CN117127166A - 一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，包括支撑件包括支架，支架为L型结构，且支架竖直固定设置回收炉水平设置在支架的竖直端面顶部，且回收炉的端部贯通固定在支架的竖直端面顶部，回收炉的一端设置有推料件，且回收炉的另一端竖直贯通安装有排料筒。本发明克服现有生产完成的气态的氧化亚硅在回收炉中发生冷却，冷却气态的氧化亚硅主要采用高温气体导流到回收炉中，通过高温气体接触回收炉体，热量传递到炉体中，炉体接触空气排出炉体的热量进行降温，这种降温方式需要热量在炉体中传递后在接触空气，热量传递效率低，导致炉体冷凝时长较长，影响了回收炉降温效率的问题。
Description
技术领域
本发明涉及氧化亚硅生产设备技术领域，尤其涉及一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置。
背景技术
将硅粉或者碳粉和二氧化硅按比例混合，在真空条件下，通过炉体结构提供高温环境，让原料挥发，发生气相反应，然后通过冷凝收集而得到氧化亚硅，而现有技术一般采用的回转炉提供高温环境，完成气相反应，但是由于回转炉是一个动态工作的过程，在进行进料和排气的过程都需要停止设备，将气排完后，再进料、抽真空,氧化亚硅的生产通常采用沉积法，在生产时先将固体原料投入气相沉积炉的坩埚中加热，待固体原料气化后发生反应胜场氧化亚硅气体，然后进入沉积室中进行沉积。
公开号为CN202021530717.4公开了一种气相沉积炉，包括炉壳，炉壳内底部设有坩埚，炉壳内顶部设有卸料箱，同时还有沉积室用于沉积氧化亚硅，在生产过程中，通过第一加热器加热坩埚，放置在坩埚内的固体化学物质气化并反应，反应后的气体进入到沉积室内，发生化学反应沉积，一小部分气体进入到卸料箱内，在卸料箱的顶部，温度降低，形成粉末状，受重力作用掉落至集尘箱内。
但是上述将硅、二氧化硅原料在高温下发生反应，生成气态的氧化亚硅，高温的产物气体遇冷沉积而得到，生产完成的气态的氧化亚硅在回收炉中发生冷却，冷却气态的氧化亚硅主要采用高温气体导流到回收炉中，通过高温气体接触回收炉体，热量传递到炉体中，炉体接触空气排出炉体的热量进行降温，这种降温方式需要热量在炉体中传递后在接触空气，热量传递效率低，导致炉体冷凝时长较长，影响了回收炉降温效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，旨在改善上述的问题。
本发明是这样实现的：一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，包括：
支撑件，支撑件包括支架，支架为L型结构，且支架竖直固定设置；
回收炉，回收炉水平设置在支架的竖直端面顶部，且回收炉的端部贯通固定在支架的竖直端面顶部，回收炉的一端设置有推料件，且回收炉的另一端竖直贯通安装有排料筒，且排料筒中竖直插接有封塞；
冷却件，冷却件包括冷却筒，冷却筒水平套设在回收炉的外部，且冷却筒中导流有冷却液。
进一步的，推料件包括转筒，转筒水平滑动插接在回收炉的内部，且转筒插入回收炉内部一端固定有推料板，且推料板的另一端竖直固定有多块刮板，转筒的另一端固定有法兰环，且转筒的外圆周面底部水平固定有第一液压杆，且转筒的外圆周面两侧均水平开设有滑槽。
进一步的，转筒的内部设置有分切件，分切件包括滑座，滑座滑动安装在转筒的滑槽中，滑座的一端水平固定有推杆，且推杆水平插接在转筒的内部，滑座的一端与第一液压杆的输出端固定连接。
进一步的，推杆的一端贯穿推料板设置，且推杆贯穿推料板的端部固定有推块，且推块的外圆周面上均匀竖直固定有多块切刀。
进一步的，转筒的外部一端设置有滑台，且滑台上水平固定有电机，电机的输出端固定有转盘，且转盘与转筒上的法兰环固定连接，滑台下部水平设置有滑框，且滑框上水平固定有第二液压杆，且滑框的一端固定在支架上，且第二液压杆的输出端固定在滑台上。
进一步的，冷却件包括冷却筒，冷却筒水平套设在回收炉的外部，且冷却筒的两端分别固定在回收炉的外端面上，冷却筒的两端均设置有导液环，且冷却筒的外圆周面上横向均匀竖直贯通固定有多块导热孔环。
进一步的，冷却筒的两端均匀贯通开设有多个通孔，导液环固定在冷却筒的端部，且导液环靠近冷却筒的端面上贯通固定有导管，且导管贯通插接在冷却筒的内部。
进一步的，导液环上连通固定有水管，且水管上安装有阀门，水管的端部贯通固定有接口，且接口与外部冷却水管连通。
进一步的，支架上水平固定有风扇板，且风扇板上竖直贯通开设有多个通气孔，且风扇板的通气孔上竖直贯通固定有风扇。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：使用中将气化气相氧化亚硅引入回收炉中，然后气化气相氧化亚硅与回收炉的炉壁接触，热量导入回收炉的炉壁中，然后利用冷却件上的冷却筒中流动的冷却液接触回收炉的炉壁，导流热量进入冷却液中，然后热量在冷却液中从冷却筒另一端排出，从而加快回收炉中热量快速散失，提高气化气相氧化亚硅在回收炉中的冷却效果，从而气态的氧化亚硅在回收炉中发生冷却，冷却气态的氧化亚硅主要采用高温气体导流到回收炉中，通过高温气体接触回收炉体，热量传递到炉体中，炉体接触空气排出炉体的热量进行降温，这种降温方式需要热量在炉体中传递后在接触空气，热量传递效率低，导致炉体冷凝时长较长，影响了回收炉降温效率的问题，从而利用冷却液接触回收炉进行降温的方式，需要热量在炉体中传递后在接触空气，热量传递效率低，导致炉体冷凝时长较长。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是制备氧化亚硅的气相沉积装置的整体结构示意图；
图2是制备氧化亚硅的气相沉积装置的分解结构示意图；
图3是制备氧化亚硅的气相沉积装置实施例中回收炉在分解状态下的结构示意图；
图4是制备氧化亚硅的气相沉积装置实施例中推料件在分解状态下的结构示意图；
图5是制备氧化亚硅的气相沉积装置实施例中分切件和推料件在分解状态下的安装示意图；
图6是制备氧化亚硅的气相沉积装置实施例中分切件在分解状态下的结构示意图；
图7是制备氧化亚硅的气相沉积装置实施例中冷却件在分解状态下的结构示意图。
图中：1、支撑件；11、支架；2、回收炉；21、推料件；211、转筒；212、法兰环；213、推料板；214、刮板；215、第一液压杆；216、滑槽；22、滑框；23、滑台；24、电机；25、第二液压杆；26、转盘；27、分切件；271、推杆；272、推块；273、切刀；274、滑座；28、排料筒；281、封塞；29、风扇板；291、风扇；3、冷却件；31、冷却筒；32、通孔；33、导热孔环；34、导液环；35、导管；36、水管；361、阀门；37、接口。
具体实施方式
为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1、图2、图3、图4、图5、图6和图7所示，一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，包括：
支撑件1，支撑件1包括支架11，支架11为L型结构，且支架11竖直固定设置；
回收炉2，回收炉2水平设置在支架11的竖直端面顶部，且回收炉2的端部贯通固定在支架11的竖直端面顶部，回收炉2的一端设置有推料件21，且回收炉2的另一端竖直贯通安装有排料筒28，且排料筒28中竖直插接有封塞281；
冷却件3，冷却件3包括冷却筒31，冷却筒31水平套设在回收炉2的外部，且冷却筒31中导流有冷却液，使用中将气化气相氧化亚硅引入回收炉2中，然后气化气相氧化亚硅与回收炉2的炉壁接触，热量导入回收炉2的炉壁中，然后利用冷却件3上的冷却筒31中流动的冷却液接触回收炉2的炉壁，导流热量进入冷却液中，然后热量在冷却液中从冷却筒31另一端排出，从而加快回收炉2中热量快速散失，提高气化气相氧化亚硅在回收炉2中的冷却效果，从而气态的氧化亚硅在回收炉中发生冷却，冷却气态的氧化亚硅主要采用高温气体导流到回收炉中，通过高温气体接触回收炉体，热量传递到炉体中，炉体接触空气排出炉体的热量进行降温，这种降温方式需要热量在炉体中传递后在接触空气，热量传递效率低，导致炉体冷凝时长较长，影响了回收炉降温效率的问题，从而利用冷却液接触回收炉2进行降温的方式，需要热量在炉体中传递后在接触空气，热量传递效率低，导致炉体冷凝时长较长。
请参阅图3、图4、图5和图6，推料件21包括转筒211，转筒211水平滑动插接在回收炉2的内部，且转筒211插入回收炉2内部一端固定有推料板213，且推料板213的另一端竖直固定有多块刮板214，转筒211的另一端固定有法兰环212，且转筒211的外圆周面底部水平固定有第一液压杆215，且转筒211的外圆周面两侧均水平开设有滑槽216，转筒211的内部设置有分切件27，分切件27包括滑座274，滑座274滑动安装在转筒211的滑槽216中，滑座274的一端水平固定有推杆271，且推杆271水平插接在转筒211的内部，滑座274的一端与第一液压杆215的输出端固定连接。推杆271的一端贯穿推料板213设置，且推杆271贯穿推料板213的端部固定有推块272，且推块272的外圆周面上均匀竖直固定有多块切刀273。转筒211的外部一端设置有滑台23，且滑台23上水平固定有电机24，电机24的输出端固定有转盘26，且转盘26与转筒211上的法兰环212固定连接，滑台23下部水平设置有滑框22，且滑框22上水平固定有第二液压杆25，且滑框22的一端固定在支架11上，且第二液压杆25的输出端固定在滑台23上，使用中先启动推料件21上转筒211上的第一液压杆215推动转筒211中滑槽216中的滑座274水平滑动，带动推杆271在转筒211中水平滑动，推动推块272在回收炉2中平移，带动推块272移动带动切刀273分切粘附在回收炉2内壁上的冷凝氧化亚硅的气相沉积块，然后启动电机24带动转筒211转动，驱动推料板213转动，利用多块刮板214刮除分切后的回收炉2内壁上的冷凝氧化亚硅的气相沉积块，启动滑框22上的第二液压杆25上，推动滑台23在滑框22中滑动，从而带动推料板213转动在回收炉2中，推动冷凝氧化亚硅的气相沉积块从排料筒28中排出，从而完成回收炉2中冷凝氧化亚硅的气相沉积块的排出。
请参阅图2和图7，冷却件3包括冷却筒31，冷却筒31水平套设在回收炉2的外部，且冷却筒31的两端分别固定在回收炉2的外端面上，冷却筒31的两端均设置有导液环34，且冷却筒31的外圆周面上横向均匀竖直贯通固定有多块导热孔环33。冷却筒31的两端均匀贯通开设有多个通孔32，导液环34固定在冷却筒31的端部，且导液环34靠近冷却筒31的端面上贯通固定有导管35，且导管35贯通插接在冷却筒31的内部。导液环34上连通固定有水管36，且水管36上安装有阀门361，水管36的端部贯通固定有接口37，且接口37与外部冷却水管连通，使用中冷却筒31两端的导液环34上的水管36上的接口37与外部冷却水管连通，然后冷却水从导液环34上的水管36贯通导入冷却筒31的内部，然后冷却水接触回收炉2的外部，使冷却筒31回收炉2的外壁热量导入冷却水中，然后在将蓄热的冷却水从冷却筒31另一端导液环34导出，从而加快回收炉2的冷却效率。
请参阅图3，支架11上水平固定有风扇板29，且风扇板29上竖直贯通开设有多个通气孔，且风扇板29的通气孔上竖直贯通固定有风扇291，使用中启动风扇板29上的风扇291，带动外部空气向上流通在冷却筒31的外部，从而传递到冷却筒31外壁上的热量和导热孔环33热量被流动的空气散失，从而加快了回收炉2的冷却效率。
工作原理：使用中将气化气相氧化亚硅引入回收炉2中，然后气化气相氧化亚硅与回收炉2的炉壁接触，热量导入回收炉2的炉壁中，然后利用冷却件3上的冷却筒31中流动的冷却液接触回收炉2的炉壁，导流热量进入冷却液中，然后热量在冷却液中从冷却筒31另一端排出，从而加快回收炉2中热量快速散失，提高气化气相氧化亚硅在回收炉2中的冷却效果，启动推料件21上转筒211上的第一液压杆215推动转筒211中滑槽216中的滑座274水平滑动，带动推杆271在转筒211中水平滑动，推动推块272在回收炉2中平移，带动推块272移动带动切刀273分切粘附在回收炉2内壁上的冷凝氧化亚硅的气相沉积块，然后启动电机24带动转筒211转动，驱动推料板213转动，利用多块刮板214刮除分切后的回收炉2内壁上的冷凝氧化亚硅的气相沉积块，启动滑框22上的第二液压杆25上，推动滑台23在滑框22中滑动，从而带动推料板213转动在回收炉2中，推动冷凝氧化亚硅的气相沉积块从排料筒28中排出。
以上所述仅为本发明的优选实施方式而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，包括：
支撑件（1），所述支撑件（1）包括支架（11），所述支架（11）为L型结构，且支架（11）竖直固定设置；
回收炉（2），所述回收炉（2）水平设置在支架（11）的竖直端面顶部，且回收炉（2）的端部贯通固定在支架（11）的竖直端面顶部，所述回收炉（2）的一端设置有推料件（21），且回收炉（2）的另一端竖直贯通安装有排料筒（28），且排料筒（28）中竖直插接有封塞（281）；
冷却件（3），所述冷却件（3）包括冷却筒（31），所述冷却筒（31）水平套设在回收炉（2）的外部，且冷却筒（31）中导流有冷却液。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，所述推料件（21）包括转筒（211），所述转筒（211）水平滑动插接在回收炉（2）的内部，且转筒（211）插入回收炉（2）内部一端固定有推料板（213），且推料板（213）的另一端竖直固定有多块刮板（214），所述转筒（211）的另一端固定有法兰环（212），且转筒（211）的外圆周面底部水平固定有第一液压杆（215），且转筒（211）的外圆周面两侧均水平开设有滑槽（216）。
3.根据权利要求2所述的一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，所述转筒（211）的内部设置有分切件（27），所述分切件（27）包括滑座（274），所述滑座（274）滑动安装在转筒（211）的滑槽（216）中，所述滑座（274）的一端水平固定有推杆（271），且推杆（271）水平插接在转筒（211）的内部，所述滑座（274）的一端与第一液压杆（215）的输出端固定连接。
4.根据权利要求3所述的一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，所述推杆（271）的一端贯穿推料板（213）设置，且推杆（271）贯穿推料板（213）的端部固定有推块（272），且推块（272）的外圆周面上均匀竖直固定有多块切刀（273）。
5.根据权利要求4所述的一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，所述转筒（211）的外部一端设置有滑台（23），且滑台（23）上水平固定有电机（24），所述电机（24）的输出端固定有转盘（26），且转盘（26）与转筒（211）上的法兰环（212）固定连接，所述滑台（23）下部水平设置有滑框（22），且滑框（22）上水平固定有第二液压杆（25），且滑框（22）的一端固定在支架（11）上，且第二液压杆（25）的输出端固定在滑台（23）上。
6.根据权利要求1所述的一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，所述冷却件（3）包括冷却筒（31），所述冷却筒（31）水平套设在回收炉（2）的外部，且冷却筒（31）的两端分别固定在回收炉（2）的外端面上，所述冷却筒（31）的两端均设置有导液环（34），且冷却筒（31）的外圆周面上横向均匀竖直贯通固定有多块导热孔环（33）。
7.根据权利要求6所述的一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，所述冷却筒（31）的两端均匀贯通开设有多个通孔（32），所述导液环（34）固定在冷却筒（31）的端部，且导液环（34）靠近冷却筒（31）的端面上贯通固定有导管（35），且导管（35）贯通插接在冷却筒（31）的内部。
8.根据权利要求7所述的一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，所述导液环（34）上连通固定有水管（36），且水管（36）上安装有阀门（361），所述水管（36）的端部贯通固定有接口（37），且接口（37）与外部冷却水管连通。
9.根据权利要求6所述的一种用于制备氧化亚硅的气相沉积装置，其特征在于，所述支架（11）上水平固定有风扇板（29），且风扇板（29）上竖直贯通开设有多个通气孔，且风扇板（29）的通气孔上竖直贯通固定有风扇（291）。
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