CN117277053B - 级联耦合微腔、级联耦合微腔半导体激光器及调控方法 - Google Patents
级联耦合微腔、级联耦合微腔半导体激光器及调控方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及级联耦合微腔、级联耦合微腔半导体激光器及调控方法。级联耦合微腔，包括：回音壁微腔，所述回音壁微腔包括第一微腔和第二微腔，所述第一微腔与所述第二微腔一部分相互叠加级联在一起；所述第二微腔远离所述第一微腔的一侧设有变形微腔，所述变形微腔与所述第二微腔和所述第一微腔级联；FP微腔，所述FP微腔的第一端与所述变形微腔远离所述第二微腔一侧连通；其中，当所述FP微腔内的FP模式与所述回音壁微腔内的回音壁模式耦合，形成的耦合模可沿所述FP微腔的第二端输出。实施例所述回音壁微腔设置为至少两个微腔级联，通过增加回音壁型微腔内的光学路径，可以有效衰减掉高阶模式，从而减少输出光激光波长的能量竞争，提高调谐的范围。
Description
技术领域
本发明涉及光纤通信和半导体激光器技术领域，具体地，涉及级联耦合微腔、级联耦合微腔半导体激光器及调控方法。
背景技术
可调谐微腔激光器技术作为相比于DFB和VCSEL可调谐激光器技术来说，具有结构简单，制造工艺简单等优势，引起了国内外各大研究机构和企业的广泛关注。其中，回音壁模式光学微腔具有高品质因数、小体积和易于集成等优点，在基础物理研究和集成光子学器件等领域有着广泛的应用。
本发明发明人在实现本发明的过程中，发现：目前，传统的回音壁型微腔激光器的输出耦合通常是低效的，且由于回音壁型结构的旋转对称性从而显示出较低的导光方向性，且在激光腔里往往显示出多个模式的竞争，导致其输出单模激光波长的调谐范围有限，很难超过30nm，且由于其他竞争模式的存在，会存在跳模的发生。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种级联耦合微腔、级联耦合微腔半导体激光器及调控方法。
第一方面，本发明实施例提供一种级联耦合微腔，用于半导体激光器，包括：
回音壁微腔，所述回音壁微腔包括第一微腔和第二微腔，所述第一微腔与所述第二微腔一部分相互叠加，并相互级联在一起；
所述第二微腔远离所述第一微腔的一侧设有变形微腔，所述变形微腔与所述第二微腔和所述第一微腔级联；
FP微腔，所述FP微腔的第一端与所述变形微腔远离所述第二微腔一侧连通；
其中，当所述FP微腔内的FP模式与所述回音壁微腔内的回音壁模式耦合，形成的耦合模可沿所述FP微腔的第二端输出。
进一步的，所述变形微腔的横截面为由所述第二微腔靠近所述FP微腔的侧面向所述FP微腔延伸的结构。
进一步的，所述变形微腔靠近所述第二微腔的侧面，与所述变形微腔靠近FP微腔的侧面形成一个夹角。
进一步的，所述夹角控制为1.5-3°。
进一步的，所述第一微腔与所述第二微腔横截面的面积相同；
所述第一微腔与所述第二微腔的横截面为正方形、圆形或者多边形。
进一步的，所述第一微腔与所述第二微腔一部分相互叠加的面积，占所述第一微腔或所述第二微腔横截面面积的9-39%。
第二方面，本发明实施例提供一种级联耦合微腔半导体激光器，包括任意一项所述的级联耦合微腔；
基底，所述基底一侧面与所述级联耦合微腔相连接；
N面电极，设在所述基底远离所述级联耦合微腔一侧面上；
P面电极，设在所述级联耦合微腔远离所述基底的一侧面上；
有源层，设在所述基底与所述级联耦合微腔之间。
进一步的，所述P面电极上设有隔离槽，所述隔离槽将所述P面电极分为两部分，所述隔离槽设在第二微腔与FP微腔耦合处。
第三方面，本发明实施例提供一种级联耦合微腔半导体激光器的调控方法，应用于所述的级联耦合微腔半导体激光器，包括：
调控级联耦合微腔半导体激光器中回音壁微腔和FP微腔各自的P面电极注入的电流，改变所述回音壁微腔和所述FP微腔的折射率，实现对耦合模式的选择和激射波长的调谐。
进一步的，所述方法还包括：
调控级联耦合微腔半导体激光器中回音壁微腔和FP微腔各自的P面电极的载流子密度或温度，改变所述回音壁微腔和所述FP微腔的折射率，实现对耦合模式的选择和激射波长的调谐。
本发明实施例提供的上述技术方案的有益效果至少包括：
本发明实施例中提供了一种级联耦合微腔，由于现在传统的回音壁型微腔激光器是单模形式，因此，导致输出耦合通常比较低效；且回音壁型结构的旋转对称性，从而显示出较低的导光方向性；传统的激光腔里会出现出多个模式的竞争，导致其输出单模激光波长的调谐范围有限，使得调谐的波长很难超过30nm，且由于其他竞争模式的存在，导致调谐时出现跳模的问题。
实施例，将所述回音壁微腔设置为至少两个微腔级联的结构，通过增加回音壁型微腔内的光学路径，可以有效衰减掉高阶模式，使得较少高阶模式，从而减少输出光激光波长的能量竞争，有效的减少调模的问题，提高调谐的范围。
实施例，提高了激光器设计的更多的设计自由度和可扩展性，特别是在拓展波长调谐范围方面，和压制跳模发生方面显示出巨大的潜力，在高速可调谐和超过40nm以上的可调谐激光器领域中显示出较大的技术优势和市场应用潜力。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
图1是本发明级联耦合微腔的结构示意图；
图2是本发明半导体激光器的示意图；
图3是本发明级联耦合微腔的示意图；
图4是本发明级联耦合微腔的反射率光谱图；
图5是本发明半导体激光器的实际射出激光的光谱图。
图中标示：
1、级联耦合微腔；2、P面电极；3、隔离槽；4、聚合物材料；5、基底；
10、第一微腔；11、第二微腔；12、变形微腔；13、FP微腔；14、叠加部分；15、变形量。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本发明的保护范围。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向” 等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二” 等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征 “上”或“下” 可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例，回音壁模式微腔利用光线在界面的全反射形成谐振模式，具有体积小、阈值低、功耗低、易于集成等优点而被广泛的应用于光子集成电路、光互连、光通信和微波光子等领域。
实施例，所述半导体激光器是光通信系统中的组成部分之一，其性能和稳定性对光通信系统有至关重要的作用。理想的低阈值、窄线宽半导体激光器要求回音壁微腔具有高品质因子和小模式体积，且易于平面集成。现也有人提出将FP微腔13与回音壁微腔集成耦合在一起，把回音壁腔当作FP微腔13的一个等效反射端面，利用回音壁腔内的高品质因子模式具有高反射率的特点，实现对FP微腔13的选模作用。通过分别调节FP微腔13与回音壁腔的注入电流，可实现对谐振腔的有效折射率进行调控，进而对激光器的激射波长实现大范围的连续调谐。
实施例，所述级联是将多个设备或组件按照一定顺序连接起来的过程，也可以认为是，把二个以上的设备通过某种方式连接起来,起到扩容(1+1>2)的效果。实施例中，将至少两个回音壁微腔按顺序排列连接并且内部相连通，使得光波能够在相连的回音壁微腔内相互传播。
参照附图1所示，本发明实施例中提供了级联耦合微腔1，该级联耦合微腔1，用于半导体激光器，包括：
回音壁微腔，所述回音壁微腔包括第一微腔10和第二微腔11，所述第一微腔10与所述第二微腔11一部分相互叠加，并相互级联在一起；
所述第二微腔11远离所述第一微腔10的一侧设有变形微腔12，所述变形微腔12与所述第二微腔11和所述第一微腔10级联；
FP微腔13，所述FP微腔13的第一端与所述变形微腔12远离所述第二微腔11一侧连通；
其中，当所述FP微腔13内的FP模式与所述回音壁微腔内的回音壁模式耦合，形成的耦合模可沿所述FP微腔13的第二端输出。
可以理解的，由于现在传统的回音壁型微腔激光器是单模形式，因此，导致输出耦合通常比较低效；且回音壁型结构的旋转对称性，从而显示出较低的导光方向性；传统的激光腔里会出现出多个模式的竞争，导致其输出单模激光波长的调谐范围有限，使得调谐的波长很难超过30nm，且由于其他竞争模式的存在，导致调谐时出现跳模的问题。
实施例，将所述回音壁微腔设置为至少两个微腔级联的结构，通过增加回音壁型微腔内的光学路径，可以有效衰减掉高阶模式，使得较少高阶模式，从而减少输出光激光波长的能量竞争，有效的减少调模的问题，提高调谐的范围。
实施例，并且将靠近所述FP微腔13的微腔设置为变形结构，即变形式回音壁微腔中的模式与FP微腔13中基横模相耦合，降低光波在FP微腔13中的损耗，输出的激光更容易耦合进入光纤，并且激射模式更稳定。并通过合理设置或优化设置其尺寸和变形(拉伸距离)，提高了回音壁微腔等效反射率的同时，使FP微腔13中模式以基模形式存在(FP腔中基模损耗低，稳定)，显著提高了耦合腔激光器的性能，获得了更高的输出功率，可调谐范围，边模抑制比。
实施例，所述回音壁微腔内部的内壁形成多个波导界面，通过多个波导界面对光波缚下，使得光波在波导界面处发生连续的反射，即光滑的波导界面导致束缚边界减少光波的吸收和散射，并且光波的反射不断重复，将光子长时间的局域在微腔内形成回音壁模式。相比于传统的微腔结构，本实施例的级联耦合微腔1结构具有特有的回音壁模式，使其具有很高的边摸抑制比，可自由拓展的波长可调谐范围等优越特性。
实施例，具有超过40nm的可调谐范围、更高的边模抑制比（SMSR）、更稳定的输出波长，相比于现有传统微腔激光器，该类级联型微腔激光芯片有效地拓展了可调谐激光器地输出波长范围，同时有效得抑制了跳膜得发生，易于实现单模激射，克服了传统微腔激光器稳定性弱的缺点。
参照附图3所示，实施例进一步的，所述变形微腔12的横截面为，由所述第二微腔11靠近所述FP微腔13的侧面向所述FP微腔13延伸的结构。
可以理解的，为了使得所述回音壁微腔与所述FP微腔13可以形成耦合，实施例是，在所述第二微腔11向所述FP微腔13设置变形微腔12，所述变形微腔12有最靠近所述FP微腔13的位置，至所述第二微腔11距所述FP微腔13最近的位置为形变量，所述变形量15控制在0.4-0.6um，所述变形微腔12的一部分与所述FP微腔13叠加在一起。
参照附图3所示，实施例进一步的，所述变形微腔12靠近所述第二微腔11的侧面，与所述变形微腔12靠近FP微腔13的侧面形成一个夹角A。所述夹角A控制为1.5-3°。
可以理解的，为了保证回音壁微腔与所述FP微腔13可以形成耦合，将所述变形微腔12的变形量15进行控制，即将所述变形微腔12与所述第二微腔11的夹角A控制在一定角度。具体的是，所述变形微腔12靠近所述第二微腔11的侧面，与所述变形微腔12靠近FP微腔13的侧面形成一个夹角A。
一些实施例中，所述变形微腔12靠近所述第二微腔11的侧面，与所述变形微腔12靠近FP微腔13的侧面形成的夹角A为1.5°，此时，所述第一微腔10和所述第二微腔11为正方形，并且正方形的边长为10um，所述变形微腔12的变形量15为0.4um；再一些实施例中，所述变形微腔12靠近所述第二微腔11的侧面，与所述变形微腔12靠近FP微腔13的侧面形成的夹角A为1.96°，此时，所述第一微腔10和所述第二微腔11为正方形，并且正方形的边长为8um，所述变形微腔12的变形量15为0.4um；又一些实施例中，所述变形微腔12靠近所述第二微腔11的侧面，与所述变形微腔12靠近FP微腔13的侧面形成的夹角A为2.33°，此时，所述第一微腔10和所述第二微腔11为正方形，并且正方形的边长为10um，所述变形微腔12的变形量15为0.6um。
参照附图3所示，实施例进一步的，所述第一微腔10与所述第二微腔11横截面的面积相同；
所述第一微腔10与所述第二微腔11的横截面为正方形、圆形或者多边形。
可以理解的，实施例是将所述第一微腔10与所述第二微腔11依次排列级联在一起，所述第一微腔10与所述第二微腔11的横截面的面积大小设置为相同，并且将所述第一微腔10和所述第二微腔11的横截面形状相同。
一些实施例中，所述第一微腔10与所述第二微腔11的横截面为正方形，并且二者的面积相同，并且二者的一部分叠加融合在一起，形成级联的回音壁微腔；另一些实施例中，所述第一微腔10与所述第二微腔11的横截面为六边形，并且二者的面积相同，并且二者的一部分叠加融合在一起，形成级联的回音壁微腔；再一些实施例中，所述第一微腔10与所述第二微腔11的横截面为圆形，并且二者的面积相同，并且二者的一部分叠加融合在一起，形成级联的回音壁微腔。
实施例，将所述回音壁微腔设置为至少两个微腔级联的结构，通过增加回音壁型微腔内的光学路径，可以有效衰减掉高阶模式，使得较少高阶模式，从而减少输出光激光波长的能量竞争，有效的减少调模的问题，提高调谐的范围。
也就是说，所述回音壁微腔可以是多个依次级联的微腔组成，这里优先的是两个微腔进行级联，也不排除其它数量的微腔进行级联，如三个微腔级联或者四个微腔级联等。
实施例进一步的，所述第一微腔10与所述第二微腔11一部分相互叠加的面积，占所述第一微腔10或所述第二微腔11横截面面积的9-39%。
可以理解的，为了实现两个微腔进行级联后，同时保证光束在两个微腔之间能够较为顺利的实现传递，实施例是，将所述第一微腔10的一部分与所述第二微腔11的一部分相叠加在一起，并且二者之间的叠加部分14分别占二者横截面面积的9-39%。所述相叠加是二者叠加并且融合，并且所述第一微腔10与所述第二微腔11叠加融合的部分与所述第一微腔10和所述第二微腔11的厚度相同。
一些实施例中，所述第一微腔10横截面面积的25%与所述第二微腔11横截面面积的25%向叠加融合在一起，如此使得所述第一微腔10与所述第二微腔11实现级联；再一些实施例，所述第一微腔10横截面面积的10%与所述第二微腔11横截面面积的10%向叠加融合在一起，如此使得所述第一微腔10与所述第二微腔11实现级联；又一些实施例，所述第一微腔10横截面面积的40%与所述第二微腔11横截面面积的40%向叠加融合在一起，如此使得所述第一微腔10与所述第二微腔11实现级联。
实施例，光束可以在所述第一微腔10与所述第二微腔11级联后的内部实现连续反射，并且最后从所述FP微腔13射出。
实施例，将所述回音壁微腔设置为至少两个微腔级联的结构，通过叠加融合在一起保证光束的有效通过率，实现增加回音壁型微腔内的光学路径，可以有效衰减掉高阶模式，使得较少高阶模式，从而减少输出光激光波长的能量竞争，有效的减少调模的问题，提高调谐的范围。
一具体实施例中，半导体激光器主要包括第一微腔10的第一正方形微腔，第二微腔11的第二正方形微腔和变形微腔12构成。第一正方形微腔的正方形边长a为8um；第二微腔11正方形的边长也为8um，变形微腔12的变形幅度delt为0.6um。并且，第二正方形与第一正方形交叠处边长d为4um，FP微腔13矩形腔宽度为 2um，长为300um，级联耦合微腔1的折射率为3.2，外界填充的聚合物材料4的折射率为1.73。
参照附图4，为FDTD软件仿真的该级联耦合微腔1的反射率光谱图，FDTD模拟区域覆盖整个级联耦合微腔1波导，其中波导端部嵌入完全匹配层（PML）中，以确保波导端面没有背反射，在反射率谱中发现光谱最大值出现在1523nm处，反射率约为0.64，因此该结构具有在1523到1600nm之间只有一个很高的谐振峰，因次当该结构满足激光条件出光时候，不存在其他波峰的模式竞争，从而有效的压制跳模的产生。请参考附图5，为本实施例实际生产的半导体激光器的实际射出激光的光谱图，该半导体激光器可实现的可调谐范围可以从1525.5~1565.76nm，超过40nm的调谐范围，其边摸抑制可达40dB。
基于同一发明构思，实施例另一方面还公开了，一种级联耦合微腔1的制备方法，步骤包括：
利用等离子体增强化学气相沉积技术，在2-4寸外延片上沉积厚度为250~300nm的SiO2层；
用接触式光刻技术，设计出所需的级联耦合微腔1的横截面形状图案，将所设计的横截面形状图案转移到SiO2层；
然后利用感应等离子体耦合刻蚀技术，对外延片进行深度刻蚀得到InP基板，从而获得微腔结构，刻蚀深度控制在3.5~４μｍ。
涂覆聚合物填充材料形成平坦表面，然后利用等离子体刻蚀技术去除腔体顶层的聚合物材料4，然后利用感应等离子体耦合刻蚀技术去除腔体顶层的SiO2，然后再通过接触式曝光技术，lift-off带胶剥离工艺制造图形化的Ti-Au金属Ｐ电极。
对结构片基板远离SiO2层的一侧面，进行机械研磨、减薄和抛光等工艺处理，再利用电子束蒸发镀膜工艺，在该基板侧面蒸镀Au-Ni电极，从而在基板上形成Ｎ面电极，结构片的厚度控制在100~150μｍ。
同时，在FP微腔13上端面利用微型夹具和腔面镀膜技术蒸镀Au反射膜，反射率控制在65~75%。
基于同一发明构思，参照附图2所示，本发明实施例还提供了一种级联耦合微腔1半导体激光器，包括上述任意一项所述的级联耦合微腔1；
基底，所述基底一侧面与所述级联耦合微腔1相连接；
N面电极，设在所述基底远离所述级联耦合微腔1一侧面上；
P面电极2，设在所述级联耦合微腔1远离所述基底的一侧面上；
有源层，设在所述基底与所述级联耦合微腔1之间。
实施例进一步的，所述P面电极2上设有隔离槽3，所述隔离槽3将所述P面电极2分为两部分，所述隔离槽3设在第二微腔11与FP微腔13耦合处。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种级联耦合微腔半导体激光器的调控方法，应用于如所述的级联耦合微腔半导体激光器，其特征在于，包括：
调控级联耦合微腔半导体激光器中回音壁微腔和FP微腔13各自的P面电极2注入的电流，改变所述回音壁微腔和所述FP微腔13的折射率，实现对耦合模式的选择和激射波长的调谐。
实施例进一步的，所述方法还包括：
调控级联耦合微腔半导体激光器中回音壁微腔和FP微腔13各自的P面电极2的载流子密度或温度，改变所述回音壁微腔和所述FP微腔13的折射率，实现对耦合模式的选择和激射波长的调谐。
本实施例中所述方法的具体举例和有益效果的说明，可以参照上述饱和吸收体的记载，在此不再赘述。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种级联耦合微腔，用于半导体激光器，其特征在于，包括：
回音壁微腔，所述回音壁微腔包括第一微腔和第二微腔，所述第一微腔与所述第二微腔一部分相互叠加重合，并相互级联在一起；
所述第二微腔远离所述第一微腔的一侧设有变形微腔，所述变形微腔与所述第二微腔和所述第一微腔级联；
FP微腔，所述FP微腔的第一端与所述变形微腔远离所述第二微腔一侧连通；
其中，当所述FP微腔内的FP模式与所述回音壁微腔内的回音壁模式耦合，形成的耦合模可沿所述FP微腔的第二端输出。
2.根据权利要求1所述的级联耦合微腔，其特征在于，所述变形微腔的横截面为由所述第二微腔靠近所述FP微腔的侧面向所述FP微腔延伸的结构。
3.根据权利要求1或者2所述的级联耦合微腔，其特征在于，所述变形微腔靠近所述第二微腔的侧面，与所述变形微腔靠近FP微腔的侧面形成一个夹角。
4.根据权利要求3所述的级联耦合微腔，其特征在于，所述夹角控制为1.5-3°。
5.根据权利要求1所述的级联耦合微腔，其特征在于，所述第一微腔与所述第二微腔横截面的面积相同；
所述第一微腔与所述第二微腔的横截面为正方形、圆形或者多边形。
6.根据权利要求1所述的级联耦合微腔，其特征在于，所述第一微腔与所述第二微腔一部分相互叠加的面积，占所述第一微腔或所述第二微腔横截面面积的9-39％。
7.一种级联耦合微腔半导体激光器，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的级联耦合微腔；
基底，所述基底一侧面与所述级联耦合微腔相连接；
N面电极，设在所述基底远离所述级联耦合微腔一侧面上；
P面电极，设在所述级联耦合微腔远离所述基底的一侧面上；
有源层，设在所述基底与所述级联耦合微腔之间；
所述P面电极上设有隔离槽，所述隔离槽将所述P面电极分为两部分，所述隔离槽设在第二微腔与FP微腔耦合处。
8.一种级联耦合微腔半导体激光器的调控方法，应用于如权利要求7所述的级联耦合微腔半导体激光器，其特征在于，包括：
调控级联耦合微腔半导体激光器中回音壁微腔和FP微腔各自的P面电极注入的电流，改变所述回音壁微腔和所述FP微腔的折射率，实现对耦合模式的选择和激射波长的调谐。
9.根据权利要求8所述的级联耦合微腔半导体激光器的调控方法，其特征在于，所述方法还包括：
调控级联耦合微腔半导体激光器中回音壁微腔和FP微腔各自的P面电极的载流子密度或温度，改变所述回音壁微腔和所述FP微腔的折射率，实现对耦合模式的选择和激射波长的调谐。
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