CN117293237A - 用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法及系统，通过将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板，再确定电磁干扰量化序列，根据电磁干扰量化序列进行预测，确定芯片阵列基板的临界工作频率，当临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值，根据电磁干扰特征值和临界工作频率，调节芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制，避免了发光二极管显示屏中电磁干扰强度过高，影响发光二极管显示屏的光照均匀度的问题。
Description
技术领域
本申请涉及发光二极管显示屏技术领域，并且更具体地，涉及一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法及系统，如终端设备、芯片、计算机存储介质等。
背景技术
发光二极管（Lighting-Emitting-Diode，LED）显示屏使用微小的红、绿、蓝（RGB）芯片作为像素的基本光源，每个RGB芯片都是一个独立的发光元件，使得发光二极管显示屏能够以非常精确的方式产生各种颜色和亮度级别，RGB芯片通常被排列成芯片阵列，并集成在驱动电路基板上，通过驱动电路，每个像素可以根据需要调整其RGB芯片的亮度，以呈现所需的颜色，并且通过控制大量像素，发光二极管显示屏可以显示文本、图像和视频等内容，并以高分辨率和高质量的方式呈现。
现有技术中，由于RGB芯片阵列在驱动电路基板中密集分布，密集接线形成了形成复杂的电流回路和环路，并且通常为达到较好的显示效果，LED驱动电路电源的工作频率往往较高（通常在几十千赫兹到数兆赫兹范围内），由于高频率电流和电压的快速变化产生高频谐波和电磁辐射，导致电磁干扰强度很大，严重影响了发光二极管显示屏的光照均匀度。
发明内容
本申请提供一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法及系统，以解决发光二极管显示屏中电磁干扰强度过高，影响发光二极管显示屏的光照均匀度的技术问题。
本申请采用如下技术方案解决上述技术问题：
第一方面，本申请提供一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法，该方法可以由网络设备执行，或者，也可以由配置于网络设备中的芯片执行，本申请对此不作限定。
具体的，该方法包括：
将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板；
调节所述芯片阵列基板的工作频率，采集所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，其中，采用脉冲宽度调制信号对所述芯片阵列基板进行供电，所述工作频率为所述脉冲宽度调制信号中脉冲的重复频率。
根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，其中，所述电磁干扰量化序列由不同工作频率分别对应的电磁干扰量化值组成，每一个电磁干扰量化值根据其工作频率对应的芯片阵列基板图像与芯片阵列基板红外图像之间的像素值离散度确定，进而根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率；
判断所述临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当所述临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将所述临界工作频率作为所述芯片阵列基板的工作频率值；
当所述临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对所述电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值；
根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由所述阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制。
结合第一方面，在第一方面的某些具体的实施例中，根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列具体包括：
对所述芯片阵列基板红外图像集合进行灰度化处理；
获取灰度化处理后的芯片阵列基板红外图像集合中的各个芯片阵列基板红外图像；
获取所述芯片阵列基板图像集合中的各个芯片阵列基板图像；
根据所述芯片阵列基板图像集合中的各个芯片阵列基板图像和灰度化处理后的芯片阵列基板红外图像集合中的各个芯片阵列基板红外图像，确定所述电磁干扰量化序列。
结合第一方面，在第一方面的某些具体的实施例中，根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列的过程中，所述电磁干扰量化序列中的电磁干扰量化值根据下式确定：
其中，为所述电磁干扰量化序列中的第k个电磁干扰量化值，/>为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的第i行第j列的像素点的灰度值，为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的第n行第m列的像素点的灰度值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的第i行第j列的像素点的灰度值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的第n行第m列的像素点的灰度值，/>为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的图像灰度均值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的图像灰度均值，A、B分别为图像中像素点的行数和列数。
结合第一方面，在第一方面的某些具体的实施例中，根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率具体包括：
对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线；
获取所述电磁干扰量化曲线的前序趋势，根据所述前序趋势和临界电磁干扰量化值进行前序预测，得到所述芯片阵列基板的临界工作频率。
结合第一方面，在第一方面的某些具体的实施例中，采用拉格朗日插值法对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线。
结合第一方面，在第一方面的某些具体的实施例中，采用拉格朗日插值法对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线具体包括：
获取所述电磁干扰量化序列中的各个电磁干扰量化值；
获取各个电磁干扰量化值分别对应的工作频率；
根据所述电磁干扰量化序列中的各个电磁干扰量化值、各个电磁干扰量化值分别对应的工作频率，对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线，其中，所述电磁干扰量化曲线根据下式确定：
其中，为电磁干扰量化曲线，i、j分别为求和、求积的中间变量，/>为所述电磁干扰量化序列中第j个电磁干扰量化值，/>为电磁干扰量化曲线的基函数，/>为电磁干扰量化曲线的工作频率自变量，/>为第j个电磁干扰量化值对应的工作频率，/>为第i个电磁干扰量化值对应的工作频率，/>为所述电磁干扰量化序列中的电磁干扰量化值数量。
结合第一方面，在第一方面的某些具体的实施例中，根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距具体包括：
获取所述电磁干扰特征值；
获取所述临界工作频率；
获取所述RGB芯片正反阵列的标准径向生长间距；
根据所述电磁干扰特征值、所述临界工作频率和所述RGB芯片正反阵列的标准径向生长间距，确定调节后所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距。
第二方面，本申请提供一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列系统，所述用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列系统包括：
芯片阵列模块，用于将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板；
图像采集模块，用于调节所述芯片阵列基板的工作频率，采集所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合；
临界工作频率确定模块，用于根据所述芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率；
阈值判断模块，用于判断所述临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当所述临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将所述临界工作频率作为所述芯片阵列基板的工作频率值；
电磁干扰特征值确定模块，用于当所述临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对所述电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值；
芯片间距控制模块，用于根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由所述阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制。
第三方面，本申请提供一种计算机终端设备，所述计算机终端设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有代码，所述处理器被配置为获取所述代码，并执行上述的用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法。
第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法所执行的操作。
本申请公开的实施例提供的技术方案具有以下有益效果：
本申请提供的一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法及系统中，首先将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板，由于相邻芯片的颜色通道不同，减少了电磁辐射的相互影响，调节芯片阵列基板的工作频率，通过变化工作频率，可以观察到不同频率下的电磁干扰强度变化，采集芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，根据芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，根据电磁干扰量化序列进行预测，确定芯片阵列基板的临界工作频率，该临界工作频率即为满足发光二极管显示屏的显示效果下的最优工作频率，判断临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将临界工作频率作为芯片阵列基板的工作频率值，当临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值，根据电磁干扰特征值和临界工作频率，调节芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制，从而避免了发光二极管显示屏中电磁干扰强度过高，影响发光二极管显示屏的光照均匀度的问题。
附图说明
图1是根据本申请一些实施例所示的一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法的示例性流程图；
图2是根据本申请一些实施例所示的电磁干扰量化序列的拟合曲线图；
图3是根据本申请一些实施例所示的一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列系统的示例性硬件和/或软件的示意图；
图4是本申请一些实施例所示的应用一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法的计算机终端设备的结构示意图。
具体实施方式
本申请通过将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板，调节芯片阵列基板的工作频率，采集芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，根据芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，根据电磁干扰量化序列进行预测，确定芯片阵列基板的临界工作频率，判断临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将临界工作频率作为芯片阵列基板的工作频率值，当临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值，根据电磁干扰特征值和临界工作频率，调节芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制，从而避免了发光二极管显示屏中电磁干扰强度过高，影响发光二极管显示屏的光照均匀度的问题。
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。参考图1，该图是根据本申请一些实施例所示的用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列的方法示例性流程图，该用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列的方法100主要包括如下步骤：
在步骤S101，将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板。
需要说明的是，RGB芯片阵列通常在发光二极管显示屏中实现显示、照明和指示等作用，RGB芯片阵列是一种由许多RGB芯片组成的排列或矩阵，RGB芯片是一种半导体光源，可以发出可见光，芯片阵列通过将多个RGB芯片排列，从而在在发光二极管显示屏的驱动电路基板上形成一个紧密排列的图案或矩阵，可以在各种应用中提供高亮度的照明或显示。
在一些实施例中，所述RGB芯片通过热熔接粘附在所述到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，并通过驱动电路基板上固定位置的钻孔实现供电；
需要说明的是，所述正反交替排列方式为，每个相邻的RGB芯片的正负极排列方式相反，例如，发光二极管显示屏的驱动电路基板中，第一RGB芯片的正极引脚与第二RGB芯片的正极引脚相邻，在所述第二RGB芯片的另一端，第二RGB芯片的负极引脚与第三RGB芯片的正极引脚相邻，后续的RGB芯片具有相同的正反交替排列方式，采用该种方式得到正反排列阵列，由于相邻的两个RGB芯片电极性相同的一侧相邻，因此对于相邻的两个RGB芯片可以采用同一钻孔进行供电，极大的降低了驱动电路基板上需要的钻孔数量，并且提高了驱动电路基板的散热效率，此外，由于相邻的两个RGB芯片可以采用同一钻孔进行供电，降低了接线复杂度，因此发光二极管显示屏工作过程中的电磁干扰也得到了相应的抑制，提高了发光二极管显示屏的光照均匀度。
在步骤S102，调节所述芯片阵列基板的工作频率，采集所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，其中，采用脉冲宽度调制信号对所述芯片阵列基板进行供电，所述工作频率为所述脉冲宽度调制信号中脉冲的重复频率。
可选的，在一些实施例中，通过微型相机垂直所述芯片阵列基板等间隔进行图像采集，从而获取所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合，通过与所述微型相机同位的红外相机等间隔进行红外图像采集，获取所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板红外图像集合，需要说明的，由于图像采集过程中所述芯片阵列基板的工作频率不断变化，因此所述芯片阵列基板图像集合中的各个芯片阵列基板图像的采集时刻具有唯一对应的工作频率，具体实现时，为便于后续图像特征耦合度序列的确定，所述芯片阵列基板图像集合与所述芯片阵列基板红外图像集合中的图像数量和图像的采集时刻一致。
可选的，在一些实施例中，调节所述芯片阵列基板的工作频率的过程中，可以根据预设频率区间，在所述频率区间内由小到大线性调节所述芯片阵列基板的工作频率，并在调节所述芯片阵列基板的工作频率的过程中，采集所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，具体实现时，采用开关电源中的脉冲宽度调制信号对RGB芯片进行供电，所述工作频率为调制信号中脉冲的重复频率，所述频率区间可以预设为五千赫兹~五万赫兹。
需要说明的是，尽管RGB芯片本身需要直流电源，但在实际的电源系统中，通常发光二极管显示屏通过开关电源进行供电，开关电源具有电压稳定、节能、频率可调等优点，可以将电能经过电源适配器转换为发光二极管所需的电流和电压，减少能量损失，有助于发光二极管显示屏长时间工作的节能，并且可以降低发光二极管显示屏的工作产热，相比与直流供电，采用开关电源的PWM调制信号进行供电，可以实现对RGB芯片的有效调光，例如，通过调整PWM信号的脉冲宽度，可以改变负载的RGB的平均电流，从而实现对不同RGB通道灯光的调光，达到不同的色度和亮度需求，形成更好的显示效果。
此外，还需要说明的是，由于LED阵列上的每个RGB通常包含三个独立的LED，分别对应红、绿和蓝三个颜色通道，每个颜色通道单独供电，通过调整每个通道的亮度，可以生成各种颜色，这种颜色混合的方式被称为加法混合，其中不同颜色的光叠加在一起，形成所需的颜色，因此LED阵列随预设的程序显示图像时，是通过改变不同颜色通道的电压值来实现的，即通过电压的变化控制LED的亮度和色度，通常使用脉冲宽度调制技术，通过快速的开关来调整LED的亮度不同通道的电压值快速切换，由于LED阵列在不同通道之间以高频率进行切换，产生了快速变化的电流，在开关电源的供电电路中引入高频噪声，导致电磁辐射，进而影响LED阵列基板发光时的光照均匀度，并且不同通道的电压高频率切换也会引起不同通道之间的供电导线发生电磁耦合，其中一个通道的电磁辐射可能影响到相邻通道，影响LED阵列基板发光时的光照均匀度，因此，需要对LED阵列基板工作中的电磁干扰程度进行量化，得到电磁干扰量化序列，进而根据电磁干扰量化序列对芯片阵列基板的径向生长间距进行调节，降低LED芯片阵列基板工作时的电磁干扰，提高LED芯片阵列基板的显示均匀度。
在步骤S103，根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，其中，所述电磁干扰量化序列由不同工作频率分别对应的电磁干扰量化值组成，每一个电磁干扰量化值根据其工作频率对应的芯片阵列基板图像与芯片阵列基板红外图像之间的像素值离散度确定，进而根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率。
需要说明的是，在芯片阵列基板受到电磁干扰时，RGB芯片的工作产热基本不变，但由于电磁干扰导致芯片阵列基板上的RGB芯片的工作电压波动，其显示亮度和色度会因电压波动而产生瞬时改变，因此，可以根据不同工作频率下芯片阵列基板红外图像与所述芯片阵列基板图像之间的像素值离散度，对芯片阵列基板受到的电磁干扰程度进行量化，得到所述电磁干扰量化序列，相比于现有技术，本申请中引入红外图像进行对比的作用是防止RGB芯片在生产或通过巨量转移到驱动电路基板上时出现部分损毁，从而对所述电磁干扰程度的量化结果产生干扰，例如，当存在损坏的RGB芯片时，由于其电路断路不再产热也不会发出可见光，因此不会对芯片阵列基板红外图像与所述芯片阵列基板图像之间的像素值离散度产生干扰。
在一些实施例中，根据所述芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列具体可采用下述方式，即：
对所述芯片阵列基板红外图像集合进行灰度化处理；
获取灰度化处理后的芯片阵列基板红外图像集合中的各个芯片阵列基板红外图像；
获取所述芯片阵列基板图像集合中的各个芯片阵列基板图像；
根据所述芯片阵列基板图像集合中的各个芯片阵列基板图像和灰度化处理后的芯片阵列基板红外图像集合中的各个芯片阵列基板红外图像，确定所述电磁干扰量化序列，其中，所述电磁干扰量化序列中的第k个电磁干扰量化值根据芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像与灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像之间的像素值离散度确定，具体实现时，根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列的过程中，所述电磁干扰量化序列中的电磁干扰量化值根据下式确定：
其中，为所述电磁干扰量化序列中的第k个电磁干扰量化值，/>为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的第i行第j列的像素点的灰度值，为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的第n行第m列的像素点的灰度值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的第i行第j列的像素点的灰度值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的第n行第m列的像素点的灰度值，/>为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的图像灰度均值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的图像灰度均值，A、B分别为图像中像素点的行数和列数，具体实现时，所述芯片阵列基板红外图像与所述芯片阵列基板图像的像素尺寸一致。
在一些实施例中，获取所述芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合后，可以根据采集时刻一致的芯片阵列基板图像和芯片阵列基板红外图像之间的像素值离散度可以确定该采集时刻对应的工作频率下LED芯片阵列的电磁干扰量化值，因此可以将图像的不同采集时刻对应的不同工作频率下的电磁干扰量化值组成电磁干扰量化序列。
具体实现时，当预设工作频率区间为五千赫兹~五万赫兹时，可以在工作区间内对芯片阵列基板的工作频率进行线性调节，并获取预设数量芯片阵列基板图像组成芯片阵列基板图像集合，并获取相同预设数量芯片阵列基板红外图像组成芯片阵列基板红外图像集合，其中，可以根据所述芯片阵列基板图像集合的第一芯片阵列基板图像，与所述芯片阵列基板红外图像集合的第一芯片阵列基板红外图像之间的像素值离散度，确定所述电磁干扰量化序列中的第一电磁干扰量化值，所述电磁干扰量化值具有对应的工作频率，该工作频率为图像采集时刻对应的芯片阵列基板的供电频率，所述电磁干扰量化序列中的其他电磁干扰量化值具有相同的获取方式及对应关系，这里不再赘述；
需要说明的是，所述电磁干扰量化值芯片阵列基板受到的电磁干扰程度进行量化得到的量化值，所述电磁干扰量化值越大，表明对应的工作频率下芯片阵列基板受到的电磁干扰程度越大，参考图2，图2是一些实施例中所示的电磁干扰量化图，该图为芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距为0.1时，获取芯片阵列基板的电磁干扰量化序列后进行拟合得到的拟合曲线图，具体实现时由于电磁干扰量化值无量纲，因此对所述电磁干扰量化序列进行拟合时，可以根据该工作频率下电磁干扰量化值与标准直流电源供电时的电磁干扰量化值之间的比值作为拟合曲线值，单位为db，芯片阵列基板的工作频率越高，会导致阵列基板受到的电磁干扰量化值增加，这是因为高频率的电流和电压变化会引发更强烈的电磁辐射，从而对芯片阵列基板产生更大的电磁干扰，进而影响芯片阵列基板的光照均匀度。
在一些实施例中，根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率具体可采用下述方式，即：
对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线；
获取所述电磁干扰量化曲线的前序趋势，根据所述前序趋势和临界电磁干扰量化值进行前序预测，得到所述芯片阵列基板的临界工作频率；
可选的，在一些实施例中，可以采用拉格朗日插值法对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线；
具体实现时，采用拉格朗日插值法对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线具体可采用下述方式实现：
获取所述电磁干扰量化序列中的各个电磁干扰量化值；
获取各个电磁干扰量化值分别对应的工作频率；
根据所述电磁干扰量化序列中的各个电磁干扰量化值和各个电磁干扰量化值分别对应的工作频率，对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线，其中，所述电磁干扰量化曲线根据下式确定：
其中，为电磁干扰量化曲线，i、j分别为求和、求积的中间变量，/>为所述电磁干扰量化序列中第j个电磁干扰量化值，/>为电磁干扰量化曲线的基函数，/>为电磁干扰量化曲线的工作频率自变量，/>为第j个电磁干扰量化值对应的工作频率，/>为第i个电磁干扰量化值对应的工作频率，/>为所述电磁干扰量化序列中的电磁干扰量化值数量。
在一些实施例中，获取所述电磁干扰量化曲线的前序趋势的过程中，可以将所述电磁干扰量化曲线的一阶导数平均值作为所述电磁干扰量化曲线的前序趋势，需要说明的是，所述电磁干扰量化曲线的自变量为工作频率值，所述电磁干扰量化曲线的定义域为调节所述芯片阵列基板的工作频率时预设的工作区间，通常在电磁干扰过强时，想要使得电磁干扰量化值达到临界电磁干量化值，需要所述芯片阵列基板的工作频率值低于所述电磁干扰量化曲线的自变量区间下限，因此需要根据所述前序趋势进行前序预测，将区间下限之前的电磁干扰量化曲线视为电磁干扰量化值随工作频率值线性变化的函数，将所述前序趋势作为所述电磁干扰量化曲线的线性变化率，从而在所述电磁干扰量化曲线的坐标轴中，找到与所述临界电磁干扰量化值对应的频率值作为所述临界工作频率。
需要说明的是，所述临界电磁干扰量化值根据发光二极管显示屏显示效果的需求预设，即为所述发光二极管显示屏在满足显示效果的情况下允许的最大电磁干扰量化值，所述临界工作频率为达到所述临界电磁干扰量化值时芯片阵列基板的工作频率值。
在步骤S104，判断所述临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当所述临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将所述临界工作频率作为所述芯片阵列基板的工作频率值。
在一些实施例中，所述工作频率阈值为所述芯片基板阵列允许的最低工作频率，需要说明的是，当所述芯片基板阵列的工作频率值过低时，电源通常需要更大的电感和变压器等元件，以满足电流和电压要求，导致了电源的尺寸和重量增加，并且开关元件的切换速度慢会导致RGB芯片能量损失增加，发光二极管显示屏的显示性能难以达到预期效果，因此当所述临界工作频率过低时，芯片基板阵列的工作频率值受限于显示效果要求，而无法到达所述临界工作频率，此时需要根据所述临界工作频率调节所述RGB芯片正反阵列的径向生长间距，从而在不影响发光二极管显示屏的显示效果的前提下，进一步抑制芯片基板阵列的电磁干扰。
在步骤S105，当所述临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对所述电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值。
在一些实施例中，对所述电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值的过程具体可采用下述方式实现：
获取所述电磁干扰量化序列中的各个电磁干扰量化值；
获取各个电磁干扰量化值分别对应的工作频率；
根据所述磁干扰量化序列中的各个电磁干扰量化值以及各个电磁干扰量化值分别对应的工作频率，确定所述电磁干扰特征值，其中，所述电磁干扰特征值根据下式确定：
其中，为所述电磁干扰特征值，/>为所述电磁干扰量化序列中的电磁干扰量化值数量，/>、/>分别为所述电磁干扰量化序列中的第一个电磁干扰量化值和最后一个电磁干扰量化值，/>、/>分别为所述电磁干扰量化序列中的第d个和第d+1个电磁干扰量化值，、/>分别第d个和第d+1个电磁干扰量化值分别对应的工作频率值，/>为修正比例系数，标定为常数，用于对所述电磁干扰特征值的归一化。
需要说明的是，所述电磁干扰特征值为在所述预设的工作频率区间内，所述芯片基板序列的电磁干扰随工作频率变化的变化敏感度，所述电磁干扰特征值用于对所述芯片阵列基板上RGB芯片的阵列径向生长间距进行校正，从而平衡发光二极管显示屏的显示效果与电磁干扰程度。
在步骤S106，根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由所述阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制。
需要说明的是，当所述临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将所述工作频率阈值作为所述芯片阵列基板的工作频率值。
在一些实施例中，根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距具体可采用下述方式实现，即：
获取所述电磁干扰特征值；
获取所述临界工作频率；
获取所述RGB芯片正反阵列的标准径向生长间距；
根据所述电磁干扰特征值、所述临界工作频率和所述RGB芯片正反阵列的标准径向生长间距，确定调节后所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，其中，调节后所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距根据下式确定：
其中，为调节后RGB芯片正反阵列的径向生长间距，/>为所述电磁干扰特征值，为所述临界工作频率，/>为工作频率阈值。
需要说明的是，所述标准径向生长间距为所述RGB芯片正反阵列调节前的原阵列径向生长间距。
在一些实施例中，所述阵列径向生长间距为RGB芯片随距基板中心距离，而降低相邻的RGB芯片间间距的间距降低比例，即所述RGB芯片的间距变化量与RGB芯片与基板中心的距离变化量的比值，需要说明的是，当将所述芯片基板阵列中的每一个RGB芯片都视为理想的朗伯光源时，发光强度为法线上的光强与方向角余弦的乘积，即光强由中心向周围逐渐减弱，因此随距基板中心距离降低相邻的RGB芯片间间距，即可以增加RGB芯片正反阵列的光照均匀度，也可以在一定程度上增加基板中心由于芯片间距过低带来的电磁干扰。
具体实现时，由所述阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中RGB芯片的芯片间距进行控制的过程中，可以使用印刷电路板（PCB）设计软件，根据阵列径向生长间距确定新的RGB芯片间距，从而根据新的RGB芯片间距更新PCB布局，使得发光二极管显示屏的驱动电路基板中RGB芯片的芯片间距提高，线路间彼此的电磁耦合程度下降、电流回路长度上升，从而避免发光二极管显示屏中电磁干扰强度过高影响发光二极管显示屏的光照均匀度。
另外，本申请的另一方面，在一些实施例中，本申请提供一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列系统，参考图3，该图是根据本申请一些实施例所示的一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列系统的示例性硬件和/或软件的示意图，该用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列系统300包括：芯片阵列模块301、图像采集模块302、临界工作频率确定模块303、阈值判断模块304、电磁干扰特征值确定模块305和芯片间距控制模块306，分别说明如下：
芯片阵列模块301，在本申请的一些具体的实施例中，芯片阵列模块301主要用于将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板；
图像采集模块302，在本申请的一些具体的实施例中，图像采集模块302主要用于调节所述芯片阵列基板的工作频率，采集所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合；
临界工作频率确定模块303，在本申请的一些具体的实施例中，临界工作频率确定模块303主要用于根据所述芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率；
阈值判断模块304，在本申请的一些具体的实施例中，阈值判断模块304主要用于判断所述临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当所述临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将所述临界工作频率作为所述芯片阵列基板的工作频率值；
电磁干扰特征值确定模块305，在本申请的一些具体的实施例中，电磁干扰特征值确定模块305主要用于当所述临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对所述电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值；
芯片间距控制模块306，在本申请的一些具体的实施例中，芯片间距控制模块306主要用于根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由所述阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制。
另外，本申请还提供一种计算机终端设备，所述计算机终端设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有代码，所述处理器被配置为获取所述代码，并执行上述的用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法。
在一些实施例中，参考图4，该图是根据本申请一些实施例所示的应用用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法的计算机终端设备的结构示意图。上述实施例中的用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法可以通过图4所示的计算机终端设备来实现，该计算机终端设备包括至少一个通信总线401、通信接口402、处理器403以及存储器404。
处理器403可以是一个通用中央处理器(central processing unit，CPU)、特定应用集成电路(application-specific integrated circuit，ASIC)或一个或多个用于控制本申请中的用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法的执行。
通信总线401可包括一通路，在上述组件之间传送信息。
存储器404可以是只读存储器（read-only memory，ROM）或可存储静态信息和指令的其它类型的静态存储设备，随机存取存储器（random access memory，RAM）或者可存储信息和指令的其它类型的动态存储设备，也可以是电可擦可编程只读存储器（electricallyerasable programmable read-only memory，EEPROM）、只读光盘（compact disc read-only Memory，CD-ROM）或其它光盘存储、光碟存储（包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等）、磁盘或者其它磁存储设备、或者能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其它介质，但不限于此。存储器404可以是独立存在，通过通信总线401与处理器403相连接。存储器404也可以和处理器403集成在一起。
其中，存储器404用于存储执行本申请方案的程序代码，并由处理器403来控制执行。处理器403用于执行存储器404中存储的程序代码。程序代码中可以包括一个或多个软件模块。上述实施例中电磁干扰量化值的确定可以通过处理器403以及存储器404中的程序代码中的一个或多个软件模块实现。
通信接口402，使用任何收发器一类的装置，用于与其它设备或通信网络通信，如以太网，无线接入网（radio access network，RAN），无线局域网（wireless local areanetworks，WLAN）等。
可选地，上述计算机终端设备400还可以包括电源405，用于给实时计算机终端设备中的各种器件或电路提供电源。
在具体实现中，作为一种实施例，计算机终端设备可以包括多个处理器，这些处理器中的每一个可以是一个单核（single-CPU）处理器，也可以是一个多核（multi-CPU）处理器。这里的处理器可以指一个或多个设备、电路、和/或用于处理数据（例如计算机程序指令）的处理核。
上述的计算机终端设备可以是一个通用计算机终端设备或者是一个专用计算机终端设备。在具体实现中，计算机终端设备可以是台式机、便携式电脑、网络服务器、掌上电脑（personal digital assistant，PDA）、移动手机、平板电脑、无线终端设备、通信设备或者嵌入式设备。本申请实施例不限定计算机终端设备的类型。
另外，在本申请的其他方面还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有至少一条计算机程序，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现上述用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法所执行的操作。
综上，本申请实施例公开的一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法及系统中，首先将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板，调节芯片阵列基板的工作频率，采集芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，根据芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，根据电磁干扰量化序列进行预测，确定芯片阵列基板的临界工作频率，判断临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将临界工作频率作为芯片阵列基板的工作频率值，当临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值，根据电磁干扰特征值和临界工作频率，调节芯片阵列基板上RGB芯片的阵列径向生长间距，由阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中RGB芯片的芯片间距进行控制，从而避免了发光二极管显示屏中电磁干扰强度过高，影响发光二极管显示屏的光照均匀度的问题。
以上所述的仅是本申请的实施例，方案中公知的具体技术方案或特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本申请技术方案的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本申请的保护范围，这些都不会影响本申请实施的效果和专利的实用性。
本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容，显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法，其特征在于，包括：
将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板；
调节所述芯片阵列基板的工作频率，采集所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合，其中，采用脉冲宽度调制信号对所述芯片阵列基板进行供电，所述工作频率为所述脉冲宽度调制信号中脉冲的重复频率；
根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，其中，所述电磁干扰量化序列由不同工作频率分别对应的电磁干扰量化值组成，每一个电磁干扰量化值根据对应其工作频率的芯片阵列基板图像和芯片阵列基板红外图像的像素灰度值确定，进而根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率；
判断所述临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当所述临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将所述临界工作频率作为所述芯片阵列基板的工作频率值；
当所述临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对所述电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值；
根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由所述阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列具体包括：
对所述芯片阵列基板红外图像集合进行灰度化处理；
获取灰度化处理后的芯片阵列基板红外图像集合中的各个芯片阵列基板红外图像；
获取所述芯片阵列基板图像集合中的各个芯片阵列基板图像；
根据所述芯片阵列基板图像集合中的各个芯片阵列基板图像和灰度化处理后的芯片阵列基板红外图像集合中的各个芯片阵列基板红外图像，确定所述电磁干扰量化序列。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列的过程中，所述电磁干扰量化序列中的电磁干扰量化值根据下式确定：
其中，为所述电磁干扰量化序列中的第k个电磁干扰量化值，/>为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的第i行第j列的像素点的灰度值，/>为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的第n行第m列的像素点的灰度值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的第i行第j列的像素点的灰度值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的第n行第m列的像素点的灰度值，/>为所述芯片阵列基板图像集合中第k个芯片阵列基板图像的图像灰度均值，/>为灰度化后的芯片阵列基板红外图像集合中第k个芯片阵列基板红外图像的图像灰度均值，A、B分别为图像中像素点的行数和列数。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率具体包括：
对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线；
获取所述电磁干扰量化曲线的前序趋势，根据所述前序趋势和临界电磁干扰量化值进行前序预测，得到所述芯片阵列基板的临界工作频率。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，采用拉格朗日插值法对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，采用拉格朗日插值法对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线具体包括：
获取所述电磁干扰量化序列中的各个电磁干扰量化值；
获取各个电磁干扰量化值分别对应的工作频率；
根据所述电磁干扰量化序列中的各个电磁干扰量化值和各个电磁干扰量化值分别对应的工作频率，对所述电磁干扰量化序列进行拟合，得到电磁干扰量化曲线，其中，所述电磁干扰量化曲线根据下式确定：
其中，为电磁干扰量化曲线，i、j分别为求和、求积的中间变量，/>为所述电磁干扰量化序列中第j个电磁干扰量化值，/>为电磁干扰量化曲线的基函数，/>为电磁干扰量化曲线的工作频率自变量，/>为第j个电磁干扰量化值对应的工作频率，/>为第i个电磁干扰量化值对应的工作频率，/>为所述电磁干扰量化序列中的电磁干扰量化值数量。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距具体包括：
获取所述电磁干扰特征值；
获取所述临界工作频率；
获取所述RGB芯片正反阵列的标准径向生长间距；
根据所述电磁干扰特征值、所述临界工作频率和所述RGB芯片正反阵列的标准径向生长间距，确定调节后所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距。
8.一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列系统，其采用权利要求1所述的一种用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法进行控制，其特征在于，所述用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列系统包括：
芯片阵列模块，用于将RGB芯片以正反交替排列方式连接到发光二极管显示屏的驱动电路基板上，得到芯片阵列基板；
图像采集模块，用于调节所述芯片阵列基板的工作频率，采集所述芯片阵列基板工作时的芯片阵列基板图像集合和芯片阵列基板红外图像集合；
临界工作频率确定模块，用于根据所述芯片阵列基板图像集合和所述芯片阵列基板红外图像集合，确定电磁干扰量化序列，根据所述电磁干扰量化序列进行预测，确定所述芯片阵列基板的临界工作频率；
阈值判断模块，用于判断所述临界工作频率是否高于预设的工作频率阈值，当所述临界工作频率高于预设的工作频率阈值时，将所述临界工作频率作为所述芯片阵列基板的工作频率值；
电磁干扰特征值确定模块，用于当所述临界工作频率低于预设的工作频率阈值时，对所述电磁干扰量化序列进行电磁干扰特征提取，得到电磁干扰特征值；
芯片间距控制模块，用于根据所述电磁干扰特征值和所述临界工作频率，调节所述芯片阵列基板上正反排列的RGB芯片的阵列径向生长间距，由所述阵列径向生长间距对发光二极管显示屏的驱动电路基板中正反排列的RGB芯片的芯片间距进行控制。
9.一种计算机终端设备，其特征在于，所述计算机终端设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有代码，所述处理器被配置为获取所述代码，并执行如权利要求1至7任一项所述的用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法。
10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有至少一条计算机程序，其特征在于，所述计算机程序由处理器加载并执行以实现如权利要求1至7任一项所述的用于发光二极管显示屏的芯片正反排列阵列方法所执行的操作。
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Non-Patent Citations (1)
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