CN117130834A

CN117130834A - 防止磁场干扰电子设备运行的方法及电子设备

Info

Publication number: CN117130834A
Application number: CN202310090876.9A
Authority: CN
Inventors: 许铭扬; 曹元�
Original assignee: Honor Device Co Ltd
Current assignee: Honor Device Co Ltd
Priority date: 2023-01-30
Filing date: 2023-01-30
Publication date: 2023-11-28

Abstract

本申请提供了一种防止磁场干扰电子设备运行的方法及电子设备，应用于电子设备，电子设备中包括第一存储器和第二存储器；该方法包括：在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，第一数据用于电子设备的正常运行；在第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。从而，本申请可在第一存储器还未受到磁场的干扰时，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，便于在第一存储器受到磁场的干扰时，启动第二存储器运行第一数据，实现了电子设备中的第一存储器在受到磁场的干扰时，电子设备也能稳定运行。

Description

防止磁场干扰电子设备运行的方法及电子设备

技术领域

本申请属于终端技术领域，尤其涉及一种防止磁场干扰电子设备运行的方法及电子设备。

背景技术

随着磁随机存储技术的快速发展，磁随机存储器(magnetic random accessmemory，MRAM)由于读写速度快、非易失性、重复读写次数高、抗辐射等卓越优点，应用于各种可穿戴式的电子设备中。其中，MRAM因其自身机理问题，当暴漏在较强磁场中时，其内部存储的数据存在失效风险。在MRAM内存储的不可修改的数据(如引导代码(bootloader)等)失效时，电子设备会无法稳定运行，甚至不能正常开机。

目前，可在电子设备中设置两个MRAM，将抵抗磁场能力较弱的MRAM作为磁场检测单元，将抵抗磁场能力较强的MRAM作为主存储单元，在磁场检测单元失效后可向主存储单元发送警示信息并将MRAM内的数据转移到其他存储介质中；或者，在MRAM中集成磁传感器，当磁传感器检测到的磁场强度值大于阈值后，将MRAM内的数据转移到其他存储介质中，来保证电子设备稳定运行。

然而，上述的实现过程中，数据转移时间较长，电子设备在受到强磁场影响时，数据还未来得及转移，MRAM内的数据便已经失效。

发明内容

本申请提供了一种防止磁场干扰电子设备运行的方法及电子设备，实现了电子设备在受到磁场干扰时，也能稳定运行。

第一方面，本申请提供一种防止磁场干扰电子设备运行的方法，应用于电子设备，电子设备中包括第一存储器和第二存储器；该方法包括：

在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，第一存储器内的第一数据在受到磁场的干扰下失效，第二存储器内的第一数据在受到磁场的干扰下不失效，第一数据用于电子设备的正常运行；

在确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

上述方法中，在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，也就是说，电子设备能够在第一存储器未受到磁场的干扰时，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，为在第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，启动第二存储器运行第一数据做好准备。

另外，在第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，电子设备可以确定第一存储器内的第一数据失效，由此，能够启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器，使得电子设备能够稳定运行。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰，包括：

获取第一存储器周围的磁感应强度值；

在磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰，第一磁场阈值用于指示第一存储器内的第一数据失效时的磁场的干扰程度对应的磁感应强度值。

上述方法中，可以通过获取的第一存储器周围的磁感应强度值，与第一磁场阈值进行比较，来确定第一存储器是否受到大于或等于预设程度的磁场的干扰。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，电子设备中还包括多个磁场检测装置，确定磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值，包括：

采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值；

在多个磁场检测装置中的至少一个磁场检测装置获取到的磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，确定磁感应强度值大于第一磁场阈值。

其中，采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值，可以提高获取第一存储器周围的磁感应强度值的精度和可靠性，防止磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值与第一存储器周围的磁场存在差异。从而，在多个磁场检测装置中的至少一个磁场检测装置获取到的磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，可以确定磁感应强度值大于第一磁场阈值。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在第一磁场阈值大于第二磁场阈值，第二磁场阈值用于指示第一存储器内的第一数据即将失效时的磁场的干扰程度对应的磁感应强度值时，方法还包括：

在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第一评估结果，第一评估结果用于表示第一存储器内的第一数据的正确率或失效率；

在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器；

在第一评估结果表示第一存储器不满足第一预设条件时，维持第一存储器工作。

上述方法中，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第一评估结果，便于通过第一评估结果确定第一存储器内的第一数据的正确率或失效率。

在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，可以确定第一存储器内的第一数据的失效率较高，甚至完全失效，由此，可启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

在第一评估结果表示第一存储器不满足第一预设条件时，可以确定第一存储器内的第一数据的失效率较低，由此，可维持第一存储器工作，来保证电子设备稳定运行。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在启动第二存储器运行第一数据后，该方法还包括：

获取第一存储器周围的磁感应强度值；

在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，维持第二存储器工作；

在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第二评估结果，第二评估结果用于表示第一存储器存储数据的可靠性；在第二评估结果表示第一存储器不满足第二预设条件时，将第二存储器内的第一数据写入到第一存储器中，并启动第一存储器运行第一数据，关闭第二存储器；在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，输出第一预警提示，第一预警提示用于提醒用户对第一存储器进行维修或者更换。

上述方法中，在启动第二存储器运行第一数据后，可继续获取当前的磁感应强度值，判断当前的磁感应强度值的大小，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，可以确定第一存储器仍然受到中磁场的干扰，那么，电子设备需要维持第二存储器工作。

在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器未受到磁场的干扰，由此，电子设备可每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第二评估结果，便于通过第二评估结果确定第一存储器存储数据的可靠性。

在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，可以确定第一存储器存储数据的可靠性较低，由此，可输出第一预警提示，提醒用户对第一存储器进行维修或者更换，便于用户在接收到该第一预警提醒后，能够及时维修或者更换第一存储器。

在第二评估结果表示第一存储器不满足第二预设条件时，可以确定第一存储器存储数据的可靠性较高，由此，可将电子设备中的第二存储器内的第一数据写入到第一存储器中，并启动第一存储器运行第一数据，关闭第二存储器，由于第一存储器比起第二存储器具有读写速度快、非易失性、重复读写次数高、抗辐射等卓越优点，因此，在能够采用第一存储器存储第一数据时，可不采用第二存储器存储第一数据。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第二预设条件包括：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内，和/或，第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内。

其中，可通过第二预设条件来判断第一存储器存储数据的可靠性。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该方法还包括：

在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，输出第一预警提示。

其中，在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，可启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器，以及输出第一预警提示，不执行启动第二存储器运行第一数据后的步骤。

由此，可通过第一预警提示来提醒用户对第一存储器进行维修或者更换。

在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，输出第二预警提示，第二预警提示用于提醒用户第一存储器内的第一数据存在丢失的风险。

其中，磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，可以确定第一数据即将失效，由此，可输出第二预警提示，来提醒用户第一存储器内的第一数据存在丢失的风险。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一预设条件包括如下至少一项：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内、第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内，或第一存储器内的第一数据的误码率大于预设误码阈值。

其中，可通过第一预设条件来判断第一存储器内的第一数据的正确率或失效率。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，电子设备中包括多个磁场检测装置时，确定磁感应强度值小于第一磁场阈值大于第二磁场阈值，包括：

在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于第一磁场阈值且大于第二磁场强度值时，确定磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值。

其中，采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值，在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于第一磁场阈值且大于第二磁场强度值时，确定磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，在启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器前，该方法还包括：

在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，维持第一存储器工作。

上述方法中，在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，可以确定电子设备中的第一存储器未受到磁场的干扰，从而，可维持第一存储器工作，保证电子设备的稳定运行。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，电子设备中包括多个磁场检测装置时，确定磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值，包括：

在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于第二磁场阈值时，确定磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值。

其中，采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值，在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于第二磁场阈值时，确定磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，预设情况包括如下至少一项：电子设备上的时间位于预设时间段、电子设备处于充电状态，或电子设备的负载电流值小于预设电流阈值。

第二方面，本申请提供一种防止磁场干扰电子设备运行的装置，该防止磁场干扰电子设备运行的装置用于执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

具体地，该防止磁场干扰电子设备运行的装置，包括：备份模块和启动模块。

备份模块，用于在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，第一存储器内的第一数据在受到磁场的干扰下失效，第二存储器内的第一数据在受到磁场的干扰下不失效，第一数据用于电子设备的正常运行；

启动模块，用于在确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

结合第二方面，在第一方面的某些实现方式中，启动模块，具体用于：

获取第一存储器周围的磁感应强度值；

结合第二方面，在第一方面的某些实现方式中，第二预设条件包括：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内，和/或，第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内。

结合第二方面，在第一方面的某些实现方式中，第一预设条件包括如下至少一项：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内、第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内，或第一存储器内的第一数据的误码率大于预设误码阈值。

结合第二方面，在第一方面的某些实现方式中，预设情况包括如下至少一项：电子设备上的时间位于预设时间段、电子设备处于充电状态，或电子设备的负载电流值小于预设电流阈值。

第三方面，本申请提供一种电子设备，包括处理器；当处理器执行存储器中的计算机代码或指令时，使得电子设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

第四方面，本申请提供一种电子设备，包括一个或多个处理器；存储器；以及一个或多个计算机程序，其中一个或多个计算机程序存储在存储器上，当计算机程序被一个或多个处理器执行时，使得电子设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

第五方面，本申请提供一种芯片系统，该芯片系统包括处理器，用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有芯片系统的电子设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

第六方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，包括计算机程序，当计算机程序在电子设备上运行时，使得电子设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

第七方面，本申请提供一种计算机程序产品，当计算机程序产品在计算机上运行时，使得计算机执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

可以理解的是，上述第二方面至第七方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施例提供的一种磁随机存储器的结构示意图；

图2为本申请一实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图3为本申请一实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图4A-图4C为本申请一实施例提供的一种人机交互界面示意图；

图5为本申请一实施例提供的一种防止磁场干扰电子设备运行的方法的流程示意图；

图6为本申请一实施例提供的一种防止磁场干扰电子设备运行的方法的流程示意图；

图7为本申请一实施例提供的一种防止磁场干扰电子设备运行的方法的流程示意图；

图8为本申请一实施例提供的一种防止磁场干扰电子设备运行的装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。其中，在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“/”表示或的意思，例如，A/B可以表示A或B；本文中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，在本申请实施例的描述中，“多个”是指两个或多于两个。

以下，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

磁随机存储器(magnetic random access memory，MRAM)作为一种非易失性随机存储器，兼具静态随机存取存储器(static random-access memory，SRAM)的高速读写能力和动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)的高集成度，展现出读写速度快、非易失性、重复读写次数高、抗辐射等卓越优点。

其中，MRAM的基本工作原理是隧穿磁电阻效应。通过施加反铁磁层或其他手段将其中一个铁磁层磁矩钉扎住，即使其始终保持固定的磁化方向，例如该铁磁层的磁矩沿+x方向磁化。而另一个铁磁层既可以在+x也可以在-x方向磁化，这种磁化方向不受限制的铁磁层被称为自由层。而被钉扎磁化方向即只能沿一个方向磁化的铁磁层被称为钉扎层。当钉扎层与自由层磁化方向平行时，该结构对外表现的磁电阻为低磁电阻状态(此时即记录信号“1”)；而当固定层与自由层磁矩方向反平行时，该结构对外表现的磁电阻为高磁电阻状态(此时即记录信号“0”)。流磁隧道结(magnetic tunnel junctions，MTJ)的电子能够以跃迁隧穿的方式通过结构中间的超薄绝缘层，因此，这种铁磁层/超薄绝缘层/铁磁层的多层膜结构称为磁隧道结。

如图1所示，MTJ中两个磁性层即钉扎层和自由层的磁化状态易受外界磁场影响。这使得当MRAM暴漏在较强磁场时，其内部存储的数据存在失效风险。而MRAM在可穿戴式的电子设备中往往起着芯片上的只读存储器(onchip read only memory image，On-chipROM)和动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)的作用，其内部存储着整个电子设备的启动引导程序(bootloader)。当外界强磁场将这部分原本不可修改的数据破坏，电子设备会无法稳定工作，甚至不能正常开机。

以智能手表为例，大于2000GS的磁场可使得手表中的MRAM存储的数据失效。而生活中存在很多磁场大于2000GS的场景：比如双面玻璃擦、家用小磁铁以及衣服解扣器等。

当上述强磁物体与手表接触时，就有概率使手表失效。

本申请可提供一种防止磁场干扰电子设备运行的方法、防止磁场干扰电子设备运行的装置、电子设备、芯片系统、计算机可读存储介质、以及计算机程序产品，考虑到在检测到磁场时，将磁性存储器内的数据转移到其他存储介质中的技术，数据转移时间较长，电子设备在受到强磁场的干扰时，数据还未来得及转移，将磁性存储器内的数据便已经失效，由此，可在预设条件下，磁场到来之前将将磁性存储器内的数据备份到其他存储介质中，在磁场到来时，启动其他存储介质运行从将磁性存储器内备份的数据，关闭将磁性存储器，来保证电子设备的稳定运行。

从而，可以提前将磁性存储器内的数据备份到其他存储介质中，避免在磁场到来时，来不及转移将磁性存储器内的数据，实现了电子设备中的将磁性存储器在受到磁场的干扰时，电子设备也能稳定运行。

其中，本申请提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法，可以应用于电子设备。

例如，电子设备可以为可穿戴设备(手表、手环等)、手机、平板电脑、车载设备、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、上网本、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)等设备。

为了便于说明，图2中，以电子设备100为手表为例进行示意。

如图2所示，在一些实施例中，电子设备100可以包括处理器101、通信模块102、和显示屏103等。

其中，处理器101可以包括一个或多个处理单元，例如：处理器101可以包括应用处理器(application processor，AP)，调制解调处理器，图形处理器，图像信号处理器(imagesignal processor，ISP)，控制器，存储器，视频流编解码器，数字信号处理器(digitalsignal processor，DSP)，基带处理器，和/或神经网络处理器(neural-networkprocessing unit，NPU)等。其中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器101中。

控制器可以是电子设备100的神经中枢和指挥中心。控制器可以根据指令操作码和时序信号，产生操作控制信号，完成取指令和执行指令的控制。

处理器101中还可以设置存储器，用于存储指令和数据。

在一些实施例中，处理器101中的存储器为高速缓冲存储器。该存储器可以保存处理器101刚用过或循环使用的指令或数据。如果处理器101需要再次使用该指令或数据，可从存储器中直接调用。避免了重复存取，减少了处理器101的等待时间，因而提高了系统的效率。

在一些实施例中，处理器101可以包括一个或多个接口。接口可以包括集成电路(inter-integrated circuit，I2C)接口，集成电路内置音频(inter-integrated circuitsound，I2S)接口，脉冲编码调制(pulse code modulation，PCM)接口，通用异步收发传输器(universal asynchronous receiver/transmitter，UART)接口，移动产业处理器接口(mobile industry processor interface，MIPI)，通用输入输出(general-purposeinput/output，GPIO)接口，用户标识模块(subscriber identity module，SIM)接口，和/或通用串行总线(universal serial bus，USB)接口等。

通信模块102可以包括天线1，天线2，移动通信模块，和/或无线通信模块。

其中，显示屏103可以显示人机交互界面中的图像或视频等。

摄像头104可以用于捕获图像或录制视频。

如图2所示，在一些实施例中，电子设备100还可以包括传感器104、内部存储器105、外部存储器接口106、USB接口107、充电管理模块108、电源管理模块109、和电池110等。

NPU为神经网络(neural-network，NN)计算处理器，通过借鉴生物神经网络结构，例如借鉴人脑神经元之间传递模式，对输入信息快速处理，还可以不断的自学习。通过NPU可以实现电子设备100的智能认知等应用，例如：图像识别，人脸识别，语音识别，文本理解等。

充电管理模块108用于从充电器接收充电输入。其中，充电器可以是无线充电器，也可以是有线充电器。

在一些有线充电的实施例中，充电管理模块108可以通过USB接口107接收有线充电器的充电输入。

在一些无线充电的实施例中，充电管理模块108可以通过电子设备100的无线充电线圈接收无线充电输入。充电管理模块108为电池110充电的同时，还可以通过电源管理模块109为电子设备100供电。

电源管理模块109用于连接电池110，充电管理模块108与处理器101。电源管理模块109接收电池110和/或充电管理模块108的输入，为处理器101，内部存储器105，外部存储器，和通信模块102等供电。电源管理模块109还可以用于监测电池容量，电池循环次数，电池健康状态(漏电，阻抗)等参数。

在其他一些实施例中，电源管理模块109也可以设置于处理器101中。

在另一些实施例中，电源管理模块109和充电管理模块108也可以设置于同一个器件中。

外部存储器接口106可以用于连接外部存储卡，例如Micro SD卡，实现扩展电子设备100的存储能力。外部存储卡通过外部存储器接口106与处理器101通信，实现数据存储功能。例如将音乐，视频流等文件保存在外部存储卡中。

内部存储器105可以包括磁随机存储器(magnetic random access memory，MRAM)和快速闪速存储器(flash memory，Flash)。MRAM存储电子设备的引导代码(bootloader)、应用代码、和用户数据，还用于存储计算机可执行程序代码，可执行程序代码包括指令。Flash可以用于存储电子设备的引导代码(bootloader)、和计算机可执行程序代码。处理器101通过运行存储在内部存储器105的指令，从而执行电子设备100的各种功能应用以及数据处理。内部存储器105可以包括存储程序区和存储数据区。

其中，存储程序区可存储操作系统，至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能，图像播放功能等)等。存储数据区可存储电子设备100使用过程中所创建的数据(比如音频数据，电话本等)等。此外，内部存储器105可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件，闪存器件，通用闪存存储器(universalflash storage，UFS)等。

电子设备100中的传感器模块103可以包括图像传感器、触摸传感器、压力传感器、陀螺仪传感器、气压传感器、磁传感器、加速度传感器、距离传感器、接近光传感器、环境光传感器、指纹传感器、温度传感器、骨传导传感器等部件，以实现对于不同信号的感应和/或获取功能。

可选地，电子设备100还可以包括外设设备，例如鼠标、按键、指示灯、键盘、扬声器、麦克风等。

按键包括开机键，音量键等。按键可以是机械按键。也可以是触摸式按键。电子设备100可以接收按键输入，产生与电子设备100的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。

指示器可以是指示灯，可以用于指示充电状态和电量变化，也可以用于指示消息、未接来电、和通知等。

可以理解的是，本实施例示意的结构并不构成对电子设备100的具体限定。

在另一些实施例中，电子设备100可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件，软件或软件和硬件的组合实现。

请参考图3，为本申请实施例提供的一种电子设备的示意图。本申请实施例提供的眼动数据处理方法应用于图2所示的电子设备100时，电子设备100中的软件可以划分为如图2所示的应用程序层201，硬件抽象层(Hardware Abstraction Layer，HAL)202以及驱动层203。

应用程序层201中可以安装有多个应用程序，其中可以包括用于实现拍摄功能的相机应用程序(camera application)。

其中，相机应用程序的是指运行于操作系统上，能够执行拍照任务的计算机程序。当相机应用程序的格式为安卓应用程序包(Android application package，APK)格式时，相机应用程序可以运行于安卓操作系统上。

在本申请实施例中，相机应用程序可以是有拍摄功能的应用程序。例如，功能为分享短视频的应用程序，如果具有拍摄功能，即可作为本申请实施例中相机应用程序。

硬件抽象层202是一个位于操作系统内核与硬件电路之间的软件，通常用于将硬件抽象化，以实现操作系统与硬件电路在逻辑层的交互。在本申请实施例中，硬件抽象层202可以包括能够实现相机应用程序与图像传感器在逻辑层交互的相机硬件抽象层(camera Hardware Abstraction Layer，camera HAL)。

驱动层203中可以安装有多个用于驱动硬件工作的驱动(driver)。

需要说明的是，应用程序层201，硬件抽象层202以及驱动层203中也可以包括其他内容，在此不做具体限定。

基于前述描述，结合图4A-图4C所示，详细介绍电子设备实现本申请的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

为了便于说明，图4A-图4C中，以电子设备为手表、第一存储器为MRAM、第二存储器为Flash为例进行示意。

请参阅图4A-图4C，图4A-图4C示出了本申请一实施例提供的人机交互界面示意图。

手表可显示如图4A所示的界面11，界面11用于显示手表上安装的天气、时间、电量等应用程序(application，APP)的图标。

在手表处于预设情况下时，将MRAM内的数据1备份到Flash中。

其中，预设情况可以包括如下至少一项：电子设备上的时间位于预设时间段、电子设备处于充电状态，或电子设备的负载电流值小于预设电流阈值。

在手表运行的过程中，对MRAM周围的磁场强度进行检测，在磁场强度对应的磁感应强度值大于或等于阈值1时，启动Flash运行数据1，关闭MRAM。

在磁场强度对应的磁感应强度值小于阈值1且大于阈值2时，界面11可从显示如图4A所示的界面11变为显示如图4B所示的界面12。

如4B中，界面12中可以包括控件101，控件101用于显示手表中MRAM内数据1的丢失状态。此时，控件101上显示的提醒文本为“MRAM内的数据存在丢失风险”，该提醒文本用于提醒用户MRAM内的数据1存在丢失的风险。

每隔预设时长，可对MRAM进行评估，得到评估结果1，在评估结果1表示MRAM满足预设条件1时，启动Flash运行数据1，关闭MRAM。

另外，在评估结果1表示MRAM不满足预设条件1时，维持MRAM工作。

其中，条件1包括如下至少一项：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内、第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内，或第一存储器内的第一数据的误码率大于预设误码阈值。

在评估结果1表示MRAM满足预设条件1时，界面12可从显示如图4B所示的界面12变为显示如图4C所示的界面13。

或者，继续对MRAM周围的磁场强度进行检测，在磁场强度对应的磁感应强度值小于或等于阈值2时，每隔预设时长，对MRAM进行评估，得到评估结果2，在评估结果2表示MRAM满足预设条件2时，界面12可从显示如图4B所示的界面12变为显示如图4C所示的界面13。

如4C中，界面12中可以包括控件102，控件102用于显示手表中MRAM的失效状态。此时，控件101上显示的提醒文本为“MRAM存在损坏风险”，该提醒文本用于提醒用户对MRAM进行维修或者更换。

另外，在评估结果2表示MRAM不满足预设条件2时，将Flash内的数据1写入到MRAM中，并启动MRAM运行数据1，关闭Flash。

其中，预设条件2包括：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内，和/或，第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内。

综上，在手表处于预设情况下时，将MRAM内的数据1备份到Flash中，并对MRAM周围的磁场强度进行检测，在磁场强度对应的磁感应强度值大于或等于阈值1时，启动Flash运行数据1，关闭MRAM。可见，可以在磁场到来之前将MRAM内的数据1备份到Flash中，在磁场到来时，启动Flash运行从MRAM内备份的数据1，关闭MRAM，使得电子设备保持稳定运行的状态。

基于上述场景描述，下面，本申请以电子设备为例，结合附图和应用场景，对本申请实施例提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法进行详细阐述。

请参阅图5，图5示出了本申请一实施例提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法的流程示意图。

如图5所示，本申请提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法可以包括：

S101、在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中。

其中，预设情况包括如下至少一项：电子设备上的时间位于预设时间段、电子设备处于充电状态，或电子设备的负载电流值小于预设电流阈值等用户无感知的场景。

在一些实施例中，预设时间段为每天的00：00-05：00。

在另一些实施例中，电子设备为手表时，预设情况还可以包括用户从手腕上卸下手表的时间段。

其中，第一存储器内的第一数据在受到磁场的干扰下失效，第二存储器内的第一数据在受到磁场的干扰下不失效。

在一些实施例中，第一存储器为磁随机存储器(magnetic random accessmemory，MRAM)。

在一些实施例中，第二存储器包括但不限于动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，DRAM)、快速闪速存储器(flash memory，Flash)等不受磁场干扰的存储介质。

其中，第一数据用于电子设备的正常运行。

在一些实施例中，第一数据为启动引导程序(bootloader)。

假设电子设备为手表，预设情况为电子设备上的时间位于预设时间段，预设时间段为每天的00：00-05：00，第一存储器为MRAM，第二存储器为Flash，第一数据为bootloader。

那么，在手表处于00：00-05：00下，手表可将MRAM内的bootloader备份到Flash中。

由此，电子设备上电开始工作后，通过在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，使得在第一存储器未受到磁场的干扰，而导致第一存储器内的第一数据失效时，就可以将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中。

S102、在确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

其中，预设程度为预先设定的，电子设备通过预设程度可以确定第一存储器内的第一数据的失效情况。

第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器受到强磁场的干扰。

也就是说，在电子设备中的第一存储器受到强磁场的干扰时，电子设备中的第一存储器内的第一数据可失效。

由此，电子设备可以启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器，来保证电子设备的稳定运行。

另外，第一存储器受到小于预设程度的磁场的干扰时，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器未受到强磁场干扰。

电子设备中的第一存储器未受到强磁场干扰存在两种情况：电子设备中的第一存储器受到弱于强磁场的磁场的干扰(受到中磁场的干扰)，或者，未受到磁场的干扰。

本申请提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法，电子设备在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，相当于，电子设备能够在第一存储器未受到磁场的干扰时，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，可以避免第一存储器在受到磁场的干扰时，电子设备来不及转移第一存储器内的第一数据，从而，便于电子设备在第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，启动第二存储器运行第一数据。

电子设备在第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器受到强磁场的干扰，导致第一存储器内的第一数据失效，由此，电子设备可启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器，使得电子设备能够稳定运行。

基于上述图5所示实施例的描述，电子设备确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，可获取第一存储器周围的磁感应强度值；在磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰。

其中，第一磁场阈值用于指示第一存储器内的第一数据失效时的磁场的干扰程度对应的磁感应强度值。

其中，电子设备可采用磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值。

电子设备中可以包括一个磁场检测装置，也可以包括多个磁场检测装置。

在电子设备采用一个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值时，获取到的磁感应强度值存在以下三种情况：

其中，下述情况一属于第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰的情况，情况二和情况三属于第一存储器受到小于预设程度的磁场的干扰的情况。

另外，情况二还可以属于第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰的情况。

情况一、磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值；

情况二、磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值；

情况三、磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值。

对于情况一而言，电子设备中的第一存储器受到强磁场的干扰；

对于情况二而言，电子设备中的第一存储器受到弱于强磁场的磁场的干扰(受到中磁场的干扰)；

对于情况三而言，电子设备中的第一存储器未受到磁场的干扰。

其中，第一磁场阈值大于第二磁场阈值。

下面，结合图6，详细介绍本申请的防止磁场干扰电子设备运行的方法的具体实现过程。

请参阅图6，图6示出了本申请一实施例提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法的流程示意图。

如图6所示，本申请提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法可以包括：

S201、在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中。

其中，S201与图5示实施例中的S101实现方式类似，本申请此处不再赘述。

S202、获取第一存储器周围的磁感应强度值。

其中，电子设备可采用磁场检测装置实时采集第一存储器周围的磁感应强度值。

磁场检测装置可以为集成在电子设备内部的装置，如电子设备内部的指南针等磁传感器，也可以为电子设备中额外添加的集成磁传感器。

本申请对磁场检测装置的类型不做具体限定。

S203、判断获取到的磁感应强度值是否大于或等于第一磁场阈值。

在磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，电子设备可执行S204；在磁感应强度值小于第一磁场阈值时，电子设备可执行S205-S218。

其中，在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可执行S206；在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时时，电子设备可执行S207-S218。

S204、在磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

在磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器受到强磁场的干扰。

第一磁场阈值用于指示第一存储器内的第一数据失效时的磁场的干扰程度对应的磁感应强度值。

其中，第一磁场阈值对应能对第一存储器造成瞬时损坏的强磁场值。

在一些实施例中，电子设备中包括一个磁场检测装置，电子设备可以采用在该一个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值；在一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，电子设备可以确定磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值。

假设电子设备中包括一个磁场检测装置，一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值为2500Oe，第一磁场阈值为2000Oe。

那么，上述一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值大于第一磁场阈值，电子设备可以确定磁感应强度值大于第一磁场阈值。

由此，在磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，电子设备可以启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器，来保证电子设备稳定运行。

此外，电子设备还可以在启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器后，输出第一预警提示，对于第一预警提示的描述可参见S217的描述。S205、判断获取到的磁感应强度值是否小于或等于第二磁场阈值。

在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可执行S206；在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时时，电子设备可执行S207-S218。

S206、在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，维持第一存储器工作。

在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器未受到磁场的干扰。

假设电子设备中包括一个磁场检测装置，一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值为800Oe，第二磁场阈值为1000Oe。

那么，上述一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值小于第二磁场阈值，电子设备可以确定磁感应强度值小于第二磁场阈值。

由此，在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可以维持第一存储器工作，来保证电子设备稳定运行。

S207、在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，输出第二预警提示。

在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器受到中磁场的干扰。

第一存储器受到中磁场的干扰时，不会造成第一存储器内的第一数据的瞬间失效，但是长时间受到中磁场的干扰会造成数据出错而缓慢失效。

也就是说，在电子设备中的第一存储器受到中磁场的干扰时，电子设备中的第一存储器内的第一数据可即将失效。

第二磁场阈值用于指示第一存储器内的第一数据即将失效时的磁场的干扰程度对应的磁感应强度值。

其中，第二磁场阈值对应对第一存储器造成缓慢失效的中强磁场值。

在一些实施例中，电子设备中包括一个磁场检测装置，电子设备可以采用在该一个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值；在一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备可以确定磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值。

假设电子设备中包括一个磁场检测装置，一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值为1800Oe，第一磁场阈值为2000Oe，第二磁场阈值为1000Oe。

那么，上述一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值，电子设备可以确定磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值。

其中，第二预警提示用于提醒用户第一存储器内的第一数据存在丢失的风险。

在一些实施例中，第二预警提示可以为提醒文本，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备可显示第一提醒界面，并在第一提醒界面中显示提醒文本。

本申请对第一提醒界面的具体实现方式不做限定。

例如，提醒文本可以为“MRAM内的数据存在丢失风险”。

本申请对提醒文本的内容不做限定。

在另一些实施例中，第二预警提示可以为预设音频，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备可发出预设音频。

例如，预设音频可以为预设的声音或者震动。

本申请对上述预设音频的内容不做限定。

可见，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备能够输出第二预警提示，提醒用户第一存储器内的第一数据存在丢失的风险，便于用户在接收到该第二预警提示后，能够远离该对第一存储器进行磁干扰的区域。

S208、每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第一评估结果。

其中，预设时长为预先设定的。

例如，预设时长可以为1小时，或者2小时。

其中，第一评估结果用于表示第一存储器内的第一数据的正确率或失效率。

电子设备能够根据第一评估结果确定第一存储器内的第一数据的正确率或失效率，为确定是否维持第一存储器工作做好数据准备。

可见，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备能够每隔预设时长，对第一存储器进行评估，确定第一存储器内的第一数据的正确率或失效率，便于电子设备根据第一存储器内的第一数据的正确率或失效率，确定是否维持第一存储器工作。

S209、判断第一评估结果是否表示第一存储器满足第一预设条件。

第一预设条件包括如下至少一项：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内、第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内，或第一存储器内的第一数据的误码率大于预设误码阈值。

其中，对读写命令的响应时长为电子设备对第一存储器下发读写命令时，第一存储器从读取命令到在第一存储器中写入数据的时间。

例如，第一范围为0.5秒-1秒。

第一存储器中的磁电阻的阻值为第一存储器的隧穿磁电阻效应中，钉扎层与自由层磁化方向平行，或者，当固定层与自由层磁矩方向反平行时，第一存储器的结构对外表现的磁电阻。

其中，当钉扎层与自由层磁化方向平行时，该结构对外表现的磁电阻为低磁电阻状态，此时，记录信号“1”；而当固定层与自由层磁矩方向反平行时，该结构对外表现的磁电阻为高磁电阻状态，此时，即记录信号“0”。

相当于，第一存储器中的磁电阻的阻值为第一存储器记录“0”或“1”时的高低阻值。

第一存储器内的第一数据的误码率为第一存储器的比特(bit)位翻转超出指令纠错算法(error checking and correction，ECC)的纠错阈值的程度。

其中，电子设备可将第二存储器中的第一数据与第一存储器中的第一数据进行比对，来判断第一存储器内的第一数据的误码率是否大于预设误码阈值、第一存储器内的第一数据的误码率等于ECC纠错能力，或者，第一存储器内的第一数据的误码率大于ECC纠错能力，以使电子设备在预设时长内完成存储介质的切换(启动第二存储器，关闭第一存储器)。

例如，预设误码率为30％。

在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，电子设备可执行S208-S209；在第一评估结果表示第一存储器不满足第一预设条件时，电子设备可执行S210。

S210、在第一评估结果表示第一存储器不满足第一预设条件时，维持第一存储器工作。

在第一评估结果表示第一存储器不满足第一预设条件时，电子设备可以确定第一存储器内的第一数据的失效率较低。

由此，电子设备可维持第一存储器工作，来保证电子设备稳定运行。

S211、在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，电子设备可以确定第一存储器内的第一数据的失效率较高，甚至完全失效。

由此，电子设备可以启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器，来保证电子设备稳定运行。

S212、在启动第二存储器运行第一数据后，继续获取第一存储器周围的磁感应强度值。

其中，S212与图6示实施例中的S202实现方式类似，本申请此处不再赘述。

S213、判断获取到的磁感应强度值是否小于或等于第二磁场阈值。

在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备可执行S214；在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可执行S215-S218。

S214、在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，维持第二存储器工作。

在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备可以确定第一存储器仍然受到中磁场的干扰。

那么，电子设备可维持第二存储器工作，来保证电子设备稳定运行。

S215、在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第二评估结果。

由此，电子设备可每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第二评估结果，便于通过第二评估结果确定第一存储器存储数据的可靠性。

其中，第二评估结果用于表示第一存储器存储数据的可靠性。

S216、判断第二评估结果是否表示第一存储器满足第二预设条件。

其中，第二预设条件包括：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内，和/或，第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内。

对读写命令的响应时长，和，第一存储器中的磁电阻的阻值与S209中的第一预设条件的实现方式类似，本申请此处不再赘述。

在第一评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，电子设备可执行S217；在第一评估结果表示第一存储器不满足第二预设条件时，电子设备可执行S218。

S217、在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，输出第一预警提示。

在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，电子设备可以确定第一存储器存储数据的可靠性较低。

由此，电子设备可输出第一预警提示，提醒用户对第一存储器进行维修或者更换，便于用户在接收到该第一预警提醒后，能够及时维修或者更换第一存储器。

其中，第一预警提示用于提醒用户对第一存储器进行维修或者更换。

在一些实施例中，第一预警提示可以为提醒文本，在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，电子设备可显示第二提醒界面，并在第二提醒界面中显示第二提醒文本。

本申请对第二提醒界面的具体实现方式不做限定。

例如，第二提醒文本可以为“MRAM存在损坏风险”。

本申请对第二提醒文本的内容不做限定。

在另一些实施例中，第一预警提示可以为预设音频，在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，电子设备可发出预设音频。

例如，预设音频可以为预设的声音或者震动。

本申请对上述预设音频的内容不做限定。

可见，在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，电子设备能够输出第一预警提示，提醒用户对第一存储器进行维修或者更换，便于及时维修或者更换第一存储器。

S218、在第二评估结果表示第一存储器不满足第二预设条件时，将第二存储器内的第一数据写入到第一存储器中，并启动第一存储器运行第一数据，关闭第二存储器。

其中，S212-S218为可选步骤。

在电子设备不执行S212-S218时，电子设备可在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，不仅执行启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器的步骤，还需要执行输出第一预警提示的步骤。

应理解，第一存储器比起第二存储器具有读写速度快、非易失性、重复读写次数高、抗辐射等卓越优点，因此，电子设备在能够采用第一存储器存储第一数据时，可不采用第二存储器存储第一数据。

在第二评估结果表示第一存储器不满足第二预设条件时，电子设备可以确定电子设备可以确定电子设备已远离磁场区域，第一存储器可不受电子设备的磁场的干扰，第一存储器存储数据的可靠性较高。

从而，电子设备可将电子设备中的第二存储器内的第一数据写入到第一存储器中，并启动第一存储器运行第一数据，关闭第二存储器。

本申请中，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器受到中磁场的干扰，由此，电子设备可输出第二预警提示，提醒用户第一存储器内的第一数据存在丢失的风险，便于用户在接收到该第二预警提示后，能够远离该对第一存储器进行磁干扰的区域。

其中，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备还可对第一存储器进行评估，得到第一评估结果，便于通过第一评估结果确定第一存储器内的第一数据的正确率或失效率。

在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，电子设备可以确定第一存储器内的第一数据的失效率较高，甚至完全失效，由此，电子设备可启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器，来保证电子设备稳定运行；在第一评估结果表示第一存储器不满足第一预设条件时，电子设备可以确定第一存储器内的第一数据的失效率较低，由此，电子设备可维持第一存储器工作，来保证电子设备稳定运行。

另外，在启动第二存储器运行第一数据后，继续获取第一存储器周围的磁感应强度值，并判断获取到的磁感应强度值的大小，在磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，电子设备可以确定第一存储器仍然受到中磁场的干扰，那么，电子设备维持第二存储器工作，来保证电子设备稳定运行。

在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器已经不受磁场的干扰，由此，电子设备可每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第二评估结果，便于通过第二评估结果确定第一存储器存储数据的可靠性。

在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，电子设备可以确定第一存储器存储数据的可靠性较低，由此，电子设备可输出第一预警提示，提醒用户对第一存储器进行维修或者更换，便于用户在接收到该第一预警提醒后，能够及时维修或者更换第一存储器。

在第二评估结果表示第一存储器不满足第二预设条件时，电子设备可以确定第一存储器存储数据的可靠性较高，由此，电子设备可将电子设备中的第二存储器内的第一数据写入到第一存储器中，并启动第一存储器运行第一数据，关闭第二存储器，由于第一存储器比起第二存储器具有读写速度快、非易失性、重复读写次数高、抗辐射等卓越优点，因此，电子设备在能够采用第一存储器存储第一数据时，可不采用第二存储器存储第一数据。

此外，在磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可以确定电子设备中的第一存储器未受到磁场的干扰，从而，电子设备可维持第一存储器工作，保证电子设备的稳定运行。

可见，本申请适用于磁感应强度值大于第一磁场阈值时，强磁场场景下电子设备中的第一存储器内的第一数据的瞬间失效的情况，也适应于磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值时，中磁场场景下电子设备中的第一存储器内的第一数据缓慢失效的情况，还适用于磁感应强度值小于第二磁场阈值时，无磁场场景下电子设备中的第一存储器内的第一数据不失效的情况。

基于上述图5所示实施例的描述，电子设备中可以包括一个磁场检测装置，也可以包括多个磁场检测装置。

在电子设备中包括多个磁场检测装置时，多个磁场检测装置可布置在第一存储器的周围。

本申请对磁场检测装置的数量不做具体限定。

电子设备采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值，获取到的磁感应强度值存在以下三种情况：

其中，情况四与上述情况一对应，情况五与上述情况二对应，情况六与上述情况三对应。

情况四、多个磁场检测装置中的至少一个磁场检测装置获取到的磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值；

情况五、多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于第一磁场阈值且大于第二磁场强度值；

情况六、多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于第二磁场阈值。

在磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，电子设备可确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰。

下面，结合图7详细介绍本申请的防止磁场干扰电子设备运行的方法的具体实现过程。

请参阅图7，图7示出了本申请一实施例提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法的流程示意图。

如图7所示，本申请提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法可以包括：

S301、在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中。

S303、采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值。

S303、判断多个磁场检测装置分别获取到的磁感应强度值中，是否存在至少一个磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值。

S304、在多个磁场检测装置中的至少一个磁场检测装置获取到的磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

其中，电子设备中包括多个磁场检测装置，电子设备可采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值。

在另一些实施例中，电子设备采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值；在多个磁场检测装置中的至少一个磁场检测装置获取到的磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，电子设备可以确定磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值。

假设电子设备中包括四个磁场检测装置，四个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值分别为2000Oe、2500Oe、1900Oe、1800Oe，第一磁场阈值为2000Oe。

那么，四个磁场检测装置中一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值大于第一磁场阈值，电子设备可以确定磁感应强度值大于第一磁场阈值。

S305、判断判断多个磁场检测装置分别获取到的磁感应强度值，是否皆小于或等于第二磁场阈值。

S306、在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于第二磁场阈值时，维持第一存储器工作。

其中，电子设备可采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值。

在一些实施例中，电子设备采用在该多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值；在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可以确定磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值。

假设电子设备中包括四个磁场检测装置，四个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值分别为800Oe、600Oe、700Oe、800Oe，第二磁场阈值为1000Oe。

那么，上述四个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值皆小于第二磁场阈值，电子设备可以确定磁感应强度值小于第二磁场阈值。

由此，在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于第二磁场阈值时，电子设备可以维持第一存储器工作，来保证电子设备稳定运行。

S307、在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于第一磁场阈值且大于第二磁场强度值时，输出第二预警提示。

在一些实施例中，电子设备中包括多个磁场检测装置，电子设备可以采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值；在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于第一磁场阈值且大于第二磁场强度值时，电子设备确定磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值。

假设电子设备中包括四个磁场检测装置，四个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值分别为1700Oe、1900Oe、1900Oe、1800Oe，第一磁场阈值为2000Oe，第二磁场阈值为1000Oe。

那么，四个磁场检测装置中一个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值，电子设备可以确定磁感应强度值小于第一磁场阈值且大于第二磁场阈值。

S308、每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第一评估结果。

S309、判断第一评估结果是否表示第一存储器满足第一预设条件。

S310、在第一评估结果表示第一存储器不满足第一预设条件时，维持第一存储器工作。

S311、在第一评估结果表示第一存储器满足第一预设条件时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

S312、在启动第二存储器运行第一数据后，继续获取第一存储器周围的磁感应强度值。

其中，S312与图6示实施例中的S202实现方式类似，本申请此处不再赘述。

S313、判断多个磁场检测装置分别获取到的磁感应强度值，是否皆小于或等于第二磁场阈值。

应理解，电子设备采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值时，多个磁场检测装置获取到的第一存储器周围的磁感应强度值不满足上述情况四和情况六时，皆可以确定执行S313。

S314、在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于第一磁场阈值且大于第二磁场强度值时，维持第二存储器工作。

S315、在多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于第二磁场阈值时，每隔预设时长，对第一存储器进行评估，得到第二评估结果。

S316、判断第二评估结果是否表示第一存储器满足第二预设条件。

S317、在第二评估结果表示第一存储器满足第二预设条件时，输出第一预警提示。

S318、在第二评估结果表示第一存储器不满足第二预设条件时，将第二存储器内的第一数据写入到第一存储器中，并启动第一存储器运行第一数据，关闭第二存储器。

其中，S301-S318的其他内容分别与图6所示实施例中的S201-S218实现方式类似，本申请此处不再赘述。

本申请中，电子设备可采用多个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值，可以提高获取第一存储器周围的磁感应强度值的精度和可靠性，防止磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值与第一存储器周围的磁场存在差异，并且，可以保证获取到的第一存储器周围的磁感应强度值存在不灵敏或误触发等问题。

基于上前文描述，在一个具体实施例中，假设如下内容：

1、电子设备为手表；

2、第一存储器为MRAM；

3、第二存储器为Flash；

4、第一数据为bootloader；

5、预设情况为电子设备上的时间位于每天的00：00-05：00；

6、第一预设条件为第一存储器内的bootloader数据的误码率大于30％；

7、第二预设条件为第一存储器对读写命令的响应时长不在0.5秒-1秒内；

8、预设时长为1小时。

基于上述假设内容，手机结合方式一和方式二，可执行本申请提供的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

方式一，手表采用1个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值，手表执行防止磁场干扰电子设备运行的方法可以包括如下步骤：

步骤11、在手表处于手表上的时间位于每天的00：00-05：00下，将MRAM内的bootloader备份到Flash中。

步骤12、采用1个磁场检测装置获取MRAM周围的磁感应强度值。

步骤13、判断获取到的磁感应强度值是否大于或等于磁场阈值1。

步骤14、在磁感应强度值大于或等于磁场阈值1时，启动Flash运行bootloader，关闭MRAM。

步骤15、判断获取到的磁感应强度值是否小于或等于磁场阈值2。

步骤16、在磁感应强度值小于或等于磁场阈值2时，维持MRAM工作。

步骤17、在磁感应强度值小于磁场阈值1且大于磁场阈值2时，输出第二预警提示。

步骤18、每隔1小时，对MRAM进行评估，得到第一评估结果。

步骤19、判断第一评估结果是否表示MRAM满足MRAM内的bootloader数据的误码率大于30％。

步骤20、在第一评估结果表示MRAM不满足MRAM内的bootloader数据的误码率大于30％时，维持MRAM工作。

步骤21、在第一评估结果表示MRAM满足MRAM内的bootloader数据的误码率大于30％时，启动Flash运行bootloader，关闭MRAM。

步骤22、在启动Flash运行bootloader后，继续获取MRAM周围的磁感应强度值，并判断获取到的磁感应强度值是否小于或等于磁场阈值2。

步骤23、在磁感应强度值小于磁场阈值1且大于磁场阈值2时，维持Flash工作。

步骤24、在磁感应强度值小于或等于磁场阈值2时，每隔1小时，对MRAM进行评估，得到第二评估结果。

步骤25、判断第二评估结果是否表示MRAM满足MRAM对读写命令的响应时长不在0.5秒-1秒内。

步骤26、在第二评估结果表示MRAM满足MRAM对读写命令的响应时长不在0.5秒-1秒内时，输出第一预警提示。

步骤27、在第二评估结果表示MRAM不满足MRAM对读写命令的响应时长不在0.5秒-1秒内时，将Flash内的bootloader写入到MRAM中，并启动MRAM运行bootloader，关闭Flash。

综上所述，手表能够将1个磁场检测装置分别获取到的磁感应强度值分别与磁场阈值1和磁场阈值2进行比较，并根据比较结果执行维持MRAM工作、启动Flash，关闭MRAM等相应的步骤，来保证手表的稳定运行。

方式二，手表采用4个磁场检测装置获取第一存储器周围的磁感应强度值，手表执行防止磁场干扰电子设备运行的方法可以包括如下步骤：

步骤31、在电子设备处于手表上的时间位于每天的00：00-05：00下，将MRAM内的bootloader备份到Flash中。

步骤32、采用4个磁场检测装置获取MRAM周围的磁感应强度值。

步骤33、判断4个磁场检测装置分别获取到的磁感应强度值中，是否存在至少一个磁感应强度值大于或等于磁场阈值1。

步骤34、在4个磁场检测装置中的至少一个磁场检测装置获取到的磁感应强度值大于或等于磁场阈值1时，启动Flash运行bootloader，关闭MRAM。

步骤35、判断判断4个磁场检测装置分别获取到的磁感应强度值，是否皆小于或等于磁场阈值2。

步骤36、在4个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于磁场阈值2时，维持MRAM工作。

步骤37、在4个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于磁场阈值1且大于第二磁场强度值时，输出第二预警提示。

步骤38、每隔1小时，对MRAM进行评估，得到第一评估结果。

步骤39、判断第一评估结果是否表示MRAM满足MRAM内的bootloader数据的误码率大于30％。

步骤40、在第一评估结果表示MRAM不满足MRAM内的bootloader数据的误码率大于30％时，维持MRAM工作。

步骤41、在第一评估结果表示MRAM满足MRAM内的bootloader数据的误码率大于30％时，启动Flash运行bootloader，关闭MRAM。

步骤42、在启动Flash运行bootloader后，4个磁场检测装置继续获取MRAM周围的磁感应强度值，并判断4个磁场检测装置分别获取到的磁感应强度值，是否皆小于或等于磁场阈值2。

步骤43、在4个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于磁场阈值1且大于第二磁场强度值时，维持Flash工作。

步骤44、在4个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于磁场阈值2时，每隔1小时，对MRAM进行评估，得到第二评估结果。

步骤45、判断第二评估结果是否表示MRAM满足MRAM对读写命令的响应时长不在0.5秒-1秒内。

步骤46、在第二评估结果表示MRAM满足MRAM对读写命令的响应时长不在0.5秒-1秒内时，输出第一预警提示。

步骤47、在第二评估结果表示MRAM不满足MRAM对读写命令的响应时长不在0.5秒-1秒内时，将Flash内的bootloader写入到MRAM中，并启动MRAM运行bootloader，关闭Flash。

综上所述，手表能够将4个磁场检测装置分别获取到的磁感应强度值分别与磁场阈值1和磁场阈值2进行比较，并根据比较结果执行维持MRAM工作、启动Flash，关闭MRAM等相应的步骤，来保证手表的稳定运行。

示例性地，本申请还提供一种防止磁场干扰电子设备运行的装置。

下面，结合图8，对本申请一实施例提供的防止磁场干扰电子设备运行的装置进行详细说明。

请参阅图8，图8示出了本申请一实施例提供的防止磁场干扰电子设备运行的装置的示意性框图。

如图8所示，防止磁场干扰电子设备运行的装置400可以独立存在，也可以集成在其他设备中，可以与上述电子设备之间实现相互通信，用于实现上述任一方法实施例中对应于电子设备的操作，本申请的防止磁场干扰电子设备运行的装置400可以包括：备份模块401和启动模块402。

备份模块401，用于在电子设备处于预设情况下，将第一存储器内的第一数据备份到第二存储器中，第一存储器内的第一数据在受到磁场的干扰下失效，第二存储器内的第一数据在受到磁场的干扰下不失效，第一数据用于电子设备的正常运行；

启动模块402，用于在确定第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，启动第二存储器运行第一数据，关闭第一存储器。

在一些实施例中，启动模块402，具体用于：

获取第一存储器周围的磁感应强度值；

在一些实施例中，启动模块402，具体用于：

获取第一存储器周围的磁感应强度值；

在一些实施例中，第二预设条件包括：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内，和/或，第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内。

在一些实施例中，启动模块402，具体用于：

在一些实施例中，第一预设条件包括如下至少一项：第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内、第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内，或第一存储器内的第一数据的误码率大于预设误码阈值。

在一些实施例中，启动模块402，具体用于：

在一些实施例中，预设情况包括如下至少一项：电子设备上的时间位于预设时间段、电子设备处于充电状态，或电子设备的负载电流值小于预设电流阈值。

示例性地，本申请提供一种电子设备，包括处理器；当处理器执行存储器中的计算机代码或指令时，使得电子设备执行前文实施例中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

示例性地，本申请提供一种电子设备，包括一个或多个处理器；存储器；以及一个或多个计算机程序，其中一个或多个计算机程序存储在存储器上，当计算机程序被一个或多个处理器执行时，使得电子设备执行前文实施例中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

可以理解的是，电子设备为了实现上述功能，其包含了执行各个功能相应的硬件和/或软件模块。结合本文中所公开的实施例描述的各示例的算法步骤，本申请能够以硬件或硬件和计算机软件的结合形式来实现。某个功能究竟以硬件还是计算机软件驱动硬件的方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以结合实施例对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

本实施例可以根据上述方法示例对电子设备进行功能模块的划分，例如，可以对应各个功能划分各个功能模块，也可以将两个或两个以上的功能集成在一个处理模块中。上述集成的模块可以采用硬件的形式实现。需要说明的是，本实施例中对模块的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。

在采用对应各个功能划分各个功能模块的情况下，上述实施例中涉及的电子设备还可以包括：备份模块和启动模块。其中，备份模块和启动模块相互配合，可以用于支持电子设备执行上述步骤，和/或用于本文所描述的技术的其他过程。

需要说明的是，上述方法实施例涉及的各步骤的所有相关内容均可以援引到对应功能模块的功能描述，在此不再赘述。

本实施例提供的电子设备，用于执行上述防止磁场干扰电子设备运行的方法，因此可以达到与上述实现方法相同的效果。

示例性地，本申请提供一种芯片系统，芯片系统包括处理器，用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有芯片系统的电子设备执行前文实施例中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

示例性地，本申请提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有代码或指令，当代码或指令在电子设备上运行时，使得电子设备执行时实现前文实施例中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

示例性地，本申请提供一种计算机程序产品，当计算机程序产品在计算机上运行时，使得电子设备实现前文实施例中的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

其中，本实施例提供的电子设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品或芯片系统均用于执行上文所提供的对应的方法，因此，其所能达到的有益效果可参考上文所提供的对应的方法中的有益效果，此处不再赘述。

通过以上实施方式的描述，所属领域的技术人员可以了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个装置，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是一个物理单元或多个物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个不同地方。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一个设备(可以是单片机，芯片等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(read only memory，ROM)、随机存取存储器(random access memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上内容，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种防止磁场干扰电子设备运行的方法，其特征在于，应用于电子设备，所述电子设备中包括第一存储器和第二存储器；

所述方法包括：

在所述电子设备处于预设情况下，将所述第一存储器内的第一数据备份到所述第二存储器中，所述第一存储器内的所述第一数据在受到磁场的干扰下失效，所述第二存储器内的所述第一数据在受到磁场的干扰下不失效，所述第一数据用于所述电子设备的正常运行；

在确定所述第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰时，启动所述第二存储器运行所述第一数据，关闭所述第一存储器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定所述第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰，包括：

获取所述第一存储器周围的磁感应强度值；

在所述磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值时，确定所述第一存储器受到大于或等于预设程度的磁场的干扰，所述第一磁场阈值用于指示所述第一存储器内的所述第一数据失效时的磁场的干扰程度对应的磁感应强度值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电子设备中还包括多个磁场检测装置，确定所述磁感应强度值大于或等于第一磁场阈值，包括：

采用所述多个磁场检测装置获取所述第一存储器周围的磁感应强度值；

在所述多个磁场检测装置中的至少一个磁场检测装置获取到的磁感应强度值大于或等于所述第一磁场阈值时，确定所述磁感应强度值大于或等于所述第一磁场阈值。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，在所述第一磁场阈值大于第二磁场阈值，所述第二磁场阈值用于指示所述第一存储器内的所述第一数据即将失效时的磁场的干扰程度对应的磁感应强度值时，所述方法还包括：

在所述磁感应强度值小于所述第一磁场阈值且大于所述第二磁场阈值时，每隔预设时长，对所述第一存储器进行评估，得到第一评估结果，所述第一评估结果用于表示所述第一存储器内的所述第一数据的正确率或失效率；

在所述第一评估结果表示所述第一存储器满足第一预设条件时，启动所述第二存储器运行所述第一数据，关闭所述第一存储器；

在所述第一评估结果表示所述第一存储器不满足第一预设条件时，维持所述第一存储器工作。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在启动所述第二存储器运行所述第一数据后，所述方法还包括：

获取所述第一存储器周围的磁感应强度值；

在所述磁感应强度值小于所述第一磁场阈值且大于所述第二磁场阈值时，维持所述第二存储器工作；

在所述磁感应强度值小于或等于所述第二磁场阈值时，每隔预设时长，对所述第一存储器进行评估，得到第二评估结果，所述第二评估结果用于表示所述第一存储器存储数据的可靠性；在所述第二评估结果表示所述第一存储器不满足第二预设条件时，将所述第二存储器内的所述第一数据写入到所述第一存储器中，并启动所述第一存储器运行所述第一数据，关闭所述第二存储器；在所述第二评估结果表示所述第一存储器满足第二预设条件时，输出第一预警提示，所述第一预警提示用于提醒用户对所述第一存储器进行维修或者更换。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二预设条件包括：所述第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内，和/或，所述第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内。

7.根据权利要求4-6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一评估结果表示所述第一存储器满足第一预设条件时，输出第一预警提示，所述第一预警提示用于提醒用户对所述第一存储器进行维修或者更换。

8.根据权利要求4-7任一项所述的方法，其特征在于，所述第一预设条件包括如下至少一项：所述第一存储器对读写命令的响应时长不在第一范围内、所述第一存储器中的磁电阻的阻值不在第二范围内，或所述第一存储器内的所述第一数据的误码率大于预设误码阈值。

9.根据权利要求4-8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述磁感应强度值小于所述第一磁场阈值且大于所述第二磁场阈值时，输出第二预警提示，所述第二预警提示用于提醒用户所述第一存储器内的所述第一数据存在丢失的风险。

10.根据权利要求4-9任一项所述的方法，其特征在于，所述电子设备中包括多个磁场检测装置时，确定所述磁感应强度值小于所述第一磁场阈值且大于所述第二磁场阈值，包括：

在所述多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于所述第一磁场阈值且大于所述第二磁场强度值时，确定所述磁感应强度值小于所述第一磁场阈值且大于所述第二磁场阈值。

11.根据权利要求4-10任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述磁感应强度值小于或等于所述第二磁场阈值时，维持所述第一存储器工作。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述电子设备中包括多个磁场检测装置时，确定所述磁感应强度值小于或等于第二磁场阈值，包括：

在所述多个磁场检测装置获取到的磁感应强度值皆小于或等于所述第二磁场阈值时，确定所述磁感应强度值小于或等于所述第二磁场阈值。

13.根据权利要求1-12任一项所述的方法，其特征在于，所述预设情况包括如下至少一项：所述电子设备上的时间位于预设时间段、所述电子设备处于充电状态，或所述电子设备的负载电流值小于预设电流阈值。

14.一种防止磁场干扰电子设备运行的装置，其特征在于，所述防止磁场干扰电子设备运行的装置包括用于执行如权利要求1-13任一项所述的防止磁场干扰电子设备运行的方法的模块。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：

一个或多个处理器；

存储器；

以及一个或多个计算机程序，其中所述一个或多个计算机程序存储在所述存储器上，当所述计算机程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备执行如权利要求1-13任一项所述的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

16.一种芯片系统，其特征在于，所述芯片系统包括处理器，用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有所述芯片系统的电子设备执行如权利要求1-13任一项所述的防止磁场干扰电子设备运行的方法。

17.一种计算机可读存储介质，包括计算机程序，其特征在于，当所述计算机程序在电子设备上运行时，使得所述电子设备执行如权利要求1-13任一项所述的防止磁场干扰电子设备运行的方法。