可包含约0s与10s之间的时间间隔，且第二时间段可包含约500s到530s之间的时间间隔。如上文描述，处理逻辑可确定存储器装置130、140在第一时间段与第二时间段之间的第一温差。处理逻辑可进一步确定存储器装置130、140在第一时间段与包含约120s与150s之间的时间间隔的中间时间段之间的中间温差。处理逻辑可确定第一时间段与中间时间段之间的中间温差是否超过上文描述的阈值差值。响应于确定中间温差不超过阈值差值(即，中间温差不对应于临时温度摆动)，处理逻辑可确定存储器装置130、140在第一与第二时间段之间的第一温差是否对应于中间温差。在一些实施例中，处理逻辑可通过确定第一温差约等于(例如，相同或类似于)中间温差来确定第一温差对应于中间温差。

响应于确定满足临时电压移位准则，处理逻辑可确定产生临时电压移位偏移。在一些实施例中，处理逻辑可基于用于存储器页面的第一组存储器单元的所测量电压移位量及用于存储器页面的预期电压移位量来产生临时电压移位偏移。例如，处理逻辑可从存储器装置130、140的实验及/或测试数据确定当存储器装置130、140不经受临时温度摆动时在第一时段与第二时段之间的存储器页面的预期电压移位量。处理逻辑可通过确定预期电压移位量及所测量电压移位量之间的差值来产生偏移，且可产生在第一与第二时间段之间偏移与存储器装置130、140的第一温度与第二温度之间的差值之间的映射。在其它或类似实施例中，处理逻辑可通过在存储器装置不再经受临时温度摆动之后重新测量第一组存储器单元的电压移位量来产生临时电压移位偏移。例如，处理逻辑可检测到(例如，经由用于存储器子系统110的温度传感器)在第二时间段之后的时间段，存储器装置130、140的当前温度对应于存储器装置130、140的第一温度。响应于检测到当前温度对应于第一温度，处理逻辑可重新测量第一组存储器单元的电压移位量，且可基于第一时段与第二时间段之间的所测量电压移位量与在第一时段与后续时间段之间测量的电压移位量之间的差值来产生临时电压移位偏移。如上文描述，处理逻辑可产生所产生偏移与第一时间段与第二时间段之间的温差之间的映射。

图10A描绘根据本公开的一些实施例的针对存储器装置130、140产生临时电压移位偏移。如在图10A中所说明，存储器装置130、140的第一温度1010可约为20℃，且存储器装置130、140的第二温度1012可约为70℃。如上文描述，处理逻辑可在第二时间段测量第一组存储器单元的电压移位量，且确定电压移位量满足临时电压移位准则。第一组存储器单元的所测量电压移位量被描绘为图10A中的临时电压移位1014。根据上文描述的实施例，处理逻辑可确定第一时间段与第二时间段之间的估计或实际电压移位1016约为10mV。处理逻辑可通过确定临时电压移位1014与预期或实际电压移位1016之间的差值来产生临时电压移位偏移，且可产生所产生偏移与第一时间段与第二时间段之间的温差之间的映射。在一些实施例中，处理逻辑可将所产生映射存储在存储器子系统110的本地存储器(例如本地存储器119)处。在一些实施例中，处理逻辑可将所产生映射存储在临时电压移位偏移数据结构(例如关于图8描述的数据结构800)处。如在图10A中所说明，处理逻辑可将条目810添加到数据结构800，数据结构800包含交叉温差字段812中的50℃的值及临时电压偏移字段814中的-30mV的值。

再次参考图9，在操作930处，处理逻辑在第三时间段对第二块族的第二存储器页面进行编程。在一些实施例中，第二存储器页面可与关于操作910描述的第一存储器页面相同。在其它或类似的实施例中。第二存储器页面可不同于第一存储器页面，然而，第二块族可与包含第一存储器页面的第一块族相同。在其它或类似实施例中，第二块族可不同于第一块族，然而，第一块族及第二块族可包含在存储器子系统的同一存储器装置130、140处。在其它或类似实施例中，第一块族及第二块族可包含在单独存储器装置130、140处。例如，第一块族可包含在存储器装置130处，且第二块族可包含在存储器装置140处。在一些实施例中，第三时间段可在第一及第二时间段之后。在其它或类似实施例中，第三时间段可在第一时间段之后且在第二时间段之前。在其它或类似实施例中，第三时间段可在第一及/或第二时间段之前，或者可与第一及/或第二时间段相同。

在操作940处，处理逻辑确定第二存储器页面的第二组存储器单元在第三时间段与第四时间段之间的电压移位量。在一些实施例中，第四时间段可在第一及第二时间段之前、之间或之后。在一些实施例中，存储器装置130、140可在第三时间段期间在第三温度下操作，且可在第四时间段期间在第四时间段操作。在一些实施例中，处理逻辑可响应于确定满足温度准则及/或校准准则，通过测量第二组存储器单元的当前电压移位量(即，通过执行一或多个校准操作)来确定第二组存储器单元的电压移位量，如上文所述。

在操作950处，处理逻辑确定存储器装置130、140在第一时间段与第二时间段之间的的第一温差对应于存储器装置130、140在第三时间段与第四时间段之间的第二温差。图10B描绘根据本公开的实施例的确定用于第二组存储器单元的经调整电压移位1024。如在图10B中所说明，存储器装置130、140在第三时间段的第三温度约为15℃，且存储器装置130、140在第四时间段的第四温度约为68℃。根据先前描述的实施例，处理逻辑可确定第三温度1018与第四温度1020之间的差值约为53℃。如先前描述，处理逻辑还可测量在第四时间段的电压移位1022的量为约35mV。处理逻辑可确定第三温度1018与第四温度1020之间的第二温差(即，约53℃)是否对应于第一温度1010与第二温度1012之间的第一温差(即，约50℃)。在一些实施例中，处理逻辑可通过确定第二温差等于或约等于第一温差来确定第二温度差对应于第一温差。

如在图10B所说明，第一温差与第二温差之间的差值约为3℃。在一些实施例中，处理逻辑可确定约3℃的差值使第一温差约等于第二温差(例如，鉴于存储器装置130、140的实验及/或测试数据)。在此类实施例中，处理逻辑可获得来自本地存储器119及/或数据结构800的临时电压移位偏移，如上文描述。再次参考图9，在操作960处，鉴于第二组存储器单元的电压移位量及临时电压移位偏移，处理逻辑将第二块族与一组电压块组中的相应电压块组相关联。在一些实施例中，如本文描述，处理逻辑可将所获得临时电压移位偏移814应用于所测量电压移位1022，以确定第二组存储器单元的经调整电压移位1024的量，且可鉴于经调整电压移位1024的量而将第二块族与相应电压块组相关联。在一些实施例中，处理逻辑可通过将第二块族与对应于第二组存储器单元的经调整电压移位量的相应电压块组相关联而将第二块族指派到相应电压块组。例如，处理逻辑可更新相应电压块组的电压块组边界的指针，以与块族对应。在其它或类似实施例中，根据先前描述的实施例，处理逻辑可确定约3℃的差值不会使第一温差约等于第二温差，且可产生额外临时电压移位偏移。

图11说明计算机系统1100的实例机器，可在所述机器内执行一组指令以致使所述机器执行本文所论述的任何一或多种方法论。在一些实施例中，计算机系统1100可对应于包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)的主机系统(例如，图1的主机系统120)，或可用来执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的块族管理器组件113的操作)。在替代实施例中，机器可连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网及/或因特网中的其它机器。所述机器可在客户端-服务器网络环境中作为服务器或客户端机器操作，在对等(或分布式)网络环境中作为对等机器操作或者在云计算基础结构或环境中作为服务器或客户端机器操作。

所述机器可为个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络设施、服务器、网络路由器、交换机或网桥，或者能够执行一组指令(循序或以其它方式)的任何机器，所述指令指定将由那个机器采取的动作。此外，虽然说明单个机器，但术语“机器”也应被理解为包含个别地或联合地执行一组(或多组)指令以执行本文所论述的任何一或多种方法论的任何机器集合。

实例计算机系统1100包含处理装置1102、主存储器1104(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、动态随机存取存储器(DRAM)，例如同步DRAM(SDRAM)或RDRAM等)、静态存储器1106(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)及数据存储系统1118，其经由总线1130彼此通信。

处理装置1102表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元或类似者。更特定来说，所述处理装置可为复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器、或实施其它指令集的处理器、或实施指令集组合的处理器。处理装置1102还可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器或类似者。处理装置1102经配置以执行用于执行本文所论述的操作及步骤的指令1126。计算机系统1100可进一步包含用以通过网络1120通信的网络接口装置1108。

数据存储系统1118可包含机器可读存储媒体1124(也称为计算机可读媒体)，其上存储体现本文所描述的方法论或功能中的任一者或多者的一或多组指令1126或软件。指令1126在由计算机系统1100执行期间也可完全或至少部分地驻留在主存储器1104及/或处理装置1102内，主存储器1104及处理装置1102也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体1124、数据存储系统1118及/或主存储器1104可对应于图1的存储器子系统110。

在一个实施例中，指令1126包含指令以实施对应于电压块组边界组件(例如，图1的块族管理器组件113)的功能性。尽管在实例实施例中将机器可读存储媒体1124展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被视为包含存储一或多组指令的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”也应被视为包含能够存储或编码一组指令以供机器执行并且致使机器执行本公开的方法论中的任一者或多者的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应被视为包含(但不限于)固态存储器、光学媒体及磁性媒体。

已根据对计算机存储器内的数据位的操作的算法及符号表示呈现前述详细描述的一些部分。这些算法描述及表示是数据处理领域的技术人员用来最有效地向所属领域的其他技术人员传达他们工作的实质的方式。算法在本文且通常被视为导致所期望结果的自洽操作序列。所述操作是需要对物理量进行物理操纵的操作。通常，尽管不是必需的，但这些量采取能够被存储、组合、比较及以其它方式操纵的电或磁性信号的形式。主要出于通用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项目、数字或类似者有时被证明是方便的。

然而，应记住，所有这些及类似术语均与适当物理量相关联且仅仅是应用于这些量的方便标签。本公开可涉及计算机系统或类似电子计算装置的动作及过程，其将在计算机系统寄存器及存储器内表示为物理(电子)量的数据操纵及转换成在计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内类似地表示为物理量的其它数据。

本公开还涉及一种用于执行本文的操作的设备。这个设备可出于预期目的而专门构建，或其可包含由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中(例如但不限于任何类型的磁盘，包含软盘、光盘、CD-ROM及磁光盘、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡，或者适于存储电子指令的任何类型的媒体，每一磁盘均耦合到计算机系统总线)。

本文所呈现的算法及显示并非固有地与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文的教示的程序一起使用，或可证明构建更专门的设备来执行所述方法是方便的。多种这些系统的结构将如下文描述中所阐述那样出现。另外，本公开未参考任何特定编程语言进行描述。将明白，可使用多种编程语言来实施如本文所描述的本公开的教示。

本公开可作为计算机程序产品或软件提供，所述计算机程序产品或软件可包含其上存储有指令的机器可读媒体，可用来对计算机系统(或其它电子装置)进行编程以执行根据本公开的过程。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。

在前述说明书中，本公开的实施例已参考其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中所阐述的本公开的实施例的更广泛精神及范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，说明书及附图应被视为具说明性意义而非限制性意义。

Claims (20)

1.一种方法，其包括：

测量与存储器装置处的多个电压块组中的第一电压块组相关联的块族的一组存储器单元的电压移位量，其中所述第一电压块组与第一电压偏移相关联；

确定所述存储器装置的当前温度与先前温度之间的差值；

基于所述所测量电压移位量及与所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的所述差值相关联的临时电压移位偏移来确定所述一组存储器单元的经调整电压移位量；以及

响应于确定所述经调整电压移位量满足电压移位准则，将所述块族与所述多个电压块组中的第二电压块组相关联，其中所述第二电压块组与第二电压偏移相关联。

2.根据权利要求1所述的方法，其中当用于所述一组存储器单元的数据被写入到所述存储器装置时，所述存储器装置的所述先前温度对应于所述存储器装置的温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中响应于确定满足与所述一组存储器单元相关联的校准准则来确定所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的所述差值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述经调整电压移位量包括：

从临时电压移位偏移数据结构识别所述临时电压移位偏移；以及

致使所述临时电压移位偏移被应用于所述一组存储器单元的所述所测量电压移位量。

5.根据权利要求4所述的方法，其中从所述临时电压移位偏移数据结构识别所述临时电压移位偏移包括：

识别对应于所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的所述差值的所述临时电压移位偏移数据结构的多个条目中的条目；以及

从所述所识别条目提取指示所述临时电压移位偏移的值。

6.根据权利要求5所述的方法，其中基于在所述存储器装置的初始化之前为所述存储器装置收集的实验数据来确定所述临时电压移位偏移。

7.根据权利要求1所述的方法，其中测量所述一组存储器单元的所述电压移位量包括对所述一组存储器单元执行校准操作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中响应于确定所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的差值满足温度准则来测量所述一组存储器单元的所述电压移位量，且其中所述方法进一步包括：

响应于确定所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的所述差值不满足所述温度准则，修改所述块族的校准协议。

9.根据权利要求8所述的方法，其中修改所述块族的所述校准协议包括以下至少一者：

延迟所述一组存储器单元的所述校准操作的执行，直到满足所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的差值；或

对所述块族的另一组存储器单元执行所述校准操作。

10.一种系统，其包括：

存储器装置，其与各自对应于相应电压偏移的多个电压块组相关联；及

处理装置，其耦合到所述存储器装置，所述处理装置用以执行包括以下的操作：

在第一时间段对所述存储器装置的第一块族的第一存储器页面进行编程；

基于在所述第一时间段与第二时间段之间针对所述第一存储器页面的第一组存储器单元测量的电压移位量来产生临时电压移位偏移，其中所述临时电压移位偏移与在所述第一时间段与所述第二时间段之间的所述存储器装置的第一温差相关联；

在第三时间段对所述存储器装置的第二块族的第二存储器页面进行编程；

确定所述第二存储器页面的第二组存储器单元在所述第三时间段与第四时间段之间的电压移位量；以及

响应于确定所述第三时间段与所述第四时间段之间的所述存储器装置的第二温差对应于所述存储器装置的所述第一温差，鉴于所述第二组存储器单元的所述电压移位量及所述临时电压移位偏移而将所述第二块族与所述多个电压块组中的相应电压块组相关联。

11.根据权利要求10所述的系统，其中鉴于所述第二组存储器单元的所述电压移位量及所述临时电压移位偏移而将所述第二块族与所述多个电压块组中的所述相应电压块组相关联包括：

将所述临时电压移位偏移应用于所述第二组存储器单元的所述电压移位量以产生所述第二组存储器单元的经调整电压移位量；以及

从所述多个电压块组选择所述相应电压块组，其中所述相应电压块组对应于所述第二组存储器单元的所述经调整电压移位量。

12.根据权利要求10所述的系统，其中所述操作进一步包括：

响应于确定所述存储器装置的所述第二温差不对应于所述存储器装置的所述第一温差，基于所述第二电压移位量来产生额外临时电压移位偏移。

13.根据权利要求10所述的系统，其中产生所述临时电压移位偏移包括：

在所述第二时间段测量在所述第一时间段与所述第二时间段之间的所述第一组存储器单元的所述电压移位量，其中所述存储器装置在所述第一时间段在第一温度下操作且在所述第二时间段在第二温度下操作，其中所述第一温差对应于所述第一温度与所述第二温度之间的所述差值；

响应于检测所述存储器装置的当前温度对应于所述第一温度，重新测量所述第一存储器页面的所述第一组存储器单元的所述电压移位量；以及

计算在所述第二温度下测量的所述第一组存储器单元的所述电压移位量与在所述当前温度下重新测量的所述第一组存储器单元的所述电压移位量之间的电压移位差值，

其中所述临时电压移位偏移对应于所述电压移位差值。

14.根据权利要求10所述的系统，其中所述处理装置将执行包括以下的操作：响应于确定满足校准准则来确定所述第三时间段与所述第四时间段之间的所述第二存储器页面的所述第二组存储器单元的所述电压移位量。

15.根据权利要求10所述的系统，其中所述第三时间段对应于所述第一时间段或所述第一时间段之前的时间段中的至少一者。

16.根据权利要求10所述的系统，其中所述第二块族与所述第一块族相同。

17.一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下的操作：

测量与存储器装置处的多个电压块组中的第一电压块组相关联的块族的一组存储器单元的电压移位量，其中所述第一电压块组与第一电压偏移相关联；

确定所述存储器装置的当前温度与先前温度之间的差值；

基于所述所测量电压移位量及与所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的所述差值相关联的临时电压移位偏移来确定所述一组存储器单元的经调整电压移位量；以及

响应于确定所述经调整电压移位量满足电压移位准则，将所述块族与所述多个电压块组中的第二电压块组相关联，其中所述第二电压块组与第二电压偏移相关联。

18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中当用于所述一组存储器单元的数据被写入到所述存储器装置时，所述存储器装置的所述先前温度对应于所述存储器装置的温度。

19.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中响应于确定满足与所述一组存储器单元相关联的校准准则来确定所述存储器装置的所述当前温度与所述先前温度之间的所述差值。

20.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中为确定所述经调整电压移位量，所述处理装置将执行包括以下的操作：

从临时电压移位偏移数据结构获得所述临时电压移位偏移；以及

将所述临时电压移位偏移应用于所述一组存储器单元的所述所测量电压移位量。