CN117253883A - Micro led显示面板及制造方法 - Google Patents

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CN117253883A
CN117253883A CN202311110541.5A CN202311110541A CN117253883A CN 117253883 A CN117253883 A CN 117253883A CN 202311110541 A CN202311110541 A CN 202311110541A CN 117253883 A CN117253883 A CN 117253883A
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徐群超
陈伟新
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Shanghai Xianyao Display Technology Co ltd
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Shanghai Xianyao Display Technology Co ltd
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Abstract

本申请提供了一种Micro LED显示面板及制造方法。一种Micro LED显示面板包括多个Micro LED组成的阵列，其中每个Micro LED包括至少两个发光台面沿垂直方向自下而上堆叠设置和位于每一发光台面上下两侧的导电层，导电层包括设置于每个发光台面上方的顶部导电层和设置于每个发光台面下方的底部导电层；驱动背板，设置于Micro LED阵列的底部，用于控制多个Micro LED；电连接结构，包括顶部电连接结构和底部电连接结构；电连接结构设置于发光台面的周围；电连接结构靠近发光台面的一侧具有向发光台面延伸的连接凸起，所述连接凸起与所述导电层电连接。连接凸起与电连接结构一体连接，使得电连接结构与导电层之间的电连接更加稳定。

Description

MICRO LED显示面板及制造方法
技术领域
本申请涉及Micro LED领域，尤其涉及一种Micro LED显示面板及制造方法。
背景技术
无机微像素发光二极管，也被称为微型发光二极管，Micro LED，或μ-LED，自从它们被用于各种应用后就变得越来越重要，包括自发光微显示、可见光通信、光遗传学等。与传统LED相比，Micro LED由于具有更好的应变松弛、更好的光提取效率、均匀的电流扩散以及更高的输出性能。Micro LED还具有热效应改善、响应速度更快、工作温度范围更大、分辨率更高、色域更广、对比度更高、功耗更低、电流密度更高等优点。
通常来说，多色Micro LED显示面板可以包括多个多色Micro LED组成的MicroLED阵列，每个多色Micro LED包括多个发光台面，并且每个发光台面可以电连接到各自的电极，从而可以控制每个发光台面。对于一个多色Micro LED显示面板来说，每个多色MicroLED的每个发光台面的电极连接在Micro LED显示面板内占据了很大的空间，这可能会限制在多色Micro LED显示面板上布置更多的多色Micro LED，不利于提高显示面板的像素密度。
发明内容
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种Micro LED显示面板及制造方法，在Micro LED显示面板的结构中，电连接结构向发光台面的一侧延伸形成连接凸起，并且连接凸起与导电层电连接，连接凸起由电连接结构向外延伸而成，具有较高的结构强度，使得电连接结构与导电层之间的连接更加稳定。
为了实现上述至少一目的，本申请提供一种Micro LED显示面板，包括：
Micro LED阵列，所述Micro LED阵列包括多个Micro LED，其中每个所述MicroLED包括至少两个发光台面，所述至少两个发光台面沿垂直方向自下而上堆叠设置，和位于每一所述发光台面上下两侧的导电层，所述导电层包括设置于每个所述发光台面上方的顶部导电层和设置于每个所述发光台面下方的底部导电层；
驱动背板，所述驱动背板设置于所述Micro LED阵列的底部，用于控制所述多个Micro LED；以及
电连接结构，所述电连接结构包括顶部电连接结构和底部电连接结构，所述顶部电连接结构电连接于所述顶部导电层，每个所述底部电连接结构对应电连接于一个所述底部导电层；所述电连接结构设置于所述发光台面的周围；
所述电连接结构靠近所述发光台面的一侧具有向所述发光台面延伸的连接凸起，所述连接凸起与所述导电层电连接。
为了实现上述目的，本申请进一步提供Micro LED显示面板的制造方法，包括：
在基板上的多个预设位置形成多个第一底部导电层；
在每个所述第一底部导电层上分别形成第一发光台面；
在所述第一发光台面的四周填充绝缘介质，形成第一绝缘介质层；
在每个所述第一发光台面的上方形成第一顶部导电层，并使得所述第一顶部导电层与所述第一发光台面电连接；
在相邻所述第一发光台面之间的预设区域沿第一蚀刻路径蚀刻所述第一绝缘介质层形成第一蚀刻孔；以及
向所述第一蚀刻孔中填充导体材料形成顶部电连接结构，并使得一些所述导体材料填充至所述第一绝缘介质层的上方形成第一顶部连接凸起，所述第一顶部连接凸起与所述第一顶部导电层电连接。
技术效果：
1)在Micro LED显示面板的结构中，电连接结构向发光台面的一侧延伸形成连接凸起，并且连接凸起与导电层电连接，连接凸起由电连接结构向外延伸而成，具有较高的结构强度，使得电连接结构与导电层之间的连接更加稳定。
2)连接凸起包括第一连接凸起部和第二连接凸起部，第一连接凸起部与导电层齐平，第二连接凸起部设置于第一导电层的上方，第一连接凸起部和第二连接凸起部分别与导电层电连接，能够增加连接凸起与导电层之间的接触面积，增加电流扩展效果。
3)连接凸起靠近发光台面的一端具有一斜面，发光台面所发出的光线照射至该斜面时，该斜面能够将发光台面发出的光线向远离驱动背板的方向反射。
附图说明
通过结合附图对本公开示例性实施方式进行更详细的描述，本公开的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本公开示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
图1是本申请一实施例的Micro LED阵列的俯视结构示意图；
图2是本申请图1所示实施例的Micro LED阵列中的单个Micro LED的俯视结构示意图；
图3是图2中所示Micro LED沿a-a线的剖面结构示意图；
图4是图2中所示Micro LED沿b-b线的剖面结构示意图；
图5是图2中所示Micro LED沿c-c线的剖面结构示意图；
图6是图2中所示Micro LED沿a-a线的剖面结构的一变形实施方式的示意图；
图7是图2中所示Micro LED沿a-a线的剖面结构的另一变形实施方式的示意图；
图8是图2中所示Micro LED沿a-a线的剖面结构的又一变形实施方式的示意图；
图9是本申请一实施例的Micro LED面板的制造方法的步骤流程图；
图10是本申请的一实施例的Micro LED面板的制造方法的子步骤流程图；
图11是本申请的一实施例的Micro LED面板的制造方法的子步骤流程图；
图12是本申请的一实施例的Micro LED面板的制造方法的子步骤流程图；
图13是图2所示Micro LED沿a-a线剖面的制造流程的结构示意图；
图14是图2所示Micro LED沿b-b线剖面的制造流程的结构示意图；
图15是图2所示Micro LED沿c-c线剖面的制造流程的结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的优选实施方式。虽然附图中显示了本公开的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本公开更加透彻和完整，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。
本申请的一些实施例提供了一种Micro LED显示面板。
图1是本申请一实施例的Micro LED阵列的俯视结构示意图。参考图1，本申请提供的Micro LED显示面板100包括Micro LED阵列110和驱动背板120，Micro LED阵列110设置于驱动背板120的一侧并形成图像显示区域，驱动背板120设置于Micro LED阵列110的背面。驱动背板120未设置Micro LED阵列110的区域为非功能区域。Micro LED阵列110包括多个Micro LED 200(也能够被称为像素)。驱动背板120被配置用于控制多个Micro LED 200。在一些实施方式中，驱动背板120是TFT(Thin Film Transistor)板或IC(IntegratedCircuit)板。
图2是本申请图1所示实施例的Micro LED阵列110中的一个示例性的单个MicroLED 200的俯视结构示意图。图3是图2中所示Micro LED 200沿a-a线的剖面结构示意图，图4是图2中所示Micro LED 200沿b-b线的剖面结构示意图，图5是图2中所示Micro LED 200沿c-c线的剖面结构示意图。参考图3至图5，Micro LED 200包括至少两个沿垂直方向自上而下堆叠设置的发光台面210和位于每个所述发光台面210上下两侧的导电层220。导电层220包括设置于每个发光台面210上方的顶部导电层221和设置于每个发光台面210下方的底部导电层222。顶部导电层221对应电连接于发光台面210的顶部表面，底部导电层222对应电连接于发光台面210的底部表面。导电层220用于向发光台面210通电以点亮对应的发光台面210。
进一步地，该至少两个发光台面210包括第一发光台面211、第二发光台面212以及第三发光台面213，第一发光台面211、第二发光台面212以及第三发光台面213沿垂直方向自下而上堆叠设置。在一些实施方式中，至少两个发光台面210所包括的发光台面210的数量还能够是两个或四个以上。优选地，第一发光台面211发红光，第二发光台面212发绿光，第三发光台面213发蓝光。在一些实施方式中，一个Micro LED 200不同层的发光台面210发出相同颜色的光线，示例地，第一发光台面211、第二发光台面212以及第三发光台面213均发出蓝光，或第一发光台面211、第二发光台面212以及第三发光台面213均发绿光或红光。在垂直方向上相互堆叠设置的至少两个发光台面210中相邻两个发光台面210相互间隔设置。在一些实施方式中，垂直方向上相邻两个发光台面210之间的间距相等。在一些实施方式中，垂直方向上相邻两个发光台面210之间能够根据需要设置为不相等的间距。在一些实施方式中，发光台面210的顶表面和底表面均为圆形，发光台面210的顶部直径小于底部直径，例如，第一发光台面211的顶部直径小于第一发光台面211的底部直径，第二发光台面212的顶部直径小于第二发光台面212的底部直径，第三发光台面213的顶部直径小于第三发光台面213的底部直径。在一些实施方式中，发光台面210的顶表面和底表面还能够是非圆形，比如方形、椭圆形等。在一些实施方式中，发光台面210的顶表面面积小于底表面面积。
在一些实施方式中，至少两个发光台面210是同轴设置的。各个发光台面210沿垂直方向上的投影是重叠的。在一些实施方式中，发光台面210的尺寸可以是不同的，各个发光台面210沿垂直方向上的投影可能是部分重叠的。
参考图2至图5，Micro LED 200还包括电连接结构230，电连接结构230电连接于Micro LED 200的导电层220，用于点亮发光台面210。电连接结构230包括至少一顶部电连接结构231和至少一底部电连接结构232。该至少一顶部电连接结构231电连接每个发光台面210的顶部导电层221，每个底部电连接结构232对应电连接一个发光台面210的底部导电层222。顶部电连接结构231的底部与驱动背板120结合，但是并不直接电连接于驱动背板120。顶部电连接结构231能够将顶部导电层221与外接电源的负极电连接。每一个底部电连接结构232的底部与驱动背板120结合并且电连接于驱动背板120。每一个底部电连接结构232能够将底部导电层222与外部电源的正极电连接。电连接结构230设置于发光台面210的周围，不仅能够将发光台面210电连接于驱动背板120，还能够反射发光台面210所发出的光线，防止相邻Micro LED 200之间的光线相互串扰，提高发光效率。
参考图2，其示出了单个Micro LED 200的俯视图。底部电连接结构232包括第一底部电连接结构232a和第二底部电连接结构232b，第一底部电连接结构232a位于图2中a-a线方向，第二底部电连接结构232b位于图2中的b-b线方向。顶部电连接结构231位于图2中c-c线及d-d线方向。参考图3至图5。底部导电层222包括第一底部导电层222a、第二底部导电层222b以及第三底部导电层222c，其中第一底部导电层222a位于第一发光台面211的底部，第二底部导电层222b位于第二发光台面212的底部，第三底部导电层222c位于第三发光台面213的底部。顶部导电层221包括第一顶部导电层221a、第二顶部导电层221b以及第三顶部导电层221c，第一顶部导电层221a位于第一发光台面211的顶部，第二顶部导电层221b位于第二发光台面212的顶部，第三顶部导电层221c位于第三发光台面213的顶部。
一个顶部电连接结构231能够电连接于所有的顶部导电层221(第一顶部导电层221a、第二顶部导电层221b、第三顶部导电层221c)，一个底部电连接结构232对应电连接于一个底部导电层222(第一底部导电层222a、第二底部导电层222b或第三底部导电层222c)。
参考图2，在该实施例中，顶部电连接结构231的数量是四个，其中两个沿着c-c线的方向设置，另外两个沿着d-d线的方向设置，四个顶部电连接结构231均电连接于所有的发光台面210(第一发光台面211、第二发光台面212以及第三发光台面213)。四个顶部电连接结构231、第一底部电连接结构232a以及第二底部电连接结构232b相互间隔设置于发光台面210的周围，并且相邻电连接结构230之间的间隙中填充有绝缘介质300。
参考图3至图5，电连接结构230靠近发光台面210的一侧具有向所述发光台面210的方向延伸的至少一连接凸起233，所述至少一连接凸起233对应与至少一导电层220电连接。连接凸起233由电连接结构230向发光台面210的一侧延伸形成，具有较高的结构强度，使得电连接结构230与导电层220之间的电连接更加稳定。
参考图5，具体地，顶部电连接结构231对应顶部导电层221的位置向发光台面210的方向延伸形成顶部连接凸起2331，并且顶部连接凸起2331与对应的顶部导电层221电连接。在一些实施方式中，顶部电连接结构231对应第一顶部导电层221a、第二顶部导电层221b以及第三顶部导电层221c的三个位置均向发光台面210的方向延伸形成三个顶部连接凸起2331(第一顶部连接凸起2331a、第二顶部连接凸起2231b以及第三顶部连接凸起2231c)，三个顶部连接凸起2331(第一顶部连接凸起2331a、第二顶部连接凸起2231b以及第三顶部连接凸起2231c)分别与第一顶部导电层221a、第二顶部导电层221b以及第三顶部导电层221c电连接。在一些实施方式中，顶部电连接结构231向发光台面210方向延伸的三个顶部连接凸起2331均位于同一竖直截面内。在一些实施方式中，顶部电连接结构231向发光台面210方向延伸的三个顶部连接凸起2331还能够位于不同的竖直截面内。
参考图3，第一底部电连接结构232a对应第二底部导电层222b的位置向发光台面210的方向延伸形成第一底部连接凸起2332，第一底部连接凸起2332与第二底部导电层222b电连接。参考图4，第二底部电连接结构232b对应第三底部导电层222c的位置向发光台面210的方向延伸形成第二底部连接凸起2333，第二底部连接凸起2333对应与第三底部导电层222c电连接。在一些实施方式中，不同发光台面210的底部导电层222对应的连接凸起233(第一底部连接凸起2332、第二底部连接凸起2333)位于不同的竖直截面内。
参考图3至图5，在一些实施方式中，连接凸起233对应设置于导电层220的上方，连接凸起233的底部表面与导电层220的顶表面接触并且电连接。图6是图2中所示Micro LED200沿a-a线的剖面结构的一变形实施方式的示意图。参考图6，在一些实施方式中，连接凸起233a与导电层220齐平，连接凸起233a的侧面与导电层220的侧面接触并且电连接。
图7是图2中所示Micro LED沿a-a线的剖面结构的另一变形实施方式的示意图。参考图7，在一些实施方式中，连接凸起233b包括第一连接凸起部2334和第二连接凸起部2335，第一连接凸起部2334与导电层220齐平，第二连接凸起部2335设置于导电层220的上方，第一连接凸起部2334和第二连接凸起部2335分别与导电层220电连接。连接凸起233b包括第一连接凸起部2234和第二连接凸起部2235两段结构，能够增加连接凸起233b与导电层220之间的接触面积，增加电流扩展效果。
图8是图2中所示Micro LED沿a-a线的剖面结构的又一变形实施方式的示意图。参考图8，在一些实施方式中，连接凸起233c靠近发光台面210的一端具有一斜面2336，发光台面210所发出的光线照射至该斜面2336时，该斜面2336能够将发光台面210发出的光线向远离驱动背板120的方向反射。
参考图3，在一些实施方式中，连接凸起233横向延伸的距离D1小于发光台面210与电连接结构230之间的距离D2。在一些实施方式中，连接凸起233横向延伸的距离D1在0.1um～5um之间。在一些实施方式中，连接凸起233的厚度小于发光台面210的厚度。
在一些实施方式中，相邻发光台面210之间以及电连接结构230与发光台面210之间的间隙中填充有绝缘介质300，绝缘介质300是透明的。在一些实施方式中，绝缘介质300的材料包括SiO2、SiON、Al2O3、SiN中的一种或多种的组合。
参考图3至图5，电连接结构230进一步包括顶部串联结构234，顶部串联结构234设置于最顶部的发光台面210(即第三发光台面213)的上方，并且环绕于最顶部的发光台面210(即第三发光台面213)的四周，顶部串联结构234电连接于所有的顶部电连接结构231。顶部串联结构234和底部电连接结构232的顶部表面之间也填充有绝缘介质300，顶部串联结构234不与任何一个底部电连接结构232电连接。
参考图1，在一些实施方式中，相邻Micro LED 200的顶部电连接结构231是相互电连接的，相邻Micro LED 200的底部电连接结构232是相互绝缘的。
参考图3至图5，Micro LED 200进一步包括底部连接台面240，该底部连接台面240位于最底层的发光台面210(即第一发光台面211)和驱动背板120之间，并且电连接于驱动背板120和最底层的发光台面210(即第一发光台面211)。Micro LED 200进一步包括顶部连接台面214,该顶部连接台面214位于第一发光台面211和第一顶部导电层221a之间并且电连接于第一发光台面211和第一顶部导电层221a。底部连接台面240和顶部连接台面214的材料是金属，包括Al、Au、Rh、Ag、Cr、Ti、Pt、Sn、Cu、AuSn、TiW等中的一种或多种。在一些实施方式中，发光台面210的顶表面和底表面均为圆形，发光台面210的顶表面的直径小于底表面的直径，底部连接台面240的顶表面也为圆形，其顶表面直径与最底层的发光台面210(即第一发光台面211)的底表面直径相等，底部连接台面240的顶表面直径小于底部连接台面240的底表面直径。第一底部导电层222a设置于底部连接台面240和第一发光台面211之间，能够在底部连接台面240和第一发光台面211之间形成欧姆接触层。第一底部导电层222a和底部连接台面240能够形成具有较高反射效率的全角反射镜结构(Omni-DirectionalReflector(ODR))。在一些实施方式中，第一底部导电层222a是TCO(TransparentConductive Oxide)薄膜、ITO(Indium Tin Oxide)薄膜、AZO(Antimony doped ZincOxide)薄膜、ATO(Antimony doped Tin Oxide)薄膜、FTO(Fluorine doped Tin Oxide)薄膜中的一种或多种的组合。
导电层220是透明的，材料选自ITO(Indium Tin Oxide)、FTO(Fluorine-dopedTin Oxide)、AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide)中的一种或多种的组合。
参考图3至图5，Micro LED 200进一步包括顶部绝缘介质层250。顶部绝缘介质层250连续不断地覆盖在Micro LED 200的顶部表面。顶部绝缘介质层250是透明的，材料是SiO2、SiN、SiON或Al2O3中的一种或多种的组合。
参考图3至图5，Micro LED 200进一步包括微透镜260。微透镜260位于顶部绝缘介质层250的上方，每个微透镜260覆盖一个Micro LED 200的像素区域。微透镜260的底部直径大于发光台面210的最大直径。微透镜260的厚度H1小于或等于10μm。在一些实施方式中，微透镜260的材料选自二氧化硅、光刻胶等。
参考图3至图5，驱动背板120包括与Micro LED 200对应的焊点组121。焊点组121包括第一焊点1211、第二焊点1212以及第三焊点1213。第一焊点1211对应于底部连接台面240并且电连接于底部连接台面240，第二焊点1212对应于第一底部电连接结构232a并且电连接于第一底部电连接结构232a，第三焊点1213对应于第二底部电连接结构232b并且电连接于第二底部电连接结构232b。
参考图3，一个发光台面210的厚度H2的范围是0.3μm至3.5μm，底部直径范围是0.5μm至50μm。Micro LED 200(不含微透镜260)的厚度H3的范围是1μm至10μm，直径范围是2μm至200μm。Micro LED显示面板的长度范围是500μm至50000μm，显示面板中Micro LED组成的阵列的分辨率是320×240、640×480、1920×1080、2560×1440中的一种。在一些实施方式中，显示面板中的Micro LED组成的阵列的分辨率还能够是其他数值。
本申请的一些实施例还提供了一种Micro LED显示面板的制造方法。
图9示出了本申请一实施例的Micro LED面板的制造方法的步骤流程图。图13是图2所示Micro LED沿a-a线剖面的制造流程的结构示意图。图14是图2所示Micro LED沿b-b线剖面的制造流程的结构示意图。图15是图2所示Micro LED沿c-c线剖面的制造流程的结构示意图。参考图9，并结合图13中S1和S2，图14中S1和S2，以及图15中S1和S2，该制造方法包括步骤S101至S106。
在步骤S101中，在基板上的多个预设位置形成多个第一底部导电层222a。在一些实施方式中，所述基板是驱动背板120。
在步骤S102中，在每个第一底部导电层222a上分别形成第一发光台面211。进一步地的，在一些实施方式中，在第一发光台面211上形成顶部连接台面214。此时，Micro LED结构可参见图13中S1，图14中S1，和图15中S1所示。
在步骤S103中，在第一发光台面211的四周填充绝缘介质，形成第一绝缘介质层301。
在步骤S104中，在每个第一发光台面211的上方形成第一顶部导电层221a，并使得第一顶部导电层221a与第一发光台面211电连接。
在步骤S105中，在相邻第一发光台面211之间的预设区域沿第一蚀刻路径蚀刻第一绝缘介质层301形成第一蚀刻孔。
在步骤S106中，向第一蚀刻孔中填充导体材料形成顶部电连接结构231，并使得一些导体材料填充至第一绝缘介质层301的上方形成第一顶部连接凸起2331a，第一顶部连接凸起2331a与第一顶部导电层221a电连接。此时，Micro LED结构可参见图15中S2。
在一些实施方式中，参考图13中S1、图14中S1以及图15中S1，在上述步骤S101，在基板上的多个预设位置形成多个第一底部导电层222a之前，进一步包括：在基板上形成底部连接台面240，在底部连接台面240的上表面形成第一底部导电层222a。
参考图10并结合图13中的S3和S4、图14中的S3和S4以及图15中的S3和S4，在一些实施方式中，在上述步骤S106之后，进一步包括步骤S201至S209。
在步骤S201中，在相邻第一发光台面211之间的预设区域沿第二蚀刻路径(图13-15中未示出)蚀刻第一绝缘介质层301形成第二蚀刻孔(图13-15中未示出)。
在步骤S202中，在第二蚀刻孔中填充导体材料形成第一底部电连接结构232a。
在步骤S203中，在第一顶部导电层221a的上方铺设一层第二绝缘介质层302，并使得第二绝缘介质层302覆盖顶部电连接结构231、第一底部电连接结构232a顶部表面。
在步骤S204中，在第二绝缘介质层302的上方形成第二底部导电层222b。
在步骤S205中，在第二底部导电层222b的上方形成第二发光台面212。
在步骤S206中，在相邻第二发光台面212之间的预设区域沿第二蚀刻路径蚀刻第二绝缘介质层302至第一底部电连接结构232a，注入导体材料以增加第一底部电连接结构232a的高度，并使得一些导体材料填充至第二绝缘介质层302的上方形成第一底部连接凸起2332，第一底部连接凸起2332与第二底部导电层222b电连接。
在步骤S207中，在第二发光台面212的周围填充绝缘介质形成第三绝缘介质层303。
在步骤S208中，在第二发光台面212的上方形成第二顶部导电层221b。
在步骤S209中，在相邻第二发光台面212之间分别沿着第一蚀刻路径蚀刻第三绝缘介质层303和第二绝缘介质层302至顶部电连接结构231，并注入导体材料以增加顶部电连接结构231的高度，并使得一些导体材料填充至第三绝缘介质层303的上方形成第二顶部连接凸起2231b，第二顶部连接凸起2231b与第二顶部导电层221b电连接。
参考图11并结合图13中的S5至S6、图14中的S5至S6以及图15中的S5至S6，在一些实施方式中，在上述步骤S203(图10)之前，进一步包括步骤S301至S302，在上述步骤S209(图10)之后进一步包括S303至S309。
在步骤S301中，在相邻第一发光台面211之间的预设区域沿第三蚀刻路径(图13-15中未示出)蚀刻形成第三蚀刻孔(图13-15中未示出)。
在步骤S302中，在第三蚀刻孔中填充导体材料形成第二底部电连接结构232b。
在步骤S303中，在相邻第二发光台面212之间沿第三蚀刻路径蚀刻第三绝缘介质层303至第二底部电连接结构232b后注入导体材料以增加第二底部电连接结构232b的高度。
在步骤S304中，在第二顶部导电层221b的上方铺设一层第四绝缘介质层304，并使得第四绝缘介质层304覆盖顶部电连接结构231、第一底部电连接结构232a以及第二底部电连接结构232b的顶部表面。
在步骤S305中，在第四绝缘介质层304的上方形成第三底部导电层222c。
在步骤S306中，在第三底部导电层222c的上方形成第三发光台面213。
在步骤S307中，在相邻第三发光台面213之间沿着第三蚀刻路径蚀刻第四绝缘介质层306至第二底部电连接结构232b，并注入导体材料以增加第二底部电连接结构232b的高度，并使得一些导体材料填充至第四绝缘介质层304的上方形成第二底部连接凸起2333，第二底部连接凸起2333与第三底部导电层222c电连接。
在步骤S308中，在第三发光台面213的上方形成第三顶部导电层221c。
在步骤S309中，在第三发光台面213的周围填充绝缘介质形成第五绝缘介质层305。
在步骤S310中，在相邻第三发光台面213之间分别沿着第一蚀刻路径蚀刻第五绝缘介质层305和第四绝缘介质层304至顶部电连接结构231，并注入导体材料以增加顶部电连接结构231的高度，并使得一些导体材料填充至第五绝缘介质层305的上方形成第三顶部连接凸起2231c，第三顶部连接凸起2231c与第三顶部导电层221c电连接。
在步骤S311中，沿第二蚀刻路径蚀刻第五绝缘介质层305和第四绝缘介质层304至第一底部电连接结构232a，并注入导体材料以增加第一底部电连接结构232a的高度、沿第三蚀刻路径蚀刻第五绝缘介质层305和第四绝缘介质层304至第二底部电连接结构232b后注入导体材料以增加第二底部电连接结构232b的高度。
参考图12并结合图13中的S7、图14中的S7以及图15中的S7，在一些实施方式中，Micro LED显示面板的制造方法，在步骤S311(图11)之后，进一步包括步骤S401至S405。
在步骤S401中，在顶部电连接结构231、第一底部电连接结构232a以及第二底部电连接结构232b的顶部表面上形成第六绝缘介质层306。
在步骤S402中，沿第一蚀刻路径蚀刻绝缘介质至顶部电连接结构231后注入导体材料以增加顶部电连接结构231的高度与第六绝缘介质层306齐平。
在步骤S403中，在第六绝缘介质层306的上方环绕像素区域注入导体材料形成顶部串联结构234，并使得顶部串联结构234电连接于顶部电连接结构231。
在步骤S404中，在第六绝缘介质层306的上方继续铺设绝缘介质形成顶部绝缘介质层250，覆盖顶部串联结构234。
在步骤S405中，在顶部绝缘介质层250的上方对应发光台面(211、212、213)的位置设置微透镜260。在一些实施方式中，微透镜260可以通过覆盖光刻胶后蚀刻形成。在一些实施方式中，可以在顶部绝缘介质层250的上方放置相应的微透镜260，微透镜260的底部和顶部绝缘介质层250的顶部连接。
在一些实施方式中，第一发光台面211、第二发光台面212以及第三发光台面213同轴设置。
本申请的Micro LED显示面板的制造方法将电连接结构向发光台面的一侧延伸形成连接凸起，使得连接凸起与导电层电连接。由于连接凸起由电连接结构向外延伸而成，具有较高的结构强度，使得电连接结构与导电层之间的连接更加稳定。
应当注意的是，本文中的关系术语，诸如“第一”和“第二”，仅用于将实体或操作与另一个实体或操作区分开来，而不要求或暗示这些实体或操作之间的任何实际关系或顺序。此外，词语“包括”、“具有”和“包含”以及其他类似的形式旨在是在意义上是等效的，并且是开放式的，在这些词语中的任何一个后面的一个或多个项并不意味着是这样一个或多个项的详尽列表，或者意味着仅限于所列出的一个或多个项。
如本文所使用的，除非另有明确说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除非不可行。例如，如果声明一个部件可以包括A或B，则除非另有明确声明或不可行，否则所述部件可以包括A、或B、或A和B。作为第二例子，如果声明一个部件可以包括A、B或C，则除非另有明确说明或不可行，否则所述部件可以包括A、或B、或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。
在前面的说明书中，已经参考许多具体细节描述了实施方式，这些细节可以因实现方式而异。可以对所描述的实施方案进行某些改动和修改。考虑到在此公开的本申请的说明书和实践，其他实施方案对于本领域技术人员而言是清楚的。说明书和例子旨在被视为仅是示例性的，本申请的真实范围和精神是通过以下权利要求来指示的。附图中示出的步骤顺序也旨在仅用于说明目的，而不旨在限于任何特定的步骤顺序。因此，本领域技术人员可以理解，这些步骤可以在实现相同方法的同时以不同的顺序执行。
在附图和说明书中，已经公开了示例性实施方案。然而，可以对这些实施方案进行许多变化和修改。因此，尽管采用了特定的术语，但它们仅用于一般性和描述性的意义，而不是出于限制的目的。

Claims (22)

1.一种Micro LED显示面板，其特征在于，包括：
Micro LED阵列，所述Micro LED阵列包括多个Micro LED，其中每个所述Micro LED包括至少两个发光台面，所述至少两个发光台面沿垂直方向自下而上堆叠设置，和位于每一所述发光台面上下两侧的导电层，所述导电层包括设置于每个所述发光台面上方的顶部导电层和设置于每个所述发光台面下方的底部导电层；
驱动背板，所述驱动背板设置于所述Micro LED阵列的底部，用于控制所述多个MicroLED；以及
电连接结构，所述电连接结构包括顶部电连接结构和底部电连接结构，所述顶部电连接结构电连接于所述顶部导电层，每个所述底部电连接结构对应电连接于一个所述底部导电层；所述电连接结构设置于所述发光台面的周围；
所述电连接结构靠近所述发光台面的一侧具有向所述发光台面延伸的连接凸起，所述连接凸起与所述导电层电连接。
2.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述连接凸起对应设置于所述导电层的上方。
3.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述连接凸起与所述导电层齐平。
4.根据权利要求3所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述连接凸起包括第一连接凸起部和第二连接凸起部，所述第一连接凸起部与所述导电层齐平，所述第二连接凸起部设置于所述导电层的上方，所述第一连接凸起部和所述第二连接凸起部分别电连接于所述导电层。
5.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，不同所述发光台面的所述顶部导电层对应电连接于同一个所述顶部电连接结构。
6.根据权利要求5所述的Micro LED显示面板，其特征在于，不同所述发光台面的所述顶部导电层对应的连接凸起位于同一竖直截面内。
7.根据权利要求6所述的Micro LED显示面板，其特征在于，不同所述发光台面的所述底部导电层对应的连接凸起位于同一竖直截面内。
8.根据权利要求6所述的Micro LED显示面板，其特征在于，不同所述发光台面的所述底部导电层对应的连接凸起位于不同竖直截面内。
9.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述连接凸起靠近所述发光台面的一端具有一斜面。
10.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述连接凸起横向延伸的距离小于所述发光台面与所述电连接结构之间的距离。
11.根据权利要求10所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述连接凸起的横向延伸距离范围在0.1um至5um之间。
12.根据权利要求10所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述连接凸起的厚度小于所述发光台面的厚度。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述MicroLED进一步包括位于最底层的所述发光台面和所述驱动背板之间的底部连接台面，所述底部连接台面电连接于所述驱动背板和最底部的所述发光台面。
14.根据权利要求13所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述驱动背板包括与Micro LED阵列对应的焊点组阵列，其中一个焊点组对应一个Micro LED，所述至少两个发光台面包括自上而下堆叠设置的第一发光台面、第二发光台面以及第三发光台面，其中所述焊点组包括：
第一焊点，连接于所述底部连接台面；
第二焊点，连接于第一底部电连接结构，所述第一底部电连接结构连接于所述第一发光台面底部的底部导电层；以及
第三焊点，连接于第二底部电连接结构，所述第二底部电连接结构连接于所述第二发光台面底部的底部导电层。
15.根据权利要求14所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述第一发光台面发红光，所述第二发光台面发绿光，所述第三发光台面发蓝光。
16.根据权利要求1所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述Micro LED的厚度范围是1μm至10μm，直径范围是2μm至200μm。
17.根据权利要求16所述的Micro LED显示面板，其特征在于，一个所述发光台面的厚度范围是0.3μm至3.5μm，所述发光台面的底部直径范围是0.5μm至50μm。
18.根据权利要求17所述的Micro LED显示面板，其特征在于，所述显示面板的长度范围是500μm至50000μm；所述显示面板中的所述Micro LED组成的阵列的分辨率是320×240、640×480、1920×1080、2560×1440中的一种。
19.一种Micro LED显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上的多个预设位置形成多个第一底部导电层；
在每个所述第一底部导电层上分别形成第一发光台面；
在所述第一发光台面的四周填充绝缘介质，形成第一绝缘介质层；
在每个所述第一发光台面的上方形成第一顶部导电层，并使得所述第一顶部导电层与所述第一发光台面电连接；
在相邻所述第一发光台面之间的预设区域沿第一蚀刻路径蚀刻所述第一绝缘介质层形成第一蚀刻孔；以及
向所述第一蚀刻孔中填充导体材料形成顶部电连接结构，并使得一些所述导体材料填充至所述第一绝缘介质层的上方形成第一顶部连接凸起，所述第一顶部连接凸起与所述第一顶部导电层电连接。
20.根据权利要求19所述的Micro LED显示面板的制造方法，其特征在于，向所述第一蚀刻孔中填充导体材料形成顶部电连接结构步骤之后，进一步包括：
在相邻所述第一发光台面之间的预设区域沿第二蚀刻路径蚀刻所述第一绝缘介质层形成第二蚀刻孔；
向所述第二蚀刻孔中填充导体材料形成第一底部电连接结构；
在所述第一顶部导电层的上方铺设一层第二绝缘介质层，并使得所述第二绝缘介质层覆盖所述顶部电连接结构和所述第一底部电连接结构的顶部表面；
在所述第二绝缘介质层的上方形成第二底部导电层；
在所述第二底部导电层的上方形成第二发光台面；
在相邻所述第二发光台面之间的预设区域沿所述第二蚀刻路径蚀刻所述第二绝缘介质层至所述第一底部电连接结构，注入导体材料以增加所述第一底部电连接结构的高度，并使得一些所述导体材料填充至所述第二绝缘介质层的上方形成第二连接凸起，所述第二连接凸起与所述第二底部导电层电连接；
在所述第二发光台面的周围填充绝缘介质形成第三绝缘介质层；
在所述第二发光台面的上方形成第二顶部导电层；以及
在相邻所述第二发光台面之间分别沿着所述第一蚀刻路径蚀刻所述第三绝缘介质层和所述第二绝缘介质层至所述顶部电连接结构，并注入导体材料以增加所述顶部电连接结构的高度，并使得一些所述导体材料填充至所述第三绝缘介质层的上方形成第二顶部连接凸起，所述第二顶部连接凸起与所述第二顶部导电层电连接。
21.根据权利要求20所述的Micro LED显示面板的制造方法，其特征在于，在所述第一顶部导电层的上方铺设一层第二绝缘介质层，并使得所述第二绝缘介质层覆盖所述顶部电连接结构和所述第一底部电连接结构的顶部表面步骤之前，进一步包括：
在相邻所述第一发光台面之间的预设区域沿第三蚀刻路径蚀刻形成第三蚀刻孔；以及
在所述第三蚀刻孔中填充导体材料形成第二底部电连接结构；
在相邻所述第二发光台面之间的预设区域沿所述第二蚀刻路径蚀刻所述第二绝缘介质层至所述第一底部电连接结构步骤之后，进一步包括：
在相邻所述第二发光台面之间沿所述第三蚀刻路径蚀刻所述刻第三绝缘介质层至所述第二底部电连接结构，并注入导体材料以增加所述第二底部电连接结构的高度；
在所述第二顶部导电层的上方铺设第四绝缘介质层，并使得所述第四绝缘介质层覆盖所述顶部电连接结构、所述第一底部电连接结构以及所述第二底部电连接结构的顶部表面；
在所述第四绝缘介质层的上方形成第三底部导电层；
在所述第三底部导电层的上方形成第三发光台面；
在相邻所述第三发光台面之间沿着所述第三蚀刻路径蚀刻所述第四绝缘介质层至所述第二底部电连接结构，并注入导体材料以增加所述第二底部电连接结构的高度，并使得一些所述导体材料填充至所述第四绝缘介质层的上方形成第二底部连接凸起，所述第二底部连接凸起与所述第三底部导电层电连接；
在所述第三发光台面的上方形成第三顶部导电层；
在所述第三发光台面的周围填充绝缘介质形成第五绝缘介质层；
在相邻所述第三发光台面之间分别沿着所述第一蚀刻路径蚀刻所述第五绝缘介质层和所述第四绝缘介质层刻绝缘介质至所述顶部电连接结构，并注入导体材料以增加所述顶部电连接结构的高度，并使得一些所述导体材料填充至所述第五绝缘介质层的上方形成第五连接凸起，所述第五连接凸起与所述第三顶部导电层电连接；以及
沿着所述第二蚀刻路径蚀刻所述第五绝缘介质层和所述第四绝缘介质层至所述第一底部电连接结构，并注入导体材料以增加所述第一底部电连接结构的高度、沿所述第三蚀刻路径蚀刻所述第五绝缘介质层和所述第四绝缘介质层至所述第二底部电连接结构后注入导体材料以增加所述第二底部电连接结构的高度。
22.根据权利要求21所述的Micro LED显示面板的制造方法，其特征在于，进一步包括：
在所述顶部电连接结构、所述第一底部电连接结构以及所述第二底部电连接结构的顶部表面上形成第六绝缘介质层；
沿所述第一蚀刻路径蚀刻所述第六绝缘介质至所述顶部电连接结构，并注入导体材料以增加所述顶部电连接结构的高度与所述第六绝缘介质层齐平；
在所述第六绝缘介质层的上方环绕像素区域注入导体材料形成顶部串联结构，并使得所述顶部串联结构电连接于所述顶部电连接结构；
在所述第六绝缘介质层的上方继续铺设绝缘介质形成顶部绝缘介质层，并覆盖所述顶部串联结构；以及
在所述顶部绝缘介质层的上方对应所述发光台面的位置形成微透镜。
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