CN117055298A - 一种量测机台 - Google Patents

一种量测机台 Download PDF

Info

Publication number
CN117055298A
CN117055298A CN202311048736.1A CN202311048736A CN117055298A CN 117055298 A CN117055298 A CN 117055298A CN 202311048736 A CN202311048736 A CN 202311048736A CN 117055298 A CN117055298 A CN 117055298A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
workbench
grating
magnetic suspension
position sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311048736.1A
Other languages
English (en)
Inventor
董佳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd
Original Assignee
Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd filed Critical Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd
Priority to CN202311048736.1A priority Critical patent/CN117055298A/zh
Publication of CN117055298A publication Critical patent/CN117055298A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本申请公开了一种量测机台，属于集成电路技术领域，该量测机台包括：量测光学系统、磁悬浮晶圆工作台和至少三个光栅；量测光学系统和光栅位于磁悬浮晶圆工作台的上方；量测光学系统的位置固定；光栅沿量测光学系统的周向方向设置；磁悬浮晶圆工作台包括磁悬浮工作台、晶圆吸盘和至少三个位置传感器读头；晶圆吸盘和位置传感器读头设置在磁悬浮工作台靠近量测光学系统的表面；位置传感器读头沿晶圆吸盘的周向方向设置；在对晶圆进行量测时，每个光栅和与光栅对应的一个位置传感器读头进行光信号交互，以测量磁悬浮晶圆工作台的位置信息。本申请能够精确地控制磁悬浮晶圆工作台实现6个自由度运动，从而减少了传递误差，提高了运动精度。

Description

一种量测机台
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域，特别涉及一种量测机台。
背景技术
目前套刻量测系统包括量测光学系统和晶圆工件台两个主要部件。如图1所示，量测光学系统01沿Y方向运动，运动速度为1m/s，加速度为10m/s2，晶圆工件台02沿X方向运动，运动速度为2m/s，加速度为30m/s2，当量测光学系统01和晶圆工件台02运动到对齐的时候，就可以对整个晶圆上的套刻标记进行测量。传统的套刻量测系统XY方向MA(MovingAverage，移动平均)<0.6μm，XY方向MSD(Moving Standard Deviation，移动标准差)<1.3μm。目前套刻机都采用串联直线电机和直驱电机方式来实现量测光学系统01和晶圆工件台02的平面运动。但是这种结构复杂，串联式容易出现信号误差，精度很难提高。而且量测光学系统01处于运动状态，对精密的光学系统造成冲击，还会导致测量偏差随时间增大，需要间隔性精密调教。因此，如何减少传递误差，提高运动精度和降低测量偏差，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种量测机台，从而减少传递误差，提高运动精度和降低测量偏差。
为实现上述目的，本申请提供了一种量测机台，包括：量测光学系统、磁悬浮晶圆工作台和至少三个光栅；
所述量测光学系统和所述光栅位于所述磁悬浮晶圆工作台的上方；所述量测光学系统的位置固定；所述光栅沿所述量测光学系统的周向方向设置；
所述磁悬浮晶圆工作台包括磁悬浮工作台、晶圆吸盘和至少三个位置传感器读头；所述晶圆吸盘和所述位置传感器读头设置在所述磁悬浮工作台靠近所述量测光学系统的表面；所述位置传感器读头沿所述晶圆吸盘的周向方向设置；
在对晶圆进行量测时，每个所述光栅和与所述光栅对应的一个所述位置传感器读头进行光信号交互，以测量所述磁悬浮晶圆工作台的位置信息。
可选的，所述量测机台，包括：四个所述光栅和四个所述位置传感器读头；各所述光栅关于所述量测光学系统的中心对称；各所述位置传感器读头关于所述晶圆吸盘的中心对称。
可选的，所述量测机台，还包括：晶圆交接位光栅；所述晶圆交接位光栅设置在靠近所述磁悬浮晶圆工作台的两个所述光栅的一侧；
在对所述晶圆进行交接时，靠近所述磁悬浮晶圆工作台的两个所述光栅分别和靠近所述光栅的两个所述位置传感器读头进行光信号交互，所述晶圆交接位光栅和剩余的两个所述位置传感器读头中的一个进行光信号交互，以测量所述磁悬浮晶圆工作台的位置信息。
可选的，所述磁悬浮工作台包括工作台电机、永磁体和基座；所述工作台电机中设置有电磁铁；所述基座位于所述工作台电机的下方；所述永磁体设置在所述基座靠近所述工作台电机的表面；所述永磁体的尺寸大于等于所述工作台电机的运动区域的尺寸。
可选的，所述永磁体包括多个S极永磁体和多个N极永磁体；各所述S极永磁体和各所述N极永磁体交替排布。
可选的，所述光栅靠近所述磁悬浮晶圆工作台的表面设置有零位标记。
可选的，所述磁悬浮晶圆工作台靠近所述量测光学系统的表面设置有校准标记。
可选的，所述校准标记包括对准标记、基于微衍射的套刻标记、基于微衍射的聚焦标记和关键尺寸标记中的任意一项或多项。
可选的，所述校准标记设置在所述位置传感器读头和所述晶圆吸盘之间。
可选的，所述量测光学系统嵌入在主基板内；所述主基板固定在整机框架上；所述光栅沿所述量测光学系统的周向方向设置在所述主基板靠近所述磁悬浮晶圆工作台的表面。
显然，本申请在保持量测光学系统不动的情况下，采用磁悬浮晶圆工作台替换传统的串联直线电机和直驱电机方式，采用光栅分别控制磁悬浮晶圆工作台上的位置传感器读头，基于光栅衍射原理可以测量得到磁悬浮晶圆工作台精确的6个自由度位置信息，从而精确地控制磁悬浮晶圆工作台实现6个自由度运动，进而减少了传递误差，提高了运动精度；同时能够避免量测光学系统处于运动状态导致测量偏差，从而降低了测量偏差。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为传统套刻量测系统中量测光学系统和晶圆工件台的运动方向示意图；
图2为本申请实施例提供的一种量测机台的结构图；
图3为本申请实施例提供的工作台电机中电磁铁的布局示意图；
图4为本申请实施例提供的永磁体的布局示意图；
图5为本申请实施例提供的校准标记的布局示意图；
图6为本申请实施例提供的磁悬浮晶圆工件台与光栅的位置关系示意图；
图7为本申请实施例提供的量测光学系统和光栅的仰视图；
图8为本申请实施例提供的沿X或Y方向移动时位置传感器读头与光栅进行光信号交互的示意图；
图9为本申请实施例提供的沿Z方向移动时位置传感器读头与光栅进行光信号交互的示意图。
附图标记说明如下：
01-传统套刻量测系统中的量测光学系统；02-传统套刻量测系统中的晶圆工件台；
1-量测光学系统；
211-工作台电机；2111-电磁铁；212-永磁体；213-基座；22-晶圆吸盘；23-位置传感器读头；231-第一位置传感器读头；232-第二位置传感器读头；233-第三位置传感器读头；234-第四位置传感器读头；241-对准标记；242-基于微衍射的套刻标记；243-基于微衍射的聚焦标记；244-关键尺寸标记；
3-光栅；31-第一光栅；32-第二光栅；33-第三光栅；34-第四光栅；
4-晶圆交接位光栅；
5-主基板；6-整机框架。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
请参考图2，图2为本申请实施例提供的一种量测机台的结构图。该量测机台，可以包括：量测光学系统1、磁悬浮晶圆工作台和至少三个光栅3；
量测光学系统1和光栅3位于磁悬浮晶圆工作台的上方；量测光学系统1的位置固定；光栅3沿量测光学系统1的周向方向设置；
磁悬浮晶圆工作台包括磁悬浮工作台、晶圆吸盘22和至少三个位置传感器读头23；晶圆吸盘22和位置传感器读头23设置在磁悬浮工作台靠近量测光学系统1的表面；位置传感器读头23沿晶圆吸盘22的周向方向设置；
在对晶圆进行量测时，每个光栅3和与光栅3对应的一个位置传感器读头23进行光信号交互，以测量磁悬浮晶圆工作台的位置信息。
需要说明的是，本实施例中光栅3和位置传感器读头23一一对应，光栅3只和与其对应的位置传感器读头23之间进行光信号交互。光信号交互过程为：在光栅3对应的区域内，位置传感器读头23向对应的光栅3发射参考光和测量光，参考光和测量光经过光栅3的衍射后生成正负一阶光，光栅3将正负一阶光反射回位置传感器读头23。产生的正负一阶光在位置传感器读头23中进行干涉形成测量干涉光和参考干涉光，将测量干涉光和参考干涉光输入光电转换单元转换成测量干涉电信号和参考干涉电信号后，再输入到电子信号处理部件解析出磁悬浮晶圆工作台的位置信息。
本实施例并不限定光栅3和位置传感器读头23的具体数量，只要保证能够测量磁悬浮晶圆工作台的6个自由度(X，Y，Z，Rx，Ry，Rz)位置信息即可，例如为了保证测量得到的位置信息更准确，本实施例中量测机台可以包括：四个光栅3和四个位置传感器读头23；各光栅3关于量测光学系统1的中心对称；各位置传感器读头23关于晶圆吸盘22的中心对称。进一步的，在对晶圆进行交接时，即当磁悬浮晶圆工作台沿着如图7所示的晶圆交接方向移动时，为了能够得到磁悬浮晶圆工作台精确的位置信息，从而精确地控制磁悬浮晶圆工作台运动，本实施例中量测机台还可以包括：晶圆交接位光栅4；晶圆交接位光栅4设置在靠近磁悬浮晶圆工作台的两个光栅3的一侧；在对晶圆进行交接时，靠近磁悬浮晶圆工作台的两个光栅3分别和靠近光栅3的两个位置传感器读头23进行光信号交互，晶圆交接位光栅4和剩余的两个位置传感器读头23中的一个进行光信号交互，以测量磁悬浮晶圆工作台的位置信息。需要说明的是，晶圆交接位光栅4具体控制剩余的两个位置传感器读头23中的哪一个，可根据晶圆交接位光栅4具体的位置确定。
本实施例并不限定磁悬浮工作台的具体结构，只要保证磁悬浮晶圆工作台能够实现磁悬浮运动即可，例如磁悬浮工作台可以包括工作台电机211、永磁体212和基座213；工作台电机211中设置有电磁铁2111；基座213位于工作台电机211的下方；永磁体212设置在基座213靠近工作台电机211的表面；永磁体212的尺寸大于等于工作台电机211的运动区域的尺寸。需要说明的是，当工作台电机211中的电磁铁2111通电后，与基座213上的永磁体212之间会产生洛伦兹力，基于该洛伦兹力驱动磁悬浮晶圆工作台运动。本实施例并不限定工作台电机211中电磁铁2111的具体排布方式，只要保证当工作台电机211中的电磁铁2111通电后能够具有磁性即可，例如电磁铁2111可以采用蜿蜒曲折的排布方式，如图3所示。本实施例并不限定永磁体212的具体结构，只要保证永磁体212能够长期保持磁性即可，例如为了便于控制磁悬浮晶圆工作台的移动方向，永磁体212可以包括多个S极永磁体212和多个N极永磁体212；各S极永磁体212和各N极永磁体212交替排布，如图4所示。
本实施例并不限定量测光学系统1的具体固定方式，只要能够保证量测光学系统1的位置固定即可，例如量测光学系统1可以嵌入在主基板5内；主基板5固定在整机框架6上。进一步的，本实施例中光栅3可以沿量测光学系统1的周向方向设置在主基板5靠近磁悬浮晶圆工作台的表面。
进一步的，本实施例中光栅3靠近磁悬浮晶圆工作台的表面可以设置有零位标记。需要说明的是，光栅干涉测量法是一种相对测量方法，需要知道绝对位置，所以要定义一个零位。本实施例在光栅3上刻蚀零位标记，将该标记作为绝对零位，可以根据这个绝对零位，测量得到绝对坐标系的位置。
进一步的，本实施例中磁悬浮晶圆工作台靠近量测光学系统1的表面可以设置有校准标记。需要说明的是，量测光学系统1内部可能存在控制马达移动偏差和光波长偏移等漂移问题，这些漂移问题会降低套刻测量的准确性。在磁悬浮晶圆工作台上增加了校准标记后，可以通过量测光学系统1识别校准标记，获取相应的性能参数(例如套刻数值，最佳焦点位置，关键尺寸数值等参数)，将获取到的性能参数与标准性能参数对比，当检测到获取到的性能参数未处于标准性能参数范围内时，对量测光学系统1进行修正直至获取到的性能参数处于标准性能参数范围内，实现对量测光学系统1性能的监控和校准，从而保证套刻测量的准确性。本实施例并不限定校准标记的具体数量和具体种类，例如校准标记可以包括对准标记241、基于微衍射的套刻标记242、基于微衍射的聚焦标记243和关键尺寸标记244中的任意一项或多项。需要说明的是，通过对准标记241，可以实现对磁悬浮晶圆工作台倾斜的确认；通过基于微衍射的套刻(micro Diffraction Based Overlay，uDBO)标记242，基于微衍射的聚焦(micro Diffraction Based Focus，uDBF)标记243和关键尺寸(Critical Dimension，CD)标记244等标记，可实现对机台性能的确认和校准。在每次对产品进行量测前，利用量测光学系统1识别校准标记，识别不同的校准标记获取不同的性能参数，通过判断该性能参数是否处于标准性能参数范围内，来确定是否需要对量测光学系统1进行校准。本实施例并不限定校准标记的具体位置，只要保证量测光学系统1能够识别到校准标记即可，例如校准标记可以设置在位置传感器读头23和晶圆吸盘22之间。
基于上述实施例，本申请在保持量测光学系统1不动的情况下，采用磁悬浮晶圆工作台替换传统的串联直线电机和直驱电机方式，采用光栅3分别控制磁悬浮晶圆工作台上的位置传感器读头23，基于光栅3衍射原理可以测量得到磁悬浮晶圆工作台精确的6个自由度位置信息，从而精确地控制磁悬浮晶圆工作台实现6个自由度运动，进而减少了传递误差，提高了运动精度；同时能够避免量测光学系统1处于运动状态导致测量偏差，从而降低了测量偏差。
本申请实施例提供的另一种量测机台，可以包括：量测光学系统1、磁悬浮晶圆工作台、四个光栅3和晶圆交接位光栅4；
量测光学系统1和光栅3位于磁悬浮晶圆工作台的上方；量测光学系统1的位置固定；光栅3沿量测光学系统1的周向方向设置；各光栅3关于量测光学系统1的中心对称；晶圆交接位光栅4设置在靠近磁悬浮晶圆工作台的两个光栅3的一侧；
磁悬浮晶圆工作台包括磁悬浮工作台、晶圆吸盘22和四个位置传感器读头23；磁悬浮晶圆工作台靠近量测光学系统1的表面设置有校准标记；晶圆吸盘22和位置传感器读头23设置在磁悬浮工作台靠近量测光学系统1的表面；位置传感器读头23沿晶圆吸盘22的周向方向设置；各位置传感器读头23关于晶圆吸盘22的中心对称；
在对晶圆进行量测时，每个光栅3和与光栅3对应的一个位置传感器读头23进行光信号交互，以测量磁悬浮晶圆工作台的位置信息；
在对晶圆进行交接时，靠近磁悬浮晶圆工作台的两个光栅3分别和靠近光栅3的两个位置传感器读头23进行光信号交互，晶圆交接位光栅4和剩余的两个位置传感器读头23中的一个进行光信号交互，以测量磁悬浮晶圆工作台的位置信息。
基于上述实施例，本申请在保持量测光学系统1不动的情况下，采用磁悬浮晶圆工作台替换传统的串联直线电机和直驱电机方式，采用光栅3分别控制磁悬浮晶圆工作台上的位置传感器读头23，在对晶圆进行量测时和在对晶圆进行交接时均可以基于光栅3衍射原理测量得到磁悬浮晶圆工作台精确的6个自由度位置信息，从而精确地控制磁悬浮晶圆工作台实现6个自由度运动，进而减少了传递误差，提高了运动精度；同时能够避免量测光学系统1处于运动状态导致测量偏差，从而降低了测量偏差；此外通过磁悬浮晶圆工作台上添加校准标记，可以实现对量测光学系统1性能的在线监控和在线校准，从而保证套刻测量的准确性。
下面结合具体的实例说明上述量测机台的工作原理。
请参考图2，图2为本申请实施例提供的一种量测机台的结构图。该量测机台，包括：量测光学系统1、磁悬浮晶圆工作台、四个光栅3(包括第一光栅31、第二光栅32、第三光栅33和第四光栅34)、晶圆交接位光栅4、主基板5和整机框架6；
量测光学系统1和光栅3位于磁悬浮晶圆工作台的上方；量测光学系统1嵌入在主基板5内；主基板5固定在整机框架6上；光栅3沿量测光学系统1的周向方向设置在主基板5的下表面；各光栅3关于量测光学系统1的中心对称；晶圆交接位光栅4设置在第四光栅34的一侧；
磁悬浮晶圆工作台包括磁悬浮工作台、晶圆吸盘22、四个位置传感器读头23(包括第一位置传感器读头231、第二位置传感器读头232、第三位置传感器读头233和第四位置传感器读头234)；晶圆吸盘22和位置传感器读头23设置在磁悬浮晶圆工作台的上表面；磁悬浮晶圆工作台的上表面设置有校准标记(包括对准标记241、基于微衍射的套刻标记242、基于微衍射的聚焦标记243和关键尺寸标记244)；校准标记设置在位置传感器读头23和晶圆吸盘22之间，如图5所示；位置传感器读头23沿晶圆吸盘22的周向方向设置；各位置传感器读头23关于晶圆吸盘22的中心对称；磁悬浮工作台包括工作台电机211、永磁体212和基座213；工作台电机211中设置有电磁铁2111；基座213位于工作台电机211的下方；永磁体212设置在基座的上表面；永磁体212覆盖整个磁悬浮晶圆工作台的运动区域。
请参考图6，图6为本申请实施例提供的磁悬浮晶圆工件台与光栅的位置关系示意图。在对晶圆进行量测时，磁悬浮晶圆工作台上的第一位置传感器读头231在第一光栅31区域内与第一光栅31进行光信号交互，第二位置传感器读头232在第二光栅32区域内与第二光栅32进行光信号交互，第三位置传感器读头233在第三光栅33区域内与第三光栅33进行光信号交互，第四位置传感器读头234在第四光栅34区域内与第四光栅34进行光信号交互，此时为四读头控制模式，以测量磁悬浮晶圆工作台的位置信息。本实施例中磁悬浮晶圆工作台的速度可以达到1.5m/s，加速度可以达到35m/s2。XY方向MA<2.5nm，XY方向MSD<5.0nm。与传统的套刻量测系统相比，在速度相近的情况下，控制精度提高了300倍。
请参考图7，图7为本申请实施例提供的量测光学系统和光栅的仰视图。在对晶圆进行交接时，磁悬浮晶圆工作台上的第二位置传感器读头232在第一光栅31区域内与第一光栅31进行光信号交互，第三位置传感器读头233在第四光栅34区域内与第四光栅34进行光信号交互，第四位置传感器读头234在晶圆交接位光栅4区域内与晶圆交接位光栅4进行光信号交互，以测量磁悬浮晶圆工作台的位置信息。
请参考图8和图9，图8为本申请实施例提供的沿X或Y方向移动时位置传感器读头与光栅进行光信号交互的示意图；图9为本申请实施例提供的沿Z方向移动时位置传感器读头与光栅进行光信号交互的示意图。每个位置传感器读头23内有两路测量光(包括第一测量光A和第二测量光B)和一路参考光C，在光栅3对应的区域内，位置传感器读头23向对应的光栅3发射参考光和测量光，参考光和测量光经过光栅3的衍射后生成正负一阶光，光栅3将正负一阶光反射回位置传感器读头23。根据产生的正负一阶光可以解析出磁悬浮晶圆工作台的位置信息。如图8和图9所示，如果沿水平方向运动(X，Y方向)正负一阶光信息一样，如果沿垂直方向运动(Z方向)正负一阶光信息相反。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，且各个实施例间为递进关系，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其它要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种量测机台，其特征在于，包括：量测光学系统、磁悬浮晶圆工作台和至少三个光栅；
所述量测光学系统和所述光栅位于所述磁悬浮晶圆工作台的上方；所述量测光学系统的位置固定；所述光栅沿所述量测光学系统的周向方向设置；
所述磁悬浮晶圆工作台包括磁悬浮工作台、晶圆吸盘和至少三个位置传感器读头；所述晶圆吸盘和所述位置传感器读头设置在所述磁悬浮工作台靠近所述量测光学系统的表面；所述位置传感器读头沿所述晶圆吸盘的周向方向设置；
在对晶圆进行量测时，每个所述光栅和与所述光栅对应的一个所述位置传感器读头进行光信号交互，以测量所述磁悬浮晶圆工作台的位置信息。
2.根据权利要求1所述的量测机台，其特征在于，包括：四个所述光栅和四个所述位置传感器读头；各所述光栅关于所述量测光学系统的中心对称；各所述位置传感器读头关于所述晶圆吸盘的中心对称。
3.根据权利要求2所述的量测机台，其特征在于，还包括：晶圆交接位光栅；所述晶圆交接位光栅设置在靠近所述磁悬浮晶圆工作台的两个所述光栅的一侧；
在对所述晶圆进行交接时，靠近所述磁悬浮晶圆工作台的两个所述光栅分别和靠近所述光栅的两个所述位置传感器读头进行光信号交互，所述晶圆交接位光栅和剩余的两个所述位置传感器读头中的一个进行光信号交互，以测量所述磁悬浮晶圆工作台的位置信息。
4.根据权利要求1所述的量测机台，其特征在于，所述磁悬浮工作台包括工作台电机、永磁体和基座；所述工作台电机中设置有电磁铁；所述基座位于所述工作台电机的下方；所述永磁体设置在所述基座靠近所述工作台电机的表面；所述永磁体的尺寸大于等于所述工作台电机的运动区域的尺寸。
5.根据权利要求4所述的量测机台，其特征在于，所述永磁体包括多个S极永磁体和多个N极永磁体；各所述S极永磁体和各所述N极永磁体交替排布。
6.根据权利要求1所述的量测机台，其特征在于，所述光栅靠近所述磁悬浮晶圆工作台的表面设置有零位标记。
7.根据权利要求1所述的量测机台，其特征在于，所述磁悬浮晶圆工作台靠近所述量测光学系统的表面设置有校准标记。
8.根据权利要求7所述的量测机台，其特征在于，所述校准标记包括对准标记、基于微衍射的套刻标记、基于微衍射的聚焦标记和关键尺寸标记中的任意一项或多项。
9.根据权利要求7所述的量测机台，其特征在于，所述校准标记设置在所述位置传感器读头和所述晶圆吸盘之间。
10.根据权利要求1所述的量测机台，其特征在于，所述量测光学系统嵌入在主基板内；所述主基板固定在整机框架上；所述光栅沿所述量测光学系统的周向方向设置在所述主基板靠近所述磁悬浮晶圆工作台的表面。
CN202311048736.1A 2023-08-18 2023-08-18 一种量测机台 Pending CN117055298A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311048736.1A CN117055298A (zh) 2023-08-18 2023-08-18 一种量测机台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311048736.1A CN117055298A (zh) 2023-08-18 2023-08-18 一种量测机台

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117055298A true CN117055298A (zh) 2023-11-14

Family

ID=88658552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311048736.1A Pending CN117055298A (zh) 2023-08-18 2023-08-18 一种量测机台

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117055298A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117289562A (zh) * 2023-11-22 2023-12-26 全芯智造技术有限公司 用于仿真套刻标记的方法、设备和介质

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117289562A (zh) * 2023-11-22 2023-12-26 全芯智造技术有限公司 用于仿真套刻标记的方法、设备和介质
CN117289562B (zh) * 2023-11-22 2024-02-13 全芯智造技术有限公司 用于仿真套刻标记的方法、设备和介质

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100818581B1 (ko) 스테이지 장치
JP4832570B2 (ja) デュアルステージ交換露光における精確位置決めシステム
KR101969267B1 (ko) 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR102203305B1 (ko) 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JP6496734B2 (ja) 半導体検査およびリソグラフィシステムのためのステージ装置
CN117055298A (zh) 一种量测机台
WO2018055755A1 (ja) 位置検出装置及びそれを備えたリニアコンベア装置
US9979262B2 (en) Positioning device in gantry type of construction having a position-measurement device for measuring the position of a carriage relative to a cross-member
CN103543613A (zh) 一种动铁式无线缆的六自由度磁浮运动平台
CN102564303B (zh) 一种测量装置及方法
KR20120031075A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20130095208A (ko) 부품에 대한 가공 기구 위치 정렬 장치 및 방법
CN101067726A (zh) 精密加工设备的提高重复精度的工件台结构及方法
CN112003501B (zh) 干扰磁场下电机正弦误差的出力补偿方法及装置
KR102592792B1 (ko) 대상물 로딩 프로세스를 캘리브레이션하는 스테이지 장치 및 방법
TWI482400B (zh) Location detection method for linear motors
KR102533278B1 (ko) 위치감측기구
CN108663907B (zh) 基底台系统、光刻设备和光刻方法
CN109728752B (zh) 一种磁对准方法及一种磁浮电机
CN112731797B (zh) 一种平面电机运动控制方法、装置及系统
US20230221658A1 (en) Machine measurement metrology frame for a lithography system
CN115236950A (zh) 运动台的定位系统及光刻设备
CN108121165B (zh) 粗动台防转装置和粗动台组件
TW201643557A (zh) 曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法
JPH10339785A (ja) 摺動体の支持装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination