CN117253675A - 一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及导电膜制备技术领域，具体涉及一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置及方法，包括制备模块、成型模块和检测模块，成型模块包括成型单元、退火单元和运输单元，制备模块用于反应预制铜前溶液，运输单元运输基板；所述成型单元，用于对基板湿法加工制备半成品薄膜，退火单元对所述半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜，检测模块再对所述透明导电薄膜进行质量检测，并剔除透明导电薄膜中的不良品，该装置无需前期制备透明导电薄膜材料，直接在基板上将铜前体溶液喷涂形成透明导电薄膜，将制备透明导电薄膜材料的过程、透明导电薄膜材料与基底板结合的过程合并，较传统制备工艺而言，简化了较为繁琐步骤。
Description
技术领域
本发明涉及导电膜制备技术领域，尤其涉及一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置及方法。
背景技术
透明导电薄膜就是兼顾了透明与导电两种性质，既在可见光范围内高度透明又具有良好导电性的薄膜。由于其透明导电的特性使其在薄膜太阳能电池、平板显示器、发光二极管和低辐射玻璃等方面有着重大的应用价值。
制备透明导电薄膜的方法较多，但都是先制备出透明导电薄膜材料，之后再通过其他的方法如磁控溅射法、真空真镀法和化学气相沉积法等方法将透明导电薄膜材料与基底板结合，但上述需要提前制备透明导电薄膜材料，制备方法步骤较为繁琐，难以实现大规模生产。
发明内容
本发明的目的在于提供一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置及方法，旨在解决现有透明导电薄膜制备方法，需要提前制备透明导电薄膜材料，制备步骤较为繁琐的问题。
为实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置及方法，包括制备模块、成型模块和检测模块，所述制备模块、所述成型模块和所述检测模块依次连接，所述成型模块包括成型单元、退火单元和运输单元，所述运输单元分别与所述成型单元和所述退火单元连接；
所述制备模块，用于反应预制铜前溶液；
所述运输单元，用于运输基板；
所述成型单元，用于对所述基板进行湿法加工，制备半成品薄膜；
所述退火单元，用于对所述半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜；
所述检测模块，用于对所述透明导电薄膜进行质量检测，并剔除所述透明导电薄膜中的不良品。
其中，所述成型单元包括感应子单元和喷涂子单元，所述感应子单元和所述喷涂子单元连接；
所述感应子单元，用于感应所述运输单元运输的所述基板，得到感应信号；
所述喷涂子单元，基于所述感应信号对所述基板喷涂所述铜前溶液，得到所述半成品薄膜。
其中，所述退火单元包括加热子单元和冷却子单元，所述加热子单元和所述冷却子单元连接；
所述加热子单元，用于加热所述半成品薄膜，得到高温薄膜；
所述冷却子单元，用于对所述高温薄膜进行冷却降温处理，得到所述透明导电薄膜。
其中，所述制备模块包括反应单元和离心单元，所述反应单元和所述离心单元连接；
所述反应单元，用于加热混合预制反应溶液；
所述离心单元，用于离心分离所述反应溶液，得到所述铜前溶液。
其中，所述反应单元包括反应子单元、预热子单元和搅拌子单元，所述反应子单元、所述预热子单元和所述搅拌子单元依次连接；
所述反应子单元，用于反应预制所述反应溶液；
所述预热子单元，用于加热所述反应子单元内的原料；
所述搅拌子单元，用于搅拌混合所述反应子单元内的原料。
其中，所述检测模块包括检测单元、标记单元和剔除单元，所述检测单元、所述标记单元和所述剔除单元依次连接；
所述检测单元，用于检测所述透明导电薄膜；
所述标记单元，用于对所述透明导电薄膜中的不良品进行标记，得到剔除标记；
所述剔除单元，基于所述剔除标记剔除不良品。
第二方面，本发明还提供了一种透明导电薄膜湿法加工成膜方法，包括以下步骤：
向制备模块中加入反应原料预制铜前溶液；
成型模块向基板湿法加工喷涂铜前溶液，得到半成品薄膜，并对半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜；
检测模块对所述透明导电薄膜进行质量检测，剔除不良品。
本发明的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置及方法，所述制备模块反应预制铜前溶液，所述运输单元向所述成型单元运输基板，所述成型单元对所述基板进行湿法加工，制备半成品薄膜，所述退火单元对所述半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜，所述检测模块对所述透明导电薄膜进行质量检测，并剔除所述透明导电薄膜中的不良品，该装置无需前期制备透明导电薄膜材料，直接在基板上将铜前体溶液喷涂形成透明导电薄膜，将制备透明导电薄膜材料的过程、透明导电薄膜材料与基底板结合的过程合并，较传统透明导电薄膜制备工艺而言，简化了较为繁琐步骤，解决现有透明导电薄膜制备方法，需要提前制备透明导电薄膜材料，制备步骤较为繁琐的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置的连接示意图。
图2是本发明提供的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置的成型单元示意图。
图3是本发明提供的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置的退火单元示意图。
图4是本发明提供的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置的制备模块示意图。
图5是本发明提供的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置的检测模块示意图。
图6是本发明提供的一种透明导电薄膜湿法加工成膜方法的流程图。
图中：1-制备模块、2-成型模块、3-检测模块、4-成型单元、5-退火单元、6-运输单元、7-感应子单元、8-喷涂子单元、9-加热子单元、10-冷却子单元、11-反应单元、12-离心单元、13-反应子单元、14-预热子单元、15-搅拌子单元、16-检测单元、17-标记单元、18-剔除单元、19-扫描子单元、20-判断子单元、21-存储子单元、22-标记子单元。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
请参阅图1至图5，第一方面，本发明提供一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置，包括制备模块1、成型模块2和检测模块3，所述制备模块1、所述成型模块2和所述检测模块3依次连接，所述成型模块2包括成型单元4、退火单元5和运输单元6，所述运输单元6分别与所述成型单元4和所述退火单元5连接；
所述制备模块1，用于反应预制铜前溶液；
所述运输单元6，用于运输基板；
所述成型单元4，用于对所述基板进行湿法加工，制备半成品薄膜；
所述退火单元5，用于对所述半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜；
所述检测模块3，用于对所述透明导电薄膜进行质量检测，并剔除所述透明导电薄膜中的不良品。
在本实施方案中，所述制备模块1反应预制铜前溶液，所述运输单元6向所述成型单元4运输基板，所述成型单元4对所述基板进行湿法加工，制备半成品薄膜，所述退火单元5对所述半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜，所述检测模块3对所述透明导电薄膜进行质量检测，并剔除所述透明导电薄膜中的不良品，该装置无需前期制备透明导电薄膜材料，直接在基板上将铜前体溶液喷涂形成透明导电薄膜，将制备透明导电薄膜材料的过程、透明导电薄膜材料与基底板结合的过程合并，较传统透明导电薄膜制备工艺而言，简化了较为繁琐步骤，解决现有透明导电薄膜制备方法，需要提前制备透明导电薄膜材料，制备步骤较为繁琐的问题。
进一步的，所述成型单元4包括感应子单元7和喷涂子单元8，所述感应子单元7和所述喷涂子单元8连接；所述退火单元5包括加热子单元9和冷却子单元10，所述加热子单元9和所述冷却子单元10连接；
所述感应子单元7，用于感应所述运输单元6运输的所述基板，得到感应信号；
所述喷涂子单元8，基于所述感应信号对所述基板喷涂所述铜前溶液，得到所述半成品薄膜；
所述加热子单元9，用于加热所述半成品薄膜，得到高温薄膜；
所述冷却子单元10，用于对所述高温薄膜进行冷却降温处理，得到所述透明导电薄膜。
在本实施方案中，所述感应子单元7感应所述运输单元6运输的所述基板，得到感应信号，所述喷涂子单元8根据所述感应信号对所述基板喷涂所述铜前溶液，得到所述半成品薄膜，所述加热子单元9再对所述半成品薄膜进行加热，将所述半成品薄膜加热到160-220℃，保持0.2-1分钟后退火，得到高温薄膜；所述冷却子单元10对所述高温薄膜进行冷却降温处理，得到所述透明导电薄膜。
进一步的，所述制备模块1包括反应单元11和离心单元12，所述反应单元11和所述离心单元12连接；所述反应单元11包括反应子单元13、预热子单元14和搅拌子单元15，所述反应子单元13、所述预热子单元14和所述搅拌子单元15依次连接；
所述反应单元11，用于加热混合预制反应溶液；
所述离心单元12，用于离心分离所述反应溶液，得到所述铜前溶液；
所述反应子单元13，用于反应预制所述反应溶液；
所述预热子单元14，用于加热所述反应子单元13内的原料；
所述搅拌子单元15，用于搅拌混合所述反应子单元13内的原料。
在本实施方案中，将氧化铜(CuO)或氧化亚铜(Cu2O)和无水乙醇放入所述反应子单元13中，通过所述预热子单元14加热至温度40-70℃，且所述搅拌子单元15搅拌，同时加入0.1-6mL二硫化碳和1-10mL胺类化合物，所述搅拌子单元15搅拌搅拌至氧化铜(CuO)或氧化亚铜(Cu2O)完全溶解，得到反应溶液，最后经所述离心单元12将所述反应溶液离心分离，得到铜前溶液。
进一步的，所述检测模块3包括检测单元16、标记单元17和剔除单元18，所述检测单元16、所述标记单元17和所述剔除单元18依次连接；
所述检测单元16，用于检测所述透明导电薄膜；
所述标记单元17，用于对所述透明导电薄膜中的不良品进行标记，得到剔除标记；
所述剔除单元18，基于所述剔除标记剔除不良品。
在本实施方案中，通过所述检测单元16对所述透明导电薄膜进行X射线检测，筛选不良品，所述标记单元17对所述透明导电薄膜中的不良品进行标记，得到剔除标记，最后所述剔除单元18依据所述剔除标记剔除不良品。
进一步的，所述检测单元16包括扫描子单元19和判断子单元20，所述扫描子单元19和所述判断子单元20连接；
所述扫描子单元19，用于对所述透明导电薄膜进行扫描，得到扫描结果；
所述判断子单元20，用于对所述扫描结果进行判断，得到不良品。
在本实施方案中，通过所述扫描子单元19对所述透明导电薄膜进行扫描，得到扫描结果，所述判断子单元20对所述扫描结果进行判断，筛选不良品。
进一步的，所述标记单元17包括存储子单元21和标记子单元22，所述存储子单元21和所述标记子单元22连接；
所述存储子单元21，用于存储标记所用的油墨；
所述标记子单元22，用于标记所述透明导电薄膜中的不良品进行标记。
在本实施方案中，所述标记子单元22吸取所述存储子单元21中的油墨，并将油门喷出作用于筛选出的不良品上，对不良品进行标记。
请查阅图6，本发明还提供了一种透明导电薄膜湿法加工成膜方法，包括以下步骤：
S1向制备模块1中加入反应原料预制铜前溶液；
具体的，将氧化铜(CuO)或氧化亚铜(Cu2O)和无水乙醇放入所述反应子单元13中，通过所述预热子单元14加热至温度40-70℃，且所述搅拌子单元15搅拌，同时加入0.1-6mL二硫化碳和1-10mL胺类化合物，所述搅拌子单元15搅拌搅拌至氧化铜(CuO)或氧化亚铜(Cu2O)完全溶解，得到反应溶液，最后经所述离心单元12将所述反应溶液离心分离，得到铜前溶液。
S2成型模块2向基板湿法加工喷涂铜前溶液，得到半成品薄膜，并对半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜；
具体的，所述感应子单元7感应所述运输单元6运输的所述基板，得到感应信号，所述喷涂子单元8根据所述感应信号对所述基板喷涂所述铜前溶液，得到所述半成品薄膜，所述加热子单元9再对所述半成品薄膜进行加热，将所述半成品薄膜加热到160-220℃，保持0.2-1分钟后退火，得到高温薄膜，所述冷却子单元10对所述高温薄膜进行冷却降温处理，得到所述透明导电薄膜。
S3检测模块3对所述透明导电薄膜进行质量检测，剔除不良品。
具体的，通过所述扫描子单元19对所述透明导电薄膜进行X射线扫描检测，得到扫描结果，所述判断子单元20对所述扫描结果进行判断，筛选不良品，所所述标记子单元22吸取所述存储子单元21中的油墨，并将油门喷出作用于筛选出的不良品上，对不良品进行标记，得到剔除标记，最后所述剔除单元18依据所述剔除标记剔除不良品。
以上所揭露的仅为本发明一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置及方法较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置，其特征在于，
包括制备模块、成型模块和检测模块，所述制备模块、所述成型模块和所述检测模块依次连接，所述成型模块包括成型单元、退火单元和运输单元，所述运输单元分别与所述成型单元和所述退火单元连接；
所述制备模块，用于反应预制铜前溶液；
所述运输单元，用于运输基板；
所述成型单元，用于对所述基板进行湿法加工，制备半成品薄膜；
所述退火单元，用于对所述半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜；
所述检测模块，用于对所述透明导电薄膜进行质量检测，并剔除所述透明导电薄膜中的不良品。
2.如权利要求1所述的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置，其特征在于，
所述成型单元包括感应子单元和喷涂子单元，所述感应子单元和所述喷涂子单元连接；
所述感应子单元，用于感应所述运输单元运输的所述基板，得到感应信号；
所述喷涂子单元，基于所述感应信号对所述基板喷涂所述铜前溶液，得到所述半成品薄膜。
3.如权利要求1所述的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置，其特征在于，
所述退火单元包括加热子单元和冷却子单元，所述加热子单元和所述冷却子单元连接；
所述加热子单元，用于加热所述半成品薄膜，得到高温薄膜；
所述冷却子单元，用于对所述高温薄膜进行冷却降温处理，得到所述透明导电薄膜。
4.如权利要求1所述的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置，其特征在于，
所述制备模块包括反应单元和离心单元，所述反应单元和所述离心单元连接；
所述反应单元，用于加热混合预制反应溶液；
所述离心单元，用于离心分离所述反应溶液，得到所述铜前溶液。
5.如权利要求4所述的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置，其特征在于，
所述反应单元包括反应子单元、预热子单元和搅拌子单元，所述反应子单元、所述预热子单元和所述搅拌子单元依次连接；
所述反应子单元，用于反应预制所述反应溶液；
所述预热子单元，用于加热所述反应子单元内的原料；
所述搅拌子单元，用于搅拌混合所述反应子单元内的原料。
6.如权利要求1所述的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置，其特征在于，
所述检测模块包括检测单元、标记单元和剔除单元，所述检测单元、所述标记单元和所述剔除单元依次连接；
所述检测单元，用于检测所述透明导电薄膜；
所述标记单元，用于对所述透明导电薄膜中的不良品进行标记，得到剔除标记；
所述剔除单元，基于所述剔除标记剔除不良品。
7.一种透明导电薄膜湿法加工成膜方法，应用于如权利要求1所述的一种透明导电薄膜湿法加工成膜装置，其特征在于，包括以下步骤：
向制备模块中加入反应原料预制铜前溶液；
成型模块向基板湿法加工喷涂铜前溶液，得到半成品薄膜，并对半成品薄膜进行退火处理，得到透明导电薄膜；
检测模块对所述透明导电薄膜进行质量检测，剔除不良品。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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