CN117155416A - 一种endc双连接射频结构和移动终端 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种ENDC双连接射频结构和移动终端，其中，ENDC双连接射频结构包括射频收发器、第一天线、第二天线、第一主集接收通路、第二主集接收通路、第一发射通路和第二发射通路，射频收发器包括发射端口和主集接收端口；第一主集接收通路，连接在主集接收端口和第一天线之间，用于接收第一射频信号和第二射频信号；第一发射通路，连接在发射端口和第一天线之间，用于发射第一射频信号；第二主集接收通路连接在主集接收端口和第二天线之间，用于传输第一射频信号和第二射频信号；第二发射通路，连接在发射端口和第二天线之间，用于发射第二射频信号，通过将发射通路均与主集接收通路共用天线，能够走线以降低插入损失。
Description
技术领域
本发明涉及移动通信技术领域，特别涉及一种ENDC双连接射频结构和移动终端。
背景技术
相对于LTE技术，单频段的频谱资源都是共享的，为了扩大5G技术的用户容量，5G提出了非独立组网技术，5G核心网软硬件设施还是基于LTE核心网建造的，扩建简单，性价比较高。非独立组网技术主要涉及ENDC模式，即为LTE与NR同时工作。
在ENDC模式中，由于收发器中对应连接主集接收通路和分集接收通路的端口位置分布不同，也即连接主集接收通路的端口集中分布在收发器的一个区域，连接分集接收通路的端口集中分布在收发器的另一个区域。那么为了满足射频器件的堆叠要求，并适应收发器的端口分布特点，就会使得射频结构的走线长，导致插入损耗变大。
因而现有技术还有待改进和提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种ENDC双连接射频结构和移动终端，能够有效解决现有的ENDC双连接射频结构中走线长导致插入损耗变大的问题。
为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：
本申请实施例提供一种ENDC双连接射频结构，包括射频收发器、第一天线、第二天线、第一主集接收通路、第二主集接收通路、第一发射通路和第二发射通路，射频收发器包括发射端口和主集接收端口；
第一主集接收通路，连接在主集接收端口和第一天线之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号；
第一发射通路，连接在发射端口和第一天线之间，用于发射4G射频信号；
第二主集接收通路连接在主集接收端口和第二天线之间，用于传输4G射频信号和5G射频信号；
第二发射通路，连接在发射端口和第二天线之间，用于发射5G射频信号。
在一些实施例中的ENDC双连接射频结构，ENDC双连接射频结构还包括第三天线、第四天线、第一分集接收通路和第二分集接收通路，射频收发器还包括分集接收端口；
第一分集接收通路，连接在分集接收端口和第三天线之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号；
第二分集接收通路，连接在分集接收端口和第四天线之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号。
在一些实施例中的ENDC双连接射频结构，第一主集接收通路包括第一低噪声放大器，第一低噪声放大器与第一天线和主集接收端口连接。
在一些实施例中的ENDC双连接射频结构，第一发射通路包括第一功率放大器，第一功率放大器与第一天线和发射端口连接。
在一些实施例中的ENDC双连接射频结构，第二主集接收通路包括第二低噪声放大器，第二低噪声放大器与第二天线和主集接收端口连接。
在一些实施例中的ENDC双连接射频结构，第二发射通路包括第二功率放大器，第二功率放大器与第二天线和发射端口连接。
在一些实施例中的ENDC双连接射频结构，第一分集接收通路包括第三低噪声放大器，第三低噪声放大器与三天线和分集接收端口连接。
在一些实施例中的ENDC双连接射频结构，第二分集接收通路包括第四低噪声放大器，第四低噪声放大器与第四天线和分集接收端口连接。
在一些实施例中的ENDC双连接射频结构，4G射频信号与5G射频信号的频段相同。
本申请实施例还提供一种移动终端，包括上述的ENDC双连接射频结构。
相较于现有技术，本发明提供了一种ENDC双连接射频结构和移动终端，其中，ENDC双连接射频结构通过将原来的一个发射通路与主集接收通路共用一天线、另一个发射通路与分集接收通路共用一天线设置为两个发射通路均与主集接收通路共用天线，使得两个既支持接收又支持发射功能的天线堆叠更加集中，在满足射频器件在PCB板上堆叠布线时，能够减少ENDC双连接射频结构的走线，进而降低插入损耗。
附图说明
图1为本发明提供的ENDC双连接射频结构的第一种结构框图。
图2为本发明提供的ENDC双连接射频结构的第一种结构的原理图。
图3为本发明提供的ENDC双连接射频结构的第二种结构框图。
图4为本发明提供的ENDC双连接射频结构的第三种结构框图。
图5为本发明提供的ENDC双连接射频结构的第三种结构的原理图。
具体实施方式
本发明的目的在于提供一种ENDC双连接射频结构和移动终端，能够有效解决现有的ENDC双连接射频结构中走线长导致插入损耗变大的问题。
为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明提供的第一种ENDC双连接射频结构包括射频收发器10、第一天线21、第二天线22、第一主集接收通路31、第二主集接收通路32、第一发射通路41、第二发射通路42、第一分集接收通路33和第二分集接收通路34，射频收发器10包括发射端口和主集接收端口，发射端口有两个分别为TX1端口和TX2端口，本实施例中的主集接收端口有两个分别为PRX1端口和PRX2端口。其中，第一主集接收通路31连接在主集接收端口(具体为连接PRX1端口)和第一天线21之间，用于4G射频信号和5G射频信号；第一发射通路41连接在发射端口(具体为连接TX1端口)和第一天线21之间，用于发射4G射频信号；第二主集接收通路32，连接在主集接收端口(具体为连接PRX2端口)和第三天线23之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号；第二发射通路42连接在第二天线22和发射端口(具体为TX2端口)之间，用于发射5G射频信号；第一分集接收通路33连接在分集接收端口和第二天线22之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号；第二分集接收通路34连接在分集接收端口和第四天线24之间。
针对同频ENDC制式下，LTE与NR的发射通路对应的接收通路分别对应主集接收通路和分集接收通路。也即LTE的发射通路与主集接收通路共用同一天线，NR的发射通路与分集接收通路分别共用同一天线。
本实施例中射频收发器10包括多个端口，其中与主集接收通路连接的端口分布在一个区域，与分集接收通路连接的端口集中分部在另一个区域。本实施例中的分集接收端口也有两个，分别为DRX1端口和DRX2端口。相当于第一天线21、第二天线22、第三天线23和第四天线24支持接收功能，但是其中第一天线21和第二天线22还支持发射功能，以便于实现同频的4G信号和5G信号接收通路与发射通路共用天线。
进一步地，请参阅图2，本实施例中第一发射通路41包括第一功率放大器，第一主集接收通路31包括第一低噪声放大器，第二主集接收通路32包括第二低噪声放大器，第二发射通路42包括第二功率放大器，第一分集接收通路33包括第三低噪声放大器，第二分集接收通路34包括第四低噪声放大器。以ENDC_B3[4]_N3[4]组合为例对本实施例中的ENDC双连接射频结构进行说明。本实施例中的ENDC双连接射频结构总共有四根天线分别为第一天线21、第二天线22、第三天线23和第四天线24。因为B3频段的射频信号和N3频段的射频信号接收支持4x4MIMO，第一天线21支持发射B3频段的射频信号，也支持接收B3频段的射频信号和N3频段的射频信号。同样，第二天线22支持发射N3频段的射频信号，也支持接收B3频段的射频信号和N3频段的射频信号。而第三天线23和第四天线24只有接收没有发射功能，以形成MIMO的接收通路。
本实施例中，第一主集接收通路31和第一发射通路41共用第一天线21，第一分集接收通路33和第二发射通路42共用第二天线22，相当于将一个共用天线覆盖在射频收发器10中连接主集接收通路的端口(也即主集接收端口PRX1端口和PRX2端口)设置区域，另一个共用天线则覆盖在射频收发器10中连接分集接收通路的端口(也即DRX1端口和DRX2端口)设置区域。因射频器件在PCB板上堆叠布线时，需要将LTE与NR发射通路中的放大器和接收通路中的放大器分布在不同的屏蔽罩，也即需要将第一功率放大器和第二功率放大器设置在相应的屏蔽罩，且第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第三低噪声放大器和第四低噪声放大器需要放在另外的屏蔽罩。
基于此在一些实施例中，请参阅图3，ENDC双连接射频结构包括射频收发器10、第一天线21、第二天线22、第一主集接收通路31、第二主集接收通路32、第一发射通路41和第二发射通路42。其中，第一主集接收通路31，连接在主集接收端口(具体为PRX1端口)和第一天线21之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号；第一发射通路41，连接在发射端口(具体为TX1端口)和第一天线21之间，用于发射4G射频信号；第二主集接收通路32连接在主集接收端口(具体为PRX2端口)和第二天线22之间，用于传输4G射频信号和5G射频信号；第二发射通路42，连接在发射端口(具体为TX2端口)和第二天线22之间，用于发射5G射频信号。
本实施例中第一主集接收通路31和第一发射通路41共用第一天线21，第二主集接收通路32和第二发射通路42共用第二天线22。相当于第一天线21和第一天线21兼容发射和接收功能。第一天线21用于接收和发射4G射频信号和5G射频信号，第二天线22也可以接收和发射4G射频信号和5G射频信号。也即本实施例中将两根既支持发射又支持接收的天线覆盖在主集接收通路设置的区域。那么相当于LTE的发射通路和NR的发射通路均与主集接收通路共用天线，使得两路公共天线堆叠更加集中，进而减少ENDC双连接射频结构的走线，降低插入损失。
进一步地，请参阅图4，本实施例中ENDC双连接射频结构还包括第三天线23、第四天线24、第一分集接收通路33和第二分集接收通路34，射频收发器10还包括分集接收端口，本实施例中的分集接收端口分别为DRX1端口和DRX2端口；第一分集接收通路33，连接在分集接收端口(具体为DRX1端口)和第三天线23之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号；第二分集接收通路34，连接在分集接收端口(具体为DRX2端口)和第四天线24之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号。相当于将只支持接收的两根天线集中覆盖在分集接收通路上，与射频收发器10相应的连接分集接收通路的端口连接，以便于简化射频接收的走线，降低插入损耗。
进一步地，请参阅图5，本实施例中的第一主集接收通路31包括第一低噪声放大器，第一低噪声放大器与第一天线21和主集接收端口(具体为PRX1端口)连接。本实施例中4G射频信号为4G信号，5G射频信号为5G信号，且4G射频信号和5G射频信号的频段相同。例如，4G射频信号为B3频段的射频信号，5G射频信号为N3频段的射频信号。那么本实施例中的第一主集接收通路31用来将第一天线21接收的B3频段的射频信号或N3频段的射频信号传输至射频收发器10，实现射频信号的接收。
进一步地，第一发射通路41包括第一功率放大器，第一功率放大器与第一天线21和发射端口(具体为TX1端口)连接；本实施例中的第一功率放大器为4G射频放大器。假若本实施例中的4G射频信号为B3频段的射频信号，那么第一天线21还可以用来发射B3频段的射频信号，由此实现4G的同频射频信号的发射通路和接收通路共用一根天线。
进一步地，第二主集接收通路32包括第二低噪声放大器，第二低噪声放大器与第二天线22和主集接收端口(具体为PRX2端口)连接。同样，本实施例中第二主集接收通路32用来将第二天线22接收的B3频段的射频信号或N3频段的射频信号传输至射频收发器10，实现射频信号的接收。
进一步地，第二发射通路42包括第二功率放大器，第二功率放大器与第二天线22和发射端口(具体为TX2端口)连接。其中，第二功率放大器为5G射频放大器。假若本实施例中的5G射频信号为N3频段的射频信号，那么第二天线22还可以用来发射N3频段的射频信号，由此实现5G的同频射频信号的发射通路和接收通路共用一根天线。
进一步地，本实施例中的第一分集接收通路33包括第三低噪声放大器，第三低噪声放大器与三天线和分集接收端口(具体为DRX1端口)连接；第二分集接收通路34包括第四低噪声放大器，第四低噪声放大器与第四天线24和分集接收端口(具体为DRX2端口)连接。其中，第三天线23和第四天线24只支持信号接收功能。具体地，第一分集接收通路33可将第三天线23接收的4G射频信号或5G射频信号传输至射频收发器10，第二分集接收通路34则可以将第四天线24接收的4G射频信号或5G射频信号传输至射频收发器10，以形成多通路发射和接收信号技术中的两路信号接收通路。
本实施例中通过两个共用天线同时设置在主集接收通路中，使得共用天线堆叠更加集中，进而减少ENDC双连接射频结构的走线，降低插入损失。对于同频ENDC模式中，由于默认的底层驱动设计规则是主集接收通路与4G信号的发射通路是共天线的，所以直接按照更改后的电路结构对应的逻辑关系配置驱动时会导致调制解调器崩溃而功能失效。在应用时为了确保ENDC双连接射频结构能够正常工作，必须要将天线的定义规则修改好，确保无论从原理设计层面还是驱动配置层面都是没有风险，通过信令自动化测试与实网测试结果来看都能满足预期。
进一步地，本发明还提供了一种移动终端，该移动终端包括上述的ENDC双连接射频结构，由于上文对该ENDC双连接射频结构进行了详细描述，在此不再赘述。
综上，本发明提供的一种ENDC双连接射频结构和移动终端，其中，ENDC双连接射频结构包括射频收发器、第一天线、第二天线、第一主集接收通路、第二主集接收通路、第一发射通路和第二发射通路，射频收发器包括发射端口和主集接收端口；第一主集接收通路，连接在主集接收端口和第一天线之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号；第一发射通路，连接在发射端口和第一天线之间，用于发射4G射频信号；第二主集接收通路连接在主集接收端口和第二天线之间，用于传输4G射频信号和5G射频信号；第二发射通路，连接在发射端口和第二天线之间，用于发射5G射频信号，通过将发射通路均与主集接收通路共用天线，使得两路公共天线堆叠更加集中，进而减少ENDC双连接射频结构的走线，降低插入损失。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种ENDC双连接射频结构，其特征在于，包括射频收发器、第一天线、第二天线、第一主集接收通路、第二主集接收通路、第一发射通路和第二发射通路，所述射频收发器包括发射端口和主集接收端口；
所述第一主集接收通路，连接在所述主集接收端口和所述第一天线之间，用于接收4G射频信号和5G射频信号；
所述第一发射通路，连接在所述发射端口和所述第一天线之间，用于发射所述4G射频信号；
所述第二主集接收通路连接在所述主集接收端口和所述第二天线之间，用于传输所述4G射频信号和所述5G射频信号；
所述第二发射通路，连接在所述发射端口和所述第二天线之间，用于发射所述5G射频信号。
2.根据权利要求1所述的ENDC双连接射频结构，其特征在于，所述ENDC双连接射频结构还包括第三天线、第四天线、第一分集接收通路和第二分集接收通路，所述射频收发器还包括分集接收端口；
所述第一分集接收通路，连接在所述分集接收端口和所述第三天线之间，用于接收所述4G射频信号和所述5G射频信号；
所述第二分集接收通路，连接在所述分集接收端口和所述第四天线之间，用于接收所述4G射频信号和所述5G射频信号。
3.根据权利要求1或2所述的ENDC双连接射频结构，其特征在于，所述第一主集接收通路包括第一低噪声放大器，所述第一低噪声放大器与所述第一天线和所述主集接收端口连接。
4.根据权利要求3所述的ENDC双连接射频结构，其特征在于，所述第一发射通路包括第一功率放大器，所述第一功率放大器与所述第一天线和所述发射端口连接。
5.根据权利要求1或2所述的ENDC双连接射频结构，其特征在于，所述第二主集接收通路包括第二低噪声放大器，所述第二低噪声放大器与所述第二天线和所述主集接收端口连接。
6.根据权利要求5所述的ENDC双连接射频结构，其特征在于，所述第二发射通路包括第二功率放大器，所述第二功率放大器与所述第二天线和所述发射端口连接。
7.根据权利要求2所述的ENDC双连接射频结构，其特征在于，所述第一分集接收通路包括第三低噪声放大器，所述第三低噪声放大器与所述三天线和所述分集接收端口连接。
8.根据权利要求7所述的ENDC双连接射频结构，其特征在于，所述第二分集接收通路包括第四低噪声放大器，所述第四低噪声放大器与所述第四天线和所述分集接收端口连接。
9.根据权利要求2所述的ENDC双连接射频结构，其特征在于，所述4G射频信号与所述5G射频信号的频段相同。
10.一种移动终端，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的ENDC双连接射频结构。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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