CN117136467A - 移相器、天线及电子设备 - Google Patents

Abstract

一种移相器。所述移相器包括依次耦接的多个移相单元。其中，所述多个移相单元中至少一个移相单元包括第一导电结构和第二导电结构。所述第一导电结构包括第一传输线、以及连接所述第一传输线的第二传输线，所述第二传输线被配置为感性负载。所述第二导电结构，包括第三传输线，所述第三传输线被配置为与所述第一传输线形成电容。其中，所述第一传输线、所述第三传输线、以及所述电容构成所述移相器的至少部分移相通路。

Description

移相器、天线及电子设备 技术领域

本公开涉及信号处理技术领域，尤其涉及一种移相器、天线及电子设备。

背景技术

当前通信领域常用的移相控制技术包括基于数字基带信号处理技术和移相器技术，其中，移相器技术由于低复杂度和低成本的特点，占据了大部分相位控制电子扫描阵列天线的市场。

发明内容

一方面，提供一种移相器。所述移相器包括依次耦接的多个移相单元。其中，所述多个移相单元中至少一个移相单元包括第一导电结构和第二导电结构。所述第一导电结构包括第一传输线、以及连接所述第一传输线的第二传输线，所述第二传输线被配置为感性负载。所述第二导电结构，包括第三传输线，所述第三传输线被配置为与所述第一传输线形成电容。其中，所述第一传输线、所述第三传输线、以及所述电容构成所述移相器的至少部分移相通路。

在一些实施例中，所述第一导电结构包括两条第一传输线，所述第二传输线分别连接所述两条第一传输线。所述两条第一传输线被配置为传输互为差模信号的两个信号。

在一些实施例中，所述第一传输线在所述移相通路的延伸方向上的尺寸，大于所述第二传输线在所述移相通路的延伸方向上的尺寸。所述第二传输线位于所述两条第一传输线之间，所述第二传输线与所述第一传输线的除两端以外的部分的任一位置连接。

在一些实施例中，所述第二导电结构包括两条第三传输线。其中一条所述第三传输线被配置为与所述两条第一传输线中的一者形成电容；另一条所述第三传输线被配置为与所述两条第一传输线中的另一者形成电容。

在一些实施例中，所述第二导电结构还包括连接所述两条第三传输线的第四传输线。

在一些实施例中，所述第三传输线在所述移相通路的延伸方向上的尺寸，大于或等于所述第四传输线在所述移相通路的延伸方向上的尺寸。

在一些实施例中，所述两条第三传输线相互独立设置。

在一些实施例中，所述多个移相单元包括多个第一导电结构和多个第二导电结构。所述第一导电结构在所述移相器所在的平面上的正投影与所述第 二导电结构在所述移相器所在的平面上的正投影交替排布。其中，一条所述第三传输线被配置为与其相邻的两条所述第一传输线之间分别形成有电容。和/或，一条所述第一传输线被配置为与其相邻的两条所述第三传输线之间分别形成有电容。

在一些实施例中，所述移相器还包括相对设置的两个支撑层。所述第一导电结构和所述第二导电结构设置于所述两个支撑层之间，所述第一导电结构和所述第二导电结构分别设置于所述两个支撑层上。所述第一传输线在一个支撑层上的正投影与所述第三传输线在所述一个支撑层上的正投影部分重叠，以形成所述电容。

在一些实施例中，所述移相器还包括相对设置的两个支撑层。所述第一导电结构和所述第二导电结构设置于所述两个支撑层之间，所述第一导电结构和所述第二导电结构均设置于所述两个支撑层中的一者上。所述第一传输线包括相连接的第一主体部和第一端部，所述第三传输线包括相连接的第二主体部和第二端部，所述第一端部与所述第二端部相对且间隔设置，以形成所述电容。

在一些实施例中，所述第一端部在垂直于所述移相通路的延伸方向的尺寸，大于所述第一主体部在垂直于所述移相通路的延伸方向的尺寸。所述第二端部在垂直于所述移相通路的延伸方向的尺寸，大于所述第二主体部在垂直于所述移相通路的延伸方向的尺寸。

在一些实施例中，所述移相器还包括介电常数可调介质。所述介电常数可调介质填充于所述两个支撑层之间。

在一些实施例中，所述移相器还包括第一控制线和第二控制线。所述第一控制线与所述第一导电结构耦接，所述第二控制线与所述第二导电结构耦接。所述介电常数可调介质被配置为：在所述第一控制线和所述第二控制线的控制下改变所述介电常数可调介质的介电常数。

在一些实施例中，所述第一导电结构和所述第二导电结构分别设置于所述两个支撑层上。所述第一控制线位于所述第一导电结构远离所述第二导电结构的一侧，并平行于所述移相通路的延伸方向设置。所述第二控制线位于所述第二导电结构远离所述第一导电结构的一侧，并平行于所述移相通路的延伸方向设置。

在一些实施例中，所述第一导电结构和所述第二导电结构设置于同一支撑层上。所述第一控制线垂直于所述移相通路的延伸方向设置。所述第二控制线垂直于所述移相通路的延伸方向设置。

在一些实施例中，所述第一传输线、所述第二传输线和所述第三传输线中至少一者的形状为曲线形或折线形。

在一些实施例中，所述第一传输线、所述第二传输线和所述第三传输线中至少一者包括微带线和/或带状线。

又一方面，提供一种天线。所述天线包括收发器和如上所述的移相器。所述收发器与所述移相器电连接。

又一方面，提供一种电子设备。所述电子设备包括如上所述的移相器。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例提供的一种移相器的结构图；

图2为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图；

图3为根据一些实施例提供的一种移相器的剖视图；

图4为根据一些实施例提供的一种移相器的等效电路图；

图5为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图；

图6为根据一些实施例提供的差模型号的波形图；

图7为根据一些实施例提供的另一种移相器的剖视图；

图8为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图；

图9为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图；

图10为根据一些实施例提供的另一种移相器的剖视图；

图11为根据一些实施例提供的一种移相器的等效电路原理图；

图12为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图；

图13为根据一些实施例提供的另一种移相器的剖视图；

图14为根据一些实施例提供的一种两个正投影的位置关系图；

图15为根据一些实施例提供的另一种两个正投影的位置关系图；

图16为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图；

图17为根据一些实施例提供的一种天线的结构图；

图18为根据一些实施例提供的一种电子设备的结构图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

如本文中所使用，根据上下文，术语“如果”任选地被解释为意思是“当……时”或“在……时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，根据上下文，短语“如果确定……”或“如果检测到[所陈述的条件或事件]”任选地被解释为是指“在确定……时”或“响应于确定……”或“在检测到[所陈述的条件或事件] 时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。

如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

在相关技术中，移相器的移相结构均符合右手传输特性，即表现为主路传输具有电感性，支路传输具有电容性。经该移相器传输的信号的相位常数为正，即表现为信号在传输方向上存在相位延迟。因此接移相器的通路上的信号相较于不接移相器的通路上的信号存在较大的延迟。相关技术中为实现接移相器的通路上的信号和不接移相器的通路上的信号之间的相位配平，需要为相位在前的信号所在通路(即不接移相器的通路)配置延时线，以抵消移相器造成的延迟量，从而导致需要排布较长的延时线。

基于此，请参阅图1～图3，其中，图1为根据一些实施例提供的一种移相器的结构图，图2为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图，图3为图1中移相通路20的剖视图。本公开的一些实施例提供了一种移相器1。移相器1包括依次耦接的多个移相单元10。其中，多个移相单元10中至少一个移相单元10包括第一导电结构11和第二导电结构12。第一导电结构11包括第一传输线111、以及连接第一传输线111的第二传输线112，第二传输线112被配置为感性负载。第二导电结构12，包括第三传输线121，第三传输线121被配置为与第一传输线111形成电容13。其中，第一传输线111、第三传输线121、以及电容13构成移相器1的至少部分移相通路20。

单个移相单元10具有移相作用，即调整信号相位的作用。多个移相单元10的移相效果累积，以实现移相器10的移相功能。其中，不同移相单元10对信号进行移相的移相量可以相同，也可以不同。

多个移相单元10依次耦接，可以是多个移相单元10沿直线方向依次排列，一个移相单元10与相邻的两个移相单元10分别耦接。当然，多个移相单元10的排列形状还可以是曲线形、折线形等，此处不作限定。示例性地，连续排列的三个移相单元10中，位于中间的移相单元10既与前一位的移相单元10耦接，且还与后一位的移相单元10耦接，从而实现连续耦接。

多个移相单元10依次耦接，从而实现信号从一个移相单元10传输至另一个移相单元10。移相器1内部的信号在各个移相单元10上的传输路径共同构成移相器1内部的移相通路20，移相通路20的延伸方向S如图1和图2所示。

移相单元10包括第一导电结构11和第二导电结构12。同一个移相单元10中的第一导电结构11和第二导电结构12可以相互耦接。多个移相单元10依次耦接，可以是位于中间的移相单元10的第一导电结构11与前一位移相单元10的第二导电结构12耦接，且该移相单元10的第二导电结构12与后一位移相单元10的第一导电结构11耦接。多个移相单元10依次耦接，也可以是位于中间的移相单元10的第一导电结构11与前一位移相单元10的第一导电结构11耦接，且该移相单元10的第二导电结构12与后一位移相单元10的第二导电结构12耦接。

移相单元10中第一导电结构11和第二导电结构12的数量可以相同，也可以不同。例如：一个移相单元10包括一个第一导电结构11和一个第二导电结构12；又例如：一个移相单元10包括两个第一导电结构11和一个第二导电结构12。当然，移相单元10中第一导电结构11和第二导电结构12的数量搭配还可以是其他，此处只是举例说明，不应视为对第一导电结构11和第二导电结构12数量的限制。

第一导电结构11包括第一传输线111、以及与第一传输线111相连的第二传输线112。第一传输线111的数量可以大于或等于所述第二传输线的数量，例如：第一导电结构11包括一根第一传输线111和一根第二传输线112；又例如：第一导电结构11包括两根第一传输线111和一根第三传输线112。当然，第一导电结构11中第一传输线111和第二传输线112的数量搭配还可以是其他，此处只是举例说明，不应视为对第一传输线111和第二传输线112数量的限制。

第二传输线112一端与第一传输线111的连接位置可以是在第一传输线111的中心，也可以是在第一传输线111的两端之间的其他位置。第二传输线112的另一端可以与接地端连接。其中，第一传输线111的延伸方向与第二传输线112的延伸方向可以大致垂直。第一传输线111和第二传输线112可采用金属或非金属的导电材料制作而成，其中金属材料可以是铜、铝、银等。

第二传输线112被配置为感性负载，所述感性负载是指带有电感参数的负载，具体为感性负载的负载电流滞后负载电压一个相位差。第二传输线112的内部阻抗被配置为感性负载，可以通过对第二传输线112的物理长度的取值设计来实现。示例性地，第二传输线112的物理长度的取值满足电长度小于信号波长的四分之一；上述电长度是指第二传输线112的物理长度与所传输信号的波长之比。

第二导电结构12包括第三传输线121。第三传输线121被配置为与第一传输线111形成电容13。其中，一个第二导电结构12中第三传输线121的数量可以是一条，也可以是多条。例如：第三传输线121的数量可以与第一传输线111的数量相同。

第三传输线121的延伸方向可以与第一传输线111的延伸方向相同。第三传输线121的延伸长度可以大于、小于或等于第一传输线111的延伸长度，此处不作限定。上述第三传输线121可采用金属或非金属的导电材料制作而成，其中，金属材料可以是铜、铝、银等。

在一些实施例中，上述多个移相单元10依次耦接，可以是位于中间的移相单元10的第一传输线111，与前一位的移相单元的10的第三传输线121耦接，且位于中间的移相单元10的第三传输线121可以与后一位的移相单元10的第一传输线111耦接。多个移相单元10依次耦接，形成移相器1内部可以传输信号的移相通路20。其中，一个移相单元10内的第一传输线111、第三传输线121、以及第一传输线111和第三传输线121耦合形成的电容13构成移相器1的至少部分移相通路。

上述第一传输线111垂直于移相通路20的方向上的尺寸可以等于第三传输线121垂直于移相通路20的方向上的尺寸；也可以大于第三传输线121垂直于移相通路20的方向上的尺寸；还可以小于第三传输线121垂直于移相通路20的方向上的尺寸，此处不作限定。

需要说明的是，本公开中描述的“垂直”是指大致垂直，例如两个方向之间的夹角等于90°或接近90°，例如：93.3°、92.5°、92°、91°、89°、88°、87.5°、86.4°等。

如图1～图3所示，第一传输线111与第三传输线121相对间隔设置，通过分别向第一传输线111和第三传输线121提供不同的电压，使得第一传输线111和第三传输线121之间形成电势差，从而形成电容。第一传输线111与第三传输线121相对的部分作为电容13的第一极板131，第三传输线121与第一传输线111相对的部分作为电容13的第二极板132。

由于第一传输线111的内部阻抗、以及结合第一传输线111和第三传输线121耦合形成电容13，使得移相通路20被配置为RC串联电路，等效电路如图4所示。又由于第二传输线112具有感性负载，具备电感性，使得移相单元10符合左手传输特性，即主路电容性且支路电感性。这样经上述移相单元10传输的信号的相位常数为正，即表现为信号在传输方向上存在相位超前。

在一些实施例中，移相器1包括至少一个上述移相单元10，由于移相单元10符合左手传输特性，能够使信号的相位超前，从而可以减少甚至消除移相器1中符合右手传输特性的移相结构对信号造成的延迟总量，使得接移相器的通路上的信号与不接移相器的通路上的信号之间存在的相位延迟量差减少，从而能够缩短甚至省略相位配平中不接移相器的通路所需配置的延长线的布线。

示例性地，在移相器1中，包括X个符合右手传输特性的移相结构和一个移相单元10，所述X为正整数。其中，一个符合右手传输特性的移相结构对信号造成的延迟量为A且一个移相单元10对信号造成的超前量为B的情况下，移相器1的延迟量为X×A－B，小于没有移相单元10的移相器的延迟量X×A，从而能够缩短相位配平中不接移相器的通路所需配置的延长线的布线长度。

示例性地，在移相器1中，包括X个符合右手传输特性的移相结构和Y个移相单元10，所述X和所述Y均为正整数。其中，一个符合右手传输特性的移相结构对信号造成的延迟量为A且一个移相单元10对信号造成的超前量为B的情况下，当X×A＝Y×B(即X个符合右手传输特性的移相结构对信号造成的延迟总量与Y个移相单元10对信号造成的超前总量相等)时，接移相器1的通路上的信号与不接移相器1通路上的信号之间配平，可以省略延迟线，便于相位控制电子扫描阵列的幅相设计，且降低移相器1的总体损耗。

当然，移相器1中符合右手传输特性的移相结构的数量和移相单元10的数量还可以是其他组合，此处不作限定。

本公开实施例提供的移相器，通过至少一个移相单元能够使信号的相位超前的特性，在接移相器的通路上的信号与不接移相器的通路上的信号之间 配平时，可以减少甚至省略延迟线，便于相位控制电子扫描阵列的幅相设计，且降低移相器1的总体损耗。

在一些实施例中，请结合图5和图6，一个第一导电结构11包括两条第一传输线111，第二传输线121分别连接两条第一传输线111。两条第一传输线111被配置为传输互为差模信号的两个信号。

如图5所示，上述两条第一传输线111可以大致平行设置。第二传输线112的两端分别与两条第一传输线111连接。两条第一传输线111的延伸长度可以相同也可以不同，此处不作限定。另外，两条第一传输线111沿垂直于移相通路20的延伸方向的尺寸可以相同，也可以不同。

在一些示例中，第一导电结构111可以以所述第二传输线112的中心作为中心对称图形。在另一些实施例中，第一导电结构111还可以以第二传输线112的中轴线作为轴对称图形。

上述互为差模信号的两个信号，即是指两个振幅相同且相位相差180°的信号，如图6所示。图6中信号1和信号2互为差模信号，分别位于第二传输线112连接的两条第一传输线111上。在一些示例中，在时间为t时，信号2的电压值为3V，信号1的电压值为-3V。

由于两条第一传输线111上的信号互为差模信号，因此两端分别连接互为差模信号的两个信号的第二传输线112恒处于低电位，因此第二传输线112可以等效为虚拟地，无需额外增加接地的走线。

在一些实施例中，请结合图5，第一传输线111在移相通路20的延伸方向上的尺寸，大于第二传输线112在移相通路20的延伸方向上的尺寸。第二传输线112位于两条第一传输线111之间，第二传输线112与第一传输线111的除两端以外的部分的任一位置连接。

上述第二传输线112的两端分别与两条第一传输线111的连接位置可以不相同，也可以相同。例如第二传输线112的两端分别与两条第一传输线111的中心连接。

上述第二传输线112在垂直于移相通路20的方向上的尺寸，可以大于第一传输线111在垂直于移相通路20的方向上的尺寸；也可以等于第一传输线111在垂直于移相通路20的方向上的尺寸；还可以小于第一传输线111在垂直于移相通路20的方向上的尺寸。

在一些实施例中，如图5所示，第一导电结构11的形状可以为H形。

在一些实施例中，请结合图5和图7，一个第二导电结构12包括两条第三传输线121，其中一条第三传输线121被配置为与两条第一传输线111中的 一者形成电容13，另一条第三传输线121被配置为与两条第一传输线111中的另一者形成电容13。

如图5所示，上述两条第三传输线121分别与第二传输线112两端的两条第一传输线111一一对应设置。一条第一传输线111与一条第三传输线121相对间隔设置，另一条第一传输线111’与另一条第三传输线121’相对间隔设置。

位于第二传输线112一侧的第一传输线111、以及与该第一传输线111配合形成电容的第三传输线121属于一个移相通路20。位于第二传输线112另一侧的第一传输线111’、以及与该第一传输线111’配合形成电容13’的第三传输线121’属于另一个移相通路20’。

一条第二传输线112两侧形成的电容13的电容大小可以相同，也可以不同，此处不作限定。在一些示例中，第二传输线112两侧形成的电容13可以以多条第二传输线112的中心所在的直线对称设置。

在一些实施例中，请结合图5和图7，两条第三传输线121相互独立设置。第三传输线121可以均为矩形结构。通过分别向两条第三传输线121提供电压，从而可以分别控制两个电容13的大小。

在一些实施例中，请结合图8所示，第二导电结构12还包括连接两条第三传输线121的第四传输线122。

第三传输线121垂直于移相通路20的延伸方向上的尺寸可以小于第四传输线122垂直于移相通路20的延伸方向上的尺寸。第四传输线122可以是直线结构，也可以是曲线结构，还可以是折线结构，此处不作限定。

通过第四传输线122连接两条第三传输线121，只需向两条第三传输线121和第四传输线122中的任一者提供电压，既能够同时控制两条第三传输线121上的电压，从而同时改变两个电容13的大小。

在一些实施例中，第三传输线121在移相通路20的延伸方向上的尺寸，大于或等于第四传输线122在移相通路20的延伸方向上的尺寸。

示例性地，在第三传输线121在移相通路20的延伸方向上的尺寸等于第四传输线122在移相通路20的延伸方向上的尺寸的情况下，两条第三传输线121和第四传输线122构成的第二导电结构12为矩形结构。

示例性地，在第三传输线121在移相通路20的延伸方向上的尺寸大于第四传输线122在移相通路20的延伸方向上的尺寸的情况下，两条第三传输线121和第四传输线122构成的第二导电结构12可以为H形结构。

示例性地，在第四传输线122为折线结构的情况下，两条第三传输线121 和第四传输线122构成的第二导电结构12可以为V形结构。

当然，两条第三传输线121和第四传输线122构成的第二导电结构12还可以是其他结构，比如在第四传输线122为曲线结构的情况下，两条第三传输线121和第四传输线122构成的第二导电结构12可以为U形结构，以上只是举例说明第二导电结构12的形状，但不应作为限定。

上述第三传输线121和第四传输线122的制作材料可以相同，也可以不同。例如：第三传输线121由铜材料制作而成，第四传输线122由银材料或铝材料制作而成。又例如：第三传输线121和第四传输线122均由银材料制作而成。

请参阅图9和图10，图9为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图，图10为图9中移相通路20的剖视图。在一些实施例中，在第三传输线121在移相通路20的延伸方向上的尺寸大于第四传输线122在移相通路20的延伸方向上的尺寸的情况下，第四传输线122也可以被配置为感性负载，第四传输线122的内部阻抗等效为Z’。这样，第三传输线121的内部阻抗等效为Z，再由第一传输线111和第三传输线121耦合形成电容13(C)，使得移相通路20被配置为RC串联电路，等效电路如图11所示。又由于第四传输线122具备电感性，使得移相单元10增加符合左手传输特性的结构，提升单个移相单元10对相位调整的超前量。

请参阅图12和图13，图12为根据一些实施例提供的另一种移相器的结构图，图13为图12中移相通路20的剖视图。在一些实施例中，如图12和图13所示，第一传输线111的端部1111与第三传输线121的端部1212相对间隔设置，端部1111与端部1211之间形成电势差，从而形成电容13。

在一些实施例中，请结合图14和图15，多个移相单元10包括多个第一导电结构11和多个第二导电结构12，第一导电结构11在移相器1所在的平面上的正投影T1与第二导电结构12在移相器1所在的平面上的正投影T2交替排布。

在第一导电结构11和第二导电结构12处于同一平面的情况下，上述移相器1所在的平面，即为第一导电结构11和第二导电结构12所处的平面。在多个第一导电结构11处于同一平面，多个第二导电结构12处于另一平面的情况下，上述相器1所在的平面可以是多个第一导电结构11所处的平面，也可以是多个第二导电结构12所处的平面。

上述正投影交替排布，包括交替间隔排布和交替重叠排布。示例性地，在第一导电结构11和第二导电结构12在同一平面的情况下，第一导电结构 11在移相器1所在的平面上的正投影T1与第二导电结构12在移相器1所在的平面上的正投影T2交替间隔排布，如图14所示。在第一导电结构11和第二导电结构12在不同平面的情况下，第一导电结构11在移相器1所在的平面上的正投影T1与第二导电结构12在移相器1所在的平面上的正投影T2交替重叠排布，如图15所示。

在一些示例中，一条第三传输线121被配置为与其相邻的两条第一传输线111之间分别形成有电容13。例如：第三传输线121在移相器1所在的平面上的正投影与相邻的两条第一传输线111在移相器1所在的平面上的两个正投影分别重叠，一个重叠区域内的第一传输线111和第三传输线121形成一个电容13。

在另一些示例中，一条第一传输线111被配置为与其相邻的两条第三传输线121之间分别形成有电容13。例如：第一传输线111在移相器1所在的平面上的正投影与相邻的两条第三传输线121在移相器1所在的平面上的两个正投影分别重叠，一个重叠区域内的第一传输线111和第三传输线121形成一个电容13。

在一些实施例中，请结合图3、图7、图10和图13，移相器1还包括相对设置的两个支撑层30，两个支撑层30均可以采用玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PolyEthylene glycol Terephthalate，PET)等柔性材料制作而成。支撑层30可以是单层结构，也可以是复合层结构。例如：支撑层30为单层玻璃层；又例如：支撑层30包括玻璃层、以及位于玻璃层表面的PET层。

两个支撑层30可以相互平行设置，且彼此间隔一定距离。两个支撑层30的面积可以相同，也可以不同。两个支撑层30可以形成矩形结构，即两个支撑层30正对设置；两个支撑层30也可以形成菱形结构，即两个支撑层30错位设置，此处不作限定。

在一些实施例中，如图3、图7和图10所示，第一导电结构11和第二导电结构12设置于两个支撑层30之间。第一导电结构11和第二导电结构12可以分别设置于两个支撑层30上。第一传输线111在一个支撑层30上的正投影与第三传输线121在该支撑层30上的正投影部分重叠，即第一传输线111位于重叠区域的部分作为电容13的第一极板131，第三传输线121位于重叠区域的部分作为电容13的第二极板132。通过改变第一传输线111和第三传输线121在该支撑层30上的正投影部分重叠的区域的面积，可以调整电容13大小。

在移相通路20中串联有多个电容13，移相通路20保持电容性无需较大 的电容，又由于电容串联越多总电容值越小，因此单个电容13的电容量可以稍大，即对第一传输线111在支撑层30上的正投影与第三传输线121在该支撑层30上的正投影部分重叠的区域的面积可以大一些，第一传输线111和第三传输线121之间对位的精度要求较低，使得制作电容13对工艺偏差的耐受力较高，能够提高移相器1的制造良率。

在一些实施例中，如图12和图13所示，第一导电结构11和第二导电结构12均设置于两个支撑层30中的一者上。第一传输线111包括相连接的第一主体部1111和第一端部1112。第三传输线121包括相连接的第二主体部1211和第二端部1212，第一端部1112与第二端部1212相对且间隔设置，以形成电容13。

第一导电结构11和第二导电结构12相互间隔排列于同一支撑层30上。示例性地，在制作时可以一次构图工艺在支撑层30上形成，第一导电结构11和第二导电结构12。相对于第一导电结构11与第二导电结构12分别通过各自的掩膜版制作而言，能够可以节省光掩膜板，降低制造成本。

第一传输线111包括第一主体部1111、以及连接第一主体部1111两端的第一端部1112。第一主体部1111在移相通路20的延伸方向上的尺寸可以大于第一端部1112在移相通路20的延伸方向上的尺寸。第三传输线121包括第二主体部1211、以及连接第二主体部1211两端的第二端部1212。第二主体部1211在移相通路20的延伸方向上的尺寸可以大于第二端部1212在移相通路20的延伸方向上的尺寸。

第一端部1112和第二端部1212共同形成电容13。即，第一端部1112作为电容13的第一极板131，第二端部1212作为电容13的第二极板132。第一端部1112和第二端部1212的尺寸可以相同，也可以不同。电容13的大小可以与第一端部1112正对第二端部1212的面积正相关。

在一些实施例中，如图12所示，第一端部1112在垂直于移相通路20的延伸方向的尺寸，大于第一主体部111在垂直于移相通路20的延伸方向的尺寸。第二端部1212在垂直于移相通路20的延伸方向的尺寸，大于第二主体部1211在垂直于移相通路20的延伸方向的尺寸。

第三传输线121位于多条第一传输线111所在的直线上。第一传输线111的第一端部1112与第三传输线121的第二端部1212相对间隔设置，以共同形成电容13。

通过增加第一端部1112在垂直于移相通路20的延伸方向的尺寸，和第二端部1212在垂直于移相通路20的延伸方向的尺寸。能够提升由第一端部 1112和第二端部1212共同形成的电容13的电容量。同时，还能够降低第一端部1112对第二端部1212对位形成电容13的工艺难度，进而提升移相器1的制作良率。

在一些实施例中，如图3、图7和图10所示，移相器1还包括介电常数可调介质40，介电常数可调介质40填充于两个支撑层30之间。

介电常数可调介质40可以选用液晶材料，例如是分散态的液晶材料、聚合物分散液晶(Polymer Dispersed Liquid Crystal，PDLC)或者聚合物稳态液晶(Polymer-Stabilized Liquid Crystal，PSLC)，但不限于以上材料。需要说明的是，上述多种液晶材料只是距离说明，应当认为能实现介电常数可调的介质均可适用于本公开的介电常数可调介质。

介电常数可调介质40填充于两个支撑层30之间，并且填充第一导电结构11和第二导电结构12之间。介电常数可调介质40与支撑层30共同包围第一导电结构11或第二导电结构12。

介电常数可调介质40被配置为，在电容13的第一极板131和第二极板132的控制下，改变介电常数可调介质40的介电常数。即通过改变第一极板131和第二极板132之间的电势差，使液晶分子发生偏转，从而改变介电常数，从而改变移相单元10的移相量。

在一些实施例中，如图9和图12所示，移相器1还包括第一控制线50和第二控制线60。第一控制线50与第一导电结构11耦接，第二控制线60与第二导电结构12耦接。介电常数可调介质40被配置为：在第一控制线50和第二控制线60的控制下改变介电常数可调介质40的介电常数。

第一控制线50用于向第一导电结构11提供电压。第一控制线50与第一导电结构11的连接位置可以是第一传输线111，也可以是第二传输线112。第二控制线60用于向第二导电结构12提供电压。第二控制线60与第二导电结构12的连接位置可以是第三传输线121，在第二导电结构12包括第四传输线122的情况下，第二控制线60也可以与第四传输线连接。

第一控制线50和第二控制线60可以采用金属或非金属的导电材料制作而成，其中，金属材料可以是铜、铝、银等。第一控制线50的材料与第二控制线60的材料可以相同，也可以不同，此处不作限制。

在第一导电结构11与第二导电结构12数量相同的情况下，第一控制线50和第二控制线60的数量可以相同；在第一导电结构11与第二导电结构12数量不同的情况下，第一控制线50和第二控制线60的数量可以不同。

第一控制线50可以位于第一导电结构11和第一导电结构11所在的支撑 层30之间。第二控制线60可以位于第二导电结构12和第二导电结构12所在的支撑层30之间。

在一些实施例中，如图9和图10所示，第一导电结构11和第二导电结构12分别设置于两个支撑层30上。第一控制线50位于第一导电结构11远离第二导电结构12的一侧，并平行于移相通路20的延伸方向设置；第二控制线60位于第二导电结构12远离第一导电结构11的一侧，并平行于移相通路20的延伸方向设置。

第一导电结构11和第二导电结构12分别设置于两个支撑层30，即多个第一导电结构11所在的平面与多个第二导电结构12所在的平面不同。第一控制线50位于第一导电结构11远离第二导电结构12的一侧，第二控制线60位于第二导电结构12远离第一导电结构11的一侧，即第一控制线50和第二控制线60相互远离设置，能够避免相互干扰。

第一控制线50沿平行于移相通路20的延伸方向设置，能够同时与多个第一导电结构11连接，从而可以同时控制多个第一导电结构11上的电压。同样的，第二控制线60沿平行于移相通路20的延伸方向设置，能够同时与多个第二导电结构12连接，从而可以同时控制多个第二导电结构12上的电压。

在一些实施例中，如图9所示，第一控制线50可以位于支撑层30远离第一导电结构11的一侧，第一控制线50可以通过贯穿支撑层30的过孔与第一导电结构11连接。第二控制线60可以位于支撑层30远离第二导电结构12的一侧，第二控制线60可以通过贯穿支撑层30的过孔与第二导电结构12连接。

在一些实施例中，如图12和图13所示，所示，第一导电结构11和第二导电结构12设置于同一支撑层30上。第一控制线50垂直于移相通路20的延伸方向设置；第二控制线60垂直于移相通路20的延伸方向设置。

多个第一导电结构11和多个第二导电结构12共同位于同一表面上。第一控制线50和第二控制线60可以分别设置于第一导电结构11的两侧，第一控制线50和第二控制线60也可以均设置于第一导电结构11的同一侧。

第一控制线50垂直于移相通路20的延伸方向设置，即第一控制线50可以与第二传输线112平行设置，并与第二传输线112耦接。当然，第一控制线50也可以与第一传输线111耦接，此处不作限定。

第一控制线50沿移相通路20的延伸方向的尺寸可以小于第二传输线112沿移相通路20的延伸方向的尺寸。第一控制线50的数量可以与第二传输线 112的数量相同。另外，移相器1还可以包括与多条第一控制线50连接的走线，通过走线统一控制多条第一控制线50的电压。

第二控制线60垂直于移相通路20的延伸方向设置，即第二控制线60可以与第四传输线122平行设置，并与第四传输线122耦接。当然，第二控制线60也可以与第三传输线121耦接，此处不作限定。

第二控制线60沿移相通路20的延伸方向的尺寸可以小于第四传输线122沿移相通路20的延伸方向的尺寸。第二控制线60的数量可以与第四传输线122的数量相同。另外，移相器1还可以包括与多条第二控制线60连接的走线，通过走线统一控制多条第二控制线60的电压。

其中，连接多条第一控制线50的走线和连接多条第二控制线60的走线可以分设于多个第一导电结构11和多个第二导电结构12的两端，从而避免两条走线之间相互干扰。

在一些实施例中，如图16所示，第一传输线111、第二传输线112和第三传输线121中至少一者的形状为曲线形或折线形。

在保持移相通路20的阻抗的基础上，通过对第一传输线111、第二传输线112和第三传输线121中至少一者的形状制作为曲线形或折线形。其中，曲线形包括抛物线形、正弦曲线型等等，此处不作限定。曲线形或折线形能够缩短传输线在物理长度上的延伸长度，便于移相器1的小型化，从而提高移相器1对多种场景的适应性。

在一些示例中，第一传输线111、第二传输线112和第三传输线121可以均为曲线形或折线形。

在另一些示例中，第一传输线111、第二传输线112和第三传输线121可以不同的曲线形。例如：第一传输线111为正弦曲线形、第二传输线112为抛物线形和第三传输线121为U形。

在另一些示例中，第一传输线111和第三传输线121可以为折线形，第二传输线112可以为直线结构。

其中，第一传输线111和第三传输线121中至少一者为曲线形或折线形能够缩短移相单元10沿移相通路20的延伸方向的尺寸。第二传输线112为曲线形或折线形能够缩短移相单元10沿垂直于移相通路20的延伸方向的尺寸。

在一些实施例中，如图16所示，第一传输线111、第二传输线112和第三传输线121中至少一者包括微带线70和/或带状线80。

上述微带线70具有导电率高、稳定性好、与支撑层30的粘附性强等特 点可以利用薄膜工艺制造而成。上述带状线80是由两层电介质、以及所述两层电介质之间的导体构成的传输线，具有体积小、重量轻、频带宽、工艺简单、成本低廉等优点。

在一些示例中，第一传输线111可以包括微带线70，也可以包括带状线80，还可以包括微带线70和带状线80的组合。

在一些示例中，第二传输线112可以包括微带线70，也可以包括带状线80，还可以包括微带线70和带状线80的组合。

在一些示例中，第三传输线121可以包括微带线70，也可以包括带状线80，还可以包括微带线70和带状线80的组合。

在一些示例中，第一传输线111、第二传输线112和第三传输线121可以均包括微带线70或带状线80。

上述示例可以相互组合，例如：第一传输线111包括微带线70，第二传输线112包括微带线70和带状线80的组合，第三传输线121包括带状线80。又例如：第一传输线111和第三传输线121均包括微带线70，第二传输线112包括带状线80。当然，还可以是其他组合结果，此处不作限定。

如图17所示，本公开的一些实施例提供了一种天线2。天线2包括收发器21和如上所述的移相器1。收发器21与该移相器1电连接，进行收发信号。由于天线2具有上述移相器1，因此天线2具备移相器1具有的：能够缩短甚至省略相位配平所需的延迟线，便于相位控制电子扫描阵列的幅相设计，且总体损耗低的特点。

如图18所示，本公开的一些实施例提供了一种电子设备3。电子设备3包括如上所述的移相器1。由于电子设备3具有上述移相器1，因此电子设备3具备移相器1具有的：能够缩短甚至省略相位配平所需的延迟线，便于相位控制电子扫描阵列的幅相设计，且总体损耗低的特点。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1. 一种移相器，包括：

   依次耦接的多个移相单元，其中，至少一个移相单元包括：

   第一导电结构，包括第一传输线、以及连接所述第一传输线的第二传输线，所述第二传输线被配置为感性负载；

   第二导电结构，包括第三传输线，所述第三传输线被配置为与所述第一传输线形成电容；

   其中，所述第一传输线、所述第三传输线、以及所述电容构成所述移相器的至少部分移相通路。
2. 根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一导电结构包括两条第一传输线，所述第二传输线分别连接所述两条第一传输线；

   所述两条第一传输线被配置为传输互为差模信号的两个信号。
3. 根据权利要求2所述的移相器，其中，所述第一传输线在所述移相通路的延伸方向上的尺寸，大于所述第二传输线在所述移相通路的延伸方向上的尺寸；

   所述第二传输线位于所述两条第一传输线之间，所述第二传输线与所述第一传输线的除两端以外的部分的任一位置连接。
4. 根据权利要求1～3中任一项所述的移相器，其中，所述第二导电结构包括两条第三传输线，其中一条所述第三传输线被配置为与所述两条第一传输线中的一者形成电容，另一条所述第三传输线被配置为与所述两条第一传输线中的另一者形成电容。
5. 根据权利要求4所述的移相器，其中，所述第二导电结构还包括连接所述两条第三传输线的第四传输线。
6. 根据权利要求5所述的移相器，其中，所述第三传输线在所述移相通路的延伸方向上的尺寸，大于或等于所述第四传输线在所述移相通路的延伸方向上的尺寸。
7. 根据权利要求4所述的移相器，其中，所述两条第三传输线相互独立设置。
8. 根据权利要求1～7中任一项所述的移相器，其中，所述多个移相单元包括多个第一导电结构和多个第二导电结构，所述第一导电结构在所述移相器所在的平面上的正投影与所述第二导电结构在所述移相器所在的平面上的正投影交替排布；其中，

   所述第三传输线被配置为与其相邻的两条所述第一传输线之间分别形成有电容；和/或，

   所述第一传输线被配置为与其相邻的两条所述第三传输线之间分别形成有电容。
9. 根据权利要求1～8中任一项所述的移相器，其中，所述移相器还包括相对设置的两个支撑层，所述第一导电结构和所述第二导电结构设置于所述两个支撑层之间；

   所述第一导电结构和所述第二导电结构分别设置于所述两个支撑层上；

   所述第一传输线在一个支撑层上的正投影与所述第三传输线在所述一个支撑层上的正投影部分重叠，以形成所述电容。
10. 根据权利要求1～8中任一项所述的移相器，其中，所述移相器还包括相对设置的两个支撑层，所述第一导电结构和所述第二导电结构设置于所述两个支撑层之间；

    所述第一导电结构和所述第二导电结构均设置于所述两个支撑层中的一者上；

    所述第一传输线包括相连接的第一主体部和第一端部，所述第三传输线包括相连接的第二主体部和第二端部，所述第一端部与所述第二端部相对且间隔设置，以形成所述电容。
11. 根据权利要求10所述的移相器，其中，所述第一端部在垂直于所述移相通路的延伸方向的尺寸，大于所述第一主体部在垂直于所述移相通路的延伸方向的尺寸；

    所述第二端部在垂直于所述移相通路的延伸方向的尺寸，大于所述第二主体部在垂直于所述移相通路的延伸方向的尺寸。
12. 根据权利要求9～11中任一项所述的移相器，还包括：

    介电常数可调介质，填充于所述两个支撑层之间。
13. 根据权利要求12所述的移相器，还包括：第一控制线和第二控制线；所述第一控制线与所述第一导电结构耦接，所述第二控制线与所述第二导电结构耦接；

    所述介电常数可调介质被配置为：在所述第一控制线和所述第二控制线的控制下改变所述介电常数可调介质的介电常数。
14. 根据权利要求13所述的移相器，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构分别设置于所述两个支撑层上；

    所述第一控制线位于所述第一导电结构远离所述第二导电结构的一侧，并平行于所述移相通路的延伸方向设置；

    所述第二控制线位于所述第二导电结构远离所述第一导电结构的一侧， 并平行于所述移相通路的延伸方向设置。
15. 根据权利要求13所述的移相器，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构设置于同一支撑层上；

    所述第一控制线垂直于所述移相通路的延伸方向设置；

    所述第二控制线垂直于所述移相通路的延伸方向设置。
16. 根据权利要求1～15中任一项所述的移相器，其中，所述第一传输线、所述第二传输线和所述第三传输线中至少一者的形状为曲线形或折线形。
17. 根据权利要求1～15中任一项所述的移相器，其中，所述第一传输线、所述第二传输线和所述第三传输线中至少一者包括微带线和/或带状线。
18. 一种天线，包括：

    如权利要求1～17中任一项所述的移相器；

    收发器，与所述移相器电连接。
19. 一种电子设备，包括：

    如权利要求1～17中任一项所述的移相器。