CN117081519A - 一种射频功率放大器和移动终端 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种射频功率放大器和移动终端,包括:射频输入端、射频输出端、至少一个第一放大模块和第二放大模块;至少一个第一放大模块连接于射频输入端与第二放大模块的输入端之间,第二放大模块的输出端输出信号至射频输出端;第一放大模块用于对射频输入端输入的信号进行放大;第二放大模块用于根据第一放大模块输出的信号进行放大;其中,第一放大模块包括RLC反馈单元,RLC反馈单元连接在第一放大模块的输入端和第一放大模块的输出端之间,RLC反馈单元包括串联连接的第一电阻、第一电感和第一电容。本发明提供的射频功率放大器具有较好的带宽特性和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种射频功率放大器和移动终端。
背景技术
功率放大器在无线通信中是十分重要的关键器件,功率放大器的作用为将基带信号放大后加载到天线上以进行信号的传输。随着无线通信标准的不断演进,对功率放大器的要求也不断提高,特别是在LTE和5G NR等高速通信技术中。
在5G NR系统中,功率放大器需要具备宽带特性,能够支持多个频段的传输,以适应5G NR的灵活频谱使用。这些要求都是为了实现更高的数据速率、更稳定的信号传输和更好的用户体验。根据传输数据量的提高,人们对于功率放大器的带宽也有了更高的要求。这对功率放大器的稳定性和增益平坦度提出了新的挑战。然而,目前常用的功率放大器在较宽的频率范围内可能出现呈现低频高、高频低的特性,增益的平坦度较差,导致功率放大器的稳定性较差。
发明内容
本发明提供了一种射频功率放大器和移动终端,以解决现有技术中功率放大器在较宽的频率范围内工作时,稳定性较差的问题。
根据本发明的一方面,提供了一种射频功率放大器,包括:射频输入端、射频输出端、至少一个第一放大模块和第二放大模块;至少一个所述第一放大模块连接于所述射频输入端与所述第二放大模块的输入端之间,所述第二放大模块的输出端输出信号至所述射频输出端;
所述第一放大模块用于对所述射频输入端输入的信号进行放大;
所述第二放大模块用于根据所述第一放大模块输出的信号进行放大;
其中,所述第一放大模块包括RLC反馈单元,所述RLC反馈单元连接在所述第一放大模块的输入端和所述第一放大模块的输出端之间,所述RLC反馈单元包括串联连接的第一电阻、第一电感和第一电容。
可选的,所述第一放大模块还包括第一放大单元,所述第一放大单元的输入端连接所述第一放大模块的输入端,所述第一放大单元的输出端连接所述第一放大模块的输出端,所述第一放大单元用于对输入的信号进行放大处理。
可选的,所述第一放大单元包括第一晶体管、第二电容和第二电感,所述第一晶体管的控制端连接所述第二电容的第一端和第一电源,所述第二电容的第二端连接所述第一放大单元的输入端,所述第一晶体管的第一端接地,所述第一晶体管的第二端连接所述第二电感的第一端和所述第一放大单元的输出端,所述第二电感的第二端连接第二电源;所述第一电容的第一端连接所述第一放大单元的输出端,所述第一电容的第二端连接所述第一电感的第一端,所述第一电感的第二端连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接所述第一放大单元的输入端。
可选的,所述第二放大模块包括第二放大单元和谐波抑制单元;所述第二放大单元的输入端连接所述第二放大模块的输入端,所述第二放大模单元用于根据所述第一放大模块输出的信号进行放大,所述谐波抑制单元的输入端连接所述第二放大单元的输出端,所述谐波抑制单元的输出端连接所述第二放大模块的输出端,所述谐波抑制单元用于根据所述第二放大单元输出的信号进行谐波抑制。
可选的,所述第二放大单元包括第二晶体管、第三晶体管、第三电容和第四电容,所述第二晶体管的控制端连接所述第三晶体管的控制端和所述第二放大单元的输入端,所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的第一端接地,所述第二晶体管的第二端连接所述第三晶体管的第二端、所述第三电容的第一端、所述第四电容的第一端、第二电源和所述第二放大单元的输出端,所述第三电容的第二端和所述第四电容的第二端接地。
可选的,所述谐波抑制单元包括第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第三电感、第四电感、第五电感、第六电感和第七电感;所述第五电容的第一端、所述第六电容的第一端、所述第三电感的第一端连接所述谐波抑制单元的输入端,所述第五电容的第二端连接所述第四电感的第一端,所述第四电感的第二端接地,所述第六电容的第二端连接所述第五电感的第一端,所述第五电感的第二端接地,所述第三电感的第二端连接所述第七电容的第一端和所述第八电容的第一端,所述第七电容的第二端接地,所述第八电容的第二端连接所述第六电感的第一端、第七电感的第一端和第九电容的第一端,所述第六电感的第二端接地,所述第七电感的第二端和所述第九电容的第二端连接所述谐波抑制单元的输出端。
根据本发明的另一方面,提供了一种移动终端,包括所述射频功率放大器。
本发明实施例的技术方案,提供了一种射频功率放大器,包括:射频输入端、射频输出端、至少一个第一放大模块和第二放大模块;至少一个第一放大模块连接于射频输入端与第二放大模块的输入端之间,第二放大模块的输出端输出信号至射频输出端;第一放大模块用于对射频输入端输入的信号进行放大;第二放大模块用于根据第一放大模块输出的信号进行放大;其中,第一放大模块包括RLC反馈单元,RLC反馈单元连接在第一放大模块的输入端和第一放大模块的输出端之间,RLC反馈单元包括串联连接的第一电阻、第一电感和第一电容。本发明射频功率放大器的第一放大模块通过RLC反馈单元将第一放大模块输出的信号反馈至第一放大模块的输入端,对第一放大模块进行负反馈调节,提高第一放大模块输出信号的稳定性,使得射频功率放大器输出的信号更稳定,同时,RLC反馈单元由于电感的存在,在输入信号为低频信号时增益低,随着频率的升高,电感可以逐渐减弱反馈作用,增加高频增益,对高频信号的反馈减弱有助于减少对高频信号的抑制,使得射频功率放大器能够在更宽的频率范围内工作,因此,本发明中的射频功率放大器具有大带宽且稳定性好的优点,解决了现有技术中功率放大器在较宽的频率范围内工作时,稳定性较差的问题。
应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种射频功率放大器的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种射频功率放大器的电路图;
图3是本发明实施例提供的另一种射频功率放大器的电路图;
图4是本发明实施例提供的射频功率放大器的小信号模型电路图;
图5是本发明实施例提供的射频功率放大器增益曲线图;
图6是本发明实施例提供的射频功率放大器的性能曲线图;
图7是本发明实施例提供的射频功率放大器的另一种性能曲线图;
图8是本发明实施例提供的另一种射频功率放大器的电路图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本发明实施例提供了一种射频功率放大器,图1是本发明实施例提供的一种射频功率放大器的结构示意图,如图1所示,射频功率放大器包括:射频输入端IN、射频输出端OUT、至少一个第一放大模块110和第二放大模块120;至少一个第一放大模块110连接于射频输入端IN与第二放大模块120的输入端a1之间,第二放大模块120的输出端a2输出信号至射频输出端OUT;第一放大模块110用于对射频输入端IN输入的信号进行放大;第二放大模块120用于根据第一放大模块110输出的信号进行放大;其中,第一放大模块110包括RLC反馈单元111,RLC反馈单元111连接在第一放大模块110的输入端a3和第一放大模块110的输出端a4之间,RLC反馈单元111包括串联连接的第一电阻R1、第一电感L1和第一电容C1。
本实施例中,射频功率放大器是发射系统中的重要组成部分,位于发射机的前级电路中,射频功率放大器可以将初始射频信号放大得到具有较大射频功率的信号后,再将射频信号加载到天线上进行信号传输。射频输入端IN作为射频功率放大器的输入端,接收基带信号,其中,基带信号是指信息源发出的没有经过调制的原始电信号,包括数字基带信号和模拟基带信号。射频输出端OUT作为射频功率放大器的输出端,输出具有较大射频功率的信号。第一放大模块110是对射频输入端IN输入的信号进行信号放大的模块,第一放大模块110包括放大元件,例如,第一放大模块110包括放大晶体管,放大晶体管连接电源,第一放大模块110可以有多个,当第一放大模块110有多个时,多个第一放大模块110串联连接,例如,射频功率放大器包括两个第一放大模块110,两个第一放大模块110串联连接。第二放大模块120是对第一放大模块110输出的信号进行信号放大的模块,使得射频输出端OUT可以输出较大射频功率的信号。RLC反馈单元111是第一放大模块110中的负反馈电路,可以使得第一放大模块110输出的信号更加稳定。
本实施例中,射频输入端IN接收初始射频信号,并将初始射频信号传输至第一放大模块110,第一放大模块110根据初始射频信号进行信号放大,并通过RLC反馈单元对输出的信号进行调整,保证第一放大模块110输出的信号的稳定性。第二放大模块120接收第一放大模块110输出的信号,并进行信号放大处理,第二放大模块120作为射频功率放大器的功率级放大模块,对信号的功率进行放大,使得射频输出端OUT输出射频功率较大的射频信号。其中,RLC反馈单元中的第一电感L1为反馈电感,当初始射频信号为低频信号时,反馈电感可以抑制低频增益,由于低频容易震荡,通过抑制低频增益可以提高射频功率放大器稳定性,当初始射频信号为高频信号时,反馈电感可以减弱对高频信号的反馈,有助于减少对高频信号的抑制,增加射频功率放大器的带宽。
本实施例技术方案提供了一种射频功率放大器,包括:射频输入端、射频输出端、至少一个第一放大模块和第二放大模块;至少一个第一放大模块连接于射频输入端与第二放大模块的输入端之间,第二放大模块的输出端输出信号至射频输出端;第一放大模块用于对射频输入端输入的信号进行放大;第二放大模块用于根据第一放大模块输出的信号进行放大;其中,第一放大模块包括RLC反馈单元,RLC反馈单元连接在第一放大模块的输入端和第一放大模块的输出端之间,RLC反馈单元包括串联连接的第一电阻、第一电感和第一电容。射频功率放大器的第一放大模块通过RLC反馈单元将第一放大模块输出的信号反馈至第一放大模块的输入端,对第一放大模块进行负反馈调节,提高第一放大模块输出信号的稳定性,使得射频功率放大器输出的信号更稳定,同时,RLC反馈单元由于电感的存在,在输入信号为低频信号时增益低,随着频率的升高,电感可以逐渐减弱反馈作用,增加高频增益,对高频信号的反馈减弱有助于减少对高频信号的抑制,使得射频功率放大器能够在更宽的频率范围内工作,因此,本实施例中的射频功率放大器具有大带宽且稳定性好的优点,解决了现有技术中功率放大器在较宽的频率范围内工作时,稳定性较差的问题。
图2是本发明实施例提供的一种射频功率放大器的电路图,如图2所示,第一放大模块110还包括第一放大单元112,第一放大单元112的输入端连接第一放大模块110的输入端a3,第一放大单元112的输出端连接第一放大模块110的输出端a4,第一放大单元112用于对输入的信号进行放大处理。其中,第一放大单元112是对初始射频信号进行放大的单元,第一放大单元112还可以对初始射频信号进行抗干扰处理,具有稳定信号输出的作用。
具体的,第一放大单元112包括第一晶体管Q1、第二电容C2和第二电感L2,第一晶体管Q1的控制端连接第二电容C2的第一端和第一电源V1,第二电容C2的第二端连接第一放大单元112的输入端,第一晶体管Q1的第一端接地,第一晶体管Q1的第二端连接第二电感L2的第一端和第一放大单元112的输出端,第二电感L2的第二端连接第二电源V2;第一电容C1的第一端连接第一放大单元112的输出端,第一电容C1的第二端连接第一电感L1的第一端,第一电感L1的第二端连接第一电阻R1的第一端,第一电阻R1的第二端连接第一放大单元112的输入端。
本实施例中,第二电容C2为隔直电容,可以隔离直流电信号,允许交流电信号通过,避免直流信号的干扰。第二电感L2为扼流电感,可以防止电流过大,有效保护电路。第一放大单元112的输入端接收初始射频信号,第二电容C2对初始射频信号进行隔直处理,并将处理后的信号传输到第一晶体管Q1的控制端,第一晶体管Q1对信号进行放大,并将放大后的信号通过第二端输出。RLC反馈单元111中串联的第一电容C1、第一电感L1和第一电阻R1根据第一晶体管Q1输出的信号反馈,并将反馈信号传输到第一放大单元112的输入端,第一放大单元112根据反馈信号调整输出端的信号,保证输出信号的稳定性。
其中,当电流通过第一电感L1时,第一电感L1线圈内产生磁场,这个磁场会与第一电容C1之间的电场相互作用,从而产生第一电感L1的寄生电容,寄生电容用Cf表示,图3是本发明实施例提供的另一种射频功率放大器的电路图,如图3所示,射频功率放大器还包括第一电感L1的寄生电容Cf,寄生电容Cf与第一电感L1并联连接。
为了对射频功率放大器进行分析,对图3中的射频功率放大器电路进行变化得到射频功率放大器的小信号模型,图4是本发明实施例提供的射频功率放大器的小信号模型电路图,如图4所示,包括第一晶体管Q1基极和发射极之间的寄生电容Cbe,第一晶体管Q1基极和发射极之间的寄生电阻Rbe,第一晶体管Q1集电极和发射极之间的寄生电容Cce,第一晶体管Q1集电极和发射极之间的寄生电阻Rce,其中,第一晶体管Q1的基极相当于第一晶体管Q1的控制端,第一晶体管Q1的集电极相当于第一晶体管Q1的第二端,第一晶体管Q1的发射极相当于第一晶体管Q1的第一端。第一晶体管Q1基极和发射极之间的电压用Vbe表示,第一放大单元输出端电压用Vo表示,gm为第一晶体管Q1的跨导系数,第一电阻R1、第一电感L1、寄生电容Cf和寄生电容Cce的总阻抗值为Zf,则,Zf=(R1+sL1//(1/sCf))//(1/sCce),其中,s指的是进行s变换运算。由于寄生电容Cf、寄生电容Cce可以忽略,得到,Zf=R1+sL1,第一电感L1与总阻抗值Zf正相关。射频功率放大器的增益∣Av∣=(Rce(gm(R1+sL1)-1))/(R1+sL1+Rce),可以得到,第一电感L1与∣Av∣正相关。可以通过改变第一电感L1的参数满足射频功率放大器增益的需求,例如,可以通过调整第一电感L1的感值,来提高低频的增益,增大射频功率放大器输出的功率。
示例性的,图5是本发明实施例提供的射频功率放大器增益曲线图,如图5所示,假设第一电阻R1为50Ω,第一电容C1为5pF,信号的频率范围在0-7GHz,第一电感L1取值分别为4nH、5nH和6nH,随着第一电感L1的取值增大,射频功率放大器的增益明显上升。对比包括RLC反馈单元的射频功率放大器的增益曲线和不包括RLC反馈单元的射频功率放大器的增益曲线(即图中“With feedback path”曲线),不包括RLC反馈单元的射频功率放大器的增益会出现震荡,包括RLC反馈单元的射频功率放大器的增益更加平坦。图6是本发明实施例提供的射频功率放大器的性能曲线图,如图6所示,射频功率放大器的性能用S参数表示,S参数分别用dBS(2,1),dBS(1,1),dBS(2,2)表示,S参数可以反应信号的响应情况,在5.7-7.4GHz的频带内,具有良好的增益平坦度,其中,m3和m4是选取的两个参考点,m3处的频率为5.69GHz,m4处的频率为7.37GHz。图7是本发明实施例提供的射频功率放大器的另一种性能曲线图,如图7所示,射频功率放大器的性能用稳定度(即StabFact1)表示,m5是选取的一个参考点,m5处的频率为6.01GHz,稳定度可以反应信号的稳定情况,在0-35GHz的频带内,实现全频带稳定度大于1。
图8是本发明实施例提供的另一种射频功率放大器的电路图,如图8所示,第二放大模块120包括第二放大单元和谐波抑制单元;第二放大单元的输入端连接第二放大模块120的输入端a1,第二放大模单元用于根据第一放大模块110输出的信号进行放大,谐波抑制单元的输入端连接第二放大单元的输出端,谐波抑制单元的输出端连接第二放大模块120的输出端a2,谐波抑制单元用于根据第二放大单元输出的信号进行谐波抑制。
本实施例中,第二放大单元是对第一放大单元输出的信号进行放大的单元,谐波抑制单元是对第二放大单元输出的信号中的谐波进行抑制的单元,可以避免第二放大模块120输出的信号失真,保障输出信号的完整性。
具体的,第二放大单元包括第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第三电容C3和第四电容C4,第二晶体管Q2的控制端连接第三晶体管Q3的控制端和第二放大单元的输入端,第二晶体管Q2的第一端和第三晶体管Q3的第一端接地,第二晶体管Q2的第二端连接第三晶体管Q3的第二端、第三电容C3的第一端、第四电容C4的第一端、第二电源V2和第二放大单元的输出端,第三电容C3的第二端和第四电容C4的第二端接地。谐波抑制单元包括第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5、第六电感L6和第七电感L7;第五电容C5的第一端、第六电容C6的第一端、第三电感L3的第一端连接谐波抑制单元的输入端,第五电容C5的第二端连接第四电感L4的第一端,第四电感L4的第二端接地,第六电容C6的第二端连接第五电感L5的第一端,第五电感L5的第二端接地,第三电感L3的第二端连接第七电容C7的第一端和第八电容C8的第一端,第七电容C7的第二端接地,第八电容C8的第二端连接第六电感L6的第一端、第七电感L7的第一端和第九电容C9的第一端,第六电感L6的第二端接地,第七电感L7的第二端和第九电容C9的第二端连接谐波抑制单元的输出端。
本实施例中,射频功率放大器还包括第三电源V3,第一放大模块110还包括电容第十电容C10、第十一电容C11、第八电感L8和第一偏置电路BC1,第二放大模块120还包括十二电容C12、十三电容C13、十四电容C14、第九电感L9、第十电感L10和第二偏置电路BC2。
本实施例中,第二晶体管Q2和第三晶体管Q3接收第一放大模块110输出的信号并进行放大处理,第二晶体管Q2和第三晶体管Q3分别输出放大后的信号,第二晶体管Q2输出的信号与第三晶体管Q3输出的信号进行叠加后输出到谐波抑制单元,谐波抑制单元中的第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5、第六电感L6和第七电感L7对第二放大单元输出的信号进行谐波抑制,使得射频输出端OUT输出的信号具有较高的射频功率和较好的平稳性。
本发明实施例还提供了一种移动终端,移动终端包括射频功率放大器。其中,移动终端是指可以在移动使用的计算机设备,包括手机、笔记本、平板电脑、POS机、车载电脑等,可以终止来自或送至网络的无线传输。射频功率放大器作为移动终端的重要组成部分,射频功率放大器的带宽特性以及稳定性对移动终端的处理能力等性能具有重要的作用。
本实施例中,射频功率放大器通过设置RLC反馈单元将第一放大模块输出的信号反馈至第一放大模块的输入端,对第一放大模块进行负反馈调节,提高第一放大模块输出信号的稳定性,使得射频功率放大器输出的信号更稳定。同时,RLC反馈单元由于电感的存在,在输入信号为低频信号时增益低,随着输入信号频率的升高,电感可以逐渐减弱反馈作用,增加高频增益,对高频信号的反馈减弱有助于减少对高频信号的抑制,使得射频功率放大器能够在更宽的频率范围内工作,提高了射频功率放大器的带宽特性。将射频功率放大器应用于移动终端,提高了移动终端的信号处能力,例如,可以支持更多的频段和更多的天线。
应该理解,可以使用上面所示的各种形式的流程,重新排序、增加或删除步骤。例如,本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行,只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果,本文在此不进行限制。
上述具体实施方式,并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是,根据设计要求和其他因素,可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (7)
1.一种射频功率放大器,其特征在于,包括:射频输入端、射频输出端、至少一个第一放大模块和第二放大模块;至少一个所述第一放大模块连接于所述射频输入端与所述第二放大模块的输入端之间,所述第二放大模块的输出端输出信号至所述射频输出端;
所述第一放大模块用于对所述射频输入端输入的信号进行放大;
所述第二放大模块用于根据所述第一放大模块输出的信号进行放大;
其中,所述第一放大模块包括RLC反馈单元,所述RLC反馈单元连接在所述第一放大模块的输入端和所述第一放大模块的输出端之间,所述RLC反馈单元包括串联连接的第一电阻、第一电感和第一电容。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一放大模块还包括第一放大单元,所述第一放大单元的输入端连接所述第一放大模块的输入端,所述第一放大单元的输出端连接所述第一放大模块的输出端,所述第一放大单元用于对输入的信号进行放大处理。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一放大单元包括第一晶体管、第二电容和第二电感,所述第一晶体管的控制端连接所述第二电容的第一端和第一电源,所述第二电容的第二端连接所述第一放大单元的输入端,所述第一晶体管的第一端接地,所述第一晶体管的第二端连接所述第二电感的第一端和所述第一放大单元的输出端,所述第二电感的第二端连接第二电源;所述第一电容的第一端连接所述第一放大单元的输出端,所述第一电容的第二端连接所述第一电感的第一端,所述第一电感的第二端连接所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接所述第一放大单元的输入端。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第二放大模块包括第二放大单元和谐波抑制单元;所述第二放大单元的输入端连接所述第二放大模块的输入端,所述第二放大模单元用于根据所述第一放大模块输出的信号进行放大,所述谐波抑制单元的输入端连接所述第二放大单元的输出端,所述谐波抑制单元的输出端连接所述第二放大模块的输出端,所述谐波抑制单元用于根据所述第二放大单元输出的信号进行谐波抑制。
5.根据权利要求4所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第二放大单元包括第二晶体管、第三晶体管、第三电容和第四电容,所述第二晶体管的控制端连接所述第三晶体管的控制端和所述第二放大单元的输入端,所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的第一端接地,所述第二晶体管的第二端连接所述第三晶体管的第二端、所述第三电容的第一端、所述第四电容的第一端、第二电源和所述第二放大单元的输出端,所述第三电容的第二端和所述第四电容的第二端接地。
6.根据权利要求4所述的射频功率放大器,其特征在于,所述谐波抑制单元包括第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第三电感、第四电感、第五电感、第六电感和第七电感;所述第五电容的第一端、所述第六电容的第一端、所述第三电感的第一端连接所述谐波抑制单元的输入端,所述第五电容的第二端连接所述第四电感的第一端,所述第四电感的第二端接地,所述第六电容的第二端连接所述第五电感的第一端,所述第五电感的第二端接地,所述第三电感的第二端连接所述第七电容的第一端和所述第八电容的第一端,所述第七电容的第二端接地,所述第八电容的第二端连接所述第六电感的第一端、第七电感的第一端和第九电容的第一端,所述第六电感的第二端接地,所述第七电感的第二端和所述第九电容的第二端连接所述谐波抑制单元的输出端。
7.一种移动终端,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的射频功率放大器。
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CN117081519A true CN117081519A (zh) | 2023-11-17 |
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Family Applications (1)
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CN202311100632.0A Pending CN117081519A (zh) | 2023-08-29 | 2023-08-29 | 一种射频功率放大器和移动终端 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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