CN116909092B - 惯性传感器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种惯性传感器及其制作方法，包括：形成具有环形开口部、固定部和第一止挡结构的顶盖体，形成覆盖环形开口部、固定部和第一止挡结构的氧化层，提供器件结构层，将器件结构层与顶盖体之间通过氧化层键合，刻蚀器件结构层以形成器件结构，器件结构上形成有第一镂空结构，顶盖体的第一止挡结构与器件结构的第一镂空结构通过所述氧化层连接固定，通过第一镂空结构处对覆盖于第一止挡结构的端面的氧化层进行刻蚀，以在第一止挡结构与可动质量块之间形成间隙，从而完美的实现了通过硅氧键合也能够在顶盖体面向器件结构的一侧制作第一止挡结构，并且该第一止挡结构的存在不会影响到可动质量块的正常活动。

Description

惯性传感器及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种传感器技术领域，更为具体的说涉及惯性传感器及其制作方法。

背景技术

Z轴电容式加速度传感器采用偏心翘板结构实现。在无外界信号时，运动极板与固定极板相对静止，翘板两边无电容变化，当对Z方向施加加速度信号时，运动极板发生扭转，翘板两边的运动极板相对固定极板的运动方向相反，此时翘板两边的电容发生变化，可根据差动电容计算运动极板的位移量。

通常情况下，Z轴质量块的偏心结构导致Z质量块在正常工作下质量较大的一侧偏转距离较大，遇到大冲击时极易发生极板粘连失效，对系统的可靠性产生影响。

图1为现有技术下的Z轴偏心翘板结构主视方向的剖视图。

如图1所示，现有技术主要通过将具有空腔的顶盖体100’与活动层200’硅氧键合后，再与衬底硅300’及连接的结构金属键合形成，其中顶盖体100’要先将部分区域的结构去除，以提供给活动层200’中的可动质量块在Z轴方向上的运动位置，避免在硅氧键合中与活动层200’固定，影响可动质量块的运动。

基于现有技术，若在顶盖体100’的空腔区域保留与刻蚀深度相同的止挡结构，其势必会与活动层200’中的可动质量块相连，导致可动质量块无法运动，影响芯片的正常使用；而若在加工过程中去除止挡结构处的氧化硅，则又会增加制作成本。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中质量块在顶盖方向上无限位结构导致容易发生极板粘连失效的问题，提供一种惯性传感器及其制作方法。

本发明的目的采用以下技术方案实现：

根据本发明的一方面，提供一种惯性传感器的制作方法，所述制作方法包括：

提供盖体晶圆，并对其进行刻蚀以形成具有环形开口部、固定部和第一止挡结构的顶盖体，并在所述顶盖体的具有所述环形开口部的一侧表面形成覆盖所述环形开口部、所述固定部和所述第一止挡结构的氧化层；

提供器件结构层，将所述器件结构层与所述顶盖体之间通过所述氧化层键合；

刻蚀所述器件结构层以形成器件结构，所述器件结构包括可动质量块和支持部，所述可动质量块上形成有第一镂空结构，所述支持部环绕所述可动质量块设置，其中，所述顶盖体的所述环形开口部与所述器件结构的支持部通过所述氧化层连接固定，所述顶盖体的所述第一止挡结构与所述第一镂空结构通过所述氧化层连接固定；

通过所述第一镂空结构处对覆盖于所述第一止挡结构的端面的所述氧化层进行刻蚀，以在所述第一止挡结构与所述可动质量块之间形成间隙。

进一步地，所述提供盖体晶圆，并对其进行刻蚀，以形成具有环形开口部、固定部和第一止挡结构的顶盖体包括：

形成的所述顶盖体的所述环形开口部、所述固定部以及所述第一止挡结构三者的端面齐平。

进一步地，所述第一止挡结构包括至少一个凸块。

进一步地，所述第一镂空结构设置在所述可动质量块的非有效电极区域。

可选地，所述第一镂空结构为网状镂空结构或者孔洞结构。

进一步地，所述第一镂空结构的单位空缺面积大于或者等于其所占区域面积的30%。

进一步地，所述可动质量块上设置有第二镂空结构，所述可动质量块包括中心锚点，所述中心锚点位于所述第二镂空结构内，所述第一镂空结构和所述第二镂空结构是采用同一掩模版工艺制作形成。

进一步地，所述通过所述第一镂空结构处对覆盖于所述第一止挡结构端面的所述氧化层进行刻蚀，以在所述第一止挡结构与所述器件结构之间形成间隙包括：

通过所述第一镂空结构利用溶液释放法将覆盖于所述第一止挡结构的端面的所述氧化层刻蚀掉，得到所述间隙。

进一步地，所述制作方法还包括：

提供具有导电电极的衬底，将完成键合后的所述顶盖体以及所述器件结构与所述衬底固定连接。

进一步地，所述器件结构的材料为单晶硅或者多晶硅；所述顶盖体的材料为单晶硅。

根据本发明的又一方面，提供一种惯性传感器，包括：

衬底，所述衬底上设置有导电电极层；

器件结构，所述器件结构位于所述衬底的一侧之上，所述器件结构包括可动质量块和支持部，所述支持部环绕所述可动质量块设置，所述支持部通过键合结构与所述衬底固定连接，所述可动质量块上设置有第一镂空结构；

顶盖体，所述顶盖体位于所述器件结构背离所述衬底的一侧，所述顶盖体具有环形开口部、固定部以及第一止挡结构，所述顶盖体的所述环形开口部与所述器件结构的所述支持部通过氧化层键合、并且所述顶盖体的所述固定部与所述器件结构的所述可动质量块通过氧化层键合；

其中，在所述器件结构的厚度方向上，所述第一镂空结构与所述第一止挡结构的投影交叠，并且所述第一止挡结构的朝向所述器件结构一侧端面的氧化层缺失，以使所述第一止挡结构与所述器件结构的可动质量块之间具有间隙。

进一步地，所述第一止挡结构包括至少一个凸柱。

进一步地，所述第一止挡结构与所述环形开口部以及所述固定部一体成型设置。

进一步地，所述第一镂空结构设置在所述可动质量块的非有效电极区域上。

进一步地，所述第一镂空结构的单位空缺面积大于或者等于其所占区域面积的30%。

进一步地，所述器件结构的材料为单晶硅或者多晶硅；所述顶盖体的材料为单晶硅。

采用本发明实施例提供的惯性传感器及其制作方法，为了改善质量较大的质量单元与其他结构发生粘连的现象，相比于常用技术，完美的实现了通过硅氧键合也能够在顶盖体面向器件结构的一侧制作第一止挡结构，并且该第一止挡结构的存在不会影响到可动质量块的正常活动，而且利用器件结构上事先制作形成的第一镂空结构将覆盖于第一止挡结构的端面的氧化层的进行去除，也无需额外制作光刻掩模版，简化了惯性传感器的制作工艺流程。

进一步地，所述第一镂空结构设置在所述可动质量块的非有效电极区域，其中，所述第一镂空结构的单位空缺面积大于或者等于其所占区域面积的30%；从而便于通过所述第一镂空结构利用溶液释放法将覆盖于所述第一止挡结构的端面的所述氧化层刻蚀掉，得到所述间隙。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施方式。

图1为现有技术下的Z轴偏心翘板结构主视方向的剖视图。

图2是本发明实施例所提供的惯性传感器的制作方法的制作流程示意图。

图3A是根据本发明实施例所提供的盖体晶圆的制造工序示意图。

图3B是对图3A中的盖体晶圆进行刻蚀以形成顶盖体的制造工序示意图。

图3C是在图3B中的顶盖体上形成氧化层的制造工序示意图。

图3D是根据本发明实施例所提供的器件结构层与顶盖体之间键合连接的制造工序示意图。

图3E是根据本发明实施例所形成的器件结构的俯视结构示意图。

图3F是根据本发明实施例所提供的器件结构和顶盖体的沿图3E中A-A’方向的剖视结构示意图。

图3G是根据本发明实施例所提供的通过第一镂空结构去除第一止挡结构朝向所述器件结构端面的氧化层以得到间隙的制造工序示意图。

图3H是根据本发明实施例所提供的将完成键合后的顶盖体以及器件结构与衬底固定连接的制造工序示意图。

图4A是图3E中所提供的器件结构上设置第一镂空结构的俯视结构示例一。

图4B是图3E中所提供的器件结构上设置第一镂空结构的俯视结构示例二。

具体实施方式

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“深度”将用于表示本发明实施例中的压力传感器的每个组成元件的延伸沿着笛卡尔参考系统XYZ的第一轴Z的方向，术语“长度”和“宽度”分别表示本发明实施例中的压力传感器的每个组成元件的延伸沿着笛卡尔坐标系XYZ的第二轴X和第三轴Y的方向。术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。在涉及方法步骤时，本文图示的先后顺序代表了一种示例性的方案，但不表示对先后顺序的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

为使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

实施例一

图2是本发明实施例所提供的惯性传感器的制作方法的制作流程示意图。

请参阅图2，本发明实施例提供一种惯性传感器的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：

步骤S10，提供盖体晶圆，并对其进行刻蚀以形成具有环形开口部、固定部和第一止挡结构的顶盖体，并在所述顶盖体的具有所述环形开口部的一侧表面形成覆盖所述环形开口部、所述固定部和所述第一止挡结构的氧化层；

步骤S20，提供器件结构层，将所述器件结构层与所述顶盖体之间通过所述氧化层键合；

步骤S30，刻蚀所述器件结构层以形成器件结构，所述器件结构包括可动质量块和支持部，所述可动质量块上形成有第一镂空结构，所述支持部环绕所述可动质量块设置，其中，所述顶盖体的所述环形开口部与所述器件结构的支持部通过所述氧化层连接固定，所述顶盖体的所述第一止挡结构与所述第一镂空结构通过所述氧化层连接固定；

步骤S40，通过所述第一镂空结构处对覆盖于所述第一止挡结构的端面的所述氧化层进行刻蚀，以在所述第一止挡结构与所述可动质量块之间形成间隙。

图3A-图3H是根据本发明实施例提供的惯性传感器的制作方法的制造工序示意图。

具体地，图3A是根据本发明实施例所提供的盖体晶圆的制造工序示意图。图3B是对图3A中的盖体晶圆进行刻蚀以形成顶盖体的制造工序示意图。图3C是在图3B中的顶盖体上形成氧化层的制造工序示意图。图3D是根据本发明实施例所提供的器件结构层与顶盖体之间键合连接的制造工序示意图。图3E是根据本发明实施例所形成的器件结构的俯视结构示意图。图3F是根据本发明实施例所提供的器件结构和顶盖体的沿图3E中A-A’方向的剖视结构示意图。图3G是根据本发明实施例所提供的通过第一镂空结构去除第一止挡结构朝向所述器件结构端面的氧化层以得到间隙的制造工序示意图。图3H是根据本发明实施例所提供的将完成键合后的顶盖体以及器件结构与衬底固定连接的制造工序示意图。

以下将结合图3A-图3H具体描述步骤S10至S40。

示例性地，如图3A-图3B所示，提供盖体晶圆1000，并从所述盖体晶圆1000的一侧通过光刻工艺刻蚀对其进行刻蚀，以形成具有环形开口部102、固定部110和第一止挡结构510的顶盖体100。在本发明实施例中，所述第一止挡结构510包括至少一个凸块。在本发明实施例中，所述顶盖体100的材料例如为单晶硅，盖体晶圆1000为硅晶圆。

如图3C所示，在所述顶盖体100的具有所述环形开口部102的一侧表面形成覆盖所述环形开口部102、所述固定部110和所述第一止挡结构510的氧化层105。示例性地，该氧化层105例如是SiO2等键合材料，以便于接下来与器件结构之间进行Si-O键合。

如图3D所示，提供器件结构层2000，示例性地，所述器件结构层2000的材料例如为单晶硅或者多晶硅。将所述器件结构层2000与所述顶盖体100之间通过所述氧化层105键合。

如图3E所示，对所述器件结构层进行刻蚀，以形成器件结构200，所述器件结构200包括可动质量块203和支持部201，所述支持部201环绕所述可动质量块203设置，所述可动质量块203上形成有第一镂空结构218，其中，所述顶盖体100的所述环形开口部102与所述器件结构200的支持部201通过所述氧化层105连接固定，所述顶盖体100的所述第一止挡结构510与所述第一镂空结构218通过所述氧化层105连接固定。

具体地，所述器件结构200包括可动质量块203以及用于固定所述可动质量块203的中心锚点220，所述器件结构200上还形成有第二镂空结构219，所述中心锚点220位于所述第二镂空结构219内，所述中心锚点220的通过位于其两侧的弹性梁230与可动质量块203连接。在本发明实施例中，为了减少制作工艺流程，所述第一镂空结构218和所述第二镂空结构219是采用同一掩模版工艺制作形成。

示例性地，所述可动质量块包括第一质量单元211和第二质量单元212，所述第一质量单元211和所述第二质量单元212分别位于所述中心锚点220的两侧。在一些实施例中，所述第一质量单元211的质量大于所述第二质量单元212的质量，所述第一质量单元211包括靠近所述中心锚点220的第一有效电极区域211A和远离所述中心锚点220的第一非有效电极区域211B，所述第二质量单元212包括第二有效电极区域212A，第一镂空结构218位于第一非有效电极区域211B上。

如图3F所示，其中，所述顶盖体100的所述环形开口部102与所述器件结构200的支持部201通过所述氧化层105连接固定，所述顶盖体100的所述第一止挡结构510与所述第一镂空结构218通过所述氧化层105连接固定。

在本发明实施例中，除了固定部110与器件结构200的中心锚点220键合固定，第一止挡结构510与器件结构200的第一镂空结构218之间也会通过氧化层105键合固定，故，在一定程度上增加了可动质量块203的支撑点，从而提高了可动质量块203在初始平衡位置的稳定性。后续通过第一镂空结构218的位置再将第一止挡结构510朝向器件结构200一侧端面的氧化层105进行去除，以在第一止挡结构510与器件结构200之间形成间隙，使得器件结构200的可动质量块203能够在感测轴方向（例如Z方向）上正常活动，从而完美的实现了通过硅氧键合也能够在顶盖体面向器件结构的一侧制作第一止挡结构，并且该第一止挡结构的存在不会影响到可动质量块的正常活动。

示例性地，如图3G所示，在完成键合后的所述顶盖体100以及所述器件结构200上，通过所述第一镂空结构218处对覆盖于所述第一止挡结构510的端面的所述氧化层105进行刻蚀，以在所述第一止挡结构510与所述器件结构200之间形成间隙d。

采用本发明实施例提供的制作方法，相比于常用技术中，完美的实现了通过硅氧键合也能够在顶盖体面向器件结构的一侧制作第一止挡结构，并且该第一止挡结构的存在不会影响到可动质量块的正常活动，而且利用器件结构上事先制作形成的第一镂空结构将覆盖于第一止挡结构的端面的氧化层的进行去除，也无需额外制作光刻掩模版，简化了惯性传感器的制作工艺流程。

进一步地，为了提高器件结构的可动质量块键合的稳定性，在本发明实施例中，所述提供盖体晶圆，并对其进行刻蚀，以形成具有环形开口部、固定部和第一止挡结构的顶盖体包括：形成的所述顶盖体100的所述环形开口部102、所述固定部110以及所述第一止挡结构510三者的端面齐平，以便于后续所述环形开口部102、所述固定部110以及所述第一止挡结构510分别与器件结构层2000对应的区域键合固定，在器件结构层2000刻蚀形成器件结构的过程中，实现对器件结构200的多个支撑点的支撑固定。

可选地，如图4A和图4B所示，所述第一镂空结构218为网状镂空结构或者孔洞结构。示例性地，在该网状镂空结构中，以空白框为中心，保证单位空缺面积大于或者等于其所占区域面积在30%以上。

进一步地，所述通过所述第一镂空结构处对覆盖于所述第一止挡结构端面的所述氧化层进行刻蚀，以在所述第一止挡结构与所述器件结构之间形成间隙包括：

通过所述第一镂空结构218利用溶液释放法将覆盖于所述第一止挡结构510的端面的所述氧化层105刻蚀掉，得到所述间隙。从而不会对可动质量块的正常活动造成影响，并且第一止挡结构510的存在，能够显著改善惯性传感器在遇到大冲击时第一非有效电极区域与其他结构发生粘连的问题。

进一步地，如图3H所示，所述制作方法还包括：提供具有导电电极的衬底300，将完成键合后的所述顶盖体100以及所述器件结构200与所述衬底300固定连接。

具体地，所述衬底300上设置有与可动质量块对应设置的导电电极层340，所述导电电极层340包括第一固定电极341、第二固定电极342，将完成键合后的所述顶盖体100以及所述器件结构200翻转180度后与所述衬底300键合固定。此时，所述第一固定电极341与所述第一有效电极区域211A相对且间隔设置，以构成第一电容；所述第二固定电极342与所述第二有效电极区域212A对应设置，以构成第二电容。在测量Z轴加速度时，通过侦测第一电容与第二电容之间的电容值的变化，可根据差动电容计算第一质量单元和第二质量单元的位移量。应理解的是，在本发明实施例中，所述第一镂空结构218设置在所述可动质量块203的第一非有效电极区域211B，从而不占用有效电极区域的面积，不会对第一电容的大小产生任何影响。

在测量Z轴加速度时，第一质量单元211和第二质量单元212相对于中心锚点220在Z轴方向上偏转，第一质量单元211和第二质量单元212的转动方向相反，由于并且第一质量单元211的质量大于第二质量单元212的质量，且第一质量单元211的几何中心到中心锚点220的距离大于第二质量单元212的几何中心到中心锚点220的距离（也即，所述可动质量块关于第一方向（例如X方向）呈偏心设置），因此，第一质量单元211的边缘的偏转距离大于第二质量单元212的边缘的偏转距离。由于第一有效电极区域211A靠近中心锚点220，第一非有效电极区域211B远离中心锚点220，因此，第一非有效电极区域211B的偏转距离大于第一有效电极区域211A的偏转距离；由于顶盖体与器件结构之间具有第一止挡结构510，并且该第一止挡结构510与第一非有效电极区域211B之间具有预设尺寸的间隙，故能够防止质量较大的第一质量单元211在Z轴方向发生较大范围的运动，因此，采用本发明实施例的技术方案，能够显著改善惯性传感器在遇到大的冲击时第一非有效电极区域与其他结构发生粘连的问题。

实施例二

根据本发明的又一方面，提供一种惯性传感器。

结合图3E和图3H所示，所述惯性传感器包括：

衬底300，所述衬底300上设置有导电电极层340；

器件结构200，所述器件结构200位于所述衬底300的一侧之上，所述器件结构200包括可动质量块203和支持部201，所述支持部201环绕所述可动质量块203设置，所述支持部201通过键合结构与所述衬底300固定连接，所述可动质量块203上设置有第一镂空结构218；

顶盖体100，所述顶盖体100位于所述器件结构200背离所述衬底300的一侧，所述顶盖体100具有环形开口部102、固定部110以及第一止挡结构510，所述顶盖体100的所述环形开口部102与所述器件结构200的所述支持部201通过氧化层105键合、并且所述顶盖体100的所述固定部110与所述器件结构200的所述可动质量块203通过氧化层105键合；

其中，在所述器件结构200的厚度方向上，所述第一镂空结构218与所述第一止挡结构510的投影交叠，并且所述第一止挡结构510的朝向所述器件结构200一侧端面的氧化层缺失，以使所述第一止挡结构510与所述器件结构200的可动质量块203之间具有间隙。

示例性地，在本实施例中，所述器件结构200为MEMS（Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统）结构，其中，MEMS结构包括可动质量块以及用于固定所述可动质量块的中心锚点220，所述可动质量块上设置有第一镂空结构218和第二镂空结构219，所述中心锚点220位于所述可动质量块的第二镂空结构219内，所述中心锚点220的通过位于其两侧的弹性梁230与所述可动质量块连接。

示例性地，所述第一止挡结构510包括至少一个凸柱。

示例性地，所述器件结构200的材料为单晶硅或者多晶硅；所述顶盖体100的材料为单晶硅。所述第一止挡结构510与所述环形开口部102以及所述固定部110一体成型设置，也即，可通过对盖体晶圆刻蚀直接得到具有环形开口部102、固定部110以及第一止挡结构510的顶盖体100，并且所述环形开口部102、所述固定部110以及所述第一止挡结构510朝向所述器件结构200一侧的端面齐平。

进一步地，所述第一镂空结构218设置在所述可动质量块203的非有效电极区域211B上。

可选地，如图4A和图4B所示，所述第一镂空结构218为网状镂空结构或者孔洞结构。示例性地，在该网状镂空结构中，以空白框为中心，保证单位空缺面积大于或者等于其所占区域面积在30%以上，从而便于通过所述第一镂空结构利用溶液释放法将覆盖于所述第一止挡结构的端面的所述氧化层刻蚀掉，得到所述间隙。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (16)

1.一种惯性传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供盖体晶圆（1000），并对其进行刻蚀以形成具有环形开口部（102）、固定部（110）和第一止挡结构（510）的顶盖体（100），并在所述顶盖体（100）的具有所述环形开口部（102）的一侧表面形成覆盖所述环形开口部（102）、所述固定部（110）和所述第一止挡结构（510）的氧化层（105）；

提供器件结构层（2000），将所述器件结构层（2000）与所述顶盖体（100）之间通过所述氧化层（105）键合；

刻蚀所述器件结构层（2000）以形成器件结构（200），所述器件结构（200）包括可动质量块（203）和支持部（201），所述可动质量块（203）上形成有第一镂空结构（218），所述支持部（201）环绕所述可动质量块（203）设置，其中，所述顶盖体（100）的所述环形开口部（102）与所述器件结构（200）的支持部（201）通过所述氧化层（105）连接固定，所述顶盖体（100）的所述第一止挡结构（510）与所述第一镂空结构（218）通过所述氧化层（105）连接固定；

通过所述第一镂空结构（218）处对覆盖于所述第一止挡结构（510）的端面的所述氧化层（105）进行刻蚀，以在所述第一止挡结构（510）与所述可动质量块（203）之间形成间隙；

提供具有导电电极的衬底（300），将完成键合后的所述顶盖体（100）以及所述器件结构（200）与所述衬底（300）固定连接。

2.如权利要求1所述的惯性传感器的制作方法，其特征在于，所述提供盖体晶圆，并对其进行刻蚀，以形成具有环形开口部、固定部和第一止挡结构的顶盖体包括：

形成的所述顶盖体（100）的所述环形开口部（102）、所述固定部（110）以及所述第一止挡结构（510）三者的端面齐平。

3.如权利要求1所述的惯性传感器的制作方法，其特征在于，

所述第一止挡结构（510）包括至少一个凸块。

4.如权利要求1所述的惯性传感器的制作方法，其特征在于，

所述第一镂空结构（218）设置在所述可动质量块（203）的非有效电极区域。

5.如权利要求4所述的惯性传感器的制作方法，其特征在于，

所述第一镂空结构（218）为网状镂空结构或者孔洞结构。

6.如权利要求5所述的惯性传感器的制作方法，其特征在于，

所述第一镂空结构（218）的单位空缺面积大于或者等于其所占区域面积的30%。

7.如权利要求5所述的惯性传感器的制作方法，其特征在于，

所述可动质量块（203）上设置有第二镂空结构（219），所述可动质量块（203）包括中心锚点（220），所述中心锚点（220）位于所述第二镂空结构（219）内，所述第一镂空结构（218）和所述第二镂空结构（219）是采用同一掩模版工艺制作形成。

8.如权利要求6所述的惯性传感器的制作方法，其特征在于，所述通过所述第一镂空结构处对覆盖于所述第一止挡结构端面的所述氧化层进行刻蚀，以在所述第一止挡结构与所述器件结构之间形成间隙包括：

通过所述第一镂空结构（218）利用溶液释放法将覆盖于所述第一止挡结构（510）的端面的所述氧化层（105）刻蚀掉，得到所述间隙。

9.如权利要求1所述的惯性传感器的制作方法，其特征在于，

所述器件结构（200）的材料为单晶硅或者多晶硅；

所述顶盖体（100）的材料为单晶硅。

10.一种惯性传感器，其特征在于，包括：

衬底（300），所述衬底上设置有导电电极层（340）；

器件结构（200），所述器件结构（200）位于所述衬底（300）的一侧之上，所述器件结构（200）包括可动质量块（203）和支持部（201），所述支持部（201）环绕所述可动质量块（203）设置，所述支持部（201）通过键合结构与所述衬底（300）固定连接，所述可动质量块（203）上设置有第一镂空结构（218）；

顶盖体（100），所述顶盖体（100）位于所述器件结构（200）背离所述衬底（300）的一侧，所述顶盖体（100）具有环形开口部（102）、固定部（110）以及第一止挡结构（510），所述顶盖体（100）的所述环形开口部（102）与所述器件结构（200）的所述支持部（201）通过氧化层（105）键合、并且所述顶盖体（100）的所述固定部（110）与所述器件结构（200）的所述可动质量块（203）通过氧化层（105）键合；

其中，在所述器件结构（200）的厚度方向上，所述第一镂空结构（218）与所述第一止挡结构（510）的投影交叠，并且所述第一止挡结构（510）的朝向所述器件结构（200）一侧端面的氧化层缺失，以使所述第一止挡结构（510）与所述器件结构（200）的可动质量块（203）之间具有间隙。

11.如权利要求10所述的惯性传感器，其特征在于，

所述第一止挡结构（510）包括至少一个凸柱。

12.如权利要求10所述的惯性传感器，其特征在于，

所述第一止挡结构（510）与所述环形开口部（102）以及所述固定部（110）一体成型设置。

13.如权利要求10所述的惯性传感器，其特征在于，

所述第一镂空结构（218）设置在所述可动质量块（203）的非有效电极区域上。

14.如权利要求13所述的惯性传感器，其特征在于，

所述第一镂空结构（218）为网状镂空结构或者孔洞结构。

15.如权利要求14所述的惯性传感器，其特征在于，

所述第一镂空结构（218）的单位空缺面积大于或者等于其所占区域面积的30%。

16.如权利要求10所述的惯性传感器，其特征在于，

所述器件结构（200）的材料为单晶硅或者多晶硅；

所述顶盖体（100）的材料为单晶硅。