CN116996024A - 一种抗干扰的混频器件 - Google Patents
一种抗干扰的混频器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116996024A CN116996024A CN202311030009.2A CN202311030009A CN116996024A CN 116996024 A CN116996024 A CN 116996024A CN 202311030009 A CN202311030009 A CN 202311030009A CN 116996024 A CN116996024 A CN 116996024A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- circuit
- mixer
- band
- pass filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
本发明属于微波通讯的技术领域，尤其涉及一种抗干扰的混频器件。所述混频器件包括混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片；所述带通滤波器芯片和两级放大器芯片分别固定在陶瓷载板上，并且所述带通带通滤波器芯片和两级放大器芯片均采用独立的金属围框进行围挡；所述金属围框的底部设置线槽，所述带通滤波器芯片和两级放大器芯片之间通过线槽进行信号传输。本发明公开的抗干扰混频器件可以有效降低混频器件内部各元件之间的相互干扰。
Description
技术领域
本发明属于微波通讯的技术领域，尤其涉及一种抗干扰的混频器件。
背景技术
变频器作为雷达和通讯系统中关键的分系统，随着雷达和通讯系统快速发展，对变频器的要求越来越高。新型的变频器件要求结构小巧、纵向尺寸薄，多芯片电路集成度高。而限制变频器向小型化、高集成化发展的原因主要是混频器内部各个电路之间干扰，当变频器缩小到一定程度时，内部各个电路之间就会产生干扰，导致混频器的整体性能变差，所以现在亟需一种具备抗干扰特性的混频器件，并且该混频器件具备集成度高、尺寸小和重量轻等特点。
发明内容
为了降低混频器件内部各个电路之间的干扰，为此，本发明提出了一种抗干扰的混频器件，具体方案如下：
一种抗干扰的混频器件，所述混频器件包括混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片；
所述混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片分别固定在陶瓷载板1上，并且所述带通滤波器芯片和两级放大器芯片均采用独立的金属围框2进行围挡；
所述金属围框2的底部设置线槽3，所述带通滤波器芯片和两级放大器芯片之间通过线槽3进行信号传输。
进一步的，所述混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片均通过高温导电胶粘接在所述陶瓷载板1的不同位置上。
进一步的，所述混频器件还包括高温陶瓷壳体，所述高温陶瓷壳体与所述金属围框2烧结成一体，形成SIP壳体。
进一步的，所述金属围框2顶部设置有金属盖板，所述金属盖板与金属围框2之间通过焊接工艺连接；
所述金属盖板上方设置壳体盖板。
进一步的，所述混频器件为分层结构，依次为底层、电源电路层、接地层和微波电路层，其中底层为无针脚贴片式封装。
进一步的，微波电路层、接地层、电源电路层和底层之间通过垂直互联通孔结构连接。
进一步的，所述微波电路层包括依次连接的第一滤波电路61、倍频混频电路62、第一衰减电路63、第二滤波电路64、一级放大电路64、第三滤波电路65、第二衰减电路67和二级放大电路68。
进一步的，所述混频器件可用于Ka、Ku和X频段。
本发明的有益效果在于：利于混频器件的小型化，避免在混频器件小型化过程中各个电路之间产生相互干扰，导致混频器件的整体性能降低。通过本发明生产的混频器具有高集成度、尺寸小和重量轻等特点。
附图说明
图1为本发明实施例中提出的一种抗干扰的混频器件中金属围框与射频线路的相对位置图。
图2为本发明提出的一种抗干扰的混频器件的俯视图；
图3为本发明实施例中电路结构布局图。
图中：1、陶瓷载体；2、金属围框；3、线槽；4、射频线路；5、壳体；61、第一滤波电路；62、倍频混频电路；63、第一衰减电路；64、第二滤波电路；65、一级放大电路；66、第三滤波电路；67第二衰减电路；68二级放大电路；21-30均为引脚标号。
具体实施方式
本发明公开了一种抗干扰的混频器件，所述混频器件包括混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片；
所述混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片分别固定在陶瓷载板1上，并且所述带通带通滤波器芯片和两级放大器芯片均采用独立的金属围框2进行围挡；
所述金属围框2的底部开线槽3，所述混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片之间通过线槽3进行信号传输。
示例性的，混频器件内包括混频器芯片、带通滤波器芯片、第一放大器芯片和第二放大器芯片，带通滤波芯片是处理混频过程中带来的杂散，放大器是起到信号放大作用。在高度集成化时，芯片间会产生相互干扰。本申请采用金属围框2将各个芯片围起来，各个芯片位于一个独立的腔体内，起到电磁屏蔽作用。如图1所示，为了使得多个芯片之间能够进行交互，所述金属围框2的底部开设有线槽3。射频线路4预埋进所述线槽3中，各个芯片通过所述射频线路4进行信号传输。在本实施例中各个芯片免受相邻的其他芯片的电磁干扰，同时抗干扰能力越强，相对应的会提升各个芯片模块的传输距离，分腔也可以避免小尺寸大增益信号产生自激问题出现。同时优选的，所述线槽3的尺寸根据射频线路4的尺寸进行开设，射频线路4的尺寸与线槽3对应，正好使得射频线路4从线槽3中穿过。
进一步的，所述混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片均通过高温导电胶粘接在所述陶瓷载板1的不同位置上。
示例性的，采用高温导电胶粘接混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片，胶粘使得各个芯片与陶瓷载板1之间紧密连接，而采用高温导电胶可以使得混频器在高温环境下运行稳定，增加信号传输距离。示例性的，所述带通滤波器固定在所述长方形陶瓷载板1的1/3处，两级放大器芯片设置在所述长方形陶瓷载板1的2/3处。
进一步的，所述混频器件还包括高温陶瓷壳体，所述高温陶瓷壳体与所述金属围框2烧结成一体，形成SIP壳体。
具体的，高温陶瓷壳体与金属围框2烧结成一体可以将金属围框2中的温度快速传递出，提高混频器的耐热性能。金属围框2和壳体5壁薄质轻，跟常规设计选用金属盒体相比可以降低整个混频器的重量。
进一步的，所述金属围框2顶部设置有金属盖板，所述金属盖板与金属围框2之间通过焊接工艺连接；
所述金属盖板上方设置壳体盖板。
具体的，为了进一步提高各个芯片之间的隔离效果，在所述金属围框2顶部设置金属盖板，并且采用焊接工艺进行连接。同时为了加强散热，所述金属盖板上方设置壳体盖板，由于壳体盖板的面积大于金属盖板，所以当金属盖板热量导入到壳体盖板后，能够更快完成散热。
进一步的，所述混频器件为分层结构，依次为底层、电源电路层、接地层和微波电路层，其中底层为无针脚贴片式封装。
具体的，通过混频器件的分层结构，可以防止微波信号通过电源线路形成相互干扰，进一步优化放大器电源的纯净度，陶瓷载板1设计为多层布线增强隔离。微波电路层中各个器件的接地端口连接至接地层，电源端口连接至电源电路层。优选的，微波电路层、接地层、电源电路层和底层之间通过垂直互联通孔结构连接。通过垂直互联结构，可以减少各层之间的连线复杂程度，提高混频器的稳定性。优选的，如图2所示，混频器件内部采用贴片式封装，取代常规使用的连接器或者波导来进行射频信号、供电信号等的传输，大大减小混频器件的尺寸和重量。图2中底层引脚定义21、22、23分别为本振信号、中频信号、射频信号对外连接接口位置，24、25分别为外部供电接口位置，26-30号引脚为接地端。优选的，所述接地端采用接地焊盘。采用接地焊盘能够大大提高引脚焊盘的对称和美观。
进一步的，所述微波电路层包括依次连接的第一滤波电路61、倍频混频电路62、第一衰减电路63、第二滤波电路64、一级放大电路65、第三滤波电路66、第二衰减电路67和二级放大电路68。
具体的，本振信号输入经过第一滤波电路后，通过倍频混频电路进行倍频后与本振信号进行混频，混频后的信号依次通过第一衰减电路、第二滤波电路、一级放大电路、第三滤波电路、第二衰减电路、二级放大电路，最终输出稳定的射频信号。
进一步的，所述混频器件可用于Ka、Ku和X频段。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种抗干扰的混频器件，其特征在于，
所述混频器件包括混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片；
所述混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片分别固定在陶瓷载板(1)上，并且所述带通带通滤波器芯片和两级放大器芯片均采用独立的金属围框(2)进行围挡；
所述金属围框(2)的底部设置线槽(3)，所述混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片之间通过线槽(3)进行信号传输。
2.根据权利要求1所述的一种抗干扰的混频器件，其特征在于，
所述混频器芯片、带通滤波器芯片和两级放大器芯片均通过高温导电胶粘接在所述陶瓷载板(1)的不同位置上。
3.根据权利要求1所述的一种抗干扰的混频器件，其特征在于，
所述混频器件还包括高温陶瓷壳体，所述高温陶瓷壳体与所述金属围框(2)烧结成一体，形成SIP壳体。
4.根据权利要求1所述的一种抗干扰的混频器件，其特征在于，
所述金属围框(2)顶部设置有金属盖板，所述金属盖板与金属围框(2)之间通过焊接工艺连接；
所述金属盖板上方设置壳体盖板。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的一种抗干扰的混频器件，其特征在于，
所述混频器件为分层结构，依次为底层、电源电路层、接地层和微波电路层，其中底层为无针脚贴片式封装。
6.根据权利要求5所述的一种抗干扰的混频器件，其特征在于，
微波电路层、接地层、电源电路层和底层之间通过垂直互联通孔结构连接。
7.根据权利要求6所述的一种抗干扰的混频器件，其特征在于，
所述微波电路层包括依次连接的第一滤波电路(61)、倍频混频电路(62)、第一衰减电路(63)、第二滤波电路(64)、一级放大电路(64)、第三滤波电路(65)、第二衰减电路(67)和二级放大电路(68)。
8.根据权利要求1所述的一种抗干扰的混频器件，其特征在于，
所述混频器件可用于Ka、Ku和X频段。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311030009.2A CN116996024A (zh) | 2023-08-16 | 2023-08-16 | 一种抗干扰的混频器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311030009.2A CN116996024A (zh) | 2023-08-16 | 2023-08-16 | 一种抗干扰的混频器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116996024A true CN116996024A (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=88530105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311030009.2A Pending CN116996024A (zh) | 2023-08-16 | 2023-08-16 | 一种抗干扰的混频器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116996024A (zh) |
-
2023
- 2023-08-16 CN CN202311030009.2A patent/CN116996024A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9648725B2 (en) | High-frequency circuit package and sensor module | |
| US7089032B2 (en) | Radio transmitting/receiving device | |
| JP4418250B2 (ja) | 高周波回路モジュール | |
| CN111048500B (zh) | 一体化封装射频微系统组件 | |
| CN215496704U (zh) | 一种基于HTCC的Ku波段集成封装微波组件 | |
| CN107317081A (zh) | 太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构 | |
| WO2023116305A1 (zh) | 一种封装模组、其制备方法、基站及电子设备 | |
| CN113540777B (zh) | 基于有源aip单元的平板相控阵天线架构 | |
| CN115666051A (zh) | 一种一体化有源相控阵封装天线射频微系统 | |
| CN111555734A (zh) | 一种基于RF-SiP技术的声表面波开关滤波模块和电子设备 | |
| JP2004128288A (ja) | 半導体装置および電子装置 | |
| CN116996024A (zh) | 一种抗干扰的混频器件 | |
| WO2022111151A1 (zh) | 一种电子元件和电子设备 | |
| CN114496996B (zh) | 一种tr组件的电磁屏蔽结构 | |
| CN115166641A (zh) | 一种基于sip的小型化表贴收发组件 | |
| CN109067414A (zh) | 一种基于sip技术的超外差变频芯片 | |
| KR100579137B1 (ko) | 엘티씨씨를 이용한 송/수신기 모듈 | |
| CN113114129A (zh) | 一种新型载片式内匹配功率放大器 | |
| CN107622170A (zh) | 一种mimo毫米波有源电路设计方法 | |
| CN214900800U (zh) | 一种新型载片式内匹配功率放大器 | |
| CN114864512B (zh) | 基于htcc的k波段射频微系统三维收发组件 | |
| CN216122702U (zh) | 一种Ku波段收发组件芯片陶瓷封装外壳 | |
| CN117674879B (zh) | 一种砖式tr模块 | |
| CN116192055A (zh) | 一种基于厚膜的上下变频器及其实现方法 | |
| CN117240236A (zh) | 功率放大器模块及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |