CN117043972A - 发光模组、发光模组的制造方法及显示装置 - Google Patents

发光模组、发光模组的制造方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117043972A
CN117043972A CN202180005869.3A CN202180005869A CN117043972A CN 117043972 A CN117043972 A CN 117043972A CN 202180005869 A CN202180005869 A CN 202180005869A CN 117043972 A CN117043972 A CN 117043972A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
emitting module
wiring
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180005869.3A
Other languages
English (en)
Inventor
曾志洋
林振端
陈伟鸿
时军朋
王杰凌
邱亚新
陈清河
洪崇得
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei San'an Photoelectric Co ltd
Original Assignee
Hubei San'an Photoelectric Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hubei San'an Photoelectric Co ltd filed Critical Hubei San'an Photoelectric Co ltd
Publication of CN117043972A publication Critical patent/CN117043972A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请公开了一种发光模组、发光模组的制造方法及显示装置，该发光模组包括间隔布置的多个发光元件，每个发光元件的厚度小于等于15μm；填充层填充于相邻发光元件之间；布线层形成于多个发光元件上，并用于与发光元件电连接；导电焊盘形成于布线层远离发光元件的一侧，并与布线层电连接；其中，填充层含有黑色填充成分，黑色填充成分的粒径小于等于发光元件厚度的1/10，或者，黑色填充成分的粒径小于等于1μm。

Description

发光模组、发光模组的制造方法及显示装置 技术领域
本申请涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种发光模组、发光模组的制造方法及显示装置。
 背景技术
发光二极管由于可靠性高、寿命长、功耗低的特点，广泛应用于显示装置、车辆用灯具、普通照明灯等多个领域，例如，发光二极管可作为各种显示装置的背光光源。为了对发光二极管进行有效的机械保护，常常对发光二极管进行封装并形成发光模组，其能够加强散热性，提高出光效率，优化光束分布。但是，以现有方法所得到的发光模组的可靠性比较差，如何得到一种可靠性高的发光模组仍然是一个难题。
 技术解决方案
根据本申请公开的一实施例的发光模组可以包括：间隔布置的多个发光元件，每个发光元件的厚度小于等于15μm；填充层填充于相邻发光元件之间；布线层形成于多个发光元件上，并用于与发光元件电连接；导电焊盘形成于布线层远离发光元件的一侧，并与布线层电连接；其中，填充层含有黑色填充成分，黑色填充成分的粒径小于等于发光元件厚度的1/10，或者，黑色填充成分的粒径小于等于1μm。
根据本申请公开的又一实施例的发光模组可以包括：间隔布置的多个发光元件；布线层形成于多个发光元件上，并用于与发光元件电连接；导电焊盘形成于布线层远离发光元件的一侧，并与布线层电连接，导电焊盘的厚度大于5μm；其中，布线层和导电焊盘直接接触。
根据本申请公开的又一实施例的发光模组可以包括：间隔布置多个发光元件；布线层形成于多个发光元件上，并用于与发光元件电连接；导电焊盘形成于布线层远离发光元件的一侧，并与布线层电连接；其中，布线层具有第一区域和第二区域，第一区域为与导电焊盘在垂直方向上重叠的区域，第二区域为连接第一区域和发光元件的区域，第一区域和第二区域之间具有第一区域和第二区域的连接位置，第一区域和第二区域的连接位置的长度大于20μm，或者第一区域和第二区域的连接位置的长度为导电焊盘任意一边的长度的40%以上。
根据本申请公开的又一实施例的发光模组可以包括：间隔布置的多个发光元件；填充层填充于相邻发光元件之间；布线层形成于多个发光元件上，并用于与发光元件电连接；导电焊盘形成于布线层远离发光元件的一侧，并与布线层电连接；粘附层位于发光元件和填充层之间。
根据本申请公开的又一实施例的发光模组可以包括：间隔布置的多个发光元件；布线层形成于多个发光元件上，并用于与发光元件电连接；导电焊盘形成于布线层远离发光元件的一侧，并与布线层电连接；封装层位于导电焊盘的周边；保护焊盘形成于封装层远离发光元件的一侧，并位于发光模组的顶针作业区域。
根据本申请公开的又一实施例的发光模组可以包括：间隔布置多个发光元件；布线层形成于多个发光元件上，并用于与发光元件电连接；导电焊盘形成于布线层远离发光元件的一侧，并与布线层电连接；导电保护层位于导电焊盘与布线层之间。
根据本申请公开的又一实施例的发光模组的制造方法可以包括如下步骤：提供第一透明层；在第一透明层的表面上固定间隔布置的多个发光元件；在发光元件的周围形成填充层；在填充层上制作布线层；在布线层上形成导电焊盘，导电焊盘的厚度大于等于5μm，并直接接触布线层；在导电焊盘周围形成封装层。
 附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请中第一实施例所示出的一种发光模组的平面图；
图2为沿图1中的A-A’线的剖面图；
图3为本申请中第二实施例所示出的一种发光模组的剖面图；
图4为本申请中第二实施例所示出的一种发光模组的剖面图；
图5为本申请中第三实施例所示出的一种发光模组的剖面图；
图6为本申请中第四实施例所示出的一种发光模组的制造方法的流程图；
图7a~图15为本申请中第四实施例所示出的发光模组的各个制造流程的剖面图和部分对应制造流程的平面图；
图16为本申请中第五实施例所示出的一种发光模组的平面图；
图17是图16省略导电焊盘便于标注布线层的平面图；
图18为本申请中第六实施例所示出的一种发光模组的剖面图；
图19为本申请中第六实施例所示出的一种发光模组的剖面图；
图20为本申请中第七实施例所示出的一种发光模组的平面图；
图21为本申请中第七实施例所示出的一种发光模组的平面图。
图示说明：
100 透明层；1001 第一透明层；1002 第二透明层；200 发光元件；201 第一发光元件；202 第二发光元件；203 第三发光元件；210 填充层；300 布线层； 3000 总布线层；3001 第一区域；3002 第二区域；3003 第三区域；3004第一区域和第二区域的连接位置；301 第一子布线；302 第二子布线；303 第三子布线；304 第四子布线；310第一层；320第二层；330绝缘层；400 导电保护层；500 导电焊盘；501 第一焊盘；502 第二焊盘；503 第三焊盘；504 第四焊盘；510 导电层；520 粘合层；530 保护层；540 共晶层；600 封装层；700 种子层；800 保护焊盘。
 本发明的实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”和“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
实施例一
图1为用于说明本申请的第一实施例的发光模组的示意性的平面图，图2是沿图1的截取线A‑A’截取的示意性的剖视图。
参见图1和图2，该发光模组包括间隔布置且具有不同波长范围的多个发光元件200，相邻发光元件200之间的间隙填充有填充层210，以使相邻发光元件200之间电性隔离。布线层300形成于多个发光元件200上，并用于与发光元件200电连接。导电焊盘500形成于布线层300远离发光元件200的一侧，并通过布线层300与发光元件200电连接。
在一种实施方式中，发光元件200主要指的是微米级的发光二极管，其宽度和长度的范围为2~5μm、5~10μm、10~20μm、20~50μm或50~100μm，其厚度范围为2~15μm，优选为5~10μm。在本实施例，发光模组包括第一发光元件201、第二发光元件202以及第三发光元件203。
具体地，每个发光元件200均包括半导体堆叠层，半导体堆叠层可以包括顺序排列的第一半导体层、第二半导体层以及设置在两者之间的有源层，其中，第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层，有源层为多层量子阱层，其可提供红光或者绿光或者蓝光的辐射。N型半导体层、多层量子阱层、P型半导体层仅是发光元件200的基本构成单元，在此基础上，发光元件200还可以包括其他对发光元件200的性能具有优化作用的功能结构层。
第一发光元件201、第二发光元件202和第三发光元件203分别辐射不同波长范围的光线，例如第一发光元件201辐射蓝光光线，第二发光元件202辐射绿光光线，第三发光元件203辐射红光光线。在一实施例中，不同的发光元件200可以具有不同的半导体堆叠层，从而直接辐射不同波长范围的光线，半导体堆叠层的具体材料根据辐射光线的波长来选择，其包括但不限于是砷化铝镓、磷砷化镓、磷化铝镓铟、氮化镓、氮化铟镓、硒化锌或磷化镓。在另一实施例中，不同的发光元件200可以具有相同的半导体堆叠层，例如，第一发光元件201、第二发光元件202和第三发光元件203中的半导体堆叠层均辐射蓝光光线，并在第二发光元件202的出光面设置波长转换层将辐射的蓝光光线转换成绿光光线，在第三发光元件203的出光面设置波长转换层将辐射的蓝光光线转换成红光光线。
每个发光元件200还包括第一电极和第二电极。半导体堆叠层具有暴露出第一半导体层的台面，第一电极形成在台面上并与第一半导体层电连接，第二电极形成在第二半导体层上并与第二半导体层电连接。
较佳地，发光元件200之间的厚度差小于等于5μm，可有效提高发光模组转印至后续描述的透明层100上的转印良率，以提高发光模组的出光效果。
在一种实施方式中，参见图1和图2，发光模组还包括透明层100，发光元件200设置在透明层100上，透明层100远离发光元件200的一面为发光模组的出光面，即发光元件200出射的光均通过透明层100向外部出射。透明层100在可见光范围内具有60%以上的透光率。
在一种实施方式中，参见图2，透明层100包括第一透明层1001和第二透明层1002，第二透明层1002位于第一透明层1001和发光元件200之间。
第一透明层1001可选自玻璃、透明陶瓷、蓝宝石等无机透光性材料。较佳地，发光模组需要具有一定的厚度以便于客户端使用，因此第一透明层1001的厚度优选大于10μm，具体优选为30μm~50μm、50μm~100μm或100μm~300μm。
第二透明层1002位于第一透明层1001和发光元件200之间，以使发光元件200可通过第二透明层1002粘附于第一透明层1001上。第二透明层1002可完全覆盖第一透明层1001的整个表面，然而并不局限于此，也可以是仅位于发光元件200下方，使得发光元件200能够通过第二透明层1002粘附于透明层1001。
不同发光元件200通常具有不同的厚度，通过在第一透明层1001和发光元件200之间设置第二透明层1002，减少了各个发光元件200出光面的高度差，使得自发光元件200侧面出射的光尽可能被下文所描述的填充层210吸收，可提高发光模组的对比度。第二透明层1002的厚度优选为1μm~15μm或者3μm~10μm。若第二透明层1002的厚度大于15μm，发光元件200的对位精度可能受到影响。
作为可替换的实施方式，由于蓝宝石等无机透光性材料的成本较高，且制备工艺复杂，第一透明层1001也可选自成本较低的热固性的有机材料，例如环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺等。在一实施例中，第一透明层1001可为由二氧化锆、氧化硅、氧化铝、氮化硼等纳米粒子分散于环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺等透光性有机材料而形成的构件，其中，二氧化锆、氧化硅、氧化铝、氮化硼等纳米粒子可提高第一透明层1001的强度。另外，通过调节二氧化锆、氧化硅、氧化铝、氮化硼等纳米粒子的含量可调整发光模组的对比度。在一实施例中，第一透明层1001为热固性的有机材料时，第二透明层1002可忽略。
在一个实施方式中，参见图1和图2，发光模组还包括填充层210，填充层210填充于相邻发光元件200之间或者发光元件200侧壁周围，可防止相邻发光元件200之间的混色或者光干涉，以提高发光模组的对比度。填充层210被提供为吸收光的黑色胶层。
发光元件200的厚度范围优选为2~15μm，且相邻发光元件200之间的间距小于50μm，因此，在形成填充层210时优选采用具有良好的流动性的材料进行固化。填充于填充层210内的黑色填充成分的粒径优选为不大于发光元件200厚度的1/10，其可避免出现由于黑色填充成分的粒径过大所导致的填充层210对发光元件200的披覆效果较差，并进而影响发光模组的对比度的问题。填充层210具体可以为由粒径不大于1μm的黑色填充成分分散于硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺、低温玻璃、聚硅氧烷、聚硅氮烷等透明或者半透明的材料中而形成的构件，填充层210中的黑色填充成分包括但不限于是炭黑、氮化钛、氧化铁、四氧化三铁、铁粉等。黑色填充成分的粒径范围优选为10~100nm，或者100~200nm，或者200~300nm，或者300nm~500nm。填充层210也可采用黑色染料。
填充层210至少覆盖发光元件200靠近出光面的侧壁50%以上，优选为覆盖发光元件200全部侧壁，可防止相邻发光元件200之间的混色或者光干涉，以提高发光模组的对比度。作为替换的实施例，填充层210的厚度可以大于发光元件200的厚度，可以防止发光元件200底部漏光导致的光干扰。填充层210的厚度优选为小于15μm。
在一种实施方式中，参照图1和图2，布线层300形成于多个发光元件200之上，并用于与发光元件200电连接。布线层300包括若干布线，且布线层周边填充有绝缘层330，以使相邻布线间电性隔离。
布线层300包括第一子布线301、第二子布线302、第三子布线303和第四子布线304，其中，第一子布线301作为公共布线，第一发光元件201、第二发光元件202和第三发光元件203中的第一电极共同连接至该第一子布线301上，第一发光元件201中的第二电极连接至第二子布线302上，第二发光元件202中的第二电极连接至第三子布线303上，第三发光元件203中的第二电极连接至第四子布线304上。布线层300可一同形成于填充层210上。
或者，第一子布线301作为公共布线，第一发光元件201、第二发光元件202和第三发光元件203中的第二电极共同连接至该第一子布线301上，第一发光元件201中的第一电极连接至第二子布线302上，第二发光元件202中的第一电极连接至第三子布线303上，第三发光元件203中的第一电极连接至第四子布线304上。布线层300可一同形成于填充层210上。
布线层300具有相对的上表面和下表面，其中，布线层300的下表面与填充层210和发光元件200接触，布线层300的上表面用于形成绝缘层330。
布线层300可以为由钛、铜、铬、镍、金、铂、铝、氮化钛、氮化钽或者钽等中的至少一种材料所制成的单层或者多层。在本实施例中，布线层300可以包括第一层310和第二层320，第一层310与发光元件200直接接触，第二层320形成于第一层310之上。第一层310用于将第二层320粘附于发光元件200和填充层210上，第二层320主要起导电作用。第一层310的材料包括但不限于是钛、镍、氮化钛、氮化钽或者钽中的一种或者多种，第二层320的材料包括但不限于是铜、铝或者金中的一种或者多种。布线层300可通过溅射、蒸镀等方式制备。
较佳地，布线层300的厚度优选为50nm~1000nm，其中，第一层310的厚度优选为10 nm~200nm，第二层320的厚度优选为200nm~800nm，第一层310的厚度小于第二层320的厚度。
在一种实施方式中，参见图1和图2，导电焊盘500形成于布线层300远离发光元件200的一侧，并通过布线层300与发光元件200电连接。
导电焊盘500包括第一焊盘501、第二焊盘502、第三焊盘503和第四焊盘504，第一焊盘501作为公共焊盘，第一发光元件201、第二发光元件202和第三发光元件203中的第一电极通过第一子布线301共同连接至该第一焊盘501上，第一发光元件201的第二电极通过第二子布线302连接至第二焊盘502上，第二发光元件202中的第二电极通过第三子布线303连接至第三焊盘503上，第三发光元件203中的第二电极通过第四子布线304连接至第四焊盘504上。
或者，第一焊盘501作为公共焊盘，第一发光元件201、第二发光元件202和第三发光元件203中的第二电极通过第一子布线301共同连接至该第一焊盘501上，第一发光元件201的第一电极通过第二子布线302连接至第二焊盘502上，第二发光元件202中的第一电极通过第三子布线303连接至第三焊盘503上，第三发光元件203中的第一电极通过第四子布线304连接至第四焊盘504上。
在一种实施方式中，导电焊盘500包括导电层510，导电层510可以为由钛、铜、金、铂等中的至少一种材料所制成的单层或多层，其厚度优选为10~50μm，例如20μm、30μm、40μm。
作为可替换的实施方式，导电焊盘500包括依次形成于布线层300之上的导电层510和保护层530。在该发光模组安装于显示装置之前，保护层530完全覆盖导电层510的上表面，能够有效防止导电层510被氧化，并提高发光模组的稳定性；在该发光模组安装于显示装置时，保护层530将会被破坏或去除。保护层530不会对导电焊盘500的结合性与导电性产生影响，其厚度优选为25~50nm。
保护层530可以由金、铂等金属材料所制成，在该发光模组安装于显示装置的过程中，在预设温度下利用焊接材料将导电焊盘500与电路板进行焊接，在焊接过程中，焊接材料流动并产生形变，焊接材料的形变可破坏由金、铂等金属材料所制成的保护层530的完整性。
或者，保护层530可以为OSP等有机材料，在该发光模组安装于显示装置的过程中，在预设温度下利用焊接材料将导电焊盘500与电路板进行焊接，OSP等有机材料在该温度下溶解从而被移除。
较佳地，导电层510和保护层530之间还设置粘合层520。粘合层520可以为由铬、钛、镍、氮化钽、钽等中的至少一种材料所制成的单层或多层。粘合层520的厚度优选为3~5μm。
在一种实施方式中，参见图2，封装层600填充于导电焊盘500的周边，以使相邻子焊盘之间电性隔离。封装层600被提供为吸收光的胶层，具体优选为黑色填充成分分散于硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺、低温玻璃、聚硅氧烷、聚硅氮烷等透明或者半透明的材料中而形成的构件，封装层600中的黑色填充成分包括但不限于是炭黑、氮化钛、氧化铁、四氧化三铁、铁粉等。
由于发光元件200和布线层300的厚度较薄，封装层600优选为具有一定的厚度以保护发光元件200和布线层300免受来自外部因素的损伤，封装层600的厚度优选为大于20μm，此时，导电焊盘500的厚度也大于20μm。封装层600掺有粒径大于1μm的掺杂颗粒，例如二氧化硅，其可加强封装层600的机械性能，从而可以更好地保护发光元件200和布线层300。
较佳地，封装层600远离布线层300的表面与导电焊盘500中的导电层510远离布线层300的表面齐平。
较佳地，导电焊盘500的厚度优选大于等于5μm，其可以采用电镀的方式形成。
在一种实施方式中，参见图2，绝缘层330位于布线层300的上表面，并填充布线层300中的布线周边。绝缘层330开设有位于布线层300上方且用于形成导电焊盘500的通孔。上述通孔的数量与导电焊盘500的数量相同，也就是说一个导电焊盘500对应一个通孔。
绝缘层330可以为由环氧树脂、聚硅氧烷或者光致抗蚀剂等材料所形成的构件，可避免布线层300被氧化，并对不同布线之间进行电性隔离，避免发光模组出现漏电失效的现象。
布线层300的上表面设置有种子层700，种子层700进行导电从而电镀制备导电焊盘500。种子层700可以为由钛、铜、金、铂中的至少一种材料所制成的单层或多层。在本实施例中，种子层700优选为Ti/Cu叠层，其厚度优选为100~2000nm。
实施例二
图3为用于说明本申请的第二实施例的发光模组的示意性的剖视图。与实施例一不同的是：导电焊盘500包括依次形成于布线层300之上的导电层510、粘合层520以及共晶层540。
导电层510可以为由钛、铜、金、铂等中的至少一种材料所制成的单层或多层，其厚度优选为10~50μm，例如20μm、30μm、40μm。
粘合层520位于导电层510和保护层530之间，其可以为由铬、钛、镍、氮化钽、钽等中的至少一种材料所制成的单层或多层。粘合层520的厚度优选为3~5μm。
共晶层540可以为由Sn、SnAg、AuSn等中的至少一种材料所制成的单层或多层，其厚度为10~50nm。共晶层540可有效增加发光模组应用至电路板时的结合力，在应用时无需再次印刷锡膏或者只需刷少量的锡膏，提高了客户端使用便利性。
较佳地，封装层600远离布线层300的表面与导电焊盘500中的共晶层540远离布线层300的表面齐平，使得发光模组的表面变得平整有利于客户端的使用。
较佳地，如图4所示，导电焊盘500还包括设置在共晶层540上的保护层530。在该发光模组安装于显示装置之前，保护层530完全覆盖共晶层540、导电层510的上表面，能够有效防止共晶层540、导电层510被氧化，并提高发光模组的稳定性；在该发光模组安装于显示装置时，保护层530将会被破坏或被去除。保护层530不会对导电焊盘500的结合性与导电性产生影响，其厚度优选为25~50nm。
保护层530可以由金、铂等金属材料所制成，在该发光模组安装于显示装置的过程中，在预设温度下利用焊接材料将导电焊盘500与电路板进行焊接，在焊接过程中，焊接材料流动并产生形变，焊接材料的形变可破坏由金、铂等金属材料所制成的保护层530的完整性。
或者，保护层530可以为OSP等有机材料，在该发光模组安装于显示装置的过程中，在预设温度下利用焊接材料将导电焊盘500与电路板进行焊接，OSP等有机材料在该温度下溶解从而被移除。
实施例三
图5为用于说明本申请的第三实施例的发光模组的示意性的剖面图。
与实施例一或者实施例二的区别是：布线层300上设置有导电保护层400，导电保护层400位于布线层300和导电焊盘500之间，具体优选为位于布线层300和种子层700之间。在形成种子层700或者导电焊盘500之前，布线层300始终处于裸露状态，容易被空气氧化，因此，在导电焊盘500与布线层300之间设置导电保护层400，利用导电保护层400预先对布线层300进行保护，以防止布线层300中用于与种子层700或者导电焊盘500连接的那部分因暴露在空气中而被氧化，进而使得导电焊盘500具有良好的结合性和导电性。
如图5所示，布线层300中用于与导电焊盘500连接的那部分形成有导电保护层400。导电保护层400设在绝缘层330中的通孔内，然不限于此，在另一实施例中，导电保护层400可完全覆盖布线层300。
导电保护层400可以为由镍、金、铂、钛等中的至少一种材料所制成的单层或多层。在本实施例中，导电保护层400优选为Ni/Au叠层。导电保护层400的厚度优选为1~10nm，或者，10~100nm，或者，100~2000nm。导电保护层400可通过溅射、蒸镀等方式制备而成。
较佳地，导电保护层400在垂向上的投影面积大于或者等于导电焊盘500下表面在垂向上的投影面积，以使导电焊盘500的整个下表面均通过导电保护层400与布线层300接触，能够防止与导电焊盘500连接的布线层300被氧化，从而有效提高导电焊盘500的结合性和导电性。若导电保护层400在垂向上的投影面积小于导电焊盘500下表面在垂向上的投影面积，则未被导电保护层400覆盖且需与导电焊盘500连接的布线层300会被氧化，导电焊盘500仍易出现脱落或者与布线层300接触不良的现象，达不到提高导电焊盘500结合性和导电性的效果。
实施例四
本实施例公开了一种发光模组的制造方法。图6为用于说明本申请的第四实施例的发光模组的制造方法的示意性的流程图。
该制造方法包括以下步骤：
提供第一透明层1001；
在第一透明层1001的表面上固定间隔布置的多个发光元件200；
在发光元件200的周围形成填充层210；
在填充层210上制作布线层300；
在布线层300上形成导电焊盘500，导电焊盘500的厚度大于等于5μm，并直接接触布线层300；
在导电焊盘500周围填充封装层600；
进行单一化处理，形成单个发光模组。
下面结合附图进行详细说明。
S1、提供第一透明层1001，该第一透明层1001可参考实施例1进行设置。该第一透明层1001包括第一表面和第二表面，其中，第一表面为出光面。
S2、如图7a和图7b所示，图7b为图7a的B-B’线的剖面图，在第一透明层1001的第二表面上固定一系列由发光元件200构成的阵列。该阵列包括一系列的发光单元，每个发光单元对应于一个像素点，至少包括三个辐射不同波长范围光线的发光元件200。在一个较佳实施例中，该第一透明层1001选用蓝宝石衬底，发光元件200通过一第二透明层1002与第一透明层1001结合。该第二透明层1002可以参考实施例1进行设置。第二透明层1002覆盖第一透明层1001的第二表面上。
S3、如图8所示，在发光元件200的周围形成填充层210，填充层210填充于相邻发光元件200之间或者发光元件200侧壁周围。
S4、如图9a和9b所示，图9b为图9a的B-B’线的剖面图，在填充层210上制作总布线层3000。总布线层3000可以包括多个单元化的布线层300，单元化的布线层300按第一方向X排列成列，按第二方向Y排列成行，第一方向和第二方向垂直。参照图9c，图9c为图9b的局部I的放大示意图，单元化的布线层300包括第一子布线301、第二子布线302、第三子布线303以及第四子布线304，第一发光元件201电连接第一子布线301和第二子布线302，第二发光元件202电连接第一子布线301和第三子布线303，第三发光元件203电连接第一子布线301和第四子布线304。每个子布线301~304分别具有第一区域3001、第二区域3002和第三区域3003，其中，第一区域3001为与导电焊盘500在垂直方向上重叠的区域，第二区域3002连接发光元件200和第一区域3001，第三区域3003自第一区域3001向发光模组的边缘延伸。
以第二列第二行的布线层（D22）300为例，展开说明各单元化的布线层之间的连接关系。在此特别说明的是，例如，第一行第一列的单元化的布线层简写为D11、第二行第三列的单元化的布线层简写为D23、第三行第五列的单元化的布线层简写为D35，以此类推。D22的第一子布线301 D22与D12的第四子布线304 D12、D21的第二子布线302 D21以及D21的第三子布线303 D21连接； D22的第二子布线302 D22与D12的第三子布线303 D12、D12的第四子布线304 D12以及D23的第一子布线301 D23连接； D22的第三子布线303 D22与D32的第二子布线302 D32、D23的第一子布线301 D23以及D23的第四子布线304 D23连接； D22的第四子布线303 D22与D21的第三子布线304 D21、D32的第一子布线301 D32以及D32的第二子布线302 D32连接。 其他单元化的布线层300以此类推。各单元化的布线层300按照此连接方式相连使得总布线层3000处在一个互联状态。
S5、如图10a和图10b所示，图10b为图10a的B-B’线的剖面图，在布线层300上形成导电焊盘500。采用电镀的方式在布线层300的第一区域3001形成导电焊盘500，导电焊盘500的厚度大于等于5μm，并直接接触布线层300。
S6、如图11所示，在导电焊盘500的周围填充封装层600，该封装层600可参考实施例1进行设置。
S7、进行单一化处理，形成单个发光模组。
图12显示了采用该方法形成的发光模组的示意性的平面图，对应剖面图参考图13所示。该发光模组包括：第一透明层1001、发光元件200、填充层210、布线层300、导电焊盘500和封装层600，其中布线层300包括第一子布线301、第二子布线302、第三子布线303以及第四子布线304。第一发光元件201电连接第一子布线301和第二子布线302，第二发光元件202电连接第一子布线301和第三子布线303，第三发光元件203电连接第一子布线301和第四子布线304。每个子布线301~304分别具有第一区域3001、第二区域3002和第三区域3003，其中第一区域3001为与导电焊盘500在垂直方向上重叠的区域，第二区域3002连接发光元件200和第一区域3001，第三区域3003自第一区域3001向发光模组的边缘延伸。较佳地，第三区域3003至少包含3根由第一区域3001向发光模组的边缘延伸的引脚305，然不局限于此，第三区域3003只要具有足够向发光模组边缘延伸的区域与相邻的三个发光模组连接即可。且第三区域3003的引脚305的侧面优选为与封装层600的侧面齐平。
第一透明层1001、发光元件200、填充层210、导电焊盘500、封装层600可参照实施例1进行设计。
本实施例所述的制造方法中，对布线层300进行设计，使得其在进行单一化处理前，各个单元化的布线层300形成互联，如此可不用设置种子层即可在各单元化的布线层300中相应的位置上通过电镀等方式形成导电焊盘500，简化了制作工艺。进一步地，在电镀制备导电焊盘500的过程中，可以采用湿法蚀刻布线层300表面，去除布线层300表面的氧化层，使得布线层300与导电焊盘500直接接触，避免了由于布线层300氧化所导致的电性结合不良。
作为可替换的实施例，如图14所示，封装层600覆盖布线层300的侧壁，可以避免裸露在发光模组边缘的布线层300氧化导致电性不良。
作为可替换的实施例，如图15所示，可以将布线层300向边缘延伸的引脚305进行部分蚀刻，以避免裸露在发光模组边缘的布线层300氧化所导致的电性不良。
实施例五
图16显示了根据本申请的第五实施例的发光模组的示意性的平面图，对应剖面图参考图13所示。图17为图16中省略导电焊盘500便于标注布线层300的示意性的平面图。该发光模组包括：第一透明层1001、发光元件200、填充层210、布线层300、导电焊盘500和封装层600。其中第一透明层1001、发光元件200、填充层210、导电焊盘500、封装层600可以根据需求参照前述各实施例进行设计。
参照图16和图17，布线层300可以包括第一区域3001和第二区域3002。第一区域3001为与导电焊盘500在垂直方向上重叠的区域，第二区域3002为连接第一区域3001和发光元件200之间的区域，第一区域3001和第二区域3002之间存在第一区域和第二区域的连接位置3004。由于封装层600和导电焊盘500的热膨胀系数差异较大，导致封装层600和导电焊盘500之间的界面具有残存应力，若第一区域和第二区域的连接位置3004的长度H1过小，第一区域和第二区域的连接位置3004易因残存应力导致第二区域3002处的布线层断裂，使得第一区域3001和第二区域3002之间容易断开，导致导电焊盘500与发光元件200的电连接失效。在本实施例中，第一区域和第二区域的连接位置3004的长度H1优选大于等于20μm，可保证即使第二区域3002处的布线层产生裂缝，仍有一段完整的第二区域3002可与发光元件200保证完整的电连接。
在一个实施例中，第一区域与第二区域的连接位置304的长度H1占导电焊盘500任一边长度H2的40%以上，可保证即使第二区域3002处的布线层产生裂缝，仍有一段完整的第二区域3002可与发光元件200保证完整的电连接。较佳地，第一区域3001与布线层300靠近发光模组的边缘距离小于等于20μm。
为了方便客户端使用，第一焊盘501的形状与第二焊盘502、第三焊盘503、第四焊盘504的形状不一致，其可起到标识作用。在此特别说明的是，上述H1与H2的比值也可以为第一焊盘501中第一区域3001和第二区域3002的连接位置的总长度H1与第一焊盘501相应两条边总长度H2的比值。
实施例六
图18为用于说明本申请的第六实施例的发光模组的示意性的剖面图。
与实施例一至实施例五的区别是：发光模组还包括绝缘性的粘附层220，该粘附层220设置于发光元件200与填充层210之间。由于填充层210与发光元件200之间的结合性较差，在客户端使用过程中发光元件200可能与填充层210出现分离的情况，从而导致发光模组的亮度衰减。因此，在发光元件200与填充层210之间设置粘附层220，其厚度小于等于1μm，优选为5nm~100nm、100nm~300nm或者300nm~600nm。上述粘附层220的厚度较小，不会对发光模组的结构产生影响，且可提高发光元件200与填充层210之间的结合力，避免发光元件200与填充层210之间出现分离的情况。
较佳地，如图18所示，粘附层220为连续层，粘附层220覆盖发光元件200的上表面和侧壁、以及相邻发光元件200之间的间隙，并暴露出发光元件200中的第一电极和第二电极。
作为可替换的实施例，如图19所示，粘附层220为不连续层，粘附层220覆盖部分发光元件200的上表面和侧壁、以及相邻发光元件200之间的间隙，并暴露出发光元件200中的第一电极和第二电极。
在此需特别说明的是，发光元件200中的第一电极和第二电极上可残留有粘附层220，该残留的粘附层220不会对发光模组的导电性产生影响。
实施例七
图20为用于说明本申请的第七实施例的发光模组的示意性的平面图。
与实施例一至实施例六的区别是：发光模组还包括保护焊盘800，保护焊盘800形成于封装层600远离发光元件200的一侧。
保护焊盘800位于发光模组的顶针作业区域。上述顶针作业区域为顶针在封装层600远离发光元件200的表面上作业时范围误差所覆盖的区域，例如为一半径不大于300μm的圆形区域，优选为半径不大于150μm的圆形区域。发光模组在贴片或者固晶到显示面板时，顶针有风险戳破顶针作业区域，从而伤到封装层600下方的发光元件200，从而导致发光模组失效。
通过在发光模组的顶针作业区域增设保护焊盘800，在顶针作用在上述区域时，可有效避免顶针刺破或者顶破封装层600，使封装层600对发光元件200仍具有良好的保护效果，从而避免发光元件200造成损伤，并避免发光模组失效。
较佳地，保护焊盘800不与布线层300电连接。保护焊盘800与导电焊盘500在同一道工序中一起形成，保护焊盘800的材料与导电焊盘500的材料相同。保护焊盘800具有良好的结构强度，在后续贴片或者固晶制程中可选择多样的顶针对其作用，进而提高贴片或者固晶的速度。
在一种实施方式中，参见图20，导电焊盘500环设于保护焊盘800的外围，导电焊盘500朝向保护焊盘800的一侧被配置为弧形，且弧形开口朝向保护焊盘800。将导电焊盘500设置成上述结构，可增大导电焊盘500与保护焊盘800之间的距离，进而避免导电焊盘500与保护焊盘800接触而出现的短接现象。在本实施例中，第一焊盘501、第二焊盘502、第三焊盘503和第四焊盘504中朝向保护焊盘800的一侧均被配置为弧形，且弧形开口均朝向保护焊盘800。
较佳地，第一焊盘501、第二焊盘502、第三焊盘503和第四焊盘504的形状或者尺寸不同，便于识别导电焊盘500的类型，以方便后续确定出切割位置。导电焊盘500的总面积优选为发光模组的面积的20%~70%。
较佳地，参见图20，导电焊盘500与发光模组边缘的距离D 1大于20μm。保护焊盘800与发光模组边缘的距离D 2大于20μm。
较佳地，保护焊盘800与第一焊盘501、第二焊盘502、第三焊盘503和第四焊盘504均间隔设置。
较佳地，多个发光元件包括第一发光元件201、第二发光元件202和第三发光元件203三种，保护焊盘800至少遮挡其下方第二发光元件202的部分区域，或者，保护焊盘800至少遮挡其下方多个发光元件202。
作为可替换的实施例，如图21所示，保护焊盘800可以是第一焊盘501、第二焊盘502、第三焊盘503或者第四焊盘504的一部分，对应焊盘向发光模组的中心区域延伸一部分形成为保护焊盘800以保护发光模组的顶针作业区域，可有效避免顶针刺破或者顶破封装层600。
由以上的技术方案可知，本申请于相邻发光元件200之间形成填充层210，其采用具有良好的流动性的材料固化制成，且填充层210内的黑色填充成分的粒径不大于发光元件200厚度的1/10，可改善填充层210对发光元件200的披覆效果，并提高发光模组的对比度。于导电焊盘500的周边形成封装层600，其具有较大厚度和强度，可保护发光元件200和布线层300免受来自外部因素的损伤。因此，可通过在发光模组的不同位置设置不同的绝缘结构，以同时满足发光模组不同位置的要求，进而使发光模组同时具有高的对比度以及机械性能。
进一步地，导电焊盘500包括保护层530，在发光模组安装于显示装置之前，上述保护层530完全覆盖导电层510的上表面，能够有效防止导电层510被氧化，并提高发光模组的稳定性；在发光模组安装于显示装置时，上述保护层530被破坏或去除，不会对导电焊盘500的结合性与导电性产生影响。
进一步地，导电焊盘500还包括共晶层540，其可有效增加发光模组应用时的结合性，在应用时无需再次印刷锡膏，提高了客户端使用便利性。
进一步地，通过在布线层300与导电焊盘500之间增设导电保护层400，能够有效防止布线层300中用于与导电焊盘500连接的那部分被氧化，并改善因布线层300被氧化所导致的导电焊盘500易脱落或者易出现接触不良的现象，提高了导电焊盘500的结合性和导电性。
进一步地，通过在发光模组的顶针作业区域增设保护焊盘800，在顶针作用在上述区域时，可有效避免顶针刺破或者顶破封装层600，使封装层600对发光元件200仍具有良好的保护效果，从而避免发光元件200造成损伤，并避免发光模组失效。其中，保护焊盘800与导电焊盘500在同一道工序中一起形成，保护焊盘800的材料与导电焊盘500的材料相同。保护焊盘800具有良好的结构强度，在后续贴片或者固晶制程中可选择多样的顶针对其作用，进而提高贴片或者固晶的速度。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。

Claims (25)

  1. 一种发光模组，其特征在于，包括：
    间隔布置的多个发光元件，每个所述发光元件的厚度小于等于15μm；
    填充层，填充于相邻所述发光元件之间；
    布线层，形成于所述多个发光元件上，并用于与所述发光元件电连接；
    导电焊盘，形成于所述布线层远离发光元件的一侧，并与所述布线层电连接；
    其中，所述填充层含有黑色填充成分，所述黑色填充成分的粒径小于等于所述发光元件厚度的1/10，或者，所述黑色填充成分的粒径小于等于1μm。
  2. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述填充层的黑色填充成分的粒径为10~100nm，或者100~200nm，或者200~300nm，或者300nm~500nm。
  3. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述填充层的黑色填充成分包括炭黑、氮化钛、氧化铁、四氧化三铁或者铁粉中的至少一种。
  4. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述填充层的厚度小于等于15μm。
  5. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述填充层至少覆盖所述发光元件靠近出光面侧壁的厚度的50%以上。
  6. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，相邻所述发光元件之间的间距小于50μm。
  7. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组还包括封装层，所述封装层形成于所述导电焊盘的周边，所述封装层的厚度大于20μm。
  8. 根据权利要求7所述的发光模组，其特征在于，所述封装层含有掺杂颗粒，所述掺杂颗粒的粒径大于1μm。
  9. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组还包括透明层，所述透明层上设置有所述发光元件，所述透明层包括第一透明层和第二透明层，所述第二透明层介于所述第一透明层和所述发光元件之间，第一透明层的厚度大于10μm，所述第二透明层的厚度小于10μm。
  10. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述布线层包括第一层和第二层，所述第一层的材料包括钛、镍、氮化钛、氮化钽或者钽中的一种或多种，所述第二层的材料包括铜、铝或者金中的一种或者多种。
  11. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述布线层的厚度为50~1000nm。
  12. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述布线层和所述导电焊盘之间还包括种子层，所述种子层的厚度为100~2000nm。
  13. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组还包括绝缘层，所述绝缘层填充于所述布线层的周边。
  14. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述导电焊盘包括导电层、粘合层和保护层，所述导电层的厚度大于20μm，所述粘合层的厚度为3~5μm，所述保护层的厚度为25~50nm。
  15. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述导电焊盘包括导电层、粘合层和共晶层，所述导电层的厚度大于20μm，所述粘合层的厚度为3~5μm，所述共晶层的厚度为10~50nm。
  16. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述导电焊盘包括导电层、粘合层、共晶层和保护层，所述导电层的厚度大于20μm，所述粘合层的厚度为3~5μm，所述共晶层的厚度为10~50nm，所述保护层的厚度为25~50nm。
  17. 根据权利要求14~16中任一项所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组还包括封装层，所述封装层填充于所述导电焊盘的周边，所述封装层远离布线层的表面与所述导电层远离布线层的表面齐平。
  18. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述导电焊盘的总面积为所述发光模组的面积的20%~70%。
  19. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述导电焊盘的厚度大于5μm，所述布线层和所述导电焊盘直接接触。
  20. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，还包括粘附层，所述粘附层位于所述发光元件和所述填充层之间。
  21. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，还包括保护焊盘，所述保护焊盘形成于所述封装层远离发光元件的一侧，并位于所述发光模组的顶针作业区域。
  22. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，还包括导电保护层，所述导电保护层位于所述导电焊盘与所述布线层之间。
  23. 根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述布线层具有第一区域和第二区域，所述第一区域为与所述导电焊盘在垂直方向上重叠的区域，所述第二区域为连接所述第一区域和所述发光元件的区域，所述第一区域和所述第二区域之间具有第一区域和第二区域的连接位置，所述第一区域和第二区域的连接位置的长度大于20μm，或者，所述第一区域和第二区域的连接位置的长度为所述导电焊盘任意一边的长度的40%以上。
  24. 一种发光模组的制造方法，其特征在于，包括：
    提供第一透明层；
    在所述第一透明层的表面上固定间隔布置的多个发光元件；
    在所述发光元件的周围形成填充层；
    在所述填充层上制作布线层；
    在所述布线层上形成导电焊盘，所述导电焊盘的厚度大于等于20μm，并直接接触所述布线层；
    在所述导电焊盘周围填充封装层。
  25. 一种显示装置，其特征在于，包括若干个如权利要求1~23中任一项所述的发光模组。
CN202180005869.3A 2021-12-30 2021-12-30 发光模组、发光模组的制造方法及显示装置 Pending CN117043972A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2021/143223 WO2023123238A1 (zh) 2021-12-30 2021-12-30 发光模组、发光模组的制造方法及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117043972A true CN117043972A (zh) 2023-11-10

Family

ID=86997030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180005869.3A Pending CN117043972A (zh) 2021-12-30 2021-12-30 发光模组、发光模组的制造方法及显示装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2024520879A (zh)
KR (1) KR20240004985A (zh)
CN (1) CN117043972A (zh)
DE (1) DE112021007529T5 (zh)
WO (1) WO2023123238A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10256218B2 (en) * 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
CN210403726U (zh) * 2019-09-18 2020-04-24 厦门三安光电有限公司 发光二极管封装组件
CN210403768U (zh) * 2019-09-18 2020-04-24 厦门三安光电有限公司 发光二极管封装组件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023123238A1 (zh) 2023-07-06
DE112021007529T5 (de) 2024-02-29
KR20240004985A (ko) 2024-01-11
JP2024520879A (ja) 2024-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10103304B2 (en) LED module
GB2515874A (en) Light emitting diode package and method for manufacturing same
EP3480847B1 (en) A method for fabricating a light source unit for a lamp
US9831379B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP2015144234A (ja) 集合基板、発光装置及び発光素子の検査方法
CN211605176U (zh) 发光芯片
US9490184B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
CN110178232A (zh) 发光二极管、发光二极管模块以及具有其的显示装置
WO2013145071A1 (ja) Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
US20200066700A1 (en) Method of manufacturing light-emitting element
CN111405777A (zh) 发光装置的制造方法
US10797210B2 (en) Light emitting device having reduced thickness and increased light-reflectivity
TWI472067B (zh) 光學封裝及其製造方法
CN211629109U (zh) 发光封装件
CN117043972A (zh) 发光模组、发光模组的制造方法及显示装置
CN116417555A (zh) 发光模组和显示装置
CN116417557A (zh) 发光模组和显示装置
CN116417556A (zh) 发光模组和显示装置
CN116417558A (zh) 发光模组、发光模组的制造方法及显示装置
CN116417553A (zh) 发光模组和显示装置
US11133443B2 (en) Light emitting device package and method of manufacturing light emitting device package
CN114361319A (zh) 显示面板及其制造方法
CN118057608A (zh) 发光模组
CN116544222A (zh) 发光模组和显示装置
CN116544223A (zh) 发光模组和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination