CN116895293A - 磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置 - Google Patents
磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116895293A CN116895293A CN202310336714.9A CN202310336714A CN116895293A CN 116895293 A CN116895293 A CN 116895293A CN 202310336714 A CN202310336714 A CN 202310336714A CN 116895293 A CN116895293 A CN 116895293A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic
- powder
- recording medium
- magnetic recording
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 522
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 91
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 257
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 255
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 59
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 claims description 25
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 21
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 33
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 103
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 92
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical group [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 84
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 77
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 description 61
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 52
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 40
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 35
- 239000002585 base Substances 0.000 description 32
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 31
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 30
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 29
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 27
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 27
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 27
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 22
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 17
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 17
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 17
- -1 alkyl aldehyde Chemical class 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 14
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 229910000704 hexaferrum Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 10
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical group [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 6
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 6
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 6
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 6
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 5
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 5
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 5
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 5
- XVCUGNWRDDNCRD-UHFFFAOYSA-M lithium;1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-1-sulfonate Chemical compound [Li+].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F XVCUGNWRDDNCRD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N alpha-irone Chemical compound CC1CC=C(C)C(\C=C\C(C)=O)C1(C)C JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical group [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 4
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 4
- QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrachloro-3-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N oxobarium;oxo(oxoferriooxy)iron Chemical compound [Ba]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical group [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100029338 Suppressor of SWI4 1 homolog Human genes 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate Chemical compound [Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O UFMZWBIQTDUYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- KAATUXNTWXVJKI-UHFFFAOYSA-N cypermethrin Chemical compound CC1(C)C(C=C(Cl)Cl)C1C(=O)OC(C#N)C1=CC=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 KAATUXNTWXVJKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical group [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N elaidic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical group 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIZPXYDJLKNOIY-JXPKJXOSSA-N 1-palmitoyl-2-arachidonoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)OC(=O)CCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCC IIZPXYDJLKNOIY-JXPKJXOSSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N Phenylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C1=CC=CC=C1 QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101710144764 Suppressor of SWI4 1 homolog Proteins 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical group [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical group [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical group [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical group [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PLRRJDOBLTZUHB-UHFFFAOYSA-N gallium trinitrate octahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.[Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PLRRJDOBLTZUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052598 goethite Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical group [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- AEIXRCIKZIZYPM-UHFFFAOYSA-M hydroxy(oxo)iron Chemical compound [O][Fe]O AEIXRCIKZIZYPM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000787 lecithin Substances 0.000 description 1
- 229940067606 lecithin Drugs 0.000 description 1
- 235000010445 lecithin Nutrition 0.000 description 1
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 1
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical group [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRNGUTKWMSBIBF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3-diol Chemical compound C1=CC=C2C=C(O)C(O)=CC2=C1 JRNGUTKWMSBIBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical group [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical group [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical group [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical group [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical group [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);disulfate Chemical compound [Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical group [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
- G11B5/708—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by addition of non-magnetic particles to the layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
本发明提供一种在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降少的磁记录介质。一种磁记录介质、包含该磁记录介质的磁带盒及磁记录再生装置,所述磁记录介质在磁性层的表面上测定的算术平均粗糙度Ra为2.5nm以下,且将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HD与将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HB的突出高度差Δ即HD‑HB为0.7nm以上,所述突出高度HD是对在利用扫描型电子显微镜拍摄磁性层的表面而得到的背散射电子像的第1二值化处理结束的图像中被确定为暗部区域的区域,利用原子力显微镜测定的突出高度,所述突出高度HB是对在利用扫描型电子显微镜拍摄磁性层的表面而得到的背散射电子像在比第1二值化处理更靠高灰度侧进行的第2二值化处理结束的图像中被确定为明部区域的区域,利用原子力显微镜测定的突出高度。
Description
技术领域
本发明涉及一种磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置。
背景技术
作为用于记录各种数据的记录介质,广泛使用磁记录介质(例如,参考专利文献1及专利文献2)。
专利文献1:日本特开2014-209403号公报
专利文献2:日本特开2004-348897号公报
对磁记录介质要求发挥优异的电磁转换特性,期望更进一步提高电磁转换特性。
磁记录介质通常在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末的磁性层,磁性层的表面形状有可能影响到磁记录介质的性能。关于磁性层的表面形状,在前面所示的日本特开2014-209403号公报(专利文献1)及日本特开2004-348897号公报(专利文献2)中提出有控制磁性层表面的突起的存在状态。针对于此,本发明人以提供电磁转换特性比能够通过以往提出的磁性层表面的突起的存在状态的控制来实现的电磁转换特性更优异的磁记录介质,详细而言,以提供在高温环境下(例如,气氛温度40℃以上,进而60℃以上的严酷的高温环境下)重复行进后的电磁转换特性的下降少的磁记录介质为目标。
发明内容
即,本发明的一方式的目的在于提供一种在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降少的磁记录介质。
本发明的一方式涉及一种下述[1]的磁记录介质。
[1]一种磁记录介质,其具有非磁性支撑体和包含强磁性粉末的磁性层,其中,在上述磁性层的表面上测定的算术平均粗糙度Ra(以下,也记载为“磁性层表面Ra。)为2.5nm以下,且将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HD与将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HB的突出高度差Δ(HD-HB)为0.7nm以上,上述突出高度HD是对在利用扫描型电子显微镜拍摄上述磁性层的表面而得到的背散射电子像的第1二值化处理结束的图像中被确定为暗部区域的区域,利用原子力显微镜测定的突出高度,上述突出高度HB是对在利用扫描型电子显微镜拍摄上述磁性层的表面而得到的背散射电子像的比第1二值化处理更靠高灰度侧进行的第2二值化处理结束的图像中被确定为明部区域的区域,利用原子力显微镜测定的突出高度。
在一方式中,上述[1]的磁记录介质可以为以下的磁记录介质。
[2]根据[1]所述的磁记录介质,其中,上述突出高度差Δ为0.7nm以上且3.0nm以下。
[3]根据[1]或[2]所述的磁记录介质,其中,上述算术平均粗糙度Ra为0.8nm以上且2.5nm以下。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的磁记录介质,其中,上述磁性层包含两种以上的非磁性粉末。
[5]根据[4]所述的磁记录介质,其中,上述磁性层的非磁性粉末包含氧化铝粉末。
[6]根据[4]或[5]所述的磁记录介质,其中,上述磁性层的非磁性粉末包含炭黑。
[7]根据[1]至[6]中任一项所述的磁记录介质,其在上述非磁性支撑体与上述磁性层之间还具有包含非磁性粉末的非磁性层。
[8]根据[1]至[7]中任一项所述的磁记录介质,其在上述非磁性支撑体的与具有上述磁性层的表面侧相反的表面侧还具有包含非磁性粉末的背涂层。
[9]根据[1]至[8]中任一项所述的磁记录介质,其为磁带。
本发明的一方式涉及一种下述[10]的磁带盒。
[10]一种磁带盒,其包含[9]所述的磁带。
本发明的一方式涉及一种下述[11]的磁记录再生装置。
[11]一种磁记录再生装置,其包含权利要求[1]至[9]中任一项所述的磁记录介质。
发明效果
根据本发明的一方式,能够提供一种在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降少的磁记录介质。并且,根据本发明的一方式,能够提供一种包含该磁记录介质的磁带盒及磁记录再生装置。
附图说明
图1表示数据带及伺服带的配置例。
图2表示LTO(Linear Tape-Open:线性磁带开放协议)Ultrium格式磁带的伺服图案配置例。
图3表示为了使实施例及比较例的磁带行进而使用的卷轴试验机的概略图。
具体实施方式
[磁记录介质]
本发明的一方式涉及一种具有非磁性支撑体和包含强磁性粉末的磁性层的磁记录介质。在上述磁性层的表面上测定的算术平均粗糙度Ra为2.5nm以下。此外,将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HD与将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HB的突出高度差Δ(HD-HB)为0.7nm以上,该突出高度HD是对在利用扫描型电子显微镜拍摄上述磁性层的表面而得到的背散射电子像的第1二值化处理结束的图像中被确定为暗部区域的区域,利用原子力显微镜测定的突出高度,该突出高度HB是对在利用扫描型电子显微镜拍摄上述磁性层的表面而得到的背散射电子像在比第1二值化处理更靠高灰度侧进行的第2二值化处理结束的图像中被确定为明部区域的区域,利用原子力显微镜测定的突出高度。关于“HD”及“HB”,“H”用作高度(Height)的简称。关于“HD”,“D”用作暗部区域(Dark region)的简称。关于“HB”,“B”用作明部区域(Bright region)的简称。
通常,在磁记录介质的行进中,磁性层表面与磁头接触而滑动。通过重复该行进而磁头发生磨损(以下,记载为“磁头磨损”。)有可能导致重复行进后的电磁转换特性的下降。本发明人重复进行深入研究的结果,新发现了如下:通过在算术平均粗糙度Ra为2.5nm以下的表面平滑性优异的磁性层的表面上使被确定为上述暗部区域的区域(详细而言为突起)和被确定为上述明部区域的区域(详细而言为突起)以上述突出高度差Δ为0.7nm以上的状态存在,能够提供在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降少的磁记录介质。本发明人认为这是因为,根据该磁记录介质,能够抑制在高温环境下重复行进时的磁头磨损。
另外,关于突起的高度,在日本特开2014-209403号公报(专利文献1)中,利用原子力显微镜测定磁性层表面的突起的高度,将凸成分与凹成分的体积变相等的面规定为基准面,将该基准面的高度设为0nm而求出突起的高度(参考日本特开2014-209403号公报(专利文献1)的0016段)。并且,在日本特开2004-348897号公报(专利文献2)中,利用原子力显微镜测定磁性层表面的突起的高度,将突起与凹陷的体积变相等的面规定为基准面,将该基准面的高度设为0nm而求出突起的高度(参考日本特开2004-348897号公报(专利文献2)的0025段)。考虑到在磁性层的表面存在波纹,认为是如此求出突起的高度。
但是,实际上,在磁记录介质行进时,通常磁记录介质在磁记录再生装置内一边被施加张力一边行进,因此推测磁记录介质以磁性层表面的波纹被拉伸的状态行进。其中,在高温环境下,磁性层具有容易软化的倾向,因此认为有可能成为磁性层表面的波纹被进一步拉伸的状态。关于这点,上述突出高度HD及HB是将详细内容后述的“周边基底区域”的高度设为0nm而求出的。本发明人认为如此求出的突出高度HD及HB有可能成为波纹被拉伸的状态的磁性层表面上的突起的突出状态的指标。而且,本发明人发现,关于该突出高度,通过控制磁性层表面的突起的存在状态(即,通过控制突出高度差Δ),能够提供在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降少的磁记录介质。
以下,对突出高度差Δ及磁性层表面Ra更详细地进行说明。在本发明及本说明书中,磁记录介质的突出高度差Δ及磁性层表面Ra设为使用作为产品出厂之后未使用的新产品的磁记录介质测定的值。
<突出高度差Δ>
本发明及本说明书中的上述突出高度HD及HB为在磁性层的表面上通过以下的方法求出的值。在本发明及本说明书中,“磁性层(的)表面”的含义与磁记录介质的磁性层侧表面的含义相同。以下的测定使用从测定对象的磁记录介质中切出的样品片来进行。样品片的尺寸只要为能够进行以下的测定的尺寸即可。测定环境设为气氛温度为25℃±2℃且相对湿度为45%±25%的环境。
(1)利用原子力显微镜(AFM:Atomic Force Microscope)在轻敲模式下拍摄测定对象的磁记录介质的磁性层表面的面积10.0μm×10.0μm的区域而获取AFM像。当进行拍摄时,在以磁性层表面朝向上方的状态下,将与磁性层表面相反的一侧的表面利用固定用薄膜贴合于AFM的试样台而固定样品片。作为固定用薄膜,例如能够使用市售的固定用薄膜。作为该固定用薄膜,能够举出Fujicopian Co.,Ltd.制造的FIXFILM系列。对于后述的实施例及比较例,使用Fujicopian Co.,Ltd.制造的FIXFILM HGA2作为固定用薄膜。FIXFILMHGA2的单面为粘合面,另一个单面为吸附面。对于后述的实施例及比较例,将FIXFILM HGA2利用粘合面贴附于AFM的试样台,将FIXFILM HGA2的吸附面贴合于样品片的与磁性层表面相反的一侧的表面。摄像条件设为扫描频率:0.70Hz、分辨率:512pixel×512pixel。通过如此拍摄,对摄像区域获取AFM高度数据。作为AFM,能够将Hitachi High-Tech ScienceCorporation制造的S-image/Nanonavi以测定模式DFM(Dynamic Force Microscope:动态力显微镜)使用,作为探针,能够使用Hitachi High-Tech Science Corporation制造的SI-DF40(背面Al涂层)。在对于后述的实施例及比较例的测定中,使用该AFM及探针,测定模式设为DFM。
(2)对与获取了AFM像的区域相同的区域,利用扫描型电子显微镜(SEM:ScanningFlectron Microscope:扫描电子显微镜)获取SEM像。作为扫描型电子显微镜,使用场发射型扫描型电子显微镜(FE-SEM:Field Emission-Scanning Electron Microscope)。作为FE-SEM,例如能够使用Hitachi High-Technologies Corporation制造的FE-SEM SU8220,在对于后述的实施例及比较例的测定中,使用了该FE-SEM。并且,在拍摄SEM像之前,未对磁性层表面进行涂层处理。要获取的SEM像为低角度背散射电子(LA-BSE:Low Angle-Backscattered Flectron)像。以下,简单记载为“背散射电子像”。
摄像条件为加速电压:2kV、发射:10μA、工作距离:4mm、摄影倍率:13,000倍。在上述的摄像条件下进行对焦调整,并拍摄SEM像(背散射电子像)。将从所拍摄的图像中去除了显示尺寸等的部分(微米条、十字标记等)的背散射电子像读入图像处理软件中,与上述(1)中所拍摄的AFM像进行对位之后,进行二值化处理。对前面所记载的面积10.0μm×10.0μm的摄像区域内的中央的面积8.5μm×8.5μm的区域进行对位。作为图像分析软件,例如能够使用免费软件ImageJ。对于后述的实施例及比较例,使用了ImageJ。通过二值化处理,图像被区分为明部区域(白色部分)和暗部区域(黑色部分)。作为二值化处理,进行以下的两种处理(第1二值化处理及第2二值化处理)。
在上述的摄像条件下拍摄的背散射电子像中,如下进行第1二值化处理,制作第1二值化处理完成图像。
将下限值设定为0灰度,将上限值设定为75灰度~90灰度范围的值,利用这两个阈值(下限值及上限值)执行二值化处理。在二值化处理前,利用图像分析软件进行噪声成分去除处理。噪声成分去除处理例如能够通过以下的方法来进行。对于后述的实施例及比较例,通过以下的方法进行了噪声成分去除处理。
在图像分析软件ImageJ中,选择模糊处理Gauss Filter进行噪声成分的去除。
将如此得到的第1二值化处理完成图像用作暗部区域确定用图像,将在该图像中被显示为暗部区域(即黑色部分)的部分确定为“暗部区域”。利用图像分析软件,对第1二值化处理完成图像中所包含的所有暗部区域分别求出其面积。由所求出的面积求出各暗部区域的圆当量直径。具体而言,由所求出的面积A,根据(A/π)^(1/2)×2=L计算出圆当量直径L。在此,运算符“^”表示求幂。
圆当量直径设为将小数点以下第一位进行四舍五入,小数点以下第二位以后舍去,以1nm刻度求出的值。
与上述二值化处理独立地,如下进行第2二值化处理,制作第2二值化处理完成图像。
在上述的摄像条件下拍摄的背散射电子像中,将下限值设定为140灰度~170灰度范围的值,将上限值设定为255灰度,利用这两个阈值(下限值及上限值)执行二值化处理。在二值化处理前,利用图像分析软件进行噪声成分去除处理。噪声成分去除处理例如能够通过以下的方法来进行。对于后述的实施例及比较例,通过以下的方法进行了噪声成分去除处理。
在图像分析软件ImageJ中,选择模糊处理Gauss Filter进行噪声成分的去除。
将如此得到的第2二值化处理完成图像用作明部区域确定用图像,将在该图像中被显示为明部区域(即白色部分)的部分确定为“明部区域”。利用图像分析软件,对第2二值化处理完成图像中所包含的所有明部区域分别求出其面积。由所求出的面积求出各暗部区域的圆当量直径。具体而言,由所求出的面积A,根据(A/π)^(1/2)×2=L计算出圆当量直径L。
(3)对于被确定为暗部区域的所有区域,由通过前面所记载的对位被确定为暗部区域的区域的AFM高度数据分别求出距基准面的高度即将基准面设为0nm的高度。该高度是作为各暗部区域内的AFM高度数据的算术平均而求出的。在本发明及本说明书中,“基准面”设为摄像区域中的凸成分与凹成分的体积变相等的面。
如此,对被确定为暗部区域的所有区域求出将基准面设为0nm的高度。
并且,对于被确定为暗部区域的所有区域,如下确定“周边基底区域”。
对于各暗部区域,将该区域的重心位置作为圆的中心并将该区域的圆当量直径作为圆的直径的圆设定为基准圆。与如此设定的基准圆同心圆状地确定空白区域及周边基底区域。若将基准圆的半径设为R(单位:nm),则R=L/2,空白区域为从被半径为(R+50)nm的圆包围的区域去除被上述基准圆包围的区域的宽度50nm的圆圈状区域。周边基底区域为从被半径为(R+50+100)nm的圆包围的区域去除被上述的半径为(R+50)nm的圆包围的区域的宽度100nm的圆圈状区域。但是,被确定为暗部区域的区域的形状并不限定于圆形,因此实际的暗部区域的形状的一部分也有可能与被确定为周边基底区域的圆圈状区域重叠。在该情况下,重叠部分从周边基底区域中排除。由AFM高度数据求出如此确定的周边基底区域的高度即将基准面设为0nm的高度。该高度是作为各周边基底区域内的AFM高度数据的算术平均而求出的。
如此,对于所有暗部区域的周边基底区域,求出将基准面设为0nm的高度。
对于所有暗部区域(但是,当将基准面设为0nm时,排除周边基底区域的高度成为负值的暗部区域),分别求出从“将基准面设为0nm的高度”减去“将基准面设为0nm的周边基底区域的高度”的值。将如此求出的值的算术平均作为“将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HD”。
以上的处理能够利用图像分析软件(例如,免费软件ImageJ)来进行,对于后述的实施例及比较例,使用了ImageJ。
(4)与上述(3)独立地,对于被确定为明部区域的所有区域,由通过前面所记载的对位被确定为明部区域的区域的AFM高度数据分别求出距基准面的高度即将基准面设为0nm的高度。该高度是作为各明部区域内的AFM高度数据的算术平均而求出的。
如此,对被确定为明部区域的所有区域求出将基准面设为0nm的高度。
并且,对于被确定为明部区域的所有区域,通过关于暗部区域的周边基底区域的确定而在前面所记载的方法来确定“周边基底区域”。详细而言,如下确定“周边基底区域”。
对于各明部区域,将该区域的重心位置作为圆的中心并将该区域的圆当量直径作为圆的直径的圆设定为基准圆。与如此设定的基准圆同心圆状地确定空白区域及周边基底区域。若将基准圆的半径设为R(单位:nm),则R=L/2,空白区域为从被半径为(R+50)nm的圆包围的区域去除被上述基准圆包围的区域的宽度50nm的圆圈状区域。周边基底区域为从被半径为(R+50+100)nm的圆包围的区域去除被上述的半径为(R+50)nm的圆包围的区域的宽度100nm的圆圈状区域。但是,被确定为明部区域的区域的形状并不限定于圆形,因此实际的明部区域的形状的一部分也有可能与被确定为周边基底区域的圆圈状区域重叠。在该情况下,重叠部分从周边基底区域中排除。由AFM高度数据求出如此确定的周边基底区域的高度即将基准面设为0nm的高度。该高度是作为各周边基底区域内的AFM高度数据的算术平均而求出的。
如此,对于所有明部区域的周边基底区域,求出将基准面设为0nm的高度。
对于所有明部区域(但是,当将基准面设为0nm时,排除周边基底区域的高度成为负值的明部区域),分别求出从“将基准面设为0nm的高度”减去“将基准面设为0nm的周边基底区域的高度”的值。将如此求出的值的算术平均作为“将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HB”。
以上的处理能够利用图像分析软件(例如,免费软件ImageJ)来进行,对于后述的实施例及比较例,使用了ImageJ。
对磁性层表面的随机选择的三个部位的不同测定区域进行上述(1)~(4)(n=3)。将如此得到的3个HD值的算术平均作为关于测定对象的磁记录介质的“将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HD”。将如此得到的3个HB值的算术平均作为关于测定对象的磁记录介质的“将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HB”。然后,对于测定对象的磁记录介质,将从“将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HD”减去“将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HB”的值(HD-HB)作为“突出高度差Δ”。
关于上述突出高度差Δ,本发明人推测如下。
在磁记录介质的磁性层中通常包含用于对磁性层表面赋予研磨性的非磁性粉末(以下,也称为“研磨剂”。)和为了控制摩擦特性而用于在磁性层表面形成适度的突起的非磁性粉末(以下,也称为“填料”。)。本发明人认为,通过上述(2)被确定为暗部区域的区域为由填料形成于磁性层表面的突起,通过上述(2)被确定为明部区域的区域为由研磨剂形成于磁性层表面的突起。推测磁头磨损主要是以由研磨剂形成的突起与磁头接触为原因而发生的。而且,认为使由填料形成的突起比由研磨剂形成的突起突出得更高,会抑制以此为原因而发生的磁头磨损。此外,关于上述磁记录介质,将周边基底区域的高度作为基准(即,将周边基底区域的高度设为0nm)而不是基准面来规定突出高度差Δ。将该突出高度差Δ设为0.7nm以上,能够有助于抑制在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降。这点的详细内容如前面所记载。
在上述磁记录介质中,从抑制在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降的观点考虑,突出高度差Δ为0.7nm以上,优选为0.8nm以上,更优选为0.9nm以上,进一步优选为1.0nm以上。并且,突出高度差Δ例如可以为3.0nm以下。在一方式中,从提高行进初期的电磁转换特性的观点考虑,优选突出高度差Δ为3.0nm以下。
关于突出高度差Δ的控制,例如通过作为研磨剂而使用尺寸小的研磨剂和/或通过作为填料而使用尺寸大的填料,具有突出高度差Δ的值变大的倾向。通过在制备磁性层形成用组合物时强化包含填料的分散液(以下,也记载为“填料液”。)的分散处理(例如,通过增加分散处理的次数),具有突出高度差Δ的值变小的倾向。并且,在作为产品出厂之前的任意阶段,通过一边施加张力一边使磁记录介质行进的同时使磁性层表面与滑动部件滑动来磨削在磁性层表面上突出的非磁性粉末(例如,填料和/或研磨剂)的粒子,和/或,通过粒子朝向磁性层内部被压入,能够改变HD及HB中的一个或两个。作为滑动部件,能够使用任意的滑动部件。例如,也能够将磁头用作滑动部件。例如,通过采用上述方法中的一种以上,能够将突出高度差Δ控制为0.7nm以上。
<磁性层表面Ra>
本发明及本说明书中的在磁性层的表面上测定的算术平均粗糙度Ra(磁性层表面Ra)通过以下的方法求出。
算术平均粗糙度Ra的测定中使用原子力显微镜(AFM)。测定区域设为40μm见方(40μm×40μm)的区域。测定在磁性层表面的随机选择的三个部位的不同测定部位进行(n=3)。将通过该测定而得到的3个值的算术平均设为测定对象的磁记录介质的磁性层表面Ra。作为AFM的测定条件的一例,能够举出下述的测定条件。对于后述的实施例及比较例,采用了下述的测定条件。
以轻敲模式使用AFM(Veeco Instruments,Inc.制造的Nanoscope4)对磁记录介质的磁性层表面的面积40μm×40μm的区域进行测定。作为探针,使用BRUKER Corporation制造的RTESP-300,解像力设为512pixel×512pixel,扫描速度设为在341秒内测定1个画面(512pixel×512pixel)的速度。
上述磁记录介质的磁性层表面Ra为2.5nm以下,优选为2.4nm以下,更优选为2.3nm以下。将在磁性层表面Ra为2.5nm以下的表面平滑性优异的磁性层的表面上求出的突出高度差Δ设为0.7nm以上,能够有助于抑制在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降。并且,上述磁记录介质的磁性层表面Ra例如可以为0.8nm以上、0.9nm以上、1.0nm以上、1.1nm以上或1.2nm以上,或者,也可以低于在此所例示的值。
磁性层表面Ra能够通过磁记录介质的制造条件的调整等公知的方法来控制。
以下,对上述磁记录介质进行进一步详细的说明。
<磁性层>
(强磁性粉末)
作为磁性层中所包含的强磁性粉末,能够使用一种作为在各种磁记录介质的磁性层中使用的强磁性粉末而公知的强磁性粉末或将两种以上组合使用。从提高记录密度的观点考虑,优选作为强磁性粉末而使用平均粒子尺寸小的强磁性粉末。从这点考虑,强磁性粉末的平均粒子尺寸优选为50nm以下,更优选为45nm以下,进一步优选为40nm以下,进一步优选为35nm以下,更进一步优选为30nm以下,更进一步优选为25nm以下,又进一步优选为20nm以下。另一方面,从磁化稳定性的观点考虑,强磁性粉末的平均粒子尺寸优选为5nm以上,更优选为8nm以上,进一步优选为10nm以上,进一步优选为15nm以上,更进一步优选为20nm以上。
关于强磁性粉末的粒子尺寸,作为粒子尺寸的指标,还能够举出平均粒子体积。从提高记录密度的观点考虑,平均粒子体积优选为2500nm3以下,更优选为2300nm3以下,进一步优选为2000nm3以下,进一步优选为1500nm3以下。从磁化稳定性的观点考虑,强磁性粉末的平均粒子体积优选为500nm3以上,更优选为600nm3以上,进一步优选为650nm3以上,进一步优选为700nm3以上。上述的平均粒子体积为由通过后述的方法求出的平均粒子尺寸作为球当量体积而求出的值。
六方晶铁氧体粉末
作为强磁性粉末的优选的具体例,能够举出六方晶铁氧体粉末。关于六方晶铁氧体粉末的详细内容,例如能够参考日本特开2011-225417号公报的0012~0030段、日本特开2011-216149号公报的0134~0136段、日本特开2012-204726号公报的0013~0030段及日本特开2015-127985号公报的0029~0084段。
在本发明及本说明书中,“六方晶铁氧体粉末”是指通过X射线衍射分析检测出六方晶铁氧体的晶体结构作为主相的强磁性粉末。主相是指在通过X射线衍射分析而得到的X射线衍射光谱中最高强度的衍射峰所归属的结构。例如,当在通过X射线衍射分析而得到的X射线衍射光谱中最高强度的衍射峰归属于六方晶铁氧体的晶体结构时,判断为检测出六方晶铁氧体的晶体结构作为主相。当通过X射线衍射分析仅检测出单一结构时,将该检测出的结构作为主相。六方晶铁氧体的晶体结构至少包含铁原子、二价金属原子及氧原子作为构成原子。二价金属原子是指能够成为作为离子的二价阳离子的金属原子,能够举出锶原子、钡原子、钙原子等碱土金属原子、铅原子等。在本发明及本说明书中,六方晶锶铁氧体粉末是指该粉末中所包含的主要的二价金属原子为锶原子的粉体,六方晶钡铁氧体粉末是指该粉末中所包含的主要的二价金属原子为钡原子的粉体。主要的二价金属原子是指在该粉末中所包含的二价金属原子中以原子%基准占据最多的二价金属原子。但是,上述二价金属原子中不包括稀土类原子。本发明及本说明书中的“稀土类原子”选自包括钪原子(Sc)、钇原子(Y)及镧系元素原子的组。镧系元素原子选自包括镧原子(La)、铈原子(Ce)、镨原子(Pr)、钕原子(Nd)、钷原子(Pm)、钐原子(Sm)、铕原子(Eu)、钆原子(Gd)、铽原子(Tb)、镝原子(Dy)、钬原子(Ho)、铒原子(Er)、铥原子(Tm)、镱原子(Yb)及镏原子(Lu)的组。
以下,对作为六方晶铁氧体粉末的一方式的六方晶锶铁氧体粉末进行进一步详细的说明。
六方晶锶铁氧体粉末的激活体积优选在800~1600nm3的范围内。显示出上述范围的激活体积的微粒化的六方晶锶铁氧体粉末适合用于制作发挥优异的电磁转换特性的磁记录介质。六方晶锶铁氧体粉末的激活体积优选为800nm3以上,例如也可以为850nm3以上。并且,从进一步提高电磁转换特性的观点考虑,六方晶锶铁氧体粉末的激活体积更优选为1500nm3以下,进一步优选为1400nm3以下,进一步优选为1300nm3以下,更进一步优选为1200nm3以下,再进一步优选为1100nm3以下。关于六方晶钡铁氧体粉末的激活体积也相同。
“激活体积”是磁化反转的单位,是表示粒子的磁性大小的指标。本发明及本说明书中所记载的激活体积及后述的各向异性常数Ku为使用振动试样型磁力计以矫顽力Hc、测定部的磁场扫描速度3分钟和30分钟测定(测定温度:23℃±1℃)并根据以下的Hc与激活体积V的关系式求出的值。关于各向异性常数Ku的单位,是1erg/cc=1.0×10-1J/m3。
Hc=2Ku/Ms{1-[(kT/KuV)ln(At/0.693)]1/2}
[上述式中,Ku:各向异性常数(单位:J/m3),Ms:饱和磁化(单位:kA/m),k:玻尔兹曼常数,T:绝对温度(单位:K),V:激活体积(单位:cm3),A:自旋进动频率(单位:s-1),t:磁场反转时间(单位:s)]
作为减少热波动、换言之,提高热稳定性的指标,能够举出各向异性常数Ku。六方晶锶铁氧体粉末优选可以具有1.8×105J/m3以上的Ku,更优选可以具有2.0×105J/m3以上的Ku。并且,六方晶锶铁氧体粉末的Ku例如可以为2.5×105J/m3以下。但是,Ku越高,则意味着热稳定性越高而优选,因此并不限定于上述所例示出的值。
六方晶锶铁氧体粉末可以包含或不包含稀土类原子。当六方晶锶铁氧体粉末包含稀土类原子时,相对于铁原子100原子%,优选以0.5~5.0原子%的含有率(块状含有率)包含稀土类原子。在一方式中,包含稀土类原子的六方晶锶铁氧体粉末可以具有稀土类原子表层部偏在性。本发明及本说明书中的“稀土类原子表层部偏在性”是指通过酸部分溶解六方晶锶铁氧体粉末而得到的溶解液中的相对于铁原子100原子%的稀土类原子含有率(以下,关于“稀土类原子表层部含有率”或稀土类原子,简单记载为“表层部含有率”。)与通过酸完全溶解六方晶锶铁氧体粉末而得到的溶解液中的相对于铁原子100原子%的稀土类原子含有率(以下,关于“稀土类原子块状含有率”或稀土类原子,简单记载为“块状含有率”。)满足稀土类原子表层部含有率/稀土类原子块状含有率>1.0的比率。后述的六方晶锶铁氧体粉末的稀土类原子含有率的含义与稀土类原子块状含有率相同。相对于此,在使用酸的部分溶解中溶解构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子的表层部,因此通过部分溶解而得到的溶解液中的稀土类原子含有率是指构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子的表层部的稀土类原子含有率。稀土类原子表层部含有率满足“稀土类原子表层部含有率/稀土类原子块状含有率>1.0”的比率是指在构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子中稀土类原子偏在(即,比内部存在更多)于表层部。本发明及本说明书中的表层部是指从构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子的表面朝向内部的一部分区域。
当六方晶锶铁氧体粉末包含稀土类原子时,稀土类原子含有率(块状含有率)相对于铁原子100原子%,优选在0.5~5.0原子%的范围内。认为以上述范围的块状含有率包含稀土类原子且稀土类原子偏在于构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子的表层部有助于抑制重复再生时的再生输出的降低。推测这是因为,通过六方晶锶铁氧体粉末以上述范围的块状含有率包含稀土类原子且稀土类原子偏在于构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子的表层部,能够提高各向异性常数Ku。各向异性常数Ku的值越高,则越能够抑制被称为所谓的热波动的现象的发生(换言之,提高热稳定性)。通过抑制热波动的发生,能够抑制重复再生时的再生输出的降低。推测稀土类原子偏在于六方晶锶铁氧体粉末的粒子表层部,有助于使表层部的晶格内的铁(Fe)位的自旋稳定化,由此各向异性常数Ku提高。
并且,推测将具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末用作磁性层的强磁性粉末,还有助于抑制因与磁头的滑动而磁性层表面被磨削。即,推测具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末还能够有助于提高磁记录介质的行进耐久性。推测这可能是因为,稀土类原子偏在于构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子的表面有助于提高粒子表面与磁性层中所包含的有机物质(例如,粘结剂和/或添加剂)的相互作用,其结果,磁性层的强度提高。
从更进一步抑制重复再生时的再生输出的降低的观点和/或进一步提高行进耐久性的观点考虑,稀土类原子含有率(块状含有率)更优选在0.5~4.5原子%的范围内,进一步优选在1.0~4.5原子%的范围内,进一步优选在1.5~4.5原子%的范围内。
上述块状含有率为完全溶解六方晶锶铁氧体粉末而求出的含有率。在本发明及本说明书中,只要没有特别记载,则关于原子,含有率是指完全溶解六方晶锶铁氧体粉末而求出的块状含有率。在包含稀土类原子的六方晶锶铁氧体粉末中,作为稀土类原子,可以仅包含一种稀土类原子,也可以包含两种以上的稀土类原子。包含两种以上的稀土类原子时的上述块状含有率是关于两种以上的稀土类原子的合计而求出的。这点对于本发明及本说明书中的其他成分也相同。即,只要没有特别记载,则某一种成分可以仅使用一种,也可以使用两种以上。使用两种以上时的含量或含有率是指两种以上的合计。
当六方晶锶铁氧体粉末包含稀土类原子时,所包含的稀土类原子为稀土类原子中的任意一种以上即可。作为从更进一步抑制重复再生时的再生输出的降低的观点考虑优选的稀土类原子,能够举出钕原子、钐原子、钇原子及镝原子,更优选钕原子、钐原子及钇原子,进一步优选钕原子。
在具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末中,稀土类原子存在于构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子的表层部即可,偏在程度并不受限定。例如,对于具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末,在后述的溶解条件下部分溶解而求出的稀土类原子的表层部含有率与在后述的溶解条件下完全溶解而求出的稀土类原子的块状含有率的比率“表层部含有率/块状含有率”超过1.0,可以为1.5以上。“表层部含有率/块状含有率”大于1.0是指在构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子中,稀土类原子偏在(即,比内部存在更多)于表层部。并且,在后述的溶解条件下部分溶解而求出的稀土类原子的表层部含有率与在后述的溶解条件下完全溶解而求出的稀土类原子的块状含有率的比率“表层部含有率/块状含有率”例如可以为10.0以下、9.0以下、8.0以下、7.0以下、6.0以下、5.0以下或4.0以下。但是,在具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末中,稀土类原子偏在于构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子的表层部即可,上述“表层部含有率/块状含有率”并不限定于所例示出的上限或下限。
以下,对六方晶锶铁氧体粉末的部分溶解及完全溶解进行说明。对于作为粉末而存在的六方晶锶铁氧体粉末,部分溶解及完全溶解的试样粉末从同一批次的粉末中采取。另一方面,对于磁记录介质的磁性层中所包含的六方晶锶铁氧体粉末,对从磁性层取出的六方晶锶铁氧体粉末的一部分实施部分溶解,对另一部分实施完全溶解。六方晶锶铁氧体粉末从磁性层的取出例如能够通过日本特开2015-91747号公报的0032段中所记载的方法来进行。
上述部分溶解是指在溶解结束时溶解至在溶液中能够用肉眼确认到六方晶锶铁氧体粉末的残留的程度。例如,通过部分溶解,在构成六方晶锶铁氧体粉末的粒子中,将粒子整体设为100质量%时能够溶解10~20质量%的区域。另一方面,上述完全溶解是指在溶解结束时溶解至在溶液中用肉眼确认不到六方晶锶铁氧体粉末的残留的状态。
上述部分溶解及表层部含有率的测定例如通过以下方法来进行。但是,下述试样粉末量等溶解条件为例示,能够任意地采用能够部分溶解及完全溶解的溶解条件。
将放入有试样粉末12mg及1mol/L盐酸10mL的容器(例如,烧杯)在设定温度70℃的热板上保持1小时。用0.1μm的膜过滤器过滤所得到的溶解液。利用电感耦合等离子体(ICP:Inductively Coupled Plasma)分析装置进行如此得到的滤液的元素分析。如此,能够求出相对于铁原子100原子%的稀土类原子的表层部含有率。当通过元素分析检测出多种稀土类原子时,将所有稀土类原子的合计含有率作为表层部含有率。这点在块状含有率的测定中也相同。
另一方面,上述完全溶解及块状含有率的测定例如通过以下方法来进行。
将放入有试样粉末12mg及4mol/L盐酸10mL的容器(例如,烧杯)在设定温度80℃的热板上保持3小时。然后,与上述部分溶解及表层部含有率的测定同样地进行,能够求出相对于铁原子100原子%的块状含有率。
从提高再生记录在磁记录介质中的数据时的再生输出的观点考虑,优选磁记录介质中所包含的强磁性粉末的质量磁化σs高。关于这点,与不包含稀土类原子的六方晶锶铁氧体粉末相比,包含稀土类原子但不具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末呈现σs大幅降低的倾向。对此,认为在抑制这种σs的大幅降低的方面,也优选具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末。在一方式中,六方晶锶铁氧体粉末的σs可以为45A·m2/kg以上,也可以为47A·m2/kg以上。另一方面,从降噪的观点考虑,σs优选为80A·m2/kg以下,更优选为60A·m2/kg以下。σs能够使用振动试样型磁力计等能够测定磁特性的公知的测定装置来测定。在本发明及本说明书中,只要没有特别记载,则质量磁化σs设为在磁场强度15kOe下测定的值。1[kOe]=106/4π[A/m]。
关于六方晶锶铁氧体粉末的构成原子的含有率(块状含有率),锶原子含有率相对于铁原子100原子%,例如可以在2.0~15.0原子%的范围内。在一方式中,在六方晶锶铁氧体粉末中,该粉末中所包含的二价金属原子可以仅为锶原子。并且,在另一方式中,六方晶锶铁氧体粉末中除了锶原子以外,还可以包含一种以上的其他二价金属原子。例如,可以包含钡原子和/或钙原子。当包含除锶原子以外的其他二价金属原子时,六方晶锶铁氧体粉末中的钡原子含有率及钙原子含有率分别例如相对于铁原子100原子%,可以在0.05~5.0原子%的范围内。
作为六方晶铁氧体的晶体结构,已知有磁铅石型(也被称为“M型”。)、W型、Y型及Z型。六方晶锶铁氧体粉末可以具有任何晶体结构。晶体结构能够通过X射线衍射分析来确认。六方晶锶铁氧体粉末可以为通过X射线衍射分析检测出单一的晶体结构或两种以上的晶体结构的粉末。例如,在一方式中,六方晶锶铁氧体粉末可以为通过X射线衍射分析仅检测出M型的晶体结构的粉末。例如,M型的六方晶铁氧体由AFe12O19的组成式表示。其中,A表示二价金属原子,当六方晶锶铁氧体粉末为M型时,A仅为锶原子(Sr),或者,当包含多个二价金属原子作为A时,如上所述,以原子%基准锶原子(Sr)占据最多。六方晶锶铁氧体粉末的二价金属原子含有率通常根据六方晶铁氧体的晶体结构的种类来确定,并不受特别限定。关于铁原子含有率及氧原子含有率也相同。六方晶锶铁氧体粉末至少包含铁原子、锶原子及氧原子,也可以进一步包含稀土类原子。另外,六方晶锶铁氧体粉末可以包含或不包含除这些原子以外的原子。作为一例,六方晶锶铁氧体粉末可以包含铝原子(Al)。铝原子的含有率相对于铁原子100原子%,例如可以为0.5~10.0原子%。从更进一步抑制重复再生时的再生输出降低的观点考虑,六方晶锶铁氧体粉末包含铁原子、锶原子、氧原子及稀土类原子,除这些原子以外的原子的含有率相对于铁原子100原子%,优选为10.0原子%以下,更优选在0~5.0原子%的范围内,也可以为0原子%。即,在一方式中,六方晶锶铁氧体粉末可以不包含除铁原子、锶原子、氧原子及稀土类原子以外的原子。上述原子%所表示的含有率通过使用各原子的原子量将完全溶解六方晶锶铁氧体粉末而求出的各原子的含有率(单位:质量%)换算为原子%所表示的值而求出。并且,在本发明及本说明书中,关于某一种原子,“不包含”是指完全溶解之后通过ICP分析装置测定的含有率为0质量%。ICP分析装置的检测限通常以质量基准为0.01ppm(parts per million:百万分之一)以下。上述“不包含”是以包括以小于ICP分析装置的检测限的量包含的情况的含义使用的。在一方式中,六方晶锶铁氧体粉末可以不包含铋原子(Bi)。
金属粉末
作为强磁性粉末的优选的具体例,还能够举出强磁性金属粉末。关于强磁性金属粉末的详细内容,例如能够参考日本特开2011-216149号公报的0137~0141段及日本特开2005-251351号公报的0009~0023段。
ε-氧化铁粉末
作为强磁性粉末的优选的具体例,还能够举出ε-氧化铁粉末。在本发明及本说明书中,“ε-氧化铁粉末”是指通过X射线衍射分析检测出ε-氧化铁的晶体结构作为主相的强磁性粉末。例如,当在通过X射线衍射分析而得到的X射线衍射光谱中最高强度的衍射峰归属于ε-氧化铁的晶体结构时,判断为检测出ε-氧化铁的晶体结构作为主相。作为ε-氧化铁粉末的制造方法,已知有由针铁矿制作的方法、反胶束法等。上述制造方法均为公知。并且,关于制造Fe的一部分被Ga、Co、Ti、Al、Rh等取代原子取代的ε-氧化铁粉末的方法,列如能够参考J.Jpn.Soc.Powder Metallurgy Vol.61Supplement,No.S1,pp.S280-S284、J.Mater.Chem.C,2013,1,pp.5200-5206等。但是,在上述磁记录介质的磁性层中能够用作强磁性粉末的ε-氧化铁粉末的制造方法并不限定于在此举出的方法。
ε-氧化铁粉末的激活体积优选在300~1500nm3的范围内。显示出上述范围的激活体积的微粒化的ε-氧化铁粉末适合用于制作发挥优异的电磁转换特性的磁记录介质。ε-氧化铁粉末的激活体积优选为300nm3以上,例如也可以为500nm3以上。并且,从进一步提高电磁转换特性的观点考虑,ε-氧化铁粉末的激活体积更优选为1400nm3以下,进一步优选为1300nm3以下,进一步优选为1200nm3以下,更进一步优选为1100nm3以下。
作为减少热波动、换言之,提高热稳定性的指标,能够举出各向异性常数Ku。ε-氧化铁粉末优选可以具有3.0×104J/m3以上的Ku,更优选可以具有8.0×104J/m3以上的Ku。并且,ε-氧化铁粉末的Ku例如可以为3.0×105J/m3以下。但是,Ku越高,则意味着热稳定性越高而优选,因此并不限定于上述所例示出的值。
从提高再生记录在磁记录介质中的数据时的再生输出的观点考虑,优选磁记录介质中所包含的强磁性粉末的质量磁化σs高。关于这点,在一方式中,ε-氧化铁粉末的σs可以为8A·m2/kg以上,也可以为12A·m2/kg以上。另一方面,从降噪的观点考虑,ε-氧化铁粉末的σs优选为40A·m2/kg以下,更优选为35A·m2/kg以下。
在本发明及本说明书中,只要没有特别记载,则强磁性粉末等各种粉末的平均粒子尺寸设为使用透射型电子显微镜并通过以下方法测定的值。
使用透射型电子显微镜以100000倍的摄影倍率拍摄粉末,并以总倍率成为500000倍的方式打印在印相纸上或者显示于显示器等而得到构成粉末的粒子的照片。从所得到的粒子的照片中选择目标粒子,用数字转换器对粒子的轮廓进行跟踪而测定粒子(一次粒子)的尺寸。一次粒子是指未凝聚的独立的粒子。
对随机提取的500个粒子进行以上的测定。将如此得到的500个粒子的粒子尺寸的算术平均作为粉末的平均粒子尺寸。作为上述透射型电子显微镜,例如能够使用Hitachi制造的透射型电子显微镜H-9000型。并且,粒子尺寸的测定能够使用公知的图像分析软件例如Carl Zeiss制造的图像分析软件KS-400来进行。后述的实施例所示的平均粒子尺寸是使用Hitachi制造的透射型电子显微镜H-9000型作为透射型电子显微镜并使用Carl Zeiss制造的图像分析软件KS-400作为图像分析软件来测定的值。在本发明及本说明书中,粉末是指多个粒子的集合。例如,强磁性粉末是指多个强磁性粒子的集合。并且,多个粒子的集合并不限定于构成集合的粒子直接接触的方式,也包含后述的粘结剂、添加剂等介于粒子彼此之间的方式。“粒子”一词还有时用于表示粉末。
作为为了进行粒子尺寸测定而从磁记录介质中采取试样粉末的方法,例如能够采用日本特开2011-048878号公报的0015段中所记载的方法。
在本发明及本说明书中,只要没有特别记载,则关于构成粉末的粒子的尺寸(粒子尺寸),在上述粒子照片中观察到的粒子的形状为
(1)针状、纺锤状、柱状(其中,高度大于底面的最大长径)等时,由构成粒子的长轴的长度即长轴长度表示,
(2)板状或柱状(其中,厚度或高度小于板面或底面的最大长径)时,由其板面或底面的最大长径表示,
(3)球形、多面体状、不规则的形状等且无法根据形状确定构成粒子的长轴时,由圆当量直径表示。圆当量直径是指利用圆投影法求出的直径。
并且,粉末的针状比是在上述测定中测定粒子的短轴的长度即短轴长度,由对上述500个粒子得到的长轴长度的算术平均(平均长轴长度)和短轴长度的算术平均(平均短轴长度)作为“平均长轴长度/平均短轴长度”而求出的。在此,只要没有特别记载,则关于短轴长度,在上述粒子尺寸的定义中的(1)的情况下,是指构成粒子的短轴的长度,同样地,在(2)的情况下分别是指厚度或高度,在(3)的情况下,由于长轴与短轴无区别,因此为了方便将(平均长轴长度/平均短轴长度)视为1。
而且,只要没有特别记载,在粒子的形状确定的情况下,例如在上述粒子尺寸的定义(1)的情况下,平均粒子尺寸为平均长轴长度,在粒子尺寸的定义(2)的情况下,平均粒子尺寸为平均板直径。在粒子尺寸的定义(3)的情况下,平均粒子尺寸为平均直径(也称为平均粒径、平均粒子直径)。
磁性层中的强磁性粉末的含有率(填充率)相对于磁性层的总质量优选在50~90质量%的范围内,更优选在60~90质量%的范围内。从提高记录密度的观点考虑,优选在磁性层中强磁性粉末的填充率高。
(粘结剂)
上述磁记录介质可以为涂布型的磁记录介质,在磁性层中可以包含粘结剂。粘结剂是指一种以上的树脂。作为粘结剂,能够使用作为涂布型磁记录介质的粘结剂而通常使用的各种树脂。例如,作为粘结剂,能够单独使用选自聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、氯乙烯树脂、苯乙烯、丙烯腈、使甲基丙烯酸甲酯等进行共聚而成的丙烯酸树脂、硝基纤维素等纤维素树脂、环氧树脂、苯氧树脂、聚乙烯醇缩醛、聚乙烯醇缩丁醛等聚乙烯基烷基醛(polyvinyl alkyral)树脂等中的树脂,或者混合使用多种树脂。在这些之中优选的是聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、纤维素树脂及氯乙烯树脂。这些树脂可以为均聚物,也可以为共聚物(copolymer)。这些树脂在后述的非磁性层和/或背涂层中也能够用作粘结剂。
关于以上的粘结剂,能够参考日本特开2010-24113号公报的0028~0031段。用作粘结剂的树脂的平均分子量作为重均分子量例如可以为10,000以上且200,000以下。只要没有特别记载,则本发明及本说明书中的重均分子量是指将通过凝胶渗透色谱法(GPC)利用下述测定条件测定出的值进行聚苯乙烯换算而求出的值。后述的实施例所示的粘结剂的重均分子量为将利用下述测定条件测定出的值进行聚苯乙烯换算而求出的值。相对于强磁性粉末100.0质量份,例如可以以1.0~30.0质量份的量使用粘结剂。
GPC装置:HLC-8120(TOSOH CORPORATION制造)
柱:TSK gel Multipore HXL-M(TOSOH CORPORATION制造,7.8mmID(InnerDiameter(内径)×30.0em)
洗脱液:四氢呋喃(THF)
(固化剂)
也能够与能够用作粘结剂的树脂一同使用固化剂。在一方式中,固化剂可以为通过加热而进行固化反应(交联反应)的化合物即热固性化合物,在另一方式中,可以为通过光照射而进行固化反应(交联反应)的光固化性化合物。固化剂通过在磁性层形成工序中进行固化反应而其至少一部分能够以与粘结剂等其他成分进行了反应(交联)的状态包含于磁性层中。这点对于用于形成其他层的组合物包含固化剂时使用该组合物形成的层也相同。优选的固化剂为热固性化合物,优选为聚异氰酸酯。关于聚异氰酸酯的详细内容,能够参考日本特开2011-216149号公报的0124~0125段。在磁性层形成用组合物中,相对于粘结剂100.0质量份,例如使用0~80.0质量份的固化剂,从提高磁性层的强度的观点考虑,优选能够以50.0~80.0质量份的量使用。
(添加剂)
磁性层中根据需要可以包含一种以上的添加剂。添加剂能够根据所希望的性质适当选择市售品或者利用公知的方法进行制造,并以任意的量使用。作为添加剂,作为一例可以举出上述固化剂。并且,作为磁性层所包含的添加剂,能够举出非磁性粉末、润滑剂、分散剂、分散助剂、防霉剂、抗静电剂、抗氧化剂等。例如,关于润滑剂,能够参考日本特开2016-126817号公报的0030~0033、0035及0036段。也可以在后述的非磁性层中包含润滑剂。关于能够包含于非磁性层中的润滑剂,能够参考日本特开2016-126817号公报的0030、0031、0034~0036段。关于分散剂,能够参考日本特开2012-133837号公报的0061及0071段。也可以将分散剂添加到非磁性层形成用组合物中。关于能够添加到非磁性层形成用组合物中的分散剂,能够参考日本特开2012-133837号公报的0061段。
填料
作为能够包含于磁性层中的非磁性粉末,可以举出为了控制摩擦特性而用于在磁性层表面形成适度的突起的非磁性粉末(填料)。作为填料,例如能够使用平均粒子尺寸为20~200nm的非磁性粉末。作为填料的一方式,能够举出炭黑。并且,作为填料的另一方式,能够举出胶体粒子。作为胶体粒子,从获得容易性的观点考虑,优选无机胶体粒子,更优选无机氧化物胶体粒子,更进一步优选二氧化硅胶体粒子(胶体二氧化硅)。在本发明及本说明书中,“胶体粒子”是指对于甲乙酮、环己酮、甲苯或乙酸乙酯或按任意的混合比包含上述溶剂中的两种以上的混合溶剂中的至少一种有机溶剂每100mL添加1g时,不沉降而分散并能够提供胶体分散体的粒子。磁性层的填料含量例如在强磁性粉末100.0质量份中优选为0.2~3.0质量份,更优选为0.3~1.0质量份。
研磨剂
作为能够包含于磁性层中的非磁性粉末,还能够举出用于对磁性层表面赋予研磨性的非磁性粉末(研磨剂)。作为研磨剂,优选莫氏硬度超过8的非磁性粉末,更优选莫氏硬度9以上的非磁性粉末。莫氏硬度的最大值为10。另一方面,作为填料,能够使用莫氏硬度比用作研磨剂的非磁性粉末低的非磁性粉末,例如莫氏硬度8以下的非磁性粉末。研磨剂可以为无机物质的粉末,也可以为有机物质的粉末。研磨剂例如可以为无机或有机的氧化物的粉末或碳化物(carbide)的粉末。作为碳化物,能够举出碳化硼(例如B4C)、碳化钛(例如TiC)等。并且,作为研磨剂,也能够使用金刚石。在一方式中,研磨剂优选为无机氧化物的粉末。具体而言,作为无机氧化物,能够举出α-氧化铝等氧化铝(例如Al2O3)、氧化钛(例如TiO2)、氧化铈(例如CeO2)、氧化锆(例如ZrO2)等,其中优选氧化铝。氧化铝的莫氏硬度约为9。关于氧化铝粉末,还能够参考日本特开2013-229090号公报的0021段。作为研磨剂,例如能够使用平均粒子尺寸为0.05~0.2μm的非磁性粉末。磁性层的研磨剂含量例如在强磁性粉末每100.0质量份中优选为2.0~10.0质量份,更优选为4.0~8.0质量份。包含研磨剂的磁性层中还能够含有用于提高研磨剂的分散性的添加剂。作为该添加剂的一例,能够举出日本特开2013-131285号公报的0012~0022段中所记载的分散剂。
以上说明的磁性层能够直接或经由非磁性层间接设置于非磁性支撑体表面上。
<非磁性层>
接着,对非磁性层进行说明。上述磁记录介质可以在非磁性支撑体表面上直接具有磁性层,也可以在非磁性支撑体表面上经由包含非磁性粉末的1层或2层以上的多个非磁性层而具有磁性层。
从提高磁性层表面的平滑性的观点考虑,优选提高成为在其上形成磁性层的面的非磁性层的表面平滑性。从这点考虑,作为非磁性层中所包含的非磁性粉末,优选使用平均粒子尺寸小的非磁性粉末。非磁性粉末的平均粒子尺寸优选在500nm以下的范围内,更优选为200nm以下,进一步优选为100nm以下,进一步优选为50nm以下。并且,从提高非磁性粉末的分散性的容易性的观点考虑,非磁性粉末的平均粒子尺寸优选为5nm以上,更优选为7nm以上,进一步优选为10nm以上。
非磁性层中所使用的非磁性粉末可以为无机粉末,也可以为有机粉末。并且,也能够使用炭黑等。
关于非磁性层中能够使用的炭黑,例如能够参考日本特开2010-24113号公报的0040~0041段。炭黑一般具有粒度分布大的倾向,且具有缺乏分散性的倾向。因此,包含炭黑的非磁性层具有表面平滑性低的倾向。从这点考虑,在一方式中,作为与磁性层相邻的非磁性层,优选设置包含除炭黑以外的非磁性粉末作为非磁性粉末的非磁性层或包含炭黑作为多种非磁性粉末中的一种且在非磁性粉末总量中所占的炭黑的比例低的非磁性层。并且,优选设置多个非磁性层并将位于磁性层的最近处的非磁性层设为包含除炭黑以外的非磁性粉末作为非磁性粉末的非磁性层。例如,优选在非磁性支撑体与磁性层之间设置2层的非磁性层并将非磁性支撑体侧的非磁性层(也记载为“下层非磁性层”。)设为包含炭黑作为非磁性粉末的非磁性层且将磁性层侧的非磁性层(也记载为“上层非磁性层”。)设为包含除炭黑以外的非磁性粉末作为非磁性粉末的非磁性层。并且,在包含多种非磁性粉末的非磁性层形成用组合物中,与包含一种非磁性粉末的非磁性层形成用组合物相比,非磁性粉末的分散性具有容易下降的倾向。从这点考虑,优选设置多个非磁性层并减少各非磁性层中所包含的非磁性粉末的种类。并且,在一方式中,在包含多种非磁性粉末的非磁性层形成用组合物中,为了提高非磁性粉末的分散性,优选使用分散剂。关于该分散剂,待留后述。
作为无机粉末,例如可以举出金属、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物、金属硫化物等粉末。这些非磁性粉末能够以市售品获得,也能够利用公知的方法进行制造。关于其详细内容,能够参考日本特开2011-216149号公报的0146~0150段。
作为非磁性粉末的一方式,能够举出非磁性氧化铁粉末。从提高在其上形成磁性层的非磁性层的表面平滑性的观点考虑,作为非磁性氧化铁粉末,优选使用粒子尺寸小的非磁性氧化铁粉末。从这点考虑,优选使用平均粒子尺寸在前面所记载的范围的非磁性氧化铁粉末。作为非磁性氧化铁粉末,在一方式中,优选α-氧化铁粉末。α-氧化铁是指主相为α相的氧化铁。
非磁性层中的非磁性粉末的含有率(填充率)相对于非磁性层的总质量优选在50~90质量%的范围内,更优选在60~90质量%的范围内。当设置有多个非磁性层时,优选在至少1层非磁性层中非磁性粉末的含有率在上述范围内,更优选在更多的非磁性层中非磁性粉末的含有率为上述范围内。
非磁性层包含非磁性粉末,也能够与非磁性粉末一同包含粘结剂。非磁性层的粘结剂、添加剂等其他物质的详细内容能够适用与非磁性层有关的公知技术。并且,例如关于粘结剂的种类及含量、添加剂的种类及含量等,也能够适用与磁性层有关的公知技术。
作为能够包含于非磁性层中的添加剂,能够举出能够有助于提高非磁性粉末的分散性的分散剂。作为该分散剂,例如能够使用RCOOH(R为烷基或烯基)所表示的脂肪酸(例如,辛酸、癸酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、山嵛酸、油酸、反油酸、亚油酸、亚麻酸等);上述脂肪酸的碱金属盐或碱土金属盐;上述脂肪酸的酯;上述脂肪酸的酯的含有氟的化合物;上述脂肪酸的酰胺;聚环氧烷基烷基磷酸酯;卵磷脂;三烷基聚烯烃氧基季铵盐(所含有的烷基为碳原子数1~5的烷基、所含有的烯烃为乙烯、丙烯等);苯基膦酸;铜酞菁等。它们可以仅使用一种,也可以并用两种以上。分散剂的含量相对于非磁性粉末100.0质量份优选为0.2~5.0质量份。
并且,作为添加剂的一例,能够举出有机叔胺。关于有机叔胺,能够参考日本特开2013-049832号公报的0011~0018及0021段。有机叔胺能够有助于提高炭黑的分散性。关于用于利用有机叔胺提高炭黑的分散性的组合物的处方等,能够参考该公报的0022~0024、0027段。
上述胺更优选为三烷基胺。三烷基胺所具有的烷基优选为碳原子数1~18的烷基。三烷基胺所具有的3个烷基可以相同,也可以不同。关于烷基的详细内容,能够参考日本特开2013-049832号公报的0015~0016段。作为三烷基胺,尤其优选三辛基胺。
在本发明及本说明书中,非磁性层中还包括与非磁性粉末一同含有例如以杂质形式或特意地含有少量的强磁性粉末的实质上非磁性的层。在此,实质上非磁性的层是指该层的剩余磁通密度为10mT以下、矫顽力为7.96kA/m(1000e)以下、或者剩余磁通密度为10mT以下且矫顽力为7.96kA/m(1000e)以下的层。非磁性层优选不具有剩余磁通密度及矫顽力。
<非磁性支撑体>
接着,对非磁性支撑体进行说明。作为非磁性支撑体(以下,也简单记载为“支撑体”。),可以举出进行了双轴拉伸的聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、芳香族聚酰胺等公知的非磁性支撑体。在这些之中,优选聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯及聚酰胺。这些支撑体可以预先进行电晕放电、等离子体处理、易粘接处理、热处理等。
<背涂层>
上述磁记录介质可以在非磁性支撑体的与具有磁性层的表面侧相反的表面侧具有或不具有包含非磁性粉末的背涂层。背涂层中优选含有炭黑及无机粉末中的任一方或双方。背涂层可以包含粘结剂,还可以包含添加剂。关于背涂层的粘结剂及添加剂,能够适用与背涂层有关的公知技术,也能够适用与磁性层和/或非磁性层的处方有关的公知技术。例如,关于背涂层,能够参考日本特开2006-331625号公报的0018~0020段及美国专利第7,029,774号说明书的第4栏第65行~第5栏第38行的记载。
<各种厚度>
关于磁记录介质的厚度(总厚),随着近年来信息量的巨大增大,对磁记录介质要求提高记录容量(高容量化)。作为用于高容量化的方法,可以举出减薄磁记录介质的厚度(以下,也记载为“薄型化”。),例如增加在每1卷磁带盒中容纳的磁带长度。例如,从上述观点考虑,上述磁记录介质的厚度(总厚)优选为5.6μm以下,更优选为5.5μm以下,更优选为5.4μm以下,进一步优选为5.3μm以下,进一步优选为5.2μm以下。并且,从操作容易性的观点考虑,磁记录介质的厚度优选为3.0μm以上,更优选为3.5μm以上。
例如,磁记录介质的厚度(总厚)能够通过以下方法来测定。
从磁记录介质的任意部分切出10片样品(例如长度5~10cm),将这些样品重叠而测定厚度。将所测定出的厚度的10分之1的值(样品每1片的厚度)作为磁记录介质的厚度。上述厚度测定能够使用能够以0.1μm量级测定厚度的公知的测定器来进行。
非磁性支撑体的厚度优选为3.0~5.0μm。
磁性层的厚度能够根据所使用的磁头的饱和磁化量、磁头间隙长度、记录信号的频带等进行最优化,一般为0.01μm~0.15μm,从高密度记录化的观点考虑,优选为0.02μm~0.12μm,进一步优选为0.03μm~0.1μm。磁性层有至少1层即可,也可以将磁性层分离成具有不同磁特性的2层以上,能够适用与公知的多层磁性层有关的结构。分离成2层以上时的磁性层的厚度是指这些层的合计厚度。这点关于具有多个非磁性层的磁记录介质中的非磁性层的厚度也相同。
关于非磁性层的厚度,越形成厚的非磁性层,在非磁性层形成用组合物的涂布工序及干燥工序中非磁性粉末的粒子的存在状态越容易变得不均匀,具有各位置处的厚度的差异变大而非磁性层的表面变粗糙的倾向。从提高磁性层表面的平滑性的观点考虑,优选非磁性层的表面平滑性高。从该观点考虑,非磁性层的厚度优选为1.5μm以下,更优选为1.0μm以下。并且,从提高非磁性层形成用组合物的涂布的均匀性的观点考虑,非磁性层的厚度优选为0.05μm以上,更优选为0.1μm以上。
背涂层的厚度优选为0.9μm以下,进一步优选为0.1~0.7μm。
磁性层的厚度等各种厚度能够通过以下方法求出。
利用离子束使磁记录介质的厚度方向的剖面露出之后,在露出的剖面上进行基于扫描型电子显微镜的剖面观察。能够作为在剖面观察中任意的两个部位求出的厚度的算术平均而求出各种厚度。或者,各种厚度也能够作为根据制造条件等计算的设计厚度而求出。
<制造工序>
(各层形成用组合物的制备)
制备用于形成磁性层、非磁性层或背涂层的组合物的工序通常可以至少包括混炼工序、分散工序及在这些工序的前后根据需要设置的混合工序。各个工序分别可以分为两个阶段以上。各层形成用组合物的制备中所使用的成分可以在任何工序的最初或中途添加。作为溶剂,能够使用涂布型磁记录介质的制造中通常使用的各种溶剂的一种或两种以上。关于溶剂,例如能够参考日本特开2011-216149号公报的0153段。并且,可以将各成分在两个以上的工序中分开添加。例如,可以将粘结剂在混炼工序、分散工序及用于调整分散后的粘度的混合工序中分开投入。为了制造上述磁记录介质,在各种工序中能够使用公知的制造技术。在混炼工序中,优选使用敞开式捏合机、连续式捏合机、加压式捏合机、挤压机等具有强混炼力的捏合机。关于混炼处理的详细内容,能够参考日本特开平1-106338号公报及日本特开平1-79274号公报。分散机能够使用公知的分散机。在一方式中,研磨剂的分散液(以下,也记载为“研磨剂液”。)能够通过与强磁性粉末及填料独立地进行分散来制备。并且,在一方式中,填料的分散液(填料液)能够通过与强磁性粉末及研磨剂独立地进行分散来制备。在制备各层形成用组合物的任意阶段,可以通过公知的方法进行过滤。过滤例如能够通过过滤器过滤来进行。作为过滤中所使用的过滤器,例如能够使用孔径0.01~3μm的过滤器(例如玻璃纤维制过滤器、聚丙烯制过滤器等)。
(涂布工序)
磁性层能够通过将磁性层形成用组合物直接涂布于非磁性支撑体表面上或者与非磁性层形成用组合物逐次或同时进行多层涂布来形成。从提高磁性层表面的平滑性的观点考虑,优选进行逐次多层涂布。背涂层能够通过将背涂层形成用组合物涂布于非磁性支撑体的与具有非磁性层和/或磁性层的(或追加设置非磁性层和/或磁性层的)表面相反的一侧的表面来形成。关于用于形成各层的涂布的详细内容,能够参考日本特开2010-231843号公报的0066段。
(其他工序)
在涂布工序之后,能够进行干燥处理、磁性层的取向处理、表面平滑处理(压延处理)等各种处理。关于各种工序,例如能够参考日本特开2010-24113号公报的0052~0057段等的公知技术。例如,能够对磁性层形成用组合物的涂布层在该涂布层处于未干燥状态的期间实施取向处理。关于取向处理,能够适用以日本特开2010-231843号公报的0067段的记载为首的各种公知技术。例如,垂直取向处理能够通过使用异极对置磁铁的方法等公知的方法来进行。在取向区域中,能够根据干燥风的温度、风量和/或取向区域中的形成有上述涂布层的非磁性支撑体的传送速度来控制涂布层的干燥速度。并且,可以在传送到取向区域之前对涂布层进行预干燥。并且,关于压延处理,若强化压延条件,则磁性层表面的平滑性具有提高的倾向。作为压延条件,可以举出进行压延处理的次数(以下,也记载为“压延次数”。)、压延压力、压延温度(压延辊的表面温度)、压延速度、压延辊的硬度等。越增加压延次数,压延处理越被强化。越增大压延压力、压延温度及压延辊的硬度它们的值,压延处理越被强化,压延速度越慢,压延处理越被强化。例如,压延压力(线压)可以为200~500kg/cm,优选为250~350kg/cm。压延温度(压延辊的表面温度)例如可以为85~120℃,优选为90~110℃,压延速度例如可以为50~300m/分钟,优选为50~200m/分钟。
经过各种工序,能够得到长条状的磁带卷状物。利用公知的裁剪机例如将所得到的磁带卷状物裁剪(分割)为应卷装于磁带盒的磁带的宽度。按照规格确定上述宽度,通常为1/2英寸。1/2英寸=12.65mm。
分割而得到的磁带中通常形成伺服图案。关于伺服图案,在后面叙述详细内容。
(热处理)
在一方式中,上述磁记录介质可以为经过如下热处理制造出的磁带。并且,在另一方式中,上述磁记录介质可以为不经如下热处理而制造出的磁带。
作为热处理,能够进行将分割而裁剪为按照规格确定的宽度的磁带卷绕于芯状部件上并以卷绕的状态进行的热处理。
在一方式中,在将磁带卷绕于热处理用芯状部件(以下,称为“热处理用卷芯”。)的状态下进行上述热处理,并将热处理后的磁带卷取于磁带盒的卷轴,从而能够制作磁带卷装于卷轴的磁带盒。
热处理用卷芯可以为金属制、树脂制、纸制等。从抑制发生挤带(spoking)等卷绕故障的观点考虑,热处理用卷芯的材料优选为刚性高的材料。从这点考虑,热处理用卷芯优选为金属制或树脂制。并且,作为刚性的指标,热处理用卷芯的材料的弯曲弹性模量优选0.2GPa(吉帕斯卡)以上,更优选0.3GPa以上。另一方面,由于高刚性的材料一般价格高,因此使用具有超过能够抑制发生卷绕故障的刚性的刚性的材料的热处理用卷芯会导致成本增加。若考虑以上几点,则热处理用卷芯的材料的弯曲弹性模量优选250GPa以下。弯曲弹性模量为按照ISO(International Organization for Standardization:国际标准化组织)178测定的值,各种材料的弯曲弹性模量是公知的。并且,热处理用卷芯可以为中实或中空的芯状部件。在中空状的情况下,从维持刚性的观点考虑,壁厚优选为2mm以上。并且,热处理用卷芯可以具有或不具有凸缘。
优选通过如下操作来进行热处理:作为卷绕于热处理用卷芯的磁带,准备最终为容纳于磁带盒中的长度(以下,称为“最终产品长度”。)以上的磁带,将该磁带以卷绕于热处理用卷芯的状态置于热处理环境下。卷绕于热处理用卷芯的磁带长度为最终产品长度以上,从在热处理用卷芯等上的卷取容易性的观点考虑,优选设为“最终产品长度+α”。从上述卷取容易性的观点考虑,该α优选为5m以上。卷取于热处理用卷芯时的张力优选0.1N(牛顿)以上。并且,从抑制发生过度变形的观点考虑,卷取于热处理用卷芯时的张力优选1.5N以下,更优选1.0N以下。从卷绕容易性及抑制缠绕(coiling)(长度方向的卷曲)的观点考虑,热处理用卷芯的外径优选20mm以上,更优选40mm以上。并且,热处理用卷芯的外径优选100mm以下,更优选90mm以下。热处理用卷芯的宽度为卷绕于该卷芯的磁带的宽度以上即可。并且,热处理后,从热处理用卷芯取下磁带时,为了抑制在取下的操作中产生意外的带变形,优选在磁带及热处理用卷芯被充分冷却之后从热处理用卷芯取下磁带。所取下的磁带优选暂时卷取于另一卷芯(“称为临时卷取用卷芯”。),然后,将磁带从临时卷取用卷芯卷取于磁带盒的卷轴(外径一般为40~50mm左右)。由此,能够维持热处理时磁带相对于热处理用卷芯的内侧与外侧的关系而将磁带卷取于磁带盒的卷轴。关于临时卷取用卷芯的详细内容及将磁带卷取于该卷芯时的张力,能够参考与热处理用卷芯有关的前面的记载。在对“最终产品长度+α”的长度的磁带实施上述热处理的方式中,在任意的阶段切取“+α”的长度量即可。例如,在一方式中,将最终产品长度量的磁带从临时卷取用卷芯卷取于磁带盒的卷轴并切取剩余的“+α”的长度量即可。从减少切取而被废弃的部分的观点考虑,上述α优选为20m以下。
以下,对如上所述以卷绕于芯状部件的状态进行的热处理的具体方式进行说明。
进行热处理的气氛温度(以下,称为“热处理温度”。)优选40℃以上,更优选50℃以上。另一方面,从抑制过度变形的观点考虑,热处理温度优选75℃以下,更优选70℃以下,进一步优选65℃以下。
进行热处理的气氛的重量绝对湿度优选0.1g/kg Dry air以上,更优选1g/kg Dryair以上。优选重量绝对湿度在上述范围的气氛,因为无需使用用于减少水分的特殊装置就能准备。另一方面,从抑制产生结露而操作性下降的观点考虑,重量绝对湿度优选70g/kgDry air以下,更优选66g/kg Dry air以下。热处理时间优选0.3小时以上,更优选0.5小时以上。并且,从生产效率的观点考虑,热处理时间优选48小时以下。
(伺服图案的形成)
上述磁记录介质可以为带状的磁记录介质(即磁带)或盘状的磁记录介质(即磁盘)。在任一方式中,磁性层均可以具有伺服图案。“伺服图案的形成”也可以说是“伺服信号的记录”。以下,将磁带作为例子对伺服图案的形成进行说明。
伺服图案通常沿着磁带的长度方向而形成。作为利用伺服信号的控制(伺服控制)的方式,可以举出基于定时的伺服(TBS)、振幅伺服(amplitude servo)、频率伺服等。
如ECMA(European Computer Manufacturers Association:欧洲计算机制造商协会)-319(June 2001)所示,在按照LTO(Linear Tape-Open:线性磁带开放协议)规格的磁带(一般被称为“LTO磁带”。)中,采用基于定时的伺服方式。在该基于定时的伺服方式中,伺服图案通过由相互不平行的一对磁条(magnetic stripe)(也被称为“伺服条带(servostripe)”。)沿磁带的长度方向连续地配置多个而构成。在本发明及本说明书中,“基于定时的伺服”是指能够在基于定时的伺服方式的伺服系统中进行磁头跟踪的伺服图案。如上所述,伺服图案由相互不平行的一对磁条构成的原因是为了向在伺服图案上通过的伺服信号读取元件通知该通过位置。具体而言,上述一对磁条以其间隔沿着磁带的宽度方向连续地变化的方式形成,通过由伺服信号读取元件读取该间隔,能够得知伺服图案与伺服信号读取元件的相对位置。该相对位置的信息使得能够进行数据磁道的跟踪。因此,在伺服图案上通常沿着磁带的宽度方向设定有多个伺服磁道。
伺服带(servo band)由在磁带的长度方向上连续的伺服图案构成。该伺服带通常在磁带上设置有多条。例如,在LTO磁带中,其数量为5条。被夹在相邻的两条伺服带之间的区域为数据带。数据带由多个数据磁道构成,各数据磁道对应于各伺服磁道。
并且,在一方式中,如日本特开2004-318983号公报所示,在各伺服带中嵌入有表示伺服带的序号的信息(也被称为“伺服带ID(identification:标识)”或“UDIM(UniqueDataBand Identification Method:唯一数据带标识方法)信息”。)。该伺服带ID是通过将在伺服带中存在多个的一对伺服条带中的特定的伺服条带以其位置在磁带的长度方向上相对位移的方式错开而被记录。具体而言,按每个伺服带改变存在多个的一对伺服条带中的特定的伺服条带的错开方法。由此,所记录的伺服带ID按每个伺服带是唯一的,因此仅通过由伺服信号读取元件读取一个伺服带,能够唯一地(uniquely)确定该伺服带。
另外,唯一地确定伺服带的方法中也有使用如ECMA-319(June 2001)所示的交错(staggered)方式的方法。在该交错方式中,将在磁带的长度方向上连续地配置有多个且相互不平行的一对磁条(伺服条带)的组以按每个伺服带沿磁带的长度方向错开的方式进行记录。相邻的伺服带之间的该错开方法的组合在整个磁带中是唯一的,因此当通过两个伺服信号读取元件读取伺服图案时,也能够唯一地确定伺服带。
并且,如ECMA-319(June 2001)所示,各伺服带中通常还嵌入有表示磁带的长度方向的位置的信息(也被称为“LPOS(Longitudinal Position:纵向位置)信息”。)。与UDIM信息同样地,该LPOS信息也通过沿磁带的长度方向错开一对伺服条带的位置而进行记录。但是,与UDIM信息不同,在该LPOS信息中,在各伺服带中记录有相同的信号。
也能够将与上述UDIM信息及LPOS信息不同的其他信息嵌入到伺服带中。在该情况下,被嵌入的信息可以如UDIM信息那样按每个伺服带而不同,也可以如LPOS信息那样在所有的伺服带中通用。
并且,作为在伺服带中嵌入信息的方法,也能够采用除上述以外的方法。例如,可以从一对伺服条带的组中去掉规定的对来记录规定的代码。
伺服图案形成用磁头被称为伺服写头。伺服写头通常具有伺服带的数量的与上述一对磁条相对应的一对间隙。通常在各一对间隙中分别连接有芯和线圈,通过向线圈供给电流脉冲,在芯中产生的磁场能够在一对间隙中产生漏磁场。在形成伺服图案时,通过一边使磁带在伺服写头上行进一边输入电流脉冲,能够将与一对间隙相对应的磁性图案转印到磁带来形成伺服图案。各间隙的宽度能够根据所形成的伺服图案的密度适当地设定。各间隙的宽度例如能够设定为1μm以下、1~10μm、10μm以上等。
在对磁带形成伺服图案之前,对磁带通常实施消磁(去磁)处理。该去磁处理能够通过使用直流磁铁或交流磁铁对磁带施加相同的磁场来进行。去磁处理有DC(DirectCurrent:直流)去磁和AC(Alternating Current:交流)去磁。AC去磁通过一边使施加于磁带的磁场的方向反向一边逐渐降低该磁场的强度来进行。另一方面,DC去磁通过对磁带施加一方向的磁场来进行。DC去磁进一步有两种方法。第1方法为沿着磁带的长度方向施加一方向的磁场的水平DC去磁。第2方法为沿着磁带的厚度方向施加一方向的磁场的垂直DC去磁。去磁处理可以对整个磁带进行,也可以按磁带的每个伺服带进行。
所形成的伺服图案的磁场的朝向根据去磁的朝向来确定。例如,当对磁带施加水平DC去磁时,伺服图案的形成以磁场的朝向与去磁的朝向相反的方式进行。由此,能够增大读取伺服图案而得到的伺服信号的输出。另外,如日本特开2012-53940号公报所示,当使用上述间隙对经垂直DC去磁的磁带进行了磁性图案的转印时,读取所形成的伺服图案而得到的伺服信号成为单极脉冲形状。另一方面,当使用上述间隙对经水平DC去磁的磁带进行了磁性图案的转印时,读取所形成的伺服图案而得到的伺服信号成为双极脉冲形状。
并且,在一方式中,利用伺服信号获取行进中的磁带的宽度方向的尺寸信息,根据所获取的尺寸信息调整沿磁带的长度方向施加的张力而使其改变,由此能够控制磁带的宽度方向的尺寸。进行这种张力调整能够有助于抑制在进行记录或再生时因磁带的宽度变形而以用于记录或再生数据的磁头从目标磁道位置偏离的方式进行数据的记录或再生。
[磁带盒]
在一方式中,上述磁记录介质可以为磁带。本发明的一方式涉及一种包含上述磁带的磁带盒。
上述磁带盒中所包含的磁带的详细内容如前面所记载。
在磁带盒中,一般以磁带卷取于卷轴的状态容纳于盒主体内部。卷轴能够旋转地具备在盒主体内部。作为磁带盒,广泛使用在盒主体内部具备一个卷轴的单卷轴型的磁带盒及在盒主体内部具备两个卷轴的双卷轴型的磁带盒。若为了对磁带的数据的记录和/或再生而将单卷轴型的磁带盒安装于磁带装置,则磁带从磁带盒被拉出并卷取于磁带装置侧的卷轴。在从磁带盒至卷取卷轴为止的磁带传送路径上配置有磁头。在磁带盒侧的卷轴(供给卷轴)与磁带装置侧的卷轴(卷取卷轴)之间进行磁带的送出和卷取。在此期间,磁头与磁带的磁性层表面接触地滑动,由此进行数据的记录和/或再生。对此,双卷轴型的磁带盒的供给卷轴和卷取卷轴这两个卷轴具备在磁带盒内部。
[磁记录再生装置]
本发明的一方式涉及一种包含上述磁记录介质的磁记录再生装置。
在本发明及本说明书中,“磁记录再生装置”是指能够进行对磁记录介质的数据的记录及记录在磁记录介质中的数据的再生中的至少一方的装置。该装置一般被称为驱动器。在一方式中,在上述磁记录再生装置中,对磁记录介质的数据的记录和/或记录在磁记录介质中的数据的再生能够通过使磁记录介质的磁性层表面与磁头接触地滑动来进行。该方式的磁记录再生装置一般被称为滑动型驱动器或接触滑动型驱动器。上述磁记录再生装置中所包含的磁头可以为能够进行对磁记录介质的数据的记录的记录头,也可以为能够进行记录在磁记录介质的数据的再生的再生磁头。并且,在一方式中,上述磁记录再生装置能够以独立的磁头的形式包含记录头和再生磁头这两个。在另一方式中,上述磁记录再生装置中所包含的磁头也可以具有在一个磁头中具备记录元件和再生元件这两个的结构。作为再生磁头,优选为包含能够以良好的灵敏度读取记录在磁记录介质中的信息的磁阻效应型(MR:Magnetoresistive)元件作为再生元件的磁头(MR磁头)。作为MR磁头,能够使用公知的各种MR磁头(例如,GMR(Giant Magnetoresistive:巨磁阻)磁头、TMR(TunnelMagnetoresistive:隧道磁阻)磁头等)。并且,进行数据的记录和/或数据的再生的磁头中可以包含伺服信号读取元件。或者,作为与进行数据的记录和/或数据的再生的磁头独立的磁头,具备伺服信号读取元件的磁头(伺服头)可以包含在上述磁记录再生装置中。例如,进行数据的记录和/或所记录的数据的再生的磁头(以下,也称为“记录再生磁头”。)能够包括两个伺服信号读取元件,两个伺服信号读取元件分别能够同时读取隔着数据带而相邻的两条伺服带。在两个伺服信号读取元件之间能够配置一个或多个数据用元件。用于记录数据的元件(记录元件)和用于再生数据的元件(再生元件)统称为“数据用元件”。
在记录数据和/或再生所记录的数据时,首先能够使用伺服信号进行跟踪。即,通过使伺服信号读取元件追随规定的伺服磁道,能够控制使数据用元件在目标数据磁道上通过。数据磁道的移动通过沿磁带宽度方向变更伺服信号读取元件所读取的伺服磁道来进行。
并且,记录再生磁头也能够进行对其他数据带的记录和/或再生。此时,利用前面所记载的UDIM信息使伺服信号读取元件向规定的伺服带移动来开始对该伺服带的跟踪即可。
在图1中示出数据带及伺服带的配置例。在图1中,在磁带MT的磁性层中,多个伺服带1被夹在引导带3之间而配置。被夹在两条伺服带之间的多个区域2为数据带。伺服图案为磁化区域,是通过由伺服写头磁化磁性层的特定区域而形成的。由伺服写头磁化的区域(形成伺服图案的位置)根据规格来确定。例如,在作为行业标准规格的LTO Ultrium格式磁带中,在制造磁带时,如图2所示,相对于磁带宽度方向倾斜的多个伺服图案形成于伺服带上。详细而言,在图2中,伺服带1上的伺服帧SF由伺服子帧1(SSF1)及伺服子帧2(SSF2)构成。伺服子帧1由A脉冲串(burst)(图2中,符号A)及B脉冲串(图2中,符号B)构成。A脉冲串由伺服图案A1~A5构成,B脉冲串由伺服图案B1~B5构成。另一方面,伺服子帧2由C脉冲串(图2中,符号C)及D脉冲串(图2中,符号D)构成。C脉冲串由伺服图案C1~C4构成,D脉冲串由伺服图案D1~D4构成。这样的18条伺服图案以5条一组和4条一组的形式配置于以5、5、4、4的排列并排的子帧中,用于识别伺服帧。在图2中,为了说明而示出了一个伺服帧。但是,实际上,在进行基于定时的伺服方式的磁头跟踪的磁带的磁性层中,多个伺服帧在各伺服带中沿行进方向配置。在图2中,箭头表示行进方向。例如,LTO Ultrium格式磁带通常在磁性层的各伺服带中每1m磁带长度具有5000以上的伺服帧。
在上述磁记录再生装置中,在一方式中,磁记录介质作为能够取下的介质(所谓的可更换介质)来处理,例如容纳有磁带的磁带盒被插入到磁记录再生装置中或从磁记录再生装置中被取出。在另一方式中,磁记录介质作为可更换介质来处理,例如在具备磁头的磁记录再生装置的卷轴上卷取磁带,并将磁带容纳于磁记录再生装置内。在一方式中,在该磁记录再生装置中,能够将磁带及磁头容纳于磁记录再生装置中的密闭空间内。在本发明及本说明书中,“密闭空间”是指通过JISZ 2331:2006氦泄漏试验方法中规定的使用氦(He)的浸渍法(加压法)评价的密闭度为10×10-8Pa·m3/秒以下的空间。密闭空间的密闭度例如可以为5×10-9Pa·m3/秒以上且10×10-8Pa·m3/秒以下,或者可以低于上述范围。在一方式中,框体中的空间整体可以为上述密闭空间,在另一方式中,框体中的一部分空间可以为上述密闭空间。上述密闭空间可以为覆盖磁记录再生装置的整体或一部分的框体的内部空间。框体的材质及形状并不受特别限定,例如可以与通常的磁记录再生装置的框体的材质及形状相同。作为一例,能够举出金属、树脂等作为框体的材质。
实施例
以下,根据实施例对本发明的一方式进行说明。但是,本发明并不限定于实施例所示的实施方式。只要没有特别指定,则以下所记载的“份”、“%”表示“质量份”、“质量%”。“eq”为当量(equivalent),是无法换算为SI单位的单位。
并且,只要没有特别记载,则以下的各种工序及操作在温度20~25℃及相对湿度40~60%的环境中进行。
在后面揭示的表1中,“BaFe”表示平均粒子尺寸(平均板径)21nm的六方晶钡铁氧体粉末。
在后面揭示的表1中,作为记载为“金属粉末”的强磁性粉末,使用了与在前面所示的日本特开2004-348897号公报(专利文献2)的实施例1中使用的金属粉末类似的铁-钴合金系强磁性粉末(平均粒子尺寸(平均长轴长度)50nm)。
在后面揭示的表1中,“SrFe”表示通过以下所记载的方法制作出的六方晶锶铁氧体粉末,“ε-氧化铁”表示通过以下所记载的方法制作出的ε-氧化铁粉末。
以下所记载的各种强磁性粉末的平均粒子体积为通过前面所记载的方法求出的值。与以下所记载的各种粉末的粒子的尺寸有关的各种值也是通过前面所记载的方法求出的值。
各向异性常数Ku为使用振动试样型磁力计(TOEI INDUSTRY CO.,LTD.制造)并通过前面所记载的方法对各强磁性粉末求出的值。
并且,质量磁化σs为使用振动试样型磁力计(TOEI INDUSTRY CO.,LTD.制造)在磁场强度15kOe下测定出的值。
[强磁性粉末的制作方法]
<六方晶锶铁氧体粉末的制作方法>
将SrCO3称取1707g、H3BO3称取687g、Fe2O3称取1120g、Al(OH)3称取45g、BaCO3称取24g、CaCO3称取13g且Nd2O3称取235g,用混合机进行混合而得到了原料混合物。
在铂坩埚中在熔融温度1390℃下将所得到的原料混合物熔融,并且一边搅拌熔液一边加热设置于铂坩埚的底部的流出口,使熔液以约6g/秒棒状流出。用水冷双辊对流出液进行轧制淬冷而制作出非晶体。
将制作出的非晶体280g装入电炉中,以升温速度3.5℃/分钟升温至635℃(结晶化温度),并在该温度下保持5小时而使六方晶锶铁氧体粒子析出(结晶化)。
接着,用乳钵将包含六方晶锶铁氧体粒子的上述中所得到的结晶化物进行粗碎,向玻璃瓶中加入粒径1mm的氧化锆珠1000g和浓度1%的乙酸800ml并利用涂料搅拌器进行了3小时分散处理。然后,使所得到的分散液与珠子分离并放入不锈钢烧杯中。将分散液在液温100℃下静置3小时而进行玻璃成分的溶解处理之后,用离心分离器使其沉淀,重复倾析并进行清洗,在炉内温度110℃的加热炉内干燥6小时而得到了六方晶锶铁氧体粉末。
上述中所得到的六方晶锶铁氧体粉末(在后面揭示的表1中为“SrFe”)的平均粒子体积为900nm3,各向异性常数Ku为2.2×105J/m3,质量磁化σs为49A·m2/kg。
从上述中所得到的六方晶锶铁氧体粉末中采取试样粉末12mg,利用ICP分析装置进行在前面所例示出的溶解条件下部分溶解该试样粉末而得到的滤液的元素分析,求出了钕原子的表层部含有率。
另外,从上述中所得到的六方晶锶铁氧体粉末中采取试样粉末12mg,利用ICP分析装置进行在前面所例示出的溶解条件下完全溶解该试样粉末而得到的滤液的元素分析,求出了钕原子的块状含有率。
相对于上述中所得到的六方晶锶铁氧体粉末的铁原子100原子%的钕原子的含有率(块状含有率)为2.9原子%。并且,钕原子的表层部含有率为8.0原子%。确认到表层部含有率与块状含有率的比率“表层部含有率/块状含有率”为2.8,钕原子偏在于粒子的表层。
通过在电压45kV且强度40mA的条件下扫描CuKα射线,并在下述条件下测定X射线衍射图案(X射线衍射分析)来确认了上述中所得到的粉末显示出六方晶铁氧体的晶体结构。上述中所得到的粉末显示出磁铅石型(M型)的六方晶铁氧体的晶体结构。并且,通过X射线衍射分析检测出的晶相为磁铅石型的单一相。
PANalytical X’Pert Pro衍射计、PIXcel检测器
入射光束及衍射光束的Soller狭缝:0.017弧度
分散狭缝的固定角:1/4度
掩模:10mm
防散射狭缝:1/4度
测定模式:连续
每1阶段的测定时间:3秒
测定速度:每秒0.017度
测定步长:0.05度
<ε-氧化铁粉末的制作方法>
一边使用磁力搅拌器搅拌向纯水90g中溶解硝酸铁(III)9水合物8.3g、硝酸镓(III)8水合物1.3g、硝酸钴(II)6水合物190mg、硫酸钛(IV)150mg及聚乙烯吡咯烷酮(PVP)1.5g而得到的溶液,一边在大气气氛中、气氛温度25℃的条件下添加浓度25%的氨水溶液4.0g,并在维持气氛温度25℃的温度条件的状态下搅拌了2小时。向所得到的溶液中加入将柠檬酸1g溶解于纯水9g而得到的柠檬酸溶液,并搅拌了1小时。通过离心分离来采集搅拌后沉淀的粉末,用纯水清洗,并使其在炉内温度80℃的加热炉内干燥。
向干燥的粉末中加入纯水800g,再次使粉末分散于水而得到了分散液。将所得到的分散液升温至液温50℃,一边搅拌一边滴加了浓度25%氨水溶液40g。以保持50℃的温度的状态搅拌1小时之后,滴加四乙氧基硅烷(TEOS)14mL,并搅拌了24小时。向所得到的反应溶液中加入硫酸铵50g,通过离心分离来采集沉淀的粉末,用纯水清洗,并使其在炉内温度80℃的加热炉内干燥24小时而得到了强磁性粉末的前体。
将所得到的强磁性粉末的前体在大气气氛下装填于炉内温度1000℃的加热炉内,实施了4小时的热处理。
将经热处理的强磁性粉末的前体投入到4mol/L的氢氧化钠(NaOH)水溶液中,将液温维持在70℃并搅拌24小时,由此从经热处理的强磁性粉末的前体中去除了作为杂质的硅氧化合物。
然后,通过离心分离处理来采集去除了硅氧化合物的强磁性粉末,用纯水进行清洗而得到了强磁性粉末。
通过高频电感耦合等离子体发射光谱分析(ICP-OES:Inductively CoupledPlasma-Optical Emission Spectrometry)确认了所得到的强磁性粉末的组成,其结果为Ga、Co及Ti取代型ε-氧化铁(ε-Ga0.28Co0.05Ti0.05Fe1.62O3)。并且,在与前面关于六方晶锶铁氧体粉末的制作方法而记载的条件相同的条件下进行X射线衍射分析,根据X射线衍射图案的峰确认到所得到的强磁性粉末具有不包含α相及γ相的晶体结构的ε相单相的晶体结构(ε-氧化铁的晶体结构)。
所得到的ε-氧化铁粉末(在后面揭示的表1中为“ε-氧化铁”)的平均粒子体积为750nm3,各向异性常数Ku为1.2×105J/m3,质量磁化σs为16A·m2/kg。
在后面揭示的表1中,对于仅形成有一层非磁性层的实施例及比较例,与非磁性层有关的事项示于“下层非磁性层”栏。
[实施例1]
(1)氧化铝分散物的制备
对表1所示的平均粒子尺寸的α-氧化铝粉末100.0份混合3.0份的2,3-二羟基萘(Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)、具有SO3Na基作为极性基团的聚酯聚氨酯树脂(Toyobo Co.,Ltd.制造的UR-4800(极性基团量:80meq/kg))的32%溶液(溶剂为甲基乙基酮与甲苯的混合溶剂)31.3份、作为溶剂的甲基乙基酮与环己酮1:1(质量比)的混合溶液570.0份,并在氧化锆珠存在下利用涂料搅拌器分散了5小时。分散后,利用筛网分为分散液和珠子,得到了氧化铝分散物。
(2)磁性层形成用组合物处方
(磁性液)
强磁性粉末(种类:参考表1) 100.0份
聚氨酯树脂 10.0份
Toyobo Co.,Ltd.制造的UR-4800(含有磺酸基的聚酯聚氨酯树脂)
环己酮 150.0份
甲基乙基酮 150.0份
(研磨剂液)
在上述(1)中所制备出的氧化铝分散物 6.0份
(填料液)
填料 0.5份
种类:炭黑(平均粒子尺寸:80nm)
甲基乙基酮 1.4份
(其他成分)
硬脂酸 2.0份
硬脂酸酰胺 0.2份
硬脂酸丁酯 2.0份
聚异氰酸酯(TOSOH CORPORATION制造的CORONATE(注册商标)L)2.5份
(精加工添加溶剂)
环己酮 200.0份
甲基乙基酮 200.0份
(3)非磁性层形成用组合物处方
非磁性粉末:α-氧化铁 100.0份
平均粒子尺寸(平均长轴长度):参考表1
针状比:7
BET(Brunauer-Emmett-Teller:布鲁诺-埃梅特-特勒)比表面积:52m2/g
炭黑 20.0份
平均粒子尺寸:20nm
含有SO3Na基的聚氨酯树脂 18.0份
重均分子量:70,000,SO3Na基:0.2meq/g
/>
(4)背涂层形成用组合物处方
炭黑 100.0份
DBP(Dibutyl phthalate:邻苯二甲酸二丁酯)吸油量:74cm3/100g
(5)各层形成用组合物的制备
通过以下的方法制备出磁性层形成用组合物。
通过使用间歇式立式砂磨机将上述成分分散(珠子分散)24小时而制备出磁性液。作为分散珠,使用了珠直径0.5mm的氧化锆珠。
对于填料液,利用带有搅拌机的间歇式超声波分散装置将上述填料液的成分以搅拌转速1500rpm(revolutions per minute:每分钟转速)处理30分钟而进行了液化处理。对于液化的填料液,利用卧式珠磨分散机并使用珠直径0.5mm的氧化锆珠,以珠子填充率80体积%、转子前端圆周速度10m/秒,将每通过1次的滞留时间设为2分钟,以表1中的“填料液分散处理”栏所示的通过次数进行了分散处理。对于分散处理后的溶液,用溶解搅拌机以圆周速度10m/秒搅拌30分钟之后,利用流式超声波分散机以流量3kg/分钟进行了3次通过处理。
使用上述砂磨机,与所制备出的磁性液及填料液与上述研磨剂液以及其他成分(其他成分及精加工添加溶剂)混合并珠子分散5分钟之后,用间歇式超声波装置(20kHz、300W)进行了0.5分钟处理(超声波分散)。然后,使用具有0.5μm的孔径的过滤器进行过滤而制备出磁性层形成用组合物。
通过以下方法制备出非磁性层形成用组合物。利用敞开式捏合机,将除润滑剂(硬脂酸、硬脂酸酰胺及硬脂酸丁酯)以外的上述成分进行混炼及稀释处理,然后,利用卧式珠磨分散机实施了分散处理。然后,添加润滑剂(硬脂酸、硬脂酸酰胺及硬脂酸丁酯),利用溶解搅拌机实施搅拌及混合处理而制备出非磁性层形成用组合物。
通过以下方法制备出背涂层形成用组合物。将除聚异氰酸酯以外的上述成分导入到溶解搅拌机中,以圆周速度10m/秒搅拌30分钟之后,利用卧式珠磨分散机实施了分散处理。然后,添加聚异氰酸酯,利用溶解搅拌机实施搅拌及混合处理而制备出背涂层形成用组合物。
(6)磁带及磁带盒的制作
在厚度4.1μm的经双轴拉伸的聚对苯二甲酸乙二酯制支撑体的表面上以干燥后的厚度成为表1中所记载的厚度的方式涂布上述(5)中所制备出的非磁性层形成用组合物并使其干燥而形成了非磁性层。接着,在非磁性层上以干燥后的厚度成为0.1μm的方式涂布上述(5)中所制备出的磁性层形成用组合物而形成了涂布层。然后,在磁性层形成用组合物的涂布层处于湿润状态的期间,对涂布层的表面沿垂直方向施加磁场强度0.3T的磁场而进行垂直取向处理之后,使其干燥,从而形成了磁性层。即,作为涂布方式,采用了逐次涂布。然后,在支撑体的与形成有非磁性层及磁性层的表面相反的一侧的表面上以干燥后的厚度成为0.3μm的方式涂布上述(5)中所制备出的背涂层形成用组合物并使其干燥而形成了背涂层。
然后,使用仅由金属辊构成的压延辊,在速度100m/分钟、线压300kg/cm及90℃的压延温度(压延辊的表面温度)下进行了表面平滑处理(压延处理)(压延次数:两次)。
然后,通过将长条状的磁带卷状物保管在气氛温度70℃的热处理炉内而进行了热处理(热处理时间:36小时)。热处理后,分割为1/2英寸的宽度而得到了磁带。通过利用市售的伺服写入器在所得到的磁带的磁性层中记录伺服信号而得到了磁带,该磁带以按照LTO(Linear Tape-Open:线性磁带开放协议)Ultrium格式的配置具有数据带、伺服带及引导带且在伺服带上具有按照LTO Ultrium格式的配置及形状的伺服图案(基于定时的伺服图案)。如此形成的伺服图案为按照JIS(Japanese Industrial Standards:日本工业标准)X6175:2006及Standard ECMA-319(June 2001)的记载的伺服图案。伺服带的合计条数为5,数据带的合计条数为4。
将形成上述伺服图案之后的磁带(长度970m)卷取于热处理用卷芯,并以卷绕于该卷芯的状态进行了热处理。作为热处理用卷芯,使用弯曲弹性模量0.8GPa的树脂制的中实状的芯状部件(外径:50mm),卷取时的张力设为0.6N。热处理在热处理温度50℃下进行了5小时。进行热处理的气氛的重量绝对湿度为10g/kg Dry air。
上述热处理后,在磁带及热处理用卷芯被充分冷却之后,从热处理用卷芯取下磁带,卷取于临时卷取用卷芯,然后,将最终产品长度量(960m)的磁带从临时卷取用卷芯卷取于磁带盒的卷轴(卷轴外径:44mm),切取剩余10m的量,在切取侧的末端利用市售的粘接带(splicing tape)接合了按照Standard ECMA(European Computer ManufacturersAssociation:欧洲计算机制造商协会)-319(June 2001)Section 3的项目9的引导带(leader tape)。作为临时卷取用卷芯,使用由与热处理用卷芯相同的材料制成且具有相同外径的中实状的芯状部件,卷取时的张力设为0.6N。
通过以上,制作出长度960m的磁带卷装于卷轴的单卷轴型的磁带盒。
[实施例2]
作为研磨剂,使用了表1中所记载的平均粒子尺寸的α-氧化铝粉末且如表1所示那样变更了填料液的分散处理的通过次数,除了这点以外,通过关于实施例1而记载的方法制作出磁带及磁带盒。
[实施例3]
将非磁性层的非磁性粉末变更为表1所示的平均粒子尺寸的α-氧化铁,除了这点以外,通过关于实施例1而记载的方法制作出磁带及磁带盒。
[实施例4]
以干燥后的厚度成为表1中所记载的厚度的方式涂布非磁性层形成用组合物并使其干燥而形成了非磁性层,除了这点以外,通过关于实施例3而记载的方法制作出磁带及磁带盒。
[实施例5]
作为强磁性粉末,使用了表1的“强磁性粉末”栏中所记载的强磁性粉末,除了这点以外,通过关于实施例4而记载的方法制作出磁带及磁带盒。
[实施例6]
如下形成2层非磁性层,并在所形成的上层非磁性层上如关于实施例1所记载那样涂布磁性层形成用组合物而形成了磁性层且将压延次数设为1次,除了这点以外,通过关于实施例1而记载的方法制作出磁带及磁带盒。
<下层非磁性层形成用组合物的处方>
<上层非磁性层形成用组合物的处方>
非磁性粉末:α-氧化铁 100.0份
平均粒子尺寸(平均长轴长度):30nm
平均短轴长度:15nm
针状比:2.0
含有SO3Na基的聚氨酯树脂 18.0份
重均分子量:70,000,SO3Na基:0.2meq/g
硬脂酸 1.0份
环己酮 300.0份
甲基乙基酮 300.0份
对于上述的下层非磁性层形成用组合物及上层非磁性层形成用组合物,分别用敞开式捏合机将上述成分混炼240分钟之后,用砂磨机使其分散。作为各非磁性层形成用组合物的分散条件,将分散时间设为24小时,作为分散珠,使用了珠直径0.1mm的氧化锆珠。在如此得到的各分散液中加入聚异氰酸酯(TOSOH CORPORATION制造的CORONATE3041)4.0份,进而搅拌混合20分钟之后,使用具有0.5μm的孔径的过滤器进行了过滤。
通过以上,制备出下层非磁性层形成用组合物及上层非磁性层形成用组合物。
在与实施例1相同的支撑体的一个表面上以干燥后的厚度成为表1中所记载的厚度的方式涂布下层非磁性层形成用组合物,并在气氛温度100℃的环境下使其干燥而形成了下层非磁性层。在下层非磁性层上以干燥后的厚度成为表1中所记载的厚度的方式涂布上层非磁性层形成用组合物,并在气氛温度100℃的环境下使其干燥而形成了上层非磁性层。
[实施例7、8]
作为强磁性粉末,使用了表1的“强磁性粉末”栏中所记载的强磁性粉末,除了这点以外,通过关于实施例6而记载的方法制作出磁带及磁带盒。
[比较例1]
作为研磨剂,使用了表1中所记载的平均粒子尺寸的α-氧化铝粉末,除了这点以外,通过关于实施例1而记载的方法制作出磁带及磁带盒。
[实施例9]
通过关于比较例1而记载的方法制作出磁带。在将所制作出的磁带容纳于磁带盒之前,在磁带的总长上实施了以下的滑动处理(以下,称为“制造工序中滑动处理”)。
将搭载于IBM公司制造的LTO(Linear Tape-Open:线性磁带开放协议)8磁带驱动器中的记录再生磁头(LT08磁头)用作滑动部件。在磁带传送装置中,使磁带在以下的行进条件下行进而使上述滑动部件与磁性层的表面接触地滑动。以下的沿磁带的长度方向施加的张力的值及磁带的行进速度为磁带传送装置中的设定值。关于单位,“gf”为克重,1N(牛顿)约为102gf。
(行进条件)
磁带的行进速度:4m/秒
沿磁带的长度方向施加的张力:100gf
磁带的行进通过:20,000次单次通过(single pass)
包角θ:1°
[比较例2]
如表1所示那样变更了填料液的分散处理的通过次数,除了这点以外,通过关于比较例1而记载的方法制作出磁带及磁带盒。
[比较例3]
按照日本特开2014-209403号公报(专利文献1)的实施例1的记载制作出磁带。其中,作为强磁性粉末,使用了与实施例1等相同的表1所示的强磁性粉末,作为研磨剂,使用了与比较例1等相同的表1中所记载的平均粒子尺寸的α-氧化铝粉末,作为非磁性层的非磁性粉末,使用了与实施例1等相同的炭黑及表1中所记载的平均粒子尺寸的α-氧化铁。如日本特开2014-209403号公报(专利文献1)的0067段中所记载,磁性层中所包含的填料为胶体二氧化硅。关于比较例3,按照日本特开2014-209403号公报(专利文献1)的0071段的记载制备出磁性层形成用组合物,因此对包含胶体二氧化硅的溶液未进行与其他成分混合之前的分散处理(填料液的分散处理)。
利用与实施例1相同的方法,对所制作出的磁带形成伺服图案之后,容纳于磁带盒中。
如此,制作出长度960m的磁带卷装于卷轴的单卷轴型的磁带盒。
[比较例4]
使用前面所记载的金属粉末,按照日本特开2004-348897号公报(专利文献2)的实施例1的记载制作出磁带。如日本特开2004-348897号公报(专利文献2)的0050段中所记载,磁性层和非磁性层的涂布方式为同时多层涂布。关于比较例4,按照日本特开2004-348897号公报(专利文献2)的0050段的记载制备出磁性层形成用组合物,因此对包含炭黑的溶液未进行与其他成分混合之前的分散处理(填料液的分散处理)。
利用与实施例1相同的方法,对所制作出的磁带形成伺服图案之后,容纳于磁带盒中。
如此,制作出长度960m的磁带卷装于卷轴的单卷轴型的磁带盒。
关于实施例及比较例,分别制作两个磁带盒,为了求出以下的突出高度差Δ及磁性层表面Ra而使用其中一个,在后述的高温环境下重复行进前后的电磁转换特性的评价中使用了另一个。
[物性评价]
(1)磁性层表面Ra
作为AFM的测定条件,采用下述条件,通过前面所记载的方法对实施例及比较例的各磁带求出了磁性层表面Ra。
以轻敲模式使用AFM(Veeco Instruments,Inc.制造的Nanoscope4)对磁带的磁性层表面的面积40μm×40μm的区域进行测定。作为探针,使用BRUKER Corporation制造的RTESP-300,解像力设为512pixel×512pixel,扫描速度设为在341秒内测定1个画面(512pixel×512pixel)的速度。
(2)突出高度差Δ
通过前面所记载的方法对实施例及比较例的各磁带求出了突出高度HD及突出高度HB。由所求出的值计算出突出高度差Δ(HD-HB)。
对于后面揭示的表2所示的实施例及比较例,由通过前面所记载的方法对磁性层表面的3个部位的测定区域获取的测定结果,如下求出了参考突出高度差Δref。
对于各测定区域,求出了将基准面设为0nm的暗部区域的高度的算术平均作为所有暗部区域的算术平均。如此计算出对3个部位的测定区域求出的3个值的算术平均,将其设为HDref。并且,对于各测定区域,求出了将基准面设为0nm的明部区域的高度的算术平均作为所有明部区域的算术平均。如此计算出对3个部位的测定区域求出的3个值的算术平均,将其设为HBref。
由上述的HDref和HBref计算出参考突出高度差Δref=HDref-HBref。参考突出高度差Δref可以说是将基准面设为0nm而求出的暗部区域与明部区域的突出高度差。在此,“ref”用作“reference”的简称。
[在高温环境下重复行进前后的电磁转换特性的评价]
(1)在高温环境下重复行进前的电磁转换特性的评价
在气氛温度23℃±1℃相对湿度50%的环境中进行了以下的电磁转换特性的评价。
在图3中示出用于使磁带行进的卷轴试验机的概略图。
对于实施例及比较例,如图3所示,分别将从磁带盒取出的磁带的长度方向的任意位置切出的长度100m的磁带试样安装于固定有搭载于IBM公司制造的LTO(Linear Tape-Open:线性磁带开放协议)8磁带驱动器中的记录再生磁头(LT08磁头)的1/2英寸卷轴试验机。具体而言,将磁带试样的一个端部固定于卷轴试验机的一个磁带卷轴并将另一个端部固定于卷轴试验机的另一个磁带卷轴,从而将磁带试样安装于卷轴试验机。“LT08磁头”是指按照LT08标准的磁头。在卷轴试验机中使磁带试样行进,使磁性层的表面与磁头接触地滑动而进行了数据的记录及再生。磁带(上述磁带试样)的行进条件设为以下的条件。以下的沿磁带的长度方向施加的张力的值及磁带的行进速度为卷轴试验机中的设定值。如前面所记载,关于单位,“gf”为克重,1N(牛顿)约为102gf。
(行进条件)
磁带的行进速度:4m/秒
沿磁带的长度方向施加的张力:100gf
磁带的行进通过:1次单次通过
包角θ:1°
记录以线记录密度300kfci进行,测定进行再生时的再生输出,求出了SNR(Signal-to-Noise Ratio,信号噪声比)作为信噪比(再生输出与噪声之比)。单位kfci是指线记录密度的单位(无法换算为SI单位系)。
(2)在高温环境下的重复行进
使上述(1)的评价后的磁带试样在气氛温度65℃相对湿度10%的环境中以如上述(1)中所记载那样安装于卷轴试验机的状态在上述(1)中所记载的行进条件下行进,使磁性层的表面与磁头接触地滑动。
(3)在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的评价
关于上述(2)的重复行进后的磁带,在气氛温度23℃±1℃相对湿度50%的环境中,将磁带的行进次数设为20,000次单次通过,除了这点以外,如上述(1)中所记载那样评价了电磁转换特性。
(4)在高温环境下重复行进前后的SNR下降量(ΔSNR)
将在上述(1)中记录再生时的SNR设为“重复行进前SNR”,将在上述(3)中的第20,000次单次通过中记录再生时的SNR设为“重复行进后SNR”,利用以下式计算出ΔSNR。若重复行进后的SNR的变化量相对于重复行进前的SNR在3.0dB以内,则可以说在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降少。
ΔSNR=(重复行进后SNR)-(重复行进前SNR)
在比较例4中,在上述(2)的高温环境下的重复行进中,磁性层产生了很多划痕,因此无法进行上述(3)的电磁转换特性的评价(表1中,在ΔSNR栏中标记为“无法评价”)。
[表2]
突出高度差Δ | 参考突出高度差Δref | |
实施例1 | 1.3nm | 2.6nm |
实施例9 | 1.0nm | 1.2nm |
比较例1 | 0.4nm | 1.1nm |
比较例2 | 0.4nm | 1.1nm |
由表1所示的结果能够确认,在实施例的磁带中,与比较例的磁带相比,在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降得到了抑制。
并且,由表2所示的结果能够确认,将周边基底区域的高度设为0nm而求出的突出高度差Δ的大小关系与将基准面设为0nm而求出的参考突出高度差Δref的大小关系并不对应。
产业上的可利用性
本发明的一方式在数据存储用磁带的技术领域中有用。
Claims (11)
1.一种磁记录介质,其具有非磁性支撑体和包含强磁性粉末的磁性层,其中,
在所述磁性层的表面上测定的算术平均粗糙度Ra为2.5nm以下,且突出高度HD与突出高度HB的突出高度差Δ即HD-HB为0.7nm以上,
所述突出高度HD是对于在利用扫描型电子显微镜拍摄所述磁性层的表面而得到的背散射电子像的第1二值化处理结束的图像中被确定为暗部区域的区域,利用原子力显微镜测定的、将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度,所述突出高度HB是对于在利用扫描型电子显微镜拍摄所述磁性层的表面而得到的背散射电子像的在比所述第1二值化处理更靠高灰度侧进行的第2二值化处理结束的图像中被确定为明部区域的区域,利用原子力显微镜测定的、将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质,其中,
所述突出高度差Δ为0.7nm以上且3.0nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质,其中,
所述算术平均粗糙度Ra为0.8nm以上且2.5nm以下。
4.根据权利要求1或2所述的磁记录介质,其中,
所述磁性层包含两种以上的非磁性粉末。
5.根据权利要求4所述的磁记录介质,其中,
所述磁性层的非磁性粉末包含氧化铝粉末。
6.根据权利要求4所述的磁记录介质,其中,
所述磁性层的非磁性粉末包含炭黑。
7.根据权利要求1或2所述的磁记录介质,其中,在所述非磁性支撑体与所述磁性层之间还具有包含非磁性粉末的非磁性层。
8.根据权利要求1或2所述的磁记录介质,其中,在所述非磁性支撑体的与具有所述磁性层的表面侧相反的表面侧还具有包含非磁性粉末的背涂层。
9.根据权利要求1或2所述的磁记录介质,其中,所述磁记录介质为磁带。
10.一种磁带盒,其包含权利要求9所述的磁带。
11.一种磁记录再生装置,其包含权利要求1至9中任一项所述的磁记录介质。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-059356 | 2022-03-31 | ||
JP2022059356A JP2023150312A (ja) | 2022-03-31 | 2022-03-31 | 磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116895293A true CN116895293A (zh) | 2023-10-17 |
Family
ID=88193343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310336714.9A Pending CN116895293A (zh) | 2022-03-31 | 2023-03-31 | 磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230317110A1 (zh) |
JP (1) | JP2023150312A (zh) |
CN (1) | CN116895293A (zh) |
-
2022
- 2022-03-31 JP JP2022059356A patent/JP2023150312A/ja active Pending
-
2023
- 2023-03-28 US US18/191,311 patent/US20230317110A1/en active Pending
- 2023-03-31 CN CN202310336714.9A patent/CN116895293A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023150312A (ja) | 2023-10-16 |
US20230317110A1 (en) | 2023-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7105211B2 (ja) | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置 | |
CN111863039B (zh) | 磁记录介质以及磁记录再生装置 | |
CN111951838B (zh) | 磁记录介质及磁记录再生装置 | |
CN111951837B (zh) | 磁记录介质以及磁记录再生装置 | |
CN111863038B (zh) | 磁记录介质及磁记录再生装置 | |
JP7098562B2 (ja) | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置 | |
JP6852218B2 (ja) | 磁気テープおよび磁気記録再生装置 | |
US11538494B2 (en) | Magnetic recording and reproducing device | |
JP7091264B2 (ja) | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置 | |
US20230169996A1 (en) | Magnetic tape, magnetic tape cartridge, and magnetic tape device | |
US11295763B2 (en) | Magnetic tape device, magnetic tape, and magnetic tape cartridge | |
JP7377164B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置 | |
CN116895293A (zh) | 磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置 | |
JP2020166910A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
CN112397096B (zh) | 磁带、磁带盒及磁记录再生装置 | |
US11495256B2 (en) | Magnetic recording medium, magnetic tape cartridge, and magnetic recording and reproducing device | |
US20230154491A1 (en) | Magnetic recording medium, magnetic tape cartridge, and magnetic recording and reproducing device | |
JP7232206B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置 | |
WO2022025156A1 (ja) | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置 | |
JP7091270B2 (ja) | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置 | |
WO2022025154A1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置 | |
CN115917646A (zh) | 磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置 | |
CN116097354A (zh) | 磁记录再生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |