CN117242587A - 使用半导体发光元件的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明适用于显示装置相关技术领域，并且例如涉及一种使用微型发光二极管(LED)的表面光源装置。本发明包括：布线板，该布线板上限定有多个单位像素区；布线电极，位于布线板上的布线电极包括第一像素区中的第一布线电极和位于布线板上的第二像素区中的第二布线电极；第一发光元件，该第一发光元件电连接至第一布线电极；以及第二发光元件，该第二发光元件电连接至第二布线电极，其中，第一发光元件和第二发光元件具有通过侧表面向一侧倾斜而形成的倾斜角度，并且第一发光元件和第二发光元件可以是相对于该倾斜角度对称放置的。

Description

使用半导体发光元件的显示装置
技术领域
本公开适用于显示装置相关技术领域，并且例如涉及一种使用微型发光二极管(LED)的显示装置。
背景技术
近来，在显示技术领域中开发出了具有诸如轻薄和柔性的优异特性的显示装置。目前，市售的主要显示器代表是液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)。
在一个示例中，作为众所周知的将电流转换成光的半导体发光器件的发光二极管(LED)已被用作电子装置中显示的图像的光源，该电子装置包括信息和通信装置以及基于GaP:N的绿色LED，这是从1962年使用GaAsP化合物半导体的红色LED的商业化开始的。
近来，这样的发光二极管(LED)已经逐渐小型化并且被制造为微米尺寸的LED以用于显示装置的像素或平面照明。
蓝宝石(其用作生长有氮化镓基半导体的基板)具有倾斜的晶体表面。例如，R平面具有沿着m轴倾斜的晶体表面。普通蓝宝石可以具有作为生长平面的R平面。因为R平面具有相对于六方棱镜晶体形状倾斜的表面，所以蓝宝石基板和在蓝宝石基板的晶体表面上生长的氮化镓基半导体可能具有这样的倾斜角度。
另外，在发光器件形成为蓝宝石基板上的氮化镓基半导体然后沿蓝宝石基板的晶体表面的方向切割该发光器件时，也可能形成这样的倾斜角度。
因此，当发光器件以一般布置安装在布线基板上并且发光时，单个子像素可能被构造为具有相对于用于连接针对一个发光器件的两个电极焊盘的方向的非对称光分布的状态并且该单个子像素可以构成显示装置：。
因此，当显示装置形成有具有非对称光分布的个体子像素时，问题在于，当从外部观看显示装置时可能显示器显示的颜色根据观看方向而不同地出现。
另外，由于由发光器件的信号电极/公共电极之间的极性差异形成的电场，可能出现不期望的寄生电容。
因此，即使当电场消散时，仍可能无法正常地执行寄生电容的放电，因此可能出现相邻发光器件被不期望地导通的情况。
对应效果可能通过显示装置中使用的发光器件的总数累积，并且最终，显示产品单元中可能出现重影现象。
因此，需要一种能够解决这一问题的方法。
发明内容
技术问题
本公开将提供一种使用半导体发光器件的显示装置，其可以消除发光器件的由发光器件的结晶度引起的偏置光分布。
另外，本公开将提供一种使用半导体发光器件的显示装置，其可以解决当从外部观看显示装置时显示器的颜色根据观看方向而不同地呈现的问题。
另外，本公开将提供一种使用半导体发光器件的显示装置，其可以减小由发光器件之间的电极性差异引起的寄生电容。
另外，本公开将提供一种使用半导体发光器件的显示装置，其可以消除由发光器件之间的电极性差异产生的电场。
另外，根据本公开的一个实施方式，本公开将提供一种使用半导体发光器件的显示装置，当从一侧观看显示器时，该显示装置可以在视觉上加强具有弱颜色的区域以校正在左侧和右侧感知的显示器色差。
技术方案
根据本公开的第一方面，一种使用发光器件的显示装置包括：布线基板，布线基板上限定有多个单位像素区；布线电极，位于布线基板上的布线电极包括设置在第一像素区中的第一布线电极和设置在第二像素区中的第二布线电极；第一发光器件，第一发光器件电连接至第一布线电极；以及第二发光器件，第二发光器件电连接至第二布线电极，其中，第一发光器件和第二发光器件具有在侧表面向一侧倾斜的状态下的倾斜角度，并且第一发光器件和第二发光器件是相对于倾斜角度对称地设置的。
根据一个示例性实施方式，第一发光器件和第二发光器件以电极位置彼此对称的方式设置。
根据一个示例性实施方式，发光器件包括第一类型电极和第二类型电极，并且具有相对于连接第一类型电极和第二类型电极的方向的非对称光分布。
根据一个示例性实施方式，通过第一发光器件和第二发光器件的对称位置抵消非对称光分布。
根据一个示例性实施方式，第一发光器件和第二发光器件是相对于第一像素区与第二像素区之间的中心对称地设置的。
根据一个示例性实施方式，第一发光器件和第二发光器件发出相同颜色的光。
根据一个示例性实施方式，第一发光器件和第二发光器件是成对重复地布置的。
根据一个示例性实施方式，第一发光器件和第二发光器件的倾斜角度是由于发光器件的半导体材料的结晶度引起的。
根据一个示例性实施方式，第一发光器件和第二发光器件具有平行四边形的截面或侧表面。
根据一个示例性实施方式，第一发光器件和第二发光器件具有用于远离彼此移动的倾斜角度或用于接近彼此的倾斜角度。
根据本公开的第二方面，一种使用发光器件的显示装置包括：布线基板，布线基板上定义有多个单位像素区；布线电极，位于布线基板上的布线电极包括设置在第一像素区中的第一布线电极和设置在第二像素区中的第二布线电极；第一发光器件，第一发光器件电连接至第一布线电极；以及第二发光器件，第二发光器件电连接至第二布线电极，其中，第一发光器件和第二发光器件分别具有第一类型电极和第二类型电极，并且具有相对于连接第一类型电极和第二类型电极的方向的非对称光分布，并且第一发光器件和第二发光器件对称设置以抵消非对称光分布。
有益效果
根据本公开的一个实施方式，获得以下效果。
首先，根据本公开的一个实施方式，发光器件的由发光器件的结晶度导致的偏置光分布可以彼此抵消。也就是说，可以抵消发光器件的非对称光分布。
因此，可以解决当从外部观看显示装置时显示器的颜色根据观看方向而不同地呈现的问题。
另外，根据本公开的一个实施方式，可以减小因发光器件的电极性差异生成的寄生电容。
另外，可以减少由于这样的寄生电容而可能出现的重影现象。
另外，根据本公开的一个实施方式，可以消除因发光器件之间的电极性差异产生的电场。
另外，根据本公开的一个实施方式，当从一个方向观看显示器时，可以在视觉上加强具有弱颜色的区域以校正显示器的左侧与右侧之间的色差。因此，可以获得提高显示装置最终产品阶段的色视角的效果。
此外，根据本公开的另一实施方式，存在这里没有提及附加技术效果。本领域技术人员可以通过本文档和附图的全部含义来理解这一点。
附图说明
图1是根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意图。
图2是例示了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的子像素布置的具体示例的示意图。
图3是示出了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的子像素布置的另一具体示例的示意图。
图4是示意性地例示了图2和图3中的子像素布置的图。
图5是例示了根据本公开的本示例的使用半导体发光器件的显示装置的子像素布置的示意图。
图6是例示了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的子像素布置的效果的示意图。
图7是例示了形成根据图2的子像素布置的处理的示意图。
图8是示出了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的单个发光器件的侧面图片。
图9是例示了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的单个发光器件的倾斜角度的示意图。
图10示意性地例示了蓝宝石的晶体表面和晶体方向。
图11示出了示出根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的发光器件的侧面图片。
图12示出了例示根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的发光器件的倾斜角度的示意图。
图13是例示了根据本公开的一个实施方式的在使用半导体发光器件的显示装置中使用的发光器件的光分布的示例的曲线图。
图14是例示了根据本公开的一个实施方式的在使用半导体发光器件的显示装置中使用的发光器件的光分布的另一示例的曲线图。
图15示出了由于图13或图14所示的偏置光分布彼此抵消而均匀化的光分布。
图16至图19是例示了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置中光分布根据层叠步骤逐渐变得对称的处理的曲线图。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开的实施方式，附图例示了这些实施方式的示例。只要有可能，就将在整个附图中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件，并且将省略其冗余描述。如本文所使用的，后缀“模块”和“单元”可互换地添加或使用以便于本说明书的准备，并且不旨在暗示不同的含义或功能。在描述本说明书中公开的实施方式时，可能不详细描述相关的公知技术，以免模糊本说明书中公开的实施方式的主题。另外，应注意，附图仅是为了便于理解本说明书中所公开的实施方式，而不应被理解为对本说明书中所公开的技术精神的限制。
此外，尽管为了简单而单独描述了附图，但是通过组合至少两个或更多个附图而实现的实施方式也在本公开的范围内。
另外，当诸如层、区或模块的元件被描述为在另一元件“上”时，应理解，该元件可以直接在另一元件上，或者它们之间可以存在中间元件。
本文提到的半导体发光器件是包括LED、微型LED等的概念，并且能够与这些项互换使用。
图1是根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的示意图。
参照图1，在显示装置10中，单个单位像素区101可以在布线基板100上被分割，并且多个发光器件200：210、220和230可以被安装在这样的单位像素区101内。
在这方面，安装在单位像素区101中的单个发光器件210、220和230可以基本上分别与子像素相对应。例如，可以聚集三个子像素以构成一个像素。在图1中，三个发光器件210、220和230可以分别对应于红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件。
发光器件210、220和230中的每一者可以电连接至一对电极焊盘130和140/131和141/132和142。在这种情况下，作为示例，在图1中布置在一侧上的电极焊盘130、131和132(在下文中称为第一电极焊盘)可以分别连接至第一布线电极(信号电极或数据电极)121、122和123。
另外，布置在另一侧上的电极焊盘140、141和142(以下称为第二电极焊盘)可以连接至第二布线电极(公共电极或扫描电极)124。然而，其相反的情况也是可能的。在图1中，由于电极和焊盘的布置，所以省略了信号电极121、122和123以及公共电极124。
在一个示例中，在一些情况下，第一电极焊盘130、131和132可以分别对应于信号电极121、122和123，并且第二电极焊盘140、141和142可以对应于公共电极124。
在下文中，电极焊盘和布线电极的附图标记可互换地用于描述。也就是说，可以使用相同的附图标记来描述电极焊盘和布线电极。
这样，可以在第一布线电极121、122和123以及第二布线电极124彼此相交的点处限定单位子像素。
在一个示例中，当第一布线电极121、122和123是信号电极(或数据电极)时，这样的第一布线电极121、122和123或第一电极焊盘130、131和132可以连接至设置有薄膜晶体管(TFT)的TFT层120。因此，发光器件210、220和230中的每一者可以通过由这样的TFT层120引起的开关驱动来驱动。
在图1中，TFT层120被简要示出为单层，但是TFT层120可以包括能够执行开关操作的多个TFT区域。例如，每个TFT区域可以包括栅极电极、源极电极、漏极电极、设置在它们之间的绝缘层、可以连接至第一布线电极121、122和123或第一电极焊盘130、131和132的过孔电极等。省略其详细描述。这样的TFT区域中的每一者可以连接至发光器件210、220和230中的每一者。
多个发光器件200；210、220和230可以以电连接到布线电极121、122、123和124上的方式安装以形成单个子像素。
如上所述，这样的发光器件200可以包括红色发光器件210、绿色发光器件220和蓝色发光器件230，并且这样的三个发光器件210、220和230可以形成单个子像素并且重复地放置在布线基板100上。这样的发光器件210、220和230可以包括有机发光器件和无机发光器件中的至少一者。例如，发光器件210、220和230可以是无机半导体发光器件(发光二极管；LED)。
这样的半导体发光器件(LED)200可以具有微米(μm)单位的大小。微米(μm)大小可以意指发光器件200的至少一个表面的宽度具有几微米(μm)至几百微米(μm)的大小。
TFT层120可以位于基板110上，并且绝缘层150可以涂覆在TFT层120上。这样的绝缘层150可以涂覆在布线电极121、122、123和124、电极焊盘130、131、132/140、141和142以及发光器件210、220和230之间的连接部分上。
例如，单个发光器件210、220和230可以通过分隔壁160彼此分开。另外，覆盖层170可以位于发光器件210、220和230以及分隔壁160上。
如上所述，发光器件210、220和230可以形成单个子像素并且重复地放置在布线基板100上。例如，每个像素区101可以重复地设置在布线基板100上。
在这方面，像素区101可以在纵向方向上沿着数据电极(第一布线电极)121、122和123的一条线或扫描电极(第二布线电极)124的线重复地定位。例如，在图1中，红色发光器件210、绿色发光器件220和蓝色发光器件230可以沿着左右方向重复地定位。例如，相邻像素区的红色发光器件可以位于蓝色发光器件230的右侧。
在一个示例中，可以以平行方式定位与一条数据电极(第一布线电极)线或扫描电极(第二布线电极)线相邻的另一数据电极(第一布线电极)线或扫描电极(第二布线电极)线(参见图8)。在这方面，发光器件210、220和230的布置与像素区101相同的像素区102(参见图8)可以位于相邻数据电极(第一布线电极)线或扫描电极(第二布线电极)线上。
在这种情况下，具有相同颜色的发光器件可以在相邻像素区中彼此相邻地定位。例如，红色发光器件210、绿色发光器件220和蓝色发光器件230可以沿着数据电极(第一布线电极)线或扫描电极(第二布线电极)线重复地定位，但是具有相同颜色的发光器件可以在与这样的数据电极(第一布线电极)线或扫描电极(第二布线电极)线垂直的方向上重复地定位。
在这方面，根据本公开的一个实施方式，两个相邻的发光器件可以具有不同的布置。例如，参照图1，红色发光器件210和与红色发光器件210相邻的绿色发光器件220可以具有不同的布置。
例如，在红色发光器件210中，第一类型电极(例如，N型电极)可以位于第一电极焊盘130上，并且在绿色发光器件220中，第二类型电极(例如，P型电极)可以位于第一电极焊盘131上。这样的不同布置也可以在绿色发光器件220和蓝色发光器件230上进行。
也就是说，红色发光器件210和与这样的红色发光器件210相邻的绿色发光器件220可以具有相对于相应发光器件210和220的电极位置的对称布置。
在一个示例中，位于一个像素区101中的发光器件(例如，红色发光器件210)和位于相邻像素区102中的发光器件(例如，红色发光器件210)可以具有如上所述的相对于电极位置的对称布置。
换句话说，在布线基板100上，可以放置位于第一像素区101中并且按第一布置安装的第一发光器件210和位于与这样的第一像素区101相邻的第二像素区102中并且按相对于第一布置对称的第二布置安装的第二发光器件210。
利用发光器件210的如上所述的第一布置和第二布置，可以减小因第一发光器件与第二发光器件之间的电极性差异产生的寄生电容。
另外，利用发光器件210的如上所述的第一布置和第二布置，可以消除因第一发光器件与第二发光器件之间的电极性差异产生的电场。
稍后将详细描述具有这样的不同布置和效果的发光器件210。
图2是例示了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的子像素布置的具体示例的示意图。
参照图2，例示了发光器件230a、230b、230c和230d以对称布置安装在布线基板100上的状态。这可以与所示发光器件的布置以平行方式继续的状态相对应。
如上文所提及的，发光器件230a、230b、230c和230d可以具有相对于用于将第一类型电极235和第二类型电极237彼此连接的方向的非对称光分布a和b。另外，发光器件230a、230b、230c和230d可以具有相对于用于将第一电极焊盘132和第二电极焊盘142彼此连接的方向的非对称光分布a和b(参见图5和图6)。
例如，第一发光器件230a和第三发光器件230c可以具有向左偏置的光分布a。这可以对应于第一布置。另外，位于第一发光器件230a与第三发光器件230c之间的第二发光器件230b和位于第三发光器件230c的右侧的第四发光器件230d可以具有向右偏置的光分布b。这可以对应于第二布置。
这可以由基板231和半导体层232中的至少一者的材料特性导致。例如，可能因为基板231和半导体层232中的至少一者的晶体结构具有倾斜形状而出现这样的现象。这将在后面详细描述。
图2示出了发光器件230a、230b、230c和230d中的每一者具有倾斜晶体结构的状态。具体地，考虑两个相邻像素形成一对的区域(以下称为第一区域230)，一个像素的第一发光器件230a和另一像素的第二发光器件230b可以以在相反方向上具有相同的倾斜角度的方式彼此对称地倾斜。例如，第一发光器件230a和第二发光器件230b可以在远离彼此的方向上倾斜。另外，在与第一区域230相邻的第二区域231中，另一像素的第三发光器件230c和第四发光器件230d可以以在相反方向上具有相同的倾斜角度的方式彼此对称地倾斜。
图3是示出了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的子像素布置的另一具体示例的示意图。
参照图3，示出了发光器件230e、230f、230g和230h以对称布置安装在布线基板100上的状态。这可以与图6所示的发光器件的布置以平行方式继续的状态相对应。
如上文所提及的，发光器件230e、230f、230g和230h可以具有相对于用于将第一类型电极235和第二类型电极237彼此连接的方向的非对称光分布a和b。另外，发光器件230e、230f、230g和230h可以具有相对于用于将第一电极焊盘132和第二电极焊盘142彼此连接的方向的非对称光分布a和b(参见图2)。
图3示出了发光器件230e、230f、230g和230h中的每一者具有倾斜晶体结构的状态。具体地，考虑两个相邻像素形成一对的区域(以下称为第三区域232)，一个像素的第五发光器件230e和另一像素的第六发光器件230f可以以在相反方向上具有相同的倾斜角度的方式彼此对称地倾斜。例如，第五发光器件230e和第六发光器件230f可以在靠近彼此的方向上倾斜。另外，在与第三区域232相邻的第四区域233中，另一像素的第七发光器件230g和第八发光器件230h可以以在相反方向上具有相同的倾斜角度的方式彼此对称地倾斜。
图4是示意性地例示了图2和图3中的子像素布置的图。
图4中的(a)示意性地例示了在图2中的第一区域230中该对第一发光器件230a和第二发光器件230b在远离彼此的方向上倾斜的状态。
另外，图4中的(b)示意性地例示了在图2中的第三区域232中该对第五发光器件230e和第六发光器件230f在靠近彼此的方向上倾斜的状态。
如上所述，当彼此相邻的像素中的发光器件彼此成对并且关于彼此对称地定位时，由发光器件的晶体结构引起的偏置光分布a和b可以彼此抵消。也就是说，可以解决当从外部观看显示装置时显示器的颜色根据观看方向而不同地呈现的问题。
图5是例示了根据本公开的本示例的使用半导体发光器件的显示装置的子像素布置的示意图。
参照图5，示出了彼此相邻的第一发光器件230a和第二发光器件230b按不同的布置(第一布置和第二布置)放置的状态。另外，第二发光器件230b和第三发光器件230c也可以按不同的布置放置。
例如，第一发光器件230a和第三发光器件230c可以按第一布置放置，并且位于在第一发光器件230a与第三发光器件230c之间的第二发光器件230b可以按第二布置放置。
在这方面，第一发光器件230a、第二发光器件230b和第三发光器件230c可以全部是发出相同颜色的光的发光器件。例如，第一发光器件230a、第二发光器件230b和第三发光器件230c全部可以是蓝色发光器件。
在这方面，第一布置可以是图2中的N型电极235位于左侧并且P型电极237位于右侧的布置。在发光器件230a、230b和230c中的每一者中，半导体层232可以位于基板231上，并且可以放置有与这样的半导体层232接触的第一类型电极(例如，N型电极235)和第二类型电极(例如，P型电极237)。
也就是说，发光器件230a、230b和230c中的每一者可以包括基板231、半导体层232、第一类型电极235和第二类型电极237。在这方面，发光器件230a、230b和230c中的每一者可以具有相对于用于将第一类型电极235和第二类型电极237彼此连接的方向的不同布置。
参照图5，发光器件230a、230b和230c中的每一者可以具有相对于用于将第一类型电极235和第二类型电极237彼此连接的方向非对称的光分布a或b。例如，第一发光器件230a和第三发光器件230c可以具有向左偏置的光分布a。这可以对应于第一布置。另外，位于第一发光器件230a与第三发光器件230c之间的第二发光器件230b可以具有向右偏置的光分布b。这可以对应于第二布置。
这可以由基板231和半导体层232中的至少一者的材料特性引起的。例如，可能因为基板231和半导体层232中的至少一者的晶体结构具有倾斜形状而出现这样的现象。这将在后面详细描述。
图6是例示了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的子像素布置的效果的示意图。
参照图6，可以设置安装在布线基板100上并形成子像素的发光器件230b和230c。
在这方面，参照图6中的下侧的(B)，如上文参照图1所述，布线基板100可以包括布线电极123和124，布线电极123和124包括布置在布线基板100上的第一布线电极123和第二布线电极124，并且发光器件230b和230c中的每一者可以被安装为在每个单位像素区中电连接至第一布线电极123和第二布线电极124。也就是说，图5中的子像素布置可以与图1中的蓝色发光器件230的情况相对应。
在这方面，一起参照图6中的(A)和(B)，发光器件230b和230c可以包括位于第一像素区中并且按第一布置安装的第一发光器件230b以及位于与第一像素区相邻的第二像素区中并且按与第一布置对称的第二布置安装的第二发光器件230c。
第一发光器件230b和第二发光器件230c中的每一者可以包括基板231、半导体层232、第一类型电极235和第二类型电极237。在这方面，第一发光器件230b和第二发光器件230c可以具有相对于用于将第一类型电极235和第二类型电极237彼此连接的方向的不同布置。
因此，通过第一布置偏置到一侧的光分布a和通过第二布置偏置到另一侧的光分布b可以合并在一起以形成未偏置并且面向中心的光分布‘c’。也就是说，非对称光分布可以通过如上所述的第一发光器件230b的第一布置和第二发光器件230c的第二布置来消除。
在这方面，如上所述，第一发光器件230b和第二发光器件230c可以是位于相邻像素区中的发出相同颜色的光的发光器件(例如，蓝色发光器件)。
当正电压被施加到具有PN结结构的发光二极管(LED)时，电荷和空穴在P区域和N区域彼此相遇的区域中彼此重新组合以发出光。在这方面，发出最大量的光的部分不是P区域和N区域彼此相遇的区域的中心而是已被偏置。因此，当显示器是利用这样的LED制造的时，显示器的颜色可能根据观看显示器的方向而不同地呈现。
然而，如上所述，当第一发光器件230b的第一布置和第二发光器件230c的第二布置彼此对称时，当从一侧观察显示器时在左侧和右侧感知的显示器色差可以通过在视觉上增强具有弱颜色的区域来补偿。因此，可以获得提高显示装置的最终产品阶段的色视角的效果。
另外，通过第一发光器件230b和第二发光器件230c的对称布置可以去除因发光器件230b与发光器件230c之间的极性差异而形成的电场，从而可以防止产生寄生电容。另外，由于这样的寄生电容而可能发生的重影现象可以得到改善。
图7是例示了形成根据图2的子像素布置的处理的示意图。
将参照图7简要描述用于转移发光器件以具有不同布置的方法的示例。
例如，发光器件230a和230c可以首先转移到布线基板#1、#3等奇数行中的电极焊盘，然后在将发光器件的位置旋转180度之后，发光器件230b和230d可以转移到布线基板#2、#4等的偶数行中的电极焊盘。
发光器件230a至230d可以从位于晶圆500上的状态转移到转移基板410，然后转移到布线基板。在这方面，转移基板410可以是例如蓝带(blue tape)。
首先，发光器件230a和230c可以如在上侧的①所示的布置状态(晶圆500的参考点M位于左侧)被转移到转移基板410。
随后，转移到转移基板410的发光器件230a和230c可以转移到布线基板#1、#3等奇数行中的电极焊盘。
此后，在晶圆500如在下侧的②所示的旋转180度的状态(晶圆500的参考点M位于右侧)下，发光器件230b和230d可以被转移到转移基板410。
随后，转移到转移基板410的发光器件230b和230d可以转移到布线基板#2、#4等的偶数行中的电极焊盘。
利用这样的处理，可以将具有如图2至图4所示的布置的发光器件230a至230h转移到布线基板上。
图8是示出了根据本公开的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的单个发光器件的侧面图片。图9是例示了根据本公开的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的单个发光器件的倾斜角度的示意图。
图8是示出了蓝色发光器件230的侧表面的放大图片。图8可以示出占用蓝色发光器件230的大部分厚度的蓝宝石基板。如图9所示，蓝色发光器件230的倾斜角度α可以为约10度。另外，作为示例，蓝色发光器件230的厚度t可以为80μm。
然而，位于蓝宝石基板上的氮化镓基半导体层可以具有相同或相似的倾斜角度。在一些情况下，在制造发光器件之后去除蓝宝石基板。在这种情况下，在发光器件中，氮化镓基半导体层(而不是基板)可以具有如上所述的倾斜角度。
这样，发光器件210、220和230的截面表面或侧表面可以形成为平行四边形形状。
图10示意性地例示了蓝宝石的晶体表面和晶体方向。蓝宝石可以用作针对由氮化镓基半导体制成的发光器件的生长基板。
如图所示，蓝宝石具有倾斜晶体表面。作为示例，R平面具有沿着m轴倾斜的晶体表面。普通蓝宝石可以具有作为其生长平面的R平面。参照图10，因为R平面具有关于六方棱镜晶体形状的倾斜表面，所以蓝宝石基板和在蓝宝石基板的晶体表面上生长的氮化镓基半导体可以具有这样的倾斜角度。
另外，在发光器件形成为蓝宝石基板上的氮化镓基半导体然后沿蓝宝石基板的晶体表面的方向切割该发光器件时，也可以形成这样的倾斜角度。
图11示出了示出根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的发光器件的侧面图片。另外，图12示出了例示根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的发光器件的倾斜角度的示意图。
参照图11和图12，可以在显示器中使用的发光器件可以具有各种倾斜角度。作为示例，图11中的(A)和图12中的(A)所示的发光器件可以在一个方向上具有等于或小于5度的倾斜角度。
另外，图11中的(B)和图12中的(B)所示的发光器件可以在与图11中的(A)和图12中的(A)所示的发光器件的倾斜角度的方向相反的方向上具有等于或小于12度的倾斜角度。
此外，图11中的(C)和图12中的(C)所示的发光器件可以在与图11中的(B)和图12中的(B)所示的发光器件的倾斜角度的方向相同的方向上具有等于或小于10度的倾斜角度。
这样，发光器件的横向截面具有向一侧倾斜的平行四边形结构，使得如上所述，发光器件可能具有不均匀并且相对于与表面垂直的方向偏向一侧的发光图案。
图13是例示了根据本公开的一个实施方式的在使用半导体发光器件的显示装置中使用的发光器件的光分布的示例的曲线图。图14是例示了根据本公开的一个实施方式的在使用半导体发光器件的显示装置中使用的发光器件的光分布的另一示例的曲线图。
图13和图14二者均示出了沿着发光器件的长轴(x轴)测量的光强度。也就是说，长轴的中心对应于0度，并且光强度表示在左右两侧。
图13示出了相应红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件的光分布。如图所示，可以看出，光分布在围绕中心的左侧和右侧是非对称的。
参照图13，示出了基于0度在右侧的部分A中具有更大的光强度的光分布。类似地，参照图14，示出了基于0度在右侧的部分B中具有更大的光强度的光分布。
图15示出了由于图13或图14所示的偏置光分布彼此抵消而均匀化的光分布。也就是说，参照图20，可以看出，如图13所示的光分布是基于参照图2至图4描述的发光器件的布置经均匀化的。
这样，当彼此相邻的像素中的发光器件彼此成对并且关于彼此对称地定位时，由发光器件的晶体结构引起的偏置光分布a和b可以彼此抵消，使得可以实现均匀的光分布。
因此，还可以解决当从外部观看显示装置时显示器的颜色根据观看方向而不同地呈现的问题。
图16至图19是例示了根据本公开的一个实施方式的使用半导体发光器件的显示装置中光分布根据层叠步骤逐渐变得对称的处理的曲线图。在图16至图18中，可以从图19中看到红光、绿光和蓝光的光谱划分以及与这些光混合的白光。
例如，图16是示出了发光器件本身的光分布的曲线图。发光器件的光分布可以与上述图13和图14的光分布基本相同。
也就是说，图16示出了红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件的光分布。如图所示，可以看出，针对中心的左侧和右侧示出了非对称光分布。
图17是示出了在如上所述设置发光器件的状态下发光器件转移到布线基板的状态的曲线图。也就是说，在根据图2和图3所示的布置将发光器件转移到布线基板100的状态下，发光器件的光分布可以显示如图17所示的状态。
因此，可以看出，根据发光器件的对称布置解决了发光器件的非对称光分布大部分。也就是说，可以看出，非对称光分布对称地改变到图16所示的中心(0度)的左侧和右侧。
图18示出了根据图2和图3所示的布置将发光器件转移到布线基板上后，在安装有发光器件的布线基板的安装表面上涂覆覆盖层的状态。也就是说，光分布在如图1所示的在发光器件210、220和230上形成有覆盖层170的状态下示出。
在图17的状态下，可以看出，红光的强度与蓝光或绿光的强度不同。然而，可以看出，在形成覆盖层之后，红光、绿光和蓝光的发光强度基本上是均匀的。
图19示出了在覆盖层上放置覆盖膜的状态下的光谱。在放置了覆盖膜之后，可以看出，红光、绿光与蓝光之间的发光强度差异会进一步降低并且发出均匀光。
以上描述仅仅例示了本公开的技术构思。在不脱离本公开的基本特征的情况下，本公开所属领域的普通技术人员将能够进行各种修改和变化。
因此，本公开中公开的实施方式不旨在限制本公开的技术构思，而是描述本公开的技术构思，并且本公开的技术构思的范围不受这些实施方式的限制。
本公开的保护范围应当由权利要求解释，并且在权利要求等同的范围内的所有技术构思都应当被解释为被包括在本公开的范围内。
工业适用性
根据本公开，可以提供使用诸如微型发光二极管(LED)的半导体发光器件的显示装置。

Claims (18)

1.一种使用发光器件的显示装置，所述显示装置包括：
布线基板，所述布线基板上限定有多个单位像素区；
布线电极，位于所述布线基板上的所述布线电极包括设置在第一像素区中的第一布线电极和设置在第二像素区中的第二布线电极；
第一发光器件，所述第一发光器件电连接至所述第一布线电极；以及
第二发光器件，所述第二发光器件电连接至所述第二布线电极，其中，
所述第一发光器件和所述第二发光器件具有在侧表面向一侧倾斜的状态下的倾斜角度，并且
所述第一发光器件和所述第二发光器件是相对于所述倾斜角度对称设置的。
2.根据权利要求1所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件以电极位置彼此对称的方式设置。
3.根据权利要求2所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述发光器件包括第一类型电极和第二类型电极，并且具有相对于连接所述第一类型电极和所述第二类型电极的方向的非对称光分布。
4.根据权利要求3所述的使用发光器件的显示装置，其中，通过所述第一发光器件和所述第二发光器件的对称位置抵消所述非对称光分布。
5.根据权利要求1所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件是相对于所述第一像素区与所述第二像素区之间的中心对称地设置的。
6.根据权利要求1所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件发出相同颜色的光。
7.根据权利要求1所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件是成对重复地布置的。
8.根据权利要求1所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件的所述倾斜角度是由于所述发光器件的半导体材料的结晶度引起的。
9.根据权利要求1所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件具有平行四边形的截面或侧表面。
10.根据权利要求1所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件具有用于远离彼此移动的倾斜角度或用于接近彼此的倾斜角度。
11.一种使用发光器件的显示装置，所述显示装置包括：
布线基板，所述布线基板上限定有多个单位像素区；
布线电极，位于所述布线基板上的所述布线电极包括设置在第一像素区中的第一布线电极和设置在第二像素区中的第二布线电极；
第一发光器件，所述第一发光器件电连接至所述第一布线电极；以及
第二发光器件，所述第二发光器件电连接至所述第二布线电极，其中，
所述第一发光器件和所述第二发光器件分别具有第一类型电极和第二类型电极，并且具有相对于连接所述第一类型电极和所述第二类型电极的方向的非对称光分布，并且
所述第一发光器件和所述第二发光器件被对称设置以抵消所述非对称光分布。
12.根据权利要求11所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件具有在侧表面向一侧倾斜的状态下的倾斜角度。
13.根据权利要求12所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件是相对于所述倾斜角度对称地定位的。
14.根据权利要求12所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件的所述倾斜角度是由于所述发光器件的半导体材料的结晶度引起的。
15.根据权利要求12所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件具有用于远离彼此移动的倾斜角度或用于接近彼此的倾斜角度。
16.根据权利要求11所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件是相对于所述第一像素区与所述第二像素区之间的中心对称设置的。
17.根据权利要求11所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件发出相同颜色的光。
18.根据权利要求11所述的使用发光器件的显示装置，其中，所述第一发光器件和所述第二发光器件是成对重复地布置的。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231734A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Oki Data Corp 基板ユニット、半導体素子、半導体素子の実装方法及びその製造方法
KR101941030B1 (ko) * 2011-08-24 2019-01-22 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR20130104611A (ko) * 2012-03-14 2013-09-25 서울바이오시스 주식회사 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 장치
KR20140066397A (ko) * 2012-11-23 2014-06-02 서울바이오시스 주식회사 복수개의 단위 발광소자들을 갖는 발광다이오드
CN107408364B (zh) * 2015-03-20 2020-06-30 索尼半导体解决方案公司 显示装置、照明装置、发光元件以及半导体装置
KR102316325B1 (ko) * 2015-07-06 2021-10-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN113196366A (zh) * 2018-09-28 2021-07-30 株式会社半导体能源研究所 显示装置的制造方法、显示装置的制造装置

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