CN117293242A - 一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种深紫外发光二极管封装器件，包括基板、安装于基板上的反射模块和安装于基板上的深紫外发光二极管芯片，基板与反射模块形成一向上的开口，深紫外发光二极管芯片位于开口内，其中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于深紫外发光二极管芯片表面上的增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板、反射模块以及深紫外发光二极管芯片，增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率；本发明使深紫外发光二极管芯片发射的光线直接经过增透钝化层透射至外部，能够在一定程度上避免在深紫外发光二极管芯片‑空气界面发生全反射的同时，增大了出射光的出光角度，更进一步提高了深紫外发光二极管封装器件的发光功率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法。
背景技术
深紫外发光二极管因其高效、环保、节能、可靠等优势，在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值，这些优势是普通的紫外发光二极管所无法比拟的。
众所周知，紫外光在空气中的传播距离短，容易被其他材料所吸收，因此，在深紫外发光二极管芯片的封装中，应避免不当的封装材料或封装结构对紫外光线的遮挡和吸收。然而，现有的深紫外发光二极管封装器件的封装方式具有以下几种：第一种是采用无机封装方式或半无机封装方式进行封装，然而这类封装方式的体积偏大、散热慢、成本高；第二种是采用有机封装方式进行封装，然而这类封装方式中的有机封装材料会被深紫外光老化而不适用；第三种是采用石英玻璃等透镜材料进行封装，然而这类封装方式会导致深紫外发光二极管封装器件的光损过大。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法，用于改善现有技术的深紫外发光二极管封装器件的封装效果较差的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种深紫外发光二极管封装器件，包括基板、安装于基板上的反射模块和安装于基板上的深紫外发光二极管芯片，基板与反射模块形成一向上的开口，深紫外发光二极管芯片位于开口内；
其中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于深紫外发光二极管芯片表面上的增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板、反射模块以及深紫外发光二极管芯片，增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率。
优选地，基板的材料选自Si、Al2O3以及AlN中的一种或多种；增透钝化层的材料选自SiO2以及Al2O2中的一种或多种。
优选地，增透钝化层的厚度大于10nm。
优选地，反射模块围绕深紫外发光二极管芯片设置，反射模块的高度均大于或者等于深紫外发光二极管芯片的厚度；反射模块的材料包括铝、银以及铝银合金中的任意一种。
优选地，反射模块靠近深紫外发光二极管芯片一侧的环绕斜面与基板间的夹角均大于0且小于90°。
优选地，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于基板表面的第一焊盘以及第二焊盘，第二焊盘与第一焊盘间隔设置；
其中，第一焊盘与深紫外发光二极管芯片中的第一电极电连接，第二焊盘与深紫外发光二极管芯片中的第二电极电连接。
优选地，第一焊盘包括第一非重叠部，第一非重叠部在基板上的正投影与深紫外发光二极管在基板上的正投影不重合；第二焊盘包括第二非重叠部，第二非重叠部在基板上的正投影与深紫外发光二极管在基板上的正投影不重合；
其中，增透钝化层完全覆盖第一非重叠部以及第二非重叠部。
优选地，基板内至少开设有第一通孔以及第二通孔，第一通孔以及第二通孔完全贯穿基板，第一通孔内填充有第一导电层，第二通孔内填充有第二导电层；
其中，基板远离深紫外发光二极管芯片的一侧表面分别安装有间隔设置的第一引脚以及第二引脚，第一焊盘通过第一导电层与第一引脚电连接，第二焊盘通过第二导电层与第二引脚电连接。
相应地，本发明还提供一种深紫外发光二极管封装器件的制备方法，方法包括：
S10，在一基板上开设间隔设置的第一通孔和第二通孔，第一通孔和第二通孔的位置分别与基板上的待焊接位置相对应；
S20，在基板上形成间隔设置的第一焊盘以及第二焊盘，并在第一通孔内填充第一导电层，以及在第二通孔内填充第二导电层，其中，第一焊盘与第一导电层相接触，第二焊盘与第二导电层相接触；
S30，将一深紫外发光二极管芯片的第一电极固定于第一焊盘上，以及将深紫外发光二极管芯片的第二电极固定于第二焊盘上；
S40，在基板上形成一反射模块，反射模块围绕深紫外发光二极管芯片设置，且反射模块靠近深紫外发光二极管芯片一侧的环绕斜面与基板间的夹角均大于0且小于90°；
S50，在深紫外发光二极管芯片的表面形成增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板、反射模块以及深紫外发光二极管芯片，且增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率；
S60，在基板远离深紫外发光二极管芯片一侧的下表面形成间隔设置的第一引脚以及第二引脚，第一引脚与第一导电层电连接，第二引脚与第二导电层电连接。
优选地，S30步骤中，深紫外发光二极管芯片为倒装型芯片，深紫外发光二极管芯片发射波长范围为200nm～350nm。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供了一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法，深紫外发光二极管封装器件包括基板、安装于基板上的反射模块和安装于基板上的深紫外发光二极管芯片，基板与反射模块形成一向上的开口，深紫外发光二极管芯片位于开口内，其中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于深紫外发光二极管芯片表面上的增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板、反射模块以及深紫外发光二极管芯片，增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率；本发明提供的深紫外发光二极管封装器件通过在基板、反射模块以及深紫外发光二极管芯片的表面上覆盖一层增透钝化层，且增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率，从而使得深紫外发光二极管芯片发射的光线直接经过增透钝化层透射至外部，进而在一定程度上避免在深紫外发光二极管芯片-空气界面发生全反射的同时，增大了出射光的出光角度，更进一步提高了深紫外发光二极管封装器件的发光功率。
附图说明
图1A是本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的截面结构示意图；
图1B是本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的正面示意图；
图1C是本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的背面示意图；
图2是本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的制备方法流程图；
图3A-图3F为本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的制备方法的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1A至图1C，图1A是本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的截面结构示意图；图1B是本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的正面示意图；图1C是本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的背面示意图；上述深紫外发光二极管封装器件包括基板100、安装于基板100上的反射模块500和安装于基板100上的深紫外发光二极管芯片400，基板100与反射模块500形成一向上的开口，深紫外发光二极管芯片400位于开口内；
其中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于深紫外发光二极管芯片400表面上的增透钝化层600，增透钝化层600完全覆盖基板100、反射模块以及深紫外发光二极管芯片400，增透钝化层600的折射率小于深紫外发光二极管芯片400中衬底材料的折射率。
在本发明实施例中，基板100的材料包括但不限于Si，Al2O3，AlN等无机非金属材料，优选为直径1英寸以上的圆片。
在本发明实施例中，基板100内至少开设有第一通孔101以及第二通孔102，第一通孔101以及第二通孔102完全贯穿基板100，第一通孔101内填充有第一导电层201，第二通孔102内填充有第二导电层202；
其中，基板100远离深紫外发光二极管芯片400的一侧表面分别安装有间隔设置的第一引脚701以及第二引脚702，第一焊盘301通过第一导电层201与第一引脚701电连接，第二焊盘302通过第二导电层202与第二引脚702电连接。
具体地，基板100内还可以开设2组孔洞，每一组孔洞可以包括多个通孔，2组孔洞分别用于基板100的上下层导通。
具体地，第一引脚701以及第二引脚702的材料为金以及金铬合金中的一种或者多种；第一引脚701以及第二引脚702用于使深紫外发光二极管封装器件与外部电路电连接。
在本发明实施例中，反射模块500环绕深紫外发光二极管芯片400一周设置，反射模块500的高度均大于或者等于深紫外发光二极管芯片400的厚度；反射模块500要对深紫外光波具有一定的反射能力，因此反射模块500的材料优先为铝。
具体地，反射模块500靠近深紫外发光二极管芯片400一侧的侧面为环绕斜面，环绕斜面与基板100间的夹角均大于0且小于90°；这样设置是为了使整个反射模块500与基板100形成向上打开的开口，通过环绕斜面反射调节深紫外发光二极管芯片400发出的光线，使深紫外发光二极管芯片400发出的光线形成近似平行光射出，以减少光线在反射模块500的内部损耗，进而提升出光效率。
在本发明实施例中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于基板100表面的第一焊盘301以及第二焊盘302，第二焊盘302与第一焊盘301间隔设置；
其中，第一焊盘301与深紫外发光二极管芯片400中的第一电极电连接，第二焊盘302与深紫外发光二极管芯片400中的第二电极电连接。
具体地，第一焊盘301以及第二焊盘302的材料包括金、金铬合金、金铅铬合金以及金铬钛合金中的一种或者多种；第一导电层201与第一焊盘301的材料可以相同，也可以不同；第二导电层202与第二焊盘302的材料可以相同，也可以不同；优选地，第一焊盘301以及第二焊盘302的材料为多层金属膜，最外层优选为Au。
在本发明实施例中，深紫外发光二极管芯片400为倒装型芯片，深紫外发光二极管芯片400发射波长范围为200nm～350nm。在本发明实施例中，第一电极以及第二电极的厚度范围在0.5μm至10μm之间。
在本发明实施例中，第一电极以及第二电极的厚度范围在0.5μm至10μm之间。
在本发明实施例中，第一焊盘301包括第一非重叠部，第一非重叠部在基板100上的正投影与深紫外发光二极管在基板100上的正投影不重合；第二焊盘302包括第二非重叠部，第二非重叠部在基板100上的正投影与深紫外发光二极管在基板100上的正投影不重合；
其中，增透钝化层600完全覆盖第一非重叠部以及第二非重叠部。
具体地，增透钝化层600完全覆盖反射模块500以及其内包围的深紫外发光二极管芯片400等结构的表面。增透钝化层600可选择能较能透过深紫外光波的材料，且其折射率应小于深紫外发光二极管芯片400中衬底材料的折射率。
众所周知的，当光由光密介质射向光疏介质时，折射角将大于入射角。当入射角增大到某一数值时(临界角)，折射角将达到90°，这时大于该临界角之出射光线将被完全反射回材料内部无法射出。根据计算临界角公式：C＝arcsin(n2/n1)；(C为临界角，n2为光疏介质折射率，n1为光密介质折射率)可知，当n2为定值时，n1越大则临界角越小，反之越大。
在本发明实施例中，由于增透钝化层600的折射率小于深紫外发光二极管芯片400中衬底材料的折射率，相比深紫外发光二极管芯片400-空气的界面增大了深紫外发光二极管芯片400中发射光线的折射角，进而在一定程度上减少了全反射现象的发生，有利于更多的光被取出。
进一步地，增透钝化层600选用的材料需要具备一定的化学惰性和机械强度，增透钝化层600的材料选自SiO2以及Al2O2中的一种或多种。
进一步地，增透钝化层600的厚度需大于10nm；这样设置一方面能进一步提升取取光效率，另一方面，能对整个封装器件提供化学和机械保护效果，从而可以无需使用石英透镜封装深紫外发光二极管芯片400，以避免石英透镜与深紫外发光二极管芯片400由于存在空气而光损过大。
在本发明实施例中，深紫外发光二极管封装器件包括多个周期结构(图1仅为深紫外发光二极管封装器件的一个周期结构)，上述深紫外发光二极管封装器件的制备方法可以通过如图3A-图3F所示的步骤来实现，其中图3A-图3F为本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的制备方法的工艺流程图：
请参阅图2，图2是本发明实施例所提供的深紫外发光二极管封装器件的制备方法流程图，上述深紫外发光二极管封装器件的制备方法的具体步骤如下：
S10，在一基板100上开设间隔设置的第一通孔101和第二通孔102，第一通孔101和第二通孔102的位置分别与基板100上的待焊接位置相对应。
具体地，S10还包括：
根据深紫外发光二极管封装器件的尺寸设计，使用激光器在一基板100上钻出第一通孔101以及第二通孔102，第一通孔101的位置与深紫外发光二极管芯片400的第一焊盘301位置对应，第二通孔102的位置与深紫外发光二极管芯片400的第二焊盘302位置对应；其中，基板100选用直径为1英寸的硅圆片，如图3A所示。
S20，在基板100上形成间隔设置的第一焊盘301以及第二焊盘302，并在第一通孔101内填充第一导电层201，以及在第二通孔102内填充第二导电层202，其中，第一焊盘301与第一导电层201相接触，第二焊盘302与第二导电层202相接触；
具体地，S20还包括：
S20，首先在基板100的上表面(固定深紫外发光二极管芯片400的一面)上实施光刻工艺，使焊盘金属以外的区域覆盖光刻胶；之后在基板100上沉积焊接金属，让一部分焊接金属分别附着在第一通孔101以及第二通孔102内壁，形成第一导电层201以及第二导电层202，以保证基板100的上下层联通；之后再通过剥离等手段去除光刻胶上多余的焊接金属，保留一部分焊接金属以形成间隔设置的第一焊盘301以及第二焊盘302；最后再去除残留光刻胶，如图3B所示。
S30，将一深紫外发光二极管芯片400的第一电极固定于第一焊盘301上，以及将深紫外发光二极管芯片400的第二电极固定于第二焊盘302上。具体地，S30还包括：
S30，通过固晶机将倒装结构的深紫外发光二极管芯片400上的第一电极固定到第一焊盘301上，以及将深紫外发光二极管芯片400上的第二电极固定到第二焊盘302上；通过共晶焊或其他焊接工艺将深紫外发光二极管芯片400固定牢靠，如图3C所示。
S40，在基板100上形成一反射模块500，反射模块500围绕深紫外发光二极管芯片400设置，且反射模块500靠近深紫外发光二极管芯片400一侧的环绕斜面与基板100间的夹角均大于0且小于90°；
具体地，S40还包括：S40，首先通过光刻工艺在基板100上表面上反射模块500的安装位置上制作光刻胶，通过金属沉积工艺在对应安装位置沉积反射金属；之后再通过剥离等手段去除光刻胶上的多余的反射金属，剩余反射金属形成反射模块500；最后再去除残留光刻胶，如图3D所示；其中，在反射模块500所需厚度极大的情况下，可以通过反复光刻-沉积-剥离的手段多次堆叠反射金属，以达到所需的厚度。
S50，在深紫外发光二极管芯片的表面形成增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板、反射模块以及深紫外发光二极管芯片，且增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率。
具体地，S50还包括：S50，通过化学沉积等工艺在基板100上表面制作一定厚度的增透钝化层600，增透钝化层600完全覆盖基板100、反射模块500以及深紫外发光二极管芯片400，增透钝化层600的折射率小于深紫外发光二极管芯片400中衬底材料的折射率，如图3E所示；优选的，增透钝化层600可采用SiO2等材料，其厚度根据增透原理以及钝化需要来选择，通常大于10nm。
S60，在基板100远离深紫外发光二极管芯片400一侧的下表面形成间隔设置的第一引脚701以及第二引脚702，第一引脚701与第一导电层201电连接，第二引脚702与第二导电层202电连接。
具体地，S60还包括：S60，通过光刻工艺在基板100下表面上引脚对应安装位置涂布光刻胶，通过金属沉积工艺在引脚对应安装位置沉积引脚金属，再通过剥离等手段去除光刻胶上的引脚金属，剩余的引脚金属形成间隔设置的第一引脚701以及第二引脚702；最后再去除残留光刻胶，如图3F所示。
进一步地，通过切割工艺将硅圆片切割为如图1所示的周期个体，即为最终成品的深紫外发光二极管封装器件，如图1所示。
现有的深紫外发光二极管封装器件有如下几个特性：a、它的出光中，TM模式的出射光占比远高于可见光的发光二极管，简言之，侧面出光更多；b、由于深紫外波段光具有很强的能量，可见光中常用的有机封装材料会被深紫外光老化而不适用，采用石英玻璃等透镜材料封装则光损过大；c、其采用无机封装或半无机封装方式，体积偏大，散热慢，成本高。
本发明针对深紫外发光二极管封装器件的上述特性，提出了一种适用于倒装结构的深紫外发光二极管芯片400的封装结构，同时改善出光方向，增加光透过率，减少深紫外发光二极管封装器件的体积，减少散热，并进一步降低深紫外发光二极管封装器件的封装成本。
本发明相较于传统的深紫外发光二极管封装器件，通过增透钝化层600解决了石英透镜的光损问题，并通过增透钝化层600的透光效果获得更高的光透过率；同时通过反射模块500将深紫外发光二极管的TM模式的出射光反射到正面，进一步避免了光损。
进一步地，本发明的深紫外发光二极管封装器件通过将增透钝化层600设置于所述深紫外发光二极管芯片400的上表面，且增透钝化层600完全覆盖基板100、反射模块500以及深紫外发光二极管芯片400，从而能通过芯片级的加工(每个深紫外发光二极管芯片400上均对应设置有增透钝化层600)获得紧凑的封装器件结构，而不是一个简单的常规工艺的封装器件结构；且深紫外发光二极管芯片400直接与增透钝化层600相接触，减少了深紫外发光二极管芯片400的体积，降低了成本。
综上，区别于现有技术的情况，本发明提供了一种深紫外发光二极管封装器件，包括基板100、安装于基板100上的反射模块500和安装于基板100上的深紫外发光二极管芯片400，基板100与反射模块500形成一向上的开口，深紫外发光二极管芯片400位于开口内，其中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于深紫外发光二极管芯片400表面上的增透钝化层600，增透钝化层600完全覆盖基板100、反射模块500以及深紫外发光二极管芯片400，增透钝化层600的折射率小于深紫外发光二极管芯片400中衬底材料的折射率；本发明提供的深紫外发光二极管封装器件通过在基板100、反射模块500以及深紫外发光二极管芯片400的表面上覆盖一层增透钝化层600，且增透钝化层600的折射率小于深紫外发光二极管芯片400中衬底材料的折射率，从而使得深紫外发光二极管芯片400发射的光线直接经过增透钝化层600透射至外部，进而在一定程度上避免在深紫外发光二极管芯片400-空气界面发生全反射的同时，增大了出射光的出光角度，更进一步提高了深紫外发光二极管封装器件的发光功率。
需要说明的是，以上各实施例均属于同一发明构思，各实施例的描述各有侧重，在个别实施例中描述未详尽之处，可参考其他实施例中的描述。
以上实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，包括基板、安装于所述基板上的反射模块和安装于所述基板上的深紫外发光二极管芯片，所述基板与所述反射模块形成一向上的开口，所述深紫外发光二极管芯片位于所述开口内；
其中，所述深紫外发光二极管封装器件还包括设置于所述深紫外发光二极管芯片表面上的增透钝化层，所述增透钝化层完全覆盖所述基板、所述反射模块以及所述深紫外发光二极管芯片，所述增透钝化层的折射率小于所述深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率。
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述基板的材料选自Si、Al2O3以及AlN中的一种或多种；所述增透钝化层的材料选自SiO2以及Al2O2中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述增透钝化层的厚度大于10nm。
4.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述反射模块围绕所述深紫外发光二极管芯片设置，所述反射模块的高度均大于或者等于所述深紫外发光二极管芯片的厚度；所述反射模块的材料包括铝、银以及铝银合金中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述反射模块靠近所述深紫外发光二极管芯片一侧的环绕斜面与所述基板间的夹角均大于0且小于90°。
6.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述深紫外发光二极管封装器件还包括设置于所述基板表面的第一焊盘以及第二焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘间隔设置；
其中，所述第一焊盘与所述深紫外发光二极管芯片中的第一电极电连接，所述第二焊盘与所述深紫外发光二极管芯片中的第二电极电连接。
7.根据权利要求6所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述第一焊盘包括第一非重叠部，所述第一非重叠部在所述基板上的正投影与所述深紫外发光二极管在所述基板上的正投影不重合；所述第二焊盘包括第二非重叠部，所述第二非重叠部在所述基板上的正投影与所述深紫外发光二极管在所述基板上的正投影不重合；
其中，所述增透钝化层完全覆盖所述第一非重叠部以及所述第二非重叠部。
8.根据权利要求6所述的深紫外发光二极管封装器件，其特征在于，所述基板内至少开设有第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔以及所述第二通孔完全贯穿所述基板，所述第一通孔内填充有第一导电层，所述第二通孔内填充有第二导电层；
其中，所述基板远离所述深紫外发光二极管芯片的一侧表面分别安装有间隔设置的第一引脚以及第二引脚，所述第一焊盘通过所述第一导电层与所述第一引脚电连接，所述第二焊盘通过所述第二导电层与所述第二引脚电连接。
9.一种深紫外发光二极管封装器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，在一基板上开设间隔设置的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的位置分别与所述基板上的待焊接位置相对应；
S20，在所述基板上形成间隔设置的第一焊盘以及第二焊盘，并在所述第一通孔内填充第一导电层，以及在所述第二通孔内填充第二导电层，其中，所述第一焊盘与所述第一导电层相接触，所述第二焊盘与所述第二导电层相接触；
S30，将一深紫外发光二极管芯片的第一电极固定于所述第一焊盘上，以及将深紫外发光二极管芯片的第二电极固定于所述第二焊盘上；
S40，在所述基板上形成一反射模块，所述反射模块围绕所述深紫外发光二极管芯片设置，且所述反射模块靠近所述深紫外发光二极管芯片一侧的环绕斜面与所述基板间的夹角均大于0且小于90°；
S50，在所述深紫外发光二极管芯片的表面形成增透钝化层，所述增透钝化层完全覆盖所述基板、所述反射模块以及所述深紫外发光二极管芯片，且所述增透钝化层的折射率小于所述深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率；
S60，在所述基板远离所述深紫外发光二极管芯片一侧的下表面形成间隔设置的第一引脚以及第二引脚，所述第一引脚与所述第一导电层电连接，所述第二引脚与所述第二导电层电连接。
10.根据权利要求9所述的深紫外发光二极管封装器件的制备方法，其特征在于，所述S30步骤中，所述深紫外发光二极管芯片为倒装型芯片，所述深紫外发光二极管芯片发射波长范围为200nm～350nm。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202311147362.9A CN117293242A (zh) | 2023-09-06 | 2023-09-06 | 一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法 |
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