CN116897221A - 用于改良的处理腔室沉积和蚀刻均匀性的线圈 - Google Patents
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Abstract
本案提供了用于处理腔室中的线圈的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室中的线圈包括：线圈主体，该线圈主体具有第一端部和相对的第二端部，该第二端部经由中部部分耦接到该第一端部，该线圈主体具有环形形状，其中该第一端部和该第二端部彼此相邻设置且间隔开一间隙，该间隙在该环形形状中形成不连续部，其中该第一端部和该第二端部中的至少一个具有大于该中部部分的高度的高度；及多个集线器，该多个集线器耦接到该线圈主体的外侧壁且被配置成利于将该线圈耦接到该处理腔室，其中该多个集线器中的一集线器耦接到该第一端部和该第二端部中的各者，且该多个集线器中的该集线器被配置成将该线圈耦接到电源。
Description
技术领域
本揭示案的实施方式大体涉及基板处理设备。
背景技术
半导体工业中亚半微米或更小的特征的制造仰赖于各种处理设备，如处理腔室，例如物理气相沉积(PVD)腔室、化学气相沉积(CVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、蚀刻腔室及类似腔室。处理腔室可使用设置在靶和处理腔室的基板支撑件之间的线圈来维持处理腔室中的等离子体。然而，发明人已经观察到线圈的几何形状可能导致在处理腔室中正在处理的基板上的不对称材料沉积或材料蚀刻。
因此，发明人提供了有助于改善处理腔室中的处理均匀性的改良线圈。
发明内容
本案提供了用于处理腔室中的线圈的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室中的线圈包括：线圈主体，该线圈主体具有第一端部和相对的第二端部，该第二端部经由中部部分耦接到该第一端部，该线圈主体具有环形形状，其中该第一端部和该第二端部彼此相邻设置且间隔开一间隙，该间隙在该环形形状中形成不连续部，其中该第一端部和该第二端部中的至少一个具有大于该中部部分的高度的高度；及多个集线器(hub)，该多个集线器耦接到该线圈主体的外侧壁且被配置成利于将该线圈耦接到该处理腔室，其中该多个集线器中的一集线器耦接到该第一端部和该第二端部中的各者，且该多个集线器中的该集线器被配置成将该线圈耦接到电源。
在一些实施方式中，一种用于处理腔室中的线圈包括：线圈主体，该线圈主体具有第一端部和相对的第二端部，该第二端部经由中部部分耦接到该第一端部，该线圈主体具有环形形状，其中该第一端部和该第二端部彼此相邻设置且间隔开一间隙，该间隙在该环形形状中形成不连续部，其中该第一端部和该第二端部中的至少一个具有大于该中部部分的高度的高度，且其中该第一端部和该第二端部一起绕该线圈主体的中心跨越小于180度，且该中部部分绕该线圈主体的该中心跨越大于180度；及多个集线器，该多个集线器耦接到该线圈主体的外侧壁且被配置成利于将该线圈耦接到该处理腔室，其中该多个集线器中的一集线器耦接到该第一端部和该第二端部中的各者，且该多个集线器中的该集线器被配置成将该线圈耦接到电源。
在一些实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体，该腔室主体中具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置在内部空间中；靶，该靶设置在内部空间中且与基板支撑件相对；及线圈，该线圈设置在内部空间中且在靶和基板支撑件之间，其中该线圈包含：线圈主体，该线圈主体具有第一端部和相对的第二端部，该第二端部经由中部部分耦接到该第一端部，该线圈主体具有环形形状，其中该第一端部和该第二端部彼此相邻设置且间隔开一间隙，该间隙在该环形形状中形成不连续部，其中该第一端部和该第二端部中的至少一个具有大于该中部部分的高度的高度；及多个集线器，该多个集线器耦接到该线圈主体的外侧壁且被配置成利于将该线圈耦接到该处理腔室，其中该多个集线器中的一集线器耦接到该第一端部和该第二端部中的各者，且该多个集线器中的该集线器被配置成将该线圈耦接到电源。
下面描述本揭示案的其他和进一步的实施方式。
附图说明
本揭示案的实施方式已简要概述于前，并在以下有更详尽的讨论，可以通过参考附图中绘示的本揭示案的示例性实施方式了解本揭示案的实施方式。然而，附图仅绘示了本揭示案的典型实施方式且因此不应视为范围的限制，因为本揭示案可允许其他等效的实施方式。
图1A绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的处理腔室的示意性截面图。
图1B绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈和处理腔室的内屏蔽件之间的界面的特写截面图。
图2A绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的等距视图。
图2B绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的俯视图。
图2C绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的左侧视图。
图2D绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的前视图。
图2E绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的一部分的截面图。
图3A绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的等距视图。
图3B绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的俯视图。
图3C绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的左侧视图。
图3D绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的前视图。
图3E绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的一部分的截面图。
图4绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈的等距视图。
为便于理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记代表图中共有的相同的元件。附图未依比例绘示且可能为了清楚而被简化。一个实施方式中的元件与特征可有利地用于其他实施方式中而无需赘述。
具体实施方式
本案提供了用于处理腔室中的线圈的实施方式。本案提供的线圈的实施方式具有有利地促进在处理腔室内正在处理的基板表面上的均匀沉积或蚀刻的几何形状。例如，线圈的高度在与基板上较少沉积或较低蚀刻速率的区域相对应的位置处可更大。在对应于较少沉积或较低蚀刻速率的区域的位置处，在线圈的中心水平平面下方、上方、或下方和上方具有额外材料，使得线圈的高度可更大。
图1A绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的处理腔室101的示意性截面图。处理腔室101可以是PVD腔室或任何其他合适的沉积或蚀刻腔室。处理腔室101具有主体105，主体105包括侧壁102、底部103和封闭内部空间106的盖件104。基板支撑件(如基座108)设置在处理腔室101的内部空间106中。基板移送端口109形成在侧壁102中，以用于将基板移送进出内部空间106。
盖件104可支撑溅射源，如靶114。靶114通常提供将沉积在基板118中的材料源。靶114主要由金属组成，例如钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、钌(Ru)、铌(Nb)、它们的合金、它们的组合或类似物。在一些实施方式中，靶114是至少约99.9％的金属，例如钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、钌(Ru)或铌(Nb)。
靶114可耦接到DC源功率组件116。磁控管119可与靶114相邻耦接。磁控管119组件的实例包括电磁线性磁控管、蛇形磁控管、螺旋磁控管、双指型磁控管、矩形螺旋磁控管等。或者，可将强力磁体放置在靶114附近。磁体可以是稀土磁体，如钕或用于产生强磁场的其他合适材料。磁控管119可被配置成限制等离子体以及沿着靶114分配等离子体的浓度。
气体源113耦接到处理腔室101以将处理气体供应到内部空间106中。在一些实施方式中，处理气体可包括一种或多种惰性气体或反应气体。可由气体源113提供的处理气体的实例包括但不限于氩气(Ar)、氦气(He)、氖气(Ne)、氮气(N2)、氧气(O2)、水蒸气(H2O)或类似物。
泵送装置112耦接到处理腔室101而与内部空间106连通以控制内部空间106的压力。在一些实施方式中，处理腔室101的压力可维持在约1托(Torr)或更低。在一些实施方式中，处理腔室101内的压力可维持在约500毫托(millitorr)或更低。在其他实施方式中，处理腔室101内的压力可维持在约1毫托和约300毫托之间。
在一些实施方式中，控制器131耦接到处理腔室101。控制器131包括中央处理单元(CPU)160、存储器168和支持电路162。控制器131用于控制工艺顺序，调节从气体源113进入处理腔室101的气体流量，以及控制靶114的离子轰击。CPU 160可以是可在工业环境中使用的任何形式的通用计算机处理器。软件程序可以储存在存储器168中，如随机存取存储器、只读存储器、软盘或硬盘驱动、或任何其他形式的数字储存器。支持电路162常规地耦接至CPU 160且可包括高速缓存、时钟电路、输入/输出子系统、电源供应及类似物。当CPU 160执行软件程序时，软件程序将CPU 160转换为控制处理腔室101的计算机(控制器131)，使得根据本揭示案的实施方式施行工艺。软件程序亦可由位于处理腔室101远端的第二控制器(未图示)储存和/或执行。
根据需要，额外的RF电源181也可通过基座108耦接到处理腔室101，以在靶114和基座108之间提供偏压功率。在一些实施方式中，RF电源181可向基座108提供功率以在约1MHz和约100MHz之间的频率(如约13.56MHz)为基板118提供偏压(bias)。
基座108可在升高位置和降低位置之间移动，如箭头182所示。在降低位置，基座108的顶表面111可与基板移送端口109对准或刚好在基板移送端口109下方，以利于基板118进入处理腔室101及从处理腔室101移除。顶表面111可具有边缘沉积环136，边缘沉积环136的尺寸适于在其上接收基板118，同时保护基座108免受等离子体和沉积材料的影响。基座108可移动至更靠近靶114的升高位置，以在处理腔室101中处理基板118。当基座108处于升高位置时，盖环126可接合边缘沉积环136。盖环126可防止沉积材料在基板118和基座108之间桥接。当基座108处于降低位置时，盖环126悬挂在基座108和定位在基座108上的基板118上方以允许基板移送。
在基板移送期间，其上具有基板118的机器人叶片(robot blade，未图示)延伸穿过基板移送端口109。升降销(未图示)延伸穿过基座108的顶表面111以从基座108的顶表面111升起基板118，从而允许机器人叶片通过基板118和基座108之间的空间。然后机器人可通过基板移送端口109将基板118运出处理腔室101。基座108和/或升降销的升高和降低可由控制器131控制。
在溅射沉积期间，基板118的温度可通过利用设置在基座108中的热控制器138来控制。基板118可被加热至所需温度以用于处理。在处理之后，可利用设置在基座108中的热控制器138快速冷却基板118。热控制器138控制基板118的温度且可用于在几秒到约一分钟内将基板118的温度从第一温度改变到第二温度。
内屏蔽件150可在内部空间106中定位在靶114和基座108之间。内屏蔽件150可由铝或不锈钢以及其他材料形成。在一些实施方式中，内屏蔽件150由不锈钢形成。可在内屏蔽件150和侧壁102之间形成外屏蔽件195。外屏蔽件195可由铝或不锈钢以及其他材料形成。外屏蔽件195可延伸超过内屏蔽件150并且被配置成当基座108处于降低位置时支撑盖环126。
在一些实施方式中，内屏蔽件150包括径向凸缘123，径向凸缘123的内径大于内屏蔽件150的外径。径向凸缘123相对于内屏蔽件150的内直径表面以约90度或更大的角度从内屏蔽件150延伸。径向凸缘123可以是从内屏蔽件150的表面延伸的圆形脊并且通常适于与设置在基座108上的盖环126中形成的凹槽(recess)匹配。凹槽可以是形成在盖环126中的圆形槽(groove)，其使盖环126相对于基座108的纵向轴置中。
处理腔室101具有线圈170，线圈170在内部空间106中设置在靶114和基座108之间。处理腔室101的线圈170可刚好在内屏蔽件150内部并且定位在基座108上方。在一些实施方式中，与靶114相比，线圈170定位成更靠近基座108。线圈170可由成分与靶114相似的材料形成，如上面讨论的任何材料，以用作次级溅射靶。
在一些实施方式中，线圈170由多个腔室部件(如腔室部件100)从内屏蔽件150支撑，该多个腔室部件可包括线圈间隔件110或由线圈间隔件110组成(见图1B)。线圈间隔件110可将线圈170与内屏蔽件150和其他腔室部件电隔离。线圈170可耦接到电源151。电源151可以是RF电源、DC电源、或RF电源和DC电源两者。电源151可具有穿过处理腔室101的侧壁102、外屏蔽件195、内屏蔽件150和线圈间隔件110的电引线。线圈170包括多个集线器165，多个集线器165用于向线圈170提供电力并将线圈170耦接到内屏蔽件150或另一腔室部件。电引线连接到线圈170上的多个集线器165中的一个或多个集线器，以用于向线圈170供电。多个集线器165中的一个或多个集线器可具有多个绝缘电连接，以用于向线圈170供电。另外，多个集线器165可被配置成与线圈间隔件110界接(interface)并支撑线圈170。在一些实施方式中，电源151向线圈170施加电流以在处理腔室101内感应RF场并将功率耦接到等离子体以用于增加等离子体密度(即反应离子的浓度)。
图1B绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的在线圈170和内屏蔽件150之间的界面的特写截面图。腔室部件100可包括线圈间隔件110。在一些实施方式中，腔室部件100仅包括线圈间隔件110。腔室部件100可以可选地包括至少一个集线器接收器130。紧固件135可用于将集线器接收器130和线圈间隔件110固持在一起以形成腔室部件100。例如，紧固件135可延伸穿过集线器接收器130并进入多个集线器165中的一个集线器中。在一些实施方式中，紧固件135可包括沿着紧固件135的细长轴延伸穿过紧固件135的中心通道175，以防止紧固件135和多个集线器165之间的气穴(air pocket)。
线圈间隔件110具有顶部部分140和底部部分145。底部部分145可靠近内屏蔽件150设置。线圈间隔件110、集线器接收器130和紧固件135可附接在一起以将线圈间隔件110固定到内屏蔽件150。在一些实施方式中，线圈间隔件110的底部部分145设置成靠近在线圈170和内屏蔽件150之间的开口155。线圈间隔件110可有助于维持线圈170和内屏蔽件150之间的开口155以将线圈170与内屏蔽件150电隔离。在一些实施方式中，内屏蔽件150可具有与线圈间隔件110的互补特征相互配合(inter-fit)的特征(未图示)以将线圈间隔件110定位和/或固定到内屏蔽件150。例如，线圈间隔件110可具有螺纹、套圈、锥度或适合于将线圈间隔件110附接到内屏蔽件150的其他结构。
集线器接收器130可用作用于将线圈间隔件110附接到内屏蔽件150的背衬(backing)或结构构件。此外，集线器接收器130或紧固件135可与线圈170的多个集线器165中的一个集线器界接。集线器接收器130可具有接收特征185，接收特征185用于与多个集线器165中的该一个集线器上的相应互补集线器特征180形成接头(joint)或连接。在一些实施方式中，集线器特征180和接收特征185接合以在多个集线器165中的该一个集线器和线圈间隔件110之间形成结构连接以用于支撑线圈170。接收特征185和集线器特征180可以是指状接头、锥形接头或用于在多个集线器165和每个线圈间隔件110之间形成适合支撑线圈170的联接体(union)的其他合适的结构。在一些实施方式中，接收特征185可形成电连接的部分。
一个或多个线圈间隔件110可具有延伸穿过其中的电路径(图1B中未图示)。电路径可被配置成在线圈170上的多个集线器165和电源151之间提供电连接以用于为线圈170供电。或者，线圈间隔件110可不提供电路径，且用于为线圈170供电的电力以另一种方式提供，而不通过线圈间隔件110中的一个线圈间隔件。电路径可以是用于传输电信号的导电路径。或者，电路径可以是在电源151和线圈170的多个集线器165中的一个或多个集线器之间提供电连接的可达性(accessibility)的孔隙或空间。
线圈间隔件110可由金属形成，例如不锈钢。在一些实施方式中，尺寸为35-45微米的不锈钢粉末是合适的前驱物材料，如下文进一步描述。线圈间隔件110可将线圈170与内屏蔽件150电隔离。线圈间隔件110可具有开口190。开口190可被配置成接收多个集线器165中的一个集线器。开口190可设置在顶部部分140中并且朝向底部部分145延伸。在一些实施方式中，开口190具有圆形轮廓并且被配置成接收具有圆形形状的多个集线器165中的一个集线器。在另一个实施方式中，开口190被成形以接收具有互补的相互配合形状的多个集线器165中的一个集线器。
在一些实施方式中，线圈间隔件110包括与轴197和底部部分145对准的基面198。基面198通常延伸横跨过底部部分145。图1B还示出与腔室部件100相邻的外屏蔽件195。虽然未与腔室部件100连接，但外屏蔽件195被示出为与轴197、底部部分145和基面198平行对准。
在一些实施方式中，线圈间隔件110或线圈170中的一者或多者可具有经纹理化的表面以在处理腔室101的操作期间促进粘附并最小化沉积材料的剥落。例如，虽然在图1中不可见，但线圈170可具有纹理化的内侧壁。
图2A至2D分别绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈170的等距视图、俯视图、左侧视图、前视图。线圈170通常包括线圈主体202，该线圈主体202具有第一端部206和相对的第二端部210，第二端部210经由中部部分208耦接到第一端部206。线圈主体202具有环形形状，其中第一端部206和第二端部210彼此相邻设置并且由间隙204分隔开，间隙204在所述环形形状中形成不连续部(discontinuity)。间隙204有利于从第一端部206经由中部部分208到第二端部210的电流路。在一些实施方式中，间隙204的宽度为约0.1英寸至约0.5英寸。在一些实施方式中，间隙204的宽度是实质均匀的。在一些实施方式中，间隙204的宽度从线圈主体202的上表面220到线圈主体202的下表面224变化。在一些实施方式中，上表面220和下表面224具有与间隙204相邻的圆化(rounded)边缘。在一些实施方式中，线圈主体202主要由以下材料组成：钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、钌(Ru)、铌(Nb)、它们的合金、它们的组合或类似材料。在一些实施方式中，线圈主体202主要由与靶114相同的材料组成。
在一些实施方式中，第一端部206和第二端部210一起绕线圈主体202的中心232跨越小于180度。在一些实施方式中，中部部分208具有中部部分跨度234，中部部分跨度234绕线圈主体202的中心232跨越大于180度。在一些实施方式中，中部部分跨度234在约180度至约260度之间。在一些实施方式中，线圈主体202的直径为约14英寸至约16英寸。中部部分208可具有实质均匀的高度。在一些实施方式中，中部部分208可具有一个或多个较高部分，其高度大于中部部分208的其余部分，其中该一个或多个较高部分对应于当中部部分208不包括一个或多个较高部分时具有沉积较少或蚀刻速率较低的区域的基板118的位置。
在一些实施方式中，第一端部206和第二端部210中的至少一个具有大于中部部分208的高度的高度。在一些实施方式中，第一端部206和第二端部210的高度为约2.0英寸至约3.75英寸。在一些实施方式中，第一端部206和第二端部210中的一个具有与中部部分208的高度相似的高度。在一些实施方式中，中部部分的高度为约1.0英寸至约2.5英寸。在一些实施方式中，如图2A至2D所示，第一端部206和第二端部210的高度230为约2.0英寸至约3.0英寸。在一些实施方式中，如图2A至2D所示，中部部分208的高度228为约1.5英寸至约2.5英寸。在一些实施方式中，第一端部206和第二端部210的高度230沿第一端部206和第二端部210为实质固定。
多个集线器165耦接到线圈主体202的外侧壁212并且被配置成有助于将线圈170耦接到处理腔室101。第一端部206和第二端部210中的各者耦接到多个集线器165中的一集线器，该集线器被配置成将线圈170耦接到电源151。例如，多个集线器165中的第一集线器250可在间隙204附近耦接到第一端部206，且多个集线器165中的第二集线器260可在间隙204附近耦接到第二端部210。在一些实施方式中，第一端部206和第二端部210中的各者包括多个集线器165中的两个集线器。在一些实施方式中，多个集线器165绕线圈主体202的中心232从第一集线器250到第二集线器260以规则的间隔设置。在一些实施方式中，规则间隔包括绕中心232约50至约70度。在一些实施方式中，多个集线器165包括七个集线器。
在一些实施方式中，如图2C所示，多个集线器165沿线圈主体202的中央水平板218定位。在一些实施方式中，多个集线器165沿线圈主体202的水平板定位在中央水平板218和下表面224之间。在一些实施方式中，多个集线器165沿线圈主体202的水平板定位在中央水平板218和上表面220之间。
在一些实施方式中，线圈主体202的上表面220包括从中部部分208向上延伸到第一端部206和第二端部210中的各者的第一倾斜部215。在一些实施方式中，线圈主体202的下表面224包括从中部部分208向下延伸到第一端部206和第二端部210中的各者的第二倾斜部225。在一些实施方式中，线圈主体202的高度从第一端部206和第二端部210中的各者分别沿着第一倾斜部215和第二倾斜部225向中部部分208逐渐减小(taper)。在一些实施方式中，第一倾斜部215以与第二倾斜部225相似的角度在与第一倾斜部225中的对应倾斜部相反的方向上延伸。
图2E绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的图2A的线圈170的一部分的截面图。在一些实施方式中，多个集线器165的集线器特征180包括用于接收紧固件(如紧固件135)的中心开口254。在一些实施方式中，空气通道262可从中心开口254延伸到多个集线器165的外表面264，当紧固件135被放置在中心开口254中时，空气通道262被配置成有利地防止捕获的(trapped)空气被设置在中心开口254中。在一些实施方式中，多个集线器165的集线器特征180包括绕中心开口254设置的环形通道258。在一些实施方式中，线圈主体202具有约0.75英寸至约2.0英寸的厚度226。
线圈主体202或线圈主体202的部分可被纹理化以有利地促进沉积材料的粘附并减轻沉积材料的剥落。在一些实施方式中，线圈主体202的内侧壁238被纹理化。在一些实施方式中，线圈主体202的外侧壁240的至少一部分被纹理化。在一些实施方式中，线圈主体202和多个集线器165之间的界面242被纹理化。线圈主体202可经由任何合适的方法纹理化，例如，经由喷珠(bead blasting)、电弧喷涂、增材制造(如3-D打印)或类似方法。在一些实施方式中，线圈主体202的不同部分可经由不同的方法纹理化。线圈170的纹理化表面可形成任何合适的设计，如凹坑、滚花图案、蜂窝或类似设计。
图3A至3D分别绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈170的等距视图、俯视图、左侧视图、前视图。图3E绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的图3A的线圈170的一部分的截面图。图3A至3E的线圈170类似于图2A至2E的线圈170，除了线圈主体202的某些尺度(dimension)。例如，第一端部206和第二端部210的高度330可大于高度230。在一些实施方式中，中部部分308的高度320可小于高度228。在一些实施方式中，如图3A至3E所示，第一端部206和第二端部210的高度330为约2.5英寸至约3.75英寸。在一些实施方式中，如图3A至3E所示，中部部分208的高度320为约1.0英寸至约2.0英寸。
图4绘示根据本揭示案的至少一些实施方式的线圈170的等距视图。在一些实施方式中，如图4所示，线圈170具有不对称的几何形状。在一些实施方式中，第一端部206和第二端部210中的一个具有大于中部部分208的高度228的高度。例如，如图4所示，线圈170类似于图2A的线圈170，除了第二端部210具有与中部部分208的高度228相似的高度。在一些实施方式中，线圈主体202包括在上表面220上的第一倾斜部215而不包括在下表面224上的第二倾斜部225(下表面是实质平坦的)。在一些实施方式中，线圈主体202不包括在上表面220上的第一倾斜部215(上表面是实质平坦的)而包括在下表面224上的第二倾斜部225。图4中所示的线圈170可在其他方面类似于上面揭露的任何其他实施方式。
虽然前面所述针对本揭示案的实施方式，但在不背离本揭示案基本范围下，可设计本揭示案的其他与进一步的实施方式。
Claims (20)
1.一种用于处理腔室中的线圈，包括：
线圈主体，所述线圈主体具有第一端部和相对的第二端部，所述第二端部经由中部部分耦接到所述第一端部，所述线圈主体具有环形形状，其中所述第一端部和所述第二端部彼此相邻设置且间隔开一间隙，所述间隙在所述环形形状中形成不连续部，其中所述第一端部和所述第二端部中的至少一个具有大于所述中部部分的高度的高度；及
多个集线器，所述多个集线器耦接到所述线圈主体的外侧壁且被配置成利于将所述线圈耦接到所述处理腔室，其中所述多个集线器中的一集线器耦接到所述第一端部和所述第二端部中的各者，且所述多个集线器中的所述集线器被配置成将所述线圈耦接到电源。
2.如权利要求1所述的线圈，其中所述第一端部和所述第二端部的所述高度为约2.0英寸至约3.75英寸。
3.如权利要求1所述的线圈，其中所述中部部分的所述高度为约1.0英寸至约2.5英寸。
4.如权利要求1所述的线圈，其中所述线圈主体的内侧壁被纹理化以促进沉积材料的粘附。
5.如权利要求1所述的线圈，其中所述多个集线器包括七个集线器。
6.如权利要求1所述的线圈，其中所述线圈主体具有约0.75英寸至约2.0英寸的厚度。
7.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述多个集线器中的各者沿着所述线圈主体的中央水平板定位。
8.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述线圈主体的上表面包括从所述中部部分向上延伸到所述第一端部和所述第二端部中的各者的第一倾斜部。
9.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述多个集线器中的各者包括用于接收紧固件的中心开口。
10.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述线圈主体基本上由以下材料组成：钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、钌(Ru)、铌(Nb)、它们的合金或它们的组合。
11.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述第一端部和所述第二端部一起绕所述线圈主体的中心跨越小于180度，且所述中部部分绕所述线圈主体的所述中心跨越大于180度。
12.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述间隙的宽度为约0.1英寸至约0.5英寸。
13.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述线圈主体的所述外侧壁的至少一部分被纹理化。
14.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述线圈主体的直径为约14英寸至约16英寸。
15.如权利要求1至6中任一项所述的线圈，其中所述第一端部和所述第二端部的所述高度为实质固定的。
16.一种处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体中具有内部空间；
基座，所述基座设置在所述内部空间中，所述基座被配置成支撑基板；
靶，所述靶设置在所述内部空间中且与所述基座相对；及
如权利要求1至6中任一项所述的线圈，所述线圈设置在所述内部空间中且在所述靶和所述基座之间。
17.如权利要求16所述的处理腔室，进一步包括电源，所述电源经由所述多个集线器耦接到所述线圈。
18.如权利要求16所述的处理腔室，进一步包括内屏蔽件，所述内屏蔽件定位于所述内部空间中且在所述靶和所述基座之间，其中所述线圈经由所述多个集线器耦接到所述内屏蔽件。
19.如权利要求18所述的处理腔室，进一步包括线圈间隔件，所述线圈间隔件设置在所述多个集线器和所述内屏蔽件之间，以将所述线圈与所述内屏蔽件电隔离。
20.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述线圈主体由与所述靶相同的材料制成。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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