CN117038446A - 一种半导体器件、制造方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种半导体器件、制造方法及装置。该制造方法包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺包括以下步骤：在待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，对待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面；将调整好放置角度的待刻蚀晶圆垂直放入刻蚀槽内，以通过刻蚀槽内的溶液对待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆。本技术方案，其可有效优化现有湿法刻蚀工艺，使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
Description
技术领域
本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件、制造方法及装置。
背景技术
半导体业业界分立器件产品的制程中，在对晶圆的沟槽（Trench）内进行HDP（Highdensity plasma，高密度等离子体）刻蚀时，目前采用的是湿法刻蚀的方式，湿法刻蚀属于化学刻蚀的方式，利用BOE（NH4F/HF的混合液）溶液与晶圆的沟槽内的HDP发生化学反应来实现相应的刻蚀处理。该方法的好处在于不会对晶圆的硅衬底造成损伤，但由于现有技术中，晶圆进入刻蚀槽的角度主要由上家光刻的机台以及版图设计决定的，使得晶圆一般以notch槽的开口朝向垂直于刻蚀槽内的溶液表面的方式进入刻蚀槽中，这样一来，会使得晶圆上的沟槽的延伸方向也垂直于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的BOE溶液沿着沟槽流动而更加容易堆积在光刻胶（Photoresist，简称PR）下面，造成对光刻胶底部的HDP过刻蚀，形成如图1所示的较大的刻蚀角度A，即发生钻蚀现象，这会严重影响产品的刻蚀效果。
发明内容
本申请实施例提供一种半导体器件、制造方法及装置，旨在改善现有湿法刻蚀工艺中容易因BOE溶液堆积在光刻胶下面而发生钻蚀现象，严重影响产品的刻蚀效果的技术问题。
第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法，包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺包括以下步骤：
在待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面；
将调整好放置角度的所述待刻蚀晶圆垂直放入所述刻蚀槽内，以通过所述刻蚀槽内的溶液对所述待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆。
可选的，在一些实施例中，所述对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整的步骤包括：
在将所述待刻蚀晶圆放入所述刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，先通过传片机械手将所述待刻蚀晶圆置于旋转平台上，以通过所述旋转平台带动所述待刻蚀晶圆转动预设角度，再通过所述传片机械手将所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面。
可选的，在一些实施例中，所述对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整的步骤包括：
在将所述待刻蚀晶圆放入所述刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，先通过传片机械手将所述待刻蚀晶圆置于旋转平台上，以通过所述旋转平台带动所述待刻蚀晶圆转动至目标位置，再通过所述传片机械手将所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面，所述目标位置为所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向为目标方位。
可选的，在一些实施例中，所述通过所述旋转平台带动所述待刻蚀晶圆转动至目标位置的步骤包括：
通过所述旋转平台带动所述待刻蚀晶圆转动，直至检测到所述待刻蚀晶圆当前的notch槽的开口朝向为所述目标方位时停止转动。
可选的，在一些实施例中，所述对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整的步骤包括：
在将所述待刻蚀晶圆放入所述刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，通过旋转机构驱动夹持有所述待刻蚀晶圆的传片机械手转动预设角度，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面。
第二方面，本申请实施例提供一种半导体器件，包括沟槽，所述沟槽采用如上各实施例所述的制造方法制作而成。
第三方面，本申请实施例提供一种湿法刻蚀工艺的装置，包括刻蚀槽以及角度调整机构，其中，
所述刻蚀槽，用于承载刻蚀溶液，以对待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆；
所述角度调整机构，用于在所述待刻蚀晶圆放入所述刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面后，将调整好放置角度的所述待刻蚀晶圆垂直放入所述刻蚀槽内。
可选的，在一些实施例中，所述角度调整机构包括传片机械手和第一旋转平台，其中，
所述传片机械手，用于夹持所述待刻蚀晶圆进行位置转移操作；
所述第一旋转平台，用于带动所述待刻蚀晶圆转动预设角度，以使得所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方时，所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面。
可选的，在一些实施例中，所述角度调整机构包括传片机械手和第二旋转平台，其中，
所述传片机械手，用于夹持所述待刻蚀晶圆进行位置转移操作；
所述第二旋转平台，用于带动所述待刻蚀晶圆转动至目标位置，以使得所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方时，所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面，所述目标位置为所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向为目标方位。
可选的，在一些实施例中，所述角度调整机构还包括光电传感器，所述光电传感器位于所述目标方位，以在检测到所述待刻蚀晶圆当前的notch槽的开口朝向为所述目标方位时，向所述第二旋转平台发出转动停止信号。
可选的，在一些实施例中，所述角度调整机构包括传片机械手和旋转机构，其中，
所述传片机械手，用于夹持所述待刻蚀晶圆进行位置转移操作；
所述旋转机构，用于驱动夹持有所述待刻蚀晶圆的所述传片机械手转动预设角度，以使得所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方时，所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面。
在本申请中，其在待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，会先对该待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于该刻蚀槽内的溶液表面后，再将调整好放置角度的该待刻蚀晶圆垂直放入该刻蚀槽内，以通过该刻蚀槽内的溶液对该待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆。这样一来，其可使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
图1是现有技术湿法刻蚀工艺易发生的钻蚀现象的仿真示意图。
图2是本申请实施例提供的湿法刻蚀工艺的方法的一种流程示意图。
图3是图1所示的方法中待刻蚀晶圆的cell区域的俯视结构示意图。
图4是图3所示的待刻蚀晶圆的剖视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
半导体业业界分立器件产品的制程中，在对晶圆的沟槽内进行HDP刻蚀时，目前采用的是湿法刻蚀的方式，湿法刻蚀属于化学刻蚀的方式，利用BOE溶液与晶圆的沟槽内的HDP发生化学反应来实现相应的刻蚀处理。该方法的好处在于不会对晶圆的硅衬底造成损伤，但由于现有技术中，晶圆进入刻蚀槽的角度主要由上家光刻的机台以及版图设计决定的，使得晶圆一般以notch槽的开口朝向垂直于刻蚀槽内的溶液表面的方式进入刻蚀槽中，这样一来，会使得晶圆上的沟槽的延伸方向也垂直于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的BOE溶液沿着沟槽流动而更加容易堆积在光刻胶下面，造成对光刻胶底部的HDP过刻蚀，形成如图1所示的较大的刻蚀角度A，即发生钻蚀现象，这会严重影响产品的刻蚀效果。
基于此，有必要提供一种新的半导体器件的制造方法，以改善现有湿法刻蚀工艺中容易因BOE溶液堆积在光刻胶下面而发生钻蚀现象，影响产品的刻蚀效果的技术问题。
如图2所示，在一个实施例中，本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法，包括湿法刻蚀工艺，该制造方法具体包括以下步骤：
步骤S110：在待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，对待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面。
可以理解的是，本申请实施例提供湿法刻蚀工艺的方法，主要针对湿法刻蚀工艺中，待刻蚀晶圆光刻定义好图形后进入刻蚀槽进行湿法刻蚀时的步骤进行的改进，故对于湿法刻蚀工艺中的其它步骤，本申请如不进行相关改进的表述，可默认为采用的是常规的技术手段，即与现有的湿法刻蚀工艺相同，如：制备待刻蚀晶圆步骤，包括准备半导体衬底，对该半导体衬底进行清洗、去除杂质、获得平整表面，以及该在半导体衬底的平整表面上形成氧化硅层，该氧化硅层具体可以是HDP氧化层。或者如：涂覆光刻胶及显影步骤，包括在该氧化硅层涂覆一层光刻胶，并对光刻胶进行曝光，使其形成特定的图案后，将曝光后的光刻胶进行显影，使得未曝光区域的光刻胶被溶解掉，形成对应的光刻图案。
一般而言，在上述光刻图案的设计中，会在待刻蚀晶圆的cell区域（即晶体管等元件被制造的区域）加入一个link up区域，该link up区域可实现该cell区域和待刻蚀晶圆的Gate Pad区域（即用于连接晶体管的区域）的连接。
如图3及图4所示，由于待刻蚀晶圆的cell区域上的沟槽11的延伸方向为图3中所示的Y方向，而该link up区域则会沿图3中所示的X方向延伸而横跨整个cell区域，在湿法刻蚀中，link up区域的表面会覆盖有光刻胶12，使得link up区域设置的Poly0（Poly是一种多晶硅材料，用于制造晶体管等元件中的栅极）层13不被刻蚀，因而，该link up区域的Poly0层13会将每个沟槽11分隔为上下两部分。在现有的湿法刻蚀工艺中，由于其进行涂覆光刻胶及显影步骤，得到光刻定义好图形后的待刻蚀晶圆后，便马上通过传片机械手直接将待刻蚀晶圆取起，未经过任何角度调整，就将该待刻蚀晶圆放入刻蚀槽中进行湿法刻蚀步骤，此时，使得晶圆一般以notch槽的开口朝向垂直于刻蚀槽内的溶液表面的方式进入刻蚀槽中，而notch槽的开口朝向一般会平行于图3中所示的Y方向，因而，垂直于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽11的刻蚀溶液14沿着沟槽11流动而更加容易堆积在光刻胶12下面，同时，如果link up区域过小，使得光刻胶12下的Poly0层13的大小过小，那么刻蚀溶液14会更加容易在光刻胶12下堆积，使得在Y方向氧化硅层15更容易被钻蚀。
为此，本方法步骤会在待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，会先对该待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面，即使得该待刻蚀晶圆的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面。
步骤S120： 将调整好放置角度的待刻蚀晶圆垂直放入刻蚀槽内，以通过刻蚀槽内的溶液对待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆。
可以理解的是，该刻蚀槽内的溶液具体可为BOE（NH4F/HF的混合液）溶液，其可很好地与晶圆的沟槽内的HDP发生化学反应来实现相应的刻蚀处理，因而，当通过上述方法步骤该待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面后，便可将调整好放置角度的待刻蚀晶圆垂直放入刻蚀槽内，以通过刻蚀槽内的溶液，即BOE溶液对待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆。
这样一来， 本申请实施例的技术方案，可使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
在一些示例中，为更好地实现对待刻蚀晶圆的放置角度的调整，执行上述步骤“对待刻蚀晶圆的放置角度进行调整”的具体过程如下：在将待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，先通过传片机械手将该待刻蚀晶圆置于旋转平台上，以通过该旋转平台带动待刻蚀晶圆转动预设角度，再通过传片机械手将该待刻蚀晶圆转移至刻蚀槽的正上方，使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面。
可以理解的是，本示例主要通过在刻蚀槽的前方增加一个旋转平台来暂时中转放置光刻定义好图形后，还未进行湿法刻蚀的待刻蚀晶圆，由于传片机械手会在每个平台的同一位置进行晶圆的取放操作，因而，可通过该旋转平台带动该待刻蚀晶圆转动预设角度来实现相应的角度调整。这样便可在将该待刻蚀晶圆转移至刻蚀槽的正上方时，使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面。一般而言，若其未经过任何角度调整，便通过传片机械手直接将光刻定义好图形的该待刻蚀晶圆放入刻蚀槽中进行湿法刻蚀，便会使得晶圆以notch槽的开口朝向垂直于刻蚀槽内的溶液表面的方式进入刻蚀槽中，因而，为在将该待刻蚀晶圆转移至刻蚀槽的正上方时，使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面，该预设角度具体可为90度。
这样一来，本申请示例通过增设的旋转平台带动该待刻蚀晶圆转动预设角度，便可很好地实现相应的角度调整，以使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
在一些示例中，为更好地实现对待刻蚀晶圆的放置角度的调整，执行上述步骤“对待刻蚀晶圆的放置角度进行调整”的具体过程如下：在将待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，先通过传片机械手将待刻蚀晶圆置于旋转平台上，以通过旋转平台带动待刻蚀晶圆转动至目标位置，再通过传片机械手将待刻蚀晶圆转移至刻蚀槽的正上方，使得待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面，该目标位置为待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向为目标方位。
可以理解的是，本示例同样通过在刻蚀槽的前方增加一个旋转平台来暂时中转放置光刻定义好图形后，还未进行湿法刻蚀的待刻蚀晶圆，由于传片机械手会在每个平台的同一位置进行晶圆的取放操作，因而，可通过该旋转平台带动该待刻蚀晶圆转动至目标位置来实现相应的角度调整。该目标位置具体是使得当传片机械手在将该待刻蚀晶圆由该旋转平台转移至刻蚀槽的正上方时，可使得待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面的位置，进一步地，该目标位置具体可通过待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向的方位来定义，即使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向为目标方位的位置即为目标位置。为此，通过旋转平台带动待刻蚀晶圆转动至目标位置的过程可具体如下：通过该旋转平台带动待刻蚀晶圆转动，直至检测到待刻蚀晶圆当前的notch槽的开口朝向为目标方位时停止转动。可见，这种调整方式，可在待刻蚀晶圆以任意角度放入旋转平台的情形下，亦可确保其当传片机械手在将该待刻蚀晶圆由该旋转平台转移至刻蚀槽的正上方时，可使得待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面。
这样一来，本申请示例通过增设的旋转平台带动该待刻蚀晶圆转动至目标位置，便可很好地实现相应的角度调整，以使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
在一些示例中，为更好地实现对待刻蚀晶圆的放置角度的调整，执行上述步骤“对待刻蚀晶圆的放置角度进行调整”的具体过程如下：在将待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，先通过旋转机构驱动夹持有该待刻蚀晶圆的传片机械手转动预设角度，使得待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面。
可以理解的是，本示例主要通过在传片机械手上增加一个旋转机构来驱动传片机械手旋转，进而在传片机械手夹持光刻定义好图形后，还未进行湿法刻蚀的待刻蚀晶圆位于刻蚀槽上方时，通过该旋转机构驱动夹持有该待刻蚀晶圆的传片机械手转动预设角度来实现相应的角度调整。这样便可使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面。同理，基于前面表述可知，该预设角度具体可为90度。
这样一来，本申请示例通过在传片机械手上增加一个旋转机构来驱动传片机械手旋转，便可很好地实现相应的角度调整，以使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
在一个实施例中，本申请实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括沟槽，该沟槽采用如上各实施例所述的制造方法制作而成。本实施例制造的半导体器件，沟槽内钻蚀现象发生的概率低，从而可以大大提升半导体器件的产品性能一致性。
在一个实施例中，本申请实施例提供一种湿法刻蚀工艺的装置，该装置包括刻蚀槽以及角度调整机构，其中，该刻蚀槽主要用于承载刻蚀溶液，以对待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆。该角度调整机构主要用于在该待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，对该待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面后，将调整好放置角度的该待刻蚀晶圆垂直放入该刻蚀槽内。
这样一来， 本申请实施例的装置，可使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
在一些示例中，为使得上述角度调整机构更好地实现对待刻蚀晶圆的放置角度的调整，该角度调整机构具体可包括传片机械手和第一旋转平台，其中，该传片机械手具体可用于夹持待刻蚀晶圆进行位置转移操作。第一旋转平台具体可用于带动待刻蚀晶圆转动预设角度，以使得该待刻蚀晶圆转移至刻蚀槽的正上方时，该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面。本示例角度调整机构的相关使用过程可详见上述方法实施例，此处不再赘述。
这样一来，本申请示例通过增设的旋转平台带动该待刻蚀晶圆转动预设角度，便可很好地实现相应的角度调整，以使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
在一些示例中，为使得上述角度调整机构更好地实现对待刻蚀晶圆的放置角度的调整，该角度调整机构具体可包括传片机械手和第二旋转平台，其中，传片机械手具体可用于夹持待刻蚀晶圆进行位置转移操作。第二旋转平台具体可用于带动待刻蚀晶圆转动至目标位置，以使得该待刻蚀晶圆转移至刻蚀槽的正上方时，该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面，该目标位置为待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向为目标方位。进一步地，该角度调整机构具体还包括光电传感器，光电传感器位于目标方位，以在检测到待刻蚀晶圆当前的notch槽的开口朝向为目标方位时，向旋转平台发出转动停止信号。本示例角度调整机构的相关使用过程可详见上述方法实施例，此处不再赘述。
这样一来，本申请示例通过增设的旋转平台带动该待刻蚀晶圆转动至目标位置，便可很好地实现相应的角度调整，以使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
在一些示例中，为使得上述角度调整机构更好地实现对待刻蚀晶圆的放置角度的调整，该角度调整机构具体可包括传片机械手和旋转机构，其中，传片机械手具体可用于夹持待刻蚀晶圆进行位置转移操作。该旋转机构具体可用于驱动夹持有待刻蚀晶圆的传片机械手转动预设角度，以使得该待刻蚀晶圆转移至刻蚀槽的正上方时，该待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于刻蚀槽内的溶液表面。本示例角度调整机构的相关使用过程可详见上述方法实施例，此处不再赘述。
这样一来，本申请示例通过在传片机械手上增加一个旋转机构来驱动传片机械手旋转，便可很好地实现相应的角度调整，以使得待刻蚀晶圆进入刻蚀槽时，晶圆上的沟槽的延伸方向也平行于刻蚀槽内的溶液表面，进而使得进入沟槽的刻蚀溶液沿着沟槽流动而更加容易往外溢出，从而有效降低出现因刻蚀溶液堆积在光刻胶下面而发生的钻蚀现象的概率，进而大大提升产品的刻蚀效果。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本申请，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本申请包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能（例如其在功能上是等价的）的任意组件（除非另外指示），即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。
即，以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
另外，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。另外，对于特性相同或相似的结构元件，本申请可采用相同或者不相同的标号进行标识。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词是用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何一个实施例不一定被解释为比其它实施例更加优选或更加具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，本申请给出了以上描述。在以上描述中，为了解释的目的而列出了各个细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实施例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
Claims (11)
1.一种半导体器件的制造方法，包括湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺包括以下步骤：
在待刻蚀晶圆放入刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面；
将调整好放置角度的所述待刻蚀晶圆垂直放入所述刻蚀槽内，以通过所述刻蚀槽内的溶液对所述待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整的步骤包括：
在将所述待刻蚀晶圆放入所述刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，先通过传片机械手将所述待刻蚀晶圆置于旋转平台上，以通过所述旋转平台带动所述待刻蚀晶圆转动预设角度，再通过所述传片机械手将所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整的步骤包括：
在将所述待刻蚀晶圆放入所述刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，先通过传片机械手将所述待刻蚀晶圆置于旋转平台上，以通过所述旋转平台带动所述待刻蚀晶圆转动至目标位置，再通过所述传片机械手将所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面，所述目标位置为所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向为目标方位。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述通过所述旋转平台带动所述待刻蚀晶圆转动至目标位置的步骤包括：
通过所述旋转平台带动所述待刻蚀晶圆转动，直至检测到所述待刻蚀晶圆当前的notch槽的开口朝向为所述目标方位时停止转动。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整的步骤包括：
在将所述待刻蚀晶圆放入所述刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，通过旋转机构驱动夹持有所述待刻蚀晶圆的传片机械手转动预设角度，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面。
6.一种半导体器件，包括沟槽，其特征在于，所述沟槽采用权利要求1-5任一项所述的制造方法制作而成。
7.一种湿法刻蚀工艺的装置，其特征在于，包括刻蚀槽以及角度调整机构，其中，
所述刻蚀槽，用于承载刻蚀溶液，以对待刻蚀晶圆的沟槽进行湿法刻蚀处理，得到目标晶圆；
所述角度调整机构，用于在所述待刻蚀晶圆放入所述刻蚀槽内进行湿法刻蚀前，对所述待刻蚀晶圆的放置角度进行调整，使得所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面后，将调整好放置角度的所述待刻蚀晶圆垂直放入所述刻蚀槽内。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述角度调整机构包括传片机械手和第一旋转平台，其中，
所述传片机械手，用于夹持所述待刻蚀晶圆进行位置转移操作；
所述第一旋转平台，用于带动所述待刻蚀晶圆转动预设角度，以使得所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方时，所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面。
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述角度调整机构包括传片机械手和第二旋转平台，其中，
所述传片机械手，用于夹持所述待刻蚀晶圆进行位置转移操作；
所述第二旋转平台，用于带动所述待刻蚀晶圆转动至目标位置，以使得所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方时，所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面，所述目标位置为所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向为目标方位。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述角度调整机构还包括光电传感器，所述光电传感器位于所述目标方位，以在检测到所述待刻蚀晶圆当前的notch槽的开口朝向为所述目标方位时，向所述第二旋转平台发出转动停止信号。
11.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述角度调整机构包括传片机械手和旋转机构，其中，
所述传片机械手，用于夹持所述待刻蚀晶圆进行位置转移操作；
所述旋转机构，用于驱动夹持有所述待刻蚀晶圆的所述传片机械手转动预设角度，以使得所述待刻蚀晶圆转移至所述刻蚀槽的正上方时，所述待刻蚀晶圆的notch槽的开口朝向平行于所述刻蚀槽内的溶液表面。
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