CN116918253A - 位置选择性压电层修整 - Google Patents

位置选择性压电层修整 Download PDF

Info

Publication number
CN116918253A
CN116918253A CN202280018781.XA CN202280018781A CN116918253A CN 116918253 A CN116918253 A CN 116918253A CN 202280018781 A CN202280018781 A CN 202280018781A CN 116918253 A CN116918253 A CN 116918253A
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
axis
acoustic wave
piezoelectric layer
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280018781.XA
Other languages
English (en)
Inventor
P·格泽尔布拉希特
J·科尔伯
M·萨巴格
P·施米特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RF360 Singapore Pte Ltd
Original Assignee
RF360 Singapore Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US17/215,901 external-priority patent/US12040774B2/en
Application filed by RF360 Singapore Pte Ltd filed Critical RF360 Singapore Pte Ltd
Publication of CN116918253A publication Critical patent/CN116918253A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
    • H03H9/02622—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves of the surface, including back surface
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02858—Means for compensation or elimination of undesirable effects of wave front distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

公开了一种用于位置选择性压电层修整的装置。该装置包括具有电极结构和压电层的至少一个表面声波滤波器。电极结构具有多个间隙。压电层具有平面表面，该平面表面由第一(X)轴线和第二(Y)轴线限定，该第二(Y)轴线垂直于第一(X)轴线。压电层被配置为沿着第一(X)轴线传播声波。压电层包括第一部分和第二部分，该第一部分支撑电极结构，并且第二部分通过电极结构的多个间隙暴露。第二部分跨第二(Y)轴线具有不同的高度。不同的高度相对于基本上法向于平面表面的第三(Z)轴线被限定。

Description

位置选择性压电层修整
技术领域
本公开总体上涉及无线收发器，以及更具体地涉及一种具有位置选择性压电层修整的表面声波滤波器。
背景技术
电子设备使用射频(RF)信号来传达信息。这些射频信号使得用户能够与朋友交谈、下载信息、共享图片、远程控制家用设备、以及接收全球定位信息。为了在给定频带内传输或接收射频信号，电子设备可以使用滤波器使频带内的信号通过，并且抑制(例如，减弱)具有在频带外的频率的干扰或噪声。然而，设计一种为高频应用提供滤波的滤波器可能具有挑战性，这些高频应用包括利用2千兆赫(GHz)以上的频率同时防止或减少滤波器的通带内的杂散模式的那些应用。
发明内容
公开了一种实现位置选择性压电层修整的装置。代替增加表面声波(SAW)滤波器的陷阱区域内的电极结构的质量，用于位置选择性压电层修整的示例技术在陷阱区域内移除通过电极结构内的间隙暴露的压电层的一部分。这使得陷阱区域内的压电层的暴露部分具有比支撑电极结构(或被其覆盖)的压电层的一部分更小的高度(例如，更小的厚度)。附加地，相对于未经修整的有源轨迹区域内的电极结构的暴露部分的高度，陷阱区域内的压电层的暴露部分具有较小的高度(例如，较小的厚度)。修整过程可以使得陷阱区域内的压电层的暴露部分包括具有非晶结构的损伤层。
在一个示例方面中，公开了一种滤波装置。该装置包括具有电极结构和压电层的至少一个表面声波滤波器。电极结构具有多个间隙。压电层具有平面表面，该平面表面由第一(X)轴线和第二(Y)轴线限定，该第二(Y)轴线垂直于第一(X)轴线。压电层被配置为沿着第一(X)轴线传播声波。压电层包括第一部分和第二部分，第一部分支撑电极结构，并且第二部分通过电极结构的多个间隙暴露。第二部分跨第二(Y)轴线具有不同的高度。不同的高度相对于基本上法向于平面表面的第三(Z)轴线被限定。
在一个示例方面中，公开了一种滤波装置。该装置包括至少一个表面声波滤波器，该表面声波滤波器被配置为根据射频信号生成经滤波的信号。表面声波滤波器包括电极器件，该电极器件用于将射频信号转换为声波并且将所传播的声波转换为经滤波的信号。电极装置具有多个间隙。表面声波滤波器还包括用于传播声波以产生沿着第一(X)轴线传播的声波的器件。用于传播声波的器件具有平面表面，该平面表面由第一(X)轴线和第二(Y)轴线限定，该第二(Y)轴线垂直于第一(X)轴线。用于传播声波的器件包括第一部分，该第一部分支撑电极器件。压电器件还包括第二部分，该第二部分通过电极器件的多个间隙暴露。第二部分跨第二(Y)轴线具有不同的高度。不同的高度相对于法向于平面表面的第三(Z)轴线被限定。
在一个示例方面中，公开了一种制造表面声波滤波器的方法。该方法包括提供表面声波滤波器。表面声波滤波器包括具有多个间隙的电极结构和压电层。压电层包括第一部分和第二部分，该第一部分支撑电极结构，并且第二部分通过电极结构的多个间隙暴露。该方法还包括：使用光刻胶掩蔽表面声波滤波器的有源轨迹区域。该方法附加地包括：修整表面声波滤波器的陷阱区域内的压电层的第二部分。修整包括：相对于有源轨迹区域内的压电层的第二部分的第二高度，减小陷阱区域内的压电层的第二部分的第一高度。该方法还包括从有源轨迹区域中移除光刻胶。
在一个示例方面中，公开了一种表面声波滤波器。表面声波滤波器包括电极结构、压电层和损伤层。电极结构和压电层被设置在第一区域和第二区域内。电极结构具有多个间隙。第一区域跨第一(X)轴线延伸并且包括沿着第二(Y)轴线的第一区段。第二(Y)轴线垂直于第一(X)轴线。第二区域跨第一(X)轴线延伸并且包括沿着第二(Y)轴线的第二区段。压电层具有平面表面，该平面表面由第一(X)轴线和第二(Y)轴线限定。压电层包括第一部分和第二部分，该第一部分支撑电极结构，并且第二部分通过电极结构的多个间隙暴露。压电层的第二部分包括晶体结构。损伤层跨第二区域内的压电层的第二部分的表面被设置。损伤层包括非晶结构，该非晶结构与晶体结构不同。
附图说明
图1图示了用于具有位置选择性压电层修整的声学滤波器的示例操作环境。
图2图示了包括具有位置选择性压电层修整的表面声波滤波器的示例无线收发器。
图3-1图示了具有位置选择性压电层修整的表面声波滤波器的示例实现方式。
图3-2图示了具有位置选择性压电层修整的高质量温度补偿式表面声波滤波器的示例实现方式。
图4图示了描绘与具有位置选择性压电层修整的表面声波滤波器的区域相关联的速度曲线和模式曲线的示例图。
图5图示了由位置选择性压电层修整引起的压电层的示例变化。
图6-1图示了跨具有位置选择性压电层修整的表面声波滤波器的陷阱区域的压电层内的示例高度变化。
图6-2图示了跨具有位置选择性压电层修整的表面声波滤波器的多个区域的压电层内的示例高度变化。
图7图示了由位置选择性压电层修整导致的表面声波滤波器的陷阱区域的改变。
图8图示了由位置选择性压电层修整产生引起的损伤层。
图9是图示了使用位置选择性压电层修整来制造表面声波滤波器的示例过程的流程图。
具体实施方式
为了在给定频带内传输或接收射频信号，电子设备可以使用滤波器来使频带内的信号通过，并且抑制(例如，减弱)具有频带外的频率的干扰或噪声。电声设备(例如，“声学滤波器”)可以在诸如频率大于100兆赫(MHz)的应用之类的许多应用中用于对高频信号进行滤波。声学滤波器被调谐为使某些频率(例如，其通带内的频率)通过并且减弱其他频率(例如，其通带外的频率)。使用压电材料作为振动介质，声学滤波器通过将沿着电导体传播的电信号波变换为跨压电材料形成的声波(例如，声学信号波)来操作。然后，声波被转换回经滤波的电信号。声学滤波器可以包括电极结构，该电极结构在电波和声波之间变换或转换。
声波以量值明显小于电波的传播速度的量值的速度跨压电材料传播。通常，波的传播速度的量值与波的波长的大小成比例。因此，在将电信号波转换为声波之后，声波的波长明显小于电信号波的波长。所得的声波的较小波长使得能够使用较小的滤波器设备来执行滤波。这准许在空间受限的设备中使用声学滤波器，这些空间受限的设备包括诸如蜂窝电话之类的便携式电子设备。
然而，设计一种能够为高频应用提供滤波的声学滤波器可能具有挑战性，这些高频应用包括利用频率在2千兆赫(GHz)以上的应用，同时将杂散模式(例如，杂散波模式)维持或减少在通带内的特定水平以下。杂散模式是一种不期望的模式，它会降低声学滤波器的性能。一些滤波器设计定制声学滤波器的电极结构的几何形状以减弱杂散模式。例如，电极结构内的指状物可以跨指状物的长度而具有不同的宽度或高度。具体地，与声学滤波器的有源轨迹区域相比较，指状物在声学滤波器的陷阱区域内可以具有更宽和/或更高的曲线(例如，分别包括锤头和圆点)。在陷阱区域和有源轨迹区域内，声学滤波器的相邻指状物的部分重叠。陷阱区域与活动轨道区域毗连，并且可以包括指状物的端部。向指状物添加锤头和圆点则增加了相对于有源轨迹区域的陷阱区域内的电极结构的质量。以此方式，定制电极结构就可以减弱(例如，抑制)杂散模式。
尽管该技术使得能够抑制杂散模式，但是将该技术应用于支持更高频率的声学滤波器可能具有挑战性，诸如用于频带7、40、N77和N79的声学滤波器；具有在2.4GHz处的的声学滤波器；具有频率为5GHz的声学滤波器；和/或频率低于6GHz的声学滤波器。具体地，由于光刻约束，在一些场景中，对于制造设备而言，陷阱区域内的锤头或圆点的尺寸可能变得太小或可能不太实用/成本高昂而不能精确地生产。
为了应对这一挑战，描述了用于实现具有位置选择性压电层修整的表面声波滤波器的示例技术。代替增加表面声波滤波器的陷阱区域内的电极结构的质量，用于位置选择性压电层修整的示例技术在陷阱区域内移除通过电极结构内的间隙暴露的压电层的一部分。这导致陷阱区域内的压电层的暴露部分具有比支撑电极结构(或被电极结构覆盖)的压电层的一部分更小的高度(例如，更小的厚度)。附加地，陷阱区域内的压电层的暴露部分相对于有源轨迹区域内的电极结构的暴露部分的高度具有较小的高度(例如，较小的厚度)。修整过程可以导致陷阱区域内的压电层的暴露部分包括具有非晶结构的损伤层。在一些实现方式中，还可以在陷阱区域内减小电极结构的质量，诸如通过从指状物的表面上移除材料和/或圆化指状物表面边缘。
使用位置选择性压电层修整具有若干益处。这些益处包括操作改进和制造优势。一个操作益处是抑制杂散模式。通过剪裁陷阱区域内的压电层的暴露部分的几何形状，与有源轨迹区域相比较，位置选择性压电层修整导致声波在陷阱区域内具有较低的速度。陷阱区域内的较低速度抑制了杂散模式，诸如横向模式。另一操作益处涉及减小陷阱区域内的电场的量值，这进一步提高了功率持久性。从制造的角度来看，与用于应用锤头或圆点(尤其是用于高频应用)的技术相比较，用于位置选择性压电层修整的技术可能更容易实现。
图1图示了用于位置选择性压电层修整的示例环境100。在该环境100中，计算设备102通过无线通信链路106(无线链路106)与基站104通信。在该示例中，计算设备102被描绘为智能电话。然而，计算设备102可以被实现为任何合适的计算设备或电子设备，诸如调制解调器、蜂窝基站、宽带路由器、接入点、蜂窝电话、游戏设备、导航设备、媒体设备、膝上型计算机、台式计算机、平板计算机、可穿戴式计算机、服务器、网络附接存储(NAS)设备、智能家电或其他物联网(IoT)设备、医疗设备、基于车辆的通信系统、雷达、无线电装置等等。
基站104经由无线链路106与计算设备102通信，该无线链路106可以被实现为任何合适类型的无线链路。尽管基站104被描绘为蜂窝网络的塔，但是基站104可以表示或被实现为另一设备，诸如卫星、服务器设备、地面电视广播塔、接入点、对等设备、网状网络节点等等。因此，计算设备102可以经由无线连接与基站104或另一设备通信。
无线链路106可以包括从基站104传达到计算设备102的数据或控制信息的下行链路、从计算设备102传达到基站104的其他数据或控制信息的上行链路、或下行链路和上行链路两者。无线链路106可以使用任何合适的通信协议或标准来实现，诸如第二代(2G)、第三代(3G)、第四代(4G)或第五代(5G)蜂窝；IEEE 802.11(例如，)；IEEE 802.15(例如，/>)；IEEE 802.16(例如，/>)等等。在一些实现方式中，无线链路106可以以无线方式提供功率，并且基站104或计算设备102可以包括电源。
如所示出的，计算设备102包括应用处理器108和计算机可读存储介质110(CRM110)。应用处理器108可以包括执行由CRM 110存储的处理器可执行代码的任何类型的处理器，诸如多核处理器。CRM 110可以包括任何合适类型的数据存储介质，诸如易失性存储器(例如，随机存取存储器(RAM))、非易失性存储器(例如，闪存)、光学介质、磁介质(例如，磁盘)等等。在本公开的上下文中，CRM110被实现为存储计算设备102的指令112、数据114和其他信息，并且因此不包括暂态传播信号或载波。
计算设备102还可以包括输入/输出端口116(I/O端口116)和显示器118。I/O端口116使得能够与其他设备、网络或用户进行数据交换或交互。I/O端口116可以包括串行端口(例如，通用串行总线(USB)端口)、并行端口、音频端口、红外(IR)端口、诸如触摸屏之类的用户接口端口等等。显示器118呈现计算设备102的图形，诸如与操作系统、程序或应用相关联的用户接口。备选地或附加地，显示器118可以被实现为显示端口或虚拟接口，通过该显示端口或虚拟接口呈现计算设备102的图形内容。
计算设备102的无线收发器120提供与相应网络和与其连接的其他电子设备的连接。无线收发器120可以便于通过任何合适类型的无线网络的通信，诸如无线局域网(WLAN)、对等(P2P)网络、网状网络、蜂窝网络、无线广域网(WWAN)和/或无线个域网(WPAN)。在示例环境100的情况下，无线收发器120使得计算设备102能够与基站104和与其连接的网络进行通信。然而，无线收发器120还可以使得计算设备102能够与其他设备或网络“直接”通信。
无线收发器120包括用于经由天线122传输和接收通信信号的电路系统和逻辑。无线收发器120的部件可以包括用于调节通信信号(例如，用于生成或处理信号)的放大器、开关、混频器、模数转换器、滤波器等。无线收发器120还可以包括用于执行同相/正交(I/Q)操作的逻辑，诸如合成、编码、调制、解码、解调等等。在一些情况下，无线收发器120的部件被实现为分开的传输器和接收器实体。附加地或备选地，可以使用多个或不同的区段来实现无线收发器120，以实施相应的传输和接收操作(例如，分开的传输和接收链)。一般而言，无线收发器120处理与通过天线122传达计算设备102的数据相关联的数据和/或信号。
在图1所示的示例中，无线收发器120包括至少一个表面声波滤波器124。在一些实现方式中，无线收发器120包括多个表面声波滤波器124，这些表面声波滤波器可以串联、并联、以梯形结构、以晶格结构或它们的某种组合来布置。表面声波滤波器124可以是薄膜表面声波滤波器126(TFSAW滤波器126)或高质量温度补偿式表面声波滤波器128(HQ-TC SAW滤波器128)。可以使用位置选择性压电层修整来制造表面声波滤波器124，以抑制杂散模式。关于图2对表面声波滤波器124进行进一步描述。
图2图示了示例性无线收发器120。在所描绘的配置中，无线收发器120包括传输器202和接收器204，它们分别耦合到第一天线122-1和第二天线122-2。在其他实现方式中，传输器202和接收器204可以通过诸如传输-接收开关或循环器之类的双工器(未示出)来连接到同一天线。传输器202被示为包括至少一个数模转换器206(DAC 206)、至少一个第一混频器208-1、至少一个放大器210(例如，功率放大器)和至少一个第一表面声波滤波器124-1。接收器204包括至少一个第二表面声波滤波器124-2、至少一个放大器212(例如，低噪声放大器)、至少一个第二混频器208-2和至少一个模数转换器214(ADC 214)。第一混频器208-1和第二混频器208-2耦合到本地振荡器216。虽然没有明确示出，但是传输器202的数模转换器206和接收器204的模数转换器214可以耦合到(图1的)应用处理器108或与无线收发器120相关联的另一处理器(例如，调制解调器)。
在一些实现方式中，使用诸如收发器电路236和射频前端(RFFE)电路238之类的多个电路来实现无线收发器120。如此，形成传输器202和接收器204的部件跨这些电路分布。如图2所示，收发器电路236包括传输器202的数模转换器206、传输器202的混频器208-1、接收器204的混频器208-2和接收器204的模数转换器214。在其他实现方式中，可以在包括应用处理器108或调制解调器的另一单独电路上实现数模转换器206和模数转换器214。射频前端电路238包括传输器202的放大器210、传输器202的表面声波滤波器124-1、接收器204的表面声波过滤器124-2和接收器204的放大器212。
在传输期间，传输器202生成射频传输信号218，该射频传输信号使用天线122-1进行传输。为了生成射频传输信号218，数模转换器206向第一混频器208-1提供预上变频传输信号220。预上变频传输信号220可以是基带信号或中频信号。第一混频器208-1使用由本地振荡器216提供的本地振荡器(LO)信号222对预上变频传输信号220进行上变频。第一混频器208-1生成经上变频的信号，该经上变频的信号被称为预滤波传输信号224。预滤波传输信号224可以是射频信号，并且包括一些杂散(例如，不想要的)频率，诸如谐波频率。放大器210放大预滤波传输信号224，并且将经放大的预滤波传输信号224传递到第一表面声波滤波器124-1。
第一表面声波滤波器124-1对经放大的预滤波传输信号224进行滤波，以生成经滤波的传输信号226。作为滤波过程的一部分，第一表面声波滤波器124-1减弱预滤波传输信号224内的一个或多个杂散频率。传输器202将经滤波的传输信号226提供给天线122-1以供传输。所传输的经滤波的传输信号226由射频传输信号218表示。
在接收期间，天线122-2接收射频接收信号228，并且将射频接收信号228传递到接收器204。第二表面声波滤波器124-2接受由预滤波接收信号230表示的所接收到的射频接收信号228。第二表面声波滤波器124-2对预滤波接收信号230内的任何杂散频率进行滤波，以生成经滤波的接收信号232。示例杂散频率可以包括来自外部环境的干扰或噪声。
接收器204的放大器212放大经滤波的接收信号232，并且将经放大的经滤波的信号232传递到第二混频器208-2。第二混频器208-2使用本地振荡器信号222对经放大的经滤波的接收信号232进行下变频，以生成经下变频的接收信号234。模数转换器214将经下变频的接收信号234转换为数字信号，该数字信号可以由应用处理器108或与无线收发器120相关联的另一处理器(例如，调制解调器)处理。
图2图示了无线收发器120的一个示例配置。无线收发器120的其他配置可以支持多个频带并且跨多个收发器共享天线122。本领域普通技术人员应当领会可以包括表面声波滤波器124的各种其他配置。例如，表面声波滤波器124可以集成在无线收发器120的双工器或双讯器内。关于图3-1和图3-2对表面声波滤波器124-1或124-2的示例实现方式进行进一步描述。
图3-1图示了具有位置选择性压电层修整的薄膜表面声波滤波器126的示例实现方式。图3-1的顶部处示出了薄膜表面声波滤波器126的三维透视图300-1，而图3-1的底部处示出了薄膜表面声波滤波器126的二维横截面视图300-2。
薄膜表面声波滤波器126包括至少一个电极结构302、至少一个压电层304(例如，压电材料)和至少一个衬底层306。电极结构302使用诸如金属之类的导电材料来实现，并且可以包括一个或多个层。一个或多个层可以包括一个或多个金属层，并且可以可选地包括一个或多个粘合层。作为示例，金属层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)或它们的某种组合或掺杂版本组成。粘合层可以由铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)或它们的一些组合组成。
电极结构302可以包括一个或多个叉指换能器308。叉指换能器308将电信号转换为声波，并且将声波转换为经滤波的电信号。尽管没有明确示出，但是电极结构302也可以包括两个或更多个反射器。在一个示例实现方式中，叉指换能器308被布置在两个反射器(未示出)之间，这两个反射器将声波反射回到叉指换能器308。
在二维横截面视图300-2中所示的所描绘的配置中，压电层304被设置在电极结构302与衬底层306之间。压电层304可以使用表现出压电性质(例如，可以将机械能转变为电能或将电能转变为机械能)的各种不同材料来实现。示例材料类型包括铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)或石英。一般而言，形成压电层304的材料具有晶体结构。这种晶体结构由粒子(例如，原子、离子或分子)的有序排列限定。
衬底层306包括一个或多个子层，该一个或多个子层可以支持钝化、温度补偿、功率处理、模式抑制等。作为示例，衬底层306可以包括至少一个补偿层、至少一个电荷捕获层、至少一个支撑层、或它们的一些组合。这些子层可以被认为是衬底层306的一部分或它们自己的分开的层。可以在衬底层306内形成一个或多个子层的示例材料类型包括二氧化硅(SiO2)、多晶硅(poly-Si)(例如，聚晶硅(polycrystalline silicon)和多晶硅(multicrystalline silicon))、非晶硅、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氮化铝(AlN)、非导电材料(例如，硅(Si)、掺杂硅、蓝宝石、碳化硅(SiC)、熔融二氧化硅、玻璃、金刚石)、或它们的某个组合。
在三维透视图300-1中，叉指换能器308被示为具有两个梳状电极结构，该两个梳状电极结构具有从两个汇流条(例如，导电分段或轨道)朝向彼此延伸的指状物(例如，电极指状物)。指状物以联锁方式被布置在叉指换能器308的两个汇流条之间(例如，以叉指方式布置)。换言之，连接到第一汇流条的指状物朝向第二汇流条延伸，但不连接到第二汇流条。如此，这些指状物的端部与第二汇流条之间存在分界区域310。同样，连接到第二汇流条的指状物朝向第一汇流条延伸，但不连接到第一汇流条。因此，这些指状物的端部与第一汇流条之间存在分界区域310，如关于图4所进一步描述的。
在沿着汇流条的方向上，存在包括中心区域312的重叠区域，其中一个指状物的一部分与相邻指状物的一部分重叠。包括重叠的该中心区域312可以被称为孔径、轨迹或有源区域，其中在指状物之间产生电场以使得至少在压电层304的该区域中形成声波314。
指状物的物理周期性被称为叉指换能器308的节距316。可以以各种方式来指示节距316。例如，在某些方面中，节距316可以与中心区域312中的叉指换能器308的连续指状物之间的距离的量值相对应。例如，该距离可以被限定为指状物中的每个指状物的中心点之间的距离。当指状物具有均匀宽度时，通常可以测量一个指状物的右(或左)边缘与相邻指状物的左(或右)边缘之间的距离。在某些方面中，叉指换能器308的相邻指状物之间的距离的平均值可以用于节距316。压电层304振动的频率是电极结构302的主要谐振频率。频率至少部分地由叉指换能器308的节距316和薄膜表面声波滤波器126的其他性质来确定。
应当领会，虽然图3图示了一定数目的指状物，但是实际指状物的数目以及指状物和汇流条的长度和宽度在实际实现方式中可能会有所不同。这些参数取决于特定应用和期望的滤波器特性。另外，薄膜表面声波滤波器126可以包括多个互连电极结构，每个互连电极结构包括多个叉指换能器308以实现期望的通带(例如，串联或并联连接的多个互连谐振器或叉指换能器308以形成期望的滤波器传递函数)。
尽管未示出，但是电极结构302内的每个反射器可以具有两个汇流条和导电指状物的光栅结构，其中每个导电指状物都连接到两个汇流条。在一些实现方式中，反射器的节距可以与叉指换能器308的节距316相似或相同，以在谐振频率范围内反射声波314。
在三维透视图300-1中，薄膜表面声波滤波器126由第一(X)轴线318、第二(Y)轴线320和第三(Z)轴线322限定。第一轴线318和第二轴线320平行于压电层304的平面表面，并且第二轴线320垂直于第一轴线318。第三轴线322法向于(例如，垂直于)压电层304的平面表面。叉指换能器308的汇流条被定向为平行于第一轴线318。叉指换能器308的指状物被定向为平行于第二轴线320。此外，压电层304的方位使得声波314主要形成在第一轴线318的方向上。如此，声波314在基本垂直于叉指换能器308的指状物的方向的方向上形成。关于图3-2对另一示例类型的表面声波滤波器124进行进一步描述。
图3-2图示了具有位置选择性压电层修整的高质量温度补偿式表面声波滤波器128的示例实现方式。在图3-2的顶部处示出了高质量温度补偿式表面声波滤波器128的三维透视图300-3，并且在图3-2的底部处示出了高质量温度补偿式表面声波滤波器128的二维横截面视图300-4。
高质量温度补偿式表面声波滤波器128包括至少一个电极结构302、至少一个压电层304和至少一个补偿层324。补偿层324可以提供温度补偿，以使得高质量温度补偿式表面声波滤波器128能够实现频率的目标温度系数。在各示例实现方式中，可以使用至少一个二氧化硅层来实现补偿层324。
在二维横截面视图300-4所示的所描绘的配置中，电极结构302被设置在压电层304与补偿层324之间。压电层304可以形成高质量温度补偿式表面声波滤波器128的衬底。
高质量温度补偿式表面声波滤波器128的电极结构302可以与上文关于图3-1的薄膜表面声波滤波器126所描述的电极结构相似。同样，高质量温度补偿式表面声波滤波器128的压电层304可以与上文关于图3-1的薄膜表面声波滤波器126所描述的压电层304相似。然而，高质量温度补偿式表面声波滤波器128的压电层304可以比图3-1的薄膜表面声波滤波器126的压电层304厚。
在三维透视图300-1中，高质量温度补偿式表面声波滤波器128由第一(X)轴线318、第二(Y)轴线320和第三(Z)轴线322限定。第一轴线318和第二轴线320平行于压电层304的平面表面，并且第二轴线320垂直于第一轴线318。第三轴线322法向于(例如，垂直于)压电层304的平面表面。叉指换能器308的汇流条被定向为平行于第一轴线318。叉指换能器308的指状物被定向为平行于第二轴线320。此外，压电层304的方位使得声波314主要形成在第一轴线318的方向上。如此，声波314在基本上垂直于叉指换能器308的指状物的方向的方向上形成。
与图3-1的薄膜表面声波滤波器126相似，图3-2的高质量温度补偿式表面声波滤波器128也可以包括分界区域310和中心区域312。图3-1的薄膜表面声波滤波器126和图3-2的高质量温度补偿式表面声波滤波器128可以具有相似操作，通常在下文中关于表面声波滤波器124对这些操作进行描述。
在操作期间，表面声波滤波器124(例如，图3-1的薄膜表面声波滤波器126或图3-2的高质量温度补偿式表面声波滤波器128)接受射频信号，诸如图2所示的预滤波传输信号224或预滤波接收信号230。电极结构302使用反压电效应在压电层304上激发声波314。例如，电极结构302中的叉指换能器308基于所接受的射频信号来生成交替电场。压电层304使得声波314能够响应于由叉指换能器308生成的交替电场而形成。换言之，压电层304至少部分地使得声波314响应于一个或多个叉指换能器308的电刺激而形成。
声波314跨压电层304传播，并且与电极结构302内的叉指换能器308或另一叉指换能器(图3-1或图3-2未示出)相互作用。传播的声波314可以是驻波。在一些实现方式中，电极结构302内的两个反射器使得声波314形成为跨压电层304的一部分的驻波。在其他实现方式中，声波314跨压电层304从叉指换能器308传播到另一叉指换能器(未示出)。
使用压电效应，电极结构302基于所传播的表面声波314来生成经滤波的射频信号。具体地，由于通过声波314的传播而生成的机械应力，压电层304生成交替电场。交替电场在另一叉指换能器或叉指换能器308中感应出交替电流。该交替电流形成经滤波的射频信号，该射频信号被提供在表面声波滤波器124的输出处。经滤波的射频信号可以包括图2的经滤波的传输信号226或经滤波的接收信号232。
图4图示了描绘了与具有位置选择性压电层修整的表面声波滤波器124的区域相关联的速度曲线和模式曲线的示例曲线图402。表面声波滤波器124可以是图3-1的薄膜表面声波滤波器126或图3-2的高质量温度补偿式表面声波滤波器128。图4的左侧图示了表面声波滤波器124的二维俯视图404。在所描绘的配置中，表面声波滤波器124的电极结构302包括第一汇流条406-1、第二汇流条406-2和指状物408-1、408-2、408-3和408-4。指状物408-1和408-3连接到第一汇流条406-1，并且在不连接到第二汇流条406-2的情况下，沿着第二(Y)轴线320朝向第二汇流条408-2延伸。指状物408-2和408-4连接到第二汇流条406-2，并且在不连接到第一汇流条406-1的情况下，沿着第二(Y)轴线320朝向第一汇流条406-2延伸。
表面声波滤波器124包括沿着第二(Y)轴线320的多个不同区域。至少部分地基于电极结构302的物理布局来限定这些区域。这些区域包括汇流条区域410、分界区域310和中心区域312。汇流条区域410包括汇流条406-1和406-2，并且在与汇流条406-1和406-2的宽度相对应的第二(Y)轴线320的部分上延伸。在这种情况下，两个汇流条区域410被示为分别与两个汇流条406-1和406-2相关联。
分界区域310存在于中心区域312和汇流条区域410之间。具体地，分界区域310包括在一个汇流条和与另一汇流条(例如，相对的汇流条)相关联的指状物的端部之间延伸的第二(Y)轴线320的部分。例如，第一分界区域310存在于第一汇流条406-1与指状物408-2和408-4的端部之间，这些指状物与第二汇流条406-2相关联。第二分界区域310存在于第二汇流条406-2与指状物408-1和408-3的端部之间，这些指状物与第一母线406-1相关联。
中心区域312由指状物408-1至408-4跨第一(X)轴线318的重叠限定。如俯视图404所示，中心区域312包括至少一个有源轨迹区域412和至少一个陷阱区域414。陷阱区域414存在于分界区域310与有源轨迹区域412之间。以此方式，陷阱区域414存在于中心区域312的外部边界处。一般而言，表面声波滤波器124的主要模式或基本模式被设计为在有源轨迹区域412内传播。
可以对陷阱区域414沿着第二(Y)轴线320的宽度进行剪裁以实现目标性能。在示例实现方式中，陷阱区域414的宽度大约等于电极结构302的节距316(图3-1或图3-2)。例如，陷阱区域414的宽度和节距316可以是大约1微米(μm)。为了清楚起见，表面声波滤波器124的区域不必在俯视图404中按比例绘制。此外，每个区域可能具有偏离所图示的比例或宽度的一些可变性，包括由于给定制造技术的约束在内。例如，陷阱区域414可以延伸超过在其上设置陷阱区域414的指状物的端部。
通过实施位置选择性压电层修整，陷阱区域414内的压电层304的结构特性可以与其他区域不同，包括有源轨迹区域412。这种变化使得(图3-1或图3-2的)声波314具有比有源轨迹区域412内更低的速度(例如，更低的横向速度)，如图4的右侧所图示的曲线图402所示。
曲线图402描绘了跨第二(Y)轴线320和水平轴线420的速度曲线416和模式曲线418。使用实线图示速度曲线416，使用虚线图示模式曲线418。水平轴线420表示速度曲线416的速度(例如，声波314的速度)和模式曲线418的幅度。使用位置选择性压电层修整，速度曲线416可以被设计为减少(抑制)杂散横向模式并且促进主波模式或基波模式的激发。
速度曲线416指示表面声波滤波器124的每个区域的速度(例如，波速度)。如图402所示，与中心区域312相比较，声波314在汇流条区域410和分界区域310内的速度较高。一般而言，声波314可以容易地在速度较低的区域中传播，诸如在中心区域312内。分界区域310和汇流条区域410内的相对较高的速度有效形成分界，该分界隔离中心区域312并且减少表面声波滤波器124内的泄漏(例如，损耗)。
在中心区域312内，与有源轨迹区域412相比，陷阱区域414内的速度较低。陷阱区域414内的较低速度可以形成由模式曲线418描绘的基本模式的横向曲线(例如，幅度)。例如，有源轨迹区域412与陷阱区域414之间的速度差可以大概是每秒几十米(m/s)。在示例实现方式中，速度差介于大约30m/s与40m/s之间。
模式曲线418指示跨不同区域的基波模式的幅度。在该示例中，模式曲线418具有矩形或脉冲形状，其与活塞模式相对应，在该活塞模式下，杂散横向模式基本被抑制(例如，减弱)。活塞模式的特征在于，与汇流条和分界区域410和310相比较，幅度跨有源轨迹区域412通常是平坦的(例如，相同的)而在有源轨迹区域412内较高。为了实现期望模式曲线418并且抑制杂散横向模式，还如关于图5所描述的，位置选择性压电层修整剪裁陷阱区域414内的压电层304的高度(例如，厚度)。
图5图示了由位置选择性压电层修整引起的压电层304的示例变化。在所描绘的配置中，电极结构302具有梳子形状。由于该梳子形状，指状物408-1至408-4跨第一(X)轴线318分布，并且具有沿着第二(Y)轴线320的长度。这种分布导致连续指状物对408-1至408-4跨第一(X)轴线318被分开。这种分开在电极结构302内形成间隙(例如，开口)。在中心区域312内，例如，指状物408-1和408-2之间、指状物408-2和408-3之间以及指状物406-3和408-4之间存在间隙。电极结构302也可以被认为到指状物408-4的左侧(如图5所示)和到指状物408-1的右侧具有间隙。电极结构302还可以被认为在分界区域310内和跨未被汇流条406-1和406-2占据的汇流条区域410的部分具有间隙。
压电层304的不同部分可以相对于电极结构302来限定。压电层304的第一部分502被电极结构302覆盖。该第一部分502(例如，被覆盖的部分)支撑(例如，物理支撑)电极结构302，并且沿着第三(Z)轴线322定位在电极结构302的正下方(如图5所示)。在表面声波滤波器124的二维俯视图404中，第一部分502不可见，因为它在电极结构302下面。
压电层304的第二部分504通过电极结构302内的间隙暴露。第二部分504(例如，暴露部分)不支撑(例如，不以物理方式直接接触)电极结构302，并且没有直接定位在电极结构302下方。在中心区域312内，第二部分504存在于连续指状物对408-1至408-4之间。第二部分504也存在于到指状物408-4的左侧和到指状物408-1的右侧。在表面声波滤波器124的二维俯视图404中，压电层304的第二部分504包括压电层304的表面，该表面是可见的并且不被电极结构302“隐藏”。在表面声波滤波器124的XZ曲线506和508中还描绘了第一部分502和第二部分504。
考虑图5的右下角所示的有源轨迹区域412内的表面声波滤波器124的XZ曲线506。这里，压电层304的第一部分502被示为沿着第三(Z)轴线322在电极结构302的指状物408-1和408-2下方。间隙510存在于指状物408-1和408-2的左侧和右侧。这些间隙510使得压电层304的第二部分504不被电极结构302覆盖。在有源轨迹区域412内(如XZ曲线506所示)，压电层304的高度跨第一部分502和第二部分504(例如，沿着第一(X)轴线318)相对恒定。尽管未示出，但是在汇流条区域410和分界区域310内，压电层304的高度也可以跨第一(X)轴线318相对恒定。
为了实现图4的速度曲线416和模式曲线418，位置选择性压电层修整在陷阱区域414内移除了通过电极结构302内的间隙510暴露的压电层304中的一些压电层。考虑图5的右上角所示的陷阱区域414内的表面声波滤波器124的XZ曲线508。这里，移除一些压电层304使得与第一部分502的高度相比较，第二部分504具有更小的高度(例如，更小的厚度)。以此方式，在陷阱区域414内，压电层304的高度跨第一(X)轴线318发生改变，如关于图6-1所进一步描述的。
在图6-1中，曲线602绘制了陷阱区域414内的压电层304的高度。如曲线图602所示，压电层304的高度跨第一(X)轴线318发生变化。具体地，压电层304的第一部分502具有高度604，并且压电层的第二部分504具有高度608。由于修整过程，所以第二部分504的高度608小于第一部分502的高度604，该修整过程移除了压电层304的第二部分504内的一些材料。
返回到图5，有源轨迹区域412的XZ曲线506和陷阱区域414的XZ曲线508之间的比较图示了压电层304的第二部分504的高度也跨表面声波滤波器124的区域(例如，沿着第二(Y)轴线320方向)发生变化。具体地，与有源轨迹区域412相比较，第二部分504在陷阱区域414内具有更小的高度。尽管未明确示出，但是与分界区域310或汇流条区域410相比较，第二部分504在陷阱区域414内也可以具有较小的高度。以这种方式，压电层304的第二部分504的高度跨第二(Y)轴线320发生改变，如关于图6-2所进一步描述的。
在图6-2中，曲线图610绘制了压电层304的第二部分504沿着指状物408-1和408-2之间的间隙510的高度。如曲线图610所示，压电层304的第二部分504的高度跨第二(Y)轴线320发生变化。具体地，压电层304的第二部分504在汇流条区域410、分界区域310和有源轨迹区域412内具有高度604。然而，在陷阱区域414中，压电层304的第二部分504具有高度608，该高度608小于高度604。
返回到图5，由于位置选择性压电层修整，所以陷阱区域414内的电极结构302的一部分可能发生改变，也可能不会发生改变。在XZ曲线506和508中，指状物408-1和408-2的结构和形状跨有源轨迹区域412和陷阱区域414基本上保持相同。然而，在一些过程中，指状物408-1和408-2的结构和/或形状可能发生变化，如关于图7所进一步描述的。
图7图示了由位置选择性压电层修整700(修整700)引起的表面声波滤波器124的陷阱区域414的改变。在该示例中，位置选择性压电层修整700影响电极结构302和压电层304的暴露部分(例如，第二部分504)。在其他实现方式中，位置选择性压电层修整700可以影响压电层304的暴露部分，而基本上不会影响电极结构302。
一般而言，位置选择性压电层修整700是应用在表面声波滤波器124的特定条带上的修整过程。为了抑制杂散横向模式，该特定条带包括陷阱区域414。关于图9对位置选择性压电层修整700过程的示例进行进一步描述。
图7的左侧上的702处图示了在位置选择性压电层修整700之前的陷阱区域414的XZ曲线508。在位置选择性压电层修整700之前，陷阱区域414的XZ曲线508可以与图5所示的有源轨迹区域412的XZ曲线506相似。例如，压电层304的第二部分504可以具有高度604。附加地，压电层304的第二部分504和压电层304的第一部分502可以具有相似的高度。在该示例中，指状物408-1和408-2具有高度706。此外，指状物408-1和408-2的结构可以被表征为具有限定的表面边缘708和光滑表面710。
图7的右侧上的704处图示了在位置选择性压电层修整700之后陷阱区域414的XZ曲线508。在位置选择性压电层修整700之后，从压电层304的第二部分504上移除材料。因此，第二部分504的高度从702处的高度604减小到704处的高度608。这使得第二部分504的高度在704处与陷阱区域414内的第一部分502的高度不同。例如，第二部分504的高度可以减小大约1纳米(nm)或更多(例如，减小大约5nm、7.5nm、10nm、20nm、30nm、40nm或更多)。可以剪裁压电层304的第二部分504的高度减小的量以实现目标速度曲线416和模式曲线418。
指状物408-1和408-2的结构也可以由于位置选择性压电层修整700而发生改变。例如，可以从指状物408-1和408-2上移除材料。因此，指状物408-1和408-2在陷阱区域414内的高度从702处的高度706减小到704处的高度712。作为示例，指状物408-1和408-2在陷阱区域414内的高度可以减小大约1nm或更多(例如，减小大约5nm、10nm、15nm、20nm、25nm或更多)。
附加地，在702处的限定的表面边缘708可以变圆，这在704处产生经圆化的表面边缘714。此外，702处的光滑表面710可以变得更粗糙，这在704处产生粗糙表面716。有时，不同的修整过程可能会影响陷阱区域414内的电极结构302被圆化和粗糙化的程度。
由于位置选择性压电层修整700，所以压电层304的结构(以及有时如图7所述的电极结构302的结构)跨第二(Y)轴线320(例如，跨包括陷阱区域414和有源轨迹区域412的不同区域)变得不均匀。除了改变压电层304的物理维度之外，如关于图8所进一步描述的，位置选择性压电层修整700还可以改变压电层304的分子结构。
图8图示了图7中的704处所描绘的陷阱区域414的XZ曲线508的特写(放大版本)。在800处，损伤层802跨压电层304的第二部分504而存在。损伤层802跨压电层304的第二部分504的表面形成。损伤层802与压电层304不同(例如，具有不同于压电层304的特性)。在一个示例中，损伤层802包括没有表现出压电层304的晶体结构的有序排列的非晶结构，该非晶结构沿着第三(Z)轴线322存在于损伤层802“下方”。在第二示例中，损伤层802可能不表现出压电性质或表现出降低的压电性质。
损伤层802的厚度可以基于用于位置选择性压电层修整700的过程而发生变化。作为示例，损伤层802的厚度可以是至少大约10nm(例如，大约13nm、15nm、18nm、20nm或更大)。在一些实现方式中，损伤层802包括氧化铝(Al2O3)。损伤层802的存在提供了位置选择性压电层修整700用于制造表面声波滤波器124的指示。关于图9对位置选择性压电层修整700过程进行进一步描述。
图9是图示了用于使用位置选择性压电层修整来制造表面声波滤波器124的示例过程900的流程图。以指定可以被执行的操作的框集合902至906的形式来描述过程900。然而，操作不一定局限于图9所示或本文中所描述的次序，因为操作可以按备选次序或以完全或部分重叠的方式来实现。此外，可以实现更多、更少和/或不同的操作来执行过程900或备选过程。可以执行由过程900的所图示的框表示的操作来制造(例如，图1至图4的)表面声波滤波器124。更具体地，可以至少部分执行过程900的操作，以修整陷阱区域414内的压电层304(例如，图3、图5或图7)的暴露部分。过程900的操作还可以选择性地修整陷阱区域414内的电极结构302的一部分。
在框902处，提供表面声波滤波器。表面声波滤波器包括电极结构和压电层。电极结构具有多个间隙。压电层包括第一部分和第二部分，该第一部分支撑电极结构，并且第二部分通过电极结构的多个间隙暴露。
例如，制造过程提供了表面声波滤波器124。表面声波滤波器124可以是薄膜表面声波滤波器126或高质量温度补偿式表面声波滤波器128。表面声波滤波器124包括电极结构302和压电层304，如图3-1或图3-2所示。电极结构302包括多个间隙510。压电层包括第一部分502(例如，所覆盖的部分)和第二部分504(例如，所暴露部分)，如图5所示。第一部分502支撑电极结构302，第二部分504通过电极结构302的多个间隙510暴露。
在框904处，使用光刻胶掩蔽表面声波滤波器的有源轨迹区域。例如，制造过程使用光刻胶掩蔽(例如，覆盖)有源轨迹区域412。图4图示了有源轨迹区域412。
尽管上文没有明确提及，但是制造过程也可以掩蔽汇流条区域410和分界区域310。在一些过程中，可以使用光刻胶掩蔽除了陷阱区域414之外的所有区域。在其他过程中，也使用光刻胶掩蔽陷阱区域414内的电极结构302。光刻胶在位置选择性压电层修整过程中起到保护盖的作用。以此方式，光刻胶防止从被光刻胶覆盖的压电层304和电极结构302的部分上移除材料。
在框906处，修整表面声波滤波器的陷阱区域内的压电层的第二部分。相对于有源轨迹区域内的压电层的第二部分的第二高度，修整减小陷阱区域内的压电层的第二部分的第一高度。
例如，制造过程修整表面声波滤波器124的陷阱区域414内的压电层304的第二部分504。因为陷阱区域414内的压电层304的第二部分504不受光刻胶的保护，所以移除了压电层304的第二部分504中的一些。修整涉及：相对于有源轨迹区域412内的压电层304的第二部分504的高度，减小陷阱区域414内的压电层304的第二部分504的厚度。例如，第二部分504在陷阱区域414内可能具有高度608而在有源轨迹区域412内具有高度604，如图6-2所示。
在一些制造过程中，修整涉及使用光刻法。其他制造过程也是可能的，包括使用蚀刻过程的制造过程，诸如干法蚀刻过程。在修整过程期间，陷阱区域414内的压电层304的第二部分504可以暴露于气体，诸如双原子氧(O2)、三氟化氮(NF3)或氩(Ar)。一般而言，修整过程可以被剪裁以实现压电层304的目标修整量，该目标修整量实现目标速度曲线416和目标模式曲线418。
制造过程可能会使得跨压电层304的第二部分504形成损伤层802。如上所述，损伤层802具有与压电层304不同的特性。例如，损伤层802具有非晶结构，而压电层304具有晶体结构。此外，损伤层802不会表现出压电性质，而压电层304表现出压电性质。
在框908处，从有源轨迹区域上移除光刻胶。例如，制造过程从有源轨迹区域412上移除光刻胶。使用位置选择性压电层修整，陷阱区域414内的压电层304的第二部分504的结构与其他区域内的压电层304的第二部分504的结构不同。附加地，陷阱区域414内的压电层304的第二部分504的结构与陷阱区域414内的压电层304的第一部分502的结构不同。
在一些实现方式中，用于位置选择性压电层修整的技术与其他技术相结合。例如，用于位置选择性压电层修整的技术可以与其他活塞模式技术相结合，包括那些将锤头和/或圆点应用于电极结构302的技术。
作为另一示例，用于位置选择性压电层修整的技术也可以与频率修整一起使用。频率修整跨表面声波滤波器124应用修整过程以调谐表面声波滤波器的频率(例如，主模式频率)。具体地，频率修整将声波314的速度降低到目标速度，从而实现了目标频率。
在一些实现方式中，频率修整至少跨表面声波滤波器124的中心区域312被应用。以此方式，陷阱区域414和有源轨迹区域412都被修整相似的量。换言之，压电层304的第二部分504的高度跨第二(Y)轴线320相对恒定。然而，通过将频率修整技术与位置选择性压电层修整技术相结合，位置选择性压电层修整使得压电层304的第二部分504的高度沿着第二(Y)轴线320在有源轨迹区域412与陷阱区域414之间发生变化。
尽管已经针对修整过程对用于位置选择性压电层修整的技术进行了描述，但是还可能存在其他制造过程，这些制造过程可以导致与有源轨迹区域412相比压电层304在陷阱区域414中的指状物408之间具有更小的高度。示例备选制造过程可以适当地对压电层304进行分层，以使陷阱区域414内的压电层304具有比有源轨迹区域412内的压电层304更小的高度。
本文中所描述的技术可以应用于各种不同类型的表面声波滤波器124，包括图1的薄膜表面声波滤波器126或图1的高质量温度补偿式表面声波滤波器128。
除非上下文另有规定，否则本文中使用“或”一词可以被视为使用“包含性或”，或准许包含或应用由“或”一词链接的一个或多个项的术语(例如，短语“A或B”可以被解释为仅准许“A”、仅准许“B”、或同时准许“A”和“B”)。如本文中所使用的，提及项列表中的“至少一个”的短语是指这些项的任何组合，包括单个成员。作为示例，“a、b或c中的至少一个”旨在涵盖：a、b、c、a-b、a-c、b-c和a-b-c，以及与相同元件的倍数的任何组合(例如，a-a、a-a-a、a-a-b、a-a-c、a-b-b、a-c-c、b-b、b-b-b、b-b-c、c-c和c-c-c或a、b和c的任何其他排序)。此外，在本文中所讨论的附图和术语中表示的项可以指示一个或多个项或术语，因此可以互换参考本书面描述中的项和术语的单个或多个形式。最后，尽管主题已经使用特定于结构特征或方法操作的语言进行了描述，但是应当理解，所附权利要求中所限定的主题不一定局限于上文所描述的特定特征或操作，包括不一定局限于其中布置有特征的组织或按其执行操作的次序。
下文对一些方面进行描述。
方面1：一种用于滤波的装置，装置包括：
至少一个表面声波滤波器，包括：
电极结构，具有多个间隙；以及
压电层，具有平面表面，平面表面由第一(X)轴线和第二(Y)轴线限定，第二(Y)轴线垂直于第一(X)轴线，压电层被配置为沿着第一(X)轴线传播声波，压电层包括：
第一部分，支撑电极结构；以及
第二部分，通过电极结构的多个间隙暴露，第二部分跨第(Y)轴线具有不同的高度，不同的高度相对于基本上法向于平面表面的第三(Z)轴线被限定。
方面2：根据方面1的装置，其中
电极结构包括多个指状物，多个指状物跨第一(X)轴线分布并且具有基本平行于第二(Y)轴线的长度；
多个指状物包括跨第一(X)轴线分开的连续指状物对，分开形成多个间隙中的间隙；
压电层的第一部分支撑连续指状物对；以及
压电层的第二部分存在于连续指状物对之间。
方面3：根据方面1或2的装置，其中
压电层的第一部分具有沿着第三(Z)轴线的第一高度；以及
压电层的第二部分的不同的高度包括：
第一高度；以及
沿着第三(Z)轴线的第二高度，第二高度小于第一高度。
方面4：根据方面3的装置，其中
电极结构包括：
第一梳状结构，包括第一汇流条和第一指状物集合，第一指状物集合从第一汇流条延伸；以及
第二梳状结构，包括第二汇流条和第二指状物集合，第二指状物集合从第一汇流条延伸；
第一梳状结构和第二梳状结构在物理上彼此分开；
第一梳状结构的第一指状物集合和第二梳状结构的第二指状物集合以联锁方式布置，联锁方式在第一指状物集合与第二指状物集合之间产生重叠区域；
重叠区域跨第一(X)轴线延伸并且包括第二(Y)轴线的部分；以及
压电层的第二部分至少在重叠区域的一端处具有第二高度。
方面5：根据方面3的装置，其中第一高度与第二高度之间的差为至少大约5纳米。
方面6：根据方面5的装置，其中第一高度与第二高度之间的差为至少大约20纳米。
方面7：根据方面3至6中任一方面的装置，其中
压电层具有晶体结构；以及
表面声波滤波器包括损伤层，损伤层跨具有第二高度的压电层的第二部分的表面被设置，损坏层由非晶结构限定。
方面8：根据任一前述方面的装置，其中
不同的高度包括第一高度和第二高度；
表面声波滤波器包括：
第一区域，跨第一(X)轴线延伸并且包括沿着第二(Y)轴线的第一区段；以及
第二区域，跨第一(X)轴线延伸并且包括沿着第二(Y)轴线的第二区段；并且
压电层的第二部分具有：
在第一区域内的第一高度；以及
在第二区域内的第二高度，第二高度小于第一高度。
方面9：根据方面8的装置，其中
第二区域包括不相交区域对；以及
第一区域沿着第二(Y)轴线存在于不相交区域对之间。
方面10：根据方面9的装置，其中
第一区域包括有源轨迹区域，有源轨迹区域被配置为使得声波在有源轨迹区域内具有第一速度；以及
不相交区域对包括陷阱区域，陷阱区域被配置为使得声波在陷阱区域内具有第二速度，第二速度低于第一速度。
方面11：根据方面8至10中任一方面的装置，其中电极结构具有：
在第一区域内沿着第三(Z)轴线的第三高度；以及
在第二区域内沿着第三(Z)轴线的第四高度，第四高度小于第三高度。
方面12：根据方面8至11中任一方面的装置，其中电极结构具有：
在第一区域内的第一表面；以及
在第二区域内的第二表面，第二表面比第一表面粗糙。
方面13：根据方面8至12中任一方面的装置，其中电极结构具有：
在第一区域内的第一表面边缘；以及
在第二区域内的第二表面边缘，第二表面边缘比第一表面边缘更圆。
方面14：根据方面8中任一项的装置，其中第二区域跨第二(Y)轴线的宽度大约等于与电极结构相关联的节距。
方面15：根据任一前述方面的装置，还包括：
无线收发器，耦合到至少一个天线，无线收发器：
包括表面声波滤波器；以及
被配置为使用表面声波滤波器对经由至少一个天线传达的无线信号进行滤波。
方面16：根据方面15的装置，其中无线信号包括大于或等于大约2千兆赫的频率。
方面17：根据方面16的装置，其中无线信号还包括大于或等于大约5千兆赫的频率。
方面18：根据任一前述方面的装置，其中表面声波滤波器包括薄膜表面声波滤波器。
方面19：根据方面1至17中任一方面的装置，其中表面声波滤波器包括高质量温度补偿式表面声波滤波器。
方面20：一种用于滤波的装置，装置：
至少一个表面声波滤波器，被配置为根据射频信号生成经滤波的信号，表面声波滤波器包括：
电极器件，用于将射频信号转换为声波并且将所传播的声波转换为经滤波的信号，电极器件具有多个间隙；以及
器件，用于传播声波以产生沿着第一(X)轴线所传播的声波，用于传播声波的器件具有平面表面，平面表面由第一(X)轴线和第二(Y)轴线限定，第二(Y)轴线垂直于第一(X)轴线，用于传播声波的器件包括：
第一部分，支撑电极器件；以及
第二部分，通过电极器件的多个间隙暴露，第二部分跨第二(Y)轴线具有不同的高度，不同的高度相对于基本上法向于平面表面的第三(Z)轴线被限定。
方面21：根据方面20的装置，其中
用于传播声波的器件的第一部分具有沿着第三(Z)轴线的第一高度；以及
用于传播声波的器件的第二部分的不同的高度包括：
第一高度；以及
沿着第三(Z)轴线的第二高度，第二高度小于第一高度。
方面22：根据方面21的装置，其中
用于传播声波的器件具有晶体结构；以及
表面声波滤波器包括损伤层，损伤层跨具有第二高度的用于传播声波的器件的第二部分的表面被设置，损坏层由非晶结构限定。
方面23：一种制造表面声波滤波器的方法，方法包括：
提供表面声波滤波器，表面声波滤波器包括电极结构和压电层，电极结构具有多个间隙，压电层包括第一部分和第二部分，第一部分支撑电极结构，并且第二部分通过电极结构的多个间隙暴露；
使用光刻胶掩蔽表面声波滤波器的有源轨迹区域；
修整表面声波滤波器的陷阱区域内的压电层的第二部分，修整包括：相对于有源轨迹区域内的压电层的第二部分的第二高度，减小陷阱区域内的压电层的第二部分的第一高度；以及
从有源轨迹区域中移除光刻胶。
方面24：根据方面23的方法，还包括：
修整陷阱区域内的电极结构，修整包括：相对于有源轨迹区域内的电极结构的第四高度，减小陷阱区域内的电极结构的第三高度。
方面25：根据方面23或24的方法，其中对压电层的第二部分的修整包括：在压电层的第二部分的表面上形成损伤层。
方面26：根据方面23至25中任一方面的方法，其中
对压电层的第二部分的修整包括执行干法蚀刻过程；以及
干法蚀刻过程的执行包括：将陷阱区域内的压电层的第二部分暴露于气体。
方面27：根据方面26的方法，其中气体包括以下各项中的至少一项：
三氟化氮(NF3)气体；
氩(AR)气体；或
双原子氧(O2)气体。
方面28：一种表面声波滤波器，包括：
电极结构，设置在第一区域和第二区域内，电极结构具有多个间隙，第一区域跨第一(X)轴线延伸并且包括沿着第二(Y)轴线的第一区段，第二(Y)轴线垂直于第一(X)轴线，第二区域跨第一(X)轴线延伸并且包括沿着第二(Y)轴线的第二区段；
压电层，设置在第一区域和第二区域内，压电层具有平面表面，平面表面由第一(X)轴线和二(Y)轴线限定，压电层包括：
第一部分，支撑电极结构；以及
第二部分，通过电极结构的多个间隙暴露，第二部分包括晶体结构；以及
损伤层，跨第二区域内的压电层的第二部分的表面设置，损坏层包括非晶结构，非晶结构与晶体结构不同。
方面29：根据方面28的表面声波滤波器，其中压电层的第二部分具有：
在第一区域内的第一高度，第一高度沿着第三(Z)轴线，第三(Z)轴线基本法向于平面表面；以及
在第二区域内的第二高度，第二高度沿着第三(Z)轴线并且小于第一高度。
方面30：根据方面28或29的表面声波滤波器，其中第二区域内的电极结构具有比第一区域内的电极结构更小的高度。
方面31：根据方面28至30中任一方面的表面声波滤波器，其中第二区域内的电极结构具有比第一区域内的电极结构更粗糙的表面。
方面32：根据方面28至31中任一方面的表面声波滤波器，其中第二区域内的电极结构具有比第一区域内的电极结构更圆的边缘。
方面33：根据方面28至32中任一方面的表面声波滤波器，其中
压电层被配置为沿着第一(X)轴线跨平面表面传播声波；
第一区域包括有源轨迹区域，有源轨迹区域被配置为使得声波在有源轨迹区域内具有第一速度；以及
第二区域包括陷阱区域，陷阱区域被配置为使得声波在陷阱区域内具有第二速度，第二速度低于第一速度。

Claims (30)

1.一种用于滤波的装置，所述装置包括：
至少一个表面声波滤波器，包括：
电极结构，具有多个间隙；以及
压电层，所述压电层具有平面表面，所述平面表面由第一(X)轴线和第二(Y)轴线限定，所述第二(Y)轴线垂直于所述第一(X)轴线，所述压电层被配置为沿着所述第一(X)轴线传播声波，所述压电层包括：
第一部分，支撑所述电极结构；以及
第二部分，通过所述电极结构的所述多个间隙暴露，所述第二部分跨所述第二(Y)轴线具有不同的高度，所述不同的高度相对于基本上法向于所述平面表面的第三(Z)轴线被限定。
2.根据权利要求1所述的装置，其中
所述电极结构包括多个指状物，所述多个指状物跨所述第一(X)轴线分布并且具有基本平行于所述第二(Y)轴线的长度；
所述多个指状物包括跨所述第一(X)轴线分开的连续指状物对，所述分开形成所述多个间隙中的间隙；
所述压电层的所述第一部分支撑所述连续指状物对；以及
所述压电层的所述第二部分存在于所述连续指状物对之间。
3.根据权利要求1所述的装置，其中
所述压电层的所述第一部分具有沿着所述第三(Z)轴线的第一高度；以及
所述压电层的所述第二部分的所述不同的高度包括：
所述第一高度；以及
沿着所述第三(Z)轴线的第二高度，所述第二高度小于所述第一高度。
4.根据权利要求3所述的装置，其中
所述电极结构包括：
第一梳状结构，包括第一汇流条和第一指状物集合，所述第一指状物集合从所述第一汇流条延伸；以及
第二梳状结构，包括第二汇流条和第二指状物集合，所述第二指状物集合从所述第一汇流条延伸；
所述第一梳状结构和所述第二梳状结构在物理上彼此分开；
所述第一梳状结构的所述第一指状物集合和所述第二梳状结构的所述第二指状物集合以联锁方式布置，所述联锁方式在所述第一指状物集合与所述第二指状物集合之间产生重叠区域；
所述重叠区域跨所述第一(X)轴线延伸并且包括所述第二(Y)轴线的部分；以及
所述压电层的所述第二部分至少在所述重叠区域的一端处具有所述第二高度。
5.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一高度与所述第二高度之间的差至少大约为5纳米。
6.根据权利要求3所述的装置，其中
所述压电层具有晶体结构；以及
所述表面声波滤波器包括损伤层，所述损伤层跨具有所述第二高度的所述压电层的所述第二部分的表面被设置，所述损坏层由非晶结构限定。
7.根据权利要求1所述的装置，其中
所述不同的高度包括第一高度和第二高度；
所述表面声波滤波器包括：
第一区域，所述第一区域跨所述第一(X)轴线延伸并且包括沿着所述第二(Y)轴线的第一区段；以及
第二区域，所述第二区域跨所述第一(X)轴线延伸并且包括沿着所述第二(Y)轴线的第二区段；并且
所述压电层的所述第二部分具有：
在所述第一区域内的所述第一高度；以及
在所述第二区域内的所述第二高度，所述第二高度小于所述第一高度。
8.根据权利要求7所述的装置，其中
所述第二区域包括不相交区域对；以及
所述第一区域沿着所述第二(Y)轴线存在于所述不相交区域对之间。
9.根据权利要求8所述的装置，其中
所述第一区域包括有源轨迹区域，所述有源轨迹区域被配置为使得所述声波在所述有源轨迹区域内具有第一速度；以及
所述不相交区域对包括陷阱区域，所述陷阱区域被配置为使得所述声波在所述陷阱区域内具有第二速度，所述第二速度低于所述第一速度。
10.根据权利要求7所述的装置，其中所述电极结构具有：
在所述第一区域内沿着所述第三(Z)轴线的第三高度；以及
在所述第二区域内沿着所述第三(Z)轴线的第四高度，所述第四高度小于所述第三高度。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述电极结构具有：
在所述第一区域内的第一表面；以及
在所述第二区域内的第二表面，所述第二表面比所述第一表面粗糙。
12.根据权利要求10所述的装置，其中所述电极结构具有：
在所述第一区域内的第一表面边缘；以及
在所述第二区域内的第二表面边缘，所述第二表面边缘比所述第一表面边缘更圆。
13.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二区域跨所述第二(Y)轴线的宽度大约等于与所述电极结构相关联的节距。
14.根据权利要求1所述的装置，还包括：
无线收发器，耦合到至少一个天线，所述无线收发器：
包括所述表面声波滤波器；并且
被配置为使用所述表面声波滤波器对经由所述至少一个天线传达的无线信号进行滤波。
15.根据权利要求14所述的装置，其中所述无线信号包括大于或等于大约2千兆赫的频率。
16.根据权利要求15所述的装置，其中所述无线信号还包括大于或等于大约5千兆赫的频率。
17.根据权利要求1所述的装置，其中所述表面声波滤波器包括薄膜表面声波(TFSAW)滤波器。
18.根据权利要求1所述的装置，其中所述表面声波滤波器包括高质量温度补偿式表面声波(HQ-TC SAW)滤波器。
19.一种用于滤波的装置，所述装置包括：
至少一个表面声波滤波器，被配置为根据射频信号生成经滤波的信号，所述表面声波滤波器包括：
用于将所述射频信号转换为声波并且将所传播的声波转换为所述经滤波的信号的电极器件，所述电极器件具有多个间隙；以及
用于传播所述声波以产生沿着第一(X)轴线的所述所传播的声波的器件，用于传播所述声波的所述器件具有平面表面，所述平面表面由所述第一(X)轴线和第二(Y)轴线限定，所述第二(Y)轴线垂直于所述第一(X)轴线，用于传播所述声波的所述器件包括：
第一部分，支撑所述电极器件；以及
第二部分，通过所述电极器件的所述多个间隙暴露，所述第二部分跨所述第二(Y)轴线具有不同的高度，所述不同的高度相对于基本上法向于所述平面表面的第三(Z)轴线被限定。
20.根据权利要求19所述的装置，其中
用于传播所述声波的所述器件的所述第一部分具有沿着所述第三(Z)轴线的第一高度；以及
用于传播所述声波的所述器件的所述第二部分的所述不同的高度包括：
所述第一高度；以及
沿着所述第三(Z)轴线的第二高度，所述第二高度小于所述第一高度。
21.根据权利要求20所述的装置，其中
用于传播所述声波的所述器件具有晶体结构；以及
所述表面声波滤波器包括损伤层，所述损伤层跨具有所述第二高度的用于传播所述声波的所述器件的所述第二部分的表面被设置，所述损坏层由非晶结构限定。
22.一种制造表面声波滤波器的方法，所述方法包括：
提供表面声波滤波器，所述表面声波滤波器包括电极结构和压电层，所述电极结构具有多个间隙，所述压电层包括第一部分和第二部分，所述第一部分支撑所述电极结构，所述第二部分通过所述电极结构的所述多个间隙暴露；
使用光刻胶掩蔽所述表面声波滤波器的有源轨迹区域；
修整所述表面声波滤波器的陷阱区域内的所述压电层的所述第二部分，所述修整包括：相对于所述有源轨迹区域内的所述压电层的所述第二部分的第二高度，减小所述陷阱区域内的所述压电层的所述第二部分的第一高度；以及
从所述有源轨迹区域中移除所述光刻胶。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括：
修整所述陷阱区域内的所述电极结构，所述修整包括：相对于所述有源轨迹区域内的所述电极结构的第四高度，减小所述陷阱区域内的所述电极结构的第三高度。
24.根据权利要求22所述的方法，其中对所述压电层的所述第二部分的修整包括：在所述压电层的所述第二部分的表面上形成损伤层。
25.根据权利要求22所述的方法，其中
对所述压电层的所述第二部分的修整包括执行干法蚀刻过程；以及
所述干法蚀刻过程的执行包括将所述陷阱区域内的所述压电层的所述第二部分暴露于气体。
26.一种表面声波滤波器，包括：
电极结构，设置在第一区域和第二区域内，所述电极结构具有多个间隙，所述第一区域跨第一(X)轴线延伸并且包括沿着第二(Y)轴线的第一区段，所述第二(Y)轴线垂直于所述第一(X)轴线，所述第二区域跨所述第一(X)轴线延伸并且包括沿着所述第二(Y)轴线的第二区段；
压电层，设置在所述第一区域和所述第二区域内，所述压电层具有平面表面，所述平面表面由所述第一(X)轴线和所述第二(Y)轴线限定，所述压电层包括：
第一部分，支撑所述电极结构；以及
第二部分，通过所述电极结构的所述多个间隙暴露，所述第二部分包括晶体结构；以及
损伤层，跨在所述第二区域内的所述压电层的所述第二部分的表面被设置，所述损坏层包括非晶结构，所述非晶结构与所述晶体结构不同。
27.根据权利要求26所述的表面声波滤波器，其中所述压电层的所述第二部分具有：
在所述第一区域内的第一高度，所述第一高度沿着第三(Z)轴线，所述第三(Z)轴线基本法向于所述平面表面；以及
在所述第二区域内的第二高度，所述第二高度沿着所述第三(Z)轴线并且小于所述第一高度。
28.根据权利要求26所述的表面声波滤波器，其中所述第二区域内的所述电极结构具有比所述第一区域内的所述电极结构更小的高度。
29.根据权利要求26所述的表面声波滤波器，其中所述第二区域内的所述电极结构具有以下各项中的至少一项：
比所述第一区域内的所述电极结构更粗糙的表面；或
比所述第一区域内的所述电极结构更圆的边缘。
30.根据权利要求26所述的表面声波滤波器，其中
所述压电层被配置为沿着所述第一(X)轴线跨所述平面表面传播声波；
所述第一区域包括有源轨迹区域，所述有源轨迹区域被配置为使得所述声波在所述有源轨迹区域内具有第一速度；以及
所述第二区域包括陷阱区域，所述陷阱区域被配置为使得所述声波在所述陷阱区域内具有第二速度，所述第二速度低于所述第一速度。
CN202280018781.XA 2021-03-29 2022-03-10 位置选择性压电层修整 Pending CN116918253A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/215,901 US12040774B2 (en) 2021-03-29 Site-selective piezoelectric-layer trimming
US17/215,901 2021-03-29
PCT/EP2022/056131 WO2022207266A1 (en) 2021-03-29 2022-03-10 Site-selective piezoelectric-layer trimming

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116918253A true CN116918253A (zh) 2023-10-20

Family

ID=80999345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280018781.XA Pending CN116918253A (zh) 2021-03-29 2022-03-10 位置选择性压电层修整

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP4315604A1 (zh)
CN (1) CN116918253A (zh)
WO (1) WO2022207266A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5989524B2 (ja) * 2012-11-30 2016-09-07 京セラ株式会社 弾性波素子、分波器および通信モジュール
WO2017086004A1 (ja) * 2015-11-17 2017-05-26 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP7176622B2 (ja) * 2019-04-12 2022-11-22 株式会社村田製作所 弾性波装置
DE102019119762A1 (de) * 2019-07-22 2021-01-28 RF360 Europe GmbH Elektroakustischer Resonator mit reduzierten Störmoden, HF-Filter und Multiplexer

Also Published As

Publication number Publication date
EP4315604A1 (en) 2024-02-07
WO2022207266A1 (en) 2022-10-06
US20220311409A1 (en) 2022-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210344322A1 (en) Surface acoustic wave electroacoustic device for reduced transversal modes
CN116034543A (zh) 使用铌酸锂的薄膜表面声波滤波器
US20210376812A1 (en) Surface acoustic wave electroacoustic device for reduced transversal modes
CN116918253A (zh) 位置选择性压电层修整
US12040774B2 (en) Site-selective piezoelectric-layer trimming
US11621695B2 (en) Cascaded surface acoustic wave devices with apodized interdigital transducers
US20230402989A1 (en) Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter with Dielectric Material Disposed in a Piezoelectric Layer
US20230261641A1 (en) Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter with an Electrical Conductor Having a Floating Potential
US20240097646A1 (en) Electroacoustic resonator
US20230361757A1 (en) Partially Suspending a Piezoelectric Layer Using a Dielectric
US20240204747A1 (en) Double-Mode Surface-Acoustic-Wave (DMS) Filter Having A Transition Region with A Partly Uniform Geometric Property
US20230402995A1 (en) Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter for Suppressing Intermodulation Distortion
US20230268907A1 (en) Suspending an Electrode Structure Using a Dielectric
US20240088871A1 (en) Microacoustic Filter with a Cavity Stack
US20240039512A1 (en) Twin Double-Mode Surface-Acoustic-Wave (DMS) Filters with Opposite Polarities and a Geometric Offset
US20230084491A1 (en) Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter with a Compensation Layer Having Multiple Densities
US12040775B2 (en) Surface acoustic wave electroacoustic device using gap grating for reduced transversal modes
US20210344323A1 (en) Surface acoustic wave electroacoustic device using gap grating for reduced transversal modes
US20230261636A1 (en) Optimization of surface acoustic wave (saw) resonators with resonance frequency at upper stopband edge for filter design
US20220345828A1 (en) Etch stop and protection layer for capacitor processing in electroacoustic devices
US20230223918A1 (en) Surface acoustic wave (saw) device with one or more intermediate layers for self-heating improvement
US20190334502A1 (en) Surface acoustic wave (saw) device structure with fast trap region

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination