CN117012098A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117012098A CN117012098A CN202210472406.4A CN202210472406A CN117012098A CN 117012098 A CN117012098 A CN 117012098A CN 202210472406 A CN202210472406 A CN 202210472406A CN 117012098 A CN117012098 A CN 117012098A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- finger
- straight line
- display device
- pitch
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 87
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 IZO) Chemical compound 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/14—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 asymmetric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开提供显示装置。所述显示装置包括显示面板。所述显示面板包括多个像素电极。所述多个像素电极中的一者包括第一指状部、第二指状部以及第三指状部。其中,第一指状部、第二指状部及第三指状部位于相同层上。第二指状部介于第一指状部及第三指状部之间。介于第一指状部与第二指状部之间的第一间距不同于介于第二指状部与第三指状部之间的第二间距。
Description
技术领域
本公开是关于一种显示装置,特别是关于在显示装置中的多个像素电极中的各像素电极的结构不同的显示装置。
背景技术
显示装置包括能够显示影像的显示面板,因此可以广泛地用于消费性电子产品。为了提供消费者良好的使用者体验,需要增加显示面板的显示能力,举例而言:提升显示面板的发光均匀度、降低显示面板的表面反射纹路等。
以外界光源照射目前的显示面板时,若显示面板处于未开启电源时的未点亮状态中,则会观察到周期性的彩虹纹路产生在显示面板的表面上。其中,所述周期性的彩虹纹路是因为显示面板的表面反射外界光源而造成。因此,关于显示装置仍有一些问题需要克服。
发明内容
在一些实施例中,提供显示装置。所述显示装置包括显示面板。所述显示面板包括多个像素电极。所述多个像素电极中的一者包括第一指状部、第二指状部以及第三指状部。其中,第一指状部、第二指状部及第三指状部位于相同层上。第二指状部介于第一指状部及第三指状部之间。介于第一指状部与第二指状部之间的第一间距不同于介于第二指状部与第三指状部之间的第二间距。
在一些实施例中,提供显示装置。所述显示装置包括显示面板。所述显示面板包括多个像素电极。所述多个像素电极中的一者包括第一指状部。所述第一指状部包括第一直线部分、第二直线部分及第三直线部分。所述第二直线部分连接所述第一直线部分及所述第三直线部分。其中,第一直线部分具有第一偏角,第二直线部分具有第二偏角,且第三直线部分具有第三偏角。第一偏角、第二偏角及第三偏角具有第一增加趋势。
在一些实施例中,提供显示装置。所述显示装置包括显示面板。所述显示面板包括多个像素电极。所述多个像素电极包括第一像素电极及与所述第一像素电极相邻的或不相邻的第二像素电极。其中,第一像素电极的结构与第二像素电极的结构不同。
本公开的显示装置可应用于包括显示面板的多种类型的电子设备中。为让本公开的特征及优点能更明显易懂,下文特举出各种实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
借由以下的详细叙述配合所附附图,能更加理解本公开实施例的观点。值得注意的是,根据工业上的标准惯例,一些部件(feature)可能没有按照比例绘制。事实上,为了能清楚地描述,不同部件的尺寸可能被增加或减少。
图1是根据本公开的一些实施例,显示显示装置的局部区域的俯视示意图。
图2是根据本公开的另一些实施例,显示图1的区域R1俯视示意图。
图3至图15分别是根据本公开的一些实施例,显示显示装置的俯视示意图。
【符号说明】
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14:显示装置
10:显示面板
100,100’:指状组件
100a,100a’:第一指状部
100b,100b’:第二指状部
100c,100c’:第三指状部
100d,100d’:第四指状部
100e,100e’:第五指状部
100f,100f’:第六指状部
110a,110a’,110b,110c,110d,110e,110f:第一直线部分
120a,120a’,120b,120c,120d,120e,120f’:第二直线部分
130a,130a’,130b,130c,130d,130e,130f:第三直线部分
140a,140a’,140b,140c,140d,140e,140f:中间部分
150a,150a’:第四直线部分
160a,160a’:第五直线部分
170a,170a’:第六直线部分
200:蟹脚状组件
210,220:蟹脚状部
300:连接组件
310,320连接部
A1,A1’:第一偏角
A2,A2’:第二偏角
A3,A3’:第三偏角
A4:第四偏角
A5:第五偏角
A6:第六偏角
A7:第七偏角
A8:第八偏角
A9:第九偏角
A10:第十偏角
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
DE:漏极电极
DL:数据线
GE:栅极电极
GL:栅极线
H1,H1’,H2,H2’,H3,H3’,H4,H5,H6,HC1,HC2,HM,HT:高度
HL1,HL2,HL3,HL4,HL4’,HL5,HL6,HL7,HL8:虚拟水平线
HP:像素单元高度
M:晶体管
OP:开口
P1,P1’:第一间距
P2,P2’:第二间距
P3,P3’:第三间距
P4,P4’:第四间距
P5,P5’:第五间距
PE,PE’:像素电极
PT1,PT2,PT3,PT4,PT5,PT6,PT7:点
R1:区域
SC:半导体层
SE:源极电极
SP:间隔宽度
W:电极宽度
WP:像素单元宽度
U1,U2,U3,U4,U5,U6,U7,U8,U9,U9’,U10,U10’,U11,U11’,U12,U12’,U13,U13’,U14,U14’:子像素单元
具体实施方式
以下公开提供了很多不同的实施例或范例,用于实施所提供的显示装置中的不同部件。各部件及其配置的具体范例描述如下,以简化本公开实施例,当然并非用以限定本公开。举例而言,叙述中若提及第一部件形成在第二部件之上,可能包括第一部件及第二部件直接接触的实施例,也可能包括形成额外的部件在第一部件及第二部件之间,使得第一部件及第二部件不直接接触的实施例。此外,本公开可能在不同的实施例或范例中重复元件符号及/或字符。如此重复是为了简明及清楚,而非用以表示所讨论的不同实施例及/或范例之间的关系。
本文中所提到的方向用语,例如:“上”、“下”、“左”、“右”及其类似用语是参考附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明而非限制本公开。
在本公开的一些实施例中,关于设置、连接的用语例如“设置”、“连接”及其类似用语,除非特别定义,否则可指两个部件直接接触,或者亦可指两个部件并非直接接触,其中有额外结部件位于此两个结构之间。关于设置、连接的用语亦可包括两个结构都可移动,或者两个结构都固定的情况。
另外,本说明书或权利要求书中提及的“第一”、“第二”及其类似用语是用以命名不同的部件或区别不同实施例或范围,而并非用来限制部件数量上的上限或下限,也并非用以限定部件的制造顺序或设置顺序。
于下文中,“大约”、“实质上”或其类似用语表示在一给定数值或数值范围的10%内、或5%内、或3%之内、或2%之内、或1%之内、或0.5%之内。在此给定的数量为大约的数量,亦即在没有特定说明“大约”或“实质上”的情况下,仍可隐含“大约”或“实质上”的含义。
除非另外定义,在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与本公开的普通技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是,这些用语例如在通常使用的字典中定义用语,应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思,而不应以一理想化或过度正式的方式解读,除非在本公开的实施例有特别定义。
以下描述实施例的一些变化。在不同附图和说明的实施例中,相同或相似的元件符号被用来标明相同或相似的部件。可以理解的是,在方法之前、期间中、之后可以提供额外的步骤,且一些所叙述的步骤可为了方法的其他实施例被取代或删除。
在本文中,各个方向不限于直角坐标是的像是X轴、Y轴及Z轴的三个轴,且可以在更广泛的意义上进行解释。举例而言,X轴、Y轴及Z轴可彼此垂直,或者可表示彼此不垂直的不同方向,但不以此为限。为便于说明,在下文中,X轴方向为第一方向D1(宽度方向),Y轴方向为第二方向D2(高度方向),且Z轴方向为第三方向D3(厚度方向)。在一些实施例中,本文所述的俯视示意图为观察XY平面的示意图。
在本公开中,电子装置可包括显示装置、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置,但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置,感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置,但不以此为限。电子元件可包括无源元件与有源元件,例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED),但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置,但不以此为限。需注意的是,电子装置可为前述的任意排列组合,但不以此为限。下文将以显示装置作为电子装置或拼接装置以说明本公开内容,但本公开不以此为限。
此外,电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有处理系统、驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统等周边系统以支援显示装置或拼接装置。需注意的是,电子装置可为前述的任意排列组合,但不以此为限。
参照图1,其根据本公开的一些实施例,显示显示装置1的局部区域的俯视示意图。应理解的是,为了清楚说明,图中省略显示装置1的部分元件,而示意地示出部分元件。在一些实施例中,可添加额外部件于以下所述的显示装置1。在另一些实施例中,以下所述的显示装置1的部分部件可以被取代或省略。应理解的是,在一些实施例中,可于显示装置的制造方法之前、期间中及/或之后提供额外的操作步骤。在一些实施例中,所述的一些操作步骤可能被取代或省略,并且所述的一些操作步骤的顺序为可互换的。
如图1所示,在一些实施例中,显示装置1可包括显示面板10。显示面板10可包括基板(未显示)及设置在基板上的各元件与覆盖在基板上的各种膜层。为了便于说明,在下文中,针对设置在基板上的诸如栅极线、数据线、像素电极等各元件进行详细说明,且省略对于基板的说明。
如图1所示,显示面板10可包括多条栅极线(扫描线)GL以及与多条栅极线GL相交的多条数据线DL设置于基板上。多条栅极线GL中的每一条可沿着第一方向D1延伸。多条数据线DL中的每一条的至少一部分可沿着第二方向D2延伸,且第一方向D1与第二方向D2不同,例如在一些实施例中,第一方向D1与第二方向D2垂直,但不限于此。在一些实施例中,数据线DL的延伸形状可对应于后续描述的像素电极PE的延伸形状,例如在一些实施例中,数据线DL可包括沿着第二方向D2延伸的一部分以及沿着与第二方向D2具有一夹角的方向延伸的另一部分,但不限于此。在一些实施例中,栅极线GL与数据线DL的一部分实质上为垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)。
在一些实施例中,多条栅极线GL与多条数据线DL彼此相交,以定义出多个子像素(sub-pixel)单元U1。在一些实施例中,子像素单元U1可具有像素单元宽度WP及像素单元高度HP。在一些实施例中,像素单元宽度WP可根据相邻的数据线DL来定义。在一些实施例中,像素单元宽度WP为在第一方向D1上,相邻的数据线DL中的一者的左边界到沿着第一方向D1上最相邻的数据线DL中的另一者的左边界之间的距离。举例而言,根据面板尺寸与解析度等设计上的需求,像素单元宽度WP可为大于或等于10微米(μm)至小于或等于200微米之间(10微米≦像素单元宽度≦200微米)。在一些实施例中,像素单元高度HP可根据相邻的栅极线GL来定义。在一些实施例中,像素单元高度HP为在第二方向D2上,相邻的栅极线GL中的一者的下边界到沿着第二方向D2上最相邻的栅极线GL中的另一者的下边界之间的距离。举例而言,根据面板尺寸与解析度等设计上的需求,像素单元高度HP可为大于或等于30微米至小于或等于600微米之间(30微米≦像素单元高度≦600微米)。
在一些实施例中,为了便于说明,显示一个或两个子像素单元U1,然本公开不限于此。在另一些实施例中,根据显示面板10的显示需求,显示面板10可包括在有源区域中的多个子像素单元U1。其中,多个子像素单元U1可以阵列方式排列。在一些实施例中,子像素单元U1可为红色子像素单元、绿色子像素单元或蓝色子像素单元,且多个子像素单元U1中的一部分(例如:三个子像素单元)可视为一个像素(pixel)单元,然本公开不限于此。根据像素单元的发光需求,可调整子像素单元U1的排列及种类。在一些实施例中,相邻的子像素单元U1的尺寸可为相同或不同。
在一些实施例中,多个子像素单元U1中的每一个可包括晶体管M。晶体管M可为开关晶体管。在一些实施例中,数据线DL可借由晶体管M提供资料信号至子像素单元U1,而栅极线GL提供扫描脉冲信号至子像素单元U1,并配合晶体管M共同控制子像素单元U1。在一些实施例中,晶体管M包括半导体层SC、源极电极SE、漏极电极DE以及栅极电极GE。栅极电极GE可为栅极线GL的一部分或与栅极线GL连接。源极电极SE可为数据线DL的一部分或与数据线DL连接。
在一些实施例中,源极电极SE、漏极电极DE、栅极线GL及/或数据线DL可包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、其合金、其它合适的导电材料或上述导电材料的组合,然本公开不限于此。在一些实施例中,源极电极SE、漏极电极DE、栅极线GL及/或数据线DL可借由化学气相沉积法、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、其它任何适合的沉积制程或上述沉积制程的组合来形成。
在一些实施例中,显示面板10可包括多个像素电极PE,多个像素电极PE中的每一个可分别设置在多个子像素单元U1中的每一个内。换句话说,一个子像素单元U1中可包括一个像素电极PE,然本公开不限于此。在一些实施例中,多个像素电极PE设置在相同层上。在一些实施例中,像素电极PE用于接收像素电压信号,且像素电极PE可借由开口OP电性连接至晶体管M的漏极电极DE。在一些实施例中,多个像素电极PE中的任意两者的结构不同。在一些实施例中,相邻的像素电极PE的结构不同,然本公开不限于此。例如在另一些实施例中,不相邻的像素电极PE的结构不同。
在一些实施例中,像素电极PE可包括透明导电材料,诸如氧化铟锡(Indium TinOxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化铟镓锌(indium gallium zincoxide,IGZO)、铝掺杂的氧化锌(Al-doped zinc oxide,AZO)、镓掺杂的氧化锌(Ga-dopedzinc oxide,GZO)、其他合适的透明导电材料或上述透明导电材料的组合,然本公开不限于此。在一些实施例中,像素电极PE可为ITO。
在一些实施例中,像素电极PE在基板上表面的法线方向(例如图1中的第三方向D3)上可具有厚度,所述厚度可为大于或等于75埃(angstrom,)至小于或等于700埃之间(75埃≦像素电极厚度≦700埃),在本公开中,所述厚度是指在观察剖面时,在该剖面图中所量到像素电极PE的最大厚度。举例而言,像素电极PE的厚度可为75埃、100埃、200埃、300埃、400埃、500埃、600埃、700埃、前述数值之间的任意数值或数值范围,但本公开不限于此。在一些实施例中,像素电极PE的厚度大于700埃时,可能会导致受到外界光源而产生的周期性彩虹纹路更为明显。在一些实施例中,像素电极PE的厚度小于75埃时,可能导致像素电极PE的可靠性降低。
如图1所示,像素电极PE可包括指状(finger)组件100、蟹脚状(crab)组件200及连接组件300。在一些实施例中,蟹脚状组件200连接指状组件100及连接组件300。
在一些实施例中,指状组件100可包括多个指状部。如图1所示,指状组件100可包括第一指状部100a、第二指状部100b、第三指状部100c、第四指状部100d、第五指状部100e及第六指状部100f,然本公开不限于此。在另一些实施例中,指状组件100可包括n个指状部,n为大于或等于1且小于或等于100的自然数(1≦n≦100)。可根据显示面板的需求调整指状部的数量。在一些实施例中,相邻的指状部之间可具有一间距,因此n个指状部可具有n-1个间距。在一些实施例中,第一指状部100a到第六指状部100f沿着第一方向D1依序排列且间隔设置。举例而言,在第一方向D1上,第二指状部100b介于第一指状部100a及第三指状部100c之间。
在一些实施例中,第一指状部100a到第六指状部100f位于显示面板10的相同层上。更具体的说,位于第一指状部100a到第六指状部100f下方且直接与第一指状部100a到第六指状部100f接触的可为同一绝缘层。在一些实施例中,第一指状部100a、第二指状部100b、第三指状部100c、第四指状部100d、第五指状部100e及/或第六指状部100f的尺寸及/或形状可为相同或不同。为了便于说明,在附图中以第一指状部100a到第六指状部100f中的每一个的形状为相同的情况进行描绘,然本公开不限于此。
在一些实施例中,指状组件100在第二方向D2上可具有高度HT。在一些实施例中,高度HT是指状组件100在第二方向D2上的投影长度。举例而言,第一指状部100a到第六指状部100f在第二方向D2上可具有高度HT。在一些实施例中,高度HT可为大于或等于5微米至小于或等于300微米之间(5微米≦指状部高度≦300微米)。
如图1所示,在一些实施例中,蟹脚状组件200可包括蟹脚状部210及220。多个蟹脚状部210可沿着第一方向D1排列且间隔设置,且多个蟹脚状部220可沿着第一方向D1排列且间隔设置。在一些实施例中,连接组件300可包括连接部310及320。在一些实施例中,多个蟹脚状部210可连接连接部310及指状组件100,且多个蟹脚状部220可连接连接部320及指状组件100。举例而言,蟹脚状部210连接连接部310及第一指状部100a,且蟹脚状部220连接连接部320及第一指状部100a。
如图1所示,在第二方向D2上,蟹脚状部210具有高度HC1,且蟹脚状部220具有高度HC2。在一些实施例中,高度HC1及HC2是蟹脚状部210及220在第二方向D2上的投影长度。在一些实施例中,高度HC1及/或高度HC2可为大于或等于2微米至小于或等于6微米之间(2微米≦蟹脚状部高度≦6微米)。在一些实施例中,高度HC1与指状组件100的高度HT的比例可为1:1至1:150(1≦指状部高度/蟹脚状部高度≦150)。在一些实施例中,高度HC2与指状组件100的高度HT的比例可为1:1至1:150。在一些实施例中,显示面板10可包括挡光件(未显示),且所述挡光件可在基板上表面的法线方向(例如图1中的第三方向D3)上覆盖蟹脚状组件200及连接组件300,并暴露指状组件100。
如图1所示,在一些实施例中,第一指状部100a包括多个直线部分。第一指状部100a可包括m个直线部分,m为大于或等于1且小于或等于100的自然数(1≦m≦100)。可根据显示面板的需求调整直线部分的数量。在一些实施例中,第一指状部100a可包括至少三个连续的直线部分,然本公开不限于此。第一指状部100a可包括至少四个、五个、或其他数量的连续的直线部分。其中,所述”连续的直线部分”代表所述多个直线部分中一直线部分的末端与相邻的另一直线部分的末端彼此直接连接。在一些实施例中,第一指状部100a可进一步包括连接多个直线部分的中间部分140a,或者可省略中间部分140a。在一些实施例中,中间部分140a可提供为一或多个。在一些实施例中,中间部分140a可包括弯折部分或弧形部分。在一些实施例中,当省略中间部分140a时,第一指状部100a到第六指状部100f的至少一部分指状部可分别整体化视为一个直线部分,如图5所示。
如图1所示,在一些实施例中,第一指状部100a可包括依序连接的第一直线部分110a、第二直线部分120a、第三直线部分130a、中间部分140a、第四直线部分150a、第五直线部分160a及第六直线部分170a,然本公开不限于此。在一些实施例中,第二直线部分120a的两端可分别直接连接第一直线部分110a及第三直线部分130a。
请参考图1与图2。其中图2是根据本公开的一些实施例,显示图1的区域R1俯视示意图。如图1所示,在一些实施例中,第一指状部100a的不同部分可实质上在同一制程中整体化形成。因此,可根据平行于第一方向D1的虚拟水平线HL1到虚拟水平线HL8中的相邻两个虚拟水平线,来划分第一指状部100a的不同部分。须说明的是,虚拟水平线是以每个直线部分的弯折点沿着水平方向(如平行图2中的第一方向D1的方向)所延伸的虚拟线。在一些实施例中,是以直线部分的右边界的上方端点(较接近连接部310的端点)作为弯折点。例如在图2中,是以蟹脚状部210的右边界与第一直线部分110f右边界的交点作为第六指状部100f中第一直线部分110f的弯折点。而在另一些实施例中,两相邻直线部分相接的弯折处的右边界可为弧形边界,此时则先以该两相邻直线部分各自的右边界画出延伸线对所述弧形边界作切线,并以两切线的交点作为弯折点。根据上述的方式设定虚拟水平线后,介于虚拟水平线HL1及HL2之间的部分为第一直线部分110a。类似于第一直线部分110a,第二直线部分120a及第三直线部分130a分别介于虚拟水平线HL2到虚拟水平线HL4中的相邻两者之间,第四直线部分150a到第六直线部分170a分别介于虚拟水平线HL5到虚拟水平线HL8中的相邻两者之间。在一些实施例中,中间部分140a介于虚拟水平线HL4及HL5之间。
在一些实施例中,在第二方向D2上,第一直线部分110a到第六直线部分170a可分别具有对应的高度H1到高度H6。在一些实施例中,高度H1到高度H6为第一直线部分110a到第六直线部分170a分别在第二方向D2上的投影长度。在一些实施例中,高度H1、H2、H3、H4、H5及/或H6可为相同或不同。在一些实施例中,在第二方向D2上,中间部分140a具有高度HM。在一些实施例中,高度HM为中间部分140a在第二方向D2上的投影长度。在一些实施例中,高度HM可为大于或等于4微米至小于或等于12微米之间(4微米≦高度HM≦12微米)。
类似于第一指状部100a,第二指状部100b、第三指状部100c、第四指状部100d、第五指状部100e及/或第六指状部100f可包括对应的各直线部分,为了简要说明,在此不予赘述。
如图1所示,第一直线部分110a的高度H1、第二直线部分120a的高度H2及第三直线部分130a的高度H3中的至少两者相同,然本公开不限于此。在另一些实施例中,高度H1、高度H2及高度H3彼此相同。在另一些实施例中,高度H1、高度H2及高度H3彼此不同。相似的,在一些实施例中,高度H4、高度H5及高度H6中的至少两者相同、彼此相同或者彼此不同。
请继续参考图1与图2。在一些实施例中,指状组件100中的多个指状部中的各直线部分可具有偏角(deviation angle)(诸如,第一偏角A1到第六偏角A6),各中间部分可具有偏角(诸如,第九偏角A9及第十偏角A10),且蟹脚状组件200中的蟹脚状部210及220可具有偏角(诸如,第七偏角A7及第八偏角A8)。此外,在一些实施例中,指状组件100中的多个指状部之间可具有一间距(诸如,第一间距P1到第五间距P5)。在下文中详细描述所述偏角及所述间距。
如图2所示,第一指状部100a可以虚拟水平线HL4’为对称轴而上下对称(镜像对称),然本公开不限于此。类似地,第二指状部100b到第六指状部100f亦可以虚拟水平线HL4’为对称轴而上下对称。在另一些实施例中,第一指状部100a到第六指状部100f可为非对称结构。举例而言,在虚拟水平线HL4’上方的第一指状部100a的一部分与在虚拟水平线HL4’下方的第一指状部100a的一部分不对称。
为了简要说明,区域R1显示第一指状部100a到第六指状部100f的第一直线部分110a到110f、第二直线部分120a到120f、第三直线部分130a到130f及中间部分140a到140f。在下文中,以第一指状部100a及第二指状部100b作为范例描述第一间距P1、第二间距P2、电极宽度W及间隔宽度SP。下文中,由于第一指状部100a到第六指状部100f彼此相同且彼此平行,因此以第一直线部分110f作为范例来描述第一偏角A1,并以中间部分140f作为范例来描述第九偏角A9及第十偏角A10。
如图2所示,在一些实施例中,在第一方向D1上,第一间距P1可介于第一指状部100a及第二指状部100b之间。在一些实施例中,第一间距P1借由点PT1及点PT2的距离来定义。其中,点PT1是第一指状部100a的左边界上的任意一点,且点PT2是穿过点PT1且平行于第一方向D1的虚拟水平线与第二指状部100b的左边界的交点。第二间距P2借由点PT2及点PT3的距离来定义。其中,点PT3是穿过点PT2且平行于第一方向D1的虚拟水平线与第三指状部100c的左边界的交点。第三指状部100c到第六指状部100f中的相邻两者之间的第三间距P3到第五间距P5可分别以类似于第一间距P1的定义方式来定义。在一些实施例中,第一间距P1到第五间距P5可为大于或等于2微米至小于或等于10微米之间(2微米≦相邻指状部的间距≦10微米)。
在一些实施例中,在第一方向D1上,第一指状部100a可具有电极宽度W。在一些实施例中,电极宽度W借由点PT4及点PT5来定义。点PT4是第一指状部100a的左边界上的任意一点。点PT5是穿过点PT4且平行于第一方向D1的虚拟水平线与第一指状部100a的右边界的交点。在一些实施例中,电极宽度W可为大于或等于0.5微米至小于或等于9微米之间(0.5微米≦电极宽度W≦9微米)。
在一些实施例中,在第一方向D1上,间隔宽度SP介于第一指状部100a及第二指状部100b之间。在一些实施例中,间隔宽度SP借由点PT6及点PT7来定义。点PT6是第一指状部100a的右边界上的任意一点。点PT7是穿过点PT6且平行于第一方向D1的虚拟水平线与第一指状部100a的左边界的交点。在一些实施例中,间隔宽度SP可为大于或等于1微米至小于或等于9.5微米之间(1微米≦间隔宽度SP≦9.5微米)。
在一些实施例中,第一间距P1为电极宽度W与间隔宽度SP的总和。在一些实施例中,电极宽度W与间隔宽度SP的比值介于1/19到9的范围之间(1/19≦电极宽度W/间隔宽度SP≦9)。举例而言,电极宽度W与间隔宽度SP的比值可为9、3、1、1/2、1/3、1/4或1/19,但不限于此。在一些实施例中,电极宽度W与间隔宽度SP的比值(电极宽度W/间隔宽度SP)为0.3到19(0.3≦电极宽度W/间隔宽度SP≦19)。举例而言,电极宽度W与间隔宽度SP的比值为0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、前述数值之间的任意数值或数值范围,然本公开不限于此。
如图2所示,第一直线部分110f可具有第一偏角A1。在下文中,由于第一直线部分110f具有物理上的宽度,因此在下文中借由第一直线部分110f的右边界来定义第一偏角A1,更具体的说,在一些实施例中,第一偏角A1是在弯折点处以平行于第二方向D2且朝向连接部320的虚拟垂直线为基准,依顺时针方向测量至第一直线部分110f的右边界的夹角。
在一些实施例中,第二直线部分120a到120f及第三直线部分130a到130f的第二偏角A2及第三偏角A3可类似于第一偏角A1进行定义。其余各直线部分的第四偏角A4到第六偏角A6亦可类似于第一偏角A1进行定义。蟹脚状部210的第七偏角A7及蟹脚状部220的第八偏角A8亦可类似于第一偏角A1进行定义。须注意的是,依据上述的测量方式,在图1与图2中,第一偏角A1、第二偏角A2、第三偏角A3、第七偏角A7与第九偏角A9均位于0度到90度的范围内(0度≦第一偏角A1、第二偏角A2、第三偏角A3、第七偏角A7或第九偏角A9<90度),而在图1中的第四偏角A4、第五偏角A5、第六偏角A6、第八偏角A8与第十偏角A10均位于270到360度的范围内(270度<第四偏角A4、第五偏角A5、第六偏角A6、第八偏角A8或第十偏角A10≦360度)。
在一些实施例中,蟹脚状部210可比指状部的直线部分更偏离自弯折点延伸的虚拟垂直线。例如在图1中,第七偏角A7大于第一直线部分110a的第一偏角A1。在一些实施例中,第七偏角A7可为大于或等于30度至小于或等于40度之间的范围(30度≦第七偏角A7≦40度)。而第八偏角A8可为大于或等于320度至小于或等于330度之间(320度≦第八偏角A8≦330度)。
如图2所示,中间部分140f为弯折部分,因此中间部分140f的上半部可具有第九偏角A9,且中间部分140f的下半部可具有第十偏角A10。在一些实施例中,第九偏角A9可为大于或等于30度至小于或等于40度之间(30度≦第九偏角A9≦40度),而第十偏角A10可为大于或等于320度至小于或等于330度之间(320度≦第十偏角A10≦330度)。
参照图3,其根据本公开的一些实施例,显示包括子像素单元U2的显示装置2的俯视示意图。为了便于说明,不再赘述与前文中具有相同或相似的元件符号的部件。
如图3所示,指状组件100省略中间部分。指状组件100可包括第一指状部100a到第六指状部100f。第一指状部100a包含第一直线部分110a、第二直线部分120a与第三直线部分130a。且第一直线部分110a与第二直线部分120a相连接,第二直线部分120a与第三直线部分130a相连接。而蟹脚状部210与220的偏斜方向类似,也就是说,蟹脚状部210与220的偏角都可落在大于或等于30度到40度之间的范围中(30度≦蟹脚状部偏角≦40度)。其中,第一直线部分110a具有第一偏角A1,第二直线部分120a具有第二偏角A2,且第三直线部分130a具有第三偏角A3。第二指状部100b到第六指状部100f分别具有与第一指状部100a大致相同的外观,因此不再赘述。如图3所示,第一偏角A1、第二偏角A2及第三偏角A3彼此不同。例如在一些实施例中,第一偏角A1、第二偏角A2及第三偏角A3之间具有一渐增的趋势,也就是第二偏角A2大于第一偏角A1,而第三偏角A3又大于第一偏角A1。而在另一些实施例中,第一偏角A1、第二偏角A2及第三偏角A3皆相同,使第一指状部100a到第六指状部100f分别形成如图5所示的单一直线部分。
参照图4,其根据本公开的一些实施例,显示包括子像素单元U3的显示装置3的俯视示意图。在一些实施例中,如图4所示,介于第一指状部100a及第二指状部100b的第一间距P1与介于第二指状部100b及第三指状部100c的第二间距P2不同。介于第三指状部100c及第四指状部100d的第三间距P3与第一间距P1不同,且第三间距P3与第二间距P2不同。在一些实施例中,第一间距P1至第三间距P3逐渐减少,且第三间距P3至第五间距P5逐渐增加。在一些实施例中,第一间距P1到第三间距P3中的相邻两者彼此不同。在一些实施例中,第二间距P2到第四间距P4中的相邻两者彼此相同。在另一些实施例中,第三间距P3与第一间距P1或第二间距P2相同。在一些实施例中,第一指状部100a到第六指状部100f的第一偏角A1相同。
在一些实施例中,诸如第一间距P1及第二间距P2的相邻间距的变化率((第二间距P2-第一间距P1)/第一间距P1×100%)可为大于或等于3%至小于或等于100%(3%≦相邻间距的变化率≦100%)。举例而言,相邻间距的变化率可为3%、5%、10%、15%、20%、30%、40%、60%、80%、100%、前述数值之间的任意数值或数值范围,然本公开不限于此。在一些实施例中,诸如第一间距P1及第二间距P2的相邻间距的变化量(第二间距P2减去第一间距P1)可大于或等于0.5微米且小于或等于8微米(0.5微米≦相邻间距变化量≦8微米)。举例而言,相邻间距的变化量可为0.5微米、1微米、1.5微米、2微米、3微米、前述数值之间的任意数值或数值范围,然本公开不限于此。
举例而言,第一间距P1到第五间距P5的例示性数值(单位为微米)或相对长度比例(无因次)如表1所示,然本公开不限于此。
表1
间距 | 范例1 | 范例2 | 范例3 | 范例4 | 范例5 | 范例6 |
第一间距P1 | 8 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
第二间距P2 | 7 | 7 | 7 | 6 | 7 | 6 |
第三间距P3 | 6 | 7 | 8 | 7 | 8 | 7 |
第四间距P4 | 7 | 7 | 7 | 7 | 6 | 8 |
第五间距P5 | 8 | 6 | 6 | 8 | 7 | 8 |
参照图5。图5与图4的主要差异在于第一指状部100a到第六指状部100f的外观,且图5中位于第一指状部100a到第六指状部100f下方的蟹脚状部的延伸方向与图4中指状部下方的蟹脚状部的延伸方向不同。其根据本公开的一些实施例,显示包括子像素单元U4的显示装置4的俯视示意图。如图5所示,第三间距P3与第一间距P1不同,且第三间距P3与第二间距P2不同,且第一指状部100a到第六指状部100f的第一偏角A1相同,但本公开中的间距与第一偏角变化不限于此。
参照图6,其根据本公开的一些实施例,显示包括子像素单元U5的显示装置5的俯视示意图。如图5所示,第一直线部分110a的第一偏角A1、第二直线部分120a的第二偏角A2及第三直线部分130a的第三偏角A3彼此不同,且第一偏角A1、第二偏角A2及第三偏角A3具有增加趋势(increasing trend)。所述增加趋势代表第一偏角A1、第二偏角A2及第三偏角A3在顺时针方向上(以俯视图观察时)逐渐变大。也就是说,第一偏角A1小于第二偏角A2,且第二偏角A2小于第三偏角A3。
在一些实施例中,诸如第一直线部分110a及第二直线部分120a的相邻直线部分的偏角的变化量(例如:第二偏角A2减去第一偏角A1)可大于或等于0.5度且小于或等于30度(0.5度≦偏角的变化量≦30度),然本公开不限于此。举例而言,第二偏角A2比第一偏角A1大,且其角度差异大于或等于0.5且小于或等于30度,且第三偏角A3比第二偏角A2大,且其角度差异大于或等于0.5且小于或等于30度。在另一些实施例中,若在虚拟水平线HL4’上方的第一指状部100a包括连续p个直线部分,p为大于或等于3且小于或等于100的自然数,则偏角的变化量可大于或等于0.5度且小于或等于(90/p)度(0.5度≦偏角变化量≦(90/P)度)。此外,根据前述的量测方式,在一些实施例中,第四偏角A4、第五偏角A5及第六偏角A6亦可具有增加趋势。此外,如图6所示,第一间距P1到第五间距P5可为相同。
参照图7,其根据本公开的一些实施例,显示包括子像素单元U6的显示装置6的俯视示意图。图7与图6的主要差异在于第一指状部100a到第六指状部100f的外观,且图7中位于第一指状部100a到第六指状部100f下方的蟹脚状部的延伸方向与图6中的指状部(例如,第一指状部100a到第六指状部100f)下方的蟹脚状部的延伸方向不同。如图7所示,第一偏角A1、第二偏角A2及第三偏角A3具有增加趋势,且第一间距P1到第五间距P5可为相同。
参照图8及图9,其根据本公开的一些实施例,分别显示包括子像素单元U7的显示装置7及包括子像素单元U8的显示装置8的俯视示意图。如图8及图9所示,第一间距P1与第二间距P2不同,且第一偏角A1、第二偏角A2及第三偏角A3具有增加趋势。图8与图9的主要差异在于第一指状部100a到第六指状部100f的外观,且图9中位于第一指状部100a到第六指状部100f下方的蟹脚状部的延伸方向与图8中的指状部下方的蟹脚状部的延伸方向不同。
因此,在本公开的各子像素单元中的各像素电极中的各指状部之间的间距不相同、各直线部分的偏角具有增加趋势及/或调整各直线部分的高度比例的情况下,能够影响外界光线照射到显示面板时的干涉及绕射效果,从而弱化彩虹纹路及/或使得彩虹纹路晕开并模糊化。
参照图10,其根据本公开的一些实施例,分别显示包括子像素单元U9及U9’的显示装置9的俯视示意图。图10显示子像素单元U9及另一子像素单元U9’。其中,子像素单元U9与另一子像素单元U9’可相邻或不相邻。像素电极PE设置在子像素单元U9中,且另一像素电极PE’设置在子像素单元U9’中。举例而言,子像素单元U9可为红色子像素单元,且子像素单元U9’可为绿色子像素单元或蓝色子像素单元,但不限于此。
如图10所示,在一些实施例中,像素电极PE’可包括指状组件100’、蟹脚状组件200及连接组件300。在一些实施例中,指状组件100’可包括第一指状部100a’到第六指状部100f’。第一指状部100a’到第六指状部100f’中的相邻两者可分别具有第一间距P1’到第五间距P5’。第一指状部100a’可包括第一直线部分110a’到第三直线部分130a’、中间部分140a’及第四直线部分150a’到第六直线部分170a’,但直线部分的数量不限于此。在一些实施例中,第一直线部分110a’到第三直线部分130a’可分别具有第一偏角A1’到第三偏角A3’。类似地,中间部分140a’及第四直线部分150a’到第六直线部分170a’可分别具有偏角。第一直线部分110a’到第三直线部分130a’可分别具有高度H1’到高度H3’。类似地,中间部分140a’及第四直线部分150a’到第六直线部分170a’可分别具有高度。
如图10所示,在一些实施例中,像素电极PE的第一偏角A1到第三偏角A3可为相同或不同,且像素电极PE’的第一偏角A1’到第三偏角A3’可为相同或不同。在一些实施例中,子像素单元U9’中的像素电极PE’的第一偏角A1’、第二偏角A2’及第三偏角A3’具有增加趋势。在一些实施例中,子像素单元U9中的像素电极PE的第一偏角A1、第二偏角A2及第三偏角A3具有第一增加趋势,子像素单元U9’中的像素电极PE’的第一偏角A1’、第二偏角A2’及第三偏角A3’具有第二增加趋势,且第一增加趋势与第二增加趋势可为相同或不同。也就是说,在子像素单元U9中的像素电极PE的第二偏角A2与第一偏角A1的差异可以和在子像素单元U9’中的像素电极PE’的第二偏角A2’与第一偏角A1’的差异相同或不同,而在子像素单元U9中的像素电极PE的第三偏角A3与第二偏角A2的差异可以和在子像素单元U9’中的像素电极PE’的第三偏角A3’与第二偏角A2’的差异相同或不同。
在一些实施例中,第一偏角A1及A1’到第三偏角A3及A3’的例示性数值(单位为度)如表2所示,然本公开不限于此。
表2
在另一些实施例中,像素电极PE中的不同指状部的直线部分的偏角可为不同。举例而言,像素电极PE中的第一指状部100a的第一直线部分110a的第一偏角A1可与像素电极PE中的第二指状部100b的第一直线部分110b的第一偏角A1不同。
如图10所示,在一些实施例中,像素电极PE中的第一指状部100a及第二指状部100b之间的第一间距P1可与像素电极PE’中的第一指状部100a’及第二指状部100b’之间的第一间距P1’不同。
如图10所示,在一些实施例中,像素电极PE’中的第一直线部分110a’到第三直线部分130a’的高度H1’到高度H3’可彼此不同。在一些实施例中,像素电极PE中的高度H1、高度H2及高度H3具有第一高度比例(高度H1:高度H2:高度H3),像素电极PE’中的高度H1’、高度H2’及高度H3’具有第二高度比例(高度H1’:高度H2’:高度H3’),且第一高度比例可与第二高度比例相同或不同。例如,在一些实施例中,像素电极PE中的高度H1到高度H3可为彼此相同,因此第一高度比例可为1:1:1。在一些实施例中,像素电极PE’中的高度H1’到高度H3’中的至少两者可为相同或彼此不同,例如第二高度比例可为1:1:1、2:1:1、1:2:1、1:1:2、3:1:1、3:2:1、3:1:2、1:3:1、1:3:2、2:3:1、1:1:3、1:2:3、2:1:3或其他合适的高度比例,然本公开中第一高度比例与第二高度比例并不限于此。
在一些实施例中,像素电极PE中的不同指状部的直线部分的高度可为不同。举例而言,像素电极PE中的第一指状部100a的第一直线部分110a的高度H1与像素电极PE中的第二指状部100b的第一直线部分110b的高度H1不同。
在另一些实施例中,提供不同于像素电极PE及像素电极PE’的另一像素电极(未绘出),且所述另一像素电极的第一间距到第五间距可为相同,且所述另一像素电极的第一间距与第一间距P1及第一间距P1’彼此不同。在一些实施例中,所述另一像素电极的第一偏角与第一偏角A1及第一偏角A1’彼此不同。在一些实施例中,所述另一像素电极的增加趋势与第一增加趋势及第二增加趋势不同。在一些实施例中,所述另一像素电极的高度比例与第一高度比例及第二高度比例不同。
参照图11,其根据本公开的一些实施例,分别显示包括子像素单元U10及U10’的显示装置10的俯视示意图。图10与图11的主要差异在于第一指状部100a到第六指状部100f的外观,且图11中位于第一指状部100a到第六指状部100f下方的蟹脚状部的延伸方向与图10中指状部下方的蟹脚状部的延伸方向不同。而图11中子像素单元U10及U10’在指状部外观,例如各直线部分的高度、偏角变化及/或高度比例等差异,可参考图10的相关说明,此处不再赘述。
参照图12及图13,其根据本公开的一些实施例,分别显示包括子像素单元U11及U11’的显示装置11及包括子像素单元U12及U12’的显示装置12的俯视示意图。须注意的是,图12与图10的差异在于,在图12中像素电极PE中各指状部的间距与像素电极PE’中各指状部的间距可为相同。另外,在图12中,由于各个指状部在中间部分(例如子像素单元U11中的中间部分140a与子像素单元U11’中的中间部分140a’)上方的各直线部分(例如子像素单元U11的第一指状部100a的第一直线部分110a到第三直线部分130a)的偏角维持相同,使得每个指状部在中间部分上方的部分可被视为单一直线部分。相似的,由于各个指状部在中间部分下方的各直线部分(例如子像素单元U11的第一指状部100a的第四直线部分150a到第六直线部分170a)的偏角维持相同,使得每个指状部在中间部分下方的部分可被视为单一直线部分。
相似的,而图13与图11的差异也在于图13中像素电极PE中各指状部的间距与像素电极PE’中各指状部的间距可为相同,且图13中像素电极PE与像素电极PE’的各指状部可分别被视为单一直线部分。
如图12及图13所示,在一些实施例中,像素电极PE中的第一间距P1到第五间距P5彼此相同,像素电极PE’中的第一间距P1’到第五间距P5’彼此相同,且像素电极PE的第一间距P1与像素电极PE’的第一间距P1’可为相同。但在一些实施例中,像素电极PE中的第一偏角A1可与像素电极PE’中的第一偏角A1’不同。在一些实施例中,像素电极PE中的第一偏角A1与像素电极PE’中的第一偏角A1’的差异可大于或等于0.5度且小于或等于30度(0.5度≦偏角差异≦30度)。举例而言,第一偏角A1可为7度且第一偏角A1’可为7.5度,但不限于此。
参照图14及图15,其根据本公开的一些实施例,分别显示包括子像素单元U13及U13’的显示装置13及包括子像素单元U14及U14’的显示装置14的俯视示意图。须注意的是,与图12相似,在图14中每个指状部在中间部分上方与下方的部分可分别被视为单一直线部分。而图15与图13相似,在图15中,像素电极PE与像素电极PE’的各指状部可分别被视为单一直线部分。
如图14及图15所示,在一些实施例中,像素电极PE中的第一间距P1到第五间距P5彼此相同,像素电极PE’中的第一间距P1’到第五间距P5’彼此相同,且像素电极PE的第一间距P1与像素电极PE’的第一间距P1’不同。在一些实施例中,像素电极PE的第一间距P1与像素电极PE’的第一间距P1’的差值可位于0.5微米到8微米的范围内(0.5微米≦相邻间距变化量≦8微米)。例如依图14与图15所示,第一间距P1大于第一间距P1’,然本公开不限于此。在另一些实施例中,第一间距P1可小于第一间距P1’。另外,如图14与图15所示,像素电极PE中的第一偏角A1与像素电极PE’中的第一偏角A1’可以不同。而在另一些实施例中,像素电极PE中的第一偏角A1可与像素电极PE’中的第一偏角A1’相同。
综上所述,根据本公开实施例,提供一种包括多个像素电极的显示装置,以借由各像素电极的不同结构来降低显示装置中的显示面板表面的彩虹纹路。举例而言,借由调整像素电极中的各指状部的高度、偏角及/或间距,进而使得各子像素单元的排列乱序,来降低外界光线的干涉与绕射,从而弱化彩虹纹路及/或使得彩虹纹路晕开并模糊化。此外,借由调整像素电极的厚度来降低显示装置中的显示面板表面的彩虹纹路。
本公开实施例之间的部件只要不违背发明精神或相冲突,均可任意混合搭配使用。此外,本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤,任何本领域中的普通技术人员可从本公开揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤,只要可以在此处所述实施例中实施实质上相同功能或获得实质上相同结果皆可根据本公开使用。因此,本公开的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。本公开的任一实施例或权利要求不须达成本公开所公开的全部目的、优点及/或特点。
以上概述数个实施例,以便本领域技术人员可以更理解本公开实施例的观点。本领域技术人员应该理解,他们能以本公开实施例为基础,设计或修改其他制程和结构,以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。本领域技术人员也应该理解到,此类等效的制程和结构并无悖离本公开的精神与范围,且他们能在不违背本公开的精神和范围之下,做各式各样的改变、取代和替换。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括一显示面板,且所述显示面板包括:
多个像素电极,其中所述多个像素电极中的一者包括:
一第一指状部;
一第二指状部;以及
一第三指状部;
其中,所述第一指状部、所述第二指状部及所述第三指状部位于相同层上,所述第二指状部介于所述第一指状部及所述第三指状部之间,且介于所述第一指状部与所述第二指状部之间的一第一间距不同于介于所述第二指状部与所述第三指状部之间的一第二间距。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述多个像素电极中的所述一者更包括:
一第四指状部;
其中,介于所述第三指状部与所述第四指状部之间的一第三间距与所述第一间距或所述第二间距相同。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一间距为一电极宽度及一间隔宽度的总和,且所述电极宽度与所述间隔宽度的比值介于1/19到9的范围之间。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,与所述多个像素电极中的所述一者相邻的所述多个像素电极中的另一者包括:
一第五指状部;以及
一第六指状部;
其中,介于所述第五指状部与所述第六指状部之间的一第四间距不同于所述第一间距。
5.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括一显示面板,且所述显示面板包括:
多个像素电极,其中所述多个像素电极中的一者包括:
一第一指状部,包括一第一直线部分、一第二直线部分及一第三直线部分,且所述第二直线部分连接所述第一直线部分及所述第三直线部分;
其中,所述第一直线部分具有一第一偏角,所述第二直线部分具有一第二偏角,所述第三直线部分具有一第三偏角,且所述第一偏角、所述第二偏角及所述第三偏角具有一第一增加趋势。
6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述第三偏角与所述第二偏角的一角度差异大于或等于0.5且小于或等于30度,且所述第二偏角与所述第一偏角的一角度差异大于或等于0.5且小于或等于30度。
7.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述第一直线部分、所述第二直线部分及所述第三直线部分中的至少两者的高度相同。
8.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述多个像素电极包括:
一连接部;以及
一蟹脚状部,连接所述连接部及所述第一指状部,其中所述蟹脚状部具有一第四偏角,且所述第四偏角大于所述第一偏角。
9.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,与所述多个像素电极中的所述一者相邻的所述多个像素电极中的另一者包括:
一第二指状部,包括一第四直线部分、一第五直线部分及一第六直线部分,且所述第五直线部分连接所述第四直线部分及所述第六直线部分;
其中,所述第四直线部分具有一第四偏角,所述第五直线部分具有一第五偏角,所述第六直线部分具有一第六偏角,所述第四偏角、所述第五偏角及所述第六偏角具有一第二增加趋势,且所述第二增加趋势与所述第一增加趋势不同。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第一直线部分、所述第二直线部分与所述第三直线部分具有一第一高度比例,所述第四直线部分、所述第五直线部分与所述第六直线部分具有一第二高度比例,且所述第一高度比例与所述第二高度比例不同。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210472406.4A CN117012098A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 显示装置 |
TW111146552A TW202343103A (zh) | 2022-04-29 | 2022-12-05 | 顯示裝置 |
US18/189,366 US20230354673A1 (en) | 2022-04-29 | 2023-03-24 | Display device |
EP23166001.0A EP4270104A1 (en) | 2022-04-29 | 2023-03-31 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210472406.4A CN117012098A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117012098A true CN117012098A (zh) | 2023-11-07 |
Family
ID=85800373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210472406.4A Pending CN117012098A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230354673A1 (zh) |
EP (1) | EP4270104A1 (zh) |
CN (1) | CN117012098A (zh) |
TW (1) | TW202343103A (zh) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5750074B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2015-07-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、および電子機器 |
KR102089328B1 (ko) * | 2013-10-08 | 2020-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2022
- 2022-04-29 CN CN202210472406.4A patent/CN117012098A/zh active Pending
- 2022-12-05 TW TW111146552A patent/TW202343103A/zh unknown
-
2023
- 2023-03-24 US US18/189,366 patent/US20230354673A1/en active Pending
- 2023-03-31 EP EP23166001.0A patent/EP4270104A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230354673A1 (en) | 2023-11-02 |
TW202343103A (zh) | 2023-11-01 |
EP4270104A1 (en) | 2023-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9536860B2 (en) | Stretchable display | |
KR101968257B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
US9502447B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, display device | |
JP7341790B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
CN104849921B (zh) | 液晶显示装置 | |
KR20190112228A (ko) | 표시 장치 | |
US6411357B1 (en) | Electrode structure for a wide viewing angle liquid crystal display | |
US9804468B2 (en) | Liquid crystal display | |
KR20240010744A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 리페어 방법 | |
CN107422506B (zh) | 阵列基板与显示面板 | |
US20230273488A1 (en) | Display device | |
JP2017032973A (ja) | 表示パネル | |
CN107783343B (zh) | 像素结构及显示面板 | |
CN117012098A (zh) | 显示装置 | |
CN107193167B (zh) | 阵列基板及液晶显示面板 | |
US20180120974A1 (en) | Touch display devices | |
US20170031215A1 (en) | Display apparatus having pattern of slits on top-common electrode | |
US7116388B2 (en) | Liquid crystal display panel having inter-digital electrodes | |
US11378848B2 (en) | Pixel structure and manufacturing method thereof, array substrate and display device | |
CN116018030A (zh) | 显示装置 | |
US20170162609A1 (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
US11049891B2 (en) | Pixel array substrate | |
KR102477326B1 (ko) | 상이한 그레이 레벨에서 시야각이 달라지는 안정적인 유지보수율을 갖는 디스플레이 패널 | |
US9679923B2 (en) | Array substrate, method for manufacturing the same and display device | |
JP2016167378A (ja) | 発光装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |