CN117242401A - 对物体进行温度调节的温度调节系统、光刻设备和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了使用调节液体来调节物体温度的温度调节系统，温度调节系统包括调节导管、回流导管、供应室和排放室，其中温度调节系统被布置为在供应室出口和排放室入口之间提供静态压力差，以产生通过调节导管的流。还描述了对物体进行温度调节的光刻设备和方法。

Description

对物体进行温度调节的温度调节系统、光刻设备和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年4月21日提交的EP申请21169681.0、于2021年6月10日提交的EP申请21178831.0以及于2021年11月19日提交的EP申请21209310.8的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及对物体进行温度调节的温度调节系统、光刻设备和方法。

背景技术

光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如，掩模)处将图案投影到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4-20nm范围内，例如6.7nm或13.5nm的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。

随着光刻工艺中对聚焦和套刻的需求增加，光刻的关键物体的稳定性日益重要。这些关键物体例如包括光刻设备的投影系统的反射镜元件。物体的稳定性涉及物体的位置，诸如物体的振动，以及处理温度效应，诸如由于(关键)物体中的热应力引起的变形。

在投影系统中使用反射镜元件来反射经图案化的辐射束。该反射导致辐射束在反射镜元件上的相当大的热负荷。该热负荷可能引起内部热应力，内部热应力可能导致反射镜元件变形。在光刻设备的已知实施例中，预热系统被用于调节诸如反射镜元件的物体的温度来控制热应力。这些预热系统并不总是提供反射镜元件的充分温度控制。

作为备选方案，使用调节液体的温度调节被用于控制光刻设备中的一个或多个物体的温度。这样的温度调节包括至少一个调节导管，通常是调节导管的网络，其穿过或沿着温度应被调节的物体延伸。温度调节系统包括容纳处于预定温度的相对大量的调节液体的储槽以及将调节液体泵送通过至少一个调节导管的泵。

温度调节系统的缺点在于，泵的泵送动作产生通过调节液体传播的压力波动。这些压力波动可能导致待调节物体的振动。物体中的这些流诱导的振动，例如投影系统的反射镜元件的振动，可能对光刻设备的聚焦和/或套刻性能具有负面影响。另一缺点是调节液体的压力影响反射镜元件的表面图形变形，这可能对光刻设备的聚焦和/或套刻性能具有进一步的负面影响。在液体中产生压力波动的另一源是由其上安装了流体部件的机器部件振动和/或地板振动引起的液体系统部件的加速度。

发明内容

本发明的一个目的是提供用于待热调节的物体的热调节系统，具体是使用调节液体的热调节系统，其中由调节液体流中的压力波动在物体内引起的流诱导的振动可以显著减小。本发明的另一目的是提供在光刻设备中使用的这样的热调节系统以及在温度调节系统中使用调节液体来对物体进行温度调节的方法。

根据本发明的一个方面，提供了使用调节液体来调节物体温度的温度调节系统，其包括：

调节导管，其用于引导调节液体通过或沿着物体，调节导管包括调节导管入口和调节导管出口，

回流导管，其具有回流导管入口和回流导管出口，

供应室，其具有与回流导管出口连接的供应室入口以及与调节导管入口连接的供应室出口，以及

排放室，其具有与调节导管出口连接的排放室入口以及与回流导管入口连接的排放室出口，

其中温度调节系统被布置为在供应室出口与排放室入口之间提供静态压力差，以产生穿过调节导管的流。

在本发明的前述方面的一个实施例中，供应室中的第一压力和排放室中的第二压力保持在低于大气压的压力水平。

根据本发明的一个方面，提供了包括温度调节系统的光刻设备，温度调节系统使用调节液体来调节物体的温度，其中物体是光刻设备的一部分。

根据本发明的一个方面，提供了在温度调节系统中使用调节液体对物体进行温度调节的方法，温度调节系统包括：

调节导管，其用于引导调节液体通过或沿着物体，调节导管包括调节导管入口和调节导管出口，

回流导管，其具有回流导管入口和回流导管出口，

供应室，其具有与回流导管出口连接的供应室入口以及与调节导管入口连接的供应室出口，以及

排放室，其具有与调节导管出口连接的排放室入口以及与回流导管入口连接的排放室出口，

其中方法包括在供应室出口与排放室入口之间提供静态压力差，以产生穿过调节导管的流。

附图说明

现在将参考所附示意图、仅以示例的方式来描述本发明的实施例，在附图中：

-图1描绘了包括温度调节系统的光刻设备的示意图；

-图2描绘了包括温度调节系统的光刻设备的示意图；

-图3示意性地描绘了根据本发明的温度调节系统的第一实施例；

-图4示意性地描绘了根据本发明的温度调节系统的第二实施例；

-图5示意性地描绘了根据本发明的温度调节系统的第三实施例；

-图6示意性地描绘了根据本发明的温度调节系统的第四实施例；

-图7示意性地描绘了排放室的示例性实施例；

-图8示意性地描绘了排放室的备选示例性实施例；

-图9示意性地描绘了供应室的示例性实施例；

-图10示意性地描绘了多孔通道的示例性实施例；

-图11A-图11C示意性地描绘了多孔通道的制造方法的一个实施例；

-图12描绘了图4的温度调节系统的一个实施例，温度调节系统在溢流线中具有气液分离器的第一实施例；

-图13更详细地描绘了图12的气液分离器；

-图14描绘了图3的温度调节系统的一个实施例，温度调节系统在溢流线中具有气液分离器的第二实施例；以及

-图15更详细地描绘了图14的气液分离器。

具体实施方式

在本文中，术语“辐射”和“光束”被用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，波长为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm)和EUV(极紫外辐射，例如波长在约5-100nm的范围内)。本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为指代可以被用于向传入的辐射束赋予与将在衬底的目标部分中产生的图案相对应的图案化截面的通用图案形成装置。在本文中也可以使用术语“光阀”。除了经典的掩模(透射型或反射型、二元型、相移型、混合型等)之外，其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了光刻设备LA。光刻设备LA包括照射系统(也被称为照射器)IL，其被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，其被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并连接到第一定位器PM，第一定位器PM被配置为根据某些参数来精确地定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，其被构造为保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)W并连接到第二定位器PW，第二定位器PW被配置为根据某些参数精确地定位衬底支撑件；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，其被配置为将由图案形成装置MA赋予给辐射束B的图案投影到衬底W的(例如，包括一个或多个管芯的)目标部分C上。

在操作中，照射系统IL例如经由射束传递系统BD而从辐射源SO接收辐射束。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学部件或其任意组合，用于对辐射进行引导、成形和/或控制。照射器IL可以被用于调节辐射束B，使其在图案形成装置MA的平面处的截面中具有期望的空间和角强度分布。

本文中使用的术语“投影系统”PS应被广义地解释为根据所使用的曝光辐射和/或诸如使用浸没液体或使用真空的其它因素，涵盖各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、反折射型、变形型、磁性型、电磁型和/或静电型光学系统或它们的任意组合。本文中的术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更一般的术语“投影系统”PS同义。

光刻设备LA可以是这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投影系统PS和衬底W之间的空间，这也被称为浸没光刻。关于浸没技术的更多信息在US 6952253中给出，其通过引用并入本文。

光刻设备LA也可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT的类型(也被称为“双载物台”)。在这样的“多载物台”机器中，衬底支撑件WT可以并行地使用和/或准备衬底W的后续曝光的步骤可以在位于衬底支撑件WT之一上的衬底W上执行，同时使用另一衬底支撑件WT上的另一衬底W来曝光另一衬底W上的图案。

除了衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量台。测量台被布置为保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置为测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置为清洁光刻设备的一部分，例如投影系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投影系统PS时，测量台可以在投影系统PS下方移动。

在操作中，辐射束B入射在掩模支撑件MT上保持的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并由图案形成装置MA上存在的图案(设计布局)图案化。在穿过图案形成装置MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将辐射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助第二定位器PW和位置测量系统PMS，衬底支撑件WT可以被精确地移动，例如以便将辐射束B的路径中的不同目标部分C定位在经聚焦和对准的位置处。类似地，第一定位器PM和可能的另一位置传感器(图1中未明确描绘)可以被用于将图案形成装置MA相对于辐射束B的路径精确地定位。图案形成装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。虽然所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线对准标记。

图2示出了包括辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。辐射源SO被配置为生成EUV辐射束B并将EUV辐射束B提供给光刻设备LA。光刻设备LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS以及被配置为支撑衬底W的衬底台WT。

照射系统IL被配置为在EUV辐射束B入射在图案形成装置MA上之前调节EUV辐射束B。此外，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起提供具有期望的截面形状和期望的强度分布的EUV辐射束B。除了或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统IL可以包括其它反射镜或装置。

在如此调节之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。作为该相互作用的结果，经图案化的EUV辐射束B’被生成。投影系统PS被配置为将经图案化的EUV辐射束B’投影到衬底W上。为此目的，投影系统PS可以包括多个反射镜13、14，多个反射镜13、14被配置为将经图案化的EUV辐射束B’投影到由衬底台WT保持的衬底W上。投影系统PS可以向经图案化的EUV辐射束B’施加缩减因子，从而形成具有比图案形成装置MA上的对应特征小的特征的图像。例如，可以应用4或8的缩减系数。尽管在图2中投影系统PS被图示为仅具有两个反射镜元件13、14，但是投影系统PS可以包括不同数量的反射镜(例如，六个或八个反射镜)。

衬底W可以包括先前形成的图案。在该情况下，光刻设备LA将由经图案化的EUV辐射束B’形成的图像与在衬底W上先前形成的图案对准。

可以在辐射源SO、照射系统IL和/或投影系统PS中提供相对真空，即，压力远低于大气压的少量气体(例如，氢气)。

辐射源SO可以是激光产生的等离子体(LPP)源、放电产生的等离子体(DPP)源、自由电子激光器(FEL)或能够生成EUV辐射的任何其它辐射源。

图2的光刻设备LA的投影系统PS包括反射镜元件14，用于反射经图案化的辐射束以沿着投影路径引导经图案化的辐射束。经图案化的辐射束的该反射在反射镜元件ME上引起相当大的热负荷。热负荷可以在反射镜元件ME内引起热应力，并因为这些热应力的作用而引起变形。反射镜元件ME的变形可能对光刻设备的聚焦和套刻性能具有显著的负面影响，并且因此应避免。

为了防止或至少控制反射镜元件14中的热应力，热调节系统TCS被提供以调节反射镜元件14的温度。热调节系统TCS包括调节导管CC，其被布置为引导调节液体，例如水。可以具有多个管的调节导管CC沿着和/或通过反射镜元件14延伸，以促进调节流体与反射镜元件14之间的热交换。热调节系统TCS可以被用于冷却和/或(预)加热反射镜元件14。

图3更详细地示出了用于对反射镜元件ME(例如图2所示的反射镜元件14)进行温度调节的温度调节系统TCS的第一实施例。温度调节系统TCS包括供应室SC和排放室DC。在供应室SC中，调节液体被保持在第一液位LL1。供应室SC中的第一液位LL1使用溢流线OFL而被保持在恒定高度处，保持在第一液位LL1之上的液体利用溢流线OFL被排放到排放室DC中。换言之，任何过量的液体进入溢流线OFL并且被排放到排放室DC中。在排放室DC中，调节液体保持在第二液位LL2。

在图3至图6中仅示出了一个反射镜元件ME。在其他实施例中，温度调节系统TCS被配置为对来自相同的供应室/排放室的或用单独的室对多个平行的反射镜元件ME进行温度调节。

沿着朝向反射镜元件ME的调节导管CC，提供了热调节器TC，例如受控加热元件，以控制朝向反射镜元件ME流动的调节液体的温度。热调节器例如包括温度传感器和加热元件，它们被布置为保持调节液体的恒定温度。热调节器TC还可以包括(受控的)冷却元件。在一个备选实施例中，热调节器TC可以至少部分地布置在供应室SC中或附近，以控制供应室SC中的调节液体的温度。在其它备选实施例中，热调节器TC可以被布置在其它合适的位置处，诸如布置在泵PU和供应室SC之间的回流导管RC中，以从液体去除热量。

供应室SC包括供应室入口SCI和供应室出口SCO。供应室入口SCI被布置在第一液位LL1之上并且供应室出口SCO被布置在第一液位LL1之下。对应地，排放室DC包括排放室入口DCI和排放室出口DCO，其中排放室入口DCI被布置在第二液位LL2之上并且排放室出口DCO被布置在第二液位LL2之下。将排放室入口DCI布置在第二液位LL2之上有利地消除了第二液位LL2对调节回路CC内的调节液体压力的影响。因此，具有更稳定的压力有利地减少了FIV的传输。

供应室出口SCO被连接到调节导管CC的调节导管入口CCI并且排放室入口DCI被连接到调节导管CC的调节导管出口CCO。因此，调节液体可以从供应室SC通过调节导管CC流到排放室DC。由于第一液位LL1被保持在第一高度处，并且排放室入口DCI被布置在第二高度处，第二高度低于第一高度，所以在供应室出口SCO与排放室入口DCI之间存在恒定的流体静态压力差。这在调节导管CC中产生具有低压波动的连续流。这些流压力波动是不期望的，因为这些压力波动可能引起反射镜元件ME的流诱导的振动，从而可能负面地影响光刻工艺的聚焦和/或套刻。由于连续流由稳定的压力差驱动，本发明使得在反射镜元件ME处的流诱导的振动非常低，有利地增加了光刻设备LA的套刻性能。

当供应室SC和排放室DC被布置或放置为使得它们之间存在高度差时，在两个室SC和DC与调节导管CC之间提供恒定的流体静态压力流，从而在两个室之间产生差。这有利地减少了传输到反射镜元件ME的FIV。没有FIV的反射镜元件ME消除了由于辐射束与反射镜元件ME的相互作用而引起的失真或图像误差。在一个实施例中，温度调节系统TCS可以将供应室SC和排放室DC彼此相对地布置在不同高度，或者在供应室SC和排放室DC之间存在高度差。这产生压力累积，更具体地产生流体静态压力累积。优选地，供应室SC相对于地面的高度高于供应室SC。

回流导管RC被提供来将调节液体从排放室DC返回到供应室SC。排放室出口DCO被连接到回流导管RC的回流导管入口RCI并且供应室入口SCI被连接到回流导管RC的调节导管出口CCO。在回流导管RC中，泵PU被提供，泵PU可以将调节液体从排放室DC泵送到供应室SC。为了确保供应室中的第一液位LL1将保持恒定，由泵PU泵送通过回流导管RC的液体的流速应当总是大于通过调节导管CC的液体的流速，使得总是存在通过溢流线OFL的液体流。第一流动阻力可以被在供应室SC和反射镜元件ME之间，和/或第二流动阻力可以被提供在反射镜元件ME和排放室DC之间，以在LL1和DCI之间给定一定竖直距离的情况下控制流。

热调节系统TSC可以包括流速控制装置，以控制由泵PU泵送通过回流导管RC的液体的流速，其中控制装置被布置为保持由泵PU泵送的液体的流速大于通过调节导管CC的液体的流速。该流速控制装置可以例如基于测量调节导管内和/或溢流线OFL内的调节液体的流速的流量传感器的传感器信号，或者测量供应室SC中的第一液位LL1的高度的液位传感器的传感器信号而对泵进行致动。

泵的泵送动作可能导致回流导管RC中存在的调节液体中的压力波动。为了防止这些压力波动传播到调节导管CC中的调节液体，通过在供应室SC和排放室DC中提供相对大的气体体积来至少部分地抑制压力波动。为了具有显著的阻尼效果，供应室SC中的第一气体体积GV1和排放室中的第二气体体积GV2各自具有至少0.5升，例如至少10升的容积。

阻尼装置或部件可以被提供以防止由于机器部件振动和/或地板振动引起的液体系统部件的加速，从而防止所引起的压力波动。阻尼装置或部件例如可以位于温度调节器TC和反射镜元件之间或反射镜元件和排放室DC之间。阻尼装置可以是赫尔姆霍茨(helmholz)共振器型，或波纹管型阻尼器或其它类型的阻尼器，或其组合。

液体回路可以具有多个连接，以使用经灌注的调节液体来填充回路、将回路排空、对回路进行泄漏测试(即，测试回路内的泄漏)、以及冲洗和灌注回路。

在图3的实施例中，调节导管CC与回流导管液体解耦。这意味着在调节导管CC和回流导管RC或者在泵所在的回流导管RC的至少一部分之间，没有连续的液体体积。这在防止回流导管RC中的流诱导的振动传播到调节导管CC方面具有进一步的有益效果。该液体解耦通过供应室SC中存在的高于第一液位LL1的第一气体体积GV1以及排放室DC中存在的高于第二液位LL2的第二气体体积GV2而产生。

由于供应室入口SCI和排放室入口DCI被分别布置为高于第一液位LL1和第二液位LL2，因此在调节导管CC和回流导管RC之间没有连续的液体体积。由泵PU引起并在回流导管RC中存在的调节液体中传播的任何压力波动将主要被供应室SC和排放室DC中的第一和/或第二气体体积吸收，并因此将基本上不到达调节导管CC中的调节液体。与供应室SC和排放室DC的连接的机械刚度低，使得例如机械振动不会引起供应导管SC和/或调节导管CC中的压力波动。这些连接例如包括回流导管RC、溢流线OFL、调节导管入口CCI和调节导管出口CCO的连接。

由于调节导管中的流由供应室出口SCO和排放室入口DCI处的压力之间的恒定流体静态压力差驱动，而没有由泵PU和其它部件/组件引起的任何压力波动，因此通过调节导管的调节液体的流具有非常低的由流诱导的振动。供应室入口SCI和/或排放室入口DCI可以不分别布置在第一液位LL1和第二液位LL2之上。在这样的实施例中，如关于图6的实施例所描述的，回流导管RC中存在的由流诱导的振动可以在到达调节导管CC之前，通过提供一个或多个阀而被阻挡，或者阻尼材料或阻尼装置，诸如泡沫、网格和/或穿孔材料可以被提供来阻止压力波动通过调节液体的传播。在这样的实施例中，第一气体体积GV1和第二气体体积GV2的相对大的体积也具有对抑制流诱导的振动的效果。图3的温度调节系统TCS是闭合系统。这意味着与环境没有直接的流体连接。供应室SC中的第一气体体积GV1和排放室DC中的第二气体体积GV2中的压力由气体压力控制器GPC控制。第一体积GV1和第二体积GV2中的压力相同。通过调节导管CC的流因此仅由供应室出口SCO处与排放室入口DCI处的压力之间的恒定流体静态压力差驱动，该流体静态压力差由第一液位LL1与排放室入口DCI的高度之间的高度差引起。在另一实施例中，压力传感器PSE可以被提供以测量调节导管CC中的压力。所测量的压力可以用作气体压力控制器GPC的输入。

气体压力控制器GPC被用于在第一气体体积GV1和第二气体体积GV2中保持恒定的低于大气压的压力。在一个实施例中，供应室SC内的第一压力和排放室DC内的第二压力被保持在低于大气压的压力。第一气体体积GV1和第二气体体积GV2中的压力例如被设定为低于0.5巴的绝对压力水平，例如在0.1巴至0.3巴的范围内。有利地，低于大气压的热调节系统减少了反射镜元件ME表面上的变形。附加地，具有在低于大气压的压力下流动的调节流体使得反射镜元件ME有利地降低了反射镜元件动态连杆的刚度，这又有助于实现振动的动态解耦。

在一个实施例中，热调节系统TCS包括气体压力控制器，气体压力控制器被配置为控制这些室中的至少一个(即，仅供应室、仅排放室或两者)室中的气体压力水平。如上所述，供应室中的第一压力和排放室中的第二压力保持在低于大气压的压力水平。

图4示出了热调节系统TCS的第二实施例。该实施例与图3的实施例的不同之处在于如何控制供应室SC和排放室DC中的气体压力。在图3的实施例包括一个气体压力控制器GPC，以在第一气体体积GV1和第二气体体积GV2中保持恒定的低于大气压的压力的情况下，图4的实施例包括第一气体压力控制器GPC1来控制供应室SC中的第一气体体积GV1中的气体压力，并且包括第二气体压力控制器GPC2来控制排放室SC中的第二气体体积GV2中的气体压力。在另一实施例中，可以提供压力传感器PSE来测量调节导管CC中的压力。所测量的压力可以被用作第一气体压力控制器GPC1和第二气体压力控制器GPC2的输入。

两个分离的气体压力控制器GPC1、GPC2的优点在于，供应室出口SCO与排放室入口DCI之间的静态压力差不仅由第一液位LL1与排放室入口DCI的高度之间的高度差确定，而且由第一气体体积GV1中的压力与第二气体体积GV2中的压力之间的压力差确定。由于由第一气体压力控制器GPC1和第二气体压力控制器GPC2提供的气体压力可以被精确地和主动地控制，该设置关于供应室SC和排放室DC在竖直方向上的相对放置提供了更大的灵活性。在图3的实施例中，在供应室SC和排放室DC之间存在所需的高度差，因为通过调节导管CC的流仅由如图3的实施例中所示的由高度差引起的流体静态压力差驱动。在图4的实施例中，高度差的要求不太严格，因为由气体压力控制器GPC1、GPC2提供的压力差提供了控制通过调节导管CC的流的附加可能性。

在图4的实施例中，排放室入口DCI被布置在第一液位LL1之下。在该实施例中，第一气体体积GV1的相对大的体积减小了来自回流条件RC的流诱导的振动传播到调节导管CC中。此外，供应室入口SCI包括网格/泡沫以抑制压力波动通过调节液体的传播。当分别流入供应室SC和排放室DC时，调节液体将流过网格，以减小振动/抑制振动进行。这样的排放室DC和供应室SC的实施例的示例可以在图7至图9中找到。

在图4的实施例中，通过调节导管CC的流基于静态压力差，静态压力差导致具有低压波动的流通过调节导管CC。这有利地使得流具有极低的由流诱导的振动，因为流由稳定的压力差驱动。第一气体压力控制器GPC1和第二气体压力控制器GPC2还被用于在第一气体体积GV1和第二气体体积GV2中保持低于大气压的压力。因此，可以进一步减少由调节流体的流引起的在反射镜元件ME中存在的流诱导振动。

图5示出了热调节系统TCS的第三实施例。该实施例在控制第一液位LL1的方式上不同于图3的实施例。在该实施例中，提供了可移动活塞MPI，可移动活塞MPI包括：活塞体，其被部分地浸没在供应室SC中的液体中；以及线性致动器，其被配置为沿竖直方向移动活塞体，以主动地调整活塞体浸没在液体中的深度。

液位传感器LSE被提供以测量供应室SC中的液体的第一液位LL1。基于由液位传感器LSE测量的第一液位LL1，活塞体的位置可以被调整为控制第一液位LL1。以此方式，供应室出口SCO与排放室入口DCI之间的恒定流体静态压力差可以被保持以驱动恒定流通过调节导管CC。

附加地或作为备选，可以提供压力传感器PSE以测量调节导管CC中的压力，并且可移动活塞MPI可以被主动控制，以在压力传感器PSE的位置(即，测量调节导管CC中的压力的位置)处维持恒定压力。

基于所测量的第一液位LL1的高度和/或调节导管CC中的测量位置处的压力，使用这种对第一液位LL1的主动控制，热调节系统TCS中的压力积聚的变化可以被更精确地处理。例如，调节液体流入的暂时短缺可以通过向下移动活塞MP1来平衡，从而保持所需的第一液位LL1。这防止了泵PU的泵流量变化将引起第一液位LL1的液位波动，这进而引起调节导管CC中所需压力水平的偏差和调节导管CC中的流速的变化。

类似于图3的实施例，调节导管CC通过供应室SC中的第一气体体积GV1和排放室DC中的第二气体体积GV2与回流导管RC液体地解耦。由于供应室入口SCI和排放室入口DCI被分别布置在第一液位LL1和第二液位LL2之上，在调节导管CC和回流导管RC之间不存在可能传播由泵PU的泵送动作引起的压力波动的连续液体体积。备选地或附加地，可以提供对压力波动进行抑制的构造/材料。

图6示出了热调节系统TCS的第四实施例。在该实施例中，供应室SC包括主供应室MSC和辅助供应室ASC，它们经由包括第一连接阀CVA1的第一连接导管彼此连接。排放室DC包括经由第二连接导管彼此连接的主排放室MDC和辅助排放室ADC，第二连接导管包括第二连接阀CVA2。此外，回流导管RC包括泵PU下游的第一阀VA1和泵PU上游的第二阀VA2。第一和第二连接阀CVA1、CVA2以及第一和第二阀VA1、VA2中的每一者可以被布置在闭合位置和打开位置中。

热调节系统TCS还包括用于控制主供应室MSC和辅助供应室ASC中的气体压力的第一气体压力控制器GPC1以及用于控制主排放室MDC和辅助排放室ADC中的气体压力的第二气体压力控制器GPC2。第一压力阀PV1和第二压力阀PV2被提供以分别打开和/或关闭辅助供应室ASC和辅助排放室ADC的压力控制。

主供应室MSC和主排放室MDC中的液位可以随时间变化。在图中未示出的特定实施例中，第一液位传感器LLSS可以被提供在主供应室MSC中，以测量主供应室MSC中的液位。对应地，第二液位传感器LLSD可以被提供在主排放室MDC中，以测量主排放室MDC中的液位。由第一液位传感器LLSS和第二液位传感器LLSD测量的液位可以分别用作第一气体压力控制器GPC1和第二气体压力控制器GPC2的输入，以根据主供应室MSC和主排放室MDC中的实际液位来调整压力水平。

图6的配置允许两个(主要)操作模式。在第一模式中，第一阀VA1和第二阀VA2闭合，而第一连接阀CVA1和第二连接阀CVA2以及第一压力阀PV1和第二压力阀PV2打开。

在该第一模式中，主供应室MSC和辅助供应室充当单个供应室SC，而主排放室MDC和辅助排放室ADC充当单个排放室DC。通过分别使用第一气体压力控制器GPC1和第二气体压力控制器GPC2控制供应室SC和排放室DC中的压力，供应室出口SCO和排放室入口DCI之间的静态压力差可以被精确地控制，以产生通过调节导管CC的具有低压波动的恒定流。

该控制可以例如通过使用由调节导管CC中的压力传感器PSE测量的测量压力水平来进一步改进。在该第一操作模式中，回流导管RC通过闭合的第一阀VA1和闭合的第二阀VA2而与调节导管至少部分地液体解耦。调节液体从供应室SC流到排放室DC，但是由于第一阀VA1和第二阀VA2闭合，没有调节液体可以从排放室DC流回到供应室SC。

在第二操作模式中，第一阀VA1和第二阀VA2打开，而第一连接阀CVA1和第二连接阀CVA2以及第一压力阀PV1和第二压力阀PV2闭合。在该第二模式中，只有主供应室MSC充当供应室SC，而主排放室MDC充当排放室DC。通过分别使用第一气体压力控制器GPC1和第二气体压力控制器GPC2来控制主供应室SC和主排放室室MDC中的压力，供应室出口SCO和排放室入口DCI之间的静态压力差可以被精确地控制，以产生通过调节导管CC的具有低压波动的恒定流，以便防止反射镜元件中的流诱导的振动。

在第二操作模式中，来自辅助排放室ADC的调节液体可以由泵PU通过回流导管RC泵送到辅助供应室ASC，以重新填充辅助供应室ASC。在该第二操作模式中，主供应室MSC通过闭合的第一连接阀CVA1，与回流导管RC中布置有泵PU的部分液体解耦，并且主排放室MDC通过闭合的第二连接阀CVA2，与回流导管RC中设置有泵PU的部分液体耦合。这样，在第二操作模式中，调节导管CC与回流导管RC液体解耦，同时调节液体被泵送回辅助供应室ASC。

通过交替第一操作模式和第二操作模式，基于供应室出口SCO和排放室入口DSI之间的静态压力差的恒定流可以被产生，而同时至少回流导管RC中设置有泵的部分与调节导管CC液体解耦。这具有以下优点：由调节液体中的压力波动(例如，由于泵PU的泵送动作)引起的反射镜元件ME的流诱导的振动被显著减小。

在上述热调节系统TCS的实施例中，有利的是，调节液体流入和流出供应室SC和排放室DC的流不会产生可能通过(特别是在调节导管CC中的)调节液体传播的压力波动。

例如，在供应室出口SCO的位置处，调节液体从供应室SC中的大体积进入调节导管CC的小直径管中，使得流加速。在没有措施的情况下，流可能倾向于在调节导管入口CCI处分离，这可能在反射镜元件ME中引起流诱导的振动。为了防止这种情况，例如，可以在所放置的供应室出口SCO处放置具有整器的弯曲入口。

在水流入供应室和/或排放室的位置处，调节液体可以在相应的液位之上流入相应室中。为了减少/防止压力波动的影响，调节液体到室中的受控流入可以通过提供特定构造或材料来产生，特定构造或材料破坏调节液体的流且允许调节液体平稳地进入室中的调节流体的体积。例如，调节液体可以在顶部处进入室并落在穿孔管内部布置的丝网上。丝网可以破坏水柱并且穿孔管允许调节流体平稳地进入相应室中的调节流体的体积。

图7更详细地示出了排放室DC的示例性实施例。从压力水平控制的观点来看，期望通过排放室入口DCI进入排放室DC的调节液体与第二液位LL2断开连接，以防止第二液位LL2的改变导致压力水平改变，从而导致流和压力水平改变回到调节导管CC。流过排放室入口DCI的调节液体和排放室DC中已存在的调节液体的断开连接通过将排放室入口DCI放置在排放室DC的顶壁中来实现。为了进一步减小/防止由于调节液体落到第二液位LL2之上而引起的压力波动，在穿孔管PFT内提供丝网WM。丝网WM破坏通过排放室入口DCI下落的调节液体柱，并且穿孔管PT确保调节液体将平稳地进入排放室中的调节液体的体积。丝网WM可以是入口流阻尼装置的示例。

在一个备选实施例中，可以应用楼梯状或阶梯状形状，即，或宽楼梯状形状，其中调节液体可以在接触液位之前，低速和小高度台阶流入室中。楼梯状或阶梯状形状可以是入口流阻尼装置的示例。

另一备选实施例提供狭缝或小狭缝作为水入口，水通过狭缝或小狭缝流入室中。该狭缝可以采取平面狭缝或圆形狭缝的形式。在又一实施例中，如图8所示，室的内壁可以在穿孔板后面，涂覆有丝网材料WMM，以平滑调节液体进入室的入口。狭缝或小狭缝可以是入口流阻尼装置的示例。

同样在调节流体可以进入液位之下的室中的实施例中，可以提供阻尼材料，诸如多孔、泡沫、网格和/或穿孔材料，以对调节流体中的压力波动进行抑制。在图7和图8的实施例中描述的这些实施例和丝网WM也可以被应用于供应室SC。因此，供应室SC可以包括上述的丝网WM、阻尼材料、楼梯和/或狭缝。所有这些元件可以是入口流阻尼装置的示例。

图9示出了供应室SC的一个示例性实施例。供应室入口DCI与丝网和穿孔入口WMPI对准，以在液体进入供应室SC之前将液体速度减小到接近零m/s，从而防止供应室中的压力波动。溢流线OFL包括溢流管OFT，溢流管延伸到第一液位LL1以将第一液位LL1维持在恒定高度处。为了将第一液位LL1维持在恒定高度，即，在小于0.2mm内稳定，使得溢流管OFT具有疏水性以防止流体表面张力产生对第一液位LL1的期望高度产生负面影响的弯液面。与水位变化有关的第一液位LL1之上的气体体积是由于水位变化引起的压力波动阻尼中的重要参数。因此，供应室中的气体的体积为至少0.5升，例如至少10升。

更一般地，可能期望在温度调节系统的调节液体回路中的位置处提供合适的材料，其中在流路径中存在不连续性，例如弯曲、收缩或歧管，这可能调节液体回路中引起起流诱导的振动。这些材料可以例如包括泡沫材料、多孔材料、网格材料、穿孔材料和具有大阻尼特性的(其它)材料，例如PUR。此外，多个基本平行的通道可以被提供来减少调节液体流中的流扰动。

主要工作原理是基于使得流均匀并结合粘滞力相对于惯性力的增加优势。由于多孔的、泡沫的或类似的材料，导管中的流可能被局部阻塞并且较大的流结构/紊流涡旋被分解成较小的结构/涡旋，使得获得更均匀的流分布。此外，局部粘滞力由于多孔或类似材料中的高剪切应力而增加，导致分布式高压力损失。而且，通过使用多孔或类似材料，有效雷诺(Reynold)数被减小，这进一步有助于增加粘滞力相对于惯性力的优势。结果，由于更均匀的流分布和粘滞力相对于惯性力的局部增加的优势，流动量的重定向被放松，惯性力平衡与流弯曲相关联的压力梯度。结果，流被更平稳地引导通过在流路径中具有不连续性的通道，导致流分离和所引起的流诱导的振动的效果降低。

在特定实施例中，可以应用金属泡沫材料。这样的金属泡沫可以通过烧结、增材制造或其他已知技术来制造，以产生金属泡沫结构，诸如粉末冶金工艺技术、冶金熔融工艺技术等。

多个平行通道可以例如由具有许多小激光切割通道的金属部件、填充在部件中的纤维/微纤维/纳米纤维管束或通过增材制造形成。

图10示出了管的第一示例性实施例，其中提供元件来产生部分填充的通道。该实施例包括填充有烧结的ULE珠粒BEA的超低膨胀玻璃(ULE)圆柱CYL，以避免不同的热膨胀。在顶侧处，用于调节液体流入的多个入口INO被提供。在制造期间，牺牲材料可以与珠粒BEA混合，通过溶剂或加热除去来增加空隙百分比。圆柱的主要材料选择是ULE，以最小化材料的热膨胀，从而防止可能引入到反射镜的应力。如果可以允许这样的应力，可以考虑备选材料。附加地或备选地，其他胶体颗粒形状可以被认为渗入圆柱体，诸如纤维、微纤维、纳米纤维、纤维束或多边形形状。在圆柱CYL的一个端部处，可以提供ULE的斜坡来引导液体流过圆柱CYL。图9所示的构造例如可以用作热调节系统中的歧管。

图11A-图11C示出了用于产生倒置的、更开放的结构的备选过程。在图11A中，示出了具有可移除元件REM的模板，可移除元件例如可以通过溶剂或加热来去除。在图11B中，示出了未被可移除元件占据的空间被永久材料PEM渗透。在最后的步骤中，可移除元件被去除。这将产生图11C所示的多孔结构。

也可以应用制造合适的阻尼材料的其它技术。例如，柔性粘弹性软管可以被用于提供阻尼。

在上文中，公开了用于光刻设备的投影系统的反射镜元件的热调节的热调节系统。热调节系统还可以应用于光刻设备或其它器件的其它物体的温度调节，其中物体中由调节流体的流引起的流诱导的振动应被减小。

在图3-图5的实施例中，供应室SC的液位LL1需要被控制到精确的水平，例如在0.2mm的高度范围内，以满足调节导管CC中的压力稳定性要求，调节导管CC穿过或沿着反射镜元件ME延伸。基于重力压力累积Δp＝ρgΔh，第一液位LL1的0.2mm变化导致2Pa的压力变化。

在图3和图4的实施例中，溢流线OFL被用于在供应室SC中保持稳定的第一液位LL1，并且由此将到反射镜元件ME的供应压力稳定在期望的压力范围内。

然而，在溢流通道OFL中，可能出现两相流，因为供应室SC中存在高于第一液位LL1的气体可能被液体汲取到溢流线OFL中并且可能与朝向排放室DC的液体混合。这样的气液混合物可能引起压力波动，压力波动被传播到供应室SC和排放室DC。这些压力波动可能引起反射镜元件ME的位移和反射镜元件ME的变形，导致套刻误差、衰减和耀斑，并且因此是不期望的。

此外，在图4的实施例中，供应室SC和排放室DC之间的附加压力差可以通过分别使用第一气体压力控制器GPC1和第二气体压力控制器GPC2分别控制第一气体体积GV1的压力和第二气体体积GV2中的压力来产生。该附加压力差还可以引起从供应室SC到排放室DC的气流。此外，该气流可能产生两相流，这可能导致压力波动，并因此导致套刻误差、衰减和耀斑的相关负面影响。通过溢流线OFL的流中气体的存在也可能对供应室SC和排放室DC之间设定的压力差产生影响。因此，期望在通过溢流线OFL的流中存在的气体显著减少。

图12示出了图4的热调节系统，其中气液分离器GLS被提供在溢流线OFL中，以防止由于供应室SC和排放室DC之间的气体压力差而导致的通过溢流线OFL的气流。气液分离器GLS由在图13中更详细地示出的集液器(即，倒置虹吸管)形成。

气液分离器GLS是溢流线OFL的一部分。液体在OFL-I处进入气液分离器GLS并在OFL-O处离开气液分离器GLS。在气液分离器GLS中，提供至少一个在流方向上向上延伸的通道部分URC来产生集液器，集液器允许气体在OFL-I处流回到气液分离器GLS的入口，而不是作为两相流进一步流过溢流线。在向上延伸的通道部分URC中，布置多孔材料POM。多孔材料POM可以提供阻尼来防止或减少由于液体流的流入或晃动而引起的流中的压力波动。多孔材料POM包括例如球、网格和/或穿孔元件。

气液分离器GLS被布置为至少部分地阻挡夹带有液体流的气体进一步沿溢流线OFL流向排放室DC。在流入溢流线OFL中的液体流中夹带的气体将与液体流分离并且可以通过溢流线OFL流回到供应室SC。因此，在气液分离器GLS处，溢流线OFL中的两相流被有效地停止，或者至少基本上减少。

由于在图4的实施例中可能产生的附加压力差，向上延伸的通道部分URC中的液位高于来自供应室的通道部分(左通道)中的液位。向上延伸的通道部分URC的高度被选择来适应该附加压力差。

气液分离器GLS至少在竖直方向上被布置为相对靠近供应室SC。例如，当第一液位LL1与排放室的排放室入口DCI之间的高度差为H时，气液分离器GLS可以在竖直方向上被布置为离供应室SC的距离最大为0.2H，例如最大为0.1H。在该情况下，即，在供应室SC与气液分离器GLS之间发生两相流的溢流线OFL的长度相对较小。供应室SC和气液分离器之间的距离可以例如小于1m。

OFL-I处的气液分离器入口和OFL-O处的气液分离器出口被设计为使得水和气体的相互作用不引起或至少减少膜形成/塌陷过程，因为这可能引起压力波动。例如，高润湿性材料和/或涂层可以被布置在入口OFL-I和出口OFL-O处。例如，可以在入口OFL-I和出口OFL-O处提供金属材料。此外，可以通过使得锥形或漏斗形设计具有足够大的直径，以允许水平滑流入气液分离器来优化入口/出口的几何形状。

气液分离器GLS可以由任何合适的材料制成，例如金属，诸如不锈钢或塑料材料，诸如聚氨酯。

图14示出了图3的实施例，其中气液分离器GLS的备选实施例被提供来将夹带有液体流的气体分离到溢流线OFL中。图15更详细地示出了图14的气液分离器GLS。

气液分离器GLS被形成为闭合的箱，其中如图15所示，限定气液分离器GLS内部的下开口的第一板PLA1和限定气液分离器GLS内部的上开口的第二板PLA2被提供来形成集液器结构。集液器结构中的液体的液位LL与第二板PLA2的上端部处于相同的高度。

在气液分离器GLS的入口OFL-I附近，提供气体返回通道GRC，以允许与液体流分离的气体通过与溢流线OFL不同的另一通道来流回到供应室SC。这样的分离的气体返回通道GRC可以进一步减少由于溢流线中存在气体而引起的压力波动的发生。为了有效地使用气体返回通道GRC，气液分离器GLS被设计为具有与气体返回通道GRC直接连接的气体体积GV，使得与液体分离的气体能够经由气体体积GV进入气体返回通道GRC。

应当仔细选择气体返回通道GRC入口在供应室SC中的位置。应满足以下条件：它应高于液位LL1，以防止气体产生气泡，气泡在表面处爆裂，产生振动或声音干扰。附加地，来自气体返回通道GRC的气体不应干扰来自供应室入口SCI的返回流，以防止振动或声音干扰。此外，气体返回通道GRC应当与第一气体体积GV1流体连通来对压力波动进行阻尼。在图14的实施例中，供应室SC中的气体返回通道GRC入口位于供应室入口SCI下方，以满足所述条件。在其他实施例中，气体返回通道GRC入口可以位于供应室入口SCI之上，或者位于供应室SC的顶表面中，并且还满足所述条件。

多孔材料POM被布置在气液分离器GLS中，以对液体流进行阻尼，从而防止由于流入和晃动引起的压力波动。多孔材料POM包括例如球、网格和/或穿孔元件。多孔材料例如至少存在于集液器构造中，直到液位LL，以对集液器构造中存在的液体中的压力波动进行抑制。当例如由于制造的方式而需要时，可以在气液分离器GLS中提供更多多孔材料。例如，在闭合之前，多孔材料可以从箱的顶侧引入到箱的整个底部面积上，直到达到箱中的多孔材料的期望水平。

与图12和图13的实施例相对应，气液分离器GLS被布置为至少部分地阻挡夹带有液体流的气体进一步沿着溢流线OFL流向排放室DC。在流入溢流线OFL的液体流中夹带的气体将与液体流分离并且向上朝向气体体积GV移动，气体可以从气体体积GV流动通过气体返回通道，回到供应室SC。

如关于图12和图13的实施例所解释的，至少在竖直方向上相对靠近供应室SC布置气液分离器GLS可能是有利的。

气液分离器GLS可以由任何合适的材料制成，例如金属，诸如不锈钢，或者塑料材料，诸如聚氨酯。

图15的气液分离器GLS也可以与图4的热调节系统的实施例组合。在该情况下，供应室SC和排放室DC之间的附加压力差可以通过分别使用第一气体压力控制器GPC1和第二气体压力控制器GPC2分别控制第一气体体积GV1的压力和第二气体体积GV2的压力来产生。为了适应这样的附加压力差，第一板PLA1的下端和第二板PLA2的上端之间的竖直高度HD应被相应地选择。实际上，该长度可以是至少30cm，例如至少50cm。

图13的气液分离器GLS也可以与图3的热调节系统的实施例组合。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和图案检测、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以在其它设备中使用。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)的物体的任何设备的一部分。这些设备通常被称为光刻工具。这样的光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

尽管以上已具体参考了本发明的实施例在光学光刻的上下文中的使用，但是应当理解，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻并且可以用于其它应用，例如压印光刻。

虽然以上已描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在例示而非限制。因此，对于本领域的技术人员显而易见的是，在不脱离下述条款的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

1.一种使用调节液体来调节物体温度的温度调节系统，包括：

调节导管，用于引导调节液体通过或沿着物体，调节导管包括调节导管入口和调节导管出口，

回流导管，具有回流导管入口和回流导管出口，

供应室，具有与回流导管出口连接的供应室入口以及与调节导管入口连接的供应室出口，以及

排放室，具有与调节导管出口连接的排放室入口以及与回流导管入口连接的排放室出口，

其中温度调节系统被布置用于在供应室出口与排放室入口之间提供静态压力差，以产生穿过调节导管的流。

2.根据条款1所述的温度调节系统，其中回流导管包括泵，泵被配置为将调节液体从排放室泵送到供应室，并且其中温度调节系统被布置为对由泵引起的流诱导的振动到调节导管中的传播进行抑制。

3.根据条款1或2所述的温度调节系统，其中供应室包括第一气体体积并且排放室包括第二气体体积，其中第一气体体积和第二气体体积具有至少一0.5升的容积。

4.根据条款2或3所述的温度调节系统，其中供应室中的第一压力和排放室中的第二压力被保持在低于大气压的压力水平。

5.根据条款2至4中任一项所述的温度调节系统，其中温度调节系统被布置为使得调节导管与回流导管的至少一部分液体解耦，泵被布置在回流导管的部分中。

6.根据条款5所述的温度调节系统，其中通过在供应室入口和供应室出口之间提供第一气体体积和/或在排放室入口和排放室出口之间提供第二气体体积，回流导管的部分与调节导管液体地解耦。

7.根据条款5或6所述的温度调节系统，

其中供应室具有第一液位，其中供应室入口被布置为高于第一液位并且供应室出口被布置为低于第一液位，和/或

其中排放室具有第二液位，其中排放室入口被布置为高于第一液位并且排放室出口被布置为低于第二液位。

8.根据前述条款中任一项所述的温度调节系统，其中温度调节系统被布置为将供应室中的第一液位保持在排放室入口之上的恒定高度处，以在供应室出口和排放室入口之间保持恒定的流体静态压力差。

9.根据条款8所述的温度调节系统，其中供应室包括溢流线以控制第一液位。

10.根据条款9所述的温度调节系统，其中溢流线包括气液分离器，用于将夹带有流入溢流线的液体的气体与液体分离。

11.根据条款10所述的温度调节系统，其中气液分离器包括集液器构造。

12.根据条款10或11所述的温度调节系统，其中气液分离器包括与气液分离器和供应室连接的气体回流导管，以允许气体从气液分离器流回到供应室。

13.根据条款10至12中任一项所述的温度调节系统，其中多孔材料被提供在气液分离器的流通道中，以对通过通道的流进行抑制。

14.根据条款10至13中任一项所述的温度调节系统，其中气液分离器和供应室之间的竖直距离小于第一液位和排放室入口之间的竖直距离的20％。

15.根据条款8所述的温度调节系统，其中第一液位由主体控制，主体在竖直方向上是可移动的并且部分地延伸到供应室中的调节液体中。

16.根据条款1-15中任一项所述的温度调节系统，其中温度调节系统包括气体压力控制器，用于控制供应室和排放室中的气体压力水平。

17.根据条款1-15中任一项所述的温度调节系统，其中温度调节系统包括第一气体压力控制器来控制供应室中的第一气体压力，并且其中温度调节系统包括第二气体压力控制器来控制排放室中的第二气体压力水平。

18.根据条款2至17中任一项所述的温度调节系统，其中回流导管包括泵下游的第一阀和泵上游的第二阀，其中通过闭合第一阀和第二阀，调节导管能够与回流导管的部分液体解耦。

19.根据条款18所述的温度调节系统，其中供应室包括经由第一连接导管彼此连接的主供应室和辅助供应室，第一连接导管包括第一连接阀，并且其中排放室包括经由第二连接导管彼此连接的主排放室和辅助排放室，第二连接导管包括第二连接阀。

20.根据条款18所述的温度调节系统，其中通过闭合第一阀和/或第一连接阀和所述第二阀，主供应室能够与回流导管的部分液体地解耦，并且其中通过闭合第二阀和/或第二连接阀，主排放室能够与回流导管的部分液体地解耦。

21.根据条款18-20中任一项所述的温度调节系统，其中温度调节系统包括第一气体压力控制器来控制供应室中的第一气体压力，并且其中温度调节系统包括第二气体压力控制器来控制排放室中的第二气体压力水平。

22.根据前述条款中任一项所述的温度调节系统，其中供应室入口和/或排放室入口包括入口流阻尼装置，以分别减小进入供应室和排放室的流速。

23.根据前述条款中任一项所述的温度调节系统，其中调节导管、供应室和/或排放室至少部分地填充有泡沫材料、多孔材料、网格材料和/或穿孔材料，或者填充有多个基本上平行的通道，以减少调节液体流中的流扰动。

24.根据条款23所述的温度调节系统，其中泡沫材料、多孔材料、网格材料和/或穿孔材料或多个基本上平行的通道被提供在流不连续处或附近，诸如弯曲部、收缩部和歧管附近。

25.根据条款23或24所述的温度调节系统，其中泡沫材料、多孔材料、网格材料和/或穿孔材料或多个基本上平行的通道被提供在供应室的流入面积中和/或被提供在排放室的流入面积中。

26.根据前述条款中任一项所述的温度调节系统，其中温度调节系统包括阻尼装置，用于减小由于机器部件振动和/或地板振动引起的液体系统部件加速而导致的压力波动。

27.一种包括根据前述条款中任一项所述的温度调节系统的光刻设备，其中物体是光刻设备的一部分。

28.根据条款27所述的光刻设备，其中物体是投影系统的反射镜元件。

29.一种在温度调节系统中使用调节液体对物体进行温度调节的方法，温度调节系统包括：

调节导管，用于引导调节液体通过或穿过物体，调节导管包括调节导管入口和调节导管出口，

回流导管，其具有回流导管入口和回流导管出口，

供应室，具有与回流导管出口连接的供应室入口以及与调节导管入口连接的供应室出口，以及

排放室，具有与调节导管出口连接的排放室入口以及与回流导管入口连接的排放室出口，

其中方法包括在供应室出口与排放室入口之间提供静态压力差，以产生穿过调节导管的流以及将供应室中的第一压力和排放室中的第二压力保持在低于大气压的压力水平。

30.根据条款29所述的方法，其中供应室包括第一气体体积并且排放室包括第二气体体积，其中第一气体体积和第二气体体积具有至少0.5升的体积。

31.根据条款29或30所述的方法，其中方法包括：

同时通过回流导管，将调节液体从排放室泵送到供应室，

其中温度调节系统被布置为对由泵引起的流诱导的振动到调节导管中的传播进行阻尼。

32.根据条款29至31中任一项所述的方法，方法包括以下步骤：将供应室中的第一液位维持在排放室入口之上的恒定高度处，以维持供应室出口与排放室入口之间的恒定流体静态压力差。

33.根据条款32所述的方法，其中将供应室中的第一液位保持在排放室入口之上的恒定高度的步骤包括在供应室中使用溢流线。

34.根据条款33所述的方法，其中方法包括使用气液分离器来对溢流线中的液体流进行抑制，以将夹带有流入溢流线中的液体的气体与液体分离。

35.根据条款29至34中任一项所述的方法，其中温度调节系统包括气体压力控制器来控制供应室和排放室中的气体压力水平，其中方法包括将供应室和排放室中的气体压力水平控制在低于大气压的水平。

36.根据条款29至35中任一项所述的方法，其中温度调节系统包括第一气体压力控制器来控制供应室中的第一气体压力，并且其中温度调节系统包括第二气体压力控制器来控制排放室中的第二气体压力水平，并且其中方法包括控制第一气体压力和第二气体压力，以在供应室出口和排放室之间产生静态压力差。

37.根据条款29至36中任一项所述的方法，其中回流导管包括在泵下游的第一阀和在泵上游的第二阀，其中方法包括通过闭合第一阀和第二阀，将调节导管与回流导管的部分液体地解耦。

38.根据条款37所述的方法，其中供应室包括经由第一连接导管彼此连接的主供应室和辅助供应子室，第一连接导管包括第一连接阀，并且其中排放室包括经由第二连接导管彼此连接的主排放室和辅助排放室，第二连接导管包括第二连接阀，方法交替地包括：

在供应室出口与排放室入口之间施加静态压力差，以产生从供应室到排放室的流，同时通过闭合第一阀和第二阀来使得调节导管与回流导管的部分液体地解耦，由此第一连接阀和第二连接阀打开，以及

在供应室出口和排放室入口之间施加静态压力差，以产生从主供应室到主排放室的流，同时通过闭合第一连接阀和第二连接阀，使得调节导管与回流导管的部分液体地解耦，由此第一阀和第二阀打开，并且调节液体通过泵，从辅助排放室泵送到辅助供应室。

Claims (15)

1.一种使用调节液体来调节物体温度的温度调节系统，包括：

调节导管，用于引导调节液体通过或沿着所述物体，所述调节导管包括调节导管入口和调节导管出口，

回流导管，具有回流导管入口和回流导管出口，

供应室，具有连接到所述回流导管出口的供应室入口以及连接到所述调节导管入口的供应室出口，以及

排放室，具有连接到所述调节导管出口的排放室入口以及连接到所述回流导管入口的排放室出口，

其中所述供应室中的第一压力和所述排放室中的第二压力被保持在低于大气压的水平，

其中所述温度调节系统被布置为在所述供应室出口与所述排放室入口之间提供静态压力差，以产生通过所述调节导管的流。

2.根据权利要求1所述的温度调节系统，其中所述回流导管包括泵，所述泵被配置为将调节液体从所述排放室泵送到所述供应室，并且其中所述温度调节系统被布置为抑制由所述泵引起的流诱导的振动传播到所述调节导管中。

3.根据权利要求2所述的温度调节系统，其中所述温度调节系统被布置为使所述调节导管与所述回流导管的至少一部分液体地解耦，其中所述泵被布置在所述回流导管的部分中；并且

其中通过在所述供应室入口和所述供应室出口之间提供第一气体体积和/或在所述排放室入口和所述排放室出口之间提供第二气体体积，所述回流导管的所述部分与所述调节导管液体地解耦，和/或

其中所述供应室具有第一液位，其中所述供应室入口被布置为高于所述第一液位并且所述供应室出口被布置为低于所述第一液位，和/或

其中所述排放室具有第二液位，其中所述排放室入口被布置为高于所述第一液位并且所述排放室出口被布置为低于所述第二液位。

4.根据前述权利要求中任一项所述的温度调节系统，其中所述温度调节系统被布置为将所述供应室中的第一液位保持在所述排放室入口之上的恒定高度处，以在所述供应室出口和所述排放室入口之间保持恒定的流体静态压力差，并且

其中所述供应室包括溢流线以控制所述第一液位，和/或

其中所述第一液位由主体控制，所述主体在竖直方向上是可移动的并且部分地延伸到所述供应室中的调节液体中。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的温度调节系统，其中所述温度调节系统包括气体压力控制器，以用于控制所述供应室和所述排放室中的气体压力水平。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的温度调节系统，其中所述温度调节系统包括第一气体压力控制器以控制所述供应室中的第一气体压力，并且其中所述温度调节系统包括第二气体压力控制器以控制所述排放室中的第二气体压力水平。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的温度调节系统，其中所述回流导管包括所述泵下游的第一阀和所述泵上游的第二阀，其中通过闭合所述第一阀和所述第二阀，所述调节导管能够与所述回流导管的所述部分液体地解耦。

8.根据权利要求7所述的温度调节系统，其中所述供应室包括经由第一连接导管彼此连接的主供应室和辅助供应室，所述第一连接导管包括第一连接阀，并且其中所述排放室包括经由第二连接导管彼此连接的主排放室和辅助排放室，所述第二连接导管包括第二连接阀。

9.根据权利要求7所述的温度调节系统，其中通过闭合所述第一阀和/或所述第一连接阀和所述第二阀，所述主供应室能够与所述回流导管的所述部分液体地解耦，并且其中通过闭合所述第二阀和/或所述第二连接阀，所述主排放室能够与所述回流导管的所述部分液体地解耦。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的温度调节系统，其中所述温度调节系统包括第一气体压力控制器以控制所述供应室中的第一气体压力，并且其中所述温度调节系统包括第二气体压力控制器以控制所述排放室中的第二气体压力水平。

11.根据前述权利要求中任一项所述的温度调节系统，其中所述供应室入口和/或所述排放室入口包括入口流阻尼装置，以分别减小进入所述供应室和所述排放室的流速。

12.根据前述权利要求中任一项所述的温度调节系统，其中所述调节导管、所述供应室和/或所述排放室至少部分地填充有泡沫材料、多孔材料、网格材料和/或穿孔材料，或者填充有多个基本上平行的通道，以减少所述调节液体流中的流扰动。

13.一种包括根据前述权利要求中任一项所述的温度调节系统的光刻设备，其中所述物体是所述光刻设备的一部分。

14.一种在温度调节系统中使用调节液体对物体进行温度调节的方法，所述温度调节系统包括：

调节导管，用于引导调节液体通过或沿着所述物体，所述调节导管包括调节导管入口和调节导管出口，

回流导管，具有回流导管入口和回流导管出口，

供应室，具有连接到所述回流导管出口的供应室入口以及连接到所述调节导管入口的供应室出口，以及

排放室，具有连接到所述调节导管出口的排放室入口以及连接到所述回流导管入口的排放室出口，其中所述方法包括在所述供应室出口与所述排放室入口之间提供静态压力差，以产生通过所述调节导管的流，以及

将所述供应室中的第一压力和所述排放室中的第二压力保持在低于大气压的压力水平。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述方法包括：同时通过所述回流导管，将调节液体从所述排放室泵送到所述供应室，

其中所述温度调节系统被布置为抑制由所述泵引起的流诱导的振动传播到所述调节导管中，

其中所述回流导管包括在所述泵下游的第一阀和在所述泵上游的第二阀，其中所述方法包括通过闭合所述第一阀和所述第二阀，将所述调节导管与所述回流导管的所述部分液体地解耦，并且

其中所述供应室包括经由第一连接导管彼此连接的主供应室和辅助供应子室，所述第一连接导管包括第一连接阀，并且其中所述排放室包括经由第二连接导管彼此连接的主排放室和辅助排放室，所述第二连接导管包括第二连接阀，所述方法交替地包括：

在所述供应室出口与所述排放室入口之间施加静态压力差，以产生从所述供应室到所述排放室的流，同时通过闭合所述第一阀和所述第二阀来使所述调节导管与所述回流导管的所述部分液体地解耦，由此所述第一连接阀和所述第二连接阀打开，以及

在所述供应室出口和所述排放室入口之间施加静态压力差，以产生从所述主供应室到所述主排放室的流，同时通过闭合所述第一连接阀和所述第二连接阀，使所述调节导管与所述回流导管的所述部分液体地解耦，由此所述第一阀和所述第二阀打开，并且调节液体通过所述泵从所述辅助排放室被泵送到所述辅助供应室。