CN117295843A - 用于传输柔性基板的辊、真空处理设备及其方法 - Google Patents

用于传输柔性基板的辊、真空处理设备及其方法 Download PDF

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克莱尔·阿姆斯特朗
沃尔夫冈·布什贝克
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Abstract

描述了一种用于传输柔性基板(10)的辊(100)。辊(100)包括主体(101)，具有提供在主体(101)的外表面中的多个气体供应狭缝(103)。多个气体供应狭缝(103)在辊(100)的中心旋转轴线(111)的方向上延伸。此外，辊(100)包括被提供为周向地围绕主体(101)并与主体(101)接触的套筒(104)。套筒(104)具有在径向方向(R)上延伸并被提供在多个气体供应狭缝(103)上方的多个气体出口(105)。

Description

用于传输柔性基板的辊、真空处理设备及其方法
技术领域
本公开内容的实施方式涉及用于传输柔性基板的辊。此外，本公开内容的实施方式关于使用辊对辊处理的用于柔性基板处理(特别是利用薄层涂布柔性基板)的设备和方法。特别地，本公开内容的实施方式涉及在用于利用层的堆叠来涂布柔性基板(例如，用于薄膜太阳能电池生产，薄膜电池生产或柔性显示器生产)的设备和方法中的传输柔性基板的辊。
背景技术
柔性基板(诸如塑料膜或箔)的处理在封装产业、半导体产业和其他产业中有高度需求。处理可由利用材料(诸如金属，半导体和介电材料)涂布柔性基板、蚀刻和针对相应应用在基板上进行的其他处理动作组成。执行此任务的系统通常包括与带有用于传输基板的辊组件的处理系统耦接的涂布滚筒(如，圆柱形的辊)，，并在涂布滚筒上涂布基板的至少一部分。
例如，涂布处理(诸如CVD处理，PVD处理或蒸发处理)可用于将薄层沉积到柔性基板上。辊对辊沉积设备可理解为，相当长的柔性基板(诸如一公里或更长)从供应卷轴展开、利用薄层的堆叠进行涂布、并再次卷绕到卷绕卷轴上。特别地，在制造薄膜电池(如，锂电池)、显示产业和光伏(PV)产业中，辊对辊沉积系统是备受关注的。例如，对柔性触控面板元件、柔性显示器和柔性PV模块的需求不断增长，导致对在辊对辊涂布机中沉积合适层的需求不断增长。
为了在柔性基板上实现高品质的涂层，必须掌握关于柔性基板传输的各种挑战。例如，在处理真空条件下移动柔性基板期间，提供合适的基板张力以及良好的基板对辊的接触和基板冷却仍然具有挑战性。
因此，存在对改进的基板传输辊、改进的辊对辊处理设备及其方法的持续需求。
发明内容
鉴于上述情况，提供了根据独立权利要求的一种用于传输柔性基板的辊、一种用于处理柔性基板的真空处理设备、一种制造用于引导柔性基板的辊的方法、一种处理柔性基板的方法及一种制造经涂布的柔性基板的方法。进一步的方面、优点和特征从从属权利要求、实施方式和附图是显而易见的。
根据本公开内容的一个方面，提供了一种用于传输柔性基板的辊。辊包括主体，其具有提供在主体的外表面中的多个气体供应狭缝。多个气体供应狭缝在辊的中心旋转轴线的方向上延伸。此外，辊包括被设置为周向地围绕主体并与主体接触的套筒。套筒具有在径向方向上延伸的多个气体出口。多个气体出口设置在多个气体供应狭缝的上方。
根据本公开内容的进一步方面，提供了一种用于处理柔性基板的真空处理设备。真空处理设备包括处理腔室，其包括具有至少一个沉积单元的多个处理单元。此外，真空处理设备包括根据本文所述的任何实施方式的辊，其用于引导柔性基板通过多个处理单元。辊连接到用于通过辊的多个气体出口向柔性基板提供气体的气体供应器。
根据本公开内容的另一个方面，提供了一种制造用于引导柔性基板的辊的方法。方法包括以下步骤：通过使用激光钻孔来生产具有多个气体出口的套筒。此外，方法包括以下步骤：提供周向地围绕辊的主体并与辊的主体接触的套筒，辊具有设置在主体的外表面中的多个气体供应狭缝，使得多个气体出口布置在多个气体供应狭缝的上方。
根据本公开内容的进一步的方面，提供了一种处理柔性基板的方法。方法包括以下步骤：使用根据本文所述的任何实施方式的用于传输柔性基板的辊来引导柔性基板通过一个或多个处理单元。此外，方法包括以下步骤：通过辊的多个气体出口向柔性基板提供气体来控制柔性基板的温度。
根据本公开内容的另一个方面，提供了一种制造经涂布的柔性基板的方法。方法包括以下步骤：使用根据本文所述的任何实施方式的辊、根据本文所述的任何实施方式的真空处理设备及根据本文所述的任何实施方式的处理柔性基板的方法的至少一者。
实施方式还涉及用于实施所公开方法的设备，并包括用于执行每个描述方法方面的设备部件。这些方法方面可通过硬件部件、由适当软件编程的计算机、通过两者的任何组合，或以任何其他方式执行。此外，根据本公开内容的实施方式还涉及用于操作所述的设备的方法。用于操作所述的设备的方法包括用于实施设备的每个功能的方法方面。
附图说明
因此，作为可详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式来获得上面简要概述的本公开内容的更特定的描述。附图涉及本公开内容的实施方式，并描述在下方：
图1A显示了根据本文所述的实施方式的辊的示意性纵向截面图；
图1B显示了沿图1A中所示的线A-A截取的横截面图；
图1C显示了图1B的扩大部分；
图1D显示了根据本文所述的实施方式的显示了气体出口的布置的辊的示意性俯视图；
图1E显示了图1C的扩大部分；
图2A至图2C显示了根据本文所述的实施方式的具有不同气体出口密度的辊的示意性俯视图；
图3A至图3C显示了根据本文所述的实施方式的具有不同的出口直径的辊的示意性俯视图；
图4显示了根据本文所述的实施方式的真空处理设备的示意图；
图5显示了根据本文所述的实施方式的用于说明制造用于引导柔性基板的辊的方法的框图；及
图6显示了根据本文所述的实施方式的用于说明处理柔性基板的方法的框图。
具体实施方式
现在将详细参照本公开内容的各种实施方式，其中一个或多个示例在各图中进行了说明。在附图的以下描述中，相同的附图标记指代相同部件。仅描述了关于个别实施方式的差异。每个示例都是通过解释本公开内容的方式提供的，并不意味作为本公开内容的限制。此外，作为一个实施方式的一部分被示出或描述的特征可使用在其他实施方式上或与其他实施方式结合使用，以生产进一步的实施方式。实施方式意欲包括这种修改和变化。
示例性参照图1A至图1E，描述了根据本公开内容的用于传输柔性基板10的辊100。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合使用的实施方式，辊100包括主体101，主体101具有提供在主体101的外表面102中的多个气体供应狭缝103。多个气体供应狭缝103在辊100的中心旋转轴线111的方向上延伸。此外，辊100包括被设置为周向地围绕主体101并与主体101接触的套筒104。套筒包括多个气体出口105。多个出口105在径向方向R上延伸，并设置在多个气体供应狭缝103上方。特别地，如图1B、图1C和图1E所示例性地显示，多个气体出口105直接设置在多个气体供应狭缝103的上方。更具体地，通常地，具有多个气体出口105的套筒104的内表面104I与具有多个气体供应狭缝103的主体101的外表面102接触。因此，多个气体出口105的每个气体出口设置在多个气体供应狭缝103的相应气体供应狭缝的上方。
因此，有利地提供了用于传输柔性基板的改进的辊。特别地，本文所述的辊的实施方式提供了通向柔性基板的改善的气体传输，以用于冷却柔性基板。因此，可改善冷却效率。此外，与其他市售的气体冷却辊相比，所描述的辊的实施方式不那么复杂，使得根据本文所述的实施方式的辊的生成变得更容易并且可降低成本。
在更详细地描述了本公开内容的各种进一步的实施方式之前，解释关于本文所使用的一些术语的一些方面。
在本公开内容中，可将“辊”理解为具有用于接触柔性基板的基板支撑表面的滚筒或辊。表述方式“用于接触柔性基板的基板支撑表面”可理解为辊的外表面(例如，如本文所述的套筒的外表面)被配置为用于在柔性基板的引导或传输期间接触柔性基板。通常，支撑表面是辊的弯曲外表面，尤其是圆柱外表面。因此，通常地，辊可绕着旋转轴线旋转，并包括基板引导区域。通常，基板引导区域是辊的弯曲的基板支撑表面(例如，圆柱形对称表面)。在引导柔性基板期间，辊的弯曲基板支撑表面可适于(至少部分地)与柔性基板接触。基板引导区域可界定为辊的其中基板在基板的引导期间与弯曲基板支撑面接触的角度范围，并且可对应于辊的缠绕(enlacement)角度。例如，辊的缠绕角度可以是120°或更多，尤其是180°或更多，或甚至270°或更多。根据可与本文所述的其他实施方式结合使用的一些实施方式，辊100是圆柱形的，并具有0.5m≤L≤8.5m的长度L。此外，辊100可具有1.0m≤D≤3.0m的直径D。因此，有利地，辊被配置用于引导和传输具有较大宽度的柔性基板。
根据可与本文所述的其他实施方式结合使用的一些实施方式，辊可具有一个或多个静电夹盘(E-chuck)(未明确显示)。可将静电夹盘理解为被配置用于提供静电电荷，以用于通过静电力保持基板的装置。特别地，一个或多个静电夹盘可保持柔性基板和/或提供吸引力，用于使卷材(web)与辊的弯曲表面接触。因此，可进一步改善在柔性基板和辊之间的恒定和同质接触力。
在本公开内容中，“柔性基板”可理解为可弯曲的基板。例如，“柔性基板”可以是“箔”或“卷材”。在本公开内容中，可同义使用术语“柔性基板”和术语“卷材”。例如，本文所述的柔性基板可由类似PET、HC-PET、PE、PI、PU、TaC、OPP、BOOP、CPP、一种或多种金属(如，铜)、纸、上述的组合及像是硬涂布PET(如，HC-PET，HC-TAC)的已经被涂布的基板及类似者的材料制成，或包括上述材料。在一些实施方式中，柔性基板是在其两侧上提供有折射率匹配(IM)层的COP基板。例如，基板厚度可以是1μm或以上且1mm或以下，特别是500μm或以下，或甚至200μm或以下。基板宽度WS可以是0.3m≤W≤8m。基板可以是透明的或非透明的基板。
在本公开内容中，辊的“主体”可理解为圆柱形主体，特别是固体材料的圆柱形壳体。通常，主体是由具有高导热率λ的材料制成，特别是λ≥50W/(m·K)，更特别是λ≥100W/(m·K)。例如，主体可由包括铜(诸如铜合金)的材料制成。特别是，主体可由铜制成。可理解的是，主体可替代地由具有高导热率λ的任何其他合适的材料制成。
在本公开内容中，可将“气体供应狭缝”理解为被配置为用于向本文所述的多个气体出口供应气体的狭缝。特别地，通常，如本文所述的“气体供应缝”设置在主体的外表面，并平行于辊的中心旋转轴线。通常，辊的中心旋转轴线对应于主体的中心旋转轴线。此外，通常，如本文所述的“气体供应狭缝”连接到气体供应器。根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，在圆周方向上的气体供应狭缝之间的距离dG可从在下限dGL和上限dGU之间的范围中选择，即，dGL≤dG≤dGU。距离dG在图1E中示例地指出。下限dGL可以是dGL＝4mm，特别是dGL＝6mm，更特别是dGL＝8mm。上限dGU可以是dGU＝10mm，特别是dGU＝12mm，更特别是dGU＝15mm。例如，距离DG可以是10mm。
在本公开内容中，可将“套筒”理解为与本文所述的主体的外表面接触的套筒。因此，套筒可以是被设置为周向地围绕主体并与主体接触的壳。通常，在柔性基板的传输期间，套筒至少部分地与柔性基板接触。特别地，套筒可提供如本文所述的基板支撑表面。通常，套筒由金属片制成。套筒可具有从在下限TL和上限TU之间的范围选择的厚度T，即，TL≤T≤TU。下限TL可以是TL＝0.5mm，特别是TL＝1.0mm，更特别是TL＝1.5mm。上限TU可以是TU＝2.0mm，特别是TU＝2.5mm，更特别是TU＝3.0mm。
在本公开内容中，可将“气体出口”理解为被配置用于在通过由本文所述的辊进行的传输基板的期间向柔性基板提供气体的出口。因此，本文所述的气体出口可理解为气体排放孔。根据本公开内容的气体出口的出口直径Dout可从在下限DL和上限DU之间的范围选择，即，DL≤Dout≤DU。下限DL可以是DL＝30μm，特别是DL＝40μm，更特别是DL＝60μm。上限DU可以是DU＝150μm，特别是DU＝100μm，更特别是DU＝80μm。通常，本文所述的气体出口是通过使用激光钻孔方法产生的的。激光钻孔也可称为激光射击(laser firing)。通常，如本文所述的“气体出口”具有圆柱内表面，该圆柱内表面的内径对应于本文所述的气体出口的出口直径Dout。换句话说，如本文所述的“气体出口”可理解为沿着出口轴线(通常在径向方向上延伸)的恒定出口直径Dout的圆柱出口。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，在圆周方向上的相邻气体出口之间的距离dC可从在下限dCL和上限dCU之间的范围选择，即，dCL≤dC≤dCU。下限dCL可以是dCL＝4mm，特别是dCL＝6mm，更特别是dCL＝8mm。上限dCU可以是dCU＝10mm，特别是dCU＝12mm，更特别是dCU＝15mm。例如，距离dC可以是10mm。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，在轴向方向上的相邻气体出口之间的距离dA可从在下限dAL和上限dAU之间的范围选择，即，dAL≤≤dA≤dAU。下限dAL可以是dAL＝4mm，特别是dAL＝6mm，更特别是dAL＝8mm。上限dAL可以是dAL＝10mm，特别是dAL＝12mm，更特别是dAL＝15mm。例如，距离dA可以是10mm。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的实施方式，在圆周方向上的相邻气体出口之间的距离dC对应于在轴向方向上的相邻气体出口之间的距离dA，即，dC＝dA。换句话说，本文所述的多个气体出口可规则地分布在套筒中。
示例性参照图2A，显示了根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式的辊100的示意性俯视图，设置在套筒104中的多个气体出口105的密度朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B的至少一者变化。在图2A中，指示了辊的长度L、辊的直径D和辊的中心旋转轴线111。通常，多个气体出口105的密度朝向辊100的两个轴向端(即，第一轴向端100A和第二轴向端100B)变化。更具体地，设置在套筒104中的多个气体出口105的密度可朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B(特别是关于第一轴向端100A和第二轴向端100B之间的轴向中间部)对称地变化。特别地，如图2A所示，相邻气体出口之间的距离dA可朝向辊100的第一轴向端100A和/或第二轴向端100B降低，在图2A中由dA1<dA2<dA3<dA4示例性地指示，从而导致气体出口的密度朝向辊100的第一轴向端100A和/或第二轴向端100B增加。
在本公开内容中，表述方式“多个气体出口的密度”可理解为每面积的气体出口的数量。因此，与以较低密度设置的气体出口相比，较高密度的气体出口通常会导致(特别是在气体供应狭缝的方向上)在相邻的气体出口之间的距离较短。通常，气体供应狭缝在圆周方向上均匀分布地设置。换句话说，相邻气体供应狭缝之间的距离在圆周方向上可以是恒定的。因此，通常地，设置在气体供应狭缝上方的相邻气体出口之间的距离在圆周方向上同样是均匀分布的。换句话说，相邻气体出口之间的距离在圆周方向上可以是恒定的。在圆周方向上的相邻气体出口105之间的距离dC在图1C和图1D中示例性地指示。通常，距离dC是相邻的气体出口105的中心轴线之间的距离，如图1E所示。因此，通常地，相邻气体供应狭缝103之间的距离dG是相邻气体供应狭缝103的中心轴线之间的距离。特别地，如图1E所示例性地显示，距离dG可基本上对应于dC，即，dG＝dC。术语“基本上对应”可理解为由辊的曲率对dG和dC之间的差异的影响可被忽略，因为辊的直径D远大于在圆周方向上的相邻气体供应狭缝之间的距离dG以及相邻气体出口之间的距离dC，即，D>>dC且D>>dG。因此，确切地说，相邻气体出口105的中心轴线之间的角度可与相邻气体供应狭缝103的中心轴线之间的角度相同。如图1B所示例性地显示，通常在圆周方向上的气体出口105的数量对应于气体供应狭缝103的数量。替代地，在圆周方向上的气体出口的数量可以是气体供应狭缝的数量的任何整数倍。
因此，有利地，通过改变多个气体出口的密度，可改变提供到每面积的柔性基板的气流。特别地，通过增加多个气体出口的密度，可增加提供到每面积的柔性基板的气流。因此，通过增加气流，可增加柔性基板上的气压。因此，通过选择多个气体出口的密度分布，可调整每面积的气流和柔性基板上的气压。
如图2A所示例性地显示，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，套筒104中提供的多个气体出口105的密度朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B的至少一者增加。特别是，多个气体出口105的密度可朝向第一轴向端100A和第二轴向端100B的至少一者逐渐增加。通常，多个气体出口105的密度朝向辊100的两个轴向端(即，第一轴向端100A和第二轴向端100B)增加。更具体地，套筒104中提供的多个气体出口105的密度可朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B对称地增加，特别是相对于第一轴向端100A和第二轴向端100B之间的轴向中间部。朝向辊的轴向端增加多个气体出口的密度可有利于降低或甚至避免朝向基板边缘的压降。因此，可改善基板冷却效率。此外，可改善基板冷却均匀性。
尽管未明确显示，但应理解，多个气体出口105的密度也可朝辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B的至少一个降低。
示例性参照图2B，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，多个气体出口105至少包括气体出口105的第一子群组105A和气体出口105的第二子群组105B。气体出口105的第一子群组105A具有第一密度。气体出口105的第二子群组105B具有与第一密度不同的第二密度。特别地，第二密度高于第一密度。此外，如图2B所示例性地显示，气体出口105的第二子群组105B可设置在套筒104的一个或两个轴向端部104E处。例如，如图2B所示例性地显示，第二子群组105B的在轴向方向上的相邻气体出口之间的第二距离dA2可小于第一子群组105A的在轴向方向上的相邻气体出口之间的第一距离dA1。
示例性参照图2C，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，多个气体出口105进一步包括气体出口105的第三子群组105C。气体出口105的第三子群组105C具有与第一密度和第二密度不同的第三密度。特别地，第三密度可低于第一密度和第二密度。通常，气体出口105的第三子群组105C设置在套筒104的位于轴向端部104E之间的中间部分104M中。例如，如图2C所示例性地显示，第三子群组105C的在轴向方向上的相邻气体出口之间的第三距离dA3可大于第一子群组105A的在轴向方向上的相邻气体出口之间的第一距离dA1且大于第二子群组105B的在轴向方向上的相邻气体出口之间的第二距离dA2。
尽管未明确显示，但从图2A至图2C中所示的示例性实施方式可理解，可提供各种气体出口密度的进一步的子群组。
示例性参照图3A，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，多个气体出口105的出口直径朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B的至少一者改变。通常，多个气体出口105的出口直径朝向辊100的两个轴向端(，即第一轴向端100A和第二轴向端100B)改变。更具体地，设置在套筒104中的多个气体出口105的出口直径可朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B对称地变化，特别是相对于第一轴向端100A和第二轴向端100B之间的轴向中间部。
因此，有利地，通过改变多个气体出口的出口直径，可改变提供到每面积的柔性基板的气流。特别地，通过增加多个气体出口的出口直径，可增加提供到每面积的柔性基板的气流。因此，通过增加气流，可增加柔性基板上的气压。因此，通过选择多个气体出口的出口直径分布，可调整每面积的气流和柔性基板上的气压。
根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，多个气体出口105的出口直径朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B的至少一者增加。特别地，多个气体出口105的出口直径可朝向第一轴向端100A和第二轴向端100B的至少一者逐渐增加。通常，多个气体出口105的出口直径朝向辊100的两个轴向端(即，第一轴向端100A和第二轴向端100B)增加。更具体地，设置在套筒104中的多个气体出口105的出口直径可朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B对称地增加，特别是相对于第一轴向端100A和第二轴向端100B之间的轴向中间部。朝向辊的轴向端增加多个气体出口的出口直径可有利于降低或甚至避免朝基板边缘的压降。因此，可改善基板冷却效率。此外，可改善基板冷却均匀性。
尽管未明确显示，但应当理解，多个气体出口105的出口直径也可朝向辊100的第一轴向端100A和第二轴向端100B的至少一者降低。
示例性参照图3B，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，多个气体出口105包括至少气体出口105的第四子群组105D和气体出口105的第五子群组105E。气体出口105的第四子群组105D具有第一出口直径。气体出口105的第五子群组105E具有与第一出口直径不同的第二出口直径。特别地，第二出口直径大于第一出口直径。通常，气体出口105的第五子群组105E设置在套筒104的一个或两个轴向端部分104E处。
示例参照图3C，根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，多个气体出口105进一步包括气体出口105的第六子群组105F。气体出口105的第六子群组105F具有与第一出口直径和第二出口直径不同的第三出口直径。特别地，第三出口直径可小于气体出口105的第四子群组105D的第一出口直径。此外，第三出口直径可小于气体出口105的第五子群组105E的第二出口直径。通常，气体出口105的第六子群组105F设置在套筒104的轴向端部104E之间的中间部分中。
尽管未明确显示，但从图3A至图3C中所示的示例性实施方式可理解，可提供各种气体出口直径的进一步的子群组。
示例性参照图4，描述了根据本公开内容的真空处理设备200。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，真空处理设备200包括处理腔室220，处理腔室220包括多个处理单元221。多个处理单元221包括至少一个沉积单元。此外，真空处理设备200包括根据本文所述的任何实施方式的用于引导柔性基板通过多个处理单元221的辊100。如图4示意性地显示，辊100连接到气体供应器225。通常，气体供应器225被配置为向辊100提供冷却气体，使得冷却气体可通过本文所述的多个气体出口105提供到柔性基板。
如图4示意性地显示，通常，真空处理设备200是辊对辊处理系统。根据本文所述的任何实施方式的辊100可以是真空处理设备的处理滚筒或涂布滚筒。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，真空处理设备200包括第一卷轴腔室210，其容纳用于提供柔性基板10的储存卷轴212。
此外，真空处理设备200包括布置在第一卷轴腔室210的下游的处理腔室220。通常，处理腔室220是真空腔室，并包括多个处理单元221。多个处理单元221包括至少一个沉积单元。因此，在本公开内容中，可将“处理腔室”理解为具有至少一个用于将材料沉积在基板上的沉积单元的腔室。因此，处理腔室也可称为沉积腔室。本文所使用的术语“真空”可理解具有小于(例如)10mbar的真空压力的技术真空的意义。通常，如本文所述的真空腔室中的压力可在10-5mbar和约10-8mbar之间，更通常在10-5mbar和10-7mbar之间，且甚至更通常在约10-6mbar和10-7mbar之间。
如图4示意性地显示，多个处理单元可周围辊100布置在圆周方向上。当辊100旋转时，柔性基板10被引导通过面向辊的弯曲的基板支撑表面的处理单元，使得柔性基板的表面可被处理，同时以预定速度移动通过处理单元。例如，多个处理单元可包括从由以下项所组成的群组中选择的一个或多个单元：沉积单元、蚀刻单元和加热单元。如本文所述的真空处理设备的沉积单元可以是溅射沉积单元，如AC(交流)溅射源或DC(直流)溅射源、RF(射频)溅射源、MF(中频)溅射源、脉冲溅射源、脉冲DC溅射源、磁控管溅射源、反应性溅射源、CVD沉积单元、PECVD沉积单元、PVD沉积单元或另一个合适的沉积单元。可理解的是，本文所述的沉积单元通常适于将薄膜沉积在柔性基板上，例如，以形成柔性显示装置、触摸屏器件部件或其他电子或光学装置。本文所述的沉积单元可被配置为用于沉积从导电材料、半导体材料、介电材料或绝缘材料的群组中选择的至少一种材料。
此外，如图4所示例性地显示，真空处理设备200可包括布置在处理腔室220下游的第二卷轴腔室250。第二卷轴腔室250容纳有用于在处理后将柔性基板10卷绕于上的卷绕卷轴252。
示例性参照图5所示的框图，描述了制造根据本公开内容的用于引导柔性基板的辊的方法300。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，方法包括通过使用激光钻孔生产(由图5中的框310表示)具有多个气体出口105的套筒104。激光钻孔也可称为激光射击。此外，方法包括设置(由图5中的框320表示)周向地围绕辊100的主体101并与辊100的主体101接触的套筒104，辊100的主体101在主体101的外表面中设置有多个气体供应狭缝103，使得多个气体出口105布置在多个气体供应狭缝103的上方。
示例性参照图6所示的框图，描述了根据本公开内容的处理柔性基板的方法400。根据可与本文所述的任何其他实施方式结合的实施方式，方法包括通过使用根据本文所述的任何实施方式的用于传输柔性基板10的辊100来引导(由图6中的框410表示)柔性基板10通过一个或多个处理单元221。此外，方法包括通过辊100的多个气体出口105向柔性基板提供气体来控制(由图6中的框420表示)柔性基板10的温度。
鉴于本文所述的实施方式，应理解，根据本公开内容的方面，可提供制造经涂布的柔性基板的方法。方法包括使用根据本文所述的任何实施方式的辊100、根据本文所述的任何实施方式的真空处理设备200及根据本文所述的任何实施方式的处理柔性基板的方法的至少一者。
鉴于上述内容，应当理解，与现有技术相比，本文所述的实施方式提供了改善的柔性基板传输、基板处理期间的柔性基板的改善的冷却，使得可获得更好地处理结果，例如更高的涂布品质。
虽然上述内容涉及实施方式，但可在不背离基本范围的情况下设计其他和进一步的实施方式，并且范围由随附的权利要求书确定。

Claims (16)

1.一种用于传输柔性基板(10)的辊(100)，包含：
主体(101)，所述主体(101)具有提供在所述主体(101)的外表面(102)中的多个气体供应狭缝(103)，所述多个气体供应狭缝(103)在所述辊(100)的中心旋转轴线(111)的方向上延伸；及
套筒(104)，所述套筒(104)被设置为周向地围绕所述主体(101)并与所述主体(101)接触，所述套筒(104)具有多个气体出口(105)，所述多个气体出口(105)在径向方向(R)上延伸并被设置在所述多个气体供应狭缝(103)的上方。
2.根据权利要求1所述的辊(100)，其中所述多个气体出口(105)的密度朝向所述辊(100)的第一轴向端(100A)和第二轴向端(100B)的至少一者变化。
3.根据权利要求1或2所述的辊(100)，其中所述多个气体出口(105)的所述密度朝向所述辊(100)的第一轴向端(100A)和第二个轴向端(100B)的至少一者增加，特别是逐渐地增加。
4.根据权利要求1-3任一项所述的辊(100)，其中所述多个气体出口(105)至少包含具有第一密度的气体出口(105)的第一子群组(105A)和具有与所述第一密度不同的第二密度的气体出口(105)的第二子群组(105B)。
5.根据权利要求4所述的辊(100)，其中所述第二密度高于所述第一密度，且其中气体出口(105)的所述第二子群组(105B)设置在所述套筒(104)的一个或两个轴向端部(104E)处。
6.根据权利要求4或5所述的辊(100)，其中所述多个气体出口(105)进一步包含具有与所述第一密度和所述第二密度不同的第三密度的气体出口(105)的第三子群组(105C)，特别是所述第三密度低于所述第一密度和所述第二密度，且气体出口(105)的所述第三子群组(105C)设置在所述套筒(104)的轴向端部之间的中间部分中。
7.根据权利要求1-6任一项所述的辊(100)，其中所述多个气体出口(105)的出口直径朝向所述辊(100)的第一轴向端(100A)和第二轴向端(100B)的至少一者变化。
8.根据权利要求1-7任一项所述的辊(100)，其中所述多个气体出口(105)的出口直径朝向所述辊(100)的第一轴向端(100A)和第二轴向端(100B)的至少一者增加，特别是逐渐地增加。
9.根据权利要求1-8任一项所述的辊(100)，其中所述多个气体出口(105)至少包含具有第一出口直径的气体出口(105)的第四子群组(105D)和具有与所述第一出口直径不同的第二出口直径的气体出口(105)的第五子群组(105E)。
10.根据权利要求9所述的辊(100)，其中所述第二出口直径大于所述第一出口直径，且其中气体出口(105)的所述第五子群组(105E)设置在所述套筒(104)的一个或两个轴向端部处。
11.根据权利要求9或10所述的辊(100)，其中所述多个气体出口(105)进一步包含具有与所述第一出口直径和所述第二出口直径不同的第三出口直径的气体出口(105)的第六子群组(105F)，特别是所述第三出口直径小于所述第一出口直径和所述第二出口直径，且气体出口(105)的所述第六子群组(105F)设置在所述套筒(104)的轴向端部之间的中间部分中。
12.根据权利要求1-11任一项所述辊(100)，其中所述主体(101)是由包含铜的材料制成的圆柱体，且其中所述套筒由金属片(104)制成。
13.一种用于处理柔性基板(10)的真空处理设备(200)，包含：
处理腔室(220)，所述处理腔室(220)包含具有至少一个沉积单元的多个处理单元(221)；
及根据权利要求1-12任一项所述的辊(100)，用于引导所述柔性基板通过所述多个处理单元(221)，所述辊(100)连接到气体供应器(225)。
14.一种制造用于引导柔性基板(10)的辊(100)的方法(300)，包含以下步骤：
通过使用激光钻孔来生产(310)具有多个气体出口(105)的套筒(104)；及
提供(320)周向地围绕所述辊(100)的主体(101)并与所述辊(100)的所述主体(101)接触的所述套筒(104)，所述辊(100)具有设置在所述主体(101)的外表面中的多个气体供应狭缝(103)，使得所述多个气体出口(105)布置在所述多个气体供应狭缝(103)的上方。
15.一种处理柔性基板(10)的方法(400)，包含以下步骤：
通过使用根据权利要求1-12任一项所述的用于传输所述柔性基板(10)的辊(100)来引导(410)所述柔性基板(10)通过一个或多个处理单元(221)；及
通过所述辊(100)的所述多个气体出口(105)向所述柔性基板提供气体来控制所述柔性基板(10)的温度。
16.一种制造经涂布的柔性基板的方法，包含以下步骤：使用根据权利要求1-12任一项所述的辊(100)、根据权利要求13所述的真空处理设备(200)及根据权利要求15所述的处理柔性基板的方法(400)的至少一者。
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