CN117070911A - 光伏玻璃镀膜设备 - Google Patents

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张豪
卞恒卿
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Abstract

本发明公开了一种光伏玻璃镀膜设备，属于光伏玻璃镀膜技术领域。其技术方案为：包括依次设置的上料区、过渡区一、成底膜区、CIGS层镀膜区、碱金属氟化物蒸发区、CdS层镀膜区、ZnO层镀膜区、AZO层镀膜区、过渡区二和下料区。本发明光伏玻璃镀膜设备通过使用磁控溅射的工艺制备铜铟镓硒薄膜，制备过程连续性和稳定性更高。

Description

光伏玻璃镀膜设备
技术领域
本发明涉及光伏玻璃镀膜技术领域，具体涉及一种光伏玻璃镀膜设备。
背景技术
CIGS薄膜太阳能电池，以CIGS膜层的制备方法来区分，主要有两种制备工艺。一种是三元共蒸法，是采用蒸发的方法，将Cu、In、Ga采用三套蒸发设备在一个真空腔室中，将材料同时按比例蒸发到待镀材料表面。但由于制造设备昂贵，且工艺控制难度较高、工艺重复性较差，产业化较为困难。
另外一种工艺是磁控溅射的方法，通过预先制备出Cu、In、Ga三元合金粉，再将合金粉末制备成铜铟镓靶材，硒通过蒸发设备与铜铟镓一起蒸镀上去。此种三元合金靶材的成分一致，因此三种元素在膜层中的占比随着镀制膜层厚度的增加也基本一致，即该膜层中Cu、In、Ga的占比无法在镀制的过程中根据需要调整。如中国发明专利CN103219419A公开了一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法，包括以下步骤：以铜铟镓硒合金作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层；以铜铟镓硒合金作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层；以铜铟镓硒合金作为靶材在富铜层上溅射形成第二贫铜层，即得。该专利镀制铜铟镓硒膜层时即无法在镀制的过程中根据需要调整四种元素的占比。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种光伏玻璃镀膜设备，通过使用磁控溅射的工艺制备铜铟镓硒薄膜，制备过程连续性和稳定性更高。
本发明的技术方案为：
光伏玻璃镀膜设备，包括依次设置的上料区、过渡区一、成底膜区、CIGS层镀膜区、碱金属氟化物蒸发区、CdS层镀膜区、ZnO层镀膜区、AZO层镀膜区、过渡区二和下料区，每个区之间由门阀相隔且每个区分别包括至少一个真空腔室，真空腔室连接有真空系统；真空腔室内设置有玻璃传送机构，玻璃在玻璃传送机构上向前传送，玻璃传送机构一侧倾斜设置有背板，玻璃倾斜地靠在背板上且背板朝向玻璃的一面上设置有若干个滚轮；成底膜区、CdS层镀膜区、ZnO层镀膜区及AZO层镀膜区的真空腔室内均设置有阴极，阴极上设置有靶管，靶管端部连接有射频电源，靶管上设置有靶材；CIGS层镀膜区内依次设置有真空腔室一、真空腔室二和真空腔室三，真空腔室一、真空腔室二和真空腔室三内设置有阴极，阴极上设置有靶管，靶管端部连接有可编程直流电源，靶管上设置有靶材且真空腔室一的靶材由Cu、In、Ga和Se组成，真空腔室二的靶材由Cu和Se组成，真空腔室三的靶材由In、Ga和Se组成；碱金属氟化物蒸发区的真空腔室内设置有碱金属蒸发机构，将碱金属蒸镀到玻璃表面。
优选地，所述玻璃的底部夹固在固定夹内，固定夹置于玻璃传送机构上且固定夹内设置有橡胶垫。
优选地，所述过渡区一与成底膜区之间设置有加热区，加热区包括真空腔室，真空腔室内设置有加热机构和玻璃传送机构，玻璃传送机构一侧倾斜设置有背板，玻璃倾斜地靠在背板上且背板朝向玻璃的一面上设置有若干个滚轮。
优选地，所述加热机构包括设置在真空腔室内的加热丝。
优选地，所述加热区的真空腔室外部设置有玻璃棉。
优选地，所述加热区与成底膜区之间设置有等离子清洗区，等离子清洗区包括真空腔室，真空腔室内设置有等离子体发生器和玻璃传送机构，玻璃传送机构一侧倾斜设置有背板，玻璃倾斜地靠在背板上且背板朝向玻璃的一面上设置有若干个滚轮；等离子体发生器的电离源上设置有锯齿形凸起。
优选地，所述真空腔室一的靶材中，Cu、In、Ga与Se材料的面积比为1:1:1:2，真空腔室二的靶材中，Cu与Se材料的面积比为1:2，真空腔室三的靶材中，In、Ga与Se的面积比为1:1:2。
优选地，所述碱金属蒸发机构包括安装在真空腔室内的转动辊，转动辊由电机驱动转动；转动辊的表面上间隔设置有若干个安装杆，安装杆的长度方向沿转动辊的轴向延伸且安装杆分别通过电线与控制器连接；安装杆上间隔设置有若干个坩埚，坩埚上设置有加热丝，坩埚内装有碱金属氟化物，坩埚的开口朝外。
优选地，所述门阀包括门框，门框内插设有升降门板，升降门板与气缸的活塞杆连接，气缸带动升降门板升降从而实现相邻区的连通或关闭。
优选地，所述AZO层镀膜区的真空腔室内设置有加热丝。
本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
本发明通过使用磁控溅射的工艺制备铜铟镓硒薄膜，制备过程连续性和稳定性更高，相对于三元共蒸法，不需要每锅都更换薄膜原材，避免了频繁开启成膜位置的真空腔室，节省了抽真空时间的同时，保证了真空腔室一直处于高真空的状态下，给成膜提供了一个稳定的环境。而与现有的磁控溅射方法相比，能够在镀制膜层的过程中调整铜铟镓硒的占比，生产更加灵活。同时，因为本发明中，成膜环境一直处于高真空的状态，成膜分子与气体碰撞的几率就低，成膜分子的动能较大，与基片吸附加强，导致沉积的膜层牢固性高。因而降低了铜铟镓硒薄膜发电玻璃使用过程中出现膜层脱膜，引发膜层光电转换性能下降现象出现的几率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明中玻璃在真空腔室内传送的状态示意图。
图3是本发明的固定夹的结构示意图。
图4是本发明的成底膜区、CIGS层镀膜区、CdS层镀膜区或ZnO层镀膜区的结构示意图。
图5是本发明的加热区的结构示意图。
图6是本发明的等离子清洗区的结构示意图。
图7是本发明的等离子体发生器的结构示意图，
图8是本发明的等离子体发生器电离源表面凸起的结构示意图。
图9是本发明的碱金属氟化物蒸发区的结构示意图。
图10本发明的转动辊的俯视图。
图11是本发明的坩埚的俯视图。
图12是本发明的AZO层镀膜区的结构示意图。
图13是本发明实施例1制备的镀膜光伏玻璃示意图。
图中，1、上料区；2、过渡区一；3、加热区；4、等离子清洗区；401、等离子体发生器；402、凸起；5、成底膜区；6、CIGS层镀膜区；601、真空腔室一；602、真空腔室二；603、真空腔室三；7、碱金属氟化物蒸发区；701、转动辊；702、安装杆；703、坩埚；704、挡板；8、CdS层镀膜区；9、ZnO层镀膜区；10、AZO层镀膜区；11、过渡区二；12、下料区；13、门阀；14、真空腔室；15、真空系统；16、玻璃传送机构；17、玻璃；18、背板；19、滚轮；20、靶管；21、固定夹；22、橡胶垫；23、加热丝；24、支撑杆；2501、Mo层；2502、CIGS层；2503、碱金属氟化物层；2504、CdS层；2505、ZnO层；2506、AZO层。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
实施例1
如图1所示，本实施例提供了一种光伏玻璃镀膜设备，包括依次设置的上料区1、过渡区一2、成底膜区5、CIGS层镀膜区6、碱金属氟化物蒸发区7、CdS层镀膜区8、ZnO层镀膜区9、AZO层镀膜区10、过渡区二11和下料区12，每个区之间由门阀13相隔，使每个区形成一个独立的工作空间。其中，门阀13包括矩形门框，门框内插设有升降门板，门框的顶部设置有可供升降门板穿过的穿孔，门框的底部设置有可供升降门板插入的插槽，穿孔和插槽内分别设置有密封圈，以保证门阀13整体的密封性。门框的顶部通过安装架安装有气缸，气缸的活塞杆朝下且与升降门板连接，气缸带动升降门板升降从而实现相邻区的连通或关闭。
具体地，如图1-2所示，每个区分别包括至少一个真空腔室14，真空腔室14设置有加料门，可打开加料门向真空腔室14中加料；真空腔室14连接有真空系统15(如真空泵)，真空腔室14安装有放气阀，使真空腔室14保持一定的真空度。如图2-3所示，真空腔室14内设置有玻璃传送机构16(如传送带)，玻璃17在玻璃传送机构16上向前传送；玻璃传送机构16一侧倾斜设置有不锈钢背板18，倾斜角度可为10°，背板18通过若干个支撑杆24固定在真空腔室14侧壁上，玻璃17在玻璃传送机构16上传送时，倾斜地靠在背板18上且背板18朝向玻璃17的一面上设置有若干个陶瓷滚轮19，减小玻璃17前进阻力的同时也减少了玻璃17的划伤现象。
过渡区一2和过渡区二11的作用为使处于大气环境中的上料区1、下料区12与处于真空环境中的加工区能够连接起来，不破坏加工区的真空环境。
如图4、12所示，成底膜区5、CdS层镀膜区8、ZnO层镀膜区9及AZO层镀膜区10的真空腔室14内均设置有阴极，阴极上设置有靶管20，靶管20由伺服电机驱动转动，靶管20端部连接有射频电源、中频电源或可编程直流电源，靶管20上设置有靶材。其中，不同区的靶材不同，如成底膜区5采用Mo靶材，CdS层镀膜区8采用CdS靶材，ZnO层镀膜区9采用ZnO靶材，AZO层镀膜区10采用AZO靶材，以在玻璃17表面上依次磁控溅射上不同的膜层。其中，成底膜区5及CdS层镀膜区8分别设置有一个真空腔室14，ZnO层镀膜区9设置有两个真空腔室14，AZO层镀膜区10设置有五个真空腔室14。
如图1、4所示，CIGS层镀膜区6内依次设置有两个真空腔室一601、两个真空腔室二602和一个真空腔室三603，真空腔室一601、真空腔室二602和真空腔室三603内设置有阴极，阴极上设置有靶管20，靶管20端部连接有可编程直流电源。靶管20上设置有靶材且真空腔室一601的靶材由面积比为1:1:1:2的Cu、In、Ga和Se组成，真空腔室二602的靶材由面积比为1:2的Cu和Se组成，真空腔室三603的靶材由面积比为1:1:2的In、Ga和Se组成，即真空腔室一601、真空腔室二602和真空腔室三603内的靶材为多材料共溅射靶材，每个靶材均按照面积划分为不同的材料区域且各靶材的分界线沿靶管20轴向延伸。
通过PLC控制器对伺服电机的转速进行即时调节，实现靶管20朝向玻璃17表面区域的准确定位，同时通过PLC控制器控制可编程直流电源的输出功率的大小，达到随着靶管20转向玻璃17区域的变化，即时调节溅射功率的目的。即当同一靶管20上的不同靶材转动到朝向玻璃17的位置时，即时改变可编程直流电源的输出功率，二输出功率的大小会影响材料溅射速率的快慢，从而可实现生产多元膜层时膜层成分占比可调整。
如玻璃以100-200cm/min的传送速度进入CIGS层镀膜区6，先经过两个真空腔室一601，其靶材为Cu：In：Ga：Se(面积比)＝1:1:1:2，可编程直流电源设定功率如表1所示：
表1
靶材 Cu In Ga Se
功率(kw) 2-10 3-11 2-8 4-12
随后经过两个真空腔室二602，其靶材为Cu：Se(面积比)＝1:2，可编程直流电源设定功率如表2所示：
表2
靶材 Cu Se
功率(kw) 3-11 5-15
最后再经过真空腔室三603，其靶材为In：Ga：Se(面积比)＝1:1:2，可编程直流电源设定功率如表3所示：
表3
靶材 In Ga Se
功率(kw) 3-11 2-8 4-12
此外，碱金属氟化物蒸发区7的真空腔室14内设置有碱金属蒸发机构，将碱金属蒸镀到玻璃17表面。具体地，如图9-10所示，碱金属蒸发机构包括安装在真空腔室14内的转动辊701，转动辊701由电机驱动转动；转动辊701的表面上间隔设置有若干个安装杆702，安装杆702的长度方向沿转动辊701的轴向延伸且安装杆702分别通过电线与控制器连接；安装杆702上间隔设置有四个坩埚703，坩埚703上设置有加热丝23，坩埚703内装有碱金属氟化物(如KF、NaF、LiF)，坩埚703的开口朝外。碱金属氟化物蒸发前，使用预熔机(成都国泰真空设备有限公司，RL-820)对碱金属氟化物进行预熔，使粉末熔为一整块固体，而为了防止蒸发时坩埚703中的碱金属氟化物倾倒出来，如图11所示，可在坩埚703的开口处设置一个环形挡板704，以挡住固体的碱金属氟化物从坩埚703中倾倒出来。随后通过在坩埚703底部设置螺丝、安装杆702上设置螺纹孔的方式将坩埚703固定到安装杆702上，再通过螺栓螺母的方式将安装杆702固定到转动辊701上，随后将转动辊701装入真空腔室14内。
随着转动辊701转动到朝向玻璃17表面的安装杆702，通过控制器向该安装杆702通入电流(电流大小可设为2A)，安装杆702上坩埚703内的碱金属氟化物受热蒸发，从而将其中的碱金属氟化物蒸镀到玻璃17表面的CIGS层2502上。每次仅面向玻璃17表面的一根安装杆702上的坩埚703处于被蒸发状态，随着坩埚703中碱金属氟化物的蒸发，当坩埚703中碱金属氟化物被蒸发完时，可观察到控制器中显示的电压曲线突然增大，此时可控制转动辊701转动，使下一个安装杆702转动至朝向玻璃17的位置，继续进行碱金属氟化物的蒸发。
工作原理：
步骤一：人工将玻璃17转移到传送带上，通过电机获得往前的驱动力，进行玻璃17的传送。玻璃17传送过程中倚靠在倾斜的背板18上。
步骤二：过渡区一2的真空腔室14设置有真空系统15和放气阀，可以在真空与大气之间进行切换，每切换一次，会使一张玻璃17从过渡区进入下一个区，也会有一张玻璃17从上料区1进入过渡区，使玻璃17实现从大气到真空环境的过渡。
步骤三：玻璃17进入成底膜区5，向真空腔室14中沿靶材长度方向通入400sccm的氩气，射频电源电压为800-1000v，电流为30A，真空腔室14的本底真空度<5×10-5mbar。通过射频电源前向电压进一步增加Mo原子在玻璃17基底表面的附着力，在玻璃表面形成一层导电层Mo层2501。
步骤四：玻璃17进入CIGS层镀膜区6，先后经过两个真空腔室一601进行两次铜铟镓硒镀膜、两个真空腔室二602进行两次铜硒镀膜、一个真空腔室三603进行铟镓硒镀膜，真空腔室一601、真空腔室二602、真空腔室三603的本底真空度<5×10-5mbar。其中同一靶管20上不同靶材的溅射速率可通过可编程直流电源的输出功率调整，最终形成CIGS层2502。CIGS层2502对太阳光具有很高的吸收系数，可达到104-105/cm，能够充分吸收太阳光子和收集少数载流子。
步骤五：玻璃17进入碱金属氟化物蒸发区7，通过控制器向朝向玻璃17的安装杆702通入电流，使其上坩埚703内的碱金属氟化物受热蒸发，从而在玻璃17表面的CIGS层2502蒸镀上一层碱金属氟化物层2503，碱金属元素通过降低带电荷缺陷的密度和增加晶界二次相的形成而导致较好的钝化作用，提高发电效率。本实施例的碱金属氟化物蒸发区7能够维持碱金属氟化物长时间的蒸发沉积，避免了频繁开炉的情况，可以连续生产，使生产效率显著提高。
步骤六：玻璃17进入CdS层镀膜区8，向真空腔室14内沿靶材长度方向通入400sccm的氩气，中频电源频率为30-40kHz，电压为500-550v，电流为10-15A，真空腔室14的本底真空度<5×10-5mbar。玻璃17在CdS层镀膜区8中，于碱金属氟化物层2503上磁控溅射上一层CdS薄膜(即CdS层2504)，CdS是N型半导体材料，与P型CIGS层2502形成PN结，从而起到产生光生伏打效应的作用。该CdS薄膜为直接带隙材料，能够匹配CIGS层2502和后续加工的ZnO层2505之间的禁带宽度，起到提高ZnO层2505与CIGS层2502之间能带连续性的作用。
步骤七：玻璃17进入ZnO层镀膜区9，真空腔室14的本底真空度<5×10-5mbar，中频电源频率为30-40kHz，电压为550-650v，电流为15-20A。玻璃17在ZnO层镀膜区9中，于CdS层2504上磁控溅射上一层ZnO薄膜(即ZnO层2505)，该ZnO薄膜具有较高的透过率，与CdS层2504一起形成n型区材料，与P型CIGS材料构成异质结，组成内建电场，从而可以向外输出电流。
步骤八：玻璃17进入AZO层镀膜区10，真空腔室14的本底真空度<5×10-5mbar，中频电源频率为30-40kHz，电压为480-560v，电流为18-32A。玻璃17在AZO层镀膜区10中，于ZnO层2505上磁控溅射上一层AZO薄膜(即AZO层2506)，该AZO薄膜具有较低的电阻率，能保证透过绝大部分太阳光谱，并起着收集电流的作用。
步骤九：完成AZO层2506的镀制后，即得到如图13所示的镀膜光伏玻璃，通过过渡区二11进入下料区12，人工将玻璃17取下即可。
实施例2
在实施例1的基础上，为了增加玻璃17传送的稳固性，可使玻璃17的底部夹固在固定夹21内，固定夹21置于玻璃传送机构16上且固定夹21内设置有橡胶垫22，玻璃17底部包裹在橡胶垫22中。
实施例3
在实施例1的基础上，如图5所示，过渡区一2与成底膜区5之间还设置有加热区3，加热区3包括真空腔室14，真空腔室14内设置有加热机构(如加热丝23)和玻璃传送机构16，玻璃传送机构16一侧倾斜设置有背板18，玻璃17倾斜地靠在背板18上且背板18朝向玻璃17的一面上设置有若干个陶瓷滚轮19。
玻璃17在加工前先进行加热处理，提高玻璃17表面温度，使玻璃17表面活化，并同时蒸发掉玻璃17表面的油污。加热丝23可选用碳化硅材质，避免在膜层中引入其他杂质，保证膜层的洁净度。真空腔室14内距玻璃17表面5mm的位置设置温度传感器，以实时检测玻璃17的加热温度，当玻璃17在真空腔室14内通过加热丝23所在区域时，温度传感器检测玻璃17表面温度，并通过控制器控制对加热丝23通入电流的大小来使玻璃17表面温度保持在200-400℃。此外，为了减少加热区3的热损失，保证加热效率，可在加热区3的真空腔室14外部设置玻璃棉，以起到保温作用。
实施例4
在实施例1的基础上，如图6-8所示，加热区3与成底膜区5之间设置有等离子清洗区4，等离子清洗区4包括真空腔室14，真空腔室14内设置有等离子体发生器401和玻璃传送机构16，玻璃传送机构16一侧倾斜设置有背板18，玻璃17倾斜地靠在背板18上且背板18朝向玻璃17的一面上设置有若干个陶瓷滚轮19；等离子体发生器401沿玻璃17传送方向设置有两个，等离子体发生器401的电离源上设置有锯齿形凸起402，凸起402与凸起402之间挨着，凸起402的高度为3mm，相邻两个凸起402顶部之间的距离为5mm。本实施例中的等离子体发生器401的表面为非平整表面，该非平整表面正对玻璃17表面。
玻璃17进入真空腔室14中，向真空腔室14内沿等离子体发生器401的长度方向通入氩气，等离子体发生器401表面通有1000v的电压，由于等离子体发生器401的电离源表面不平整，形成尖端，尖端的存在会使电荷在局部集中，从而将电离的氩离子高速轰击到玻璃17表面，使玻璃17形成微观的不平整表面。微观不平整的表面能够增加膜层与基底玻璃17的接触面积，在膜层与玻璃17之间形成一个过渡层，使膜层直接镶嵌在玻璃17表面，更加有利于膜层的附着，从而提高了膜层的热稳定性。
实施例5
在实施例1的基础上，如图12所示，AZO层镀膜区10的真空腔室14内设置有加热丝23，加热丝23的长度不小于玻璃的高度。通过控制器向加热丝23通入电流，在镀膜的同时对玻璃17进行加热，加热温度为150-400℃，使AZO层的电阻率降低，增加载流子引出的效率，从而提高光电转换效率。
尽管通过参考附图并结合优选实施例的方式对本发明进行了详细描述，但本发明并不限于此。在不脱离本发明的精神和实质的前提下，本领域普通技术人员可以对本发明的实施例进行各种等效的修改或替换，而这些修改或替换都应在本发明的涵盖范围内/任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，
包括依次设置的上料区(1)、过渡区一(2)、成底膜区(5)、CIGS层镀膜区(6)、碱金属氟化物蒸发区(7)、CdS层镀膜区(8)、ZnO层镀膜区(9)、AZO层镀膜区(10)、过渡区二(11)和下料区(12)，每个区之间由门阀(13)相隔且每个区分别包括至少一个真空腔室(14)，真空腔室(14)连接有真空系统(15)；真空腔室(14)内设置有玻璃传送机构(16)，玻璃(17)在玻璃传送机构(16)上向前传送，玻璃传送机构(16)一侧倾斜设置有背板(18)，玻璃(17)倾斜地靠在背板(18)上且背板(18)朝向玻璃(17)的一面上设置有若干个滚轮(19)；
成底膜区(5)、CdS层镀膜区(8)、ZnO层镀膜区(9)及AZO层镀膜区(10)的真空腔室(14)内均设置有阴极，阴极上设置有靶管(20)，靶管(20)端部连接有射频电源，靶管(20)上设置有靶材；
CIGS层镀膜区(6)内依次设置有真空腔室一(601)、真空腔室二(602)和真空腔室三(603)，真空腔室一(601)、真空腔室二(602)和真空腔室三(603)内设置有阴极，阴极上设置有靶管(20)，靶管(20)端部连接有可编程直流电源，靶管(20)上设置有靶材且真空腔室一(601)的靶材由Cu、In、Ga和Se组成，真空腔室二(602)的靶材由Cu和Se组成，真空腔室三(603)的靶材由In、Ga和Se组成；
碱金属氟化物蒸发区(7)的真空腔室(14)内设置有碱金属蒸发机构，将碱金属蒸镀到玻璃(17)表面。
2.如权利要求1所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述玻璃(17)的底部夹固在固定夹(21)内，固定夹(21)置于玻璃传送机构(16)上且固定夹(21)内设置有橡胶垫(22)。
3.如权利要求1所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述过渡区一(2)与成底膜区(5)之间设置有加热区(3)，加热区(3)包括真空腔室(14)，真空腔室(14)内设置有加热机构和玻璃传送机构(16)，玻璃传送机构(16)一侧倾斜设置有背板(18)，玻璃(17)倾斜地靠在背板(18)上且背板(18)朝向玻璃(17)的一面上设置有若干个滚轮(19)。
4.如权利要求3所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述加热机构包括设置在真空腔室(14)内的加热丝(23)。
5.如权利要求3所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述加热区(3)的真空腔室(14)外部设置有玻璃棉。
6.如权利要求3所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述加热区(3)与成底膜区(5)之间设置有等离子清洗区(4)，等离子清洗区(4)包括真空腔室(14)，真空腔室(14)内设置有等离子体发生器(401)和玻璃传送机构(16)，玻璃传送机构(16)一侧倾斜设置有背板(18)，玻璃(17)倾斜地靠在背板(18)上且背板(18)朝向玻璃(17)的一面上设置有若干个滚轮(19)；等离子体发生器(401)的电离源上设置有锯齿形凸起(402)。
7.如权利要求1所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述真空腔室一(601)的靶材中，Cu、In、Ga与Se材料的面积比为1:1:1:2，真空腔室二(602)的靶材中，Cu与Se材料的面积比为1:2，真空腔室三(603)的靶材中，In、Ga与Se的面积比为1:1:2。
8.如权利要求1所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述碱金属蒸发机构包括安装在真空腔室(14)内的转动辊(701)，转动辊(701)由电机驱动转动；转动辊(701)的表面上间隔设置有若干个安装杆(702)，安装杆(702)的长度方向沿转动辊(701)的轴向延伸且安装杆(702)分别通过电线与控制器连接；安装杆(702)上间隔设置有若干个坩埚(703)，坩埚(703)上设置有加热丝(23)，坩埚(703)内装有碱金属氟化物，坩埚(703)的开口朝外。
9.如权利要求1所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述门阀(13)包括门框，门框内插设有升降门板，升降门板与气缸的活塞杆连接，气缸带动升降门板升降从而实现相邻区的连通或关闭。
10.如权利要求1所述的光伏玻璃镀膜设备，其特征在于，所述AZO层镀膜区(10)的真空腔室(14)内设置有加热丝(23)。
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