CN116982264A - 电子装置和用于控制可变形电子装置中的发射信号的功率的方法 - Google Patents

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CN116982264A CN202280019377.4A CN202280019377A CN116982264A CN 116982264 A CN116982264 A CN 116982264A CN 202280019377 A CN202280019377 A CN 202280019377A CN 116982264 A CN116982264 A CN 116982264A
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李昌和
张韶希
刘炯准
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Abstract

提供了一种电子装置。该电子装置包括：第一壳体；可旋转地联接到第一壳体的第二壳体；存储器；应用处理器；通信处理器；连接到通信处理器的至少一个射频集成电路(RFIC)；以及多个天线，其通过至少一个射频前端(RFFE)电路连接到至少一个RFIC，其中通信处理器可以控制：确认用于多个天线的天线相关配置的变化；响应于天线相关配置的变化，确认关于通过多个天线中的至少一个天线的信号传送的频带信息；确认从应用处理器接收的第一壳体与第二壳体之间的折叠状态信息；从存储器中确认响应于所确认的频带信息、折叠状态信息和与通信处理器相关的事件而设置的与发射功率相关的设置值；以及基于所确认的与发射功率相关的设置值，来调整通过多个天线中的至少一个天线要发射的发射信号的功率。

Description

电子装置和用于控制可变形电子装置中的发射信号的功率的 方法
技术领域
本公开涉及一种电子装置和用于控制可变形电子装置中发射信号的功率的方法。
背景技术
由于最近移动通信技术的发展，提供各种功能的便携式终端被广泛采用，正在努力开发第五代(5G)通信系统以满足日益增长的无线数据业务的需求。除了3G通信系统和用于长期演进(LTE)通信系统的频带之外，5G通信系统还考虑在更高的频带(例如，毫米波频带或25至60GHz的频带)中实现，以便提供更高的数据传输速度，从而实现更高的数据传输速率。
例如，在5G通信系统中，正在讨论波束成形、大规模多输入多输出(MIMO)、全维MIMO(FD-MIMO)、阵列天线、模拟波束成形和大规模天线等技术，以降低毫米波段的传播路径损耗并增加传播传输距离。
为了从电子装置向通信网络(例如，基站)发送信号，从电子装置中的处理器或通信处理器产生的数据可以通过射频集成电路(RFIC)和射频前端(RFFE)电路进行信号处理，然后通过至少一个天线发射到电子装置的外部。
上述信息仅作为背景信息提供，以帮助理解本公开。关于上述任何内容是否可以作为关于本公开的现有技术而适用，还没有做出任何确定，也没有做出任何断言。
发明内容
技术问题
本公开的各方面旨在至少解决上述问题和/或缺点，并至少提供下述优点。因此，本公开的一个方面是提供一种电子装置，其提供多个发射路径(Tx路径)以将信号发射到通信网络(例如，基站)。由电子装置提供的多个发射路径可以包括用于每个路径的RFIC和/或RFFE电路。此外，每个RFFE电路可以与一个或更多个天线连接，并且因此，多个发射路径可以被划分为与一个或者更多个天线相对应的多个天线发射路径(天线Tx路径)。
在LTE或5G通信环境中，为了提高通信速度并提供高流量，可以应用多无线电接入技术(RAT)互通(例如，演进通用地面无线接入(E-UTRA)新的无线电双连接(EN-DC))或载波聚合(CA)技术。电子装置的总辐射功率(TRP)可以表示为天线增益和发射功率(Tx功率)(例如，传导功率)之和。电子装置可以通过天线开关控制器改变天线增益，并通过发射功率控制器改变发射功率，从而改变电子装置的总辐射功率。例如，当电子装置考虑多个频率分量，例如EN-DC或载波聚合，来改变天线增益时，发射功率控制器可能无法识别改变的总辐射功率的大小，从而可能难以额外调整总辐射功率。由于发射功率控制器不能反映总辐射功率的变化，电子装置的通信性能可能会降低。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且根据该描述将部分地清楚，或者可以通过实践所提出的实施例来了解。
根据各种实施例，可以提供一种电子装置和方法，该电子装置能够在传输两个或更多个发射信号(例如，2Tx)的环境(例如，EN-DC或上行链路CA(ULCA))中，通过集成管理天线增益和发射功率之间的状态来增强电子装置的通信性能，该方法用于控制可变形电子装置中的发射信号的功率。
根据各种实施例，可以提供一种电子装置和方法，该电子装置能够通过基于对应于与应用处理器相关的事件或与通信处理器相关的事情而设置的发射功率来发射信号以增强电子装置的通信性能，该方法用于控制可变形电子装置中的发射信号的功率。
根据各种实施例，可以提供一种电子装置和方法，该电子装置能够通过基于对应于与通信处理器相关的事件设置的发射功率和/或与当天线相关设置在可变形电子装置中被改变时的变形相关的信息(例如，折叠状态信息)发射信号来增强电子装置的通信性能，该方法用于控制可变形电子装置中的发射信号的功率。
技术方案
根据各种实施例，一种电子装置可包括：第一壳体；第二壳体，其与第一壳体可枢转地联接；存储器；应用处理器；通信处理器；与通信处理器连接的至少一个射频集成电路(RFIC)；以及多个天线，所述多个天线中的每个天线布置在第一壳体或第二壳体的内部或一部分中，并通过至少一个射频前端(RFFE)电路与至少一个RFIC连接，以发射或接收与至少一个通信网络相对应的信号。通信处理器可以：识别多个天线的天线相关设置的变化，响应于天线相关设置的改变，识别关于通过多个天线中的至少一个天线传送的信号的频带信息，识别从应用处理器接收的第一壳体与第二壳体之间的折叠状态信息，从存储器识别发射功率相关设置值，所述发射功率相关设置值是对应于识别出的频带信息、折叠状态信息和与通信处理器相关的事件而设置的，以及控制以基于识别出的发射功率相关设置值，调整通过多个天线中的至少一个天线要被发射的发射信号的功率。
根据各种实施例，一种用于控制电子装置中的发射信号的功率的方法，所述电子装置包括第一壳体、与第一壳体可枢转地联接的第二壳体、存储器、应用处理器、通信处理器、与通信处理器连接的至少一个RFIC，以及多个天线，所述多个天线中的每个天线布置在第一壳体或第二壳体的内部或一部分中并且通过至少一个RFFE电路与至少一个RFIC连接以发射或接收与至少一个通信网络相对应的信号，该方法可以包括：识别多个天线的天线相关设置的变化，响应于天线相关设置的变化，识别通过多个天线中的至少一个天线传送的信号的频带信息，识别从应用处理器接收的第一壳体与第二壳体之间的折叠状态信息，从存储器识别发射功率相关设置值，所述发射功率相关设置值是对应于识别出的频带信息、折叠状态信息和与通信处理器相关的事件而设置的，以及基于识别出的发射功率相关设置值来调整通过多个天线中的至少一个天线要被发射的发射信号的功率。
有益效果
根据各种实施例，可以补偿电子装置的结构和设计中可能出现的发射功率的损失，并且通过基于对应于与通信处理器相关的事件而设置的发射功率和/或与可变形电子装置(例如，可折叠电子装置或可滑动电子装置)中的变形相关的信息(例如，折叠状态信息)发射信号来增强通信性能。
本公开的其他方面、优点和显著特征将从以下详细描述中对本领域技术人员变得清楚，结合附图，这些详细描述公开了本公开的各种实施例。
附图说明
通过结合附图进行以下描述，本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和优点将更清楚，其中：
图1是示出根据本公开的实施例的网络环境中的电子装置的框图。
图2a是根据本公开的实施例的用于支持传统网络通信和5G网络通信的电子装置的框图。
图2b是根据本公开的实施例的用于支持传统网络通信和5G网络通信的电子装置的框图。
图3a是示出根据本公开的实施例的提供传统通信网络和/或5G通信网络的无线通信系统的视图。
图3b是示出根据本公开的实施例的提供传统通信网络和/或5G通信网络的无线通信系统的视图。
图3c是示出根据本公开的实施例的提供传统通信网络和/或5G通信网络的无线通信系统的视图。
图4a是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
图4b是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
图4c是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
图4d是示出根据各种实施例的电子装置的框图。
图4e是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
图4f是示出根据本公开的实施例的用于确定最大可发射功率的方法的示例的框图。
图5a是示出根据本公开的实施例的天线调谐电路的视图。
图5b是示出根据本公开的实施例的天线调谐电路的视图。
图5c是示出根据本公开的实施例的天线调谐电路的视图。
图5d是示出根据本公开的实施例的天线调谐电路的视图。
图6是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
图7是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
图8是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
图9示出了根据本公开的实施例的电子装置的内部结构。
图10是示出根据各种实施例的载波聚合中天线增益的变化的视图。
图11是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
图12a是示出根据本公开的实施例的关于电子装置的折叠状态信息的视图。
图12b示出了根据本公开的实施例的电子装置的天线布置。
图13是示出根据本公开的实施例的电子装置的EN-DC操作的流程图。
图14a是示出根据本公开的实施例的电子装置的平面图。
图14b是示出根据本公开的实施例的电子装置的内部的截面图。
图14c是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
图14d是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
图15是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图16a、图16b和图16c是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图17是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图18a、图18b和图18c是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图19是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图20是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图21是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图22a、图22b和图22c是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图23a和图23b是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图24a和图24b是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图25是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图26是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
图27是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
图28示出了根据本公开的实施例的电子装置的功率放大器。
图29是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
图30是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
图31是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
图32是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
图33是示出根据本公开的实施例的电子装置的操作方法的流程图。
图34是示出根据本公开的实施例的电子装置的操作方法的流程图。
图35是示出根据本公开的实施例的柔性显示器的示例的视图。
具体实施方式
以下参考附图的描述旨在帮助全面理解权利要求及其等同形式所定义的本公开的各种实施例。它包括各种具体细节以帮助理解，但这些仅被视为示例性的。因此，本领域普通技术人员将认识到，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，可以对本文所描述的各种实施例进行各种改变和修改。此外，为了清楚和简洁，可以省略对公知的功能和构造的描述。
在以下说明书和权利要求中使用的术语和词语不限于参考文献的含义，而是仅由发明人使用以使其能够清楚和一致地理解本公开。因此，对于本领域的技术人员来说应该清楚的是，提供本公开的各种实施例的以下描述仅仅是为了说明的目的，而不是为了限制所附权利要求及其等同形式所限定的本公开的目的。
除非上下文另有明确规定，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指称。因此，例如，对“部件表面”的引用包括对一个或更多个此类表面的引用。
图1是示出根据各种实施例的网络环境100中的电子装置101的框图。参照图1，网络环境100中的电子装置101可经由第一网络198(例如，短距离无线通信网络)与电子装置102进行通信，或者经由第二网络199(例如，长距离无线通信网络)与电子装置104或服务器108中的至少一个进行通信。根据实施例，电子装置101可经由服务器108与电子装置104进行通信。根据实施例，电子装置101可包括处理器120、存储器130、输入模块150、声音输出模块155、显示模块160、音频模块170、传感器模块176、接口177、连接端178、触觉模块179、相机模块180、电力管理模块188、电池189、通信模块190、用户识别模块(SIM)196或天线模块197。在一些实施例中，可从电子装置101中省略上述部件中的至少一个(例如，连接端178)，或者可将一个或更多个其它部件添加到电子装置101中。在一些实施例中，可将上述部件中的一些部件(例如，传感器模块176、相机模块180或天线模块197)实现为单个集成部件(例如，显示模块160)。
处理器120可运行例如软件(例如，程序140)来控制电子装置101的与处理器120连接的至少一个其它部件(例如，硬件部件或软件部件)，并可执行各种数据处理或计算。根据实施例，作为所述数据处理或计算的至少部分，处理器120可将从另一部件(例如，传感器模块176或通信模块190)接收到的命令或数据存储到易失性存储器132中，对存储在易失性存储器132中的命令或数据进行处理，并将结果数据存储在非易失性存储器134中。根据实施例，处理器120可包括主处理器121(例如，中央处理器(CPU)或应用处理器(AP))或者与主处理器121在操作上独立的或者相结合的辅助处理器123(例如，图形处理单元(GPU)、神经处理单元(NPU)、图像信号处理器(ISP)、传感器中枢处理器或通信处理器(CP))。例如，当电子装置101包括主处理器121和辅助处理器123时，辅助处理器123可被适配为比主处理器121耗电更少，或者被适配为专用于特定的功能。可将辅助处理器123实现为与主处理器121分离，或者实现为主处理器121的部分。
在主处理器121处于未激活(例如，睡眠)状态时，辅助处理器123(而非主处理器121)可控制与电子装置101的部件之中的至少一个部件(例如，显示模块160、传感器模块176或通信模块190)相关的功能或状态中的至少一些，或者在主处理器121处于激活状态(例如，运行应用)时，辅助处理器123可与主处理器121一起来控制与电子装置101的部件之中的至少一个部件(例如，显示模块160、传感器模块176或通信模块190)相关的功能或状态中的至少一些。根据实施例，可将辅助处理器123(例如，图像信号处理器或通信处理器)实现为在功能上与辅助处理器123相关的另一部件(例如，相机模块180或通信模块190)的部分。根据实施例，辅助处理器123(例如，神经处理单元)可包括专用于人工智能模型处理的硬件结构。可通过机器学习来生成人工智能模型。例如，可通过人工智能被执行之处的电子装置101或经由单独的服务器(例如，服务器108)来执行这样的学习。学习算法可包括但不限于例如监督学习、无监督学习、半监督学习或强化学习。人工智能模型可包括多个人工神经网络层。人工神经网络可以是深度神经网络(DNN)、卷积神经网络(CNN)、循环神经网络(RNN)、受限玻尔兹曼机(RBM)、深度置信网络(DBN)、双向循环深度神经网络(BRDNN)或深度Q网络或其两个或更多个的组合，但不限于此。另外地或可选地，人工智能模型可包括除了硬件结构以外的软件结构。
存储器130可存储由电子装置101的至少一个部件(例如，处理器120或传感器模块176)使用的各种数据。所述各种数据可包括例如软件(例如，程序140)以及针对与其相关的命令的输入数据或输出数据。存储器130可包括易失性存储器132或非易失性存储器134。
可将程序140作为软件存储在存储器130中，并且程序140可包括例如操作系统(OS)142、中间件144或应用146。
输入模块150可从电子装置101的外部(例如，用户)接收将由电子装置101的其它部件(例如，处理器120)使用的命令或数据。输入模块150可包括例如麦克风、鼠标、键盘、键(例如，按钮)或数字笔(例如，手写笔)。
声音输出模块155可将声音信号输出到电子装置101的外部。声音输出模块155可包括例如扬声器或接收器。扬声器可用于诸如播放多媒体或播放唱片的通用目的。接收器可用于接收呼入呼叫。根据实施例，可将接收器实现为与扬声器分离，或实现为扬声器的部分。
显示模块160可向电子装置101的外部(例如，用户)视觉地提供信息。显示装置160可包括例如显示器、全息装置或投影仪以及用于控制显示器、全息装置和投影仪中的相应一个的控制电路。根据实施例，显示模块160可包括被适配为检测触摸的触摸传感器或被适配为测量由触摸引起的力的强度的压力传感器。
音频模块170可将声音转换为电信号，反之亦可。根据实施例，音频模块170可经由输入模块150获得声音，或者经由声音输出模块155或与电子装置101直接(例如，有线地)连接或无线连接的外部电子装置(例如，电子装置102)的耳机输出声音。
传感器模块176可检测电子装置101的操作状态(例如，功率或温度)或电子装置101外部的环境状态(例如，用户的状态)，然后产生与检测到的状态相应的电信号或数据值。根据实施例，传感器模块176可包括例如手势传感器、陀螺仪传感器、大气压力传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器、红外(IR)传感器、生物特征传感器、温度传感器、湿度传感器或照度传感器。
接口177可支持将用来使电子装置101与外部电子装置(例如，电子装置102)直接(例如，有线地)或无线连接的一个或更多个特定协议。根据实施例，接口177可包括例如高清晰度多媒体接口(HDMI)、通用串行总线(USB)接口、安全数字(SD)卡接口或音频接口。
连接端178可包括连接器，其中，电子装置101可经由所述连接器与外部电子装置(例如，电子装置102)物理连接。根据实施例，连接端178可包括例如HDMI连接器、USB连接器、SD卡连接器或音频连接器(例如，耳机连接器)。
触觉模块179可将电信号转换为可被用户经由他的触觉或动觉识别的机械刺激(例如，振动或运动)或电刺激。根据实施例，触觉模块179可包括例如电机、压电元件或电刺激器。
相机模块180可捕获静止图像或运动图像。根据实施例，相机模块180可包括一个或更多个透镜、图像传感器、图像信号处理器或闪光灯。
电力管理模块188可管理对电子装置101的供电。根据实施例，可将电力管理模块188实现为例如电力管理集成电路(PMIC)的至少部分。
电池189可对电子装置101的至少一个部件供电。根据实施例，电池189可包括例如不可再充电的原电池、可再充电的蓄电池、或燃料电池。
通信模块190可支持在电子装置101与外部电子装置(例如，电子装置102、电子装置104或服务器108)之间建立直接(例如，有线)通信信道或无线通信信道，并经由建立的通信信道执行通信。通信模块190可包括能够与处理器120(例如，应用处理器(AP))独立操作的一个或更多个通信处理器，并支持直接(例如，有线)通信或无线通信。根据实施例，通信模块190可包括无线通信模块192(例如，蜂窝通信模块、短距离无线通信模块或全球导航卫星系统(GNSS)通信模块)或有线通信模块194(例如，局域网(LAN)通信模块或电力线通信(PLC)模块)。这些通信模块中的相应一个可经由第一网络198(例如，短距离通信网络，诸如蓝牙、无线保真(Wi-Fi)直连或红外数据协会(IrDA))或第二网络199(例如，长距离通信网络，诸如传统蜂窝网络、5G网络、下一代通信网络、互联网或计算机网络(例如，LAN或广域网(WAN)))与外部电子装置进行通信。可将这些各种类型的通信模块实现为单个部件(例如，单个芯片)，或可将这些各种类型的通信模块实现为彼此分离的多个部件(例如，多个芯片)。无线通信模块192可使用存储在用户识别模块196中的用户信息(例如，国际移动用户识别码(IMSI))识别并验证通信网络(诸如第一网络198或第二网络199)中的电子装置101。
无线通信模块192可支持在4G网络之后的5G网络以及下一代通信技术(例如新无线电(NR)接入技术)。NR接入技术可支持增强型移动宽带(eMBB)、大规模机器类型通信(mMTC)或超可靠低延时通信(URLLC)。无线通信模块192可支持高频带(例如，毫米波带)以实现例如高数据传输速率。无线通信模块192可支持用于确保高频带上的性能的各种技术，诸如例如波束成形、大规模多输入多输出(大规模MIMO)、全维MIMO(FD-MIMO)、阵列天线、模拟波束成形或大规模天线。无线通信模块192可支持在电子装置101、外部电子装置(例如，电子装置104)或网络系统(例如，第二网络199)中指定的各种要求。根据实施例，无线通信模块192可支持用于实现eMBB的峰值数据速率(例如，20Gbps或更大)、用于实现mMTC的丢失覆盖(例如，164dB或更小)或者用于实现URLLC的U平面延迟(例如，对于下行链路(DL)和上行链路(UL)中的每一个为0.5ms或更小，或者1ms或更小的往返)。
天线模块197可将信号或电力发送到电子装置101的外部(例如，外部电子装置)或者从电子装置101的外部(例如，外部电子装置)接收信号或电力。根据实施例，天线模块197可包括天线，所述天线包括辐射元件，所述辐射元件由形成在基底(例如，印刷电路板(PCB))中或形成在基底上的导电材料或导电图案构成。根据实施例，天线模块197可包括多个天线(例如，阵列天线)。在这种情况下，可由例如通信模块190(例如，无线通信模块192)从所述多个天线中选择适合于在通信网络(诸如第一网络198或第二网络199)中使用的通信方案的至少一个天线。随后可经由所选择的至少一个天线在通信模块190和外部电子装置之间发送或接收信号或电力。根据实施例，除了辐射元件之外的另外的组件(例如，射频集成电路(RFIC))可附加地形成为天线模块197的一部分。
根据各种实施例，天线模块197可形成毫米波天线模块。根据实施例，毫米波天线模块可包括印刷电路板、射频集成电路(RFIC)和多个天线(例如，阵列天线)，其中，RFIC设置在印刷电路板的第一表面(例如，底表面)上，或与第一表面相邻并且能够支持指定的高频带(例如，毫米波带)，所述多个天线设置在印刷电路板的第二表面(例如，顶部表面或侧表面)上，或与第二表面相邻并且能够发送或接收指定高频带的信号。
上述部件中的至少一些可经由外设间通信方案(例如，总线、通用输入输出(GPIO)、串行外设接口(SPI)或移动工业处理器接口(MIPI))相互连接并在它们之间通信地传送信号(例如，命令或数据)。
根据实施例，可经由与第二网络199连接的服务器108在电子装置101和外部电子装置104之间发送或接收命令或数据。电子装置102或电子装置104中的每一个可以是与电子装置101相同类型的装置，或者是与电子装置101不同类型的装置。根据实施例，将在电子装置101运行的全部操作或一些操作可在外部电子装置102、外部电子装置104或服务器108中的一个或更多个运行。例如，如果电子装置101应该自动执行功能或服务或者应该响应于来自用户或另一装置的请求执行功能或服务，则电子装置101可请求所述一个或更多个外部电子装置执行所述功能或服务中的至少部分，而不是运行所述功能或服务，或者电子装置101除了运行所述功能或服务以外，还可请求所述一个或更多个外部电子装置执行所述功能或服务中的至少部分。接收到所述请求的所述一个或更多个外部电子装置可执行所述功能或服务中的所请求的所述至少部分，或者执行与所述请求相关的另外功能或另外服务，并将执行的结果传送到电子装置101。电子装置101可在对所述结果进行进一步处理的情况下或者在不对所述结果进行进一步处理的情况下将所述结果提供作为对所述请求的至少部分答复。为此，可使用例如云计算技术、分布式计算技术、移动边缘计算(MEC)技术或客户机-服务器计算技术。电子装置101可使用例如分布式计算或移动边缘计算来提供超低延迟服务。在另一实施例中，外部电子装置104可包括物联网(IoT)装置。服务器108可以是使用机器学习和/或神经网络的智能服务器。根据实施例，外部电子装置104或服务器108可被包括在第二网络199中。电子装置101可应用于基于5G通信技术或IoT相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能城市、智能汽车或医疗保健)。
图2a为根据本公开的实施例的用于支持传统网络通信和5G网络通信的电子装置的框图200。参考图2a，电子装置101可以包括第一通信处理器212、第二通信处理器214、第一射频集成电路(RFIC)222、第二RFIC 224、第三RFIC 226、第四RFIC 228、第一射频前端(RFFE)232、第二RFFE 234、第一天线模块242、第二天线模块244、第三天线模块246，以及天线248。电子装置101还可以包括处理器120和存储器130。第二网络199可以包括第一蜂窝网络292和第二蜂窝网络294。根据另一实施例，电子装置101还可以包括图1的组件中的至少一个组件，并且第二网络199还可以包括至少一个其他网络。根据实施例，第一通信处理器212、第二通信处理器214、第一RFIC 222、第二RFIC 224、第四RFIC 228、第一RFFE 232和第二RFFE 234可以形成无线通信模块192的至少一部分。根据另一个实施例，第四RFIC 228可以被省略或者被包括作为第三RFIC 226的一部分。
第一通信处理器212可以建立用于与第一蜂窝网络292进行无线通信的频带的通信信道，或可以经由已建立的通信信道支持传统网络通信。根据各种实施例，第一蜂窝网络可以是包括第二代(2G)、第三代(3G)、第四代(4G)或长期演进(LTE)网络的传统网络。第二通信处理器214可以建立与将用于与第二蜂窝网络294进行无线通信的频带中的指定频带(例如，从大约6GHz到大约60GHz)相对应的通信信道，或者可以经由所建立的通信信道支持第五代(5G)网络通信。根据实施例，第二蜂窝网络294可以是由第三代合作伙伴计划(3GPP)定义的5G网络。此外，根据实施例，第一CP 212或第二通信处理器214可以建立与将用于与第二蜂窝网络294进行无线通信的频带中的另一指定频带(例如，大约6GHz或更低)相对应的通信信道，或者可以经由所建立的通信信道支持第五代(5G)网络通信。
第一通信处理器212可以与第二通信处理器214进行数据发送/接收。例如，被分类为经由第二蜂窝网络294传输的数据可以被改变为经由第一蜂窝网络292传输。在这种情况下，第一通信处理器212可以从第二通信处理器214接收传输数据。例如，第一通信处理器212可以经由处理器间接口213向/从第二通信处理器214发送/接收数据。处理器间接口213可以被实现为例如通用异步接收器/发送器(UART)(例如，高速UART(HS-UART))或外围组件互连总线快速(PCIe)接口，但不限于特定种类。第一通信处理器212和第二通信处理器214可以使用例如共享存储器来交换分组数据信息和控制信息。第一通信处理器212可以向/从第二通信处理器214发送/接收各种信息，例如感测信息、输出强度信息或资源块(RB)分配信息。
根据实施方式，第一通信处理器212可以不与第二通信处理器214直接连接。在这种情况下，第一通信处理器212可以经由处理器120(例如，应用处理器)向/从第二通信处理器214发送/接收数据。例如，第一通信处理器212和第二通信处理器214可以经由HS-UART接口或PCIe接口向/从处理器120(例如，应用处理器)发送/接收数据，但是接口的种类不限于此。第一通信处理器212和第二通信处理器214可以使用共享存储器与处理器120(例如，应用处理器)交换控制信息和分组数据信息。
根据实施例，第一通信处理器212和第二通信处理器214可以在单个芯片或单个封装中实施。根据实施例，第一通信处理器212或第二通信处理器214以及处理器120、辅助处理器123或通信模块190可以形成在单个芯片或单个封装中。
图2b是示出根据本公开的各种实施例的用于支持传统网络通信和5G网络通信的电子装置的框图。
参考图2b，集成通信处理器260可以支持用于与第一蜂窝网络292和第二蜂窝网络294通信的所有功能。
在发送时，第一RFIC 222可以将由第一通信处理器212生成的基带信号转换为第一蜂窝网络292(例如，传统网络)使用的频率范围从大约700MHz到大约3GHz的射频(RF)信号。在接收时，RF信号可以通过天线(例如，第一天线模块242)从第一蜂窝网络292(例如，传统网络)被获得，并且可以通过RFFE(例如，第一RFFE 232)进行预处理。第一RFIC 222可以将预处理的RF信号转换成可以由第一通信处理器212处理的基带信号。
在发送时，第二RFIC 224可以将由第一通信处理器212或第二通信处理器214生成的基带信号转换为第二蜂窝网络294(例如，5G网络)使用的Sub6频带(例如，约6GHz或更低)RF信号(以下称为“5G Sub6 RF信号”)。在接收时，可以通过天线(例如，第二天线模块244)从第二蜂窝网络294(例如，5G网络)获得5G Sub6 RF信号，并通过RFFE(例如，第二RFFE234)对其进行预处理。第二RFIC 224可以将预处理的5G Sub6 RF信号转换为基带信号，该基带信号可以由第一通信处理器212和第二通信处理器214的对应处理器进行处理。
第三RFIC 226可以将由第二通信处理器214生成的基带信号转换为第二蜂窝网络294(例如，5G网络)将使用的5G Above6频带(例如，约6GHz至约60GHz)RF信号(以下称为“5GAbove 6RF信号”)。在接收时，可以通过天线(例如，天线248)从第二蜂窝网络294(例如，5G网络)获得5GAbove6 RF信号，并通过第三RFFE 236对其进行预处理。第三RFIC 226可以将预处理的5G Above6 RF信号转换为可以由第二通信处理器214处理的基带信号。根据实施例，第三RFFE 236可以形成为第三RFIC 226的一部分。
根据实施例，电子装置101可以包括独立于第三RFIC 226的第四RFIC 228，或者作为第三RFIC 226的至少一部分。在这种情况下，第四RFIC 228可以将由第二通信处理器214生成的基带信号转换为中频带(例如，从大约9GHz到大约11GHz)RF信号(以下称为“IF信号”)，并将IF信号传送到第三RFIC 226。第三RFIC 226可以将IF信号转换为5G Above6 RF信号。在接收时，可以通过天线(例如，天线248)从第二蜂窝网络294(例如，5G网络)接收5GAbove6 RF信号，并通过第三RFIC 226将其转换为IF信号。第四RFIC 228可以将IF信号转换为可以由第二通信处理器214处理的基带信号。
根据实施例，第一RFIC 222和第二RFIC 224可以实现为单个芯片或单个封装的至少一部分。根据各种实施例，当图2a或图2b中的第一RFIC 222和第二RFIC 224被实现为单个芯片或单个封装时，它们可以被实现为集成RFIC。在这种情况下，集成RFIC连接到第一RFFE 232和第二RFFE 234，以将基带信号转换成由第一RFFE 232和/或第二RFFE 234支持的频带的信号，并且可以将转换后的信号发送到第一RFFE 232和第二RFFE 234中的一个。根据实施例，第一RFFE 232和第二RFFE 234可以被实现为单个芯片或单个封装的至少一部分。根据实施例，第一天线模块242或第二天线模块244中的至少一个可以被省略或与另一个天线模块组合以处理多频带RF信号。
根据实施例，第三RFIC 226和天线248可以被设置在同一基板上以形成第三天线模块246。例如，无线通信模块192或处理器120可以设置在第一基板(例如，主印刷电路板(PCB))上。在这种情况下，第三RFIC 226和天线248可以分别设置在与第一基板分开设置的第二基板(例如，子PCB)的一个区域(例如，底部)和另一个区域上(例如，顶部)，从而形成第三天线模块246。将第三RFIC 226和天线248放置在同一基板上可以缩短其间的传输线的长度。这可以减少用于5G网络通信的高频带(例如，从大约6GHz到大约60GHz)信号由于传输线而造成的损耗(例如，衰减)。因此，电子装置101可以增强与第二蜂窝网络294(例如，5G网络)的通信质量。
根据实施例，天线248可以形成为天线阵列，该天线阵列包括可用于波束成形的多个天线元件。在这种情况下，第三RFIC 226可以包括与多个天线元件相对应的多个移相器238，作为第三RFFE 236的一部分。在发送时，多个移相器238可以改变5G Above6 RF信号的相位，该5G Above 6RF信号将经由它们各自对应的天线元件发送到电子装置101的外部(例如，5G网络基站)。在接收时，多个移相器238可以经由它们各自对应的天线元件将从外部接收的5G Above6 RF信号的相位改变为相同或基本相同的相位。这使得能够经由电子装置101与外部之间的波束成形进行发送或接收。
第二蜂窝网络294(例如，5G网络)可以独立于(例如，独立(SA))或连接(例如，作为非独立(NSA))到第一蜂窝网络292(例如，传统网络)来运行。例如，5G网络可以包括接入网络(例如，5G接入网络(RAN))，但缺少任何核心网络(例如，下一代核心(NGC))。在这种情况下，电子装置101在接入5G接入网络后，可以在传统网络的核心网络(例如，演进分组核心(EPC))的控制下接入外部网络(例如，互联网)。用于与传统网络通信的协议信息(例如，LTE协议信息)或用于与5G网络通信的方案信息(例如，新无线电(NR)协议信息)可以存储在存储器130中，并且可以由其他组件(例如，处理器120、第一通信处理器212或第二通信处理器214)访问。
图3a、图3b和图3c是示出根据本公开的各种实施例的提供传统通信和/或5G通信网络的无线通信系统的视图。参考图3a、图3b和图3c，网络环境301a至300c可以包括传统网络和5G网络中的至少一个。传统网络可以包括例如支持与电子装置101的无线电接入的3GPP标准4G或LTE基站340(例如，eNodeB(eNB))和管理4G通信的演进分组核心(EPC)342。5G网络可以包括例如支持与电子装置101的无线电接入的新无线电(NR)基站350(例如，gNodeB(gNB))和管理电子装置101 5G通信的第五代核心(5GC)352。
根据实施例，电子装置101可以通过传统通信和/或5G通信发送或接收控制消息和用户数据。控制消息可以包括例如与电子装置101的安全控制、承载建立、认证、注册或移动性管理中的至少一者相关的消息。用户数据可以表示例如除了在电子装置101和核心网络330(例如，EPC 342)之间发送或接收的控制消息之外的用户数据。
参考图3a，根据实施例，电子装置101可以通过传统网络的至少一部分(例如，LTE基站340或EPC 342)向/从5G网络的至少部分(例如，NR基站350或5GC 352)发送或接收控制消息或用户数据中的至少一个。
根据各种实施例，网络环境300a可以包括这样的网络环境，该网络环境向LTE基站340和NR基站350提供无线通信双连接(DC)并且经由EPC 342或5GC 352的一个核心网络230向/从电子装置101发送或接收控制消息。
根据各种实施例，在DC环境中，LTE基站340或NR基站350中的一个可以作为主节点(MN)310运行，并且另一个作为辅助节点(SN)320运行。MN 310可以与核心网络230连接，以发送或接收控制消息。MN 310和SN 320可以经由网络接口彼此连接，以在它们之间发送或接收与无线电资源(例如，通信信道)管理相关的消息。
根据实施例，MN 310可以包括LTE基站340，SN 320可以包括NR基站350，并且核心网络330可以包括EPC 342。例如，可以经由LTE基站340和EPC 342发送/接收控制消息，并且可以经由LTE基站340或NR基站350中的至少一个发送/接收用户数据。
根据实施例，MN 310可以包括NR基站350，SN 320可以包括LTE基站340，并且核心网络330可以包括5GC 352。例如，可以经由NR基站350和5GC 352发送/接收控制消息，并且可以经由LTE基站340或NR基站350中的至少一个发送/接收用户数据。
参考图3b，根据实施例，5G网络可包括NR基站350和5GC 352，并独立于电子装置101发送或接收控制消息和用户数据。
参考图3c，根据实施例，传统网络和5G网络均可独立地提供数据发送/接收。例如，电子装置101和EPC 342可以经由LTE基站340发送或接收控制消息和用户数据。作为另一示例，电子装置101和5GC 352可以经由基站350发送或接收控制消息和用户数据。
根据各种实施例，电子装置101可在EPC 342或5GC 352中的至少一个中注册，以发送或接收控制消息。
根据各种实施例，EPC 342或5GC 352可相互配合，以管理电子装置101的通信。例如，电子装置101的移动性信息可以经由EPC 342和5GC 352之间的接口来发送或接收。
如上所述，经由LTE基站340和NR基站350的双连接可称为E-UTRA新无线电双连接(EN-DC)。
下文中，参考图4a、图4b、图4c、图4d、图4e、图4f、图5a、图5b、图5c、图5d、图6和图7，详细描述了根据各种实施例的电子装置101的结构和操作。尽管下面描述的实施例的每个附图示出了一个通信处理器260和一个RFIC 410连接到多个RFFE 431、432、433和611至640，但是下面描述的各种实施例不限于此。例如，在下面描述的各种实施例中，如图2a或图2b所示，多个通信处理器212和214和/或多个RFIC 222、224、226和228可以连接到多个RFFE431、432、433和611至640。
根据各种实施例，下述实施例可应用于可变形电子装置。例如，下面描述的电子装置101可以包括可折叠电子装置，当第一壳体和第二壳体彼此可枢转地联接时，该可折叠电子装置可以切换到展开状态或折叠状态。下面描述的电子装置101可以包括可滚动或可滑动的电子装置，当第二壳体可枢转地联接到第一壳体时，该电子装置可以增大或缩小显示器。
图4a、图4b、图4c、图4d和图4e是示出根据本公开的各种实施例的电子装置的框图。
根据各种实施例，图4a示出了电子装置101包括两个天线441和442并切换发射路径的实施例，图4b示出了电子装置101包括三个天线441、442和443并切换发射路径的实施例。
参考图4a，根据各种实施例，电子装置(例如，图1的电子装置101)可包括处理器120、通信处理器260、RFIC 410、第一RFFE 431、第二RFFE 432、第一天线441、第二天线442、开关450、第一天线调谐电路441a或第二天线调谐电路442a。例如，第一RFFE 431可以设置在电子装置101的壳体的上端，第二RFFE 432可以设置在电子装置101的壳体的下端。然而，各种实施例不限于放置位置。
根据各种实施例，在发送时，RFIC 410可将通信处理器260产生的基带信号转换成通信网络中使用的射频(RF)信号。例如，RFIC 410可以通过第一RFFE 431和开关450将在第一通信网络中使用的RF信号发送到第一天线441或第二天线442。
根据各种实施例，通过第一RFFE 431和开关450从RFIC 410到第一天线441的发射路径可称为“第一天线发射路径(Ant Tx 1)”。通过第一RFFE 431和开关450从RFIC 410到第二天线442的发射路径可以被称为“第二天线发射路径(Ant Tx 2)”。根据各种实施例，不同的路径损耗可能发生在两个天线发射路径中，因为发射路径的长度和/或设置在发射路径上的组件彼此不同。此外，由于对应于每个单独的天线发射路径的天线(例如，第一天线441和第二天线442)被设置在电子装置101上的不同位置，所以可能发生不同的天线损耗。
根据各种实施例，第一天线调谐电路441a可与第一天线441的前端连接，第二天线调谐电路442a可与第二天线442的前端连接。通信处理器260可以调整第一天线调谐电路441a的设置值和第二天线调谐电路442a的设置值来调整(例如，调谐)通过每个连接的天线发射的信号(例如，发射信号Tx)和通过每个连接的天线接收的信号(例如，接收信号Rx)的特性。下面参考图5a、图5b、图5c和图5d描述其详细实施例。
根据各种实施例，通信处理器260可以控制开关450，以将第一RFFE 431设置为与第一天线调谐电路441a和第一天线441连接。在这种情况下，由通信处理器260产生的发射信号Tx可以通过RFIC 410、第一RFFE 431、开关450、第一天线调谐电路441a和第一天线441发送。
根据各种实施例，第一天线441可被设置为主(Rx)天线(PRx)，并且第二天线442可被设置为分集Rx天线(Drx)。电子装置101可以通过第一天线441和/或第二天线442接收并解码从基站发送的信号。例如，通过第一天线441接收的信号作为PRx信号，可以通过第一天线调谐电路441a、开关450、第一RFFE 431和RFIC 410被发送到通信处理器260。此外，通过第二天线442接收的信号作为DRx信号，可以通过第二天线调谐电路442a、开关450、第二RFFE 432和RFIC 410被发送到通信处理器260。
根据各种实施例，第一RFFE 431可以包括至少一个双工器(duplexer)或至少一个天线共用器(diplexer)，以一起处理发射信号Tx和接收信号PRx。第二RFFE 432可以包括至少一个双工器或至少一个天线共用器，以一起处理发射信号Tx和接收信号DRx。
根据各种实施例，通信处理器260可以控制开关450将第一RFFE 431设置为与第二天线调谐电路442a和第二天线442连接。在这种情况下，可以通过RFIC 410、第一RFFE 431、开关450、第二天线调谐电路442a和第二天线442来发送由通信处理器260生成的发射信号Tx。
根据各种实施例，当如上所述将第一RFFE 431设置为与第二天线调谐电路442a和第二天线442连接时，第二天线422可以设置为主(Rx)天线(PRx)，并且第一天线441可以设置为分集接收天线(DRx)。电子装置101可以通过第一天线441和第二天线442接收并解码从基站发送的信号。例如，可以通过第二天线调谐电路442a、开关450、第一RFFE 431和RFIC410将经由第二天线441接收的信号作为PRx信号被发送到通信处理器260。此外，通过第一天线441接收的信号，作为DRx信号，可以通过第一天线调谐电路441a、开关450、第二RFFE432和RFIC 410被发送到通信处理器260。
根据各种实施例，通信处理器260可以通过根据各种设置条件控制开关450来设置或改变(例如，切换)用于发送发射信号Tx的天线。根据各种实施例，通信处理器260可以设置与能够以最大功率辐射发射信号Tx的天线相对应的发射路径。例如，如果通过如图4a所示的包括多个天线发射路径的电子装置101来发送发射信号，则可以考虑与每个天线(例如，第一天线441和第二天线442)相对应的信道环境(例如，接收信号的强度)和最大可发射功率来设置最佳天线发射路径。通信处理器260可以确定最佳天线发射路径，并且可以控制开关450，使得发射信号通过所确定的最佳天线发射路径来传输。
根据各种实施例，电子装置101(例如，通信处理器260)可以识别(或识别是否切换天线)是否在每个设定的时间周期(例如，640ms)或者特定事件发生时(例如，当SAR事件发生或电场情况急剧变化时，或基于基站信令、EN-DC操作或CA操作时)改变发射信号的发射路径。
图4f是示出了根据本公开的实施例的用于确定最大可发射功率的方法的示例的框图。参考图4f，根据各种实施例，可以考虑从每个通信网络(例如，基站)接收到的最大可发射功率(P-MAX功率(PeMax))、由电子装置101设置的每个发射路径的最大可发射功率(UETx MAX功率(PcMax))中的至少一个，或者与考虑特定吸收率(SAR)回退的每个SAR事件相对应的设置的SAR事件最大可发射功率(SAR EVENT MAX power)。例如，最大可发射功率可以被确定为上述多个示例的最大可发射功率(例如，P-MAX功率、UE Tx MAX功率和SAR EVENTMAX功率)中的最小值，但不限于此。根据各种实施例，SAR事件的最大可发射功率可以被设置为根据每个SAR事件(例如，握持事件或接近事件)而不同。在下文中，详细描述基于以上示例的多个最大可发射功率来确定每个发射路径的最大可发射功率的示例。
根据各种实施例，从通信网络(例如，基站)接收的最大可发射功率(P-MAX功率)(PeMax)可以根据每个通信网络或电子装置可支持的功率类别(PC)而设置为不同。例如，当功率等级是PC2时，它可以被确定为在相对于26dBm设置的范围内的值(例如，27dBm)，并且当功率等级为PC3时，它可被确定为相对于23dBm设置的范围内的数值(例如，24dBm)。
根据各种实施例，电子装置101中设置的每个发射路径的最大可发射功率(UE TxMAX功率，PcMax)可以随着每个发射路径中的RFFE的不同而不同，并且还可以随着每个发送路径的长度的不同而不同。在下文中，参考图4f描述了一个示例，其中在电子装置101中设置的每个发射路径的最大可发射功率(UE Tx MAX功率，PcMax)对于每个发射路径是不同的。
图4e是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。参考图4e，根据各种实施例，电子装置101可以支持与多个通信网络的通信。例如，电子装置101可以支持第一通信网络和第二通信网络。第一通信网络和第二通信网络可以是不同的通信网络。例如，第一通信网络可以是5G网络，第二通信网络可以为传统网络(例如，LTE网络)。当第一通信网络是5G网络时，第一RFFE 431可以被设计为适合于处理与5G网络相对应的信号，并且第二RFFE 432可以被设计成适合于处理对应于传统网络的信号。
根据各种实施例，通过第一RFFE 431传输的信号的频带和通过第二RFFE 432传输的信号的频带可以相同、相似或不同。例如，通过第一RFFE 431发送的信号的频带可以是作为5G网络的频带的N41频带(2.6GHz)，并且通过第二RFFE 432发送的信号频带可以是作为LTE网络的频带的B41频带(2.6GHz)。在这种情况下，第一RFFE 431和第二RFFE 432处理相同或相似的频带信号，但是第一RFFE 431可以被设计为实现适合5G网络特性的信号处理，并且第二RFFE 432可以被设计成实现适合LTE网络特性的信号处理。
根据各种实施例，第一RFFE 431可以被设计为处理比第二RFFE 432更宽频率带宽的信号。例如，第一RFFE 431可以被设计为处理高达100MHz的频率带宽，第二RFFE 432可以被设计成处理高达60MHz的频率带宽。
根据各种实施例，第一RFFE 431可以包括不同于第二RFFE 432的附加组件(例如，用于发送探测参考信号(SRS)的单刀双掷(SPDT)开关、用于防止5G信号和类似频带的WIFI信号之间的干扰的滤波器、用于将WIFI信号与接收信号分离的组件，以及用于分离不同5G频带信号的双工器)，以用于多频带支持或用于适合5G网络特性的信号处理。参考图4e，第一RFFE 431可以包括前端模块(FEM)460和第一SPDT开关470。根据各种实施例，FEM 460可以包括功率放大器(PA)461、开关462和滤波器463。根据各种实施例，FEM 460可以与PA包络跟踪(ET)IC 464连接，以根据信号的幅度来放大功率，从而减少电流消耗和热量产生，并增强PA 461的性能。
根据各种实施例，第一SPDT开关470可以选择性地输出第一通信网络信号(例如，N41频带信号)和通过FEM 460从RFIC发送的探测参考信号(SRS)(例如，N41频带SRS信号)，并通过第一天线441发送。例如，根据由配置在用于SRS传输的第一RFFE 431和第一SPDT开关470内部的用于5G信号处理或多频带信号处理的添加的组件对发射信号的处理而引起的衰减(例如，路径损耗)可以比在第二RFFE 432中的衰减增加。例如，尽管通信处理器260控制第一RFFE 431的功率放大器和第二RFFE 432的功率放大器中的每一个以发送相同功率的信号，但是由于第一RFFE 431的路径损耗大于第二RFFE 432的路径损耗，通过第一天线441发送的信号的幅度可以小于通过第二天线442发送的信号的幅度。
参考表1，由于每个发射路径在相同的N41频带(或B41频带)中不同，因此每个发射路径的最大功率可以不同。
表1
路径 路径损耗(dB) 最大功率(dBm)
上部N41 -4.59 24.5dBm
下部N41 -2.1 27dBm
参考表1，可以看出，通过第一RFFE 431传输的上部N41路径的路径损耗比通过第二RFFE 432传输的下部N41路径大2dB或更多。返回参考图4a，根据各种实施例，即使当从第一RFFE 431发送相同幅度的信号时，通过开关450从第一天线441实际辐射的功率和通过开关450从第二天线442实际辐射的功率可以彼此不同。此外，对于从电子装置101发送的最大可发射功率、当信号通过第一RFFE 431发送到第一天线441时的最大可发射功率、当通过第一RFFE 431将信号发送到第二天线442时发送的最大可发射功率、当信号通过第二RFFE432发送到第一天线441时的最大可发射功率和当信号通过第二RFFE 432发送到第二天线442时的最大可发射功率可以彼此不同。
根据各种实施例，当第一通信网络执行5G网络的N41频带信号的发送/接收时，第一RFFE 431可以被设计为适合于处理与5G网络相对应的信号，并且第二RFFE 432可以被设计成适合于处理中/高频段LTE信号(例如，B2或B41频带信号)。第一RFFE 431和第二RFFE432中的至少一个可以被配置为双工器的功放模块(PAMiD)的形式。
根据各种实施例，通过第一RFFE 431发送的信号的频带和通过第二RFFE 432发送的信号的频带可以相同、相似或不同。例如，通过第一RFFE 431发送的信号的频带可以是N41频带(2.6GHz)，其是5G网络的高频带频率，并且通过第二RFFE 432发送的信号频带可以是B41频带(2.6GHz)，该B41频带是LTE网络的高频带频率。在这种情况下，第一RFFE 431和第二RFFE 432处理相同或相似的频带信号，但是第一RFFE 431可以被设计为实现适合5G网络特性的信号处理，并且第二RFFE 432可以被设计成实现适合LTE网络特性的信号处理。
根据另一个实施例，通过第一RFFE 431发送的信号的频带可以是N41频带(2.6GHz)，其是5G网络的高频带频率，并且通过第二RFFE 432发送的信号频带可以是B2频带(1.9GHz)，其是LTE网络的中频带频率。
根据各种实施例，由于第二RFFE 432被设计为适用于处理中/高频段LTE信号(例如，B2或B41频带信号)，因此第一RFFE 431和电子装置101可以在各种类型的EN-DC中操作。例如，第一RFFE 431和第二RFFE 432可以被组合以作为B2-N41的EN-DC运行，并且它们也可以作为B41-N41的EN-DC运行。
根据各种实施例，电子装置101中设置的每个发射路径的最大可发射功率(UE TxMAX功率)可以进一步考虑预定义的最大功率降低(MPR)或额外的最大功率降低(A-MPR)来设置，如下表2和表3所示。
表2
表3
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参考表2和表3，每个天线发射路径的最大发射功率可以根据路径损耗的差异设置为不同。表2和表3示出了根据3GPP标准定义的MPR。表2显示了功率等级(PC)3的MPR，表3显示了功率类别2的MPR。根据各种实施例，即使在相同的信道环境中，MPR回退也可以根据调制类型或带宽(BW)而变化。根据各种实施例，当电子装置101从基站接收到功率等级(例如，表2的功率等级3)时，第一发射路径(例如，电子装置101的上部N41发射路径)和第二发射路径(例如，电子装置102的下部N41发射路径)的最大功率可以被确定为不同，如下表4所示。
表4
参考上面的表4，例如，即使在电子装置101从基站接收的最大发射功率(P-MAX功率)与对应于PC3的24dBm相同的状态下，如果应用了结合表1描述的路径损耗和结合表2和表3描述的MPR回退，每个发射路径的最大可发射功率可以根据每个调制类型或带宽而设置为不同。例如，如果考虑到表1的路径损耗在电子装置中设置的最大发射功率是24.5dBm，并且从基站接收的与PC3相对应的最大发射功率是24dBm，则表4中的上部N41发射路径(第一发射路径)的最大可发射功率可以被识别为如图8所示的最小值的24dBm。在这种情况下，如果通过将表2和表3的MPR回退应用于UE Tx MAX功率来计算P-MAX功率和UE Tx最大功率的最小值，则可以分别在循环前缀(CP)正交频分复用(OFDM)内部16正交幅度调制(QAM)、CPOFDM外部16QAM、CP OFDM 64QAM和CP OFDM 256QAM中识别22.5dBm、21.5dBm、21dBm和18dBm，如表4所示。
此外，如果考虑到表1的路径损耗在电子装置中设置的最大发射功率为27dBm，并且从基站接收到的与PC3相对应的最大发射功率为24dBm，则表4中下部N41发射路径(第二发射路径)的最大可发射功率可以被识别为图8所示的最小值的24dBm。在这种情况下，如果通过将表2和表3的MPR回退应用于UE Tx MAX功率来计算P-MAX功率和UE Tx MAX功率的最小值，则可以分别在CP OFDM内部16QAM、CP OFDM外部16QAM、CP OFDM 64QAM和CP OFDM256QAM中识别出24dBm、24dBm、23.5dBm和20.5dBm，如表4所示。
参考表4，由于MPR的应用根据调制方案或带宽而变化，使得UE Tx MAX功率发生变化，根据图8最终计算的每个发射路径的最大可发射功率的差异可以显示为不同。例如，每个发射路径的最大可发射功率在CP OFDM内部16QAM中可以相差1.5dB，在CP OFDM外部16QAM中可以相差2.5dB，在CPOFDM 64QAM中可以相差1.5dB，以及在CPOFDM 256QAM中可以相差1.5dB。
根据各种实施例，在确定最大可发射功率时，可以进一步考虑鉴于SAR回退的SAR事件最大可发射功率。例如，参考下面的表5，如果根据每种类型的SAR事件应用SAR回退，则每种路径的最大可发射功率可以变化。例如，如果传感器检测到SAR事件，例如握持事件或接近事件，则电子装置101可以将与每个SAR事件相对应的SAR回退应用于最大可发射功率。
表5
路径 最大功率(dBm) 握持事件 接近
上频段 24dBm 24dBm 19dBm
下频段 24dBm 21dBm 24dBm
参考表5，如果发生接近事件，则将接近事件的SAR回退应用于上部N41发射路径(第一发射路径)，使得最大可发射功率可以确定为19dBm，并且如果发生握持事件，握持事件的SAR回退被应用于下部N41发射路径(第二发射路径)，使得最大可发射功率可以被确定为21dBm。例如，当用户用手握持电子装置101时，握持事件可以由触摸传感器检测到，并且当用户接近电子装置101进行电话呼叫时，接近事件可以由接近传感器检测到。每个传感器的事件检测结果可以通过处理器120传输到通信处理器260。以下，参考图4b、图4c和图4d描述根据各种实施例的电子装置。在下面描述的实施例中，由于上面参考图4a描述的用于确定发射路径的方法可以以相同或相似的方式应用，因此将省略重叠的描述。
图4b是示出根据各种实施例的电子装置的框图。
参考图4b，根据各种实施例，电子装置(例如，图1的电子装置101)可以包括处理器120、通信处理器260、RFIC 410、第一RFFE 431、第二RFFE 432、第一天线441、第二天线442、第三天线443、开关450、第一天线调谐电路441a、第二天线调谐电路442a，或者第三天线调谐电路443a。例如，第一RFFE 431可以设置在电子装置101的壳体中的上端，第二RFFE 432可以设置在电子装置101的壳体中的下端。然而，本公开的各种实施例不限于所述放置位置。
根据各种实施例，在发送时，RFIC 410可以将通信处理器260生成的基带信号转换为通信网络中使用的射频(RF)信号。例如，RFIC 410可以通过第一RFFE 431和开关450将在第一通信网络中使用的RF信号发送到第一天线441或第二天线442。
根据各种实施例，通过第一RFFE 431和开关450从RFIC 410到第一天线441的发射路径可以称为“第一天线发射路径(Ant Tx 1)”。通过第一RFFE 431和开关450从RFIC 410到第二天线442的发射路径可以被称为“第二天线发射路径(Ant Tx 2)”。根据各种实施例，由于发射路径的长度和设置在发射路径上的组件彼此不同，所以在两个天线发射路径中可能出现不同的路径损耗。此外，由于与每个单独的天线发射路径相对应的天线(例如，第一天线441和第二天线442)被布置在电子装置101上的不同位置，因此可能发生不同的天线损耗。此外，第一天线调谐电路441a可以与第一天线441的前端连接，第二天线调谐电路442a可以与第二天线442的前端相连。通信处理器260可以调整第一天线调谐电路441a的设置值和第二天线调谐电路442a的设置值，以调谐通过每个连接天线发射的信号(例如，发射信号Tx)和通过每个连接的天线接收的信号(如，接收信号Rx)。下面结合图5a、图5b、图5c和图5d给出其详细描述。
根据各种实施例，通信处理器260可以控制开关450将第一RFFE 431设置为与第一天线调谐电路441a和第一天线441连接。在这种情况下，可以通过RFIC 410、第一RFFE 431、开关450、第一天线调谐电路441a和第一天线441来发送由通信处理器260生成的发射信号Tx。
根据各种实施例，第一天线441可以设置为主(Rx)(PRx)天线，第三天线443可以设置为分集Rx(Drx)天线。电子装置101可以通过第一天线441和第三天线443接收并解码从基站发送的信号。例如，通过第一天线441接收的信号，作为PRx信号，可以通过第一天线调谐电路441a、开关450、第一RFFE 431和RFIC 410发送到通信处理器260。此外，通过第三天线443接收的信号，作为DRx信号，可以通过第三天线调谐电路443a、第二RFFE 432和RFIC 410发送到通信处理器260。
根据各种实施例，通信处理器260可以控制开关450将第一RFFE 431设置为与第二天线调谐电路442a和第二天线442连接。在这种情况下，可以通过RFIC 410、第一RFFE 431、开关450、第二天线调谐电路442a和第二天线442来发送由通信处理器260生成的发射信号Tx。
根据各种实施例，第二天线442可以设置为主(Rx)(PRx)天线，第三天线443可以设置为分集Rx(Drx)天线。电子装置101可以通过第二天线442和第三天线443接收并解码从基站发送的信号。例如，可以通过第二天线调谐电路442a、开关450、第一RFFE 431和RFIC 410将经由第二天线442接收的信号作为PRx信号发送到通信处理器260。此外，通过第三天线443接收的信号，作为DRx信号，可以通过第三天线调谐电路443a、第二RFFE432和RFIC 410发送到通信处理器260。
图4c和图4d是示出根据各种实施例的电子装置的框图。根据各种实施例，图4c示出了电子装置101相对于RFFE具有两条发射路径并且作为独立(SA)或非独立(NSA)运行的实施例，并且图4d示出电子装置101相对于RFFE具有三条发射路径并作为NSA运行的实施方式。
参考图4c，根据各种实施例，电子装置(例如，图1的电子装置101)可以包括处理器120、通信处理器260、RFIC 410、第一RFFE 431、第二RFFE 432、第一天线441、第二天线442、第三天线443、第四天线444、第一开关451或第二开关452。例如，第一RFFE 431可以设置在电子装置101的壳体中的上端，第二RFFE 432可以设置在电子装置101的壳体中的下端。然而，本公开的各种实施例不限制放置位置。
根据各种实施例，在发送时，RFIC 410可以将通信处理器260生成的基带信号转换为第一通信网络中使用的射频(RF)信号。例如，RFIC 410可以通过第一RFFE 431和第一开关451将在第一通信网络中使用的RF信号发送到第一天线441或第二天线442。此外，RFIC410可以通过第一RFFE 431、第一开关451和第二开关452将在第一通信网络中使用的RF信号发送到第三天线443或第四天线444。
根据各种实施例，在发送时，RFIC 410可以将通信处理器260生成的基带信号转换为第二通信网络中使用的射频(RF)信号。例如，RFIC 410可以通过第二RFFE 432和第二开关452将在第二通信网络中使用的RF信号发送到第三天线443或第四天线444。此外，RFIC410可以通过第二RFFE 432、第二开关452和第一开关451将在第二通信网络中使用的RF信号发送到第一天线441或第二天线442。
根据各种实施例，通过第一RFFE 431和第一开关451从RFIC 410到第一天线441的发射路径可以称为“第一天线发射路径(Ant Tx 1)”。从RFIC 410通过第一RFFE 431和第一开关451到第二天线442的发射路径可以被称为“第二天线发射路径(Ant Tx 2)”。通过第一RFFE 431、第一开关451和第二开关452从RFIC 410到第三天线443的发射路径可以被称为“第三天线发射路径(Ant Tx 3)”。从RFIC 410通过第一RFFE 431、第一开关451和第二开关452到第四天线444的发射路径可以被称为“第四天线发射路径(Ant Tx 4)”。根据各种实施例，由于发射路径的长度和布置在发射路径上的组件彼此不同，所以在四个天线发射路径中可能出现不同的路径损耗。
图4d是示出了根据本公开实施例的电子装置的框图。
参考图4d，根据各种实施例，电子装置(例如，图1的电子装置101)可以包括处理器120、通信处理器260、RFIC 410、第一RFFE 431、第二RFFE 432、第三RFFE 433、第一天线441、第二天线442、第三天线443、第四天线444和第五天线445。
根据各种实施例，在发送时，RFIC 410可以将通信处理器260生成的基带信号转换为第一通信网络或第二通信网络中使用的射频(RF)信号。例如，RFIC 410可以通过第一RFFE 431和第一开关451将在第一通信网络中使用的RF信号发送到第一天线441或第二天线442。此外，RFIC 410可以通过第一RFFE 431、第一开关451和第二开关452将在第一通信网络中使用的RF信号发送到第三天线443或第四天线444。
根据各种实施例，在发送时，RFIC 410可以将通信处理器260生成的基带信号转换为第二通信网络中使用的射频(RF)信号。例如，RFIC 410可以通过第二RFFE 432和第二开关452将在第二通信网络中使用的RF信号发送到第三天线443或第四天线444。此外，RFIC410可以通过第二RFFE 432、第二开关452和第一开关451将在第二通信网络中使用的RF信号发送到第一天线441或第二天线442。
根据各种实施例，在传输时，RFIC 410可以将通信处理器260生成的基带信号转换为第三通信网络中使用的射频(RF)信号。例如，RFIC 410可以通过第三RFFE 433将在第三通信网络中使用的RF信号发送到第五天线445。
根据各种实施例，在接收时，RF信号可以通过第一天线441或第二天线442从第一通信网络被获得，并且可以通过第一开关451，并通过第一RFFE 431被预处理。RFIC 410可以将通过第一RFFE 431预处理的RF信号转换为要由通信处理器260处理的基带信号。此外，RF信号可以通过第三天线443或第四天线444从第二通信网络被获得，并且可以通过第二开关452，并且通过第二RFFE 432被预处理。RFIC 410可以将通过第二RFFE 432预处理的RF信号转换为由通信处理器260处理的基带信号。此外，RF信号可以通过第五天线445从第三通信网络被获得，并且可以通过第三RFFE 433被预处理。RFIC 410可以将通过第三RFFE 433预处理的RF信号转换为要由通信处理器260处理的基带信号。
根据各种实施例，第一通信网络、第二通信网络和第三通信网络可以是相同或不同的通信网络。例如，第一通信网络可以是5G网络，第二通信网络和第三通信网络可以为传统网络(例如，LTE网络)。根据各种实施例，第二通信网络和第三通信网络可以支持不同频带的通信，即使它们是相同的LTE网络。例如，第二通信网络可以是发送和接收高频段LTE(例如，B41频带)信号的通信网络，并且第四通信网络可以为发送和接收低频段LTE(如，B5频带、B12频带或B71频带)的信号的通信网络。根据各种实施例，低频带频率可以是0.6GHz到1.0GHz，中频带频率可以为1.7GHz到2.2GHz，并且高频带频率可以在2.3GHz到3.7GHz。然而，这仅仅是为了帮助理解，并且各种实施例不限于特定的频率范围。
根据各种实施例，当第一通信网络执行5G网络的N41频带信号的发送/接收时，第一RFFE 431可以被设计为适合于处理与5G网络相对应的信号，第二RFFE 432可以被设计成适合于处理高频段LTE信号(例如，B41频带信号)，并且第三RFFE 433可以被设计为适合于低频带LTE信号(例如，B5频带信号)。第二RFFE 432和第三RFFE 433中的至少一个可以被配置为双工器(PAMiD)功放模块的形式。
根据各种实施例，通过第一RFFE 431传输的信号的频带和通过第二RFFE 432传输的信号的频带可以相同、相似或不同。例如，通过第一RFFE 431发送的信号的频带可以是作为5G网络的频带的N41频带(2.6GHz)，并且通过第二RFFE 432发送的信号频带可以是作为LTE网络的频带的B41频带(2.6GHz)。在这种情况下，第一RFFE 431和第二RFFE 432处理相同或相似的频带信号，但是第一RFFE 431可以被设计用于适合5G网络特性的信号处理，并且第二RFFE 432可以被设计用于适合LTE网络特性的信号处理。
根据各种实施例，第一RFFE 431可以被设计用于处理比第二RFFE 432更宽频率带宽的信号。例如，第一RFFE 431可以被设计用于处理高达100MHz的频率带宽，第二RFFE 432可以被设计用于处理高达60MHz的频率带宽。
根据各种实施例，第一RFFE 431可以包括不同于第二RFFE 432的附加组件(例如，用于发送探测参考信号(SRS)的SPDT开关、用于防止5G信号和类似频带的WIFI信号之间的干扰的滤波器、用于将WIFI信号与接收信号分离的组件，以及用于分离不同5G频带信号的双工器)，以用于多频带支持或适合5G网络特性的信号处理。由于与第二RFFE 432相比，第一RFFE 431还包括附加组件，因此由于对发射信号的处理，可能发生更大的衰减(例如，路径损耗)。例如，尽管第一RFFE 431的功率放大器和第二RFFE 432的功率放大器中的每一个被RFIC 410控制为发射相同功率的信号，但是由于第一RFFE 431的路径损耗大于第二RFFE432的路径损耗，通过第一天线441发射的信号的幅度可以小于通过第二天线442发射的信号的幅度。
图5a至图5d是根据本公开的各种实施例的天线调谐电路的示意图。
参考图5a，根据各种实施例的天线调谐电路440a(例如，图4a的第一天线调谐电路441a、第二天线调谐电路442a和第三天线调谐电路443a)可以包括至少一个阻抗调谐电路510和至少一个孔径调谐电路520。第二天线调谐电路442a可以用与第一天线调谐电路441a相同的方式实现，但是也可以不同的方式实现。根据各种实施例的阻抗调谐电路510可以被配置为根据至少一个处理器(例如，处理器120、通信处理器212或214、和/或集成通信处理器260)的控制来执行与网络的阻抗匹配。根据各种实施例的孔径调谐电路520可以通过根据至少一个处理器的控制接通/断开开关来改变天线的结构。图5b示出了用于描述阻抗调谐电路510的电路图。图5c示出了用于描述孔径调谐电路520的电路图。
参考图5b，根据各种实施例的阻抗调谐电路510可以包括至少一个可变电容器541、第一开关542、第二开关543、第三开关544和第四开关545。根据各种实施例，可变电容器541、第一开关542、第二开关543、第三开关544和第四开关545的数量可以改变。根据各种实施例的至少一个可变电容器541、第一开关542、第二开关543、第三开关544和第四开关545可以在一个芯片上实现。根据各种实施例，可变电容器541可以具有例如值16(例如，电容值)。根据各种实施例，可变电容器541的电容值的数目可以改变。在这种情况下，根据各种实施例的阻抗调谐电路510可以具有总共256个可设置值(例如，阻抗值)(16(可变电容器可以具有的值的数目)x 16(可以通过四个开关的组合获得的情况的数目)。根据各种实施例的可变电容器541可以电连接到第一开关542。根据各种实施例，第二开关543、第三开关544和第四开关545中的每一个的一端可以接地。
参考图5c，根据各种实施例的孔径调谐电路520可以包括第五开关522、第六开关524、第七开关526和第八开关528。根据各种实施例，第五开关522可以连接到第一端子(RF1)522a。根据各种实施例，第六开关524可以连接到第二端子(RF2)524a。根据各种实施例，第七开关526可以连接到第三端子(RF3)526a。根据各种实施例，第八开关528可以连接到第四端子(RF4)528a。根据各种实施例，包括在孔径调谐电路520中的开关的数量可以改变。根据各种实施例，第五开关522、第六开关524、第七开关526和第八开关528可以在单个芯片上实现。根据各种实施例，通过开关(例如，第五开关522、第六开关524、第七开关526和第八开关528)的接通/断开组合，孔径调谐电路520可以具有总共16种可能的情况。因此，根据各种实施例的调谐电路250可以具有总共4096个天线配置(例如，256x 16)。
如图5b和图5c所示，根据包括在天线调谐电路440a中的开关(例如，阻抗调谐电路510和/或孔径调谐电路520)的接通/断开状态之间的变化，连接的天线的谐振特性(例如，天线的谐振频率)可以改变。开关的接通/断开状态的组合可以被称为天线配置，并且天线的天线谐振特性或天线效率可以根据天线配置而改变。
根据各种实施例，参考图5d，阻抗调谐电路510可以连接到传导点571。传导点571可以连接到例如RFFE(例如，图4a和图4b的第一RFFE 431或第二RFFE 432)，并且可以连接到RFFE的双工器。传导点571可以是指RFFE和天线调谐电路连接到的电源轨(power rail)(或电源通道)。阻抗调谐电路510可以连接到天线530，并且孔径调谐电路520a和520b可以连接到连接阻抗调谐电路520和天线530的电源轨。
根据各种实施例，电子装置101(例如，通信处理器260)可以根据与通信处理器相关的事件(例如，EN-DC操作或CA操作)来改变天线调谐电路440a的设置值。如上所述，电子装置101可以根据设置值的变化来控制以改变包括在天线调谐电路440a中的开关(例如，阻抗调谐电路510和/或孔径调谐电路520)的接通/断开状态。
图6是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。参考图6，多个RFFE611、612、613、621、622、623、631、632、633和640可以连接到至少一个RFIC 410。多个RFFE 611、612、613、621、622、623、631、632、633和640可以分别连接到多个天线651、652、661、662、671、672、673、681、691和692。
根据各种实施例，第1-1RFFE 611和第2-1RFFE 621可以分别与第一主天线651和第二主天线661连接。第1-2RFFE 612和第1-3RFFE 613可以与第一子天线652连接，以提供与第一主天线651的分集。第2-2RFFE 622和第2-3RFFE 623可以与第二子天线662连接，以提供与第二主天线661的分集。第3-1RFFE 631可以与两个第三主天线671和672连接以提供MIMO。此外，第3-2RFFE 632和第3-3RFFE 633可以通过双工器与第三子天线673连接，以提供与第三主天线671和672的MIMO或分集。第五天线681可以在不通过RFFE的情况下直接连接到RFIC 410。第6-1天线691和第6-2天线692也可以在不通过RFFE的情况下直接连接到RFIC 410，并且可以通过两个天线提供MIMO或分集。第四RFFE 640可以与两个Wi-Fi天线连接。
根据各种实施例，图6的RFFE中的至少一个可以对应于上面结合图4a、图4b、图4c和图4d描述的第一RFFE 431、第二RFFE 432和第三RFFE 433中的一个。图6的天线中的至少一个可以对应于上面结合图4a、图4b、图4c和图4d描述的第一天线441、第二天线442、第三天线443、第四天线444和第五天线445。
图7是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。参考图7，多个PAM 711、751、761和771和/或多个FEM 721、731和741可以连接到至少一个RFIC 410。多个PAM 711、751、761和771和/或多个FEM 721、731和741中的每一个可以连接到至少一个天线712、713、722、732、733、742、743、752、762、772和773。
多个PAM 711、751、761和771中的每一个都可以包括功率放大器PA，并且可以通过功率放大器放大发射信号，并通过天线712、713、752、761、772或773发射该发射信号。多个PAM 711、751、761和771中的每一个可以包括低噪声放大器(LNA)，并且可以通过功率放大器放大接收信号并将其发送到RFIC 410。PAM#3 761可以包括至少一个双工器或至少一个天线共用器，并且可以以包括双工器的功率放大模块的形式进行配置(PAMiD)。PAM#3 761可以通过双工器或天线共用器将通过天线762接收的数据发送到LNA 763。由LNA 763接收的数据可以被低噪声放大，然后被发送到RFIC 410。多个FEM 721、731和741中的每一个可以包括低噪声放大器(LNA)，并且可以通过功率放大器放大接收信号并将其发送到RFIC410。
根据各种实施例，PAM#1 711可以发送/接收中频或高频5G频率(例如，N1频带或N3频带)信号。PAM#2 751可以发送和接收超高频带5G频率(例如，N78频带)信号。例如，当电子装置101作为SA运行时，它可以通过PAM#1 711或PAM#N 771发送/接收5G频率信号。当电子装置101作为EN-DC运行时，其可以分别通过PAM#1 711和PAM#N 771发送/接收5G频率信号和LTE频率信号。
根据各种实施例，当电子装置101作为CA或EN-DC运行时，要支持的频带可以增加。FEM部件和天线路径的使用可能由于电子装置101的尺寸限制而受到限制。电子装置101可以被配置为处理一个组件和天线中的多个频率分量，以便处理组件的各种复杂频带。
根据各种实施例，使用LTE频带的一部分作为5G频带的重耕频带(refarmingband)可以被使用。在仅存在LTE或NR的频带中，当电子装置101处理RFIC(例如，RFIC 410)中的信号时，RFIC中的混频器可以使用适合于RAT的调制/解调技术来分离和处理信号。根据各种实施例，在LTE服务和NR服务共存并且针对NSA混合了邻近频率分量的环境中，电子装置101可能难以仅利用FEM分量来分离LTE信号和NR信号。例如，如果LTE信号和NR信号的混合信号被输入到RFIC 410，则电子装置101的RFIC 410在调制/解调过程中转换相对于一个RAT的信号，因此另一RAT的信号可能丢失或保留为噪声分量。
根据各种实施例，为了在作为NSA运行时无损耗地处理重耕频带，电子装置101应同时接收相同频带的两个信号，并在RFIC 410中通过不同的RF路径对其进行处理，以便在LTE信号和NR信号之间不受干扰地重建原始信号。
图8是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。当NR频带信号使用LTE频带的重耕频带时，LTE频带和NR频带可以彼此相邻。参考图8，根据各种实施例，从NR基站806(例如，gNB)发送的NR频带信号可以由第一FEM 801通过第一天线803接收。从LTE基站805(例如，eNB)发送的LTE频带信号可以由第一FEM 801通过第一天线803接收。第一FEM 801可以包括带通滤波器(BPF)801a、功率放大器801b和低噪声放大器801c。由第一FEM 801接收的NR频带信号和LTE频带信号可以通过带通滤波器801a进行滤波，并且可以通过低噪声放大器801c进行放大。由低噪声放大器801c放大的NR频带信号和LTE频带信号可以通过RFIC410的第一LNA输入到混频器410a。混频器410a可以通过将NR频带信号和LTE频带信号与LTE频带的载波频率混合来输出LTE数据。
根据各种实施例，从NR基站806(例如，gNB)发送的NR频带信号可以由第二FEM 802通过第二天线804接收。从LTE基站805(例如，eNB)发送的LTE频带信号可以由第二FEM 802通过第二天线804接收。第二FEM 802可以包括带通滤波器(BPF)802a、功率放大器802b和低噪声放大器802c。FEM 802接收到的NR频带信号和LTE频带信号可以通过带通滤波器802a进行滤波，并且可以通过低噪声放大器802c进行放大。由低噪声放大器802c放大的NR频带信号和LTE频带信号可以通过RFIC 410的第二LNA输入到混频器410a。混频器410a可以通过将NR频带信号和LTE频带信号与NR频带的载波频率混合来输出NR数据。
例如，当电子装置101作为EN-DC运行时，第一FEM 801可以处理B1频带或B3频带的信号，并且第二FEM 802可以处理作为B1频带或B3-频带的重耕频带的N1频带或N3频带的信号。
图9示出了根据本公开的实施例的电子装置的内部结构。参考图9，电子装置101可以包括多个天线911、912、913、914、915、921、922、923、924、925、926和927，这些天线在电子装置101的内部和/或形成外部的壳体的至少一部分。
根据各种实施例，设置在电子装置101下部的天线911、912、913、914和915可以称为主天线。在主天线中，第一主天线911或第二主天线912可以由在壳体的外部的金属形成。第一主天线911可以用于发射和接收2G、3G、LTE或NR信号。第二主天线912可以用于LTE信号的发射/接收或者NR信号的接收。
根据各种实施例，主天线中的第三主天线913或第四主天线914可以在壳体内以激光直接成型(LDS)的形式配置。第三主天线913可以用于3G、LTE或NR信号的接收。在主天线中，第五主天线915可以以LDS或金属狭缝的形式配置在壳体的内部或至少一部分中。
根据各种实施例，设置在电子装置101的上部或侧表面的天线921、922、923、924、925、926和927可以被称为子天线。子天线中的第一子天线921可以由在壳体的外部的金属形成。第一子天线921可以用于接收2G、3G、LTE或NR信号。在子天线中，第三子天线923或第四子天线924可以在壳体的至少一部分中以金属狭缝的形式配置。第三子天线923可以用于接收GPS或Wi-Fi信号。第四子天线924可以用于NR信号(例如，N77或N78)的发射和接收。在子天线中，第五子天线925或第六子天线926可以以LDS的形式配置在壳体内部。第五子天线925可以用于接收Wi-Fi信号。第六子天线926可以用于接收NR信号(例如，N77或N78)。在子天线中，第七子天线927可以以LDS或在壳体的至少一部分中的金属狭缝的形式配置。第七子天线927可以用于GPS、2G、3G或LTE信号的接收或者NR信号的发射和接收。根据各种实施例，本领域普通技术人员将容易理解，电子装置101的天线的布置和使用不限于上面所示和描述的那些。
下文中，将参考图10至图34描述根据各种实施例的用于控制电子装置中发射信号的功率的方法。
根据各种实施例，当作为CA或EN-DC运行时，电子装置101可以使用相应FEM中可用的一些天线来同时发射/接收与多个频率相对应的信号。电子装置101(例如，通信处理器(例如，辅助处理器123、无线通信模块192、第一通信处理器212、第二通信处理器214或集成通信处理器260))可以改变或调整连接到天线的天线调谐电路(例如，第一天线调谐电路441a、第二天线调谐电路442a或第三天线调谐电路443a)的设置，以提高所选天线的频率分量的发射/接收性能。对应天线的天线增益可以根据天线调谐电路的设置的变化而变化。
通过天线从电子装置101输出的信号的总辐射功率(TRP)是天线增益和发射功率的总和，并且可以表示为下面的等式1。
总辐射功率＝天线增益+发射功率等式1
在等式1中，发射功率可以是指传导功率。
图10是示出根据本公开的实施例的载波聚合中天线增益的变化的视图。参考图10，根据各种实施例，当电子装置101作为SA运行或发送没有CA的单个频带的信号时，天线增益1010可以调整天线调谐电路的设置以针对主小区(PCell)1001的频率进行优化。
根据各种实施例，至少一个辅助小区(SCell)1002和1003可以存在于多RAT(例如，EN-DC)或多频带(例如，CA)环境中，如图10所示，可以通过考虑多个频率分量的性能来改变天线调谐电路的设置来改变天线增益，从而可以同时使用多个频带(PCell 1001+SCell#m1002+SCell#n 1003+…)。当考虑多个频率分量的性能来设置天线调谐电路时，PCell的天线增益1020可以相对减小，从而可以减小总辐射功率。
根据各种实施例，如图10所示，当考虑多个频率分量来改变天线增益时，如果用于控制天线调谐电路的天线控制模块和用于控制发射功率的发射功率控制模块分别操作，发射功率控制模块可能难以识别总辐射功率的变化。当发射功率控制模块未能识别出总辐射功率的变化时，由于天线增益的降低，电子装置101可能难以对发射功率进行额外补偿。
根据各种实施例，当发射功率控制模块中的发射功率发生变化时，如果它与天线控制模块的操作暂时不同步，则可能会发生发射功率的意外变化。例如，电子装置101可以通过基站的发射功率控制(TPC)来校正发射功率，但是由于天线增益可以继续变化直到TPC控制完成，因此可能难以持续控制电子装置101的发射功率。
在各种实施例中，当至少一个天线的天线增益在传输两个或多个Tx信号的环境(例如，EN-DC或ULCA)中改变时，可以通过综合管理天线控制模块(例如，图11的天线控制模块1116)和功率控制模块(例如，图11的发射功率控制模块1115)的状态来防止总辐射功率偏离设定基准的情况并使得电子装置101发射恒定的发射功率。
在各种实施例中，电子装置101可以确定由于硬件限制而发生的天线路径变化或路径损耗变化，并且可以根据每种情况执行控制，以便通过基于被定义为适合每种状态的发射功率的设置值来调整发射功率，使总辐射功率变为最佳值。
图11是示出根据本公开的实施例的电子装置的框图。
参考图11，根据各种实施例，电子装置101可以包括至少一个传感器1100、处理器120(例如，应用处理器，以下参考图11称为应用处理器)、通信处理器260、发送电路1121、接收电路1122、RFFE 1130、天线切换模块1140、多个天线调谐电路1150-1至1150-N，以及多个天线1160-1至1160-N。通信处理器260可以包括存储器1110、发射功率控制模块1115和天线控制模块1116。存储器1110可以存储CP事件信息1111、频带信息1112、AP事件信息1113和映射表1114。根据实施例，尽管未示出，但是除了存储器1110之外或者可替代地，包括在电子装置101中的存储器(例如，图1的存储器130)可以与通信处理器260分开使用。例如，单独的存储器130的至少一部分可以包括可由应用处理器(即，处理器120)和通信处理器260两者访问的公共部分。处理器120和/或通信处理器260可以将CP事件信息1111、频带信息1112、AP事件信息1113或映射表1114中的至少一些存储在单独的存储器130中。
根据各种实施例，发射功率控制模块1115可以控制发射信号的功率。例如，如图4f所示，根据各种实施例，可以考虑从每个通信网络(例如，基站)接收到的最大可发射功率(P-MAX功率(PeMax))、由电子装置101设置的每个发射路径的最大可发射功率(UE Tx MAX功率(PcMax))、或者与考虑特定吸收率(SAR)回退的每个SAR事件相对应的SAR事件的最大可发射功率(SAR event MAX功率)中的至少一者来设置每个发射路径的最大可发射功率。例如，最大可发射功率可以被确定为上述多个示例的最大可发射功率(例如，P-MAX功率、UETx MAX功率和SAR EVENT MAX功率)中的最小值。电子装置101的发射功率控制模块1115可以在设定的最大可发射功率内基于由基站控制的TPC来设置发射功率。例如，当无线接入技术(RAT)是E-UTRA时，电子装置101可以基于下面的等式2来设置子帧i的PUSCH的发射功率。
PUSCH(i)＝min{PCMAX，10log10(MPUSCH(i))+PO_PUSCH(j)+α(j)·PL+ΔTF(i)+f(i)}[dBm]
等式2
PCMAX是根据电子装置101的功率类别的最大输出功率。例如，PCMAX可以是第三代合作伙伴计划(3GPP)技术规范(TS)36.101中定义的UE最大输出功率，但不限于此。MPUSCH(i)是分配给电子装置101的资源块的数量。PO_PUSCH(j)是PO_NOMINAL_PUSCH(j)(由小区指定的参数)和PO_UE_PUSCH(j)(由电子装置101指定的参数)的总和。PL是由电子装置101测量的下行链路路径损耗。考虑到上行链路信道和下行链路信道之间的路径损耗失配，可以在更高层中确定缩放因子α(j)。ΔTF(i)是调制和编码方案(MCS)补偿参数或传输格式(TF)补偿参数。f(i)是在初始设置之后由来自基站的下行链路控制信息(DCI)调整的值。电子装置101可以将PCMAX与MPUSCH(i)、PO_PUSCH(j)、缩放因子α(j)与PL的乘积、ΔTF(i)以及f(i)之和中的较小者，设置为PUSCH的发射功率。等式2的至少一些参数可以遵循例如第三代合作伙伴计划(3GPP)技术规范(TS)36.213。可替换地，例如，当RAT是NR时，电子装置101可以根据3GPP TS 38.213设置PUSCH的发射功率。上面示例已经针对PUSCH发射功率进行了描述。发射功率不仅可以针对PUSCH设置，还可以针对各种情况(例如，SRS、PUCCH、PUSCH和PRACH)设置，并且设置方法可以遵循例如3GPP TS 36.213或3GPP TS 38.213，但是不限于此。
根据各种实施例，电子装置101可以识别上述最大可发射功率。电子装置101的最大可发射功率可以是PeMax，并且可以基于例如3GPP TS 36.101或3GPP TS 38.101根据电子装置101的功率等级来设置，但是设置方案不限于特定的一个。如果电子装置101的功率等级是PC 3，则最大可发射功率可以是例如23dBm。或者，最大可发射功率可以是例如响应于输出功率限制事件(例如，PcMax和SAR事件)而设置的值中的较小值。电子装置101可以管理(或识别)与SAR事件相对应的输出功率，使输出功率符合SAR限制规则。例如，响应于SAR事件之一的握持事件，16dBm可以被管理(或识别)为有限的输出功率。在这种情况下，电子装置101可以将16dBm识别为最大可发射功率，其是与SAR事件相对应的PeMax(例如，23dBm)和输出功率(例如，16dBm)的较小值。输出功率受到限制的事件不限于SAR事件。例如，当正在执行动态功率共享(DPS)时，电子装置101可以识别出UE最大可发射功率和DPS限制的最大可发射功率中的较小者是特定RAT的最大可发射功率。
根据各种实施例，天线控制模块1116可以根据电子装置101的通信状况(例如，EN-DC或CA)来控制天线切换模块1140，以从多个发射路径和多个天线中选择每个发射信号的发射路径和天线1160-1至1160-N。天线控制模块1116可以通过调整与所选择的天线1160-1至1160-N相对应的天线调谐电路1150-1至1150-N的设置来改变天线增益。例如，天线控制模块1116可以通过改变天线1160-1至1160-N或者改变天线调谐电路1150-1至1150-N的设置来改变特定发射信号的天线增益。
根据各种实施例，天线调谐电路1150-1至1150-N的设置可以设置为特定的常数值。可以将可能影响电子装置101中的天线增益的状态或设置定义为事件。可以将可能影响天线增益的事件分类为与通信处理器260有关的CP事件和与应用处理器(即，处理器120)有关的AP事件。
例如，CP事件可以是指在基站1170和电子装置101之间的通信期间生成的事件，并且可以包括以下项中的至少一者：例如上行链路载波聚合(CA)(UL-CA)、下行链路CA(DL-CA)、天线分集(例如，2Rx或4Rx)、多输入多输出(MIMO)、天线切换、呼叫事件、双连接(DC)，或者参考信号接收功率(RSRP)之间的差。CP事件可以作为CP事件信息1111存储在存储器1110中。
AP事件可以是指应用处理器(即，处理器120)接收到的除CP事件之外的事件，并且可以包括由握持传感器感知的握持事件、由接近传感器感知的接近事件、与图像传感器相关的事件或与外部连接端子的连接相关的事件中的至少一个。根据各种实施例，AP事件可以包括与电子装置101的形状相关的状态信息(例如，折叠状态信息)。例如，当电子装置是可折叠的电子装置时，折叠状态信息可以包括与电子装置的第一壳体和可枢转地联接到第一壳体的第二壳体之间的角度相对应的信息。例如，折叠状态信息可以包括与电子装置完全展开的展开状态、电子装置完全折叠的折叠状态或者电子装置以预定角度展开的状态相对应的信息。
图12a是示出根据本公开的实施例的与电子装置的壳体(例如，第一壳体和第二壳体)之间的角度相关联的电子装置的折叠状态的视图。
参考图12a，电子装置101(例如，至少一个处理器120)可以识别壳体(例如，第一壳体1210和第二壳体1220)的状态(例如，在第一壳体1210和第二壳体1220之间的角度)，并生成与所识别的折叠状态相对应的AP事件信息。例如，电子装置可以识别第一壳体1210和第二壳体1220之间的角度，并且如图12a所示，可以在多个折叠状态1201中识别与包括所识别的角度的第二角度范围相对应的第二折叠状态1202。
例如，电子装置101(例如，至少一个处理器120)可以识别与壳体(例如，第一壳体1210和第二壳体1220)之间的角度相对应的折叠状态。如图12a所示，电子装置101可以在存储器130中存储与第一壳体1210和第二壳体1220之间的角度相关的多个折叠状态信息1201，并且识别与第一壳体1210和第二壳体1220之间当前角度相对应的折叠状态信息。多个折叠状态信息1201中的每一个(例如，图12a的第一折叠状态、第二折叠状态和第三折叠状态)可以对应于特定角度范围(例如，图12a的第一角度范围、第二角度范围和第三角度范围)。
根据各种实施例，在不限于此的情况下，即使提供了两个以上的壳体，上述描述也可以适用。例如，当电子装置101包括三个壳体(例如，第一壳体1210至第三壳体)时，可以确定与第一壳体1210和第二壳体1220之间的第一角度范围以及第二壳体1210和第三壳体之间的第二角度范围相对应的折叠状态信息。根据各种实施例，电子装置101(例如，至少一个处理器120)可以在各种时间识别第一壳体1210和第二壳体1220之间的角度。例如，当第一壳体1210或第二壳体1220中的至少一个开始旋转(例如，顺时针或逆时针)时，电子装置101(例如，至少一个处理器120)可以识别第一壳体1210和第二壳体1220之间的角度。例如，电子装置101(例如，至少一个处理器120)在第一壳体1210或第二壳体1220中的至少一个开始旋转并围绕旋转轴旋转时，可以连续地识别第一壳体1210和第二壳体1220之间的角度。作为另一示例，当第一壳体1210或第二壳体1220中的至少一个结束绕旋转轴的旋转时，电子装置101可以识别第一壳体1210和第二壳体1220之间的角度。例如，电子装置101(例如，至少一个处理器120)可以在指定的时间段识别第一壳体1210和第二壳体1220之间的角度，而与第一壳体1210或第二壳体1220中的至少一个的旋转无关。
根据各种实施例，电子装置101的输入框架可以接收用于测量电子装置101展开/折叠状态的各种传感值。输入框架可以识别从至少一个或更多个传感器获得的传感值，确定电子装置101的展开/折叠状态，并将确定的状态传递到处理器120。例如，传感器驱动器(例如，至少一个或更多个角度传感器驱动器、距离传感器驱动器和陀螺仪传感器驱动器)可以将感测值传递到输入框架。输入框架可以使用所获得的感测值向折叠事件处理器发送指示电子装置101处于第二折叠状态的信息。折叠事件处理器可以将与折叠状态信息相对应的AP事件传送到通信处理器260。
AP事件可以作为AP事件信息1113存储在通信处理器260的存储器1110中。例如，应用处理器(即，处理器120)可以基于从至少一个传感器1100(例如，握持传感器、接近传感器或图像传感器)感测到的信号或信息来生成AP事件，并且可以将生成的AP事件发送到通信处理器260。通信处理器260可以将从应用处理器(即，处理器120)接收到的AP事件作为AP事件信息1113存储在存储器1110中。作为另一示例，当AP事件被存储在单独存在于通信处理器260外部的存储器130中时，应用处理器(即，处理器120)可以将AP事件存储在存储器130的公共部分中，并且通信处理器260可以访问公共部分以读取AP事件。
根据各种实施例，电子装置101可以声明如下表6所示的变量“[多RAT辐射状态]”以同步发射功率控制模块1115和天线控制模块1116之间的事件信息，并且可以设置能够从存储器1110从或向存储器1110读取或写入频带信息、AP事件信息和CP事件信息的功能。
表6
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根据各种实施例，当发送发射信号时，电子装置101的发射功率控制模块1115可以识别存储在存储器1110中的“[多RAT辐射状态]”(例如，通过识别CP事件信息1111或AP事件信息1113)，并且如果确定新事件已经更新，通过表6中定义的函数从存储器1110获取相应的事件信息。发射功率控制模块1115可以识别从存储器1110获取的事件信息以识别当前天线配置状态，并且可以基于考虑与每个天线配置状态相对应的天线增益而设置的映射表1114来确定发射功率。例如，映射表1114可以被配置为如下表7所示。
表7
编号 带#1 带#2 AP事件 CP事件 Tx功率#1 Tx功率#2
1 B1 N5 0x01 0x20 170 170
2 B1 N78 0x01 0x20 180 180
3 B5 N41 0x01 0x20 190 190
4 B7 N3 0x01 0x20 200 200
... ... ... ... ... ... ...
N 带N 带M AP事件 CP事件 值#1 值#2
参考表7，AP事件“0x01”可以表示握持传感器感测到的握持事件。CP事件“0x20”可以表示EN-DC。例如，表7的每个CP事件可以包括EN-DC操作，例如B1-N5、B1-N78、B5-N41和B7-N3。根据各种实施例，发射功率控制模块1115可以从存储器1110中识别CP事件信息1111、AP事件信息1113和频带信息1112，并且可以从映射表1114中识别出每个发射信号的最大发射功率，如表7所示。根据各种实施例，如果识别出频带信息1112是B1或N5，AP事件信息1113是对应于握持事件的“0x01”，并且CP事件信息1111是对应于EN-DC的“0x20”，则发射功率控制模块1115可以通过表7的映射表1114识别出当前状态被映射到字段编号1。发射功率控制模块1115可以通过设置170mW为B1信号的最大可发射功率来控制B1信号的发射功率，170mW是对应于字段编号1设置的第一发射功率(Tx功率#1)，并通过设置作为第二发射功率(Tx功率#2)的170mW为N5信号的最大可发射功率来控制N5信号的发射功率。
根据各种实施例，如果识别出频带信息1112是B1或N78，AP事件信息1113是对应于握持事件的“0x01”，并且CP事件信息1111是对应于EN-DC的“0x20”，则发射功率控制模块1115可以通过表7的映射表1114识别出当前状态被映射到字段编号2。发射功率控制模块1115可以通过设置180mW为B1信号的最大可发射功率来控制B1信号的发射功率，180mW是对应于字段编号2设置的第一发射功率(Tx功率#1)，并通过设置作为第二发射功率(Tx功率#2)的180mW为N78信号的最大可发射功率来控制N78信号的发射功率。
根据各种实施例，如果识别出频带信息1112是B5或N41，AP事件信息1113是对应于握持事件的“0x01”，并且CP事件信息1111是对应于EN-DC的“0x20”，则发射功率控制模块1115可以通过表7的映射表1114识别出当前状态被映射到字段编号3。发射功率控制模块1115可以通过设置190mW为B5信号的最大可发射功率来控制B5信号的发射功率，190mW是对应于字段编号3设置的第一发射功率(Tx功率#1)，并通过设置作为第二发射功率(Tx功率#2)的190mW为N41信号的最大可发射功率来控制N41信号的发射功率。
根据各种实施例，如果识别出频带信息1112是B7或N3，AP事件信息1113是对应于握持事件的“0x01”，并且CP事件信息1111是对应于EN-DC的“0x20”，则发射功率控制模块1115可以通过表7的映射表1114识别出当前状态被映射到字段编号4。发射功率控制模块1115可以通过设置200mW为B7信号的最大可发射功率来控制B7信号的发射功率，200mW是对应于字段编号4设置的第一发射功率(Tx功率#1)，并通过设置作为第二发射功率(Tx功率#2)的200mW为N3信号的最大可发射功率来控制N3信号的发射功率。
根据各种实施例，参考表7，当由于天线特性的无意变化而导致的天线增益下降发生在电子装置101外部时，例如用户的握持，可以通过握持传感器来确定用户的握持，并且与用户的握持相对应的AP事件，作为AP事件信息1113，可以存储在存储器1110中。电子装置101可以识别与用户的握持相对应的AP事件，并且由于通过与用户握持的位置相对应的天线发射的发射信号的功率可以通过用户的握持而衰减，电子装置101可以将发射信号的功率增加设置值(例如，3dB)并进行发射。
根据各种实施例，当基站1170发送控制消息以使电子装置101以2个CC或更多的CA运行时，电子装置101可以通过从基站1170接收的控制消息(例如，RRC连接重新配置消息)来确定CA状态。电子装置101可以识别CA状态，并且如果PCell的频带是低频带且因此不受SAR的影响，则电子装置101可以将发射功率进一步增加0.5dB。例如，电子装置101可以通过频带信息1112识别PCell信息，并可以通过CP事件信息1111识别CA状态。电子装置101可以通过基于所识别的信息参考映射表1114来对发射功率补偿+0.5dB。
根据各种实施例，当出现要求改变每个天线相关设置的条件时(例如，天线的变化或天线调谐电路的设置的变化)，天线控制模块1116可以通过识别存储在存储器1110中的AP事件信息1113和CP事件信息1111来控制每个天线模块1150-1至1150-N。例如，天线控制模块1116可以使用如下表8所示的功能记录存储器1110中用于更新“[多RAT辐射状态]”的频带信息和事件信息。
表8
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根据各种实施例，当天线控制模块1116更新“[多RAT辐射状态]”时，发射功率控制模块1115可以读取存储在存储器1110中的每个事件信息(例如，CP事件信息1111和AP事件信息1113)和频带信息1112并且确定发射功率是否在与天线相关设置发生变化的时间相同的时刻变化。例如，发射功率控制模块1115可以通过确定是否通过映射表1114执行映射来补偿与由于天线相关设置的变化而衰减的天线增益相对应的最大可发射功率。图12b示出了根据各种实施例的电子装置的天线布置。参考图12b，当电子装置101以EN-DC或NE-DC运行时，电子装置101可以通过第一天线1211和第二天线1212同时发射LTE信号和NR信号。例如，可以通过设置在电子装置101的下端的第一天线1211来发射中频LTE信号(例如，B1频带信号)，并且可以通过设置在电子装置101上端的第二天线1212来发射中频NR信号(例如，N3频带信号)。
根据各种实施例，当仅发射B1频带的LTE信号时，电子装置101可以将设置在电子装置101下端的第一天线1211设置为默认天线，并且可以控制通过第一天线1211发射B1频带信号。当仅发射N3频带的NR信号时，因为NR信号在频率特性上与B1频带的LTE信号相同或相似，所以电子装置101可以控制通过设置为默认天线的第一天线1211发射N3频带信号。
根据各种实施例，当电子装置101同时发射B1频带的信号和N3频带的信号时，由于在通过第一天线发射B1频带信号的同时满足NSA条件，电子装置101可以作为EN-DC运行。例如，当LTE的B1频带和NR的N3频带使用相同的天线或部件时，N3频带信号和B1频带信号可能重叠，从而可能发生信号丢失。当电子装置101在发射B1频带信号的同时作为EN-DC操作，并且因此同时发射N3频带信号和B1频带信号时，电子装置101可以控制通过设置在上端的第二天线1212发射N3频段的NR信号。电子装置101的天线控制模块1116可以将根据EN-DC操作设置的天线相关信息(例如，选择的天线信息或天线调谐电路的配置信息)存储为CP事件信息1111。
图13是示出根据本公开的实施例的电子装置的EN-DC操作的流程图。参考图13，根据各种实施例，电子装置(图1的电子装置101)(例如，电子装置的通信处理器260)可以通过同时连接到第一通信网络(例如，NR)和第二通信网络(LTE)来作为EN-DC运行。根据各种实施例，在电子装置101与第二通信网络(例如，eNB)1302连接的状态下，第二通信网络1302可以向第一通信网1303(例如，gNB)发送gNB添加请求1310。在操作1320中，第一通信网络1303可以向第二通信网络1302发送gNB添加请求确认。
根据各种实施例，在操作1330中，第二通信网络1302可以向电子装置101发送RRC连接重新配置。在操作1340，电子装置101可以向第二通信网络1302发送RRC连接重新配置完成。在操作1350中，第二通信网络1302可以向第一通信网络1303发送gNB重新配置完成。
电子装置101可以在操作1360中与第一通信网络1303执行UE-gNB小区检测，并且可以在操作1370中执行RACH过程，从而通过第一通信网络1301和第二通信网络1302作为EN-DC操作。
根据各种实施例，操作1330中的RRC连接重新配置可以包括如下表9所示的要连接的第一通信网络1303的频带/带宽(BW)信息。
表9
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电子装置101可以接收包括上述表9的RRC连接重新配置消息，并且可以将该消息中包括的频带作为频带信息1112存储在存储器1110中。当电子装置101的发射功率控制模块1115不能区分用于SA中发射NR频带信号的天线和用于NSA中发射NR频带信号的天线时，可以根据两个天线中具有较差天线增益的那个来设置发射功率，从而相对地减小最大可发射功率。如上所述，在各种实施例中，电子装置101的发射功率控制模块1115可以基于根据EN-DC操作选择的天线设置的天线增益，将最大可发射功率设置为相对较高。
根据各种实施例，当电子装置101使用设置在下端的第一天线1211发射发射信号时，可能会受到与第一天线1212相关的AP事件的影响。例如，当握持事件由于用户握持电子装置101而发生时，或者当访问相关事件由OTG/USB或耳机连接引起时，发射信号的功率可能受到影响。根据各种实施例，当电子装置101使用设置在上端的第二天线1212发射发射信号时，其可能受到与第二天线1212有关的AP事件的影响。例如，当由于电子装置101中的呼叫接收而发生接近事件时，或者当根据相机操作而发生图像传感器相关事件时，发射信号的功率可能受到影响。
根据各种实施例，由于SAR的影响，电子装置101可以根据如下表10所示的频率应用不同的功率限制。
表10
例如，当频带信息1112为低频带时，由于存储在电子装置101的存储器1110中的映射表1114相对较少受到SAR的影响，因此可以设置最大可发射功率，使得发射功率不受SAR的限制。根据各种实施例，返回参考图12b，当电子装置101与N3频带的NR通信网络连接同时与B1频带的LTE通信网络连接并且作为EN-DC运行时，电子装置101可以基于如上所述的EN-DC运行来控制通过第一天线1211发射B1频带信号并且通过第二天线1212发射N3频带信号。当电子装置101作为EN-DC运行时，由于LTE是锚，因此电子装置101可以将B1频带信号的总发射功率设置为高于N3频带信号的总发射功率。
例如，当在EN-DC运行中检测到用户的握持时，如果发射功率控制模块1115不能区分第一天线1211和第二天线1212，则根据上表10，第一天线1211和第二天线1212的发射功率可以被限制为19.5dBm。根据各种实施例，当电子装置101的发射功率控制模块1115区分第一天线1211和第二天线1212时，由于用户的握持不影响设置在上端的第二天线1212，可以通过抑制由于握持传感器而对通过第二天线1212发射的N3频带信号施加发射功率限制来提高发射功率的性能。
根据各种实施例，当用户使用电子装置101执行语音呼叫时，如果发射功率控制模块1115不能区分第一天线1211和第二天线1212，考虑到对头部的影响，第一天线1212和第二天线1211的发射功率都可以被限制为2dB。根据各种实施例，当电子装置101的发射功率控制模块1115在第一天线1211和第二天线1212之间进行区分时，它可以应用于每个天线，是否单独限制作为语音呼叫条件的VoLTE或VoNR的发射功率。例如，当使用VoLTE执行语音呼叫时，由于语音分组是通过位于下端的第一天线1211传输的，因此电子装置101的发射功率控制模块1115可以进一步补偿通过第一天线1211发射的信号的由于用户的握持而可能减少的功率，由于设置在上端的第二天线1212在电话通话期间与头部的间隔减小并且因此可能影响SAR，因此仅在EN-DC条件下，它可以将发射功率降低2dB。
下文中，参考图14a至图32描述了使用上述映射表调整最大可发射功率的各种实施例。
随着显示部件的发展，在可变形电子装置(例如，可折叠电子装置、可滑动电子装置或可滚动电子装置)中，物理天线的相对放置形式可以实时改变。以下结合各种实施例描述当RX路径或天线配置由于电子装置的变形而改变时，补偿发射信号的性能劣化的示例。
图14a是示出根据本公开的实施例的电子装置的平面图。
图14b是示出根据本公开的实施例的电子装置内部的截面图。
参考图14a，电子装置101可以包括第一壳体1410和与第一壳体1410可枢转地联接的第二壳体1420。当用户在完全展开状态下使用电子装置101时，它可以以平板类型使用，并且当它在完全折叠状态下使用时，它可以以智能手机类型使用。根据各种实施例，第一天线1411可以设置在第一壳体1410的下端，第二天线1412可以设置在其上端。第三天线1421可以设置在第二壳体1420的下端。参考图14b，第一天线1411和第四天线1413可以设置在第一壳体1410的下端。在以下描述中，为了便于描述，第一壳体1410被称为主板，第二壳体1420被称为子板。当电子装置101被折叠时，显示器位于内部的形状可以被称为内折叠型，显示器暴露于外部的形状可以称为外折叠型。图14a示出了内折叠型的示例。相机模块可以通过作为主板的第一壳体1410的外表面暴露。辅助显示器可以设置在作为子板的第二壳体1420的外表面上。
如图14a所示，水平折叠的电子装置101可以具有如下三种独立的操作条件，但不限于此。根据各种实施例，电子装置101可以根据电子装置101的形状的变化，通过补偿发射功率来减少发射功率损耗。
1.文件夹打开(展开状态)/平板类型条件
2.文件夹关闭(折叠状态)/电话类型条件
3.文件夹关闭(折叠状态)+语音呼叫/手握且头部间距减小条件
在作为折叠状态的电话类型条件下，电子装置101可以与不是可折叠电子装置的电子装置相同或类似地操作。在作为展开状态的平板类型条件下，随着SAR参考的变化，电子装置101可以基于根据下表11的规范进行操作。
表11
参考表11，在平板类型条件下，测量距离为0mm，并且发射功率限制非常高。由于该条件根据频率波长的长度而不同，因此发射功率可能受到限制。根据各种实施例，电子装置101可以确定电子装置101的形状变化，并对展开状态和折叠状态应用不同的发射功率。例如，在折叠状态下，电子装置101可以调整发射功率以不应用展开状态的发射功率限制，从而补偿发射功率。根据各种实施例，当用户在展开状态下使用电子装置101时，布置在第一壳体1410中的第一天线1411与布置在第二壳体1420中的天线保持预定的距离，并且因此受到负载阻抗的影响可以较小。由于第一壳体1410与第二壳体1420之间的铰链和/或第二壳体1420外部的显示器，第四天线1413可能受到负载阻抗的影响。根据各种实施例，电子装置101的展开状态和折叠状态可以被设置为AP事件，并且可以基于AP事件来调整发射功率。
根据各种实施例，当用户在折叠状态下使用电子装置101时，由于第四天线1413的高频分量，可能发生对天线(例如，第三天线1421)的干扰。根据各种实施例，当用户用手握持电子装置101时，可能发生发射功率损失。
图14c和图14d是示出根据本公开的各种实施例的电子装置的电路图。
参考图14c，从第一RFFE 431输出的发射信号可以通过SPDT开关1431发送到第一天线1430，并且从第二RFFE 432输出的发射信号可以通过天线共用器1441发送到第二天线1440。
参考图14d，当在第一天线1430附近发生握持时，可能会发生发射功率损耗。根据各种实施例，如图14d所示，当在第一天线1430上发生握持时，SPDT开关1431可以被控制为切换发射路径以通过受握持影响较小的第二天线1440进行传输。
根据各种实施例，当使用SPDT开关1431改变发射路径时，发射信号的功率可能因为路径损耗减少一半，并且可能出现3dB的性能下降。电子装置101的天线增益可以随着发射路径的改变而减小。根据各种实施例，SPDT开关1431的切换条件可以被分为天线开关(AS)条件并根据CP事件设置。当SPDT开关1431根据设置的CP事件导致发射功率减少3dB时，电子装置101可以额外地增加相应频带的发射信号的功率，从而补偿由于路径变化而导致的发射功率损失。根据各种实施例，进一步考虑到当在第二天线1440中包括低频带分量时由于路径的改变在中/高频带中的天线增益的降低，以及由于天线的变化在低频带中发生的天线增益损失，电子装置101可以执行补偿。
根据各种实施例，用户可以在电子装置101的折叠状态下执行语音呼叫。在语音呼叫的情况下，PCell发射信号的性能可能由于在电子装置101的下端的天线(例如，第一天线1411)上的握持而降低，使得总发射功率可能不受限制。由于天线结构的原因，第一天线1411可以设置在电子装置101的中间位置，并且可以避免受到握持的影响，但是可以受到用户头部的影响。因此，发射功率可能受到SAR的限制。例如，当天线位置像低频带一样改变时，如果电子装置不能区分手部效应和头部效应，则第二天线1412的发射功率可以根据头部效应的条件减小2dB，因此发射功率的性能可能会降低。根据各种实施例，电子装置101可以基于发射路径改变状态、当前连接的频带信息、语音呼叫状态、以及折叠状态下发生的天线性能干扰，控制以限制第一天线1411中的发射功率的大小，并且补偿第二天线1412中的发射功率的大小。
图15是示出根据本公开的各种实施例的电子装置的立体图。
参考图15，在折叠状态下，可变形电子装置101(例如，可折叠电子装置)可以以与智能手机相同的方式操作。例如，智能手机型电子装置101可以在其前表面上具有显示器1501，并且通过后表面1502辐射发射信号1510。根据各种实施例，从电子装置101辐射的发射信号的图案可以形成球形各向同性图案1511。
根据各种实施例，当从折叠状态切换到展开状态时，可变形电子装置101(例如，可折叠电子装置)可以添加新的天线或新的RF路径，如图16a、图16b和图16c所示。当进一步需要RF路径来同时处理多个频率分量(例如，CA)或同时使用LTE和NR的NSA条件时，可以额外地使用添加到可变形电子装置101的RF路径。在电子装置101中，在相邻频率分量或频率分量在谐波分量(其可以在多个RF路径被放置在小空间中时产生)中重叠的情况下，RF路径可以重叠，并且添加的RF路径可以用于防止信号重叠。
根据各种实施例，如果RF路径增加，比用于实际传输的发射路径更多的发射路径可以被选择。由于每个路径可以根据CP事件或AP事件影响辐射性能，因此电子装置101可以控制选择同时考虑辐射增益和损耗的RF路径。在以下描述的各种实施例中，一种用于补偿辐射损失的方法，该辐射损失可能由于固定类型的电子装置101中的机械限制而出现，该方法使用通过可折叠结构添加和扩展的天线和RF路径。在以下描述的各种实施例中，可以补偿与随着电子装置101的外形改变而进一步扩展的天线状态和RF路径相对应的发射功率。在以下描述的各种实施例中，电子装置101的外形变化被定义为AP事件并作为一个状态进行管理，并且CP决定天线状态。因此，可以选择最佳的RF路径并根据所选择的RF路径补偿发射功率。例如，电子装置101可以根据每种情况进一步补偿信号或限制发射功率，以便在考虑LTE和NR的频率分量的情况下，输出适合于从当电子装置101的外形变化时添加的天线路径中选择的最佳天线路径的发射功率。
图16a、图16b和图16c是示出了根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
参考图16a至图16c，折叠型电子装置101可以包括第一壳体1610和第二壳体1620。当电子装置101处于如图16a所示的展开状态时，显示器1601可以暴露在第一壳体1610和第二壳体1620的前表面上。发射信号可以从电子装置101的第一壳体1610的后表面辐射。即使在如图16b所示的半折叠状态或如图16c所示的完全折叠状态下，电子装置101可以通过第一壳体1610的后表面辐射发射信号。
根据各种实施例，电子装置101可以在第二壳体1620中包括附加天线。因此，在同时使用具有相同频率分量的重耕频带的情况下，或者在以最大发射功率输出3.5GHz频带的高频RF而不影响其他部件的情况下，可以将第一壳体1610的天线改变为第二壳体1620的天线。
图17是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。参考图17，第一天线1711可以设置在第一壳体1710的下端，第二天线1712可以设置在其上端。根据各种实施例，第三天线1721可以设置在第二壳体1720的下端，第四天线1722可以设置在其上端。根据各种实施例，当电子装置101在使用第一天线1711或第二天线1712时改变为使用第三天线1721或第四天线1722时，电子装置101可以调整发射功率的大小。例如，在电子装置101被配置为折叠型时添加了第三天线1721和第四天线1722的情况下，电子装置101可以在已经补偿了为传送发射信号而可能发生的路径损耗的状态下，考虑重耕频带的路径间隔和上/下端的位置来调整发射功率。
图18a、图18b和图18c是根据本公开实施例的电子装置的立体图。
参考图18a、图18b和图18c，电子装置101可以以向外折叠型配置。例如，向外折叠型电子装置101可以包括第一壳体1810和第二壳体1820。当电子装置101处于如图18a所示的展开状态时，显示器1801可以暴露在第一壳体1810和第二壳体1820的前表面上。发射信号可以从电子装置101的第一壳体1810的后表面辐射。即使在如图18b所示的半折叠状态下，电子装置101也可以通过第一壳体1810的后表面辐射发射信号。在如图18c所示的电子装置101的完全折叠状态下，由于第一壳体1810的后表面被第二壳体1820覆盖，所以发射信号可能被阻挡。在图18b的形式中，电子装置101可以通过第一壳体1810或第二壳体1820的边缘处的偶极天线类型来发射发射信号。根据各种实施例，在向外折叠型电子装置101中，天线的方向性可以根据折叠角度而改变，如图18b或图18c所示。因此，电子装置101可以使用适合于每种情况的单独可用的天线。
图19是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
参考图19，在向外折叠型电子装置101中，第一天线1811可以设置在第一壳体1810的下端，第二天线1812可以设置在第一壳体1810的上端。在电子装置101中，第三天线1821可以设置在第二壳体1820的下端，第四天线1822可以设置在第二壳体1820的上端。
根据各种实施例，电子装置101可以改变天线操作，以便能够使用第二壳体1820的第三天线1821或第四天线1822来处理多个频率分量信号。电子装置101可以通过增加下端天线或RF路径的数量来同时操作从频率角度不重叠的频带，并且解决第一壳体1810被第二壳体1820覆盖的情况，使得能够发射发射信号的天线的数量减少。
根据各种实施例，如果向外折叠型电子装置101被完全折叠，如图19所示，则第一天线1811和第三天线1821可以被定位为彼此相邻，并且第二天线1812和第四天线1822可以被定位成彼此相邻。例如，当电子装置101在图19所示的状态下输出相同的频率分量时，由于天线之间的间隔不足，信号可能重叠并减小。根据各种实施例，在电子装置101中，在NSA条件下，LTE和NR频带信号可以分别设置在上端和下端。电子装置101可以通过相邻天线发射其频率分量可以被划分的信号，例如CA。
根据各种实施例，由于相机或USB终端1813可能受到电子装置101形状变化的影响，因此可以去除噪声分量或考虑到噪声分量来调整发射信号功率的大小。例如，由于第一天线1811与USB终端1813相邻，因此发射信号或接收信号可能会根据USB通信情况而受到影响。第二天线1812与相机部件相邻，其发射功率可能受到发射信号的影响。在上述限制情况下，通过使用第三天线1821或第四天线1822代替第一天线1811或第二天线1812，电子装置101可以稳定地保持发射功率而不受限制。
图20是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
参考图20，在电子装置101中，第一壳体2010和第二壳体2020以向外折叠型操作，第二壳体2020和第三壳体2030可以以向内折叠型操作。例如，在第一壳体2010和第二壳体2020的完全折叠状态下，显示器2001可以暴露于外部。根据各种实施例，当电子装置101的第一壳体2010和第二壳体2020以向外折叠型操作时，可以应用上面结合图18a、图18b和图18c描述的方法，并且当第二壳体2030和第三壳体2030以向内折叠型操作时，可以应用上面结合图16a至图16c描述的方法。例如，电子装置101可以将第一壳体2010和第二壳体2020之间的第一折叠状态信息管理为第一AP事件，将第二壳体2030和第二壳体2020之间的第二折叠状态信息管理为第二AP事件。电子装置101可以至少基于第一AP事件和第二AP事件进行控制以选择天线或RF路径，并且根据所选择的天线或RF路径来调整发射功率的大小。
图21是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。参考图21，在垂直折叠的电子装置101中，随着天线更靠近事件发生的位置，增益损失可能增加。例如，电子装置101可以根据每个事件(例如，握持事件或接近事件)所在的距离或位置来测量损失，并且每个事件对增益的影响可以与距离成反比。
图22a、图22b和图22c是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
参考图22a、图22b和图22c，与图16a至图20所示的水平折叠的结构不同，在垂直折叠的电子装置101中，电子装置101的外形可以朝着天线上端或下端扩展，在这种情况下，可以在电子装置101展开的方向上增加天线。当电子装置101处于如图22a所示的展开状态时，显示器2201可以暴露在第一壳体2210和第二壳体2220的前表面上。发射信号可以从电子装置101的第一壳体2210的后表面辐射。即使在如图22b所示的半折叠状态或如图22c所示的完全折叠状态下，电子装置101也可以通过第一壳体2210的后表面辐射发射信号。相机模块2222可以设置在第二壳体2220的后表面上。
图23a和图23b是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
参考图23a和图23b，在向上扩展的向内折叠型电子装置101中，在折叠状态下，第一天线2211可以设置在下端，第二天线2231可以设置于上端。在电子装置101的完全展开的状态下，可以将在折叠状态下相对于第一天线2211的上部天线(位于比第二天线2231更远的位置的上部天线(第三天线2221))增加为上部天线。
例如，如图23a和图23b所示，由于根据电子装置101的长度的特性，通过第二壳体2220延伸的在上端处的第三天线2221的位置可以被视为与处于折叠状态下作为上部天线的第二天线2231相比物理地延伸的天线，并且随着长度的增加，第三天线2221可以比第二天线2231更容易受到用户的头部或组件(例如，相机)的影响。当使用第三天线2221时，与使用第二天线2231时相比，电子装置101可能较少受到手握或USB连接的影响，从而影响下端。
根据各种实施例，电子装置101可以根据每个AP事件调整发射功率。例如，在电子装置101的完全展开状态下，如果通过第二壳体2220延伸的在上端处的第三天线2221给予更多益处，则发射路径可以改变为第三天线2221。根据各种实施例，第二天线2231和第三天线2221可以具有上部天线的特性，在特定事件情况下，可以使用第三天线2221而不是第二天线2231。例如，如果第一天线2211由于影响电子装置101的下端的握持状态或USB连接操作而受到影响，并且当使用第二天线2231时由于与第一天线2211的短间隔而发生辐射损耗，在电子装置101的完全展开状态下使用通过第二壳体2220延伸的第三天线2221可以增加与第一天线2211的距离，从而使得当使用上部天线时获得的增益最大化。考虑到根据第三天线2221的使用的益处和天线增益的损失，电子装置101可以依据AP事件操作灵活地确定是使用第二天线2231还是使用第三天线2221。例如，在电话通话的情况下，用户的头部可以定位在第三天线2221附近。在这种情况下，由于上部天线的位置较高，影响头部的SAR效应可能会增加，最终导致需要降低发射功率的情况。在这种情况下，电子装置101可以使用第二天线2231，在不降低性能的情况下确保足够的发射功率，并实现稳定的通信性能。
根据各种实施例，在电子装置101执行数据发送/接收的情况下，用户可以将电子装置101保持在折叠状态，以将其用作智能手机，并且在这种情况下，使天线远离握持条件可以稳定地保持发射信号的功率。因此，电子装置101可以通过第二天线2231而不是第三天线2221来发射发射信号。
图24a和图24b是示出根据本公开实施例的电子装置的立体图。
参考图24a和图24b，在具有向外折叠型的垂直折叠结构的电子装置中，上部天线部分在向外折叠时可以被显示器阻挡。例如，在图24a的电子装置101的完全展开状态下，第一天线2411可以设置在第一壳体2410的下端，第三天线2421可以设置在第二壳体2420的上端。在如图24b所示的电子装置101的完全折叠状态下，来自第二天线2431的发射信号可以被显示器2401阻挡。根据各种实施例，在电子装置101的完全折叠状态下，如图24b所示，可以通过将与第二天线2431相对应的路径损耗设置为无穷大(∞)来防止第二天线2431被使用。
图25是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
参考图25，可滚动或可滑动的电子装置101可以被配置为使得显示器2501和第二壳体2520的至少一部分被容纳在第一壳体2510中。根据各种实施例，由于在显示器2501的完全展开状态下，水平延伸的可滚动或可滑动电子装置101，类似于在图17所示的向内折叠型的展开状态下的电子装置，因此其可以以类似于图17的操作的方式应用。
图26是示出根据本公开的实施例的电子装置的立体图。
参考图26，可滚动或可滑动的电子装置101可以被配置为使得显示器2601和第二壳体2620的至少一部分被容纳在第一壳体2610中。根据各种实施例，由于在显示器2601的完全展开状态下，垂直延伸的可滚动或可滑动电子装置101类似于图22a至图22c中所示的向内折叠型的展开状态下的电子装置，因此其可以以类似于图22a到图22c的操作的方式应用。
根据各种实施例，在如上所述的可折叠电子装置101的情况下，依据可折叠类型(水平/垂直/可滚动)，可能存在进一步可用或不可用的天线路径。例如，由于与电子装置101使用的TX传输的数量相比，额外可用或不可用的RF路径的数量增加，因此可以应用根据各种实施例的为每个天线路径选择最佳天线路径的方法。
图27是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
参考图27，电子装置101可以包括通信处理器260、RFIC 410、前端模块(FEM)2710、耦合器2720和天线2730。FEM 2710可以包括功率放大器模块(PAM)2711、低噪声放大器(LNA)2712和带通滤波器(BPF)2713。电子装置101可以将由通信处理器260生成的信号发送到RFIC 410。RFIC 410可以将从通信处理器260接收的信号转换为RF信号，并将其发送到FEM 2710。FEM 2710可以放大由PAM 2711从RFIC 410接收的信号，并通过带通滤波器2713、耦合器2720和天线2730发送到基站2740。例如，通过耦合器2720传输的发射信号的一部分可以通过反馈线输入到RFIC 410。RFIC 410的功率检测器411可以基于反馈信号来确定发射功率的大小。
根据各种实施例，发生在电子装置101的每个传输部分中的路径损耗PL可以被划分为第一PL 2701、第二PL 2702、第三PL 2703和第四PL 2704。第一PL 2701可以被定义为通信处理器260和PAM 2711之间的路径损耗。第二PL 2702可以被定义为PAM 2711和耦合器2720之间的路径损耗。第三PL 2703可以被定义为耦合器2720和天线2730之间的路径损耗。第四PL 2704可以被定义为天线2730和基站2740之间的路径损耗。
图28示出了根据本公开的实施例的电子装置的功率放大器。
参考图28，第一PL 2701可以通过调整PAM 2711中包括的多个PA 2801、2802、2803和2804中的最终功率放大器2804的增益来对其进行补偿，如图28所示。例如，电子装置101可以将第一PL 2701视为0dB。根据各种实施例，第二PL 2702可以由通过耦合器2720反馈的信号来补偿。第三PL 2703可以由AP事件或CP事件来估计和补偿。可以通过到达基站2740的无线信号的强度来间接地识别第四PL 2704，并且可以通过基站2740进行的发射功率控制(TPC)来补偿第四PL 2704。
根据各种实施例，可变形电子装置101(例如，可折叠、可滚动或可滑动电子装置)可以依据天线的位置和随着外形变化而增加的天线的机械变化来划分路径损耗PL，如图27所示。为了减少所有RF路径上的路径损耗，可以将与第一PL 2701相对应的路径设置为尽可能靠近每个天线，从而可以补偿所有RF路径在设计阶段可能出现的所有损耗分量。
图29是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
参考图29，电子装置101可以包括在第一壳体2910中的通信处理器260、RFIC 410、第一PAM 2951、第一耦合器2961、第一天线2911以及第二天线2912和2971。电子装置101可以包括在第二壳体2920中的第二PAM 2952、第二耦合器2962、第三天线2921和2973、第三PAM 2953、第三耦合器2963以及第四天线2922和2972。电子装置101可以将由通信处理器260生成的信号发送到RFIC 410。RFIC 410可以将从通信处理器260接收的信号转换为RF信号，并且可以将其发送到第一壳体2910中的第一PAM 2951。RFIC 410可以将从通信处理器260接收的信号转换为RF信号，并且可以通过铰链区域2930将其发送到第二壳体2920中的第二PAM 2952或第三PAM 2953。
根据各种实施例，如图29所示，可以扩展使用第一壳体2910的上部天线路径的频带，使得可以使用第二壳体2920的第三天线2921或第四天线2922。例如，通过将能够补偿增益的PAM 2951、2952和2953设计为相邻于与第二PL的路径相对应的耦合器2961、2962和2963，可以将路径损耗设置为基本上为0。
根据各种实施例，参考图29，当在存在一个发射信号的结构中使用三个RF路径时，当设置了诸如未使用的PAM之类的部件时，考虑到成本和空间问题，可能会出现更多的负担。考虑到这一点，电子装置101可以基于发射信号的主发射路径的损耗来设置发射功率，并且可以考虑到主发射路径的损耗来设置剩余发射路径的发射功率。
图30是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
参考图30，电子装置101可以包括在第一壳体3010中的通信处理器260、RFIC 410、PAM 3051、开关3052、第一耦合器3061、第一天线3011、以及第二天线3012和3071。电子装置101可以包括在第二壳体3020中的第三耦合器3063、第三天线3021和3073、第二耦合器3062以及第四天线3022和3072。电子装置101可以将由通信处理器260生成的信号发送到RFIC410。RFIC 410可以将从通信处理器260接收的信号转换为RF信号，并且可以将其发送到第一壳体3010中的PAM 3051。开关3052可以通过第一壳体3010中的第一耦合器3061将由PAM3051放大的信号发送到第二天线3012。开关3052可以将由PAM 3051放大的信号通过第二壳体3020中的第三耦合器3063或第二耦合器3062发送到第三天线3021或第四天线3022。
根据各种实施例，如图30所示，当性能由单个PAM 3051补偿并且使用开关3052选择RF路径时，每个RF路径的信号强度可能会因开关3052引起的路径损耗(在1T4R的情况下为1/4)而降低。例如，可能发生信号损耗例如-6dBm。在这种情况下，由于从第一壳体3010到每个天线的距离都是不同的，因此由于每个天线的距离的路径损耗可以是不同的。根据各种实施例，电子装置101可以根据每个可选择的天线路径考虑路径损耗来设置RF路径。
根据各种实施例，电子装置101可以基于改变前RF路径的路径损耗和改变后RF路径的损耗来确定路径优先级。例如，当作为路径损耗比较的结果在改变后在RF路径中存在增益时，电子装置101可以在存在额外设置余量或更大的增益时控制改变发射路径，以防止频繁的发射路径改变。
根据各种实施例，当主天线路径由于电子装置101的形状变化而被物理阻挡并因此无法使用时，电子装置101可以控制改变发射路径。当由于电子装置101的形状变化，其他组件或操作受到发射信号的影响时，电子装置101可以控制以改变发射路径。当改变的发射路径的路径损耗增加，仅通过补偿增益不能获得益处时，电子装置101可以控制不改变发射路径。
例如，如上文结合图18a、图18b、图18c、图20、图24a和图24b所述，当天线被具有不能发射发射信号的介质的材料覆盖并且其辐射性能因此受到影响时，电子装置101可以将天线的路径损耗设置为无穷大。例如，当根据电子装置101的形状变化将当前设置的发射路径的路径损耗设置为无穷大时，电子装置101可以被配置为更改为可切换的发射路径。
根据各种实施例，返回参考图17，LTE B1信号可以通过第一壳体1710的第一天线1711发射，NR的N78信号可以通过第一壳体的第二天线1712发射。NR的N78频带作为高频带，可能由于高频的性质而受到SAR的显著影响，并且其信号特性例如衍射和折射，与低频分量相比可能具有大的平直度(straightness)。根据上述性质，根据用户的使用环境或天线的位置的效果可以根据形状的变化而变大。因此，改变发射路径可以呈现更好的性能。
返回参考图30，在折叠型电子装置101中，根据装置形状的变化，可以对第二壳体3030的第三天线3021或第四天线3022进行改变。例如，在图30中，每个发射路径的总路径损耗可以被设置为默认路径损耗和事件路径损耗之和。默认路径损耗是由电子装置101的硬件设计引起的路径损耗，并且可以是固定值。事件路径损耗是可以根据设置的AP事件或CAP事件额外发生的路径损耗，并且可以在相应事件发生时被应用。根据各种实施例，每个天线的默认路径损耗可以设置为如下表12中所示。
表12
参考表12，在天线路径不重叠的情况下，用于发射N78频带信号的天线的可选路径是第二天线、第三天线和第四天线。因此，电子装置101可以通过根据每个事件反映路径损耗来确定当前可用的天线路径。例如，N78频带中的每个事件的路径损耗可以设置如下表13所示。
表13
考虑表12的默认路径损耗和表13的每个事件的路径损耗计算出的总路径损耗可以表示为如表14所示。
表14
参考表14，可以根据总路径损耗来确定每个天线的优先级。例如，电子装置101在没有AP事件的情况下，可以将用于发射N78频带的信号的具有总路径损耗最小的主板(例如，第一壳体3010)的第二天线(例如，第二天线3012)设置为最佳发射路径。根据各种实施例，当接收到呼叫并且发生呼叫事件(RCV)时，可以将表14中考虑了呼叫事件的优先级3和5中优先级较高的优先级3设置为发射路径。例如，当呼叫事件被识别为AP事件时，电子装置101可以根据优先级3(其具有传输N78频带信号的最高优先级)将主板(例如，第一壳体3010)的第二天线(例如，第二天线3012)设置为最佳发射路径。根据各种实施例，当多个路径在相应事件中具有相同的路径损耗时，电子装置101可以控制以将其设置为主发射路径而不改变路径。如果发射路径是基于上面的表14确定的，则可以根据基于频带、AP事件和CP事件设置的值来额外地限制或补偿发射功率，如上面的表7所示。
返回参考图29，由于PAM 2951、2952和2953被添加到每个发射路径以补偿路径损耗，因此根据路径变化的增益可以相对较小，使得可以不发生由于默认路径损耗导致的路径变化。在图29的情况下，电子装置101可以基于事件的发生来确定发射路径。例如，如图31所示，当同时使用相机模块3101和第一PAM 2951时，它们可以相互影响。根据各种实施例，电子装置101可以将相机模块3101的操作设置为AP事件，并在确定发射路径时应用AP事件，从而减少发射功率增益的损失。例如，由于N78频带的发射路径和相机数据线之间的间隔减小，可能会出现耦合和谐波分量。此外，由于相机数据吞吐量的增加和用于处理高频分量的PAM 2951的操作，可能会产生热量。
例如，相机模块3101可以设置在第一壳体2910的上端。随着图像传感器的尺寸和像素数量的增加，为了提供更好的分辨率和质量，数据线可能变得复杂并增加。根据各种实施例，在发射使用与设置在第一壳体2910的上端的第二天线2912相对应的RF路径的3.5G频带的5G信号的情况下，由于高频信号的物理特性，信号的耦合和谐波分量可能被引入到相机数据线中。如果引入到相机数据线中的信号将相机数据信号的噪声水平增加预定值或更多，则图像数据中的误差可能增加。根据各种实施例，电子装置101可以将相机模块3101的运行设置为AP事件，并且可以在相机模块3101正在运行的情况下，将N78频带信号的发射路径改变为第二壳体2920的第三天线2921或第四天线2922。
根据各种实施例，随着电子装置101的数据吞吐量和容量的增加，可能会产生热量，并且由于当热量产生水平大于某一水平时可能会对人体造成低温烧伤，因此电子装置101可能会降低或关闭组件的性能。根据各种实施例，电子装置101可以通过降低热量产生的影响来将发射路径设置为正常操作。当PAM 2951在放大信号的过程中使用了更多的电流、处理了高频分量、或者所使用的电流的强度增加了(放大增加了)，由PAM 2951产生的热量可能会增加。例如，参考图31，相机模块3101和PAM 2951、2953和2952同时使用的情况可以表示为如下表15中所示。
表15
在图31中，由于PAM被用于每个发射路径，因此默认路径损耗相对较小，并且可以仅考虑事件损耗。例如，影响N78频带信号的每个事件的损耗，包括相机模块3101的操作，可以表示为如下表16所示。
表16
参考表16，当在使用相机模块3101时，由于相机模块310l检测到温度高于参考值时，电子装置101可以进行控制以将发热条件设置为AP事件，并将路径损耗设置为99或无穷大(∞)，使得路径不被设置为受影响的天线。例如，当相机模块3101产生热量时，电子装置101可以将路径改变至受发热影响较小的第四天线2922，而不是降低发射信号的功率或关闭电源。组合上述表15和表16的结果得到的总路径损耗可以在下面的表17中表示。
表17
根据各种实施例，参考表17，在相同的总路径损耗下，第一壳体2910(主板)的优先级可以设置为高。例如，当发生电话呼叫事件(RCV)时，电子装置101可以根据优先级4和优先级5中较高的优先级4，将第一壳体2910(主板)的第二天线2912设置为发射路径。根据各种实施例，在使用相机模块3101的情况下，设置为具有与使用第四天线2922发射LTE B1频率信号的下部天线相反的特性，并且可以补偿由于相机模块3101的影响而减少的功率损失。根据各种实施例，如果相机模块3101的热量增加，则根据组件之间的距离，距离产生热量最高的位置最远的第三天线2921的优先级增加，使得电子装置101可以将路径设置改变为第三天线2921。根据各种实施例，电子装置101可以将可能由于部件的发热或运行而发生的性能劣化因子设置为各个事件，并对其进行补偿，从而将电子装置101的辐射性能稳定地调整到最佳性能。
图32是示出根据本公开的实施例的电子装置的电路图。
参考图32，电子装置101可以包括在第一壳体3210中的通信处理器260、RFIC 410、PAM 3051、开关3052、第一耦合器3061和第一天线3211。电子装置101可以包括在第二壳体3220中的第二耦合器3062和第三天线3221。当电子装置101处于完全折叠状态时，第一天线3211和第三天线3221可能相互干扰。例如，当LTE B1频带信号从电子装置101的下端发射，NR N78频带信号从上端发射时，如果电子装置101如所示的完全折叠，则重叠的天线之间的间隔减小，从而可能发生信号耦合。在这种情况下，尽管使用了两个天线，但是出现了信号重叠的情况，就像使用一个天线的分离的信号一样，并且每个信号的噪声分量可能增加，从而降低信号质量。
根据各种实施例，当电子装置101处于折叠状态使得天线之间的间隔减小时，可以通过将折叠状态信息设置为AP事件并将路径损耗设置为无穷大(∞)来降低相应路径的优先级。例如，如下面的表18所示，电子装置101的折叠状态(闭合状态)可以被设置为AP事件，并且由于电子装置101形状的改变导致的天线路径重叠的路径损耗值可以被设置成无穷大，使得优先级降低，并且不选择相应的路径。
表18
根据各种实施例，在表18所示的状态下的总天线损耗可以如下面的表19所示设置。
表19
参考表19，根据每个事件可能导致问题的路径可以设置为具有低优先级，使得该路径不被选择。如果发射路径是基于上表19确定的，则可以根据如上文表7所示的基于频带、AP事件和CP事件设置的值，来额外限制或补偿发射功率。图33是示出根据本公开实施例的电子装置的操作方法的流程图；电子装置(例如，电子装置101)可以包括存储器(例如，存储器130)、通信处理器(例如，无线通信模块192、第一通信处理器212、第二通信处理器214或集成通信处理器260)、与通信处理器连接的至少一个RFIC(例如，第一RFIC 222、第二RFIC 224、第三RFIC 226、第四RFIC 228或RFIC 410)，以及单独的与至少一个RFIC连接的多个天线(例如，天线模块197、第一天线模块242、第二天线模块244、第三天线模块246、第一天线441、第二天线442、第三天线443、第四天线444和第五天线445)，以及至少一个RFFE电路(例如，第一RFFE 232或431、第二RFFE 234或432、或第三RFFE 236或433)或至少一个天线调谐电路(例如第一天线调谐电路441a、第二天线调谐电路442a或第三天线调谐电路443a)。
参考图33，根据各种实施例，在操作3310中，电子装置101可以识别多个天线的天线相关设置的变化。天线相关设置的变化可以包括从至少一个RFIC发送到多个天线中的至少一个天线的发射信号的路径的变化。天线相关设置的变化可以包括天线调谐电路的设置的变化。
根据各种实施例，在3320操作中，电子装置101可以响应于天线相关设置的变化，识别当前正在通信的频带信息(例如，图11的频带信息1112)。
根据各种实施例，在操作3330中，电子装置101可以从存储器(例如，图11的存储器1110)中识别出与频带信息、折叠状态信息(例如，折叠状态或展开状态)，以及通信处理器相关事件信息(例如，图11的CP事件信息1111)相对应设置的发射功率的设置值。通信处理器相关事件可以包括载波聚合、双连接(DC)、天线分集(例如，2Rx或4Rx)、MIMO、天线切换、呼叫事件或双连接(DC)中的至少一个。
根据各种实施例，在操作3340中，电子装置101可以基于所识别的发射功率的设置值，来调整要通过多个天线中的至少一个天线发射的发射信号的功率。
根据各种实施例，当识别出发射功率的设置值时，电子装置101可以进一步考虑与应用处理器相关的事件。应用处理器相关事件可以包括基于从至少一个传感器接收到的信号的事件，并且可以包括以下项中的至少一个：例如，由握持传感器感测到的握持事件、由接近传感器感测的接近事件、与图像传感器相关的事件、或与外部连接端子的连接相关的事件。
图34是示出根据本公开的实施例的电子装置的操作方法的流程图。电子装置(例如，电子装置101)可以包括存储器(例如，存储器130)、通信处理器(例如，无线通信模块192、第一通信处理器212、第二通信处理器214或集成通信处理器260)、与通信处理器连接的至少一个RFIC(例如，第一RFIC 222、第二RFIC 224、第三RFIC 226、第四RFIC 228或RFIC410)、与至少一个RFIC单独地连接的多个天线(例如，天线模块197、第一天线模块242、第二天线模块244、第三天线模块246、第一天线441、第二电极442、第三天线443、第四天线444和第五天线445)，以及至少一个RFFE电路(例如，第一RFFE 232或431、第二RFFE 234或432、或第三RFFE 236或433)或至少一个天线调谐电路(例如，第一天线调谐电路441a、第二天线调谐电路442a或第三天线调谐电路443a)。
参考图34，根据各种实施例，在操作3410中，电子装置101可以识别多个天线的天线相关设置的变化。天线相关设置的变化可以包括从至少一个RFIC发送到多个天线中的至少一个天线的发射信号的路径的变化。天线相关设置的变化可以包括天线调谐电路的设置的变化。
根据各种实施例，在操作3420中，电子装置101可以参考与通信处理器相关的事件来识别发射路径的数量是否为两个或更多个(2Tx或更多个)(例如，EN-DC或ULCA)。作为识别的结果，除非发射路径的数量是两个或更多个(2Tx或更多个)(操作3420中的“否”)，电子装置101可以在操作3430中基于预设的最大发射功率来调整发射信号的功率。根据各种实施例，一起参考图2a和图2b，以发射路径的数量为两个或更多个为例，即使在一个天线模块(例如，图2a和图2b的第三天线模块(例如，毫米波模块))中的多个天线元件具有多个发射路径的情况下，也可以应用下面描述的实施例。根据另一实施例，以发射路径的数量为两个或更多个为例，其可以包括包含多个发射路径的情况，作为第一发射路径，其用于通过第二RFFE 234转换成要在第二蜂窝网络294(例如，5G网络)中使用的Sub6频带(例如，大约6GHz或更小)RF信号(下文中，5G Sub6 RF信号)随后通过第二天线模块244对其进行发射，以及作为第二发射路径，其用于通过第三RFFE 236转换成要在第二蜂窝网络294(例如，5G网络)中使用的5G Above6频带(例如，大约6GHz至大约60GHz)RF信号(在下文中，5G Above6 RF信号)然后通过第三天线模块246对其进行发射。例如，上述用于调整发射信号的功率的方法可以应用于通过第一发射路径传输的5G Sub6频带(例如，大约6GHz或更小)RF信号的发射功率和通过第二发射路径传输的6G Above6频带(例如，大约6GHz至大约60GHz)RF信号。
根据各种实施例，如果发射路径的数量是两个或更多(2Tx或更多个)(例如，在EN-DC或ULCA的情况下)，则在操作3440中，电子装置101可以从存储器(例如，图11的存储器1110)中识别与频带信息、折叠状态信息(例如，折叠状态或展开状态)，以及通信处理器相关事件信息(例如，图11的CP事件信息1111)相对应设置的发射功率的设置值。通信处理器相关事件可以包括载波聚合、双连接(DC)、天线分集(例如，2Rx或4Rx)、MIMO、天线切换、呼叫事件或双连接(DC)中的至少一个。
根据各种实施例，在操作3450中，电子装置101可以识别存储器中是否存在与所识别的频带信息和与通信处理器相关的事件信息匹配的信息。作为识别的结果，如果存储器中不存在匹配信息(操作3450中的“否”)，则在操作3430中，电子装置101可以基于预设的最大发射功率来调整发射信号的功率。
根据各种实施例，作为识别的结果，当在存储器中存在匹配信息时(操作3450中的“是”)，电子装置101可以在操作3460时从存储器(例如，图11的存储器1110)识别与匹配信息相对应的发射功率的设置值。通信处理器相关事件可以包括载波聚合、双连接(DC)、天线分集(例如，2Rx或4Rx)、MIMO、天线切换、呼叫事件或双连接(DC)中的至少一个。
根据各种实施例，在操作3470中，电子装置101可以基于识别的发射功率的设置值来调整要通过多个天线中的至少一个天线发射的发射信号的功率。
根据各种实施例，当识别发射功率的设置值时，电子装置101可以进一步考虑与应用处理器相关的事件。应用处理器相关事件可以包括基于从至少一个传感器接收到的信号的事件，并且可以包括以下项中的至少一者：例如由握持传感器感测到的握持事件、由接近传感器感测的接近事件、与图像传感器相关的事件、或与外部连接端子的连接相关的事件。
图35是示出根据本公开的实施例的包括至少两个或更多个壳体结构和柔性显示器的电子装置的各种示例的视图。
参考图35，电子装置(例如，图1的电子装置101)可以包括两个或更多个彼此可旋转地连接的壳体结构和柔性显示器。
根据各种实施例，柔性显示器可以设置在两个或更多个壳体结构上，并可以根据壳体结构的旋转状态被弯曲。
根据各种实施例，电子装置可以根据两个或更多个壳体结构和设置在电子装置中的柔性显示器以及壳体结构的旋转状态以各种形式形成。例如，参考图35，各种形式包括：在电子装置(例如，柔性显示器)中形成两个区域的形式(半折叠)、在电子装置(例如，柔性显示器)中形成三个区域的形式(例如，三折叠、z折叠或单开门折叠)、在电子装置(例如，柔性显示器)中形成四个区域的形式(例如，双平行反向折叠、双平行折叠、双门折叠、卷折叠、手风琴折叠、半折叠然后半折叠)，以及形成更多区域的折叠(例如，半折叠然后三折叠)。电子装置可以包括彼此可旋转地连接的壳体结构和柔性显示器。壳体结构可以旋转成相应的形式。
根据本公开的各种实施例的电子装置及其操作方法不仅可以应用于包括两个壳体结构的电子装置，还可以应用于如图35所示的包括三个或更多个壳体和柔性显示器的电子装置。
根据本公开的各种实施例的电子装置可以在至少两个壳体结构中的每个壳体结构中包括至少一个天线。如图35所示，每个壳体结构中包括的天线的辐射方向可以随着每个壳体结构被折叠成展开状态或折叠状态而改变。
根据各种实施例中的任何一个，电子装置(例如，电子装置101)可以包括：第一壳体、与第一壳体可枢转地联接的第二壳体、存储器(例如，存储器130)、应用处理器、通信处理器(例如，无线通信模块192、第一通信处理器212、第二通信处理器214或集成通信处理器260)、与通信处理器连接的至少一个RFIC(例如，第一RFIC 222、第二RFIC 224、第三RFIC226、第四RFIC 228或RFIC 410)，以及多个天线，每个天线设置在第一壳体或第二壳体的内部或一部分中，并通过至少一个RFFE(例如，第一RFFE 232或431、第二RFFE 234或432、或第三RFFE 236或433)电路与至少一个RFIC连接以发送或接收与至少一个通信网络相对应的信号。通信处理器可以识别多个天线的天线相关设置的变化，响应于天线相关设置的变化，识别关于通过多个天线中的至少一个天线传送的信号的频带信息，识别从应用处理器接收的第一壳体和所述第二壳体之间的折叠状态信息，从存储器识别发射功率相关设置值，所述发射功率相关设置值是对应于识别出的频带信息、折叠状态信息和与通信处理器相关的事件而设置的，以及基于所识别的发射功率相关设置值，控制以调整要通过所述多个天线中的至少一个天线发射的发射信号的功率。
根据各种实施例，折叠状态信息可以包括与第一壳体结构和第二壳体结构之间的折叠角度相对应的信息。
根据各种实施例，天线相关设置的变化可以包括从至少一个RFIC发送到多个天线中的至少一个天线的发射信号的路径的变化。
根据各种实施例，天线相关设置的变化可以包括天线调谐电路的设置的变化。
根据各种实施例，与通信处理器相关的事件可以包括：上行链路载波聚合(CA)、下行链路CA、天线分集、多输入多输出(MIMO)、天线切换、呼叫事件、双连接(DC)或参考信号间接收功率(RSRP)差中的至少一个。
根据各种实施例，通信处理器可以识别从应用处理器接收的与应用处理器相关的事件，并且可以识别响应于与应用处理器相关的事件而设置的发射功率相关的设置值。
根据各种实施例，与应用处理器相关的事件可以包括基于从至少一个传感器接收的信号的事件。
根据各种实施例，与应用处理器相关的事件可以包括握持传感器感测到的握持事件、接近传感器感测的接近事件、与图像传感器相关的事件或与外部连接端子的连接相关的事件中的至少一个。
根据各种实施例，识别出的频带信息和与通信处理器相关的事件可以与发射功率相关设置值一起存储在存储器中，作为映射表。
根据各种实施例，电子装置还可以包括至少一个开关，用于改变与多个天线相对应的发射路径。通信处理器可以通过控制至少一个开关来控制发射信号的发射路径。
根据各种实施例，发射功率相关设置值可以基于以下项中的至少一者确定：针对电子装置的每个发射路径设置的最大发射功率、从基站接收的最大发射功率或考虑特定吸收率(SAR)回退事件的最大发射功率。
根据各种实施例中的任何一个，一种用于控制电子装置中发射信号的功率的方法，所述电子装置包括第一壳体、与第一壳体可枢转地联接的第二壳体、存储器(例如，存储器130)、应用处理器、通信处理器(例如，无线通信模块192、第一通信处理器212、第二通信处理器214或集成通信处理器260)、与通信处理器连接的至少一个RFIC(例如，第一RFIC222、第二RFIC 224、第三RFIC 226、第四RFIC 228或RFIC 410)，以及多个天线，每个天线设置在第一壳体或第二壳体的内部或一部分中，并通过至少一个RFFE电路(例如，第一RFFE232或431、第二RFFE 234或432、或第三RFFE 236或433)与至少一个RFIC连接以发送或接收与至少一个通信网络对应的信号，所述方法可以包括：识别多个天线的天线相关设置的变化，响应于天线相关设置的变化，识别通过多个天线中的至少一个天线传送的信号的频带信息，识别从应用处理器接收的第一壳体和第二壳体之间的折叠状态信息，从存储器识别发射功率相关设置值，所述发射功率相关设置值是对应于识别出的频带信息、折叠状态信息和与通信处理器相关的事件而设置的，以及基于所识别的发射功率相关设置值来调整要通过多个天线中的至少一个天线发射的发射信号的功率。
根据各种实施例，折叠状态信息可以包括与第一壳体结构和第二壳体结构之间的折叠角度相对应的信息。
根据各种实施例，天线相关设置的变化可以包括从至少一个RFIC发送到多个天线中的至少一个天线的发射信号的路径的变化。
根据各种实施例，天线相关设置的变化可以包括天线调谐电路设置的变化。
根据各种实施例，与通信处理器相关的事件可以包括上行链路载波聚合(CA)、下行链路CA、天线分集、多输入多输出(MIMO)、天线切换、呼叫事件、双连接(DC)或参考信号间接收功率(RSRP)差中的至少一个。
根据各种实施例，该方法可以包括识别从应用处理器接收的与应用处理器相关的事件，以及识别响应于与应用处理器相关的事件而设置的发射功率相关设置值。
根据各种实施例，与应用处理器相关的事件可以包括基于从至少一个传感器接收的信号的事件。
根据各种实施例，与应用处理器相关的事件可以包括握持传感器感测到的握持事件、接近传感器感测的接近事件、与图像传感器相关的事件或与外部连接端子的连接相关的事件中的至少一个。
根据各种实施例，识别出的频带信息和与通信处理器相关的事件可以与发射功率相关设置值一起存储在存储器中，作为映射表。
根据各种实施例，该方法可以控制至少一个开关来控制发射信号的发射路径。
根据各种实施例，发射功率相关设置值可以是基于以下项中的至少一者确定的：针对电子装置的每个发射路径设置的最大发射功率、从基站接收到的最大发射功率或考虑特定吸收率(SAR)回退事件的最大发射功率中。
根据各种实施例的电子装置可以是各种类型的电子装置之一。电子装置可包括例如便携式通信装置(例如，智能电话)、计算机装置、便携式多媒体装置、便携式医疗装置、相机、可穿戴装置或家用电器。根据本公开的实施例，电子装置不限于以上所述的那些电子装置。
应该理解的是，本公开的各种实施例以及其中使用的术语并不意图将在此阐述的技术特征限制于具体实施例，而是包括针对相应实施例的各种改变、等同形式或替换形式。对于附图的描述，相似的参考标号可用来指代相似或相关的元件。将理解的是，与术语相应的单数形式的名词可包括一个或更多个事物，除非相关上下文另有明确指示。如这里所使用的，诸如“A或B”、“A和B中的至少一个”、“A或B中的至少一个”、“A、B或C”、“A、B和C中的至少一个”以及“A、B或C中的至少一个”的短语中的每一个短语可包括在与所述多个短语中的相应一个短语中一起列举出的项的任意一项或所有可能组合。如这里所使用的，诸如“第1”和“第2”或者“第一”和“第二”的术语可用于将相应部件与另一部件进行简单区分，并且不在其它方面(例如，重要性或顺序)限制所述部件。将理解的是，在使用了术语“可操作地”或“通信地”的情况下或者在不使用术语“可操作地”或“通信地”的情况下，如果一元件(例如，第一元件)被称为“与另一元件(例如，第二元件)结合”、“结合到另一元件(例如，第二元件)”、“与另一元件(例如，第二元件)连接”或“连接到另一元件(例如，第二元件)”，则意味着所述一元件可与所述另一元件直接(例如，有线地)连接、与所述另一元件无线连接、或经由第三元件与所述另一元件连接。
如与本公开的各种实施例关联使用的，术语“模块”可包括以硬件、软件或固件实现的单元，并可与其他术语(例如，“逻辑”、“逻辑块”、“部分”或“电路”)可互换地使用。模块可以是被适配为执行一个或更多个功能的单个集成部件或者是该单个集成部件的最小单元或部分。例如，根据实施例，可以以专用集成电路(ASIC)的形式来实现模块。
可将在此阐述的各种实施例实现为包括存储在存储介质(例如，内部存储器136或外部存储器138)中的可由机器(例如，电子装置101)读取的一个或更多个指令的软件(例如，程序140)。例如，在处理器的控制下，所述机器(例如，电子装置101)的处理器(例如，处理器120)可在使用或无需使用一个或更多个其它部件的情况下调用存储在存储介质中的所述一个或更多个指令中的至少一个指令并运行所述至少一个指令。这使得所述机器能够操作用于根据所调用的至少一个指令执行至少一个功能。所述一个或更多个指令可包括由编译器产生的代码或能够由解释器运行的代码。可以以非暂时性存储介质的形式来提供机器可读存储介质。其中，术语“非暂时性”仅意味着所述存储介质是有形装置，并且不包括信号(例如，电磁波)，但是该术语并不在数据被半永久性地存储在存储介质中与数据被临时存储在存储介质中之间进行区分。
根据实施例，可在计算机程序产品中包括和提供根据本公开的各种实施例的方法。计算机程序产品可作为产品在销售者和购买者之间进行交易。可以以机器可读存储介质(例如，紧凑盘只读存储器(CD-ROM))的形式来发布计算机程序产品，或者可经由应用商店(例如，Play StoreTM)在线发布(例如，下载或上传)计算机程序产品，或者可直接在两个用户装置(例如，智能电话)之间分发(例如，下载或上传)计算机程序产品。如果是在线发布的，则计算机程序产品中的至少部分可以是临时产生的，或者可将计算机程序产品中的至少部分至少临时存储在机器可读存储介质(诸如制造商的服务器、应用商店的服务器或转发服务器的存储器)中。
根据各种实施例，上述部件中的每个部件(例如，模块或程序)可包括单个实体或多个实体，并且多个实体中的一些实体可分离地设置在不同的部件中。根据各种实施例，可省略上述部件中的一个或更多个部件，或者可添加一个或更多个其它部件。可选择地或者另外地，可将多个部件(例如，模块或程序)集成为单个部件。在这种情况下，根据各种实施例，该集成部件可仍旧按照与所述多个部件中的相应一个部件在集成之前执行一个或更多个功能相同或相似的方式，执行所述多个部件中的每一个部件的所述一个或更多个功能。根据各种实施例，由模块、程序或另一部件所执行的操作可顺序地、并行地、重复地或以启发式方式来执行，或者所述操作中的一个或更多个操作可按照不同的顺序来运行或被省略，或者可添加一个或更多个其它操作。
尽管本公开已参照其各种实施例进行了展示和描述，但本领域技术人员应理解，在不偏离所附权利要求及其等同形式所限定的本公开的精神和范围的情况下，可对其形式和细节进行各种改变。

Claims (15)

1.一种电子装置，所述电子装置包括：
第一壳体；
第二壳体，所述第二壳体与所述第一壳体可枢转地联接；
存储器；
应用处理器；
通信处理器；
至少一个射频集成电路RFIC，所述至少一个RFIC与所述通信处理器连接；以及
多个天线，所述多个天线中的每个天线布置在所述第一壳体或所述第二壳体的内部或一部分中，并且通过至少一个射频前端RFFE电路与所述至少一个RFIC连接以发射或接收与至少一个通信网络相对应的信号，
其中，所述通信处理器被配置为：
识别所述多个天线的天线相关设置的变化，
响应于所述天线相关设置的变化，识别关于通过所述多个天线中的至少一个天线传送的信号的频带信息，
识别从所述应用处理器接收的所述第一壳体与所述第二壳体之间的折叠状态信息，
从所述存储器识别发射功率相关设置值，所述发射功率相关设置值是对应于识别出的频带信息、所述折叠状态信息和与所述通信处理器相关的事件而设置的，以及
基于识别出的发射功率相关设置值，进行控制以调整通过所述多个天线中的至少一个天线要被发射的发射信号的功率。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述折叠状态信息包括：与所述第一壳体和所述第二壳体之间的折叠角度相对应的信息。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述天线相关设置的变化包括：从所述至少一个RFIC发送到所述多个天线中的至少一个天线的所述发射信号的路径的变化。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述天线相关设置的变化包括：天线调谐电路的设置的变化。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，与所述通信处理器相关的事件包括以下至少一个：上行链路载波聚合CA、下行链路CA、天线分集、多输入多输出MIMO、天线切换、呼叫事件、双连接DC或参考信号间接收功率RSRP差。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述通信处理器还被配置为：
识别从所述应用处理器接收的与所述应用处理器相关的事件，以及
识别响应于与所述应用处理器相关的事件而设置的发射功率相关设置值。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，与所述应用处理器相关的事件包括以下至少一个：由握持传感器感测到的握持事件、由接近传感器感测到的接近事件、与图像传感器相关的事件或与外部连接端子的连接相关的事件。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所识别的频带信息和与所述通信处理器相关的事件与发射功率相关设置值一起作为映射表存储在所述存储器中。
9.根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置还包括至少一个开关，所述至少一个开关用于改变与所述多个天线相对应的发射路径，
其中，所述通信处理器通过控制所述至少一个开关来控制所述发射信号的发射路径。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述发射功率相关设置值是基于以下至少一者确定的：针对所述电子装置的每个发射路径设置的最大发射功率、从基站接收到的最大发射功率，或者考虑特定吸收率SAR回退事件的最大发射功率。
11.一种用于控制电子装置中的发射信号的功率的方法，所述电子装置包括第一壳体、与所述第一壳体可枢转地联接的第二壳体、存储器、应用处理器、通信处理器、与所述通信处理器连接的至少一个射频集成电路RFIC，以及多个天线，所述多个天线中的每个天线布置在所述第一壳体或所述第二壳体的内部或一部分中，并通过至少一个射频前端RFFE电路与所述至少一个RFIC连接以发射或接收与至少一个通信网络相对应的信号，所述方法包括：
识别所述多个天线的天线相关设置的变化；
响应于所述天线相关设置的变化，识别通过所述多个天线中的至少一个天线传送的信号的频带信息；
识别从所述应用处理器接收的所述第一壳体与所述第二壳体之间的折叠状态信息；
从所述存储器识别发射功率相关设置值，所述发射功率相关设置值是对应于识别出的频带信息、所述折叠状态信息和与所述通信处理器相关的事件而设置的；以及
基于识别出的发射功率相关设置值，调整通过所述多个天线中的至少一个天线要被发射的发射信号的功率。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述折叠状态信息包括：与所述第一壳体和所述第二壳体之间的折叠角度相对应的信息。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述天线相关设置的变化包括：从所述至少一个RFIC发送到所述多个天线中的至少一个天线的所述发射信号的路径的变化。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述天线相关设置的变化包括：天线调谐电路的设置的变化。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，与所述通信处理器相关的事件包括以下至少一者：上行链路载波聚合CA、下行链路CA、天线分集、多输入多输出MIMO、天线切换、呼叫事件、双连接DC或参考信号间接收功率RSRP差。
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