CN116930572A - 垂直式探针卡及其栅栏状探针 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种垂直式探针卡及其栅栏状探针。所述栅栏状探针具有介于5毫米～8毫米之间的一针长度。所述栅栏状探针包含一栅栏段、一陶瓷层、一连接段与一测试段。所述栅栏段呈长形且定义有一长度方向，所述栅栏段形成有沿着所述长度方向的一贯穿槽，并且所述贯穿槽的长度大于所述针长度的65％。所述陶瓷层直接成形于所述栅栏段的外表面、并覆盖于所述贯穿槽的两个长壁面。所述连接段与所述测试段分别相连于所述栅栏段的两个末端部，并且所述陶瓷层未配置于所述连接段与所述测试段。据此，通过所述栅栏状探针的结构设计，以使得所述栅栏段上可以在特定位置采用所述陶瓷层来取代既有的高分子绝缘层，进而有效地提升所述栅栏状探针的散热效果。

Description

垂直式探针卡及其栅栏状探针

技术领域

本发明涉及一种探针卡，尤其涉及一种垂直式探针卡及其栅栏状探针。

背景技术

现有垂直式探针卡需面临越来越高的散热要求，因而现有垂直式探针所包含的导电探针也朝此方向进行结构设计与改良。其中，由于现有垂直式探针的多个所述导电探针之间需避免因彼此碰触而短路，所以每个所述导电探针的中段外表面都形成有高分子材质的绝缘层。然而，所述绝缘层于本领域之中逐渐被认为是无法取代，进而无形中成为所述导电探针的散热效能难以进一步提升的阻碍。

于是，本发明人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种垂直式探针卡及其栅栏状探针，能有效地改善现有垂直式探针卡所可能产生的缺陷。

本发明实施例公开一种垂直式探针卡，其包括：一第一导板单元与一第二导板单元，其彼此呈间隔地设置；以及多个栅栏状探针，穿设于第一导板单元与第二导板单元；其中，每个栅栏状探针的针长度介于5毫米(mm)～8毫米之间，并且每个栅栏状探针包含：一栅栏段，呈长形且定义有一长度方向，栅栏段形成有沿着长度方向的一贯穿槽，并且贯穿槽的长度大于针长度的65％；一陶瓷层，其直接成形于栅栏段的外表面、并覆盖于贯穿槽的两个长壁面；其中，陶瓷层未配置于第一导板单元与第二导板单元之内；及一连接段与一测试段，分别相连于栅栏段的两个末端部、且分别穿设于第一导板单元与第二导板单元；其中，当第一导板单元与第二导板单元彼此错位设置时，多个栅栏状探针的栅栏段朝同方向弹性地弯曲。

优选地，于每个栅栏状探针之中，陶瓷层自栅栏段的中央分别朝连接段与测试段延伸而形成，并且栅栏段的至少50％区域埋置于陶瓷层之内。

优选地，于每个栅栏状探针之中，陶瓷层填满贯穿槽，并且贯穿槽埋置于陶瓷层之内。

优选地，于每个栅栏状探针之中，栅栏段具有：两个支臂，分别位于贯穿槽相反两侧且分别具有两个长壁面；及至少一个内臂体，位于贯穿槽内，并且至少一个内臂体的两端分别连接于贯穿槽的两个短壁面；其中，两个支臂与至少一个内臂体皆埋置于陶瓷层内。

优选地，于每个栅栏状探针之中，两个支臂于垂直长度方向上具有相同的截面积，其不同于至少一个内臂体在垂直长度方向上的截面积。

优选地，每个栅栏状探针的陶瓷层于百格刀测试(cross-cut method)之中具有至少3B的ASTM等级。

优选地，于每个栅栏状探针之中，栅栏段形成有一第一凸块，并且第一凸块自贯穿槽的其中一个长壁面延伸一预设宽度而形成、并与贯穿槽的另一个长壁面相隔有一第一间隙。

优选地，于每个栅栏状探针之中，陶瓷层填满贯穿槽，并且贯穿槽与第一凸块皆埋置于陶瓷层之内。

优选地，于每个栅栏状探针中，当第一导板单元与第二导板单元彼此错位设置时，两个长壁面的其中之一位于其中另一的外侧、并延伸形成有第一凸块。

本发明实施例也公开一种垂直式探针卡的栅栏状探针，其具有介于5毫米～8毫米之间的一针长度，并且栅栏状探针包括：一栅栏段，呈长形且定义有一长度方向，栅栏段形成有沿着长度方向的一贯穿槽，并且贯穿槽的长度大于针长度的65％；一陶瓷层，其直接成形于栅栏段的外表面、并覆盖于贯穿槽的两个长壁面；以及一连接段与一测试段，分别相连于栅栏段的两个末端部，并且，陶瓷层未配置于连接段与测试段。

综上所述，本发明实施例所公开的垂直式探针卡，通过所述栅栏状探针4的结构设计(如：所述针长度介于5毫米～8毫米之间，所述贯穿槽的所述长度大于所述针长度的65％)，以使得所述栅栏段上可以在特定位置采用所述陶瓷层(如：所述陶瓷层未配置于所述第一导板单元与所述第二导板单元之内)来取代既有的高分子绝缘层，进而有效地提升所述栅栏状探针4的散热效果。

为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。

附图说明

图1为本发明实施例一的垂直式探针卡的平面示意图。

图2为图1的垂直式探针卡处于错位状态下的平面示意图。

图3为图1沿剖线III-III的剖视示意图。

图4为本发明实施例一的栅栏状探针另一方式的平面示意图。

图5为图4的横剖面示意图。

图6为本发明实施例一的栅栏状探针又一方式的平面示意图。

图7为本发明实施例二的垂直式探针卡的平面示意图。

图8为图7沿剖线VIII-VIII的剖视示意图。

图9为本发明实施例二的栅栏状探针另一方式的横剖面示意图。

图10为本发明实施例三的垂直式探针卡的平面示意图。

图11为图10的垂直式探针卡处于错位状态下的平面示意图。

图12为图10沿剖线XII-XII的剖视示意图。

图13为本发明实施例三的栅栏状探针另一方式的横剖面示意图。

图14为本发明实施例三的栅栏状探针又一方式的平面示意图。

图15为本发明实施例四的垂直式探针卡的平面示意图。

图16为图15的垂直式探针卡处于错位状态下的平面示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“垂直式探针卡及其栅栏状探针”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。

应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

[实施例一]

请参阅图1至图6所示，其为本发明的实施例一。本实施例公开一种垂直式探针卡，包含有一探针头100以及抵接于所述探针头100一侧(如：图1的探针头100顶侧)的一信号转接板200，并且所述探针头100的另一侧(如：图1的探针头100底侧)用来顶抵测试一待测物(device under test，DUT)(图未示出，如：半导体晶片)。

需先说明的是，为了便于理解本实施例，所以附图仅呈现所述垂直式探针卡的局部构造，以便于清楚地呈现所述垂直式探针卡的各个组件构造与连接关系，但本发明并不以附图为限。以下将分别介绍所述探针头100的各个组件构造及其连接关系。

如图1至图5所示，所述探针头100包含有一第一导板单元1与所述第一导板单元1彼此呈间隔地设置的一第二导板单元2、夹持于所述第一导板单元1与第二导板单元2之间的一间隔板3及穿设于所述第一导板单元1与所述第二导板单元2的多个栅栏状探针4。

需说明的是，所述栅栏状探针4于本实施例中是以搭配所述第一导板单元1、所述第二导板单元2及所述间隔板3来说明，但本发明不受限于此。举例来说，在本发明未示出的其他实施例中，所述栅栏状探针4也可以是独立地被应用(如：贩卖)或搭配其他构件使用。

于本实施例中，所述第一导板单元1与所述第二导板单元2彼此间隔地设置，并且所述第一导板单元1包含有一个第一导板，并且所述第二导板单元2包含有一个第二导板。然而，在本发明未示出的其他实施例中，所述第一导板单元1可以包含有多个第一导板(及夹持于相邻的两个所述第一导板之间的间隔片)，并且所述第二导板单元2也可以包含有多个第二导板(及夹持于相邻的两个所述第二导板之间的间隔片)，多个所述第一导板能够彼此错位设置，多个所述第二导板也能够彼此错位设置，而所述第一导板单元1能够相对于所述第二导板单元2彼此错位设置。

所述间隔板3可以是一环形构造，并且所述间隔板3夹持于所述第一导板单元1与所述第二导板单元2的相对应外围部位，但本发明不受限于此。举例来说，于本发明未示出的其他实施例中，所述垂直式探针卡的所述间隔板3也可以省略或是其他构件取代。

再者，多个所述栅栏状探针4穿设于所述第一导板单元1与所述第二导板单元2，并且每个所述栅栏状探针4的针长度L4限定在介于5毫米(mm)～8毫米之间。需先说明的是，多个所述栅栏状探针4于本实施例中是具有大致相同的构造(如：多个所述栅栏状探针4具有相同的所述针长度L4)，所以为了便于说明，以下先介绍单个所述栅栏状探针4，但本发明不以此为限。举例来说，在本发明未示出的其他实施例中，所述探针头100(或所述垂直式探针卡)所包含的多个所述栅栏状探针4的构造也可以略有差异。

再者，为便于理解所述栅栏状探针4的构造，以下将先所述第一导板单元1尚未相对于所述第二导板单元2错位设置的情况来进行所述栅栏状探针4的构造说明。

所述栅栏状探针4大致呈直线状且定义有一长度方向L，并且所述栅栏状探针4包含一栅栏段41、成形于所述栅栏段41的一陶瓷层42、相连于所述栅栏段41一端的一连接段43及相连于所述栅栏段41另一端的一测试段44。需额外说明的是，所述栅栏状探针4于本实施例中是限定以所述陶瓷层42取代由高分子材料构成的公知绝缘层(也就是，所述栅栏状探针4未具有任何高分子材料)，所以形成有高分子材料的任何导电探针则非为本实施例所指的所述栅栏状探针4。

所述栅栏段41呈长形且位于所述第一导板单元1与所述第二导板单元2之间，并且所述长度方向L于本实施例中也可以是由呈长形的所述栅栏段41所定义。其中，所述栅栏段41形成有沿着所述长度方向L的一贯穿槽411，并且所述贯穿槽411的长度L411大于所述针长度L4的65％。所述贯穿槽411具有两个长壁面4111与两个短壁面4112，并且两个所述长壁面4111彼此相向且平行于所述长度方向L，而两个所述短壁面4112彼此相向且垂直于所述长度方向L。

换个角度来说，所述栅栏段41包含有分别位于所述贯穿槽411相反两侧的两个支臂412；也就是说，两个所述支臂412分别具有两个所述长壁面4111。其中，两个所述支臂412于垂直所述长度方向L上具有相同的截面积，并且两个所述支臂412相隔有一调配距离W412，其介于10微米(μm)～120微米。更详细地说，所述栅栏段41的两个所述长壁面4111于垂直所述长度方向L的一宽度方向W上，相隔有所述调配距离W412；或者，所述调配距离W412也就是所述贯穿槽411的槽宽。此外，所述栅栏段41于所述宽度方向W上彼此远离的两个侧表面相隔有介于50微米～160微米的针宽度W41。

此外，所述栅栏段41于本实施例中是以大致呈矩形一个所述贯穿槽411来说明，但本发明不以此为限。举例来说，在本发明未示出的其他实施例中，形成于所述栅栏段41的所述贯穿槽411数量可以是多个，并且所述贯穿槽411的任一个所述长壁面4111或任一个所述短壁面4112可以是呈弧形或其他形状。

所述陶瓷层42直接成形于所述栅栏段41的外表面、并覆盖于所述贯穿槽411的两个所述长壁面4111(与两个所述短壁面4112)。其中，所述陶瓷层42未配置于所述第一导板单元1与所述第二导板单元2之内(或是说，所述陶瓷层42未配置于所述连接段43与所述测试段44)，据以避免所述陶瓷层42受到所述第一导板单元1或所述第二导板单元2的摩擦而产生粉尘。

据此，本实施例所公开的所述栅栏状探针4通过其结构设计(如：所述针长度L4介于5毫米～8毫米之间，所述贯穿槽411的所述长度L411大于所述针长度L4的65％)，以使得所述栅栏段41上可以在特定位置采用所述陶瓷层42(如：所述陶瓷层42未配置于所述第一导板单元1与所述第二导板单元2之内)来取代既有的高分子绝缘层，进而有效地提升所述栅栏状探针4的散热效果。

于本实施例中，所述栅栏状探针4的所述陶瓷层42于百格刀测试(cross-cutmethod)之中具有至少3B的ASTM等级。其中，所述陶瓷层42形成于所述栅栏段41的方式在符合上述要求的前提下，其可依据设计需求而加以调整变化，例如：溅镀方式(sputteringmanner)、蒸镀方式(evaporation manner)、或电镀方式(electroplating manner)，但本发明不以此为限。

更详细地说，所述陶瓷层42自所述栅栏段41的中央分别朝向所述连接段43与所述测试段44延伸而形成，并且所述栅栏段41的至少50％区域埋置于所述陶瓷层42之内。换个角度来说，所述陶瓷层42可以如图1和图3所示未填满所述贯穿槽411；或者，所述陶瓷层42也可以如图4和图5所示填满所述贯穿槽411，以使所述贯穿槽411埋置于所述陶瓷层42之内。又或者，在本发明未示出的其他实施例中，所述陶瓷层42也可以仅覆盖于所述贯穿槽411的每个所述长壁面4111的局部、但未覆盖于两个所述短壁面4112。

所述连接段43与所述测试段44分别相连于所述栅栏段41的两个末端部、且分别穿设于所述第一导板单元1与所述第二导板单元2。于本实施例中，所述连接段43与所述测试段44是分别自所述栅栏段41的两个所述末端部延伸，而共同构成一体成型的单件式金属构造。再者，所述连接段43是用来固定于所述信号转接板200，而所述测试段44则是用来可分离地顶抵于所述待测物。

以上为本实施例的单个所述栅栏状探针4的说明，并且由于截面大致呈方形的所述栅栏段41形成有所述贯穿槽411，所以使得每个所述支臂412的截面可以大致呈矩形，进而利于控制所述栅栏段41的弯曲方向。进一步地说，当所述第一导板单元1与所述第二导板单元2彼此错位设置时，多个所述栅栏状探针4的所述栅栏段41朝同方向弹性地弯曲。

此外，所述栅栏状探针4于本实施例中虽是以大致呈直线状来说明，但其具体构造可依设计需求而加以调整变化。举例来说，如图6所示，所述栅栏状探针4的所述栅栏段41可以是呈弯曲状，并且两个所述支臂412彼此平行，每个所述支臂412具有彼此反向配置的两个弯曲部4121。其中，所述栅栏状探针4于所述宽度方向W上，所述连接段43(或所述测试段44)与相邻的一个所述弯曲部4121的顶点相隔有介于10微米～150微米的一横向距离W4121。

[实施例二]

请参阅图7至图9所示，其为本发明的实施例二。由于本实施例类似于上述实施例一，所以两个实施例的相同处不再加以赘述，而本实施例相较于上述实施例一的差异主要在于：所述栅栏状探针4的所述栅栏段41构造。需先说明的是，多个所述栅栏状探针4于本实施例中也是具有大致相同的构造，所以为了便于说明，以下仅介绍单个所述栅栏状探针4，但本发明不以此为限。

于本实施例中，所述栅栏段41具有两个所述支臂412及位于两个所述支臂412之间的至少一个内臂体413。其中，两个所述支臂412的结构特征如同上述实施例一所载，在此不加以赘述。至少一个所述内臂体413的数量于本实施例中是以一个来说明，但本发明不受限于此。

进一步地说，至少一个所述内臂体413平行于所述长度方向L(或平行于任一个所述支臂412)且位于所述贯穿槽411内，并且至少一个所述内臂体413的两端分别连接于所述贯穿槽411的两个所述短壁面4112。再者，两个所述支臂412于垂直所述长度方向L上具有相同的截面积，其不同于(如：小于)至少一个所述内臂体413在垂直所述长度方向L上的截面积。

换个角度来看，所述陶瓷层42可以如图8所示未填满所述贯穿槽411；或者，所述陶瓷层42也可以如图9所示填满所述贯穿槽411，以使两个所述支臂412与至少一个所述内臂体413皆埋置于所述陶瓷层42之内，但本发明不以此为限。

[实施例三]

请参阅图11至图14所示，其为本发明的实施例三。由于本实施例类似于上述实施例一，所以两个实施例的相同处不再加以赘述，而本实施例相较于上述实施例一的差异主要在于：所述栅栏状探针4的所述栅栏段41构造。需先说明的是，多个所述栅栏状探针4于本实施例中也是具有大致相同的构造，所以为了便于说明，以下先介绍单个所述栅栏状探针4，但本发明不以此为限。

于本实施例中，所述栅栏状探针4的所述针长度L4进一步限定为6毫米～8毫米，并且所述栅栏段41形成有(于所述长度方向L上)彼此间隔设置的一第一凸块414与一第二凸块415。其中，所述第一凸块414自所述贯穿槽411的其中一个所述长壁面4111(于所述宽度方向W)延伸一第一预设宽度W414而形成、并与所述贯穿槽411的另一个所述长壁面4111相隔有一第一间隙G1。再者，所述第二凸块415自所述贯穿槽411的其中一个所述长壁面4111(于所述宽度方向W)延伸一第二预设宽度W415而形成、并与所述贯穿槽411的另一个所述长壁面4111相隔有一第二间隙G2。

更详细地说，所述第一预设宽度W414与所述第二预设宽度W415较佳是各为两个所述长壁面4111之间的所述调配距离W412的10％～90％、并且介于5微米(μm)～10微米。其中，所述第一预设宽度W414与所述第二预设宽度W415于本实施例中是具有相同的数值，以使所述第一间隙G1的宽度等同于所述第二间隙G2的宽度，但本发明不以此为限。举例来说，在本发明未示出的其他实施例中，所述第一预设宽度W414也可以不同于所述第二预设宽度W415。

再者，所述第一凸块414与所述第二凸块415于本实施例中具有大致相同的外形(如：矩形)，但其具体外形可依设计需求而加以调整变化(如：正方形、梯形、或半圆形)，不以本实施例的附图为限。

更详细地说，所述第一凸块414与所述第二凸块415于所述长度方向L上彼此间隔地设置且相隔有一第一距离H1，所述第一凸块414与所述第二凸块415分别等间距地邻近于所述贯穿槽411的两个所述短壁面4112，并且所述第一凸块414与所述第二凸块415各与相对应的所述短壁面4112相隔有不大于所述第一距离H1的一第二距离H2。

另外，所述陶瓷层42可以自所述栅栏段41的中央分别朝所述第一凸块414与所述第二凸块415延伸、并填于所述第一间隙G1与所述第二间隙G2之内。其中，所述陶瓷层42可以如图12所示未填满所述贯穿槽411；或者，所述陶瓷层42也可以如图13所示填满所述贯穿槽411，并且所述贯穿槽411、所述第一凸块414及所述第二凸块415皆埋置于所述陶瓷层42之内，但本发明不以此为限。

举例来说，如图14所示，当所述栅栏状探针4的所述针长度L4是小于6毫米时，所述第二凸块415可以被省略，而所述第一凸块414则是大致由其中一个所述长壁面4111的中央沿所述宽度方向W延伸所形成，所述陶瓷层42可以是填满所述贯穿槽411，并且所述贯穿槽411与所述第一凸块414皆埋置于所述陶瓷层42之内。

以上为本实施例的单个所述栅栏状探针4的说明，并且由于截面大致呈方形的所述栅栏段41形成有所述贯穿槽411，所以使得每个所述支臂412的截面可以大致呈矩形，进而利于控制所述栅栏段41的弯曲方向。进一步地说，当所述第一导板单元1与所述第二导板单元2彼此错位设置时，多个所述栅栏状探针4的所述栅栏段41朝同方向弹性地弯曲，并且每个所述栅栏状探针4的两个所述长壁面4111的其中之一位于其中另一的外侧、并延伸形成有所述第一凸块414(与所述第二凸块415)。

也就是说，于每个所述栅栏状探针4之中，所述第一凸块414与所述第二凸块415较佳是形成在位于外侧的所述长壁面4111，据以避免应力值过于集中，但本发明不以此为限。举例来说，在本发明未示出的其他实施例中，任一个所述栅栏状探针4的所述第一凸块414与所述第二凸块415也可以是分别形成于两个所述长壁面4111上。

依上所述，本实施例所公开的所述栅栏状探针4通过其结构设计(如：所述针长度L4介于5毫米～8毫米之间，所述贯穿槽411的所述长度L411大于所述针长度L4的65％)，并搭配所述贯穿槽411内形成有所述第一凸块414，以使得所述栅栏状探针4的所述栅栏段41于运作时，可以通过所述第一凸块414来降低所述栅栏段41形变的幅度，进而维持其机械与电性上的特性。

进一步地说，当所述栅栏状探针4的所述针长度L4为6毫米～8毫米时，所述贯穿槽411内较佳是设有所述第二凸块415，且其相较于所述第一凸块414可以有特定的对应关系(如：所述第二距离H2不大于所述第一距离H1)，以有效地维持所述栅栏状探针4的机械与电性上的特性。

此外，所述垂直式探针卡于本实施例中也可以称为垂直式探针卡装置。再者，每个所述栅栏状探针4的所述陶瓷层42可依据设计需求而省略或是采用其他材质(如：碳化硅、氮化铝、氧化铝、氮化硅、或其他高散热耐高压的绝缘材料)。

[实施例四]

请参阅图15和图16所示，其为本发明的实施例四。由于本实施例类似于上述实施例一至三，所以两个实施例的相同处不再加以赘述，而本实施例相较于上述实施例一至三的差异主要在于：多个所述栅栏状探针4于本实施例中可以具有不同的构造，但当所述第一导板单元1与所述第二导板单元2彼此错位设置时，多个所述栅栏状探针4的所述栅栏段41较佳依然是朝同方向弹性地弯曲。

具体来说，多个所述栅栏状探针4于本实施例中包含具有相同接触针压(contactforce)但用来进行不同电性传输要求的一第一探针4a与一第二探针4b，所述第一探针4a的所述栅栏段41的最小截面积总和等同于所述第二探针4b的所述栅栏段41的最小截面积总和，并且所述第一探针4a的所述贯穿槽411的外形不同于所述第二探针4b的所述贯穿槽411的外形；例如：所述第一探针4a于本实施例中是以其所述调配距离W412小于所述第二探针4b的所述调配距离W412，但本发明不以此为限。举例来说，在本发明未示出的其他实施例中，所述第一探针4a的所述贯穿槽411可以是长度L411或形状不同于所述第二探针4b的所述贯穿槽411。

换个角度来说，每个所述栅栏状探针4于本实施例中具有等同于实施例一至三中的所述栅栏状探针4的结构设计，但多个所述栅栏状探针4(如：所述第一探针4a与所述第二探针4b)可以通过所述贯穿槽411的外形设计，而使得其能够用来进行不同电性传输要求。

更详细地说，所述电性传输要求可以包含有彼此相异的两个信号传输要求，所述第一探针4a与所述第二探针4b对应于两个所述信号传输要求、并通过其所述贯穿槽411形成有彼此相异的所述外形而实现阻抗匹配。或者，所述电性传输要求可以包含有彼此相异的两个电流传输要求，所述第一探针4a与所述第二探针4b分别对应于两个所述电流传输要求、并通过其所述贯穿槽411形成有彼此相异的所述外形而分别具备有对应于两个所述电流传输要求的负载电流值。

进一步地说，所述第一探针4a与所述第二探针4b虽是以本实施例的图15所示构造来说明，但不以此为限。举例来说，所述第一探针4a也可以形成如实施例一或实施例三所载的各个所述栅栏状探针4的构造，而所述第二探针4b则可以形成如实施例二所载的各个所述栅栏状探针4的构造，在此不加以赘述。

需额外说明的是，所述第一探针4a与所述第二探针4b于本实施例中还可以进一步搭配未形成有任何穿孔的一矩形探针5，并且所述矩形探针5具有相同于所述第一探针4a(或所述第二探针4b)的一接触针压，据以能够符合更多的电性传输要求。

进一步地说，于垂直所述长度方向L上，所述矩形探针5的一截面积等同于所述第一探针4a的所述栅栏段41(如：两个所述支臂412)的所述最小截面积总和、也等同于所述第二探针4b的所述栅栏段41(如：两个所述支臂412)的所述最小截面积总和，但所述矩形探针5、所述第一探针4a及所述第二探针4b各具有彼此相异的外表面积。

此外，所述垂直式探针卡于本实施例中也可以称为多针形垂直式探针卡。再者，每个所述栅栏状探针4的所述陶瓷层42可依据设计需求而省略或是采用其他材质(如：碳化硅、氮化铝、氧化铝、氮化硅、或其他高散热耐高压的绝缘材料)。

依上所述，本实施例所公开的所述多针形垂直式探针卡，其通过多个所述栅栏状探针4具有特定的结构设计(如：所述针长度L4介于5毫米～8毫米之间，所述贯穿槽411的所述长度L411大于所述针长度的65％，所述第一探针4a的所述栅栏段41的最小截面积总和等同于所述第二探针4b的所述栅栏段41的最小截面积总和)，以使得其可以在所述调配距离W412的范围内调整所述贯穿槽411的外形，进而符合不同电性传输要求，据以有效地缩短检测时程。

[本发明实施例的技术效果]

综上所述，本发明实施例所公开的垂直式探针卡，其通过所述栅栏状探针的结构设计(如：所述针长度介于5毫米～8毫米之间，所述贯穿槽的所述长度大于所述针长度的65％)，以使得所述栅栏段上可以在特定位置采用所述陶瓷层(如：所述陶瓷层未配置于所述第一导板单元与所述第二导板单元之内)来取代既有的高分子绝缘层，进而有效地提升所述栅栏状探针的散热效果。

再者，本发明实施例所公开的垂直式探针卡装置，其通过所述栅栏状探针的结构设计(如：所述针长度介于5毫米～8毫米之间，所述贯穿槽的所述长度大于所述针长度的65％)，并搭配所述贯穿槽内形成有所述第一凸块，以使得所述栅栏状探针的所述栅栏段于运作时，可以通过所述第一凸块来降低所述栅栏段形变的幅度，进而维持其机械与电性上的特性。

此外，本发明实施例所公开的多针形垂直式探针卡，其通过多个所述栅栏状探针具有特定的结构设计(如：所述针长度介于5毫米～8毫米之间，所述贯穿槽的所述长度大于所述针长度的65％，所述第一探针的所述栅栏段的最小截面积总和等同于所述第二探针的所述栅栏段的最小截面积总和)，以使得其可以在所述调配距离的范围内调整所述贯穿槽的外形，进而符合不同电性传输要求，据以有效地缩短检测时程。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的专利范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的专利范围内。

Claims (10)

1.一种垂直式探针卡，其特征在于，所述垂直式探针卡包括：

一第一导板单元与一第二导板单元，其彼此呈间隔地设置；以及

多个栅栏状探针，穿设于所述第一导板单元与所述第二导板单元；其中，每个所述栅栏状探针的针长度介于5毫米～8毫米之间，并且每个所述栅栏状探针包含：

一栅栏段，呈长形且定义有一长度方向，所述栅栏段形成有沿着所述长度方向的一贯穿槽，并且所述贯穿槽的长度大于所述针长度的65％；

一陶瓷层，其直接成形于所述栅栏段的外表面、并覆盖于所述贯穿槽的两个长壁面；其中，所述陶瓷层未配置于所述第一导板单元与所述第二导板单元之内；及

一连接段与一测试段，分别相连于所述栅栏段的两个末端部、且分别穿设于所述第一导板单元与所述第二导板单元；

其中，当所述第一导板单元与所述第二导板单元彼此错位设置时，多个所述栅栏状探针的所述栅栏段朝同方向弹性地弯曲。

2.依据权利要求1所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，所述陶瓷层自所述栅栏段的中央分别朝所述连接段与所述测试段延伸而形成，并且所述栅栏段的至少50％区域埋置于所述陶瓷层之内。

3.依据权利要求1所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，所述陶瓷层填满所述贯穿槽，并且所述贯穿槽埋置于所述陶瓷层之内。

4.依据权利要求1所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，所述栅栏段具有：

两个支臂，分别位于所述贯穿槽相反两侧且分别具有两个所述长壁面；及

至少一个内臂体，位于所述贯穿槽内，并且至少一个所述内臂体的两端分别连接于所述贯穿槽的两个短壁面；

其中，两个所述支臂与至少一个所述内臂体皆埋置于所述陶瓷层内。

5.依据权利要求4所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，两个所述支臂于垂直所述长度方向上具有相同的截面积，其不同于至少一个所述内臂体在垂直所述长度方向上的截面积。

6.依据权利要求1所述的垂直式探针卡，其特征在于，每个所述栅栏状探针的所述陶瓷层于百格刀测试之中具有至少3B的ASTM等级。

7.依据权利要求1所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，所述栅栏段形成有一第一凸块，并且所述第一凸块自所述贯穿槽的其中一个所述长壁面延伸一预设宽度而形成、并与所述贯穿槽的另一个所述长壁面相隔有一第一间隙。

8.依据权利要求7所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，所述陶瓷层填满所述贯穿槽，并且所述贯穿槽与所述第一凸块皆埋置于所述陶瓷层之内。

9.依据权利要求7所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针中，当所述第一导板单元与所述第二导板单元彼此错位设置时，两个所述长壁面的其中之一位于其中另一的外侧、并延伸形成有所述第一凸块。

10.一种垂直式探针卡的栅栏状探针，其特征在于，所述垂直式探针卡的栅栏状探针具有介于5毫米～8毫米之间的一针长度，并且所述栅栏状探针包括：

一栅栏段，呈长形且定义有一长度方向，所述栅栏段形成有沿着所述长度方向的一贯穿槽，并且所述贯穿槽的长度大于所述针长度的65％；

一陶瓷层，其直接成形于所述栅栏段的外表面、并覆盖于所述贯穿槽的两个长壁面；以及

一连接段与一测试段，分别相连于所述栅栏段的两个末端部，并且，所述陶瓷层未配置于所述连接段与所述测试段。