CN117080344A - 显示装置 - Google Patents

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CN117080344A
CN117080344A CN202310554072.XA CN202310554072A CN117080344A CN 117080344 A CN117080344 A CN 117080344A CN 202310554072 A CN202310554072 A CN 202310554072A CN 117080344 A CN117080344 A CN 117080344A
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尹善泰
权正贤
金贤硕
金孝俊
李蕙丞
车淳圭
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底；第二基底；发光元件层，在第一基底上并且包括至少一个发光元件；封装层，在发光元件层上并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；颜色转换透射层，在封装层上并且被构造为将从至少一个发光元件发射的光转换为具有不同颜色的光，颜色转换透射层包括量子点；低折射无机层，在颜色转换透射层上并且具有比颜色转换透射层的折射率小的折射率；滤色器层，在第二基底的与第一基底相对的表面上；以及填料，在低折射无机层与滤色器层之间并且具有比低折射无机层的折射率大的折射率。

Description

显示装置
本申请要求于2022年5月17日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0060452号韩国专利申请和2022年6月3日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0068504号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请中的每个的全部公开通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一些实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
由于用于可视地表达各种电信号信息的显示器领域的快速发展，已经引入了具有诸如小厚度、小重量和低功耗的非凡特性的各种显示装置。
显示装置可以包括液晶显示装置或发光显示装置，液晶显示装置使用来自背光单元的光而不独立发射光，发光显示装置包括能够发射光的显示元件。发光显示装置可以包括包含发射层的显示元件。
该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，因此该背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。
发明内容
一个或更多个实施例的方面包括高效显示装置。然而，技术目标仅是示例，并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例而获知。
根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：第一基底；第二基底，与第一基底相对；发光元件层，在第一基底上并且包括至少一个发光元件；封装层，在发光元件层上并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；颜色转换透射层，在封装层上并且被构造为将从至少一个发光元件发射的光转换为具有不同颜色的光，颜色转换透射层包括量子点；低折射无机层，在颜色转换透射层上并且具有比颜色转换透射层的折射率小的折射率；滤色器层，在第二基底的与第一基底相对的表面上；以及填料，在低折射无机层与滤色器层之间并且具有比低折射无机层的折射率大的折射率。
根据一些实施例，低折射无机层的折射率可以大于1.2且小于1.4。
根据一些实施例，低折射无机层可以包括氧化硅(SiO2)。
根据一些实施例，低折射无机层的厚度可以为约至约/>
根据一些实施例，颜色转换透射层的折射率与低折射无机层的折射率之间的差可以为至少0.3。
根据一些实施例，显示装置还可以包括在颜色转换透射层与填料之间的第一钝化层，第一钝化层具有比低折射无机层的折射率大的折射率。
根据一些实施例，低折射无机层和颜色转换透射层可以顺序地在颜色转换透射层上。
根据一些实施例，颜色转换透射层和低折射无机层可以顺序地在颜色转换透射层上。
根据一些实施例，第一钝化层可以包括氮氧化硅(SiON)。
根据一些实施例，填料的折射率可以为约1.45至约1.55，并且填料的厚度可以为约1μm至约10μm。
根据一些实施例，封装层可以包括顺序地布置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，并且颜色转换透射层可以直接接触第二无机封装层。
根据一些实施例，显示装置还可以包括在滤色器层的与颜色转换透射层相对的表面上的低折射有机层和第二钝化层。
根据一些实施例，低折射有机层可以包括有机材料和分散在有机材料中的多孔颗粒。
根据一些实施例，低折射无机层可以具有比低折射有机层的消光系数小的消光系数。
根据一些实施例，低折射有机层的折射率可以比低折射无机层的折射率小。
根据一些实施例，第二钝化层可以包括SiO2，并且可以具有比低折射无机层的折射率大的折射率。
根据一些实施例，滤色器层包括第一滤色器、第二滤色器、第三滤色器和光阻挡部分，第一滤色器被构造为透射第一颜色的光，第二滤色器被构造为透射第二颜色的光，第三滤色器被构造为透射第三颜色的光，光阻挡部分划分第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，并且光阻挡部分可以通过与第一颜色层、第二颜色层和第三颜色层叠置而形成，第一颜色层、第二颜色层和第三颜色层分别与第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器布置在同一层。
根据一些实施例，发光元件层可以包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，并且颜色转换透射层可以包括第一颜色转换器、第二颜色转换器和透射器，第一颜色转换器与第一发光元件对应，第二颜色转换器与第二发光元件对应，透射器与第三发光元件对应，并且颜色转换透射层还可以包括布置在第一颜色转换器、第二颜色转换器和透射器之间的光阻挡分隔壁。
根据一些实施例，第一颜色转换器、第二颜色转换器和透射器中的每个的顶表面可以具有相对于光阻挡分隔壁的顶表面凹入的凹陷形状，并且低折射无机层可以包括根据凹陷形状形成的凹槽。
根据一些实施例，第一基底和第二基底均可以包括玻璃。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：第一基底；第二基底，与第一基底相对；发光元件层，在第一基底上并且包括至少一个发光元件；封装层，在发光元件层上并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；颜色转换透射层，在封装层上并且被构造为将从至少一个发光元件发射的光转换为具有不同颜色的光，颜色转换透射层包括量子点；低折射无机层，在颜色转换透射层上并且具有比颜色转换透射层的折射率小的折射率；以及滤色器层，在第二基底的与第一基底相对的表面上，并且与低折射无机层隔开，且气隙在滤色器层与低折射无机层之间。
根据一些实施例，低折射无机层的折射率可以大于1.2且小于1.4，并且低折射无机层的厚度可以为约至约/>
根据一些实施例，颜色转换透射层的折射率与低折射无机层的折射率之间的差可以为至少0.3。
根据一些实施例，滤色器层可以包括第一滤色器、第二滤色器、第三滤色器和光阻挡部分，第一滤色器被构造为透射第一颜色的光，第二滤色器被构造为透射第二颜色的光，第三滤色器被构造为透射第三颜色的光，光阻挡部分划分第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，并且在光阻挡部分中，分别包括与第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器相同的材料的第一颜色层、第二颜色层和第三颜色层叠置。
根据一些实施例，第一颜色转换器、第二颜色转换器和透射器中的每个的顶表面可以具有相对于光阻挡分隔壁的顶表面凹入的凹陷形状，并且低折射无机层可以包括根据凹陷形状形成的凹槽。
通过详细描述、权利要求书和附图将清楚地理解除了描述之外的方面、特征和特性。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和特性将更加明显，在附图中：
图1是根据一些实施例的显示装置的示意性透视图；
图2A是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图；
图2B是根据一些实施例的显示装置的像素的示意性剖视图；
图3示出了图2B中所示的颜色转换透射层的颜色转换器和透射器；
图4是包括在根据一些实施例的显示装置中的发光元件和电连接到发光元件的像素电路的等效电路图；
图5和图6是根据一些实施例的用于解释制造发光面板的方法的剖视图；
图7至图9是根据一些实施例的用于解释制造滤色器面板的方法的剖视图；
图10A是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图，显示装置包括图6和图9中分别示出的发光面板和滤色器面板；
图10B是图10A的一部分的剖视图，以描述光效率的改善原理；
图11是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图；
图12A是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图；
图12B是图12A的一部分的剖视图，以描述光效率的改善原理；
图13是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图；以及
图14是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照在附图中示出的一些实施例的方面，在附图中同样的附图标记始终指同样的元件。就此而言，呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应当被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本说明书的方面。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变型。
由于公开允许各种修改并且可以具有各种实施例，因此将在附图中示出并在下面更详细地描述具体实施例。参照结合附图更详细描述的实施例，将清楚地理解公开的效果和特性以及实现其的方法。然而，公开不限于在下文中公开的实施例，并且可以以不同的形式实施。
在下文中，将参照附图更详细地描述一些实施例的方面，并且在参照附图的描述中，相同的附图标记将被赋予相同的组件或对应的组件，并且将省略其相同的描述。
在以下实施例中，诸如第一、第二的术语仅用于将一个组件与其他组件区分开，而不是限制性意义。
在以下实施例中，以单数使用的表达涵盖复数的表达，除非它在上下文中具有明显不同的含义。
在以下实施例中，诸如“包括”或“包含”的术语指示说明书中公开的特征或组件的存在，而不旨在排除可以添加一个或更多个其他特征或组件的可能性。
在以下实施例中，将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称为“在”另一组件“上”时，该组件可以直接在所述另一组件上，或者在它们之间可以存在居间组件。为了便于解释，可以夸大或缩小附图中的组件的尺寸。例如，为了便于解释，任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此，实施例不限于图示。
当可以不同地实现实施例时，具体的工艺顺序可以与描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
在以下实施例中，当提及诸如层、膜、区域和板的组件彼此连接时，组件可以彼此直接连接，或者可以在插入其他组件的情况下彼此间接连接。例如，当组件彼此电连接时，组件可以彼此直接连接，或者可以通过其他居间组件彼此间接连接。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据一些实施例的显示装置的示意性透视图。
参照图1，显示装置DV可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示装置DV可以通过在显示区域DA中在x-y平面上二维地布置的多个像素排列来显示图像。多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素。在下文中，为了便于解释，将描述其中第一像素包括红色像素Pr、第二像素包括绿色像素Pg、第三像素包括蓝色像素Pb的情况。
非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。根据一些实施例，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的整个部分。例如，非显示区域NDA可以位于显示区域DA的外围(或者覆盖区的外侧)。非显示区域NDA可以包括其中不显示图像的区域。被构造为将电信号或电源提供到像素电路的驱动器或主电源线可以布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括垫(pad，或称为“焊盘”)区域(即，电子装置或印刷电路板可以电连接到其的区域)。
图1示出了显示区域DA具有矩形形状。然而，公开不限于此。显示区域DA可以具有各种形状，例如，圆形、椭圆形、多边形或某些图形的形状。根据一些实施例，显示装置DV可以包括在厚度方向(例如，z方向)上彼此分开的发光面板1000(见图2B)和滤色器面板2000(见图2B)，且填料800(见图2)在发光面板1000与滤色器面板2000之间。
图2A是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图，图2B是根据一些实施例的显示装置的像素的示意性剖视图。
参照图2A，显示装置DV可以包括彼此相对的第一基底100和第二基底700，包括多个发光元件的发光元件层300和封装发光元件层300的封装层400可以位于第一基底100上。
参照图2B，显示装置DV包括彼此分开的发光面板1000和滤色器面板2000，且填料800在发光面板1000与滤色器面板2000之间。
发光面板1000可以包括顺序地堆叠在第一基底100上的电路层200、发光元件层300、封装层400和颜色转换透射层500。电路层200可以包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3，它们可以分别电连接到发光元件层300的第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3。
第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3可以包括包含有机材料的有机发光二极管。根据一些实施例，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3可以包括包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含无机半导体基的材料的PN结二极管。当在正方向上向PN结二极管施加电压时，空穴和电子被注入到PN结二极管中，并且通过空穴和电子的复合产生的能量可以被转换为光能以发射具有特定颜色的光。无机发光二极管可以具有大约几微米至几百微米或者几纳米至几百纳米的宽度。在一些实施例中，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3可以包括包含量子点的发光二极管。如上所述，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3可以发射具有相同颜色的光。例如，从第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3发射的光(例如，蓝光Lb)可以透射通过在发光元件层300上的封装层400并入射到颜色转换透射层500。
颜色转换透射层500可以位于封装层400上以直接接触封装层400。颜色转换透射层500可以包括被构造为将光(例如，蓝光Lb)转换为具有不同颜色的光的颜色转换器以及被构造为透射从发光元件层300发射的光(例如，蓝光Lb)而不进行颜色转换的透射器。例如，颜色转换透射层500可以包括与红色像素Pr对应的第一颜色转换器510、与绿色像素Pg对应的第二颜色转换器520和与蓝色像素Pb对应的透射器530。第一颜色转换器510可以将蓝光Lb转换为红光Lr，第二颜色转换器520可以将蓝光Lb转换为绿光Lg。透射器530可以透射蓝光Lb而不进行转换。
根据一些实施例，颜色转换透射层500可以形成在第一基底100上方，而不是在第二基底700上方。通过这种构造，可以减小第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3之间的距离，并且可以尽可能地减少路径中的光损失以改善光效率。
滤色器面板2000可以包括位于第二基底700的面对第一基底100的表面上的滤色器层600。滤色器层600可以与颜色转换透射层500相对布置，且填料800在滤色器层600与颜色转换透射层500之间。滤色器层600可以包括分别具有不同颜色的第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630。例如，第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630可以包括被构造为分别透射红光Lr、绿光Lg和蓝光Lb的滤色器。
可以通过第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630改善由颜色转换透射层500进行颜色转换和透射的光的颜色纯度。另外，滤色器层600可以防止外部光(例如，从显示装置DV的外部入射到显示装置DV上的光)被反射而被用户识别或使外部光(例如，从显示装置DV的外部入射在显示装置DV上的光)被反射而被用户识别最小化。
填料800可以位于颜色转换透射层500与滤色器层600之间。填料800可以通过密封剂10(见图2A)使发光面板1000(见图2B)和滤色器面板2000(见图2B)接合，并且可以填充发光面板1000与滤色器面板2000之间的空间。填料800可以包括光透射材料，例如，丙烯酰树脂或环氧树脂。根据一些实施例，填料800的折射率可以为约1.45至约1.55。
根据一些实施例，低折射无机层910可以位于颜色转换透射层500上。也就是说，低折射无机层910可以位于颜色转换透射层500与填料800之间。
低折射无机层910可以具有大于1.2且小于1.4的折射率，并且可以包括例如氧化硅(SiO2)。虽然氧化硅的折射率通常比其他无机层小，但是氧化硅的折射率为约1.45至约1.5。根据一些实施例，具有大于1.2且小于1.4的折射率的低折射无机层910可以通过具体地在折射率可以低的工艺条件下形成氧化硅来实现。稍后将描述低折射无机层910的功能。
具有上述结构的显示装置DV可以包括诸如智能电话、平板电脑、便携式电脑、电视或广告牌的各种装置。
图3示出了图2B中所示的颜色转换透射层的颜色转换器和透射器。
参照图3，第一颜色转换器510可以将入射到第一颜色转换器510的蓝光Lb转换为红光Lr。第一颜色转换器510可以包括第一光敏聚合物511以及分散在第一光敏聚合物511中的第一量子点512和第一散射颗粒513。
第一量子点512可以被蓝光Lb激发以发射具有比蓝光Lb的波长大的波长的红光Lr。第一光敏聚合物511可以包括具有光透射性的有机材料。
第一散射颗粒513可以将未被第一量子点512吸收的蓝光Lb散射，以激发更多的第一量子点512，从而提高颜色转换的效率。第一散射颗粒513可以包括例如二氧化钛(TiO2)颗粒或金属颗粒。第一量子点512可以从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合之中选择。
II-VI族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，二元化合物选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其组合组成的组，三元化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其组合组成的组，四元化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及其组合组成的组。
III-VI族化合物可以包括二元化合物(诸如In2S3、In2Se3)、三元化合物(诸如InGaS3、InGaSe3)及其任意组合。
III-V族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其组合组成的组，三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其组合组成的组，四元化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其组合组成的组。III-V族化合物还可以包括II族金属(例如，InZnP)。
IV-VI族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其组合组成的组，三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其组合组成的组，四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其组合组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其组合组成的组。IV族化合物可以包括选自由SiC、SiGe及其组合组成的组的二元化合物。
第二颜色转换器520可以将入射到第二颜色转换器520的蓝光Lb转换为绿光Lg。第二颜色转换器520可以包括第二光敏聚合物521以及分散在第二光敏聚合物521中的第二量子点522和第二散射颗粒523。
第二量子点522可以被蓝光Lb激发以发射具有比蓝光Lb的波长大的波长的绿光Lg。第二光敏聚合物521可以包括具有光透射性的有机材料。
第二散射颗粒523可以将未被第二量子点522吸收的蓝光Lb散射，以激发更多的第二量子点522，从而提高颜色转换的效率。第二散射颗粒523可以包括例如二氧化钛(TiO2)颗粒或金属颗粒。第二量子点522可以从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合之中选择。
在一些实施例中，第一量子点512和第二量子点522可以包括相同的材料。在这种情况下，第一量子点512的尺寸可以比第二量子点522的尺寸大。
透射器530可以透射入射到透射器530的蓝光Lb而不进行转换。透射器530可以包括其中分散有第三散射颗粒533的第三光敏聚合物531。第三光敏聚合物531可以包括例如具有光透射性的有机材料(诸如硅树脂和环氧树脂)，并且可以包括与第一光敏聚合物511和第二光敏聚合物521的材料相同的材料。第三散射颗粒533可以散射和发射蓝光Lb，并且可以包括与第一散射颗粒513和第二散射颗粒523的材料相同的材料。
图4是包括在根据一些实施例的显示装置中的发光元件和电连接到发光元件的像素电路的等效电路图。
参照图4，发光元件LED的像素电极(例如，阳极)电连接到像素电路PC，并且发光元件LED的对电极(例如，阴极)可以连接到被构造为提供共电源电压ELVSS的共电压线VSL。发光元件LED可以以与从像素电路PC提供的电流量对应的亮度发射光。
图4中所示的发光元件LED可以与图2B中所示的第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的每个对应，图4中所示的像素电路PC可以与图2B中所示的第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PX3中的每个对应。
像素电路PC可以响应于数据信号控制经由发光元件LED从驱动电源电压ELVDD流到共电源电压ELVSS的电流的量。像素电路PC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和存储电容器Cst。
第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的每个可以包括氧化物半导体薄膜晶体管，或者可以包括硅半导体薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层，硅半导体薄膜晶体管包括包含多晶硅的半导体层。晶体管可以包括第一电极和第二电极。根据晶体管的类型，第一电极可以包括源电极和漏电极中的一个，第二电极可以包括源电极和漏电极中的另一个。
第一晶体管M1可以包括驱动晶体管。第一晶体管M1的第一电极电连接到被构造为提供驱动电源电压ELVDD的驱动电压线VDL，第二电极可以电连接到发光元件LED的像素电极。第一晶体管M1的栅电极可以电连接到第一节点N1。第一晶体管M1可以响应于第一节点N1的电压来控制从驱动电源电压ELVDD流到发光元件LED的电流的量。
第二晶体管M2可以包括开关晶体管。第二晶体管M2的第一电极可以电连接到数据线DL，第二电极可以电连接到第一节点N1。第二晶体管M2的栅电极可以电连接到扫描线SL。第二晶体管M2可以在扫描信号提供到扫描线SL时导通，以使数据线DL与第一节点N1电连接。
第三晶体管M3可以包括初始化晶体管和/或感测晶体管。第三晶体管M3的第一电极可以电连接到第二节点N2，第二电极可以连接到感测线SEL。第三晶体管M3的栅电极可以电连接到控制线CL。
第三晶体管M3可以在控制信号提供到控制线CL时导通，以使感测线SEL与第二节点N2电连接。在一些实施例中，第三晶体管M3可以响应于通过控制线CL接收的信号而导通，并且可以将初始化电压从感测线SEL传输到发光元件LED以使像素电极初始化。在一些实施例中，第三晶体管M3可以在控制信号提供到控制线CL时导通，以感测第一晶体管M1的特性信息。第三晶体管M3可以具有上述作为初始化晶体管的功能和作为感测晶体管的功能中的任何一个或两个。在一些实施例中，当第三晶体管M3具有作为初始化晶体管的功能时，感测线SEL可以被命名为初始化电压线。第三晶体管M3的初始化操作和感测操作可以单独执行，或者可以同时地执行。
存储电容器Cst可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间。例如，存储电容器Cst的第一电容器电极可以电连接到第一晶体管M1的栅电极，存储电容器Cst的第二电容器可以电连接到发光元件LED的像素电极。
尽管图4示出了第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3包括N型金属氧化物半导体(NMOS)，但是在其他实施例中，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的至少一个可以包括P型金属氧化物半导体(PMOS)。
尽管图4示出了三个晶体管，但是在其他实施例中，像素电路PC可以包括四个或更多个晶体管。
图5和图6是根据一些实施例的制造发光面板的方法的剖视图。在下文中，描述其中发光元件包括有机发光元件的情况。
参照图5，在第一基底100上形成第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3。第一基底100可以包括具有SiO2作为主要成分的玻璃基底。玻璃基底可以包括例如具有约500μm的厚度的玻璃基底，或者可以包括具有约30μm的厚度的超薄玻璃基底。根据一些实施例，第一基底100可以包括聚合物树脂。包括聚合树脂的第一基底100可以是柔性的、可折叠的、可卷曲的或可弯曲的。根据一些实施例，第一基底100可以具有包括有机层和无机层的多层结构，有机层包括聚合物树脂。
如上面参照图4描述的，第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3中的每个包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和存储电容器Cst。就此而言，图5示出了存储电容器Cst以及作为第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的任何一个的晶体管TR。
根据一些实施例，存储电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2，并且第二电容器电极CE2可以包括分别形成在第一电容器电极CE1下面和上方的第一子电容器电极CE2b和第二子电容器电极CE2t。
第一子电容器电极CE2b可以直接形成在第一基底100上。例如，第一子电容器电极CE2b可以直接接触第一基底100的顶表面。第一子电容器电极CE2b可以包括导电材料，诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。根据一些实施例，驱动电压线VDL、共电压线VSL和/或数据线DL可以在同一工艺中与第一子电容器电极CE2b一起形成。
接下来，可以形成缓冲层201。缓冲层201可以位于第一子电容器电极CE2b上，并且可以包括无机绝缘材料。缓冲层201可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述材料的单层结构或多层结构。
接下来，可以形成晶体管TR的半导体层Act。半导体层Act可以包括诸如IGZO的氧化物半导体材料、非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。
栅极绝缘层203可以形成在半导体层Act上。栅极绝缘层203可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述材料的单层结构或多层结构。
栅电极GE可以形成在栅极绝缘层203上并且与半导体层Act的一部分叠置。栅电极GE可以与半导体层Act的沟道区CR叠置，半导体层Act可以包括沟道区CR以及分别布置在沟道区CR的两侧处的源区SR和漏区DR。
第一电容器电极CE1可以与栅电极GE形成在同一层并且包括与栅电极GE相同的材料。第一电容器电极CE1和栅电极GE可以通过同一工艺形成。第一电容器电极CE1和栅电极GE可以包括诸如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ni、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu的导电金属。根据一些实施例，第一电容器电极CE1和栅电极GE均可以具有包括Mo/Al/Mo的多层结构。根据一些实施例，第一电容器电极CE1和栅电极GE可以包括TiNx层、Al层和/或Ti层。
层间绝缘层204可以形成在第一电容器电极CE1和栅电极GE上。层间绝缘层204可以包括诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述材料的单层结构或多层结构。
第二子电容器电极CE2t可以形成在层间绝缘层204上。第二子电容器电极CE2t可以经由在第一子电容器电极CE2b与第二子电容器电极CE2t之间的绝缘层中的接触孔电连接到第一子电容器电极CE2b。例如，第二子电容器电极CE2t可以经由通过缓冲层201、栅极绝缘层203和层间绝缘层204的接触孔接触第一子电容器电极CE2b。第二子电容器电极CE2t可以包括例如Ti层、Al层和/或Cu层。根据一些实施例，第二子电容器电极CE2t可以包括包含Ti/Al/Ti的多层结构。
过孔绝缘层205可以形成在第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3上。过孔绝缘层205可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，过孔绝缘层205可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机绝缘材料。过孔绝缘层205可以形成为单层或多层。
位于第一基底100上的第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3中的每个可以包括具有上述结构的晶体管TR和存储电容器Cst，并且可以电连接到对应的发光元件的像素电极310。
像素电极310可以在过孔绝缘层205上于多个发射区域(即，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3)(见图6)中彼此分开布置。像素电极310可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者其化合物或混合物的反射膜。像素电极310可以包括包含上述材料的反射膜以及位于反射膜上方和/或下面的透明导电膜。透明导电膜可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)等。根据一些实施例，像素电极310可以具有包括ITO/Ag/ITO的三层结构。
堤层207可以包括与第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3的像素电极310叠置的开口。堤层207可以覆盖像素电极310的边缘并且通过开口暴露像素电极310的中心部分。堤层207的开口可以限定第一发光元件LED1的第一发射区域EA1、第二发光元件LED2的第二发射区域EA2和第三发光元件LED3的第三发射区域EA3(见图6)。
堤层207可以包括有机绝缘材料。例如，堤层207可以包括诸如亚克力、BCB、聚酰亚胺或HMDSO的有机绝缘材料。
中间层320可以形成在堤层207上，并且可以包括发射层。中间层320可以横跨第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3一体地形成。然而，根据需要，中间层320可以被图案化为与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3对应。除了发射层之外，根据需要，中间层320还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层。包括在中间层320中的发射层可以发射具有包括约450nm至约495nm的主波长的波段的光。
对电极330可以形成在中间层320上以覆盖第一基底100的显示区域DA的整个部分。对电极330可以包括半透射电极或透射电极。对电极330可以包括包含超薄膜金属的半透射电极，超薄膜金属包括Mg、Ag、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者其化合物或混合物。例如，对电极330可以包括半透射电极，半透射电极包括具有小厚度的MgAg层、Yb层/MgAg层或Li层/MgAg层。根据一些实施例，对电极330可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的透明导电氧化物。
通过堤层207的开口叠置的像素电极310、中间层320和对电极330形成被构造为发射蓝光的发光元件。发光元件彼此分开地布置，并且就此而言，图5示出了第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3。堤层207的开口可以限定发光元件的发射区域。例如，堤层207的与第一发光元件LED1对应的开口可以限定第一发射区域EA1，堤层207的与第二发光元件LED2对应的开口可以限定第二发射区域EA2，堤层207的与第三发光元件LED3对应的开口可以限定第三发射区域EA3。
根据一些实施例，显示装置DV包括形成在第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3上的封装层400。封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据一些实施例，封装层400可以包括第一无机封装层410、第二无机封装层430和在第一无机封装层410与第二无机封装层430之间的有机封装层420。
第一无机封装层410和第二无机封装层430均可以包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括诸如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的一种或更多种无机绝缘材料，并且可以通过化学气相沉积(CVD)等形成。氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
有机封装层420可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。例如，有机封装层420可以包括丙烯酸树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯等。有机封装层420可以通过固化单体或涂覆聚合物而形成。
由于通过CVD形成的第一无机封装层410的厚度近似均匀，因此第一无机封装层410的顶表面不平坦。然而，有机封装层420的顶表面近似平坦，因此，有机封装层420上的第二无机封装层430的顶表面也可以近似平坦。
参照图6，光阻挡分隔壁540可以形成在封装层400上。光阻挡分隔壁540可以围绕发射区域(即，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3)，并且在平面上(在x-y平面上)，光阻挡分隔壁540可以具有网状结构。
光阻挡分隔壁540可以包括有色绝缘材料。例如，光阻挡分隔壁540可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂以及通过红色、蓝色和绿色的组合而获得的颜料。可选地，光阻挡分隔壁540可以包括卡多(cardo)类粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的组合。可选地，光阻挡分隔壁54可以包括炭黑。光阻挡分隔壁54可以包括与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3对应的开口。
光阻挡分隔壁540可以防止或减少由稍后将描述的第一颜色转换器510和第二颜色转换器520转换并散射的光移动到另一区域的情况。另外，光阻挡分隔壁540可以与稍后将描述的滤色器一起防止或减少外部光的反射，从而改善显示装置DV的对比度。
在形成光阻挡分隔壁540之后，形成第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530。包括在第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530中的材料与上面参照图3描述的相同。第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530可以以喷墨方法形成。分别包括在第一颜色转换器510和第二颜色转换器520中的第一量子点512和第二量子点522可以指示半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体尺寸发射具有各种发射波长的光的任意材料。量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
根据一些实施例，第一颜色转换器510、第二颜色转换器520、透射器530和光阻挡分隔壁540中的每个可以接触封装层400的第二无机封装层430。
低折射无机层910和第一钝化层920可以顺序地布置在颜色转换透射层500上(见图2B)。根据一些实施例，低折射无机层910可以包括具有大于1.2且小于1.4的折射率的低折射率无机材料。通常，氧化硅(SiO2)具有比氮化硅、氮氧化硅等的折射率相对小的1.45至1.5的折射率。根据实施例的低折射无机层通过CVD形成，并且具有比1.4小的折射率的氧化硅膜可以通过在沉积工艺期间改变材料的量或沉积条件而形成。通过CVD形成的低折射无机层910可以包括仅包含无机材料而没有有机材料的无机层。
根据一些实施例，第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530可以具有约1.7至约1.8的折射率。参照图3，第一光敏聚合物511、第二光敏聚合物521和第三光敏聚合物531可以包括具有约1.5至约1.6的折射率的有机材料，并且当量子点或散射颗粒分散在有机材料中时，第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530具有约1.7至约1.8的折射率，该折射率比包括在第一光敏聚合物511、第二光敏聚合物521和第三光敏聚合物531中的有机材料的折射率大。例如，第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530中的每个与低折射无机层910的折射率之间的差可以为0.3或更大。
最终，当光通过高折射的第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530中的每个入射在低折射无机层910上时，在上述组件之间的界面处可以发生反射。另外，至少以一定角度入射到低折射无机层910的光可以被全反射，其中发生全反射的范围可以随着折射率之间的差的增大而增大。由于低折射无机层910的低折射率，低折射无机层910的表面处的光的反射率可以具有大的值。反射光可以被第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530转换或散射并且可以被再次提取到外部，因此，可以改善光的光效率。
根据一些实施例，低折射无机层910的厚度可以为约至约/>
第一钝化层920可以位于低折射无机层910上，第一钝化层920可以具有比低折射无机层910的折射率大的折射率。例如，第一钝化层920可以包括具有约1.6的折射率的SiON。根据一些实施例，第一钝化层920可以包括具有比低折射无机层910的折射率大的折射率的SiO2。第一钝化层920可以具有约至约/>的厚度，但是不限于此。
根据一些实施例，第一颜色转换器510、第二颜色转换器520、透射器530和光阻挡分隔壁540可以包括有机材料，并且颜色转换透射层500(见图2B)可以被第一钝化层920覆盖，以防止或减少异物渗透到有机材料等中。由于低折射无机层910具有低折射率，因此低折射无机层910的渗透防护功能不太强，因此，可以与用于改善光效率的低折射无机层910一起另外地布置第一钝化层920。
图7至图9是根据一些实施例的制造滤色器面板的方法的剖视图。
参照图7，提供第二基底700，并且在第二基底700上形成被构造为透射第三颜色的光的第三滤色器630和第三颜色层630P。第三颜色层630P的一部分可以与第三滤色器630一体地形成，并且第三颜色层630P的另一部分可以与第三滤色器630分开地形成。第二基底700可以包括具有SiO2作为主要成分的玻璃基底。根据一些实施例，第二基底700可以包括聚合物树脂。参照图10A，在接合发光面板和滤色器面板之后，第三滤色器630可以与第三发射区域EA3叠置，并且第三颜色层630P可以与光阻挡分隔壁540叠置。
参照图8，在形成第三滤色器630和第三颜色层630P之后，可以在第二基底700上形成被构造为发射第一颜色的光的第一滤色器610和第一颜色层610P。第一颜色层610P的一部分可以与第一滤色器610一体地形成，并且第一颜色层610P的另一部分可以与第一滤色器610分开地形成。参照图10A，第一滤色器610可以与第一发射区域EA1叠置，并且第一颜色层610P可以与光阻挡分隔壁540叠置。在第二基底700的与光阻挡分隔壁540叠置的区域中，第三颜色层630P可以与第一颜色层610P叠置。
参照图9，在形成第一滤色器610和第一颜色层610P之后，可以在第二基底700上形成被构造为透射第二颜色的光的第二滤色器620和第二颜色层620P。第二颜色层620P的一部分可以与第二滤色器620一体地形成，第二颜色层620P的另一部分可以与第二滤色器620分开地形成。参照图10A，第二滤色器620可以与第二发射区域EA2叠置，第二颜色层620P可以与光阻挡分隔壁540叠置。在第二基底700的与光阻挡分隔壁540叠置的区域中，第三颜色层630P、第一颜色层610P和第二颜色层620P可以以叠置的方式形成。
根据一些实施例，第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别包括红色、绿色和蓝色。
例如，由于红色的第一颜色层610P、绿色的第二颜色层620P和蓝色的第三颜色层630P以叠置的方式布置在第二基底700的与光阻挡分隔壁540叠置的区域中，因此可以实现划分第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630的光阻挡部分600P。通过这种构造，可以在形成第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630时在滤色器之间形成光阻挡部分600P，而不形成诸如具有光阻挡功能的黑矩阵的额外层。
尽管描述了其中参照图6至图9在第二基底700上顺序地形成第三滤色器630、第一滤色器610和第二滤色器620的实施例，但是可以以任意顺序形成第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630。
图10A是根据一些实施例的通过将分别在图6和图9中示出的滤色器面板和发光面板接合而形成的显示装置的示意性剖视图；图10B是图10A的一部分的剖视图，以描述光效率的改善原理。
参照图2A、图2B和图10A，通过使用密封剂10将图6中所示的发光面板1000和图9中所示的滤色器面板2000接合。使用密封剂10将包括第一基底100的发光面板1000和包括第二基底700的滤色器面板2000接合不必指示密封剂10直接接触第一基底100和第二基底700中的每个。
在将发光面板1000和滤色器面板2000接合之后，用填料800填充发光面板1000与滤色器面板2000之间的空间。例如，可以在颜色转换透射层500上在低折射无机层910与滤色器层600之间的空间填充填料800。根据一些实施例，可以在低折射无机层910与滤色器层600之间或者低折射无机层910与填料800之间定位第一钝化层920。填料800可以包括诸如亚克力或环氧树脂的树脂。填料800的厚度可以为约1μm至约10μm，并且填料800的折射率可以为约1.45至约1.55。
当填料800的厚度小于1μm时，可能难以使发光面板1000和滤色器面板2000平坦化，而当填料800的厚度大于10μm时，显示装置DV的厚度可能过度增加。
参照图10B，从第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3(见图2B)发射并且被第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530颜色转换和/或散射的光可以从低折射无机层910的表面反射。第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530可以具有比低折射无机层910的折射率相对大的折射率，从高折射层入射到低折射层的光可以从高折射层与低折射层之间的界面反射。反射率可以根据折射率之间的差的增大而增大，并且低折射无机层910与第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530中的每个的折射率之间的差可以为约0.3或更大。
反射光可以重新入射到第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530，并且可以被颜色转换和/或散射。从低折射无机层910的表面反射而未进行颜色转换的光将重新入射在第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530上并且通过量子点经历颜色转换的可能性可以非常高。
根据一些实施例，低折射无机层910可以位于颜色转换透射层500上以改善光效率。在这种情况下，低折射无机层910可以包括包含通过CVD形成的氧化硅等的无机层而不是有机材料，并且与其中使用低折射有机层的情况相比，可以显著地降低制造成本。
此外，由于低折射无机层910位于发光面板1000上，而不是滤色器面板2000上，因此颜色转换透射层500与低折射无机层910之间的距离可以尽可能地减小，并且根据距离的减小，路径中的光损失减少，并且可以进一步改善光效率。
根据一些实施例，与具有大致相似的折射率的低折射有机层相比，低折射无机层910可以具有较低的消光系数(k)。例如，低折射无机层910的消光系数可以接近于零。当消光系数小时，材料本身的光吸收降低。因此，与有机层相比，当使用低折射无机层910时，可以减少由于吸收引起的光损失。
图11是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图。在下文中，将主要描述图11中所示的显示装置与根据图10A中所示的实施例的显示装置之间的差异。
参照图2B和图11，显示装置包括：第一基底100；第二基底700，与第一基底100相对；发光元件层300，位于第一基底100上并且包括第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的至少一个；封装层400，位于发光元件层300上并且包括无机封装层410和430(即，第一无机封装层410和第二无机封装层430)中的至少一个以及至少一个有机封装层420；颜色转换透射层500，位于封装层400上并且被构造为将从第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的至少一个发射的光转换为具有不同颜色的光，颜色转换透射层500包括量子点；低折射无机层910，位于颜色转换透射层500上并且具有比颜色转换透射层500的折射率小的折射率；滤色器层600，位于第二基底700的与第一基底100相对的表面上；以及填料800，位于低折射无机层910与滤色器层600之间并且具有比低折射无机层910的折射率大的折射率。
根据一些实施例，显示装置还可以包括第一钝化层920，并且第一钝化层920可以位于颜色转换透射层500与低折射无机层910之间。
第一钝化层920可以具有比低折射无机层910的折射率大的折射率。例如，第一钝化层920可以包括具有约1.6的折射率的SiON。根据一些实施例，第一钝化层920可以包括具有比低折射无机层910的折射率大的折射率的SiO2。第一钝化层920可以具有约至约/>的厚度，但是不限于此。
根据一些实施例，第一钝化层920可以接触颜色转换透射层500，以防止或减少异物等渗透到颜色转换透射层500中。
另外，由于第一钝化层920具有比低折射无机层910的折射率大的折射率，因此可以在第一钝化层920与低折射无机层910之间的界面处容易地发生反射。从低折射无机层910反射的光重新入射在颜色转换透射层500上并经历颜色转换和/或散射，然后被提取到外部。通过重复反射和再入射，可以改善显示装置的光效率。
图12A是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图，图12B是图12A的一部分的剖视图，以描述光效率的改善的原理。在下文中，将主要描述图12A中所示的显示装置与根据图10A中所示的实施例的显示装置之间的差异。
参照图2B和图12A，显示装置包括：第一基底100；第二基底700，与第一基底100相对；发光元件层300，位于第一基底100上并且包括第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的至少一个；封装层400，位于发光元件层300上并且包括无机封装层410和430即，第一无机封装层410和第二无机封装层430)中的至少一个(以及至少一个有机封装层420；颜色转换透射层500，位于封装层400上并且被构造为将从第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的至少一个发射的光转换为具有不同颜色的光，颜色转换透射层500包括量子点；低折射无机层910，位于颜色转换透射层500上并且具有比颜色转换透射层500的折射率小的折射率；滤色器层600，位于第二基底700的与第一基底100相对的表面上；以及填料800，位于低折射无机层910与滤色器层600之间并且具有比低折射无机层910的折射率大的折射率。
根据一些实施例，第一钝化层920可以位于低折射无机层910上，并且低折射有机层930和第二钝化层940可以位于滤色器层600下方。
低折射有机层930是通过在有机材料中的诸如中空二氧化硅的散射多孔颗粒而具有降低的折射率的层，并且可以具有约1.2至约1.3的折射率。根据一些实施例，低折射有机层930可以具有比低折射无机层910的折射率小的折射率。除了反射来自表面的光以改善光效率的功能之外，低折射无机层910也可以使滤色器层600平坦化。
第二钝化层940可以包括诸如氮氧化硅或氧化硅的无机材料，并且可以具有从约1.45至约1.55的折射率。根据一些实施例，第二钝化层940和低折射无机层910两者可以包括氧化硅，但是第二钝化层940的折射率可以比低折射无机层910大。
第二钝化层940执行与第一钝化层920相同的功能。也就是说，第二钝化层940保护第一滤色器610、第二滤色器620、第三滤色器630免受外部湿气的影响。
低折射有机层930具有比第二钝化层940小的折射率，并且通过颜色转换透射层500透射并经由填料800入射到低折射有机层930的光可以从低折射有机层930与第二钝化层940之间的界面反射。
参照图12B，如上面参照图10B描述的，光从颜色转换透射层500与低折射无机层910之间的界面反射，另外，光经由填料800从第二钝化层940与低折射有机层930之间的界面反射。
反射光可以经由填料800重新入射在颜色转换透射层500上，并且已经重新入射的光可以再次经历颜色转换和/或散射，然后可以被提取到外部。然而，由于颜色转换透射层500与低折射有机层930之间的距离相对大，因此在通过光路移动期间可能发生一些光的损失。另外，根据一些实施例，低折射有机层930的消光系数(k)会比低折射无机层910的消光系数大。
根据图12A中所示的实施例的显示装置除了低折射无机层910之外还包括低折射有机层930，并且通过反射和再入射来改善光的效用，可以进一步改善光效率。
尽管图12A中所示的实施例示出了其中第一钝化层920位于低折射无机层910上的情况，但是根据一些实施例，与图11中所示的实施例类似，图12A中所示的实施例也可以应用于其中第一钝化层920和低折射无机层910顺序地堆叠在颜色转换透射层500上的情况。
图13是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图2B和图13，显示装置包括：第一基底100；第二基底700，与第一基底100相对；发光元件层300，位于第一基底100上并且包括第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的至少一个；封装层400，位于发光元件层300上并且包括无机封装层410和430(即，第一无机封装层410和第二无机封装层430)中的至少一个以及至少一个有机封装层420；颜色转换透射层500，位于封装层400上并且被构造为将从第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的至少一个发射的光转换为具有不同颜色的光，颜色转换透射层500包括量子点；低折射无机层910，位于颜色转换透射层500上并且具有比颜色转换透射层500的折射率小的折射率；滤色器层600，位于第二基底700的与第一基底100相对的表面上；以及填料800，位于低折射无机层910与滤色器层600之间并且具有比低折射无机层910的折射率大的折射率。
根据一些实施例，光阻挡分隔壁540可以形成在第二无机封装层430上。光阻挡分隔壁540可以围绕发射区域(即，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3(见图6))，并且在平面上(在x-y平面上)，光阻挡分隔壁540可以具有网状结构。
光阻挡分隔壁540可以包括有色绝缘材料。例如，光阻挡分隔壁540可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂以及通过红色、蓝色和绿色的组合获得的颜料。可选地，光阻挡分隔壁540可以包括卡多类粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的组合。可选地，光阻挡分隔壁54可以包括炭黑。光阻挡分隔壁540可以包括分别与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3对应的开口。
光阻挡分隔壁540可以防止或减少由稍后将描述的第一颜色转换器510和第二颜色转换器520转换和散射的光移动到另一区域。另外，光阻挡分隔壁540可以防止或减少稍后将描述的滤色器引起的外部光的反射，从而改善显示装置DV的对比度。
在形成光阻挡分隔壁540之后，形成第一颜色转换器510'、第二颜色转换器520'和透射器530'。包括在第一颜色转换器510'、第二颜色转换器520'和透射器530'中的材料与上面参照图3描述的材料相同。第一颜色转换器510'、第二颜色转换器520'和透射器530'均可以以喷墨方法形成。根据一些实施例，第一颜色转换器510'、第二颜色转换器520'和透射器530'可以具有相对于光阻挡分隔壁540的顶表面凹陷的形状。这可能是由制造工艺期间墨的收缩引起的。
低折射无机层910'和第一钝化层920'可以顺序地布置在颜色转换透射层500上(见图2B)。根据一些实施例，低折射无机层910'可以包括具有大于1.2且小于1.4的折射率的低折射无机材料。通常，氧化硅(SiO2)具有比氮化硅、氮氧化硅等的折射率相对低的1.45至1.5的折射率。通过CVD形成低折射无机层910'，并且可以通过在沉积工艺期间改变材料的量或沉积条件来形成具有小于1.4的折射率的氧化硅膜。
根据一些实施例，第一颜色转换器510'、第二颜色转换器520'和透射器530'可以具有约1.7至约1.8的折射率，并且例如，第一颜色转换器510'、第二颜色转换器520'和透射器530'中的每个与低折射无机层910'之间的折射率差可以为至少0.3。
根据一些实施例，低折射无机层910'的厚度可以为约至约/>由于低折射无机层910'大体上以基本上均匀的厚度形成，因此低折射无机层910'的顶表面是不平坦的，并且可以具有与第一颜色转换器510'、第二颜色转换器520'和透射器530'的凹陷形状对应的凹槽。
第一钝化层920'可以位于低折射无机层910'上，并且第一钝化层920'可以具有比低折射无机层910'的折射率大的折射率。例如，第一钝化层920'可以包括具有约1.6的折射率的SiON。根据一些实施例，第一钝化层920'可以包括具有比低折射无机层910'的折射率大的折射率的氧化硅(SiOx)。第一钝化层920'可以具有约至约/>的厚度，但是不限于此。
由于第一钝化层920'大体上以基本上均匀的厚度形成，因此第一钝化层920'的顶表面不平坦，并且可以具有与第一颜色转换器510'、第二颜色转换器520'和透射器530'的凹陷形状对应的形状。也就是说，发光面板1000的与滤色器面板2000相对的表面可以是不平坦的。
尽管图13示出了其中低折射无机层910'和第一钝化层920'顺序地布置在颜色转换透射层500(见图2B)上的实施例，但是根据一些实施例，与图11中所示的实施例相似，第一钝化层920和低折射无机层910可以顺序地布置在颜色转换透射层500(见图2B)上，并且在这种情况下，第一钝化层920和低折射无机层910的顶表面可以是不平坦的。另外，与图12A中所示的实施例类似，图13中所示的实施例也可以应用于其中第一钝化层920位于低折射无机层910上并且低折射有机层930和第二钝化层940位于滤色器层600下方的情况。在这种情况下，第一钝化层920和低折射无机层910的顶表面可以是不平坦的。
表1示出了当填料的厚度为5μm时，与对比示例相比，根据实施例的图10A的显示装置的光效率和外部光反射率的模拟结果。对比示例涉及其中仅第一钝化层920位于颜色转换透射层500上而没有低折射无机层910并且低折射有机层930和第二钝化层940位于滤色器层600下方的显示装置。
参照表1，示出了根据一些实施例的显示装置的光效率相对于白光增加了9％。为了排除由外部光的反射率引起的光效率的增加，还获得了其中外部光的反射率相同的情况的结果，并且在这种情况下，明显的是，相对于白光，光效率增加了4％。这里，SCI指示包括散射反射和镜面反射两者的反射率，SCE指示仅包括散射反射的反射率。
表1
图14是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图2B和图14，显示装置包括：第一基底100；第二基底700，与第一基底100相对；发光元件层300，位于第一基底100上并且包括第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的至少一个；封装层400，位于发光元件层300上并且包括无机封装层410和430(即，第一无机封装层410和第二无机封装层430)中的至少一个以及至少一个有机封装层420；颜色转换透射层500，位于封装层400上并且被构造为将从第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3中的至少一个发射的光转换为具有其他颜色的光，颜色转换透射层500包括量子点；低折射无机层910，位于颜色转换透射层500上并且具有比颜色转换透射层500的折射率小的折射率；滤色器层600，位于第二基底700的与第一基底100相对的表面上并且与低折射无机层910隔开，且气隙(air gap，或被称为“空气间隙”)800'在滤色器层600与低折射无机层910之间。
根据一些实施例，由于气隙800'可以在接合工艺期间自然地形成，因此不需要额外的填料或填充工艺，因此可以是经济的。另外，气隙800'可以填充有气体(包括普通空气)，可以从该气体中除去氧气或含有某些组分的气体，或者向该气体添加含有某些组分的气体。
根据一些实施例，低折射无机层910的折射率可以大于1.2且小于1.4，并且低折射无机层910的厚度可以为约至约/>低折射无机层910可以通过CVD形成，并且可以通过在沉积工艺期间改变材料含量或沉积条件来形成具有小于1.4的折射率的氧化硅膜。通过CVD形成的低折射无机层910可以包括仅包含无机材料而不包含有机材料的无机层。
颜色转换透射层500的折射率与低折射无机层910的折射率之间的差可以为0.3或更大，并且可以通过来自颜色转换透射层500与低折射无机层910之间的界面的反射来改善光效率。
滤色器层600可以包括被构造为透射具有第一颜色的光的第一滤色器610、被构造为透射具有第二颜色的光的第二滤色器620、被构造为透射具有第三颜色的光的第三滤色器630和光阻挡部分600P(见图9)，光阻挡部分600P可以通过将分别包括与第一滤色器610、第二滤色器620和第三滤色器630相同的材料的第一颜色层610P、第二颜色层620P和第三颜色层630P叠置而形成。
尽管图14示出了第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530中的每个具有平坦的顶表面，但是，如图13中所示，第一颜色转换器510、第二颜色转换器520和透射器530均可以具有相对于光阻挡分隔壁540的顶表面凹入的凹陷形状。在这种情况下，低折射无机层910也可以包括根据凹陷形状形成的凹槽。
尽管图14示出了其中低折射无机层910和第一钝化层920顺序地布置在颜色转换透射层500上(见图2B)并且气隙800'直接接触第一钝化层920的实施例，但是根据一些实施例，与图11中所示的实施例类似，第一钝化层920和低折射无机层910可以顺序地布置在颜色转换透射层500上(见图2B)。在这种情况下，气隙800'可以直接接触低折射无机层910。第一钝化层920可以具有比低折射无机层910的折射率大的折射率，并且例如可以包括具有约1.6的折射率的氮氧化硅(SiON)。根据一些实施例，第一钝化层920可以包括具有比低折射无机层910的折射率低的折射率的SiO2。第一钝化层920可以具有约至约/>的厚度，但是不限于此。
根据一些实施例，与图12A中所示的实施例类似，气隙800'也可以应用于其中第一钝化层920位于低折射无机层910上并且低折射有机层930和第二钝化层940位于滤色器层600下方的实施例中。在这种情况下，气隙800'可以位于第一钝化层920与第二钝化层940之间。
根据上述实施例，发光面板1000包括颜色转换透射层500和在颜色转换透射层500上的低折射无机层910，光从颜色转换透射层500与低折射无机层910之间的界面反射并重新入射到颜色转换透射层500，因此，可以改善光效率。
低折射无机层910包括在发光面板1000中并与颜色转换透射层500接触或与颜色转换透射层500相邻布置，因此，可以尽可能地减少来自颜色转换透射层500的光在到达低折射无机层910之前的损失。
低折射无机层910具有比低折射有机层930的消光系数低的消光系数，并且低折射无机层910的材料成本远低于低折射有机层930的材料成本，因此，与包括低折射有机层930的构造相比，在成本方面可以是有利的。
根据一些实施例，除了低折射无机层910之外，显示装置DV还可以包括被构造为使滤色器层600平坦化并且具有低折射率的低折射有机层930。当显示装置DV还包括低折射有机层930时，会提高制造成本，同时可以进一步改善光效率。
根据上述实施例，可以提供具有相对高效率的显示装置。然而，公开的范围不限于此。
应当理解的是，这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
第二基底，与所述第一基底相对；
发光元件层，在所述第一基底上并且包括至少一个发光元件；
封装层，在所述发光元件层上并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
颜色转换透射层，在所述封装层上并且被构造为将从所述至少一个发光元件发射的光转换为具有不同颜色的光，所述颜色转换透射层包括量子点；
低折射无机层，在所述颜色转换透射层上并且具有比所述颜色转换透射层的折射率小的折射率；
滤色器层，在所述第二基底的与所述第一基底相对的表面上；以及
填料，在所述低折射无机层与所述滤色器层之间并且具有比所述低折射无机层的所述折射率大的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述低折射无机层的所述折射率大于1.2且小于1.4。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述低折射无机层包括氧化硅。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述低折射无机层的厚度为至/>
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述颜色转换透射层的所述折射率与所述低折射无机层的所述折射率之间的差为至少0.3。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述颜色转换透射层与所述填料之间的第一钝化层，所述第一钝化层具有比所述低折射无机层的所述折射率大的折射率。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一钝化层在所述低折射无机层与所述填料之间。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一钝化层在所述颜色转换透射层与所述低折射无机层之间。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一钝化层包括无机材料层，所述无机材料层包括氮氧化硅。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述填料的所述折射率为1.45至1.55，并且所述填料的厚度为1μm至10μm。
11.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述封装层包括顺序地布置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，并且
所述颜色转换透射层直接接触所述第二无机封装层。
12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述滤色器层的与所述颜色转换透射层相对的表面上的低折射有机层和第二钝化层。
13.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述滤色器层包括第一滤色器、第二滤色器、第三滤色器和光阻挡部分，所述第一滤色器被构造为透射第一颜色的光，所述第二滤色器被构造为透射第二颜色的光，所述第三滤色器被构造为透射第三颜色的光，所述光阻挡部分划分所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器，并且
在所述光阻挡部分中，分别包括与所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器相同的材料的第一颜色层、第二颜色层和第三颜色层叠置。
14.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述发光元件层包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，并且
所述颜色转换透射层包括第一颜色转换器、第二颜色转换器和透射器，所述第一颜色转换器与所述第一发光元件对应，所述第二颜色转换器与所述第二发光元件对应，所述透射器与所述第三发光元件对应，并且
所述颜色转换透射层还包括布置在所述第一颜色转换器、所述第二颜色转换器和所述透射器之间的光阻挡分隔壁。
15.根据权利要求14所述的显示装置，
其中，所述第一颜色转换器、所述第二颜色转换器和所述透射器中的每个的顶表面具有相对于所述光阻挡分隔壁的顶表面凹入的凹陷形状，并且
所述低折射无机层包括根据所述凹陷形状形成的凹槽。
16.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
第二基底，与所述第一基底相对；
发光元件层，在所述第一基底上并且包括至少一个发光元件；
封装层，在所述发光元件层上并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
颜色转换透射层，在所述封装层上并且被构造为将从所述至少一个发光元件发射的光转换为具有不同颜色的光，所述颜色转换透射层包括量子点；
低折射无机层，在所述颜色转换透射层上并且具有比所述颜色转换透射层的折射率小的折射率；以及
滤色器层，在所述第二基底的与所述第一基底相对的表面上，并且与所述低折射无机层间隔开，且气隙在所述滤色器层与所述低折射无机层之间。
17.根据权利要求16所述的显示装置，
其中，所述低折射无机层的所述折射率大于1.2且小于1.4，并且
所述低折射无机层的厚度为至/>
18.根据权利要求16所述的显示装置，所述颜色转换透射层的所述折射率与所述低折射无机层的所述折射率之间的差为至少0.3。
19.根据权利要求16所述的显示装置，
其中，所述滤色器层包括第一滤色器、第二滤色器、第三滤色器和光阻挡部分，所述第一滤色器被构造为透射第一颜色的光，所述第二滤色器被构造为透射第二颜色的光，所述第三滤色器被构造为透射第三颜色的光，所述光阻挡部分划分所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器，并且
在所述光阻挡部分中，分别包括与所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器相同的材料的第一颜色层、第二颜色层和第三颜色层叠置。
20.根据权利要求16所述的显示装置，
其中，所述发光元件层包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，并且所述颜色转换透射层包括第一颜色转换器、第二颜色转换器和透射器，所述第一颜色转换器与所述第一发光元件对应，所述第二颜色转换器与所述第二发光元件对应，所述透射器与所述第三发光元件对应，并且所述颜色转换透射层还包括布置在所述第一颜色转换器、所述第二颜色转换器和所述透射器之间的光阻挡分隔壁，其中，所述第一颜色转换器、所述第二颜色转换器和所述透射器中的每个的顶表面具有相对于所述光阻挡分隔壁的顶表面凹入的凹陷形状，并且
所述低折射无机层包括根据所述凹陷形状形成的凹槽。
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