CN117238243B - 一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路及其实现方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路及其实现方法，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路和残影改善模块构成；其中，源极驱动电路输出驱动信号至像素点电流型驱动电路，残影改善模块用于将驱动电路关闭后的Micro LED上的电荷放掉。本发明驱动电路响应速度快，并且在复位阶段，通过将复位参考电压输出到Vdrv，并同时打开复位晶体管TS4，将VLED电压放电到参考电压水平，Micro LED在Vinit电压水平上不能发光，从而实现复位功能，能够有效消除残影问题。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路领域，具体地说，是涉及一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路及其实现方法。
背景技术
Micro LED是一种微米级发光二极管，发光单元的尺寸小于100um(部分企业定义为50um)定义为Micro LED。Micro LED是一种电流型器件，即其电流决定了其发光亮度。MicroLED具有发光亮度高、发光效率高和响应速度快等特点，是目前最理想的发光器件。用这些尺寸极小的具有自发光特性的Micro LED发光单元做成的Micro LED直显显示屏，具有高亮度、高对比度、高分辨率、长寿命、低功耗和色域广等优点，因而成为目前显示技术主要研究方向。
现有技术中应用于OLED驱动的像素点电路也有部分采用电流型驱动方法，如申请号201210133100.2和201310214664.3的专利。但是这些电流驱动方法是直接采用灰度电流对栅极电容进行充放电，可以知道在低灰时，灰度电流极小，栅极电容充放电速度极慢，所以实用性不强。其次，现有技术关闭驱动电流后，Micro LED上积累的剩余电荷继续让MicroLED发光一段时间，导致画面灭后，画面仍然由余亮的残影现象。这种现象让人感觉画面有拖影，产生画面模糊。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路及其实现方法，主要解决现有电流型驱动电路关闭驱动电流后画面有拖影，产生画面模糊的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路和残影改善模块构成；其中，源极驱动电路输出驱动信号至像素点电流型驱动电路，残影改善模块用于将驱动电路关闭后的Micro LED上的电荷放掉。
进一步地，在本发明中，所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata。
进一步地，在本发明中，所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT1，连接于晶体管DT1的栅极与源极之间的电容Cst，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVDD。
进一步地，在本发明中，所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT2，连接于晶体管DT2的栅极与源极之间的电容Cst，栅极与晶体管TS1的源极相连、源极与晶体管DT2的源极相连晶体管DT1，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极、晶体管DT2的源极接入电源ELVDD。
进一步地，在本发明中，所述残影改善模块采用复位晶体管TS4；其中，复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的源极接入复位参考信号Vinit ，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn。
进一步地，在本发明中，所述残影改善模块由二选一选择器MUX和复位晶体管TS4构成；其中，二选一选择器MUX的一个输入端与运算放大器OP的输出端相连，二选一选择器MUX的另一个输入端接入复位参考信号Vinit，二选一选择器MUX的输出端分别连接到晶体管TS1的漏极和复位晶体管TS4的源极，二选一选择器MUX的控制端接入控制信号Rn2；复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn。
一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路的实现方法，用于使Micro LED电流型驱动电路产生驱动电流，采用Wn信号同时控制像素点电流型驱动电路产生驱动电流和反馈至源极驱动电路的反馈电流；使输入控制Micro LED开启的控制电流的源极驱动电路输出控制电压至像素点电流型驱动电路使源极驱动电路输出稳定的反馈电流；从而使反馈电流大小精确地与输入控制Micro LED开启的控制电流成比例变化，并驱动LED点亮相应的灰度；像素点电流型驱动电路关闭后，通过控制残影改善模块，使VLED电压等于残影改善模块的复位参考信号的电压，从而将Micro LED上的电荷通过残影改善模块快速泄放掉。
进一步地，在本发明中，所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT1，连接于晶体管DT1的栅极与源极之间的电容Cst，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVDD；其中，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT1打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn。
进一步地，在本发明中，所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT2，连接于晶体管DT2的栅极与源极之间的电容Cst，栅极与晶体管TS1的源极相连、源极与晶体管DT2的源极相连晶体管DT1，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极、晶体管DT2的源极接入电源ELVDD；其中，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT1打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn。
进一步地，在本发明中，所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata；其中，运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确地与Idata电流成比例变化；Ifb电流为晶体管DT1的输出电流，即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流。
进一步地，在本发明中，所述残影改善模块采用复位晶体管TS4；其中，复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的源极接入复位参考信号Vinit，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn；像素点电流型驱动电路关闭后，通过复位控制信号Rn打开复位晶体管TS4，使VLED电压等于复位参考信号Vinit的电压，从而将Micro LED上的电荷通过复位晶体管TS4和Vinit电压快速泄放掉。
进一步地，在本发明中，所述残影改善模块由二选一选择器MUX和复位晶体管TS4构成；其中，二选一选择器MUX的一个输入端与运算放大器OP的输出端相连，二选一选择器MUX的另一个输入端接入复位参考信号Vinit，二选一选择器MUX的输出端分别连接到晶体管TS1的漏极和复位晶体管TS4的源极，二选一选择器MUX的控制端接入控制信号Rn2；复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn；像素点电流型驱动电路关闭后，使二选一选择器MUX的控制信号Rn2先变为低电平，二选一选择器MUX选择参考电压Vinit输出，复位控制信号Rn变为低电平，复位晶体管TS4打开，VLED放电，实现Micro LED复位功能，然后复位控制信号Rn变为高电平，关闭复位晶体管TS4，控制信号Rn2变回高电平，二选一选择器MUX选择运算放大器OP的输出。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明提出的驱动电路不需对驱动管进行阈值电压Vth补偿，因为TFT驱动管和反馈管是匹配设计，不管其阈值电压或其他参数怎样变化，最终运算放大器都是输出一个合适的栅极电压，使得反馈管的输出电流等于目标电流。即阈值电压Vth变化后，栅源电压Vgs也会跟着变化，使得反馈管输出电流相同，通过电流镜的作用驱动管的输出电流等于反馈管电流。由于反馈管和驱动管的栅源电压相同，所以电源的布线电阻对驱动电流没有影响，输出电流不受布线电阻的影响。不管驱动电流是大电流还是小电流，驱动Micro LED的电流都精确地与输入的灰度电流Idata成比例变化，而且响应速度快。并且在复位阶段，通过将复位参考电压Vinit输出到Vdrv，并同时打开复位晶体管TS4，将VLED电压放电到参考电压Vinit水平，Micro LED在Vinit电压水平上不能发光，从而实现Micro LED的复位功能，能够有效消除残影问题。
附图说明
图1为本发明-实施例1的电路结构示意图。
图2为本发明-实施例2的电路结构示意图。
图3为本发明-实施例3的电路结构示意图。
图4为本发明-实施例4的电路结构示意图。
图5为本发明-实施例1、实施例3的电路控制时序图。
图6为本发明-实施例2、实施例4的电路控制时序图。
具体实施方式
下面结合附图说明和实施例对本发明作进一步说明，本发明的方式包括但不仅限于以下实施例。
本发明公开的一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路和残影改善模块构成；其中，源极驱动电路输出驱动信号至像素点电流型驱动电路，残影改善模块用于将驱动电路关闭后的Micro LED上的电荷放掉。
其中，所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata。
实施例1
如图1所示，本实施例公开的一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路，所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT1，连接于晶体管DT1的栅极与源极之间的电容Cst，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVDD。
在本实施例中，所述残影改善模块采用复位晶体管TS4；其中，复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的源极接入复位参考信号Vinit ，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn。
在本实施例中，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT2打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn。
运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确得与Idata电流成比例变化；且晶体管DT1和晶体管DT2的栅源电压Vgs相同；则晶体管DT1的输出电流能精确的镜像晶体管DT2的Ifb电流输出；即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流；当晶体管TS1关闭后电压Vg被电容Cst保持住，EN信号打开，电压Vg控制晶体管DT1输出电流驱动LED点亮相应的灰度；LED的驱动电流最终受Idata精确控制；EN信号关闭后，通过复位控制信号Rn打开复位晶体管TS4，使VLED电压等于复位参考信号Vinit的电压，从而将Micro LED上的电荷通过复位晶体管TS4和Vinit电压快速泄放掉，能够有效改善残影现象。
实施例2
实施例1的实现方式中需要像素点电路除了增加复位晶体管TS4还需增加参考电压Vinit和Rn信号线。因此，本实施例计划采用Vdrv控制线复用的方式，省掉参考电压Vinit信号线，降低系统复杂度。如图2所示，本实施例中所述残影改善模块由二选一选择器MUX和复位晶体管TS4构成；其中，二选一选择器MUX的一个输入端与运算放大器OP的输出端相连，二选一选择器MUX的另一个输入端接入复位参考信号Vinit，二选一选择器MUX的输出端分别连接到晶体管TS1的漏极和复位晶体管TS4的源极，二选一选择器MUX的控制端接入控制信号Rn2；复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn。
该方式中，Rn2为高电平时二选一选择器MUX选择OP的Vo信号输出，Rn2为低电平时二选一选择器选择参考电压信号Vinit输出。电流驱动和显示阶段，Rn和Rn2信号都为高电平，运算放大器输出Vo输出到Vdrv，进行正常的电流驱动和显示功能。在复位阶段，EN为高电平，TS3晶体管关闭，Rn和Rn2信号都为低电平，参考电压Vinit输出到Vdrv，同时TS4晶体管打开，将VLED电压放电到参考电压Vinit水平，Micro LED在Vinit电压水平上不能发光。从而实现Micro LED的复位功能，消除残影问题。
实施例3
如图3所示，本实施例中的一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路，所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT2，连接于晶体管DT2的栅极与源极之间的电容Cst，栅极与晶体管TS1的源极相连、源极与晶体管DT2的源极相连晶体管DT1，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极、晶体管DT2的源极接入电源ELVDD。
在本实施例中，所述残影改善模块采用复位晶体管TS4；其中，复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的源极接入复位参考信号Vinit ，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn。
采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT1打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确得与Idata电流成比例变化；Ifb电流为晶体管DT1的输出电流，即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流；当晶体管TS1关闭后电压Vg被电容Cst保持住，EN信号打开，电压Vg控制晶体管DT1输出电流驱动LED点亮相应的灰度；LED的驱动电流最终受Idata精确控制；EN信号关闭后，通过复位控制信号Rn打开复位晶体管TS4，使VLED电压等于复位参考信号Vinit的电压，从而将Micro LED上的电荷通过复位晶体管TS4和Vinit电压快速泄放掉。
实施例4
实施例3的实现方式中需要像素点电路除了增加复位晶体管TS4还需增加参考电压Vinit和Rn信号线。因此，本实施例计划采用Vdrv控制线复用的方式，省掉参考电压Vinit信号线，降低系统复杂度。如图4所示，本实施例中所述残影改善模块由二选一选择器MUX和复位晶体管TS4构成；其中，二选一选择器MUX的一个输入端与运算放大器OP的输出端相连，二选一选择器MUX的另一个输入端接入复位参考信号Vinit，二选一选择器MUX的输出端分别连接到晶体管TS1的漏极和复位晶体管TS4的源极，二选一选择器MUX的控制端接入控制信号Rn2；复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn。
该方式中，Rn2为高电平时二选一选择器选择OP的Vo信号输出，Rn2为低电平时二选一选择器选择参考电压信号Vinit输出。电流驱动和显示阶段，Rn和Rn2信号都为高电平，运算放大器输出Vo输出到Vdrv，进行正常的电流驱动和显示功能。在复位阶段，EN为高电平，TS3晶体管关闭，Rn和Rn2信号都为低电平，参考电压信号Vinit输出到Vdrv，同时TS4晶体管打开，将VLED电压放电到复位参考电压Vinit水平，Micro LED在Vinit电压水平上不能发光，从而实现Micro LED的复位功能，消除残影问题。
如图5所示为实施例1、实施例3的控制时序。该图中，第1阶段为电流驱动阶段，Wn为低电平， TS1和TS2晶体管导通，EN为高电平TS3晶体管关闭。运算放大器输出Vdrv驱动DT1晶体管的栅极电容电压Vg稳定，使得Ifb电流与Idata电流相等。驱动完成后，信号Wn变高电平，TS1和TS2晶体管关闭，栅极电容将Vg电压保持住。第2阶段为显示阶段，EN为低电平，TS3晶体管打开，DT1驱动管输出驱动电流经过TS3流到LED上，实现LED灰度控制。当EN为高电平后TS3晶体管关闭，LED无电流流过，显示结束。第3阶段为复位阶段，在EN变高后，Rn变为低电平，TS4晶体管打开，VLED＝Vinit，Micro LED马上熄灭。然后Rn为高电平，继续下一个数据更新控制。
图6所示本实施例2、实施例4的控制时序，在电流驱动阶段，Wn信号为低电平，EN、Rn和Rn2都为高电平，运算放大器OP的Vo电压输出到Vdrv，以驱动栅极电压Vg产生Ifb电流。电流驱动完成后Wn变高，EN变低，进入显示阶段，驱动管DT1输出设定的电流驱动MicroLED。在复位阶段，Wn和EN变为高电平，Rn2先变为低电平，二选一选择器选择复位参考电压Vinit输出到Vdrv，然后Rn变为低电平，复位晶体管TS4打开。VLED放电，实现Micro LED复位功能。然后Rn变为高电平，关闭复位晶体管TS4，然后Rn2变回高电平，二选一选择器选择运算放大器OP的Vo电压输出到Vdrv。采用Rn和Rn2的先后变化顺序可避免复位对Micro LED的亮度产生影响。
通过上述设计，本发明不管驱动电流是大电流还是小电流，驱动Micro LED的电流都精确地与输入的灰度电流Idata成比例变化，而且响应速度快。并且在复位阶段，通过将复位参考电压Vinit输出到Vdrv，并同时打开复位晶体管TS4，将VLED电压放电到参考电压Vinit水平，Micro LED在Vinit电压水平上不能发光，从而实现Micro LED的复位功能，能够有效消除残影问题。
上述实施例仅为本发明的优选实施方式之一，不应当用于限制本发明的保护范围，但凡在本发明的主体设计思想和精神上作出的毫无实质意义的改动或润色，其所解决的技术问题仍然与本发明一致的，均应当包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路，其特征在于，由源极驱动电路和像素点电流型驱动电路和残影改善模块构成；其中，源极驱动电路输出驱动信号至像素点电流型驱动电路，残影改善模块用于将驱动电路关闭后的Micro LED上的电荷放掉；
所述源极驱动电路由运算放大器OP和一端分别连接在运算放大器OP的两个输入端且另一端接地的电阻Rr1、电阻Rr2组成，运算放大器OP的输出端和反相输入端Vn与像素点电流型驱动电路相连；运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata；
所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT1，连接于晶体管DT1的栅极与源极之间的电容Cst，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的Micro LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVDD；
或者所述像素点电流型驱动电路包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT2，连接于晶体管DT2的栅极与源极之间的电容Cst，栅极与晶体管TS1的源极相连、源极与晶体管DT2的源极相连的晶体管DT1，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的Micro LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极、晶体管DT2的源极接入电源ELVDD；
所述残影改善模块由二选一选择器MUX和复位晶体管TS4构成；其中，二选一选择器MUX的一个输入端与运算放大器OP的输出端相连，二选一选择器MUX的另一个输入端接入复位参考信号Vinit，二选一选择器MUX的输出端分别连接到晶体管TS1的漏极和复位晶体管TS4的源极，二选一选择器MUX的控制端接入控制信号Rn2；复位晶体管TS4的漏极与晶体管TS3的漏极相连，复位晶体管TS4的栅极接入复位控制信号Rn。
2.一种改善残影现象的Micro LED电流型驱动电路的实现方法，其特征在于，用于使权利要求1所述Micro LED电流型驱动电路产生驱动电流，在像素点电流型驱动电路的控制端采用Wn信号同时控制像素点电流型驱动电路产生驱动电流和反馈至源极驱动电路的反馈电流；使输入控制Micro LED开启的控制电流的源极驱动电路输出控制电压至像素点电流型驱动电路，使源极驱动电路输出稳定的反馈电流；从而使反馈电流大小精确地与输入控制Micro LED开启的控制电流成比例变化，并驱动Micro LED点亮相应的灰度；像素点电流型驱动电路关闭后，通过控制残影改善模块，使VLED电压等于残影改善模块的复位参考信号的电压，从而将Micro LED上的电荷通过残影改善模块快速泄放掉；
当所述像素点电流型驱动电路为包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT1，连接于晶体管DT1的栅极与源极之间的电容Cst，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的Micro LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极接入电源ELVDD时；其中，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT1打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；
当所述像素点电流型驱动电路为包括栅极互连的晶体管TS1、晶体管TS2，栅极与晶体管TS1的源极相连、漏极与晶体管TS2的源极相连晶体管DT2，连接于晶体管DT2的栅极与源极之间的电容Cst，栅极与晶体管TS1的源极相连、源极与晶体管DT2的源极相连晶体管DT1，源极与晶体管DT1的漏极相连、栅极接入使能信号EN的晶体管TS3，正极与晶体管TS3的漏极相连且负极接地的Micro LED；其中，晶体管TS1的漏极与运算放大器OP的输出端相连，晶体管TS2的漏极与运算放大器OP的反相输入端Vn相连；晶体管DT1的源极、晶体管DT2的源极接入电源ELVDD时；其中，采用Wn信号同时控制晶体管TS1和晶体管TS2，Idata电流加到电阻Rr1上得到相应电压输入运算放大器OP的同相输入端Vp，同时在晶体管TS1和晶体管TS2打开时，电容Cst的电压Vg驱动晶体管DT1打开，并输出电流Ifb通过晶体管TS2流回到运算放大器OP的反相输入端Vn；
所述源极驱动电路中运算放大器OP的同相输入端输入电流Idata；其中，运算放大器OP输出电压Vdrv通过晶体管TS1给电容Cst进行充放电控制，调整电压Vg大小，从而调整晶体管DT1的输出电流Ifb大小，直到Ifb电流加到电阻Rr2上的电压即反相输入端Vn电压与运算放大器OP的同相输入端Vp电压相同；运算放大器OP的输出电压Vdrv稳定不变，晶体管DT1的电压Vg稳定，晶体管DT1输出稳定电流Ifb，由运算放大器OP两输入端电压相同可得Idata*Rr1=Ifb*Rr2，即Ifb=Idata*Rr1/Rr2；则Ifb电流大小精确地与Idata电流成比例变化；Ifb电流为晶体管DT1的输出电流，即作为驱动管的晶体管DT1能精确的输出Idata电流；
所述残影改善模块中，像素点电流型驱动电路关闭后，使二选一选择器MUX的控制信号Rn2先变为低电平，二选一选择器MUX选择参考电压Vinit输出，复位控制信号Rn变为低电平，复位晶体管TS4打开，VLED放电，实现Micro LED复位功能，然后复位控制信号Rn变为高电平，关闭复位晶体管TS4，控制信号Rn2变回高电平，二选一选择器MUX选择运算放大器OP的输出。
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