CN117148092B - 加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置，所述方法包括：获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况。通过对壳温进行控制，可增大电流应力加速测试过程，便于观测器件测试情况，同时，保证被测器件的结温不超过最大允许结温，避免了因其他原因导致器件性能退化。
Description
技术领域
本申请涉及电子设备测试领域，特别是加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置。
背景技术
与Si材料相比，SiC材料因其禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、高电子饱和漂移速度和高热导率等更加优异的特性，在高温、高频、大功率领域得到广泛研究和应用，SiC半导体器件能够实现更快的开关频率、更高的功率密度和更卓越的性能。由于SiC工艺的发展受限，SiC衬底和外延材料中存在着基底面位错（BPD）。在SiC双极型器件运行过程中，电子和空穴因复合所释放能量将导致堆垛层错在BPD处发生蔓延，直至蔓延到器件表面。堆垛层错蔓延的区域将导致载流子寿命降低且无法传导电流，这种现象称之为双极退化。
SiC MOSFET器件虽然是单极型器件，其体二极管在器件处于续流工作条件下导通时，BPD的存在最终将导致体二极管发生双极退化。不仅导致体二极管的导通压降变大，阻碍其体二极管在续流电路中的应用。同时也将导致SiC MOSFET器件的正向导通压降和导通电阻变大，严重影响着SiC MOSFET器件的正向特性和可靠性，限制了高压大功率SiCMOSFET器件的发展。
目前，SiC MOSFET体二极管双极退化的测试方法温度条件设置简单无实时监测温度，且在实验过程中施加的直流电流应力偏小，难以在实验中观察到体二极管的双极退化现象。
发明内容
鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置，包括：
加速SiC MOSFET双极退化的测试方法，包括步骤：
获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；
依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；
获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；
获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通过所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况。
进一步地，所述获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数的步骤，包括：
获取所述目标型号SiC MOSFET器件的静态参数；其中，所述静态参数包括导通电阻、阈值电压和体二极管导通电压；
获取所述目标型号SiC MOSFET器件的动态参数；其中，所述动态参数包括体二极管反向恢复电荷。
进一步地，所述依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试的步骤，包括：
依据所述静态参数确定栅极驱动负压与初始直流电流；
依据所述初始直流电流确定电流直流应力变化曲线；
依据所述电流直流应力变化曲线调整直流电流对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试。
进一步地，所述获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围的步骤，包括：
通过所述静态参数确定所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温的预设范围；
获取所述壳温并通过水冷散热使所述壳温进行调整。
进一步地，所述获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通过所述初始参数与所述测试参数确定退化情况的步骤，包括：
获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数；其中，所述测试参数包括测试动态参数与测试静态参数；
通过所述测试动态参数、所述测试静态参数、所述静态参数和所述动态参数生成参数差值；
依据所述参数差值与预设标准确定所述目标型号SiC MOSFET器件是否达到退化标准。
进一步地，还包括：
获取当前测试环境信息；
依据所述环境信息调节测试环境。
进一步地，还包括：
将被测目标型号SiC MOSFET器件冷却20—60min；
对所述目标型号SiC MOSFET器件复测测试参数。
加速SiC MOSFET双极退化的测试装置，所述加速SiC MOSFET双极退化的测试装置实现上述任一项所述的加速SiC MOSFET双极退化的测试方法的步骤，包括：
实验测试模块，用于获取若干同型号SiC MOSFET器件的初始参数；
驱动模块，用于依据所述初始参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述SiCMOSFET器件进行测试；
控温模块，用于通过温度处理装置与水冷散热装置使所述SiC MOSFET器件的壳温调整至预设范围；
退化确定模块，用于获取所述SiC MOSFET器件的实验参数，并通过所述初始参数与所述实验参数确定退化情况。
一种电子设备，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述任一项所述的加速SiC MOSFET双极退化的测试方法的步骤。
一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述任一项所述的加速SiC MOSFET双极退化的测试方法的步骤。
本申请具有以下优点：
在本申请的实施例中，相对于现有技术中的测试方法不关注温度，测试过程电流应力偏小的问题，本申请提供了通过控制壳温增大电流应力以加速测试的解决方案，具体为：获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况。通过对壳温进行控制，可增大电流应力加速测试过程，便于观测器件测试情况，同时，保证被测器件的结温不超过最大允许结温，避免了因其他原因导致器件性能退化。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对本申请的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；
图1是本申请一实施例提供的加速SiC MOSFET双极退化的测试方法的步骤流程图；
图2是本发明一实施例提供的加速SiC MOSFET双极退化的测试装置的模块结构示意图；
图3是本发明一实施例提供的一种计算机设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的所述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
发明人通过分析现有技术发现：现有技术对于SiC MOSFET器件的双极退化测试，没有对于温度的调控，导致在测试时只能使用偏小的直流电流应力，测试速度较慢，难以在测试中观测到SiC MOSFET器件的双极退化现象。
参照图1，示出了本申请一实施例提供的一种加速SiC MOSFET双极退化的测试方法；
所述方法包括：
S110、获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；
S120、依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；
S130、获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；
S140、获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通过所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况。
在本申请的实施例中，相对于现有技术中的测试方法不关注温度，测试过程电流应力偏小的问题，本申请提供了通过控制壳温增大电流应力以加速测试的解决方案，具体为：获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况。通过对壳温进行控制，可增大电流应力加速测试过程，便于观测器件测试情况，同时，保证被测器件的结温不超过最大允许结温，避免了因其他原因导致器件性能退化。
下面，将对本示例性实施例中一种加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置作进一步地说明。
如所述步骤S110所述，获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数。
需要说明的是，每次测定选取多个同型号的器件，在相同环境及条件下进行测定，防止出现单一器件失常导致测定不准确的情况出现。
在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤S110所述“获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数”的具体过程。
如下列步骤所述，获取所述目标型号SiC MOSFET器件的静态参数；其中，所述静态参数包括导通电阻、阈值电压和体二极管导通电压；
如下列步骤所述，获取所述目标型号SiC MOSFET器件的动态参数；其中，所述动态参数包括体二极管反向恢复电荷。
需要说明的是，获取的所述静态参数还包括被测器件的额定电流、额定电压等输入参数，便于后续对被测器件施加合适的电流值与负压值。
如所述步骤S120所述，依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试。
需要说明的是，通过动态参数与静态参数选取合适的栅极驱动负压，并根据额定电流值确定直流电流，并在测试中持续施加大电流直流应力，以提高退化效率，减少测试时间。
在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤S120所述“依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试”的具体过程。
如下列步骤所述，依据所述静态参数确定栅极驱动负压与初始直流电流；
如下列步骤所述，依据所述初始直流电流确定电流直流应力变化曲线；
如下列步骤所述，依据所述电流直流应力变化曲线调整直流电流对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试。
需要说明的是，通过器件的额定电流确定初始加载在被测器件的直流电流，并逐步将电流提升，使被测器件加速退化，一般负载的电流值为额定电流值的2-5倍，使被测器件只由于预设的条件达到退化效果。
如所述步骤S130所述，获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围。
在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤S130所述“获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围”的具体过程。
如下列步骤所述，通过所述静态参数确定所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温的预设范围；
如下列步骤所述，获取所述壳温并通过水冷散热使所述壳温进行调整。
需要说明的是，通过被测器件的标定参数确定壳温范围，在被测器件的壳温范围内，被测器件不会由于温度过高等因素而产生退化和失效，同时，对壳温进行控制，使被测器件可负载的电流加大，加快退化效率，即使在高电流值的条件下，也不会由于温度过高而退化失效，进而提升测定效率。
如所述步骤S140所述，获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通过所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况。
在本发明一实施例中，可以结合下列描述进一步说明步骤S140所述“获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通过所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况”的具体过程。
如下列步骤所述，获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数；其中，所述测试参数包括测试动态参数与测试静态参数；
如下列步骤所述，通过所述测试动态参数、所述测试静态参数、所述静态参数和所述动态参数生成参数差值；
如下列步骤所述，依据所述参数差值与预设标准确定所述目标型号SiC MOSFET器件是否达到退化标准。
需要说明的是，所述测试参数与所述初始参数的数值类型相同，通过比较测试参数与初始参数的变化值，即参数差值，确定被测器件是否达到退化标准，若未达到，则可继续施加电压电流进行退化，若达到，依据获取数据分析退化机理。
在本发明一实施例中，还包括：
获取当前测试环境信息；
依据所述环境信息调节测试环境。
需要说明的是，在测试过程中，维持测试环境不变，使测试结果稳定，免于环境影响，其中，所述环境信息包括温度、湿度和气压等环境因素。
在本发明一实施例中，还包括：
将被测目标型号SiC MOSFET器件冷却20—60min；
对所述目标型号SiC MOSFET器件复测测试参数。
需要说明的是，被测器件在测试完成之后，虽然对温度进行监测并降温，但还是会产生升温现象，所以需要在测试完成之后等待被测器件冷却完全冷却后，使器件进入常温状态，再次测定，得到准确的数据。或者可直接等到器件完全冷却后获取测试参数，减少测试参数获取次数，便于操作。
在一具体实现中，选取10颗1200V/20A SiC MOSFET器件作为被测器件，在环境温度为25℃下测试器件的静态参数，包括导通电阻、阈值电压、体二极管导通电压，再测量SiCMOSFET器件的动态参数，包括体二极管反向恢复电荷；
选择栅极驱动电压为-4V，选择直流电流为40A（2倍额定电流值），并在实验过程中持续施加直流电流应力。
采用热电偶实时监测10颗被测SiC MOSFET器件的壳温，并选择水冷散热作为散热单元对被测器件进行辅助散热。此外，被测SiC MOSFET器件涂抹散热硅脂，安装在水冷散热片上；
每轮直流电流应力后，将被测SiC MOSFET器件冷却30min，并在相同的环境温度下再次测量器件的静态、动态参数，并通过对比参数来判断是否达到退化标准。
对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
参照图2，示出了本申请一实施例提供的一种加速SiC MOSFET双极退化的测试装置；
具体包括：
实验测试模块210，用于获取若干同型号SiC MOSFET器件的初始参数；所述实验测试模块210为PCB板，PCB板上包括数个串联的SiC MOSFET器件插座。
驱动模块220，用于依据所述初始参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述SiC MOSFET器件进行测试；
控温模块230，用于通过温度处理装置与水冷散热装置使所述SiC MOSFET器件的壳温调整至预设范围；
退化确定模块240，用于获取所述SiC MOSFET器件的实验参数，并通过所述初始参数与所述实验参数确定退化情况。所述退化确定模块还用于持续测量被测SiC MOSFET器件体二极管导通电压，监测实验过程中的其他失效现象。
所述驱动模块220包括：
负压驱动子模块，用于为被测SiC MOSFET器件提供持续的栅极驱动负压；
直流驱动子模块，用于为被测SiC MOSFET器件提供持续的直流电流应力。
控温模块230包括：
温度处理子模块，用于采集被测SiC MOSFET器件的壳温，实时监测并控制温度；所述温度处理子模块中热电偶通过在水冷散热片上挖槽与被测SiC MOSFET器件底部外壳接触。被测SiC MOSFET器件底部涂抹硅脂，并通过螺丝固定在水冷散热片上，螺丝上的扭矩一致。
水冷散热子模块，用于为被测SiC MOSFET器件提供辅助散热。
在本发明一实施例中，所述实验测试模块210，包括：
静态参数获取子模块，用于获取所述目标型号SiC MOSFET器件的静态参数；其中，所述静态参数包括导通电阻、阈值电压和体二极管导通电压；
动态参数获取子模块，用于获取所述目标型号SiC MOSFET器件的动态参数；其中，所述动态参数包括体二极管反向恢复电荷。
在本发明一实施例中，所述驱动模块220，包括：
初始条件获取模块，用于依据所述静态参数确定栅极驱动负压与初始直流电流；
变化曲线子模块，用于依据所述初始直流电流确定电流直流应力变化曲线；
测试子模块，用于依据所述电流直流应力变化曲线调整直流电流对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试。
在本发明一实施例中，所述控温模块230，包括：
控温范围子模块，用于通过所述静态参数确定所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温的预设范围；
温度调节子模块，用于获取所述壳温并通过水冷散热使所述壳温进行调整。
在本发明一实施例中，退化确定模块240，包括：
测试参数获取子模块，用于获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数；其中，所述测试参数包括测试动态参数与测试静态参数；
参数差值生成子模块，用于通过所述测试动态参数、所述测试静态参数、所述静态参数和所述动态参数生成参数差值；
退化判断子模块，用于依据所述参数差值与预设标准确定所述目标型号SiCMOSFET器件是否达到退化标准。
在本发明一实施例中，还包括：
环境获取模块，用于获取当前测试环境信息；
环境调节模块，用于依据所述环境信息调节测试环境。
在本发明一实施例中，还包括：
冷却模块，用于将被测目标型号SiC MOSFET器件冷却20—60min；
复测模块，用于对所述目标型号SiC MOSFET器件复测测试参数。
参照图3，示出了本发明的一种示波器电压电流探头延迟矫正的方法的计算机设备，具体可以包括如下：
上述计算机设备12以通用计算设备的形式表现，计算机设备12的组件可以包括但不限于：一个或者多个处理器或者处理单元16，内存28，连接不同系统组件（包括内存28和处理单元16）的总线18。
总线18表示几类总线18结构中的一种或多种，包括存储器总线18或者存储器控制器，外围总线18，图形加速端口，处理器或者使用多种总线18结构中的任意总线18结构的局域总线18。举例来说，这些体系结构包括但不限于工业标准体系结构（ISA）总线18，微通道体系结构（MAC）总线18，增强型ISA总线18、音视频电子标准协会（VESA）局域总线18以及外围组件互连（PCI）总线18。
计算机设备12典型地包括多种计算机系统可读介质。这些介质可以是任何能够被计算机设备12访问的可用介质，包括易失性和非易失性介质，可移动的和不可移动的介质。
内存28可以包括易失性存储器形式的计算机系统可读介质，例如随机存取存储器（RAM）30和/或高速缓存32。计算机设备12可以进一步包括其他移动/不可移动的、易失性/非易失性计算机体统存储介质。仅作为举例，存储系统34可以用于读写不可移动的、非易失性磁介质（通常称为“硬盘驱动器”）。尽管图3中未示出，可以提供用于对可移动非易失性磁盘（如“软盘”）读写的磁盘驱动器，以及对可移动非易失性光盘（例如CD-ROM，DVD-ROM或者其他光介质）读写的光盘驱动器。在这些情况下，每个驱动器可以通过一个或者多个数据介质界面与总线18相连。存储器可以包括至少一个程序产品，该程序产品具有一组（例如至少一个）程序模块42，这些程序模块42被配置以执行本发明各实施例的功能。
具有一组（至少一个）程序模块42的程序/实用工具40，可以存储在例如存储器中，这样的程序模块42包括——但不限于——操作系统、一个或者多个应用程序、其他程序模块42以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。程序模块42通常执行本发明所描述的实施例中的功能和/或方法。
计算机设备12也可以与一个或多个外部设备14（例如键盘、指向设备、显示器24、摄像头等）通信，还可与一个或者多个使得医护人员能与该计算机设备12交互的设备通信，和/或与使得该计算机设备12能与一个或多个其他计算设备进行通信的任何设备（例如网卡，调制解调器等等）通信。这种通信可以通过输入/输出（I/O）接口22进行。并且，计算机设备12还可以通过网络适配器20与一个或者多个网络（例如局域网（LAN）），广域网（WAN）和/或公共网络（例如因特网）通信。如图所示，网络适配器20通过总线18与计算机设备12的其他模块通信。应当明白，尽管图3中未示出，可以结合计算机设备12使用其他硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元16、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统34等。
处理单元16通过运行存储在内存28中的程序，从而执行各种功能应用以及数据处理，例如实现本发明实施例所提供的一种加速SiC MOSFET双极退化的测试方法。
也即，上述处理单元16执行上述程序时实现：获取预设数量的目标型号SiCMOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况。
在本发明实施例中，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如本申请所有实施例提供的一种加速SiC MOSFET双极退化的测试方法：
也即，给程序被处理器执行时实现：获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；获取所述目标型号SiCMOSFET器件的测试参数，并通所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况。
可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机克顿信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子（非穷举的列表）包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、可擦可编程只读存储器（EPOM或闪存）、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器（CD-ROM）、光存储器件、磁存储器件或者上述的任意合适的组合。在本文件中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括——但不限于——电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本发明操作的计算机程序代码，上述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言——诸如Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言——诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在医护人员计算机上执行、部分地在医护人员计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在医护人员计算机上部分在远程计算机上执行或者完全在远程计算机或者服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网（LAN）或广域网（WAN）——连接到医护人员计算机，或者，可以连接到外部计算机（例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接）。本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
尽管已描述了本申请实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本申请所提供的一种加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (8)
1.加速SiC MOSFET双极退化的测试方法，其特征在于，包括步骤：
S1、获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；
S2、依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；具体地，依据所述静态参数确定栅极驱动负压与初始直流电流；依据所述初始直流电流确定电流直流应力变化曲线；依据所述电流直流应力变化曲线调整直流电流对所述目标型号SiC MOSFET器件进行测试；其中，所述直流电流为额定电流的2-5倍；
S3、获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；
S4、获取所述目标型号SiC MOSFET器件的测试参数，并通过所述静态参数、动态参数与所述测试参数确定退化情况；
S5、通过所述测试参数、所述静态参数和所述动态参数生成参数差值；并依据所述参数差值与预设标准确定所述目标型号SiC MOSFET器件的退化情况是否达到退化标准，若未达到所述退化标准，重复步骤S2-S3至所述退化情况达到预设退化标准。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取预设数量的目标型号SiC MOSFET器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数的步骤，包括：
获取所述目标型号SiC MOSFET器件的静态参数；其中，所述静态参数包括导通电阻、阈值电压和体二极管导通电压；
获取所述目标型号SiC MOSFET器件的动态参数；其中，所述动态参数包括体二极管反向恢复电荷。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围的步骤，包括：
通过所述静态参数确定所述目标型号SiC MOSFET器件的壳温的预设范围；
获取所述壳温并通过水冷散热使所述壳温进行调整。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
获取当前测试环境信息；
依据所述环境信息调节测试环境。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
将被测目标型号SiC MOSFET器件冷却20—60min；
对所述目标型号SiC MOSFET器件复测测试参数。
6.加速SiC MOSFET双极退化的测试装置，其特征在于，所述加速SiC MOSFET双极退化的测试装置实现如权利要求1至5中任一项所述的加速SiC MOSFET双极退化的测试方法的步骤，包括：
实验测试模块，用于获取若干同型号SiC MOSFET器件的初始参数；
驱动模块，用于依据所述初始参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述SiCMOSFET器件进行测试；
控温模块，用于通过温度处理装置与水冷散热装置使所述SiC MOSFET器件的壳温调整至预设范围；
退化确定模块，用于获取所述SiC MOSFET器件的实验参数，并通过所述初始参数与所述实验参数确定退化情况。
7.一种电子设备，其特征在于，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-5中任一项所述的加速SiC MOSFET双极退化的测试方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的加速SiC MOSFET双极退化的测试方法的步骤。
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