CN117178356A - 金属氧化物金属(mom)电容器中的线路后端(beol)高电阻(hi-r)导体层 - Google Patents

Abstract

公开了一种金属氧化物金属(MOM)电容器及其制造方法。MOM电容器包括具有第一多个指状物的第一金属层，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性。高电阻(Hi‑R)导体层在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置。

Description

金属氧化物金属(MOM)电容器中的线路后端(BEOL)高电阻 (HI-R)导体层

技术领域

本公开总体上涉及电容器，并且更具体但不排他地涉及紧凑的、空间高效的金属氧化物金属(MOM)电容器以及用于制造其的方法。

背景技术

随着更小型电子器件能够为小型电子器件提供更多应用，现代电子器件正变得越来越普遍。电容器是现代电子器件中基础并且广泛使用的组件中的一种。

人们一直要求减少或小型化常规集成电路(IC)器件、封装等的尺寸和占用空间。IC封装可以包括封装上的多个组件(如电容器)。在现代IC不断减少的占用空间内设计和制造高密度电容器在技术上具有挑战性。

因此，需要优化或改进用于不断发展的和先进的技术节点的IC区域缩放。用于增加给定技术节点内的设计密度的方法和技术也是非常期望的。特别地，希望在先进技术节点中增加MOM密度和/或降低金属利用率。

因此，需要能够克服常规方法的缺陷的系统、装置和方法，包括以下公开中提供的方法、系统和装置。

发明内容

以下是与本文中公开的装置和方法相关的一个或多个方面和/或示例的简化概述。因此，以下概述不应当被视为与所有预期方面和/或示例相关的广泛概述，也不应当被认为确定与所有预期的方面和/或示例相关的关键或重要元素、或者界定与任何特定方面和/或示例相关联的范围。因此，以下概述的唯一目的是以简化的形式呈现与一个或多个方面相关的某些概念和/或与本文中公开的装置和方法相关的示例，以在下面呈现的详细描述之前呈现。

至少一个方面包括一种包括金属氧化物金属(MOM)电容器的装置，MOM电容器包括：具有第一多个指状物的第一金属层，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性；以及在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置的高电阻(Hi-R)导体层。Hi-R电阻器可以由Hi-R导体层制成。

至少一个其他方面包括一种制造金属氧化物金属(MOM)电容器的方法，该方法包括：形成具有第一多个指状物的第一金属层，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性；以及形成高电阻(Hi-R)导体层，该Hi-R导体层在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置。

基于附图和详细描述，与本文中公开的装置和方法相关的其他特征和优点对本领域技术人员来说将是很清楚的。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，将容易获取对本公开的各方面及其很多附带优点的更完整的理解，这些附图仅用于说明而非限制本公开，在附图中：

图1A示出了根据本公开的一个或多个方面的两个示例性线路前端(FEOL)器件。

图1B示出了根据本公开的一个方面的示例性堆叠配置。

图2A示出了常规MOM电容器与根据本公开的一个或多个方面的MOM电容器之间的示例性横截面比较。

图2B示出了根据本公开的一个或多个方面的另一示例性横截面图。

图3示出了常规MOM电容器与根据本公开的一个或多个方面的MOM电容器之间的另一示例性比较。

图4示出了根据本公开的一个或多个方面的可以用于MOM电容器中的Hi-R导体层的示例性俯视图。

图5A-图5B示出了根据本公开的一个或多个方面的用于制造示例性器件的示例性制造工艺流程。

图6示出了根据本公开的一个或多个方面的用于制造器件的另一示例性方法。

图7示出了根据本公开的一个或多个方面的示例性移动设备。

图8示出了根据本公开的一个或多个方面的可以与上述MOM电容器中的任何一种集成的各种电子设备。

根据一般惯例，附图所示的特征可能不会按比例绘制。因此，为了清楚起见，所描绘的特征的尺寸可以任意地扩大或减小。根据一般惯例，为了清楚起见，对一些附图进行了简化。因此，附图可能没有描绘特定装置或方法的所有组件。此外，在整个说明书和附图中，相同的附图标记表示相同的特征。

具体实施方式

本文中公开的示例性方法、装置和系统减轻了常规方法、装置、系统的缺点、以及其他先前未确定的需求。

在以下公开中，通常，应当理解，附图及其各种元素未绘制到任何类型的比例或测量参考系。此外，诸如“上方”、“下方”、“顶部”、“底部”、“上部”和“下部”等相对术语用于描述各种元件彼此之间的关系，如附图所示。应当理解，除了附图中所示的取向之外，这些相对术语旨在包括器件和/或元件的不同取向。

应当理解，除了附图中所示的取向之外，这些相对术语还旨在涵盖器件和/或元件的不同取向。例如，如果器件相对于附图中的视图被倒置，则被描述为例如在另一元素“上方”的元素现在将位于该元素下方。

如上所述，人们希望优化或改进不断发展的和先进的技术节点的IC区域扩展。所公开的各个方面提供了用于通过利用在先进技术节点中已经从线路前端(FEOL)移动到线路后端(BEOL)的高电阻(Hi-R)电阻器来增加MOM密度或降低金属利用率的可行方式。

上述技术优势还可以使用Hi-R导体层作为MOM的有源层或屏蔽层的一部分。另一优点是，这些方法和装置不需要附加掩蔽或加工步骤来制造。这最终降低了成本、简化了制造工艺、并且提高了产量。

Hi-R电阻器的电气性质和特性(例如，电阻，并且可以由导体层制成)可以通过操纵层的几何形状来控制，诸如通过选择层的长度、宽度和厚度。Hi-R导体层可以是MOM电容器的有源层或屏蔽层的一部分。

Hi-R导体层的示例包括由氮化钛(TiN)或硅化钨(WSix)制成的薄膜金属电阻器。当在Hi-R中使用时，“高”一词可以被视为与所具有的高精度和高薄层电阻性质有关。在一个示例中，所使用的薄膜可以是大约5nm的厚度并且由高电阻率材料形成。这是与诸如衬底电阻器等线路前端(FEOL)电阻器相比较。

更一般地，Hi-R导体层通常可以被认为是具有相对较小几何形状和尺寸的金属电阻器。例如，一些可能的尺寸是从0.1μm到10μm的宽度、以及从0.5μm到40μm的长度。

应当理解，MOM区域内部的Hi-R导体层通过过孔连接到上方的金属层。MOM内部的Hi-R导体层的尺寸大于常规金属电阻器的尺寸，并且因此，所使用的过孔的尺寸可以比常规设计更灵活，并且产生很多技术优势。

到Hi-R电阻器的过孔连接通常遵循特定形状和尺寸(通常为矩形)，以实现较低的连接电阻。然而，到电容器节点的连接可能不需要这种低连接电阻。尽管低R连接通常是期望的设计目标。这允许实现方形过孔(相对于矩形)，从而在过孔尺寸和形状方面提供更大的灵活性。这些技术优势和设计灵活性也适用于过孔的尺寸(例如，较大尺寸的过孔)。图2A稍后将对此进行更详细的说明。

图1A示出了根据本公开的各个方面的器件的两个示例性配置(102和104)。在图1A中，器件102的一部分包括所示的三个互连的金属层：M1、M2和M3。一个示例性电气互连是过孔105。这还包括通过过孔105连接到金属层M1的Hi-R导体层103。注意，在该示例中，Hi-R导体层103被示出为在器件的较低层级区域(例如，FEOL)中。

Hi-R导体层的电阻水平可以根据各种设计因素和目标进行选择。这些考虑因素中的一些是可以耗散的能量、与电路系统良好工作的期望电阻水平、期望精度水平、成本等。

更具体地，Hi-R导体层的一种实现是氮化钛(TiN)层。在一个示例中，TiN层可以具有300-600欧姆/平方面积的薄层电阻。这种每平方面积欧姆表示法指示薄层电阻的单位，它反映了导体材料电阻率和层厚度的组合。当根据一个方面将这种类型的Hi-R导体层图案化以用作MOM的一部分时，图案化的导体层的厚度可以在0.2至500μm的范围内。

根据本公开的另一方面，图1A的器件104的一部分还包括三个互连的金属层：M1、M2和M3。Hi-R导体层107被示出通过过孔109连接到金属层M3。注意，在该示例中，Hi-R导体层107被示出在器件的上层区域(例如，BEOL)中。应当理解，在本公开的各个其他方面，Hi-R导体层107也可以位于互连金属层的其他区域中，诸如中间区域(图1中未示出)。此外，应当理解，金属层的数目可以不同于所示的示例，并且可以包含多于所示的三个金属层。

图1B示出了线路前端(FEOL)器件的示例性器件堆叠111配置。作为参考系，图1B可以位于图1A中所示金属层M2至M3之间的某个位置。示出了器件堆叠111的下层112(例如，低k层)和上层114。两个互连的金属层(M2和M3)被示出通过113中的过孔(V2)连接。示出了上层区域116[例如，氮化硅碳氧化物(SiCON)]以及下层区域118(例如，SiCON)。

115中所示的示例性金属层和过孔是铜(Cu)。还示出了示例性氮化铝(AlN)层117和示例性氮化钛(TiN)层119。注意，该TiN层119是Hi-R导体层。本领域技术人员将理解，可以使用其他材料和材料组合来实现这些特征。

图2A示出了根据本公开的各个方面的常规MOM电容器202与MOM电容器216之间的示例性横截面比较。在水平虚线上方示出的MOM电容器202和MOM电容器216的部分示出了MOM中的并联指状物的情况。在水平虚线下方示出的MOM电容器202和MOM电容器216的部分示出了MOM中的垂直指状物的情况。

MOM电容器202中的平行指状物包括上部金属层Mx+1以及下部金属层Mx。上部金属层Mx+1被示出具有交替正负极性的金属指状物206。并且下部金属层Mx也被示出具有交替正负极性的金属指状物208。

在图2A中，MOM电容器216包括MOM电容器216的上部金属层Mx+1中的金属指状物218和下部金属层Mx中的金属指状物220。金属层材料的一个示例是铜(Cu)。金属指状物218被定向为平行于金属指状物220。上部金属层Mx+1和下部金属层Mx+1被示出具有由加号和减号指示的交替极性的金属指状物(218和220)。此外，根据所公开的各个方面，Hi-R导体层219设置在下部金属层Mx与上部金属层Mx+1之间。在该配置中，具有正(+)极性的Hi-R导体层219可以用作MOM电容器216有源层以增加电容器密度。

根据公开的各个方面，一个或多个介电层可以设置在金属层与Hi-R导体层之间。在本公开的一个方面，薄帽层(例如，SiCN或AlN)和介电层(例如，低k介电层)可以设置在Hi-R导体层上方和Mx+1下方。从Mx到Hi-R导体层，可以存在SiCN+氧化物蚀刻停止层和低k介电层。应当理解，不具有Hi-R导体层的常规Mx到Mx+1堆叠可以具有SiCN+氧化物蚀刻停止层和低k介电层。

此外，可以理解，在一些方面，图案化的Hi-R导体层通过与图1的109中所示的过孔类似的过孔连接到上面的金属层上的相应MOM节点(例如，所示示例中的+节点)，并且用于将金属电阻器连接到Mx+1。在一些方面，由于在MOM中增加了(Hi-R导体层的)又一个有源层，MOM电容密度增加。

图2A中还示出了根据本公开的各个方面的常规MOM电容器202与MOM电容器216之间的截面比较。常规MOM电容器202和MOM电容器216两者都配置有垂直金属指状物。

在图2A中，常规MOM电容器202示出了MOM电容器216中具有负极性的上部金属层Mx+1的一部分。在所示的部分中，上部金属层Mx+1是垂直于下部金属层Mx中具有交替极性的指状物214的指状物212的非分段的连续部分。

在图2A的另一部分中，MOM电容器216包括具有负极性的上部金属层Mx+1的一部分，并且表示MOM电容器216中的指状物222的一部分。在所示的部分中，上部金属层Mx+1是垂直于下部金属层Mx中具有交替极性的指状物224的指状物的连续部分。此外，在MOM 216中，Hi-R导体层223设置在上部金属层Mx+1的指状物222与下部金属层Mx的指状物224之间。在所示的配置中，Hi-R导体层223可以用作附加MOM电容器有源层以增加电容器密度。

应当理解，所公开的各个方面不限于所示的配置。例如，除了上面讨论的上层区域之外，具有Hi-R导体层的一个或多个MOM电容器的位置可以位于器件的中间或多个中央区域中。此外，具有Hi-R导体层的一个或多个MOM电容器可以位于上述三个区域的任何组合中。

图2B示出了示例性器件的示例性连接配置中的多个金属指状物。Hi-R层221被示出具有两个金属指状物229和231。在该示例中，两个金属指状物可以由两个金属层Mx和Mx+1形成。在金属元件229中，所示的四个过孔的形状为方形，而所示的两个过孔的形状为矩形。在金属元件231中，仅示出了两个过孔，并且它们的形状为方形。本领域技术人员将理解，可以实现各种过孔配置和/或过孔的各种几何形状，并且不同形状的过孔可以以各种相互组合的方式使用。还示出了Hi-R层221(Hi-R层的另一示例性视图如图2A的219所示)。

另外的方面可以包括在各个示例方面中讨论的以下特征中的一个或多个。例如，MOM电容器可以包括第二金属层(例如，Mx、Mx+1)，其中Hi-R导体层设置在第一金属层(如，Mx)与第二金属层(如，Mx+1)之间。在另外的方面，第二金属层(Mx)可以具有第二多个指状物(220)，第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为平行于第一多个金属指状物(218)。在其他方面，第二金属层(Mx)可以具有第二多个指状物(224)，第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为垂直于第一多个指状物(222)。

图2A还示出了三个示例性MOM电容器结构(232、234、236)，包括其金属层和极性(Mx和Mx+1)、连接过孔(Vx)、以及Hi-R层221在225所示的结构中的位置。

图3示出了根据本公开的各个方面的常规MOM电容器302与MOM电容器308之间的另一比较。

在图3中，MOM电容器302被示出作为具有下部金属层Mx和上部金属层Mx+1的常规双金属层结构。上部金属层Mx+1表示具有交替极性的指状物306的有源层。下部金属层Mx表示具有相同极性的金属指状物308的底部屏蔽层。在所示的配置中，下部金属层Mx具有负极性。注意，在该常规结构中，在下部金属层Mx指状物304与上部金属层Mx+1指状物306之间不存在Hi-R导体层。

在图3的另一部分中，MOM电容器308也被示出具有两个金属层配置。上部金属层Mx+1表示具有交替极性指状物312的MOM电容器308的有源层。MOM电容器308另外具有Hi-R导体层311，Hi-R导体层311在该配置中用作底部屏蔽层(例如，底部屏蔽层可以具有负极性，如图所示)。使用Hi-R导体层311作为底部屏蔽层允许下部金属层Mx被节省用于其他布线/连接310，而不是专用于MOM电容器308。这允许在给定设计中提高金属层的利用率。在备选方面(未示出)中，Hi-R导体层可以用作顶部屏蔽层，例如，其中下部金属层Mx将包括被配置为MOM电容器的有源层的指状物(例如，310)(图3中未示出)。应当理解，在以Hi-R导体层311作为顶部屏蔽层的配置中，上部金属层Mx+1可以被节省用于其他布线/连接目的。

图4示出了可以用于MOM电容器中的Hi-R导体层402的示例性俯视图。过孔404(Vx)是可以用于提供用于在MOM电容器内使用的电气耦合的互连机制并且还可以用于提供到其他金属层和组件的互连的代表性过孔。在一些方面，Hi-R导体层402可以设置在金属层Mx与金属层Mx+1之间，并且金属指状物可以经由Mx与Mx+1指状物之间的连接而被图案化，或者用于Mx和Mx+1金属层的其他部分。此外，指状物可以以孔或开口来图案化，以允许过孔穿过以到达其他金属层。

应当理解，所公开的各个方面不限于所示的示例。例如，提供过孔的数目和位置仅仅是为了说明。在一些方面，为了便于解释，符号“Vx”和“Mx”可以指示与过孔和金属层相关联的。然而，本公开不应限于特定符号，并且过孔与各种金属层的功能互连不受所使用的命名法的限制。此外，可以使用其他连接器或连接技术和方法代替过孔来互连各种金属层。

根据本文中公开的各个方面，至少一个方面包括一种包括金属氧化物金属(MOM)电容器的装置。MOM电容器包括具有第一多个金属指状物(218、222、312)的第一金属层(例如，Mx、Mx+1)，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性。MOM电容器包括高电阻(Hi-R)导体层(例如，219、223、311)，该Hi-R导体层在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置。如上所述，在所公开的各个方面提供的各种技术优点中，在至少一些方面，Hi-R导体层在被配置作为MOM电容器的有源层时提供增加的电容，并且在被配置作为屏蔽层时提供提高的金属层利用率，如上所述。在其他方面，当Hi-R导体层是屏蔽层时，它可以被配置作为一般实心板，与在常规屏蔽层中使用的常规金属线相比，这提供了改进的屏蔽。

从本文中公开的各个方面将认识到其他技术优势，这些技术优势仅作为示例提供，而不应当被解释为限制本文中公开的各个方面中的任何一个。

图5A示出了制造金属氧化物金属(MOM)电容器的方法。在框501中，该方法可以包括形成具有第一多个指状物的第一金属层，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性。在框503中，该方法可以包括形成高电阻(Hi-R)导体层，该Hi-R导体层在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置。

图5B示出了另一示例性制造工艺流程。在框502中，将金属层Mx与第一组过孔(Vx-1)一起处理(例如，形成指状物、布线等)，以经由金属层之间的电气路径提供连接。在框504中，在MOM电容器区域504中形成Hi-R导体层。如上所述，应当理解，Hi-R导体层可以被配置作为MOM电容器的有源部分，或者可以被配置作为用于MOM电容器的屏蔽层。在框506中，处理金属层Mx+1(例如，形成指状物、布线等)，并且还处理一组过孔Vx以提供金属层之间的互连。此外，过孔Vx可以提供到Hi-R导体层的连接。应当理解，根据所公开的各个方面，可以使用很多常规制造工艺来制造MOM电容器。因此，不需要附加的掩蔽或处理方法来构造根据所公开的各个方面的MOM电容器。各个方面提供了改进的性能和产量以及降低的制造复杂性。如上所述，各个方面包括将Hi-R导体层配置作为MOM电容器中的有源层或作为用于MOM电容器的屏蔽层，而不产生任何附加制造成本。

图6示出了根据本公开的至少一个方面的用于制造器件的另一示例性方法。在框608中，可以将MOM电容器结构形成在集成电路(IC)器件的互连堆叠的至少一个互连层上。本领域技术人员将理解，制造工艺的顺序不一定是任何顺序，并且可以更早地讨论稍后的工艺以提供所公开的各个方面的广度的示例。

在框610中，在位于至少两个金属层之间的层上沉积Hi-R材料的层。如前所述，可以形成具有第一多个金属指状物(例如，218、222、312)的第一金属层(例如，Mx、Mx+1)，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性。同样，该方法还可以包括形成高电阻(Hi-R)导体层(例如，311、219、223)，该Hi-R导体层在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置。

因此，从上述公开内容中可以理解，用于制造本文中公开的各个方面的附加工艺对本领域技术人员来说将是很清楚的，并且在所包括的附图中不会提供或示出上述工艺的字面再现。例如，应当理解，Hi-R导体层可以沉积在正在形成的电容器结构中的任何位置或位置组合中。例如，根据结构的各种设计考虑，Hi-R导体层可以位于下部区域、中间区域或上部区域上。

所公开的MOM电容器还可以被并入选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、笔记本电脑、服务器和机动车辆中的设备。还应当理解，为了简洁起见，本文中示出和描述的器件和方法可以省略对常规封装组装件组件或活动的描述和/或图示，而没有偏见或免责声明。

图7示出了根据本公开的一些示例的示例性移动设备。现在参考图7，描绘了根据示例性方面而配置的移动设备的框图，该移动设备总体上用700表示。在一些方面，移动设备700可以被配置作为无线通信设备。如图所示，在一些方面，移动设备700包括处理器701，处理器701可以被配置为实现本文中描述的方法。处理器701被示出为包括指令流水线712、缓冲处理单元(BPU)708、分支指令队列(BIQ)711和节流器710，这在本领域中是公知的。为了清楚起见，这些块的其他公知的细节(例如，计数器、条目、置信度域、加权和、比较器等)已从处理器701的视图中省略。

处理器701可以通过链路通信耦合到存储器732，该链路可以是管芯到管芯或芯片到芯片链路。移动设备700还包括显示器728和显示器控制器726，其中显示器控制器726耦合到处理器701和显示器728。

在一些方面，图7可以包括耦合到处理器701的编码器/解码器(CODEC)734(例如，音频和/或语音CODEC)；耦合到CODEC 734的扬声器736和麦克风738；以及耦合到无线天线742和处理器701的无线控制器740(其可以包括调制解调器)。

在一个特定方面，当存在上述块中的一个或多个时，处理器701、显示器控制器726、存储器732、CODEC 734和无线控制器740可以被包括在系统封装或片上系统设备722中。输入设备730(例如，物理或虚拟键盘)、电源744(例如，电池)、显示器728、输入设备730、扬声器736、麦克风738、无线天线742和电源744可以在片上系统设备722外部，并且可以耦合到片上系统设备722的组件，诸如接口或控制器。

应当注意，尽管图7描绘了移动设备，但处理器701和存储器732也可以集成到机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、计算机、膝上型电脑、平板计算机、通信设备、移动电话、或其他类似设备。

图8示出了根据本公开的一些示例的可以与上述集成器件、半导体器件、集成电路、管芯、中介层、封装或封装上封装(PoP)中的任何一种集成的各种电子设备。例如，移动电话设备802、膝上型计算机设备804和固定位置终端设备806可以包括如本文中描述的集成器件800。集成器件800可以是例如本文中描述的集成电路、管芯、集成器件、集成器件封装、集成电路器件、器件封装、集成电路(IC)封装、封装上封装器件中的任何一种。图8所示的设备802、804、806只是示例性的。其他电子设备也可以以集成器件800为特征，包括但不限于一组设备(例如，电子设备)，包括移动设备、手持个人通信系统(PCS)单元、诸如个人数字助理等便携式数据单元、启用全球定位系统(GPS)的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器，娱乐单元、固定位置数据单元(诸如抄表设备)、通信设备、智能电话、平板计算机、计算机、可穿戴设备、服务器、路由器、在机动车辆(例如，自动驾驶汽车)中实现的电子设备、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备、或其任何组合。

应当理解，本文中公开的各个方面可以被描述为本领域技术人员所描述和/或认可的结构、材料和/或设备的功能等价物。例如，在一个方面，装置可以包括用于执行上述各种功能的部件。应当理解，上述方面仅作为示例提供，并且所要求保护的各个方面不限于作为示例而引用的具体参考文献和/或图示。

图中所示的组件、过程、特征和/或功能中的一个或多个可以重新布置和/或组合成单个组件、过程、特征或功能，或者合并到若干组件、过程和功能中。在不脱离本公开的情况下，还可以添加附加元件、组件、过程和/或功能。还应当注意，本公开中的描述不限于管芯和/或IC。在一些实现中，图1-图5及其对应描述可以用于制造、创建、提供和/或生产集成器件。在一些实现中，器件可以包括管芯、集成器件、管芯封装、集成电路(IC)、器件封装、集成线路(IC)封装、晶片、半导体器件、封装上封装(PoP)器件和/或中介层。诸如管芯等器件的有源面是器件的一部分，其包含器件的有源组件(例如，晶体管、电阻器、电容器、电感器等)，这些组件执行器件的操作或功能。器件的背面是器件的与有源面相对的一面。如本文中使用的，金属化结构可以包括金属层、过孔、焊盘、或在其间具有电介质的迹线，诸如再分配层或RDL。

如本文中使用的，术语“用户设备(user equipment)”(或“UE”)，“用户设备(userdevice)”、“用户终端”、“客户端设备”、“通信设备”、“无线设备”、“无线通信设备”、“手持设备(handheld device)”、“移动设备”、“移动终端”、“移动站”、“手持设备(handset)”、“接入终端”、“订户设备”、“订户终端”、“订户站”、“终端”及其变体可以可交换地是指可以接收无线通信和/或导航信号的任何合适的移动或固定设备。这些术语包括但不限于音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、笔记本电脑、服务器、机动车辆中的设备、和/或其他类型的便携式电子设备，其通常由个人携带和/或具有通信能力(例如，无线、蜂窝、红外、短程无线电等)。这些术语还旨在包括与另一设备通信的设备，该另一设备可以接收无线通信和/或导航信号，诸如通过近距离无线、红外、有线连接或其他连接，而不管卫星信号接收、辅助数据接收和/或位置相关处理是发生在设备处还是发生在其他设备处。此外，这些术语旨在包括能够经由无线电接入网(RAN)与核心网通信的所有设备，包括无线或有线通信设备，并且，通过核心网，UE可以与诸如互联网等外部网络连接，以及与其他UE连接。当然，UE连接到核心网和/或互联网的其他机制也是可能的，诸如通过有线接入网、无线局域网(WLAN)(例如，基于IEEE 802.11等)等。UE可以由多种类型的设备中的任何一种来实现，包括但不限于印刷电路(PC)卡、小型闪存设备、外部或内部调制解调器、无线或有线电话、智能电话、平板计算机、跟踪设备、资产标签等。UE可以通过其向RAN发送信号的通信链路称为上行链路信道(例如，反向业务信道、反向控制信道、接入信道等)。RAN可以通过其将信号发送给UE的通信链路称为下行链路或前向链路信道(例如，寻呼信道、控制信道、广播信道、前向业务信道等)。如本文中使用的，术语业务信道(TCH)可以是指上行链路/反向或下行链路/前向业务信道。

电子设备之间的无线通信可以基于不同的技术，诸如码分多址(CDMA)、W-CDMA、时分多址(TDMA)、频分多址(FDMA)、正交频分复用(OFDM)、全球移动通信系统(GSM)、3GPP长期演进(LTE)、Bluetooth(BT)、Bluetooth低能耗(BLE)、IEEE 802.11(WiFi)和IEEE 802.15.4(Zigbee/Thread)、或者可以在无线通信网络或数据通信网络中使用的其他协议。Bluetooth低能耗(也称为Bluetooth LE、BLE和Bluetooth智能)是一种由Bluetooth特殊利益集团设计和销售的无线个人局域网技术，其旨在在保持类似通信范围的同时，大幅降低功耗和成本。2010年，随着Bluetooth核心规范4.0版的采用，BLE被合并到主要的Bluetooth标准中，并且在Bluetooth5中进行了更新(这两者都明确包括在本文中)。

“示例性”一词在本文中用于表示“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何细节都不应当被解释为优于其他示例。同样，术语“示例”并不表示所有示例都包括所讨论的特征、优势或操作模式。此外，特定特征和/或结构可以与一个或多个其他特征和/或结构组合。此外，本文中描述的装置的至少一部分可以被配置为执行本文中描述的方法的至少一个部分。

本文中使用的术语是为了描述特定示例，而非旨在限制本公开的示例。如本文中使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”也应当包括复数形式。应当进一步理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当在本文中使用时指定所述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其组的存在或添加。

应当注意，术语“连接”、“耦合”或其任何变体是指元件之间的任何直接或间接的连接或耦合，并且可以包括经由中间元件“连接”或“耦合”在一起的两个元件之间中间元件的存在。

本文中使用诸如“第一”、“第二”等名称对元素的任何引用都不限制这些元素的数目和/或顺序。相反，这些名称被用作区分两个或更多个元素和/或元素实例的方便方法。此外，除非另有说明，否则一组元素可以包括一个或多个元素。

本申请中所述或描绘的任何内容均不旨在将任何组成部分、动作、特征、益处、优点或等同物奉献给公众，无论权利要求中是否陈述了该组成部分、动作、特征、益处、优点或等同物。

结合本文中公开的示例而描述的方法、序列和/或算法可以直接被并入硬件中、由处理器执行的软件模块中或这两者的组合中。软件模块可以驻留于RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或本领域已知的任何其他形式的存储介质中，包括非暂态类型的存储器或存储介质。示例性存储介质耦合到处理器，使得处理器可以从存储介质读取信息以及向存储介质写入信息。在备选方案中，存储介质可以集成到处理器中。

在上面的详细描述中，可以看出，不同特征在示例中被分组在一起。这种公开方式不应当被理解为要求保护的示例具有比相应权利要求中明确提及的更多特征的意图。相反，本公开可以包括少于所公开的单个示例的所有特征。因此，以下权利要求应当被视为被并入说明书中，其中每个权利要求本身可以作为单独的示例。尽管每个权利要求本身可以作为单独的示例，应当注意，尽管从属权利要求可以在权利要求中引用与一个或多个权利要求的特定组合，但是其他示例也可以涵盖或包括所述从属权利要求与任何其他从属权利要求的主题的组合、或者任何特征与其他从属和独立权利要求的组合。除非明确表示不打算使用特定组合，否则这样的组合在本文中被提出。此外，权利要求的特征也可以被包括在任何其他独立权利要求中，即使所述权利要求不直接依赖于该独立权利要求。

此外，在一些示例中，个体动作可以细分为多个子动作或包含多个子动作。这样的子动作可以被包含在个体动作的公开中，并且是个体动作的公开的一部分。

虽然上述公开示出了本公开的说明性示例，但应当注意，在不脱离所附权利要求所限定的本公开的范围的情况下，本文可以进行各种改变和修改。根据本文中描述的公开的示例的方法权利要求的功能和/或动作不需要以任何特定顺序来执行。此外，将不详细描述或可以省略公知的元件，以免混淆本文中公开的方面和示例的相关细节。此外，尽管本公开的元素可以以单数形式描述或要求保护，但除非明确规定对单数形式的限制，否则可以考虑复数形式。

在上面的详细描述中，可以看出，不同的特征在示例中被分组在一起。这种公开方式不应当被理解为示例条款具有比每个条款中明确提及的更多的特征的意图。相反，本公开的各个方面可以包括少于所公开的单个示例条款的所有特征。因此，以下条款应当被视为被包括在说明书中，其中每个条款本身可以作为单独的示例。尽管每个条款都可以在条款中引用与其他条款中的一个的特定组合，但该从属条款的(各)方面不限于该特定组合。应当理解，其他示例条款还可以包括(各)从属条款方面与任何其他从属条款或独立条款的主题的组合、或者任何特征与其他从属条款和独立条款的组合。本文中公开的各个方面明确地包括这些组合，除非明确地表达或可以容易地推断出特定组合不是有意的(例如，矛盾的方面，诸如将元件限定为绝缘体和导体两者)。此外，意图还在于，条款的各方面也可以被包括在任何其他独立条款中，即使该条款不直接依赖于该独立条款。

条款1.一种包括金属氧化物金属(MOM)电容器的装置，所述MOM电容器包括：第一金属层，具有第一多个指状物，所述第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性；以及高电阻(Hi-R)导体层，在平行于所述第一金属层的平面中与所述第一金属层相邻设置。

条款2.根据条款1所述的装置，还包括：第二金属层，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间。

条款3.根据条款2所述的装置，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为平行于所述第一多个指状物。

条款4.根据条款2所述的装置，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为垂直于所述第一多个指状物。

条款5.根据条款1至4中任一项所述的装置，其中所述Hi-R导体层被配置作为所述MOM电容器的附加有源层。

条款6.根据条款1至4中任一项所述的装置，其中所述Hi-R导体层被配置作为所述MOM电容器的屏蔽层。

条款7.根据条款1至6中任一项所述的装置，其中所述Hi-R导体层的几何性质用于控制至少部分Hi-R性质。

条款8.根据条款1至7中任一项所述的装置，其中所述Hi-R导体层是连续层。

条款9.根据条款1至8中任一项所述的装置，其中所述Hi-R导体层具有多个开口，并且所述多个开口中的至少一些开口允许到所述第一金属层的互连。

条款10.根据条款1至9中任一项所述的装置，还包括：具有互连堆叠的集成电路(IC)，其中所述MOM电容器位于所述互连堆叠中。

条款11.根据条款10所述的装置，其中所述Hi-R导体层位于所述互连堆叠的下部区域、所述互连堆叠的中间区域或所述互连堆叠的上部区域中的至少一个中。

条款12.根据条款1至11中任一项所述的装置，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层下方。

条款13.根据条款1至11中任一项所述的装置，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层上方。

条款14.根据条款1至13中任一项所述的装置，其中所述装置被并入选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。

条款15.一种制造金属氧化物金属(MOM)电容器的方法，包括：形成具有第一多个指状物的第一金属层，所述第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性；并且形成高电阻(Hi-R)导体层，所述Hi-R导体层在平行于所述第一金属层的平面中与所述第一金属层相邻设置。

条款16.根据条款15所述的方法，还包括：形成第二金属层，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间。

条款17.根据条款16所述的方法，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为平行于所述第一多个指状物。

条款18.根据条款16所述的方法，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为垂直于所述第一多个指状物。

条款19.根据条款15至18中任一项所述的方法，其中所述Hi-R导体层被配置作为所述MOM电容器的附加有源层。

条款20.根据条款15至18中任一项所述的方法，其中所述Hi-R导体层被配置作为所述MOM电容器的屏蔽层。

条款21.根据条款15至20中任一项所述的方法，其中所述Hi-R导体层的几何性质用于控制至少部分Hi-R性质。

条款22.根据条款15至21中任一项所述的方法，其中所述Hi-R导体层是连续层。

条款23.根据条款15至22中任一项所述的方法，其中所述Hi-R导体层具有多个开口，并且所述多个开口中的至少一些开口允许到所述第一金属层的互连。

条款24.根据条款15至23中任一项所述的方法，还包括：形成具有互连堆叠的集成电路(IC)，其中所述MOM电容器位于所述互连堆叠中。

条款25.根据条款24所述的方法，其中所述Hi-R导体层位于所述互连堆叠的下部区域、所述互连堆叠的中间区域或所述互连堆叠的上部区域中的至少一个中。

条款26.根据条款15至25中任一项所述的方法，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层下方。

条款27.根据条款15至25中任一项所述的方法，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层上方。

条款28.根据条款15至27中任一项所述的方法，其中所述MOM电容器被并入选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。

Claims (28)

1.一种包括金属氧化物金属(MOM)电容器的装置，所述MOM电容器包括：

第一金属层，具有第一多个指状物，所述第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性；以及

高电阻(Hi-R)导体层，在平行于所述第一金属层的平面中与所述第一金属层相邻设置。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

第二金属层，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为平行于所述第一多个指状物。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为垂直于所述第一多个指状物。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述Hi-R导体层被配置作为所述MOM电容器的附加有源层。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述Hi-R导体层被配置作为所述MOM电容器的屏蔽层。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述Hi-R导体层的几何性质用于控制至少部分Hi-R性质。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述Hi-R导体层是连续层。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述Hi-R导体层具有多个开口，并且所述多个开口中的至少一些开口允许到所述第一金属层的互连。

10.根据权利要求1所述的装置，还包括：

具有互连堆叠的集成电路(IC)，其中所述MOM电容器位于所述互连堆叠中。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述Hi-R导体层位于所述互连堆叠的下部区域、所述互连堆叠的中间区域或所述互连堆叠的上部区域中的至少一个中。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层下方。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层上方。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置被并入选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。

15.一种制造金属氧化物金属(MOM)电容器的方法，包括：

形成具有第一多个指状物的第一金属层，所述第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性；并且

形成高电阻(Hi-R)导体层，所述高电阻(Hi-R)导体层在平行于所述第一金属层的平面中与所述第一金属层相邻设置。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

形成第二金属层，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为平行于所述第一多个指状物。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为垂直于所述第一多个指状物。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述Hi-R导体层被配置作为所述MOM电容器的附加有源层。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述Hi-R导体层被配置作为所述MOM电容器的屏蔽层。

21.根据权利要求15所述的方法，其中所述Hi-R导体层的几何性质用于控制至少部分Hi-R性质。

22.根据权利要求15所述的方法，其中所述Hi-R导体层是连续层。

23.根据权利要求15所述的方法，其中所述Hi-R导体层具有多个开口，并且所述多个开口中的至少一些开口允许到所述第一金属层的互连。

24.根据权利要求15所述的方法，还包括：

形成具有互连堆叠的集成电路(IC)，其中所述MOM电容器位于所述互连堆叠中。

25.根据权利要求24所述的方法，其中所述Hi-R导体层位于所述互连堆叠的下部区域、所述互连堆叠的中间区域或所述互连堆叠的上部区域中的至少一个中。

26.根据权利要求15所述的方法，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层下方。

27.根据权利要求15所述的方法，其中所述Hi-R导体层设置在所述第一金属层上方。

28.根据权利要求15所述的方法，其中所述MOM电容器被并入选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。