CN116868692A - 发光装置、电子设备、显示装置以及照明装置 - Google Patents

Abstract

提供一种廉价发光器件。提供一种发光装置，包括形成在绝缘表面上并沿第一方向延伸的多个分隔壁、以岛状形成在所述绝缘平面上的多个像素电极、设置在所述像素电极上的EL层以及设置在所述EL层上的第二电极，其中，所述分隔壁具有绝缘性，沿所述第一方向排列的每个所述像素电极位于所述多个分隔壁中的相邻的所述分隔壁与分隔壁之间，并且，在沿所述第一方向排列的所述像素电极中的在第一方向上相邻的所述像素电极之间，所述EL层接触所述绝缘表面。

Description

发光装置、电子设备、显示装置以及照明装置

技术领域

本发明的一个方式涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备、照明装置及电子器件。注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置以及这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

背景技术

使用有机化合物且利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光器件(有机EL器件)的实用化非常活跃。在这些发光器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该器件施加电压，注入载流子，利用该载流子的复合能量，可以获得来自发光材料的发光。

因为这种发光器件是自发光型发光器件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势，特别适合于平板显示器。另外，使用这种发光器件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。而且，非常快的响应速度也是其特征之一。

此外，因为这种发光器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯、LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可用于照明等的面光源，上述发光器件的利用价值也高。

如上所述，使用发光器件的显示器、照明装置适用于各种各样的电子设备，但是为了追求具有更良好的特性的发光器件的研究开发日益活跃。

此外，已产品化的有机EL器件通常通过蒸镀法制造，但由于蒸镀法在维持材料效率及制造气氛等方面花费成本，所以期待通过利用湿式沉积法能够廉价地进行制造。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]美国专利申请公开第2020/0176692号说明书

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的一个方式的目的是提供一种显示品质良好的发光装置。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种廉价发光装置。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种发光效率高的发光装置。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种廉价且显示品质良好的发光装置。

本发明的一个方式只要实现上述目的中的任一个即可。

解决技术问题的手段

本发明的一个方式是一种发光装置，包括形成在绝缘表面上并沿第一方向延伸的多个分隔壁、以岛状形成在所述绝缘表面上的多个像素电极、设置在所述像素电极上的EL层以及设置在所述EL层上的第二电极，其中，所述分隔壁具有绝缘性，沿所述第一方向排列的每列所述像素电极位于所述多个分隔壁中的相邻的所述分隔壁与分隔壁之间，并且，在沿所述第一方向排列的所述像素电极中的在第一方向上相邻的所述像素电极之间，所述EL层接触所述绝缘表面。

另外，本发明的一个方式是一种发光装置，包括形成在绝缘表面上并沿第一方向延伸的多个分隔壁、以岛状形成在所述绝缘表面上的多个像素电极、设置在所述像素电极上的EL层以及设置在所述EL层上的第二电极，其中，所述分隔壁具有绝缘性，沿所述第一方向排列的每列所述像素电极位于所述多个分隔壁中的相邻的所述分隔壁与分隔壁之间，所述像素电极的大致平行于所述第一方向的端部被所述分隔壁覆盖，并且，在沿所述第一方向排列的所述像素电极中的在第一方向上相邻的所述像素电极之间，所述EL层接触所述绝缘表面。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中所述EL层连续设置在沿所述第一方向排列的所述像素电极上。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，所述发光装置包括多个沿所述第一方向排列的所述像素电极的列，其中位于相邻的所述像素电极的列之间的所述分隔壁为一个。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中所述EL层的接触所述像素电极的层至发光层的层按沿所述第一方向排列的所述像素电极的列独立。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中所述相邻的像素电极的列各自包括的EL层包含不同发光材料。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，所述发光装置包括至少三个沿所述第一方向排列的所述像素电极的列，其中在所述三个所述像素电极的列中，形成在任一个所述像素电极的列上的EL层包含呈现红色发光的发光材料，在其他两个所述像素电极的列中，形成在一个所述像素电极的列上的EL层包含呈现绿色发光的发光材料，形成在另一个所述像素电极的列上的EL层包含呈现蓝色发光的发光材料。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中通过液滴喷射法形成所述像素电极的按列独立的部分的所述EL层。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中在通过ToF-SIMS测量所述像素电极的按列独立的部分的所述EL层时，在负模式的测量结果中在m/z＝80附近观察到信号。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中所述EL层的一部分连续在不同列的所述像素电极上。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中所述EL层的电子传输层及/或电子注入层连续在不同列的所述像素电极上。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中所述第二电极跨着所述多个像素电极连续设置。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中所述像素电极的端部的至少一部分具有锥形形状。

本发明的另一个方式是根据上述结构的发光装置，其中在沿大致垂直于所述绝缘表面的面截断所述像素电极时，具有端部的角度为5度以上且90度以下的部分。

本发明的另一个方式是一种包括上述任意个发光装置的显示装置。

本发明的另一个方式是一种电子设备，包括上述任意个发光装置、以及传感器、操作按钮、扬声器或麦克风。

另外，本发明的另一个方式是一种照明装置，包括上述任意发光器件以及外壳。

注意，在本说明书中，发光装置包括使用发光器件的图像显示器件。另外，发光装置有时还包括如下模块：发光器件安装有连接器诸如各向异性导电膜或TCP(Tape CarrierPackage：带载封装)的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；或者通过COG(Chip OnGlass：玻璃覆晶封装)方式在发光器件上直接安装有IC(集成电路)的模块。而且，照明装置等有时包括发光装置。

发明效果

根据本发明的一个方式，可以提供一种显示品质良好的发光装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种廉价发光装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种发光效率高的发光装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种廉价且显示品质良好的发光装置。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。另外，说明书、附图以及权利要求书等的记载中显然存在上述效果以外的效果，可以从说明书、附图以及权利要求书等的记载中获得上述效果以外的效果。

附图简要说明

图1A、图1B、图1C及图1D是发光装置的立体图及截面图。

图2A至图2F是示出发光装置的制造工序的截面图。

图3A1、图3A2、图3B2及图3C2是示出发光装置的制造工序的截面图。

图4是发光装置的立体图。

图5A及图5B是发光装置的截面图。

图6A及图6B是发光装置的截面图。

图7是发光装置的截面图。

图8A至图8E是发光器件的截面图。

图9是说明液滴喷射装置的概念图。

图10A至图10D是发光装置的电路图。

图11A至图11D是发光装置的电路图。

图12是发光装置的时序图。

图13A及图13B是示出电子设备的一个例子的图。

图14A至图14D是示出电子设备的一个例子的图。

图15A至图15F是示出电子设备的一个例子的图。

图16A至图16F是示出电子设备的一个例子的图。

图17A、图17B、图17C及图17D是发光装置的立体图及截面图。

图18A至图18F是示出发光装置的制造工序的截面图。

图19A1、图19A2、图19B2及图19C2是示出发光装置的制造工序的截面图。

图20A及图20B是发光装置的截面图。

图21A及图21B是发光装置的截面图。

图22是发光装置的截面图。

实施发明的方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。

在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模)而制造的器件称为具有MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或FMM制造的器件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的器件。

(实施方式1)

图1A至图1D示出本发明的一个方式的发光装置的图。在本发明的一个方式的发光装置中，绝缘表面100上设置有多个像素电极101及多个分隔壁102。分隔壁102以沿第一方向延伸的方式形成，沿第一方向排列的多个像素电极101(例如像素电极101-1、像素电极101-2及像素电极101-3)位于相邻的分隔壁102(例如分隔壁102-1与分隔壁102-2)之间。如图所示，发光装置中形成有多个沿第一方向排列的像素电极101的列，像素电极101的列与列之间存在有分隔壁102。

像素电极101上设置有EL层103(参照图1B)。EL层103包含发光材料，具有能够通过电流激发从该发光材料得到发光的结构。EL层103优选利用湿法制造，尤其优选利用喷墨法、喷嘴印刷法等液滴喷射法制造。

像素电极101以沿第一方向排列的方式形成，所以通过利用液滴喷射法沿第一方向使喷嘴移动而形成EL层103，可以简单地形成EL层103。此外，像素电极101的列设置在分隔壁102之间，所以可以由分隔壁102防止被喷射的组成物(也称为墨水)流到不同的像素电极的列，而可以防止墨水泄漏到垂直于第一方向的方向上相邻的像素电极上。

注意，EL层103优选形成在沿第一方向排列的多个像素电极101上并在多个像素电极上连续。通过利用液滴喷射法沿第一方向使喷嘴移动而形成，可以形成第一方向上连续的EL层103。此时，在第一方向上相邻的像素电极(例如像素电极101-3与像素电极101-2)之间，EL层103具有如图1D中的圆圈所示的部分104那样的与绝缘表面100接触的部分。

如此，在本发明的一个方式的发光装置中，沿第一方向排列的像素电极与像素电极之间没有分隔壁102。在利用湿法形成膜的情况下，有时存在其厚度从像素电极的内侧向分隔壁逐渐变厚的区域。在EL层的厚度不同时该具有不同厚度的部分的亮度下降，不能有效地用作发光区域。另外，也导致电场集中于厚度薄部分，有时还给寿命带来负面影响。

在本发明的一个方式的发光装置中，因为沿第一方向排列的像素电极与像素电极之间没有分隔壁而可以增大有效发光面积，所以容易得到开口率高且功耗低的发光装置。另外，可以实现显示品质良好的发光装置。另外，可以实现寿命良好的发光装置。

在是进行全彩色显示的发光装置的情况下，有从EL层直接得到白色发光的方法以及使用呈现多个发光颜色的发光器件的方法。本发明的一个方式的发光装置具有容易构成后者的分开涂敷方式(也称为Side by Side方式)的结构。

在采用后者方法时，优选按每个像素电极的列形成呈现不同发光颜色的EL层103，优选在相邻的像素电极的列上形成包含具有不同发光颜色的发光材料的EL层103。例如，优选形成如下EL层103，其中EL层103-1、EL层103-2和EL层103-3分别包含呈现红色发光、绿色发光和蓝色发光的发光材料。

注意，在EL层103中，也可以利用液滴喷射法形成像素电极侧至发光层即包含发光材料的层，并且也可以在不同列的像素电极上以上述像素电极共用的方式形成之后的载流子传输层及/或载流子注入层。此时，载流子传输层及/或载流子注入层可以利用旋涂法等其他湿法形成，也可以利用真空蒸镀法等干法形成。另外，也可以在不同列的包括像素电极的发光器件间共用第二电极。此时，在像素电极是正极时，上述载流子传输层及/或载流子注入层是电子传输层及/或电子注入层，而在像素电极是负极时，上述载流子传输层及/或载流子注入层是空穴传输层及/或空穴注入层，先形成的像素电极优选为正极，因为制造较容易。

在此，说明本发明的一个方式的发光装置的制造方法。首先，在具有绝缘表面100的绝缘体100b上沉积导电膜101b(图2A)。

接着，对导电膜101b进行图案化来形成像素电极101(图2B)。如图2B所示，像素电极101的端部也可以具有锥形形状。通过具有这种形状，可以提高将在后面形成的层的覆盖性。在本说明书等中，锥形形状是指构成要素的侧面的至少一部分相对于衬底面倾斜地设置的形状。例如，倾斜的侧面和衬底面所形成的角(也称为锥角)优选为5度至90度。通过使像素电极101的端部具有锥形形状及上述锥角，可以抑制相邻的EL层之间的短路。

然后，以覆盖绝缘表面100及像素电极101的方式形成绝缘膜102b(图2C)。绝缘膜102b可以是有机化合物，也可以是无机化合物。

接着，对绝缘膜进行图案化来形成分隔壁102(图2D)。分隔壁102形成在像素电极101与像素电极101之间。

然后，利用液滴喷射法从喷嘴喷射EL层的材料105b(图2E)。通过沿第一方向(屏幕的纵深方向)使喷嘴移动而连续喷射材料，可以在像素电极上的分隔壁与分隔壁之间配置EL层103的材料。液滴优选在第一方向上连续喷射而不对每个像素分别喷射。此时，通过使用多个喷嘴一齐对多个像素电极的列进行涂敷，可以提高制造效率。

对喷射的材料105b进行用来去除溶剂或固化的处理，由此可以形成EL层103(EL层103-1、EL层103-2、EL层103-3)(图2F)。

当EL层103具有图8D所示的单层结构时，通过如图3A1所示地形成第二电极106，可以制造发光器件107(107a、107b、107c)。另外，当EL层103具有图8A至图8C所示的包括功能分离的多个层的结构并通过液滴喷射法形成其所有的层时，通过反复进行上述图2E及图2F的操作可以形成EL层103，然后通过如图3A1所示地形成第二电极106可以制造发光器件107。注意，将在后面说明图8A至图8C的详细内容。

在本发明的一个方式的发光装置中，通过液滴喷射法至少形成到像素电极101上的包含发光材料的层，但是之后形成的层可以通过任何方法形成。因此，也可以通过如下方法制造发光器件107：利用液滴喷射法形成到包含发光材料的层，然后如图3A2、图3B2所示地利用蒸镀或旋涂法等形成载流子传输层108、载流子注入层109作为公共层，接下来形成第二电极106(图3C2)。此时，可以一次性地形成公共层，因此制造工序变得简单，这种结构在成本方面上是优选的。注意，虽然图3A2、图3B2示出分别形成载流子传输层及载流子注入层的结构，但是作为公共层可以形成其中任一方，也可以形成具有双方功能的一个层。此外，也可以形成除此之外的功能层。

然后，在第二电极上形成保护层，用形成有遮光层等的对置衬底进行密封，由此可以制造本发明的一个方式的发光装置。此外，通过使发光器件107连接于驱动晶体管，可以控制每个像素的显示，而可以得到显示品质良好的发光装置。

图17A至图17D、图18A至图18F、图19A1、图19A2、图19B2及图19C2示出本发明的另一个方式的发光装置的图。在本发明的一个方式的发光装置中，绝缘表面100上设置有多个像素电极101及多个分隔壁102。分隔壁102以沿第一方向延伸的方式形成，沿第一方向排列的多个像素电极101(例如像素电极101-1、像素电极101-2及像素电极101-3)在相邻的分隔壁102(例如分隔壁102-1与分隔壁102-2)之间露出。如图所示，发光装置中形成有多个沿第一方向排列的像素电极101的列，像素电极101的列与列之间存在有分隔壁102。分隔壁102以覆盖像素电极的一组边的方式形成，这点上与图1至图3不同，但其他结构与图1至图3同样。

图4是本发明的一个方式的发光装置的外观立体图，图5是包括连接于晶体管的发光器件的本发明的一个方式的发光装置的截面图。

发光装置400A具有贴合衬底452与衬底451的结构。在图4中，以虚线表示衬底452。

发光装置400A包括显示部462、电路464及布线465等。图4示出发光装置400A中安装有IC473及FPC472的例子。因此，也可以将图4所示的结构称为包括发光装置400A、IC(集成电路)及FPC的显示模块。

作为电路464，例如可以使用扫描线驱动电路。

布线465具有对显示部462及电路464供应信号及电力的功能。该信号及电力从外部经由FPC472输入到布线465或者从IC473输入到布线465。

图4示出通过COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式或COF(Chip on Film：薄膜覆晶封装)方式等在衬底451上设置IC473的例子。作为IC473，例如可以使用包括扫描线驱动电路或信号线驱动电路等的IC。注意，发光装置400A及显示模块不一定必须设置有IC。此外，也可以将IC利用COF方式等安装于FPC。

图5A及图20A示出发光装置400A的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分及包括端部的区域的一部分的截面的一个例子。

图5A及图20A所示的发光装置400A在衬底451与衬底452之间包括晶体管201、晶体管205、发射红色光的发光器件430a、发射绿色光的发光器件430b以及发射蓝色光的发光器件430c等。

发光器件430a、发光器件430b和发光器件430c分别相当于上述发光器件107a、发光器件107b和发光器件107c。

在此，当显示装置的像素包括具有发射彼此不同的光的发光器件的三个子像素时，作为该三个子像素可以举出R、G、B这三个颜色的子像素、黄色(Y)、青色(C)及品红色(M)这三个颜色的子像素等。当包括四个上述子像素时，作为该四个子像素可以举出R、G、B及白色(W)这四个颜色的子像素、R、G、B及Y这四个颜色的子像素等。

保护层416与衬底452由粘合层442粘合。作为对发光器件的密封，可以采用固体密封结构或中空密封结构等。在图5A及图20A中，由衬底452、粘合层442及衬底451围绕的空间443填充有惰性气体(氮或氩等)，采用中空密封结构。粘合层442也可以与发光器件重叠。此外，由衬底452、粘合层442及衬底451围绕的空间443也可以填充有与粘合层442不同的树脂。

发光器件430a、430b及430c也可以在像素电极与EL层之间包括光学调整层426a、光学调整层426b及光学调整层426c。注意，虽然在图5A及图20A中将光学调整层426(426a、426b及426c)设置为电极的一部分，但是也可以以兼作载流子传输层等的方式设置在EL层内部。

像素电极411a、411b、411c都通过设置在绝缘层214中的开口与晶体管205所包括的导电层222b连接。

像素电极包含发射可见光的材料，对置电极包含透过可见光的材料。

发光器件将光发射到衬底452一侧。衬底452优选使用对可见光的透过性高的材料。

晶体管201及晶体管205都设置在衬底451上。这些晶体管可以使用同一材料及同一工序形成。

在衬底451上依次设置有绝缘层211、绝缘层213、绝缘层215及绝缘层214。绝缘层211的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层213的一部分用作各晶体管的栅极绝缘层。绝缘层215以覆盖晶体管的方式设置。绝缘层214以覆盖晶体管的方式设置，并被用作平坦化层。此外，对栅极绝缘层的个数及覆盖晶体管的绝缘层的个数没有特别的限制，既可以为一个，又可以为两个以上。

优选的是，将水及氢等杂质不容易扩散的材料用于覆盖晶体管的绝缘层中的至少一个。由此，可以将绝缘层用作阻挡层。通过采用这种结构，可以有效地抑制杂质从外部扩散到晶体管中，从而可以提高显示装置的可靠性。

作为绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215优选使用无机绝缘膜。作为无机绝缘膜，例如可以使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜等。此外，也可以使用氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜及氧化钕膜等。此外，也可以层叠上述绝缘膜中的两个以上。

用作平坦化层的绝缘层214优选使用有机绝缘膜。作为能够用于有机绝缘膜的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及这些树脂的前体等。

这里，有机绝缘膜的阻挡性在很多情况下低于无机绝缘膜。因此，有机绝缘膜优选在发光装置400A的端部附近包括开口。由此，可以抑制杂质从发光装置400A的端部通过有机绝缘膜进入。此外，也可以以其端部位于发光装置400A的端部的内侧的方式形成有机绝缘膜，以使有机绝缘膜不暴露于发光装置400A的端部。

在图5A及图20A所示的区域228中，绝缘层214中形成有开口。由此，即使在使用有机绝缘膜作为绝缘层214的情况下，也可以抑制杂质从外部通过绝缘层214进入显示部462。由此，可以提高发光装置400A的可靠性。

晶体管201及晶体管205包括：用作栅电极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；用作源极及漏极的导电层222a及导电层222b；半导体层231；用作栅极绝缘层的绝缘层213；以及用作栅极的导电层223。在此，通过对同一导电膜进行加工而得到的多个层由相同的阴影线表示。绝缘层211位于导电层221与半导体层231之间。绝缘层213位于导电层223与半导体层231之间。绝缘层421位于像素电极与像素电极之间，被用作分离具有不同发光颜色的像素的分隔壁。绝缘层421相当于图1及图17中的分隔壁102。

对本实施方式的显示装置所包括的晶体管结构没有特别的限制。例如，可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管等。此外，晶体管都可以具有顶栅结构或底栅结构。或者，也可以在形成沟道的半导体层上下设置有栅极。

作为晶体管201及晶体管205，采用两个栅极夹着形成沟道的半导体层的结构。此外，也可以连接两个栅极，并通过对该两个栅极供应同一信号，来驱动晶体管。或者，通过对两个栅极中的一个施加用来控制阈值电压的电位，对另一个施加用来进行驱动的电位，可以控制晶体管的阈值电压。

对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体、单晶半导体或者单晶半导体以外的具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用单晶半导体或具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。

晶体管的半导体层优选使用金属氧化物(氧化物半导体)。就是说，本实施方式的显示装置优选使用在沟道形成区中包含金属氧化物的晶体管(以下，OS晶体管)。此外，晶体管的半导体层也可以包含硅。作为硅，可以举出非晶硅、结晶硅(低温多晶硅、单晶硅等)等。

作为晶体管201及晶体管205，优选使用半导体层中含有硅的晶体管(以下，也称为Si晶体管)。作为硅可以举出单晶硅、多晶硅、非晶硅等。尤其是，优选使用半导体层中含有低温多晶硅(LTPS(Low Temperature Poly-Silicon))的晶体管(以下，也称为LTPS晶体管)。LTPS晶体管具有高场效应迁移率而能够进行高速工作。

例如，半导体层也可以使用包含铟、M(M为选自镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一种或多种)和锌的材料。M优选为选自铝、镓、钇和锡中的一种或多种，半导体层优选使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物(也记作IGZO)。

在半导体层使用In-M-Zn氧化物时，该In-M-Zn氧化物中的In的原子个数比优选为M的原子个数比以上。作为这种In-M-Zn氧化物的金属元素的原子个数比，可以举出In：M：Zn＝1：1：1或其附近的组成、In：M：Zn＝1：1：1.2或其附近的组成、In：M：Zn＝2：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝3：1：2或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：3或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：4.1或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：7或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：8或其附近的组成、In：M：Zn＝6：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：2：5或其附近的组成等。此外，附近的组成包括所希望的原子个数比的±30％的范围。

当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝4：2：3或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为4时，Ga的原子数比为1以上且3以下，Zn的原子数比为2以上且4以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝5：1：6或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为5时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比为5以上且7以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝1：1：1或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为1时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比大于0.1且为2以下。

另外，作为晶体管201及晶体管205，也可以组合使用上述半导体层中含有LTPS的晶体管和上述半导体层中含有IGZO的晶体管。通过组合使用半导体层中含有LTPS的晶体管和半导体层中含有IGZO的晶体管，可以对显示装置赋予高速工作性能及低功耗性能。

电路464所包括的晶体管和显示部462所包括的晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有不同的结构。电路464所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。与此同样，显示部462所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。

在衬底451与衬底452不重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线465通过导电层466及连接层242与FPC472电连接。导电层466具有加工与像素电极相同的导电膜而得到的导电膜和加工与光学调整层的相同的导电膜而得到的导电膜的叠层结构。在连接部204的顶面上露出导电层466。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC472电连接。

优选在衬底452的衬底451一侧的面设置遮光层417。此外，可以在衬底452的外侧配置各种光学构件。作为光学构件，可以使用偏振片、相位差板、光扩散层(扩散薄膜等)、防反射层及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在衬底452的外侧也可以配置抑制尘埃的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜、冲击吸收层等。

通过形成覆盖发光器件的保护层416，可以抑制水等杂质进入发光器件，由此可以提高发光器件的可靠性。

在发光装置400A的端部附近的区域228中，优选绝缘层215与保护层416通过绝缘层214的开口接触。尤其是，特别优选绝缘层215含有的无机绝缘膜与保护层416含有的无机绝缘膜接触。由此，可以抑制杂质从外部通过有机绝缘膜进入显示部462。因此，可以提高发光装置400A的可靠性。

图5B及图20B示出保护层416具有三层结构的例子。在图5B及图20B中，保护层416包括发光器件430c上的无机绝缘层416a、无机绝缘层416a上的有机绝缘层416b及有机绝缘层416b上的无机绝缘层416c。

无机绝缘层416a的端部及无机绝缘层416c的端部延伸到有机绝缘层416b的端部的外侧，并且它们彼此接触。此外，无机绝缘层416a通过绝缘层214(有机绝缘层)的开口与绝缘层215(无机绝缘层)接触。由此，可以使用绝缘层215及保护层416包围发光器件，可以提高发光器件的可靠性。

像这样，保护层416也可以具有有机绝缘膜和无机绝缘膜的叠层结构。此时，无机绝缘膜的端部优选延伸到有机绝缘膜的端部的外侧。

衬底451及衬底452可以使用玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石以及树脂等。从发光器件取出光一侧的衬底使用使该光透过的材料。通过将具有柔性的材料用于衬底451及衬底452，可以提高显示装置的柔性。作为衬底451或衬底452，可以使用偏振片。

作为衬底451及衬底452，可以使用如下材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、ABS树脂以及纤维素纳米纤维等。此外，也可以作为衬底451和衬底452中的一方或双方使用其厚度为具有柔性程度的玻璃。

在将圆偏振片重叠于显示装置的情况下，优选将光学各向同性高的衬底用作显示装置所包括的衬底。光学各向同性高的衬底的双折射较低(也可以说双折射量较少)。

光学各向同性高的衬底的相位差值(retardation value)的绝对值优选为30nm以下，更优选为20nm以下，进一步优选为10nm以下。

作为光学各向同性高的薄膜，可以举出三乙酸纤维素(TAC，也被称为Cellulosetriacetate)薄膜、环烯烃聚合物(COP)薄膜、环烯烃共聚物(COC)薄膜及丙烯酸薄膜等。

当作为衬底使用薄膜时，有可能因薄膜的吸水而发生显示面板出现皱纹等形状变化。因此，作为衬底优选使用吸水率低的薄膜。例如，优选使用吸水率为1％以下的薄膜，更优选使用吸水率为0.1％以下的薄膜，进一步优选为使用吸水率为0.01％以下的薄膜。

作为粘合层，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等。尤其是，优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，也可以使用粘合薄片等。

作为连接层242，可以使用各向异性导电膜(ACF：Anisotropic ConductiveFilm)、各向异性导电膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。

作为可用于晶体管的栅极、源极及漏极和构成显示装置的各种布线及电极等导电层的材料，可以举出铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等金属或者以上述金属为主要成分的合金等。可以使用包含这些材料的膜的单层或叠层。

此外，作为具有透光性的导电材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、包含镓的氧化锌等导电氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料或包含该金属材料的合金材料。或者，还可以使用该金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，当使用金属材料或合金材料(或者它们的氮化物)时，优选将其形成得薄到具有透光性。此外，可以使用上述材料的叠层膜作为导电层。例如，通过使用银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等，可以提高导电性，所以是优选的。上述材料也可以用于构成显示装置的各种布线及电极等的导电层及发光器件所包括的导电层(被用作像素电极或公共电极的导电层)。

作为可用于各绝缘层的绝缘材料，例如可以举出丙烯酸树脂或环氧树脂等树脂、无机绝缘材料如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝等。

[发光装置400B]

图6A及图21A示出发光装置400B的截面图。图6A包括具有图1所示的结构的发光器件，图21A包括具有图17所示的结构的发光器件。发光装置400B的立体图与发光装置400A(图4)相同。图6A及图21A示出发光装置400B的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分的截面的一个例子。图6A及图21A示出显示部462的包括发射绿色的光的发光器件430b及发射蓝色的光的发光器件430c的区域的截面的一个例子。注意，有时省略与发光装置400A同样的部分的说明。

图6A及图21A所示的发光装置400B在衬底453与衬底454之间包括晶体管202、晶体管210、发光器件430b及发光器件430c等。

此外，衬底454和保护层416通过粘合层442贴合。粘合层442分别与发光器件430b及发光器件430c重叠，发光装置400B采用固体密封结构。

衬底453和绝缘层212被粘合层455贴合。

发光装置400B的制造方法为如下：首先，使用粘合层442将设置有绝缘层212、各晶体管、各发光器件等的制造衬底与设置有遮光层417的衬底454贴合在一起；然后，剥离制造衬底而将其贴合在露出的衬底453，来将形成在制造衬底上的各构成要素转置到衬底453。衬底453和衬底454优选具有柔性。由此，可以提高发光装置400B的柔性。

作为绝缘层212，可以使用可以用于绝缘层211、绝缘层213及绝缘层215的无机绝缘膜。

像素电极通过设置在绝缘层214中的开口电连接到晶体管210所包括的导电层222b。导电层222b通过设置在绝缘层215及绝缘层225中的开口连接到低电阻区域231n。晶体管210具有控制发光器件的驱动的功能。

发光器件430b、430c将光发射到衬底454一侧。衬底454优选使用对可见光的透过性高的材料。

衬底453与衬底454不重叠的区域中设置有连接部204。在连接部204中，布线465通过导电层466及连接层242与FPC472电连接。导电层466可以通过对与像素电极相同的导电膜进行加工来获得。因此，通过连接层242可以使连接部204与FPC472电连接。

晶体管202及晶体管210包括：用作栅极的导电层221；用作栅极绝缘层的绝缘层211；包含沟道形成区域231i及一对低电阻区域231n的半导体层；与一对低电阻区域231n中的一个连接的导电层222a；与一对低电阻区域231n中的另一个连接的导电层222b；用作栅极绝缘层的绝缘层225；用作栅极的导电层223；以及覆盖导电层223的绝缘层215。绝缘层211位于导电层221与沟道形成区域231i之间。绝缘层225位于导电层223与沟道形成区域231i之间。

导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。导电层222a及导电层222b中的一个被用作源极，另一个被用作漏极。

图6A及图21A示出绝缘层225覆盖半导体层的顶面及侧面的例子。导电层222a及导电层222b通过设置在绝缘层225及绝缘层215中的开口与低电阻区域231n连接。

另一方面，在图6B及图21B所示的晶体管209中，绝缘层225与半导体层231的沟道形成区域231i重叠而不与低电阻区域231n重叠。例如，通过以导电层223为掩模加工绝缘层225，可以形成图6B及图21B所示的结构。在图6B及图21B中，绝缘层215覆盖绝缘层225及导电层223，并且导电层222a及导电层222b分别通过绝缘层215的开口与低电阻区域231n连接。再者，还可以设置有覆盖晶体管的绝缘层218。

[发光装置400C]

图7及图22示出发光装置400C的截面图。图7包括具有图1所示的结构的发光器件，图22包括具有图17所示的结构的发光器件。发光装置400C的立体图与发光装置400A(图4)相同。图7及图22示出发光装置400C的包括FPC472的区域的一部分、电路464的一部分、显示部462的一部分的截面的一个例子。注意，有时省略与发光装置400A同样的部分的说明。

图7及图22示出不设置有图5A及图20A中的光学调整层426a至426c的结构。像素电极411a至411c使用具有透光性的导电材料形成。另外，第二电极为反射电极。

具有这种结构的发光装置400C是来自发光器件的发光发射到衬底451一侧的底部发射型发光装置。注意，通过作为晶体管采用氧化物半导体并由具有透光性的材料形成晶体管的各电极，即使在来自发光器件的光发射到外部的光程上设置晶体管，光也不容易被遮挡，因此可以得到开口率大的高清晰发光器件。

本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。

(实施方式2)

在本实施方式中，说明可用于作为本发明的一个方式的发光装置的发光器件。

<发光器件的结构例子>

如图8A所示，发光器件在一对电极(下部电极21与上部电极25)间包括EL层103。发光器件所包括的EL层103可以由层4420、发光层4411、层4430等多个层构成。层4420例如可以包括含有电子注入性高的物质的层(电子注入层)及含有电子传输性高的物质的层(电子传输层)等。发光层4411例如包含发光性化合物。层4430例如可以包括含有空穴注入性高的物质的层(空穴注入层)及含有空穴传输性高的物质的层(空穴传输层)。

图8B示出图8A所示的发光器件20所包括的EL层103的变形例子。具体而言，图8B所示的发光器件20包括下部电极21上的层4430-1、层4430-1上的层4430-2、层4430-2上的发光层4411、发光层4411上的层4420-1、层4420-1上的层4420-2及层4420-2上的上部电极25。例如，在将下部电极21用作正极且将上部电极25用作负极时，层4430-1被用作空穴注入层，层4430-2被用作空穴传输层，层4420-1被用作电子传输层，层4420-2被用作电子注入层。或者，在将下部电极21用作负极且将上部电极25用作正极时，层4430-1被用作电子注入层，层4430-2被用作电子传输层，层4420-1被用作空穴传输层，层4420-2被用作空穴注入层。通过采用这种层结构，载流子高效地注入到发光层4411，由此可以提高发光层4411中的载流子的复合效率。注意，包括在发光层4411与下部电极21之间的层以及包括在发光层4411与上部电极25之间的层不局限于此，也可以适当地包括载流子阻挡层、激子阻挡层等。此外，也可以使用具有载流子传输层的功能和载流子注入层的功能的双方的层。

此外，如图8C所示，层4420与层4430之间设置有多个发光层(发光层4411、4412、4413)的结构也是变形例子之一。通过使多个发光层所包含的发光材料不同(例如将呈现红色发光、绿色发光、蓝色发光的材料分别包含在各发光层中)，可以易于从发光器件20得到白色发光。虽然图8C示出发光层为三层的结构，但是也可以为两层或四层以上。

注意，在图8C中，层4420及层4430也可以具有图8B所示的由两层以上的层构成的叠层结构。

另外，图8D示出发光器件20所包括的EL层103的变形例子。具体而言，在图8D所示的发光器件20中，EL层103由含有发光材料的发光层4411单层构成。相当于本结构的结构是如下：使用使具有载流子传输性骨架的单体与具有发光性骨架的单体共聚的聚合物形成发光层4411的结构；使用使具有载流子传输和发光的各功能的聚合物共混的组成物形成发光层4411的结构；使用包含具有载流子传输和发光的各功能的低分子化合物的组成物形成发光层4411的结构；等。在本结构中形成EL层103的工序较少，所以本结构在成本方面上有利。

此外，在进行全彩色显示时有如下方法：使所有发光器件呈现白色发光并使用滤色片或颜色转换层得到如蓝色(B)、绿色(G)及红色(R)等所希望的颜色的方法；以及按每个发光器件分别形成发光颜色(例如蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))的方法。有时将前者称为白色单结构并将后者称为SBS(Side By Side)结构。

在对上述白色单结构和SBS结构进行比较的情况下，按SBS结构、白色单结构的顺序可以降低功耗。在想要降低功耗时优选采用SBS结构。另一方面，白色单结构的制造程序比SBS结构简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。

发光器件的发光颜色根据构成EL层103的材料而可以为红色、绿色、蓝色、青色、品红色、黄色或白色等。此外，当发光器件具有微腔结构时，可以进一步提高颜色纯度。

白色发光器件优选具有发光层包含两种以上的发光物质的结构。为了得到白色发光，以两个以上的发光物质的各发光处于补色关系的方式选择发光物质即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的发光器件。此外，包括三个以上的发光层的发光器件也是同样的。

发光层优选包含每个发光呈现R(红)、G(绿)、B(蓝)、Y(黄)、O(橙)等的两种以上的发光物质。此外，优选包含每个发光包含R、G、B中的两种以上的光谱成分的两种以上的发光物质。

在将聚合物材料用于发光层时，通过使上述呈现各颜色的聚合物材料共混而使用，可以以一层得到白色发光。此外，通过使上述具有呈现各颜色的骨架的单体共混而聚合也可以得到白色发光。

图8E示出发光器件20所包括的EL层103的变形例子。具体而言，具有隔着中间层4440层叠有EL层103a与EL层103b的结构。通过串联层叠两个EL层103，在层叠包含相同颜色的发光材料的EL层时可以加倍电流效率，而可以提供可靠性良好的发光器件。在层叠包含呈现不同发光颜色的发光材料的EL层时可以从一个发光器件得到混合该发光颜色的发光。中间层是在对电极之间施加电压时能够对EL层注入电荷的层。

在此，说明发光器件的具体的结构例子。

发光器件至少包括发光层。另外，作为发光层以外的层，发光器件还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子阻挡材料、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。

例如，发光器件除了上述发光层以外还可以包括载流子注入层(空穴注入层、电子注入层等)、载流子传输层(空穴传输层、电子传输层)、载流子阻挡层(空穴阻挡层、电子阻挡层等)、激子阻挡层和电荷产生层等中的一层以上。

空穴注入层是从正极对空穴传输层注入空穴的层。具体而言，可以使用酞菁类络合物、芳香胺化合物或者如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等高分子等形成空穴注入层。

此外，空穴注入层也可以由具有受体性的物质构成。作为具有受体性的物质可以使用具有吸电子基团(卤基或氰基)的有机化合物。尤其是，吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物诸如2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)等热稳定，所以是优选的。此外，包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基、氰基)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高所以特别优选的。作为具有受体性的物质，除了上述有机化合物以外还可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。通过对一对电极施加电压，具有受体性的物质可以从邻接的空穴传输层(或空穴传输材料)抽出电子。

此外，空穴注入层可以由包含上述具有受体性的材料和具有空穴传输性的材料的复合材料构成。作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，可以使用各种有机化合物如芳香胺化合物、杂芳香化合物、芳香烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等。作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，优选使用空穴迁移率为1×10^-6cm²/Vs以上的物质。用于复合材料的具有空穴传输性的材料优选为包含稠合芳香烃环或富π电子杂芳环的化合物。作为稠合芳香烃环，优选为蒽环、萘环等。此外，作为富π电子杂芳环，优选为包含吡咯骨架、呋喃骨架和噻吩骨架中的至少任一个的稠合芳环，具体优选为咔唑环、二苯并噻吩环或者这些环还与芳香环或杂芳环稠合的环。另外，作为具有空穴传输性的材料，可以使用其他芳香胺化合物。

空穴传输层是将从正极由空穴注入层注入的空穴传输到发光层中的层。空穴传输层是包含空穴传输性材料的层。作为空穴传输性材料，优选采用空穴迁移率为10^-6cm²/Vs以上的物质。另外，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质就可以使用。作为空穴传输性材料，优选使用富π电子杂芳族化合物或者芳香胺等空穴传输性高的材料。

作为富π电子杂芳环，优选为包含吡咯骨架、呋喃骨架和噻吩骨架中的至少任一个的稠合芳环，具体优选为咔唑环、二苯并噻吩环或者这些环还与芳香环或杂芳环稠合的环。

电子传输层是将从负极由电子注入层注入的电子传输到发光层中的层。电子传输层是包含电子传输性材料的层。作为电子传输性材料，优选采用电子迁移率为1×10^-6cm²/Vs以上的物质。注意，只要电子传输性比空穴传输性高，就可以使用上述以外的物质。作为这种电子传输性材料，优选使用金属配合物及具有缺π电子杂芳环骨架的有机化合物。具体而言，可以使用具有喹啉骨架的金属配合物、具有苯并喹啉骨架的金属配合物、具有噁唑骨架的金属配合物、具有噻唑骨架的金属配合物等，还可以使用噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、菲罗啉衍生物、具有喹啉配体的喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物、含氮杂芳族化合物等缺π电子杂芳族化合物等电子传输性高的材料。尤其是，具有二嗪骨架的杂环化合物、具有三嗪骨架的杂环化合物、具有吡啶骨架的杂环化合物具有高可靠性，所以是优选的。其中，具有二嗪(嘧啶、吡嗪等)、三嗪骨架的杂环化合物具有高电子传输性，也有助于降低驱动电压。

电子注入层是将电子从负极注入到电子传输层的包含电子注入性高的材料的层。作为电子注入性高的材料，可以使用碱金属、碱土金属、它们的化合物或者配合物。作为电子注入层的材料，可以使用电子化合物(electride)或者将碱金属、碱土金属或它们的化合物包含在由具有电子传输性的物质构成的层中的层。

另外，作为上述电子注入层，也可以使用具有电子传输性的材料。例如，可以将具有非共用电子对且具有缺电子杂芳环的化合物用于具有电子传输性的材料。具体而言，可以使用包含吡啶环、二嗪环(嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环)和三嗪环中的至少一个的化合物诸如4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(简称：BPhen)、2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(简称：NBPhen)等。

中间层是通过施加电压可以产生电荷并将该电荷注入到EL层的层(称为电荷产生层)，至少包括P型层。P型层优选使用上述作为可构成空穴注入层的材料举出的复合材料来形成。另外，P型层也可以层叠作为能够构成复合材料的材料包含上述包含受体性材料的膜和包含空穴传输材料的膜来形成。

中间层除了P型层之外优选还设置有电子中继层及电子注入缓冲层中的任一方或双方。电子注入缓冲层及电子中继层设置在比P型层近正极一侧，电子中继层设置在电子注入缓冲层与P型层之间。

电子中继层至少包含具有电子传输性的物质，并且能够防止电子注入缓冲层和P型层的相互作用，并顺利地传递电子。优选将电子中继层所包含的具有电子传输性的物质的LUMO能级设定在P型层中的受体性物质的LUMO能级与电子传输层中的接触于电荷产生层的层所包含的物质的LUMO能级之间。作为电子中继层中的具有电子传输性的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物。

电子注入缓冲层可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及这些物质的化合物或稀土金属的化合物等电子注入性高的物质。

另外，电子注入缓冲层也可以以包含具有电子传输性的物质和供体性物质的方式形成。此时，除了上述材料之外也可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(简称：TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。另外，具有电子传输性的物质可以使用与上面所说明的具有电子传输性的材料同样的材料形成。

发光层是包含发光物质的层。发光层可以包含一种或多种发光物质。另外，作为发光物质，适当地使用呈现蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色、红色等的发光颜色的物质。此外，作为发光物质，也可以使用发射近红外光的物质。

作为发光物质，可以使用荧光材料、磷光材料、热活化延迟荧光(TADF)材料、量子点材料等。

作为荧光材料可以使用已知的材料，作为蓝色荧光材料尤其优选使用杂芳二胺化合物或稠合芳香二胺化合物。作为这种化合物，例如可以举出芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等。尤其是，以芘二胺化合物为代表的稠合芳香二胺化合物具有高空穴俘获性、高发光效率、高可靠性，所以是优选的。

作为磷光材料，例如可以举出具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架、咪唑骨架、卡宾骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吡啶骨架、喹啉骨架的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、铂配合物、稀土金属配合物等。

作为TADF材料，可以使用富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物、伊红衍生物、含有镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉或者具有富π电子杂芳环和缺π电子杂芳环中的一方或双方的杂环化合物等。

在具有缺π电子杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的受体性高且可靠性良好，所以是优选的。另外，在具有富π电子杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。另外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚并咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。

此外，可以使用缺π电子骨架及富π电子骨架代替缺π电子杂芳环和富π电子杂芳环中的至少一个。作为富π电子骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。此外，作为缺π电子骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthene dioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈或氰苯等具有腈基或氰基的芳香环或杂芳环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。

发光层除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种有机化合物(主体材料、辅助材料等)。作为一种或多种有机化合物，可以使用上述空穴传输性材料和电子传输性材料中的一方或双方。此外，作为一种或多种有机化合物，也可以使用双极性材料或TADF材料。

例如，发光层优选包含磷光材料、容易形成激基复合物的空穴传输性材料及电子传输性材料的组合。通过采用这样的结构，可以高效地得到利用从激基复合物到发光物质(磷光材料)的能量转移的ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer:激基复合物-三重态能量转移)的发光。通过选择形成发射与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的组合，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光。通过采用上述结构，可以同时实现发光器件的高效率、低电压驱动以及长寿命。

在本发明的一个方式中，通过喷墨法或喷嘴印刷法形成到下部电极(像素电极)上的发光层(即层4430及发光层4411)，它们可以通过湿法使用将上述各种材料溶解于或分散于溶剂的组成物形成。此时，可以将各种有机溶剂用于涂敷用组成物。另外，可以将混合具有所希望的功能的聚合物材料、低分子材料、树枝状聚合物等所希望的材料的组成物或者将其混合物分散于或溶解于溶剂的组成物用作用于喷射的组成物。

注意，当想要由聚合物构成层4430时，也可以通过将混合一种或多种想要沉积的聚合物材料的单体的组成物喷射到沉积面并经过加热、能量光照射等进行交联或形成稠合、聚合、配位、盐等键合来形成所希望的膜。

注意，上述组成物中也可以包含表面活性剂、用于调整粘度的物质等具有其他功能有机化合物。

作为聚合物材料可以使用共轭聚合物、非共轭聚合物、侧基聚合物、染料共混聚合物等。作为共轭聚合物，可以举出聚对亚苯基亚乙烯衍生物((poly(p-phenylenevinylene)，PPV)、聚烷基噻吩衍生物((poly(3-alkylthiophene)，PAT)、聚对亚苯衍生物(poly(1，4-phenylene)，PPP系)、聚芴衍生物(poly(9，9-dialkylfluorene)，PDAF)或它们的共聚物等。作为侧基聚合物可以举出乙烯基聚合物，例如有聚乙烯基咔唑衍生物(polyvinylcarbazole，PVK)等。此外，也可以使聚合物本身共混而使用。

作为能够用于上述组成物的有机溶剂，可以使用苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢呋喃、二氧六环、乙醇、甲醇、n-丙醇、异丙醇、n-丁醇、t-丁醇、乙腈、二甲亚砜、二甲基甲酰胺、氯仿、二氯甲烷、四氯化碳、乙酸乙酯、己烷、环己烷等各种有机溶剂。尤其优选使用苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯等低极性的苯衍生物，由此可以形成适中浓度的溶液并可以防止包含于组成物中的材料因氧化而发生劣化。另外，考虑到形成后的膜的均匀性、厚度的均匀性等，优选使用沸点为100℃以上的物质，尤其优选使用甲苯、二甲苯、均三甲苯。

接着，详细说明构成发光器件的材料。

下部电极21及上部电极25是用作正极或负极的电极。

正极优选使用功函数大(具体为4.0eV以上)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等形成。具体地，例如可以举出氧化铟-氧化锡(ITO：Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)等。虽然通常通过溅射法形成这些导电金属氧化物膜，但是也可以应用溶胶-凝胶法等来形成。作为形成方法的例子，可以举出使用对氧化铟添加有1wt％至20wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成氧化铟-氧化锌的方法等。另外，可以使用对氧化铟添加有0.5wt％至5wt％的氧化钨和0.1wt％至1wt％的氧化锌的靶材通过溅射法形成包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(IWZO)。另外，作为用于正极的材料例如可以举出金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，作为用于正极的材料也可以使用石墨烯。另外，通过将后面说明的复合材料用于EL层103中的接触于正极的层，可以在选择电极材料时无需顾及功函数。

在由对可见光具有透过性的材料构成正极的情况下，可以形成从正极一侧发光的发光器件。

EL层103优选如图8所示具有叠层结构，对该叠层结构没有特别的限制，可以采用空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、载流子阻挡层(空穴阻挡层及电子阻挡层)、激子阻挡层、电荷产生层等各种层结构。注意，也可以不设置上述层中的任何层。

空穴注入层与正极接触，并具有使空穴容易注入到EL层103的功能。空穴注入层可以使用酞菁类络合物如酞菁(H₂Pc)、铜酞菁(CuPc)等；芳香胺化合物如4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、4，4'-双(N-{4-[N'-(3-甲基苯基)-N'-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯(简称：DNTPD)等；或者高分子如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等来形成空穴注入层。

此外，空穴注入层也可以由具有受体性的物质构成。作为具有受体性的物质可以使用具有吸电子基团(卤基或氰基)的有机化合物，可以举出7，7，8，8-四氰-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F4-TCNQ)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：HAT-CN)、1，3，4，5，7，8-六氟四氰(hexafluorotetracyano)-萘醌二甲烷(naphthoquinodimethane)(简称：F6-TCNNQ)、2-(7-二氰基亚甲基-1，3，4，5，6，8，9，10-八氟-7H-芘-2-亚基)丙二腈等。尤其是，吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物诸如HAT-CN等热稳定，所以是优选的。此外，包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基、氰基)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高所以特别优选的，具体而言，可以举出：α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α，α’，α”-1，2，3-环丙烷三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]等。作为具有受体性的物质，除了上述有机化合物以外可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等。通过对一对电极施加电压，具有受体性的物质可以从邻接的空穴传输层(或空穴传输材料)抽出电子。

此外，空穴注入层可以由包含上述具有受体性的材料和具有空穴传输性的材料的复合材料构成。作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，可以使用各种有机化合物如芳香胺化合物、杂芳香化合物、芳香烃、高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)等。作为用于复合材料的具有空穴传输性的材料，优选使用空穴迁移率为1×10^-6cm²/Vs以上的物质。用于复合材料的具有空穴传输性的材料优选为包含稠合芳香烃环或富π电子杂芳环的化合物。作为稠合芳香烃环，优选为蒽环、萘环等。此外，作为富π电子杂芳环，优选为包含吡咯骨架、呋喃骨架和噻吩骨架中的至少任一个的稠合芳环，具体优选为咔唑环、二苯并噻吩环或者这些环还与芳香环或杂芳环稠合的环。

作为这种具有空穴传输性的材料，更优选具有咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架及蒽骨架中的任意骨架。尤其是，可以为具有包括二苯并呋喃环或二苯并噻吩环的取代基的芳香胺、包括萘环的芳香单胺、或者9-芴基通过亚芳基键合于胺的氮的芳香单胺。注意，当这些具有空穴传输性的材料是包括N，N-双(4-联苯)氨基的物质时，可以制造寿命长的发光器件，所以是优选的。作为上述具有空穴传输性的材料，具体而言，可以举出N-(4-联苯)-6，N-二苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BnfABP)、N，N-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf)、4，4’-双(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)-4”-苯基三苯基胺(简称：BnfBB1BP)、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-6-胺(简称：BBABnf(6))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf(8))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[2，3-d]呋喃-4-胺(简称：BBABnf(II)(4))、N，N-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-对三联苯(简称：DBfBB1TP)、N-[4-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-N-苯基-4-联苯胺(简称：ThBA1BP)、4-(2-萘基)-4’，4”-二苯基三苯基胺(简称：BBAβNB)、4-[4-(2-萘基)苯基]-4’，4”-二苯基三苯基胺(简称：BBAβNBi)、4，4’-二苯基-4”-(6；1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBAαNβNB)、4，4’-二苯基-4”-(7；1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBAαNβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(7-苯基)萘基-2-基三苯基胺(简称：BBAPβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(6；2’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBA(βN2)B)、4，4’-二苯基-4”-(7；2’-联萘基-2-基)-三苯基胺(简称：BBA(βN2)B-03)、4，4’-二苯基-4”-(4；2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称：BBAβNαNB)、4，4’-二苯基-4”-(5；2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称：BBAβNαNB-02)、4-(4-联苯基)-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称：TPBiAβNB)、4-(3-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称：mTPBiAβNBi)、4-(4-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称：TPBiAβNBi)、4-苯基-4’-(1-萘基)三苯基胺(简称：αNBA1BP)、4，4’-双(1-萘基)三苯基胺(简称：αNBB1BP)、4，4’-二苯基-4”-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]三苯基胺(简称：YGTBi1BP)、4’-[4-(3-苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]三(1，1’-联苯-4-基)胺(简称：YGTBi1BP-02)、4-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称：YGTBiβNB)、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-[4-(1-萘基)苯基]-9，9'-螺二[9H-芴]-2-胺(简称：PCBNBSF)、N，N-双([1，1’-联苯]-4-基)-9，9’-螺二[9H-芴]-2-胺(简称：BBASF)、N，N-双([1，1’-联苯]-4-基)-9，9’-螺二[9H-芴]-4-胺(简称：BBASF(4))、N-(1，1’-联苯-2-基)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二[9H-芴]-4-胺(简称：oFBiSF)、N-(4-联苯)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)二苯并呋喃-4-胺(简称：FrBiF)、N-[4-(1-萘基)苯基]-N-[3-(6-苯基二苯并呋喃-4-基)苯基]-1-萘基胺(简称：mPDBfBNBN)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4’-[4-(9-苯基芴-9-基)苯基]三苯基胺(简称：BPAFLBi)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：PCBNBB)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9’-螺二[9H-芴]-2-胺(简称：PCBASF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二-9H-芴-4-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二-9H-芴-3-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二-9H-芴-2-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二-9H-芴-1-胺等。

此外，作为具有空穴传输性的材料，作为其他芳香胺化合物，还可以使用N，N’-二(对甲苯基)-N，N’-二苯基-对苯二胺(简称：DTDPPA)、4，4’-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、N，N’-双(N-{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N，N’-二苯基-(1，1’-联苯)-4，4’-二胺(简称：DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)等。

空穴传输层可以使用具有空穴传输性的材料形成。作为具有空穴传输性的材料，可以使用上述作为可用于空穴注入层中的复合材料的材料举出的具有空穴传输性的材料。

这里，在本发明的一个方式中通过液滴喷射法制造层4430，在下部电极21(像素电极101)为正极时，优选的是，层4430为空穴注入层及/或空穴传输层而同时包含具有高空穴传输性的骨架和呈现受体性的材料。当通过液滴喷射法制造层4430时，作为该呈现受体性的材料，可以使用磺酸化合物、氟化合物、三氟醋酸化合物、丙酸化合物或金属氧化物等。

在通过涂敷混合单体的组成物并进行聚合来形成层4430时，作为该单体优选使用仲胺和芳基磺酸。

作为仲胺，可以使用取代或未取代的碳原子数为6至14的芳基、取代或未取代的碳原子数为6至12的富π电子杂芳基。作为芳基，例如可以使用苯基、联苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基等，在使用苯基时溶解性良好且廉价，所以是优选的。作为杂芳基，可以使用咔唑骨架、吡咯骨架、噻吩骨架、呋喃骨架、咪唑骨架等。另外，在具有多个通过芳胺、杂芳胺的键合时膜品质得到提高，所以是优选的，也可以形成低聚物、聚合物。此外，在具有多个胺时，上述胺的一部分也可以是叔胺，仲胺的比例优选大于叔胺的比例。胺的数量为1000以下，优选为10以下，分子量优选为10万以下。此外，在用氟取代时与用氟取代的化合物的相容性得到提高，所以是优选的。

作为仲胺，例如优选为由下述通式(Gam2)表示的有机化合物，作为叔胺，例如优选为由下述通式(Gam3)表示的有机化合物等。

[化学式1]

注意，在上述通式(Gam2)中，Ar¹¹至Ar¹³中的一个以上表示氢，其他表示取代或未取代的碳原子数为6至14的芳香族环，Ar¹⁴至Ar¹⁷表示取代或未取代的碳原子数为6至14的芳香族环。注意，Ar¹²及Ar¹⁶、Ar¹⁴及Ar¹⁶、Ar¹¹及Ar¹⁴、Ar¹⁴及Ar¹⁵、Ar¹⁵及Ar¹⁷、Ar¹³及Ar¹⁷也可以彼此键合而形成环。另外，p表示0至1000的整数，优选表示0至3。注意，由通式(Gam2)表示的有机化合物的分子量优选为10万以下。作为碳原子数为6至14的芳香族环，可以使用苯环、双苯环、萘环、芴环、菲环、蒽环等。

[化学式2]

注意，在上述通式(Gam3)中，Ar²¹至Ar²³表示取代或未取代的碳原子数为6至14的芳基，它们也可以彼此键合而形成环。另外，在Ar²¹至Ar²³具有取代基时，该取代基也可以是多个二芳基胺基、咔唑基连接而成的基。

作为仲胺(具有NH基)的具体例子，优选使用由下述结构式(Am2-1)至结构式(Am2-32)表示的有机化合物。胺化合物通过与磺酸化合物混合(p掺杂)，导电性得到提高。通过使用仲胺，可以通过脱水反应等与所混合的磺酸化合物形成键，所以是优选的。在磺酸化合物、其他所混合的化合物为氟化物的情况下，通过以下述结构式(Am2-1)、(Am2-22)至(Am2-28)、(Am2-31)那样使用氟化物，相容性得到提高，所以是优选的。

[化学式3]

[化学式4]

[化学式5]

[化学式6]

[化学式7]

注意，也可以代替仲胺使用噻吩衍生物。作为噻吩衍生物的具体例子，优选为由下述结构式(T-1)至结构式(T-4)表示的有机化合物、聚噻吩、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)。噻吩衍生物通过与磺酸化合物混合(p掺杂)，导电性得到提高。

[化学式8]

作为芳基磺酸，包含磺基即可，可以使用磺酸或磺酸盐、烷氧基磺酸、卤化磺酸、磺酸负离子。具体而言，作为磺基可以使用上述基。可以包括多个上述磺基。另外，作为芳基磺酸的芳基，可以使用取代或未取代的碳原子数为6至16的芳基。作为芳基，例如可以使用苯基、联苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、芘基等，萘基对有机溶剂的溶解性和传输性良好，所以是优选的。另外，这些芳基磺酸也可以包括多个芳基，在包括用氟取代的芳基时，LUMO能级可以以深度较深的方式(向负方向大幅度)被调节，所以是优选的。另外，也可以包括醚键、硫醚键以及通过胺的键，在包括多个芳基时通过上述键合对有机溶剂的溶解性得到提高，所以是优选的。此外，在作为取代基包括烷基时，也可以通过醚键、硫醚键以及胺键合。上述芳基磺酸也可以被多个聚合物取代。作为聚合物，可以使用聚乙烯、尼龙、聚苯乙烯、聚芴烯等，但聚苯乙烯、聚芴烯的导电性良好，所以是优选的。

作为芳基磺酸化合物的具体例子，例如优选为由下述结构式(S-1)至结构式(S-15)表示的有机化合物。此外，也可以使用具有聚(4-苯乙烯磺酸)(PSS)等磺基的聚合物。通过使用芳基磺酸化合物，可以接收来自HOMO浅的电子给体(胺化合物、咔唑化合物、噻吩化合物等)的电子，通过与电子给体混合可以获得来自电极的空穴注入性、空穴传输性。通过使用氟化合物，可以以深度更深的方式(具有更负方向的能级)调节LUMO能级。

[化学式9]

[化学式10]

[化学式11]

[化学式12]

由于叔胺与仲胺相比在电化学及光化学上更稳定，所以在混合在混合上述仲胺和磺酸的墨水中时空穴传输性得到提高，所以是优选的。作为该叔胺，例如优选为由下述结构式(Am3-1)至结构式(Am3-7)表示的有机化合物。除此以外也可以与具有空穴传输性的材料适当地混合。

[化学式13]

[化学式14]

除了芳基磺酸化合物以外，作为电子受体也可以使用四氰醌二甲烷化合物等氰基化合物。具体而言，可以举出2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基-醌二甲烷(F4TCNQ)、吡嗪并[2，3-f：2’，3’-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六甲腈(HAT-CN6)等。

注意，在上述混合单体的墨水包含3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷化合物和苯基三甲氧基硅烷化合物中的一个或两个时，在以湿式进行沉积时润湿性得到提高，所以是优选的。

在通过ToF-SIMS测量如上所述地使用包含仲胺(或噻吩等)等电子给体与芳基磺酸的至少两个单体的墨水并通过湿式沉积法沉积的层时，在负模式的结果中在m/z＝80附近观察到信号。此时，不容易观察到来源于胺单体的信号。在发光器件得到上述分析结果的情况下，该发光器件被用作发光器件意味着该层具有充分的空穴传输功能。在具有充分的空穴传输性的同时观察不到具有空穴传输功能的骨架，意味着上述单体彼此键合而成为高分子化合物的膜。也就是说，意味着该层通过湿式沉积法形成。m/z＝80是来源于芳基磺酸中的SO₃阴离子的信号。

注意，作为芳基磺酸化合物，由上述结构式(S-1)或(S-2)表示的磺酸化合物具有较多的磺基并且可以与胺形成三维键合，所以膜品质稳定，因此是优选的。使用该芳基磺酸化合物制造的层除了上述m/z＝80的信号以外在相同的负模式中观察到m/z＝901的信号。另外，作为子离子还观察到m/z＝328的信号。

发光层至少包含发光物质。另外，发光层也可以同时包含如主体材料、辅助材料等其他材料。此外，也可以为组成不同的多个层的叠层。

发光物质可以是荧光发光物质、磷光发光物质、呈现热活化延迟荧光(TADF)的物质或其他发光物质。

作为可用作发光层中的荧光发光物质的材料，例如可以举出如下物质。注意，除此之外，还可以使用其他荧光发光物质。

可以举出5，6-双[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-2，2’-联吡啶(简称：PAP2BPy)、5，6-双[4’-(10-苯基-9-蒽基)联苯基-4-基]-2，2’-联吡啶(简称：PAPP2BPy)、N，N’-二苯基-N，N’-双[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6FLPAPrn)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-双[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]芘-1，6-二胺(简称：1，6mMemFLPAPrn)、N，N’-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基二苯乙烯-4，4’-二胺(简称：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯(简称：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBAPA)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亚苯基)双[N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺](简称：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPPA)、N，N，N’，N’，N”，N”，N”’，N”’-八苯基二苯并[g，p](chrysene)-2，7，10，15-四胺(简称：DBC1)、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、N-[9，10-双(1，1’-联苯基-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPAPA)、N-[9，10-双(1，1’-联苯-2-基)-2-蒽基]-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2DPABPhA)、9，10-双(1，1’-联苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(简称：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(简称：DPhAPhA)、香豆素545T、N，N’-二苯基喹吖酮(简称：DPQd)、红荧烯、5，12-双(1，1’-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCM2)、N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mPhAFD)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：DCJTB)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亚基)丙二腈(简称：BisDCM)、2-{2，6-双[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(简称：BisDCJTM)、N，N’-二苯基-N，N’-(1，6-芘-二基)双[(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃)-8-胺](简称：1，6BnfAPrn-03)、3，10-双[N-(9-苯基-9H-咔唑-2-基)-N-苯基氨基]萘并[2，3-b；6，7-b’]双苯并呋喃(简称：3，10PCA2Nbf(IV)-02)、3，10-双[N-(二苯并呋喃-3-基)-N-苯基氨基]萘并[2，3-b；6，7-b’]双苯并呋喃(简称：3，10FrA2Nbf(IV)-02)等。尤其是，以1，6FLPAPrn、1，6mMemFLPAPrn、1，6BnfAPrn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性且高发光效率、高可靠性，所以是优选的。

当在发光层中作为发光物质使用磷光发光物质时，例如可以使用如下物质。

例如可以使用如下材料，三{2-[5-(2-甲基苯基)-4-(2，6-二甲基苯基)-4H-1，2，4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱(III)(简称：[Ir(mpptz-dmp)₃])、三(5-甲基-3，4-二苯基-4H-1，2，4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Mptz)₃])、三[4-(3-联苯)-5-异丙基-3-苯基-4H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrptz-3b)₃])等具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物；三[3-甲基-1-(2-甲基苯基)-5-苯基-1H-1，2，4-三唑]铱(III)(简称：[Ir(Mptz1-mp)₃])、三(1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1，2，4-三唑)铱(III)(简称：[Ir(Prptz1-Me)₃])等具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物；fac-三[1-(2，6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑]铱(III)(简称：[Ir(iPrpmi)₃])、三[3-(2，6-二甲基苯基)-7-甲基咪唑并[1，2-f]菲啶根(phenanthridinato)]铱(III)(简称：[Ir(dmpimpt-Me)₃])等具有咪唑骨架的有机金属铱配合物；以及双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶根-N，C²’]铱(III)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：FIr6)、双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶根-N，C²’]铱(III)吡啶甲酸酯(简称：FIrpic)、双{2-[3’，5’-双(三氟甲基)苯基]吡啶根-N，C²’}铱(III)吡啶甲酸酯(简称：[Ir(CF₃ppy)₂(pic)])、双[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶根-N，C²’]铱(III)乙酰丙酮(简称：Fir(acac))等以具有拉电子基的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物。上述物质是发射蓝色磷光的化合物，并且是在440nm至520nm的波长区域中具有发光峰的化合物。

另外，可以举出：三(4-甲基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)₃])、三(4-叔丁基-6-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)₃])、(乙酰丙酮根)双(6-甲基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(mppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双(6-叔丁基-4-苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(tBuppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双[6-(2-降冰片基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：[Ir(nbppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双[5-甲基-6-(2-甲基苯基)-4-苯基嘧啶根]铱(III)(简称：Ir(mpmppm)₂(acac))、(乙酰丙酮根)双(4，6-二苯基嘧啶根)铱(III)(简称：[Ir(dppm)₂(acac)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(3，5-二甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-Me)₂(acac)])、(乙酰丙酮根)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(mppr-iPr)₂(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(2-苯基吡啶根-N，C^2’)铱(III)(简称：[Ir(ppy)₃])、双(2-苯基吡啶根-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(ppy)₂(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(bzq)₂(acac)])、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(简称：[Ir(bzq)₃])、三(2-苯基喹啉-N，C^2’]铱(III)(简称：[Ir(pq)₃])、双(2-苯基喹啉-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(pq)₂(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；以及三(乙酰丙酮根)(单菲罗啉)铽(III)(简称：[Tb(acac)₃(Phen)])等稀土金属配合物。上述物质主要是呈现绿色磷光的化合物，并且在500nm至600nm的波长区域中具有发光峰。另外，由于具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物具有特别优异的可靠性、发光效率，所以是特别优选的。注意，在本发明的一个方式的发光器件中，特别优选将由下述结构式表示的铱配合物用作发光材料。下述铱配合物包含烷基，所以容易溶于有机溶剂，容易调节涂敷用组成物。

[化学式15]

此外，在通过ToF-SIMS测量包含由上述结构式表示的铱配合物的发光层时，可知在正模式的结果中在m/z＝1676、子离子的m/z＝1181、m/z＝685处出现信号。

另外，可以举出：(二异丁酰基甲烷根)双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶基]铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)₂(dibm)])、双[4，6-双(3-甲基苯基)嘧啶根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(5mdppm)₂(dpm)])、双[4，6-二(萘-1-基)嘧啶根](二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(d1npm)₂(dpm)])等具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物；(乙酰丙酮根)双(2，3，5-三苯基吡嗪根)铱(III)(简称：[Ir(tppr)₂(acac)])、双(2，3，5-三苯基吡嗪根)(二新戊酰基甲烷根)铱(III)(简称：[Ir(tppr)₂(dpm)])、(乙酰丙酮根)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉合]铱(III)(简称：[Ir(Fdpq)₂(acac)])等具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物；三(1-苯基异喹啉-N，C^2’)铱(III)(简称：[Ir(piq)₃])、双(1-苯基异喹啉-N，C^2’)铱(III)乙酰丙酮(简称：[Ir(piq)₂(acac)])等具有吡啶骨架的有机金属铱配合物；2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂(II)(简称：PtOEP)等铂配合物；以及三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮(propanedionato))(单菲罗啉)铕(III)(简称：[Eu(DBM)₃(Phen)])、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲罗啉)铕(III)(简称：[Eu(TTA)₃(Phen)])等稀土金属配合物。上述物质是呈现红色磷光的化合物，并且在600nm至700nm的波长区域中具有发光峰。另外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以获得色度良好的红色发光。

另外，除了上述磷光化合物以外，还可以选择已知的磷光化合物而使用。

作为TADF材料可以使用富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等。另外，还可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉。作为该含金属卟啉，例如，也可以举出由下述结构式表示的原卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Proto IX))、中卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Meso IX))、血卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Hemato IX))、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物(SnF₂(Copro III-4Me)、八乙基卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(OEP))、初卟啉-氟化锡配合物(SnF₂(Etio I))以及八乙基卟啉-氯化铂配合物(PtCl₂OEP)等。

[化学式16]

另外，还可以使用由下述结构式表示的2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、9-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-9’-苯基-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：PCCzTzn)、9-[4-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-9H，9’H-3，3’-联咔唑(简称：PCCzPTzn)、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(简称：ACRSA)等具有富π电子杂芳环和缺π电子杂芳环的一方或双方的杂环化合物。该杂环化合物具有富π电子杂芳环和缺π电子杂芳环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。其中，在具有缺π电子杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的受体性高且可靠性良好，所以是优选的。另外，在具有富π电子杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。另外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑骨架。在富π电子杂芳环和缺π电子杂芳环直接键合的物质中，富π电子杂芳环的电子供给性和缺π电子杂芳环的电子受体性都高而S1能级与T1能级之间的能量差变小，可以高效地获得热活化延迟荧光，所以是特别优选的。注意，也可以使用键合有氰基等吸电子基团的芳香环代替缺π电子杂芳环。此外，作为富π电子骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。此外，作为缺π电子骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthene dioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈或氰苯等具有腈基或氰基的芳香环或杂芳环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。如此，可以使用缺π电子骨架及富π电子骨架代替缺π电子杂芳环以及富π电子杂芳环中的至少一个。

[化学式17]

TADF材料是指S1能级和T1能级之差较小且具有通过反系间窜跃将三重激发能转换为单重激发能的功能的材料。因此，能够通过微小的热能量将三重激发能上转换(up-convert)为单重激发能(反系间窜跃)并能够高效地产生单重激发态。此外，可以将三重激发能转换为发光。

以两种物质形成激发态的激基复合物(Exciplex)因S1能级和T1能级之差极小而具有可以将三重激发能转换为单重激发能的TADF材料的功能。

注意，作为T1能级的指标，可以使用在低温(例如，77K至10K)下观察到的磷光光谱。关于TADF材料，优选的是，当以通过在荧光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为S1能级并以通过在磷光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为T1能级时，S1与T1之差为0.3eV以下，更优选为0.2eV以下。

此外，当使用TADF材料作为发光物质时，主体材料的S1能级优选比TADF材料的S1能级高。此外，主体材料的T1能级优选比TADF材料的T1能级高。

作为发光层的主体材料，可以使用具有电子传输性的材料、具有空穴传输性的材料、上述TADF材料等各种载流子传输材料。

具有空穴传输性的材料优选具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴迁移率。尤其优选为具有胺骨架或富π电子骨架的有机化合物，例如，可以举出：4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(简称：TPD)、4，4’-双[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、9，9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-螺-9，9’-二芴-2-胺(简称：PCBASF)等具有芳香胺骨架的化合物；1，3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4，4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3，6-双(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、3，3’-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)等具有咔唑骨架的化合物；4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；以及4，4’，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物、具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。

另外，也可以适当地使用N-(4-联苯)-6，N-二苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BnfABP)、N，N-双(4-联苯)-6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf)、4，4’-双(6-苯基苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)-4”-苯基三苯基胺(简称：BnfBB1BP)、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-6-胺(简称：BBABnf(6))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：BBABnf(8))、N，N-双(4-联苯)苯并[b]萘并[2，3-d]呋喃-4-胺(简称：BBABnf(II)(4))、N，N-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-对三联苯(简称：DBfBB1TP)、N-[4-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-N-苯基-4-联苯胺(简称：ThBA1BP)、4-(2-萘基)-4’，4”-二苯基三苯基胺(简称：BBAβNB)、4-[4-(2-萘基)苯基]-4’，4”-二苯基三苯基胺(简称：BBAβNBi)、4，4’-二苯基-4”-(6；1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBAαNβNB)、4，4’-二苯基-4”-(7；1’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBAαNβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(7-苯基)萘基-2-基三苯基胺(简称：BBAPβNB-03)、4，4’-二苯基-4”-(6；2’-联萘基-2-基)三苯基胺(简称：BBA(βN2)B)、4，4’-二苯基-4”-(7；2’-联萘基-2-基)-三苯基胺(简称：BBA(βN2)B-03)、4，4’-二苯基-4”-(4；2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称：BBAβNαNB)、4，4’-二苯基-4”-(5；2’-联萘基-1-基)三苯基胺(简称：BBAβNαNB-02)、4-(4-联苯基)-4’-(2-萘基)-4”-苯基三苯基胺(简称：TPBiAβNB)、4-(3-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称：mTPBiAβNBi)、4-(4-联苯基)-4’-[4-(2-萘基)苯基]-4”-苯基三苯基胺(简称：TPBiAβNBi)、4-苯基-4’-(1-萘基)三苯基胺(简称：αNBA1BP)、4，4’-双(1-萘基)三苯基胺(简称：αNBB1BP)、4，4’-二苯基-4”-[4’-(咔唑-9-基)联苯-4-基]三苯基胺(简称：YGTBi1BP)、4’-[4-(3-苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]三(1，1’-联苯-4-基)胺(简称：YGTBi1BP-02)、4-二苯基-4’-(2-萘基)-4”-{9-(4-联苯基)咔唑}三苯胺(简称：YGTBiβNB)、N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-N-[4-(1-萘基)苯基]-9，9’-螺二[9H-芴]-2-胺(简称：PCBNBSF)、N，N-双(4-联苯基)-9，9’-螺二[9H-芴]-2-胺(简称：BBASF)、N，N-双(1，1’-联苯基-4-基)-9，9’-螺二[9H-芴]-4-胺(简称：BBASF(4))、N-(1，1’-联苯-2-基)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二[9H-芴]-4-胺(简称：oFBiSF)、N-(4-联苯)-N-(二苯并呋喃-4-基)-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：FrBiF)、N-[4-(1-萘基)苯基]-N-[3-(6-苯基二苯并呋喃-4-基)苯基]-1-萘基胺(简称：mPDBfBNBN)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：mBPAFLP)、4-苯基-4’-[4-(9-苯基芴-9-基)苯基]三苯基胺(简称：BPAFLBi)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(简称:PCBNBB)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9’-二芴-2-胺(简称:PCBASF)、N-(1，1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二-9H-芴-4-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二-9H-芴-3-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二-9H-芴-2-胺、N，N-双(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9，9’-螺二-9H-芴-1-胺等。

作为具有电子传输性的材料，例如可以举出：双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II)(简称：BeBq₂)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(III)(简称：BAlq)、双(8-羟基喹啉)锌(II)(简称：Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等金属配合物或包括缺π电子杂芳环骨架的有机化合物。作为包括缺π电子杂芳环骨架的有机化合物，例如可以举出：2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、2，2’，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称：mDBTBIm-II)等具有多唑骨架的杂环化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、4，6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4，6mPnP2Pm)、4，6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4，6mDBTP2Pm-II)等具有二嗪骨架的杂环化合物；3，5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)-苯基]苯(简称：TmPyPB)等具有吡啶骨架的杂环化合物；以及2-[3’-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-1，1’-联苯-3-基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mFBPTzn)、2-[(1，1’-联苯)-4-基]-4-苯基-6-[9，9’-螺二(9H-芴)-2-基]-1，3，5-三嗪(简称：BP-SFTzn)、2-{3-[3-(苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-基)苯基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mBnfBPTzn)、2-{3-[3-(苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-6-基)苯基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：mBnfBPTzn-02)等具有三嗪骨格的杂环化合物。其中，具有二嗪骨架的杂环化合物、具有吡啶骨架的杂环化合物、具有三嗪骨架的杂环化合物具有良好的可靠性，所以是优选的。尤其是，具有二嗪(嘧啶、吡嗪)骨架的杂环化合物、具有三嗪骨架的杂环化合物具有高电子传输性，也有助于降低驱动电压。

作为能够用作主体材料的TADF材料，可以使用与上面作为TADF材料举出的材料同样的材料。当使用TADF材料作为主体材料时，由TADF材料生成的三重激发能经反系间窜跃转换为单重激发能并进一步能量转移到发光物质，由此可以提高发光器件的发光效率。此时，TADF材料被用作能量供体，发光物质被用作能量受体。

当上述发光物质为荧光发光物质时这是非常有效的。此外，此时，为了得到高发光效率，TADF材料的S1能级优选比荧光发光物质的S1能级高。此外，TADF材料的T1能级优选比荧光发光物质的S1能级高。因此，TADF材料的T1能级优选比荧光发光物质的T1能级高。

此外，优选使用呈现与荧光发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的发光的TADF材料。由此，激发能顺利地从TADF材料转移到荧光发光物质，可以高效地得到发光，所以是优选的。

为了高效地从三重激发能通过反系间窜跃生成单重激发能，优选在TADF材料中产生载流子复合。此外，优选的是在TADF材料中生成的三重激发能不转移到荧光发光物质的三重激发能。为此，荧光发光物质优选在荧光发光物质所具有的发光体(成为发光的原因的骨架)的周围具有保护基。作为该保护基，优选为不具有π键的取代基，优选为饱和烃，具体而言，可以举出碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基、碳原子数为3以上且10以下的三烷基硅基，更优选具有多个保护基。不具有π键的取代基由于几乎没有传输载流子的功能，所以对载流子传输、载流子复合几乎没有影响，可以使TADF材料与荧光发光物质的发光体彼此远离。在此，发光体是指在荧光发光物质中成为发光的原因的原子团(骨架)。发光体优选为具有π键的骨架，优选包含芳香环，并优选具有稠合芳香环或稠合杂芳环。作为稠合芳香环或稠合杂芳环，可以举出菲骨架、二苯乙烯骨架、吖啶酮骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架等。尤其是，具有萘骨架、蒽骨架、芴骨架、骨架、三亚苯骨架、并四苯骨架、芘骨架、苝骨架、香豆素骨架、喹吖啶酮骨架、萘并双苯并呋喃骨架的荧光发光物质具有高荧光量子产率，所以是优选的。

在将荧光发光物质用作发光物质的情况下，作为主体材料，优选使用具有蒽骨架的材料。通过将具有蒽骨架的物质用作荧光发光物质的主体材料，可以实现发光效率及耐久性都高的发光层。在用作主体材料的具有蒽骨架的物质中，具有二苯基蒽骨架(尤其是9，10-二苯基蒽骨架)的物质在化学上稳定，所以是优选的。另外，在主体材料具有咔唑骨架的情况下，空穴的注入/传输性得到提高，所以是优选的，在包含苯环稠合到咔唑的苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，空穴容易注入，所以是更优选的。尤其是，在主体材料具有二苯并咔唑骨架的情况下，其HOMO能级比咔唑浅0.1eV左右，不仅空穴容易注入，而且空穴传输性及耐热性也得到提高，所以是优选的。因此，进一步优选用作主体材料的物质是具有9，10-二苯基蒽骨架及咔唑骨架(或者苯并咔唑骨架或二苯并咔唑骨架)的物质。注意，从上述空穴注入/传输性的观点来看，也可以使用苯并芴骨架或二苯并芴骨架代替咔唑骨架。作为这种物质的例子，可以举出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：PCzPA)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)、7-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-7H-二苯并[c，g]咔唑(简称：cgDBCzPA)、6-[3-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃(简称：2mBnfPPA)、9-苯基-10-{4-(9-苯基-9H-芴-9-基)-联苯-4’-基}-蒽(简称：FLPPA)、9-(1-萘基)-10-[4-(2-萘基)苯基]蒽(简称：αN-βNPAnth)等。尤其是，CzPA、cgDBCzPA、2mBnfPPA、PCzPA呈现非常良好的特性，所以是优选的。

另外，主体材料也可以是混合多种物质的材料，当使用混合的主体材料时，优选混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料。通过混合具有电子传输性的材料和具有空穴传输性的材料，可以使发光层的传输性的调整变得更加容易，也可以更简便地进行复合区域的控制。具有空穴传输性的材料和具有电子传输性的材料的含量的重量比例为1：19至19：1即可。此时，有时将含量较少一方的载流子传输性材料称为辅助材料。

注意，作为上述混合的材料的一部分，可以使用磷光发光物质。磷光发光物质在作为发光物质使用荧光发光物质时可以被用作对荧光发光物质供应激发能的能量供体。

另外，也可以使用这些混合了的材料形成激基复合物。通过以形成发射与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的方式选择该混合了的材料，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光，所以是优选的。另外，通过采用该结构可以降低驱动电压，因此是优选的。

注意，形成激基复合物的材料的至少一个可以为磷光发光物质。由此，可以高效地将三重激发能经反系间窜跃转换为单重激发能。

关于高效地形成激基复合物的材料的组合，具有空穴传输性的材料的HOMO能级优选为具有电子传输性的材料的HOMO能级以上。此外，具有空穴传输性的材料的LUMO能级优选为具有电子传输性的材料的LUMO能级以上。注意，材料的LUMO能级及HOMO能级可以从通过循环伏安(CV)测定测得的材料的电化学特性(还原电位及氧化电位)求出。

注意，激基复合物的形成例如可以通过如下方法确认：对具有空穴传输性的材料的发射光谱、具有电子传输性的材料的发射光谱及混合这些材料而成的混合膜的发射光谱进行比较，当观察到混合膜的发射光谱比各材料的发射光谱向长波长一侧漂移(或者在长波长一侧具有新的峰值)的现象时说明形成有激基复合物。或者，对具有空穴传输性的材料的瞬态光致发光(PL)、具有电子传输性的材料的瞬态PL及混合这些材料而成的混合膜的瞬态PL进行比较，当观察到混合膜的瞬态PL寿命与各材料的瞬态PL寿命相比具有长寿命成分或者延迟成分的比率变大等瞬态响应不同时说明形成有激基复合物。此外，可以将上述瞬态PL称为瞬态电致发光(EL)。换言之，与对具有空穴传输性的材料的瞬态EL、具有电子传输性的材料的瞬态EL及这些材料的混合膜的瞬态EL进行比较，观察瞬态响应的不同，可以确认激基复合物的形成。

注意，具有本结构的电子传输层有时兼作电子注入层。

另外，在电子传输层中含有碱金属或碱土金属的金属配合物时，优选在其厚度方向上存在浓度差(也包括0的情况)。

可以在电子传输层和负极之间设置由氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF₂)、8-羟基喹啉-锂(简称：Liq)等的碱金属、碱土金属或它们的化合物或配合物的层作为电子注入层。电子注入层可以使用将碱金属、碱土金属或它们的化合物包含在由具有电子传输性的物质构成的层中的层、电子化合物。作为电子化合物，例如可以举出对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等。

另外，通过使用氟化钠，可以提高发光器件的电子传输性、防水性，所以是优选的。在通过ToF-SIMS分析电子注入层中包含氟化钠的发光器件的电子注入层时，观察到Na₂F⁺、NaF₂ ^-、Na₂F₃ ^-等来源于具有各种钠与氟的键合数的阴离子或阳离子的信号。

另外，也可以以与负极接触的方式设置包含钡等碱土金属的层。由此，来自负极的电子注入性得到提高，所以是优选的。

另外，上述包含钡的层也可以同时包含杂芳族化合物。作为该杂芳族化合物，优选为具有菲罗啉骨架的有机化合物，特别优选为由下述结构式表示的2-苯基-9-[3-(9-苯基-1，10-菲罗啉-2-基)苯基]-1，10-菲罗啉等。

[化学式18]

在通过ToF-SIMS分析包含2-苯基-9-[3-(9-苯基-1，10-菲罗啉-2-基)苯基]-1，10-菲罗啉的层时，在正模式和负模式的双方下在m/z＝587观察到信号。此外，在沉积相同的该材料而相同的层或所接触的层包含碱金属、碱土金属、其化合物时，有时检测到碱金属配合物(例如，Na配合物的情况为m/z＝609)或碱土金属配合物(例如，Ba配合物的情况为m/z＝724)等的离子。

注意，作为电子注入层，也可以使用对具有电子传输性的物质(优选为具有联吡啶骨架的有机化合物)包含上述碱金属或碱土金属的氟化物为微晶状态的浓度以上(50wt％以上)的层。该由于该层为折射率低的层，所以可以提供外部量子效率更良好的发光器件。

另外，可以设置电荷产生层，而代替电子注入层。电荷产生层是通过施加电位，可以对与该层的负极一侧接触的层注入空穴，并且对与该层的正极一侧接触的层注入电子的层。电荷产生层至少包括P型层。P型层优选使用上述构成空穴注入层的复合材料来形成。另外，P型层也可以将作为构成复合材料的材料包含上述包含受体性材料的膜和包含空穴传输材料的膜层叠来形成。通过对P型层施加电位，电子和空穴分别注入到电子传输层和作为负极的负极，使得发光器件工作。

另外，电荷产生层除了包括P型层之外优选还包括电子中继层及电子注入缓冲层中的任一方或双方。电子注入缓冲层及电子中继层设置在比P型层近正极一侧，电子中继层设置在电子注入缓冲层与P型层之间。

电子中继层至少包含具有电子传输性的物质，并且能够防止电子注入缓冲层和P型层的相互作用，并顺利地传递电子。优选将电子中继层所包含的具有电子传输性的物质的LUMO能级设定在P型层中的受体性物质的LUMO能级与电子传输层中的接触于电荷产生层的层所包含的物质的LUMO能级之间。具体而言，电子中继层中的具有电子传输性的物质的LUMO能级优选为-5.0eV以上，更优选为-5.0eV以上且-3.0eV以下。另外，作为电子中继层中的具有电子传输性的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物。

电子注入缓冲层可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂、碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))等电子注入性高的物质。

另外，在电子注入缓冲层包含具有电子传输性的物质及供体性物质的情况下，作为供体性物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和这些物质的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂、碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))以外，还可以使用四硫并四苯(简称：TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。具有电子传输性的物质可以使用与上面所说明的可用作主体材料的具有电子传输性的材料同样的材料形成。

该电荷产生层可以被用作中间层，通过使用中间层，可以得到具有串联结构的电流效率良好的发光器件。

作为形成负极的物质，可以使用功函数小(具体为3.8eV以下)的金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。作为这种负极材料的具体例子，可以举出锂(Li)、铯(Cs)等碱金属、镁(Mg)、钙(Ca)或者锶(Sr)等的属于元素周期表中的第1族或第2族的元素、包含它们的合金(MgAg、AlLi)、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属以及包含它们的合金等。然而，通过在负极和电子传输层之间设置电子注入层，可以不顾及功函数的大小而将各种导电材料诸如Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用作负极。

在由对可见光具有透过性的材料构成负极的情况下，可以形成从负极一侧发光的发光器件。在将正极形成在衬底一侧的情况下，具有上述负极的发光器件可以为所谓的顶部发射型发光器件。

另外，也可以通过使用不同成膜方法形成上面所述的各电极或各层。

注意，设置在正极与负极之间的层的结构不局限于上述结构。但是，优选采用在离正极及负极远的部分设置空穴与电子复合的发光区域的结构，以便抑制由于发光区域与用于电极、载流子注入层的金属接近而发生的猝灭。

另外，为了抑制从在发光层中产生的激子的能量转移，接触于发光层的如空穴传输层和电子传输层，尤其是靠近发光层中的复合区域的载流子传输层优选使用如下物质构成，即具有比构成发光层的发光材料或者包含在发光层中的发光材料所具有的带隙大的带隙的物质。

本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。

本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。

(实施方式3)

接着，参照图9说明在液滴喷射法中利用的液滴喷射装置。图9是说明液滴喷射装置1400的概念图。

液滴喷射装置1400包括液滴喷射单元1403。液滴喷射单元1403包括头部1405、头部1412及头部1416。

头部1405、头部1412及头部1416与控制单元1407连接，通过由计算机1410进行控制，可以描画预先编程了的图案。

另外，作为描画的时机，例如可以以形成在衬底1402上的标记1411为基准而进行描画。或者，也可以以衬底1402的边缘为基准而确定基准点。在此，利用成像单元1404检测出标记1411，将通过图像处理单元1409转换为数字信号的标记1411利用计算机1410识别而产生控制信号，以将该控制信号传送至控制单元1407。

可使用电荷偶合器件(CCD)、互补金属氧化物半导体(CMOS)的图像传感器等作为成像单元1404。另外，在衬底1402上需要形成的图案的数据存储于存储介质1408，可以基于该数据将控制信号传送至控制单元1407，来分别控制液滴喷射单元1403的头部1405、头部1412及头部1416等各头部。喷射的材料分别从材料供应源1413、材料供应源1414及材料供应源1415通过管道供应到头部1405、头部1412及头部1416。

头部1405、头部1412及头部1416的内部包括以虚线1406所示的填充液状材料的空间及喷射口的喷嘴。尽管没有示出，头部1412的内部结构和头部1405的内部结构相似。当头部1405和头部1412的喷嘴尺寸互不相同时，可以同时释放宽度不同的不同材料。使用一个头部可以喷射多种发光材料且描画图案，于是在对广区域描画图案的情况下，为了提高处理量，同时使用多个喷嘴喷射同一发光材料而可以描画图案。在使用大型衬底的情况下，头部1405、头部1412及头部1416在图9所示的箭头的X、Y或Z的方向上自由地对衬底进行扫描，可以自由地设定描画的区域，由此可以在一个衬底上描画多个相同的图案。

喷射组合物的步骤可以在减压下进行。此外，也可以在喷射时对衬底进行加热。在喷射组成物之后，进行干燥工序和烧成工序中的一个或两个。干燥工序及烧成工序都是一种加热处理的工序，各工序的目的、温度及时间不同。通过激光辐照、快速热退火和使用加热炉等在常压或减压下的大气中或氮等惰性气氛下实施干燥步骤和烘烤步骤。注意对所进行的热处理的时机以及次数没有具体的限制。为了进行良好的干燥工序及烧成工序，其温度依赖于衬底的材料及组成物的性质。

如上所述，可以利用液滴喷射装置形成EL层。

上述结构可以与其他实施方式、本实施方式中的其他结构适当地组合。

(实施方式4)

[像素电路]

接着，说明可用于本发明的一个方式的显示装置的像素电路的结构例子及驱动方法例子。

〔像素电路的结构例子〕

图10A所示的像素电路PIX1包括晶体管M1、晶体管M2、电容器C1及发光器件EL。此外，像素电路PIX1与布线SL、布线GL、布线AL及布线CL电连接。

在晶体管M1中，栅极与布线GL电连接，源极和漏极中的一个与布线SL电连接，其中另一个与晶体管M2的栅极及电容器C1的一个电极电连接。在晶体管M2中，源极和漏极中的一个与布线AL电连接，其中另一个与发光器件EL的阳极电连接。电容器C1的另一个电极与发光器件EL的阳极电连接。发光器件EL的阴极与布线CL电连接。

晶体管M1也可以被称为选择晶体管，其被用作用来控制像素的选择/非选择的开关。晶体管M2也可以被称为驱动晶体管，其具有控制流过发光器件EL的电流的功能。电容器C1被用作存储电容器，其具有保持晶体管M2的栅极电位的功能。作为电容器C1，可以使用MIM电容器等电容器、布线间的电容或晶体管的栅极电容等。

布线SL被供应源极信号。布线SL可以使用与用作晶体管的源极或漏极的导电层相同的导电层形成。布线GL被供应栅极信号。布线GL可以使用与用作晶体管的栅极的导电层相同的导电层形成。布线AL与布线CL各自被供应恒电位。布线AL及布线CL各自可以使用用作源极或漏极的导电层或者用作栅极的导电层、或者用作源极或漏极的导电层和用作栅极的导电层形成。布线AL及布线CL各自可以使用与用作源极或漏极的导电层相同的导电层或者与用作栅极的导电层相同的导电层形成。

可以将发光元件EL的阳极一侧设定为高电位并将阴极一侧设定为低于阳极一侧的电位，可以将阳极对应于正极并将阴极对应于负极。

图10B所示的像素电路PIX2具有对像素电路PIX1追加晶体管M3的结构。另外，像素电路PIX2与布线V0电连接。

在晶体管M3中，栅极与布线GL电连接，源极和漏极中的一个与发光器件EL的阳极电连接，其中另一个与布线V0电连接。

在向像素电路PIX2写入数据时，布线V0被供应恒电位。由此，可以抑制晶体管M2的栅极-源极间电压的不均匀。

图10C中的像素电路PIX3示出作为上述像素电路PIX1的晶体管M1及晶体管M2使用一对栅极电连接的晶体管时的例子。此外，图10D中的像素电路PIX4示出在像素电路PIX2中使用一对栅极电连接的晶体管时的例子。由此，可以增大晶体管能够流过的电流。注意，虽然在此作为所有晶体管使用一对栅极电连接的晶体管，但是不局限于此。此外，也可以使用包括一对栅极且它们与不同布线电连接的晶体管。例如，通过使用一个栅极与源极电连接的晶体管，可以提高可靠性。

图11A所示的像素电路PIX5具有对上述PIX2追加晶体管M4的结构。此外，像素电路PIX5与被用作三个栅极线的布线(布线GL1、布线GL2及布线GL3)电连接。

在晶体管M4中，栅极与布线GL3电连接，源极和漏极中的一个与晶体管M2的栅极电连接，其中另一个与布线V0电连接。此外，晶体管M1的栅极与布线GL1电连接，晶体管M3的栅极与布线GL2电连接。布线V0可以使用与用作源极或漏极的导电层相同的导电层或者/以及与用作栅极的导电层相同的导电层形成。布线V0有时以与布线AL交叉的方式配置。

通过使晶体管M3和晶体管M4同时成为导通状态，晶体管M2的源极与栅极成为相同电位，由此可以使晶体管M2成为非导通状态。由此，可以强制性地遮断流过发光器件EL的电流。这种像素电路适合于交替地设置显示期间和关灯期间的显示方法。

图11B中的像素电路PIX6示出对上述像素电路PIX5追加电容器C2的情况的例子。电容器C2被用作存储电容器。

图11C中的像素电路PIX7及图11D中的像素电路PIX8分别示出在上述像素电路PIX5及像素电路PIX6中使用包括一对栅极的晶体管的情况的例子。作为晶体管M1、晶体管M3、晶体管M4使用与一对栅极电连接的晶体管，作为晶体管M2使用一个栅极与源极电连接的晶体管。

〔驱动方法例子〕

以下，说明使用像素电路PIX5的显示装置的驱动方法的一个例子。注意，像素电路PIX6、PIX7及PIX8也可以利用同样的驱动方法。

图12是使用像素电路PIX5的显示装置的驱动方法的时序图。在此示出第k行栅极线的布线GL1[k]、布线GL2[k]及布线GL3[k]以及第k+1行栅极线的布线GL1[k+1]、布线GL2[k+1]及布线GL3[k+1]的电位的推移。此外，图12示出向被用作源极线的布线SL供应信号的时序。

在此示出以将一个水平期间分为点亮期间和关灯期间的方式进行显示的驱动方法的例子。此外，第k行水平期间从第k+1行水平期间漂移栅极线的选择期间。

在第k行点亮期间，首先向布线GL1[k]及布线GL2[k]供应高电平电位，向布线SL供应源极信号。由此，晶体管M1和晶体管M3成为导通状态，从布线SL向晶体管M2的栅极写入与源极信号对应的电位。然后，通过向布线GL1[k]及布线GL2[k]供应低电平电位，晶体管M1和晶体管M3成为非导通状态，保持晶体管M2的栅极电位。

接着，在第k+1行点亮期间，通过与上述同样的工作写入数据。

接着，说明关灯期间。在第k行关灯期间，向布线GL2[k]和布线GL3[k]供应高电平电位。由此，晶体管M3和晶体管M4成为导通状态，所以在向晶体管M2的源极和栅极供应相同电位时，在晶体管M2中电流几乎没有流过。由此，发光器件EL关灯。位于第k行的所有子像素关灯。第k行子像素直到下一个点亮期间为止维持关灯状态。

接着，在第k+1行的关灯期间，与上述同样地，第k+1行的所有子像素成为关灯状态。

如此，也可以将如下驱动方法称为占空驱动，即不是在一个水平期间中一直点亮而是在一个水平期间中设定关灯期间的驱动方法。通过利用占空驱动，可以减少显示动态图像时的余像，由此可以实现动态图像的显示性能高的显示装置。尤其是，在VR设备等中，通过减少余像，可以减轻所谓的VR晕动症(VR sickness)。

可以将占空驱动中的相对于一个水平期间的点亮期间比率称为占空比。例如，“占空比为50％”意味着点亮期间和关灯期间的长度相等。注意，可以自由地设定占空比，例如可以在高于0％且为100％以下的范围内适当地进行调整。

(实施方式5)

在本实施方式中，使用图13至图16说明本发明的一个方式的电子设备。

本实施方式的电子设备包括本发明的一个方式的显示装置。本发明的一个方式的显示装置容易实现高清晰化、高分辨率化、大型化。因此，可以将本发明的一个方式的显示装置用于各种各样的电子设备的显示部。

另外，本发明的一个方式的显示装置可以以低成本制造，由此可以降低电子设备的制造成本。

作为电子设备，例如除了电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等具有较大的屏幕的电子设备以外，还可以举出数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置等。

特别是，因为本发明的一个方式的显示装置可以提高清晰度，所以可以适当地用于包括较小的显示部的电子设备。作为这种电子设备，例如可以举出手表型、手镯型等的信息终端设备(可穿戴设备)、可戴在头上的可穿戴设备等诸如头戴显示器等VR用设备、眼镜型AR用设备等。另外，作为可穿戴设备还可以举出SR用设备以及MR用设备。

本发明的一个方式的显示装置优选具有极高的分辨率诸如HD(像素数为1280×720)、FHD(像素数为1920×1080)、WQHD(像素数为2560×1440)、WQXGA(像素数为2560×1600)、4K2K(像素数为3840×2160)、8K4K(像素数为7680×4320)等。尤其优选具有4K2K、8K4K或更高的分辨率。另外，本发明的一个方式的显示装置中的像素密度(清晰度)优选为300ppi以上，更优选为500ppi以上，进一步优选为1000ppi以上，更进一步优选为2000ppi以上，还进一步优选为3000ppi以上，还进一步优选为5000ppi以上，还进一步优选为7000ppi以上。通过使用上述的具有高分辨率或高清晰度的显示装置，在便携式或家用等的个人用途的电子设备中可以进一步提高真实感、纵深感等。

可以将本实施方式的电子设备沿着房屋或高楼的内壁或外壁、汽车的内部装饰或外部装饰的曲面组装。

本实施方式的电子设备也可以包括天线。通过由天线接收信号，可以在显示部上显示影像及信息等。另外，在电子设备包括天线及二次电池时，可以用天线进行非接触电力传送。

本实施方式的电子设备也可以包括传感器(该传感器具有感测、检测或测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)。

本实施方式的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触控面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；执行各种软件(程序)的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据的功能；等。

图13A所示的电子设备6500是可以被用作智能手机的便携式信息终端设备。

电子设备6500包括外壳6501、显示部6502、电源按钮6503、按钮6504、扬声器6505、麦克风6506、照相机6507及光源6508等。显示部6502具有触控面板功能。

显示部6502可以使用本发明的一个方式的显示装置。

图13B是包括外壳6501的麦克风6506一侧的端部的截面示意图。

外壳6501的显示面一侧设置有具有透光性的保护构件6510，被外壳6501及保护构件6510包围的空间内设置有显示面板6511、光学构件6512、触控传感器面板6513、印刷电路板6517、电池6518等。

显示面板6511、光学构件6512及触控传感器面板6513使用粘合层(未图示)固定到保护构件6510。

在显示部6502的外侧的区域中，显示面板6511的一部分叠回，且该叠回部分连接有FPC6515。FPC6515安装有IC6516。FPC6515与设置于印刷电路板6517的端子连接。

显示面板6511可以使用本发明的一个方式的柔性显示器(具有柔性的显示装置)。由此，可以实现极轻量的电子设备。此外，由于显示面板6511极薄，所以可以在抑制电子设备的厚度的情况下安装大容量的电池6518。此外，通过折叠显示面板6511的一部分以在像素部的背面设置与FPC6515的连接部，可以实现窄边框的电子设备。

图14A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，外壳7101中组装有显示部7000。在此示出利用支架7103支撑外壳7101的结构。

可以对显示部7000应用本发明的一个方式的显示装置。

可以通过利用外壳7101所具备的操作开关及另外提供的遥控操作机7111进行图14A所示的电视装置7100的操作。此外，也可以在显示部7000中具备触控传感器，也可以通过用指头等触控显示部7000进行电视装置7100的操作。此外，也可以在遥控操作机7111中具备显示从该遥控操作机7111输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7111所具备的操作键或触控面板，可以进行频道及音量的操作，并可以对显示在显示部7000上的影像进行操作。

此外，电视装置7100具备接收机及调制解调器等。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。

图14B示出笔记本型个人计算机的一个例子。笔记本型个人计算机7200包括外壳7211、键盘7212、指向装置7213、外部连接端口7214等。在外壳7211中组装有显示部7000。

可以对显示部7000应用本发明的一个方式的显示装置。

图14C和图14D示出数字标牌的一个例子。

图14C所示的数字标牌7300包括外壳7301、显示部7000及扬声器7303等。此外，还可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器、麦克风等。

图14D示出设置于圆柱状柱子7401上的数字标牌7400。数字标牌7400包括沿着柱子7401的曲面设置的显示部7000。

在图14C和图14D中，可以对显示部7000应用包括本发明的一个方式的晶体管的显示装置。

显示部7000越大，一次能够提供的信息量越多。显示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高广告宣传效果。

通过将触控面板用于显示部7000，不仅可以在显示部7000上显示静态图像或动态图像，使用者还能够直觉性地进行操作，所以是优选的。此外，在用于提供线路信息或交通信息等信息的用途时，可以通过直觉性的操作提高易用性。

如图14C和图14D所示，数字标牌7300或数字标牌7400优选可以通过无线通信与使用者所携带的智能手机等信息终端设备7311或信息终端设备7411联动。例如，显示在显示部7000上的广告信息可以显示在信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕上。此外，通过操作信息终端设备7311或信息终端设备7411，可以切换显示部7000的显示。

此外，可以在数字标牌7300或数字标牌7400上以信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕为操作单元(控制器)执行游戏。由此，不特定多个使用者可以同时参加游戏，享受游戏的乐趣。

图15A是安装有取景器8100的照相机8000的外观图。

照相机8000包括外壳8001、显示部8002、操作按钮8003、快门按钮8004等。此外，照相机8000安装有可装卸的镜头8006。在照相机8000中，镜头8006和外壳也可以被形成为一体。

照相机8000通过按下快门按钮8004或者触摸用作触控面板的显示部8002，可以进行成像。

外壳8001包括具有电极的嵌入器，除了可以与取景器8100连接以外，还可以与闪光灯装置等连接。

取景器8100包括外壳8101、显示部8102以及按钮8103等。

外壳8101通过嵌合到照相机8000的嵌入器装到照相机8000。取景器8100可以将从照相机8000接收的图像等显示到显示部8102上。

按钮8103被用作电源按钮等。

本发明的一个方式的显示装置可以用于照相机8000的显示部8002及取景器8100的显示部8102。此外，也可以在照相机8000中内置有取景器。

图15B是头戴显示器8200的外观图。

头戴显示器8200包括安装部8201、透镜8202、主体8203、显示部8204以及电缆8205等。此外，在安装部8201中内置有电池8206。

通过电缆8205，将电力从电池8206供应到主体8203。主体8203具备无线接收器等，能够将所接收的图像信息等显示到显示部8204上。此外，主体8203具有相机，由此可以利用使用者的眼球或眼睑的动作作为输入方法。

此外，也可以对安装部8201的被使用者接触的位置设置多个电极，以检测出根据使用者的眼球的动作而流过电极的电流，由此实现识别使用者的视线的功能。此外，还可以具有根据流过该电极的电流监视使用者的脉搏的功能。安装部8201可以具有温度传感器、压力传感器、加速度传感器等各种传感器，也可以具有将使用者的生物信息显示在显示部8204上的功能或与使用者的头部的动作同步地使显示在显示部8204上的图像变化的功能等。

可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部8204。

图15C至图15E是头戴显示器8300的外观图。头戴显示器8300包括外壳8301、显示部8302、带状固定工具8304以及一对透镜8305。

使用者可以通过透镜8305看到显示部8302上的显示。优选的是，弯曲配置显示部8302。因为使用者可以感受高真实感。此外，通过透镜8305分别看到显示在显示部8302的不同区域上的图像，从而可以进行利用视差的三维显示等。此外，本发明的一个方式不局限于设置有一个显示部8302的结构，也可以设置两个显示部8302以对使用者的一对眼睛分别配置一个显示部。

可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部8302。本发明的一个方式的显示装置还可以实现极高的清晰度。例如，如图15E所示，即使使用透镜8305对显示进行放大观看，像素也不容易被使用者观看。就是说，可以利用显示部8302使使用者观看到现实感更高的影像。

图15F是护目镜型头戴显示器8400的外观图。头戴显示器8400包括一对外壳8401、安装部8402及缓冲构件8403。一对外壳8401内各自设置有显示部8404及透镜8405。通过使一对显示部8404显示互不相同的图像，可以进行利用视差的三维显示。

使用者可以通过透镜8405看到显示部8404上的显示。透镜8405具有焦点调整机构，该焦点调整机构可以根据使用者的视力调整透镜8405的位置。显示部8404优选为正方形或横向长的矩形。由此，可以提高真实感。

安装部8402优选具有塑性及弹性以可以根据使用者的脸尺寸调整并没有掉下来。另外，安装部8402的一部分优选具有被用作骨传导耳机的振动机构。由此，只要安装就可以享受影像及声音，而不需耳机、扬声器等音响设备。此外，也可以具有通过无线通信将声音数据输出到外壳8401内的功能。

安装部8402及缓冲构件8403是与使用者的脸(额头、脸颊等)接触的部分。通过使缓冲构件8403与使用者的脸密接，可以防止漏光，从而可以进一步提高沉浸感。缓冲构件8403优选使用柔软的材料以在使用者装上头戴显示器8400时与使用者的脸密接。例如，可以使用橡胶、硅酮橡胶、聚氨酯、海绵等材料。另外，当作为缓冲构件8403使用用布或皮革(天然皮革或合成皮革)等覆盖海绵等的表面的构件时，在使用者的脸和缓冲构件8403之间不容易产生空隙，从而可以适当地防止漏光。另外，在使用这种材料时，不仅让使用者感觉亲肤，而且当在较冷的季节等装上的情况下不让使用者感到寒意，所以是优选的。在缓冲构件8403或安装部8402等接触于使用者的皮肤的构件采用可拆卸的结构时，容易进行清洗及交换，所以是优选的。

图16A至图16F所示的电子设备包括外壳9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(该传感器具有感测、检测或测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风9008等。

图16A至图16F所示的电子设备具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像及文字图像等)显示在显示部上的功能；触控面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；通过利用各种软件(程序)控制处理的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据并进行处理的功能；等。注意，电子设备可具有的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。电子设备可以包括多个显示部。此外，也可以在电子设备中设置相机等而使其具有如下功能：拍摄静态图像或动态图像，且将所拍摄的图像储存在存储介质(外部存储介质或内置于相机的存储介质)中的功能；将所拍摄的图像显示在显示部上的功能；等。

可以将本发明的一个方式的显示装置用于显示部9001。

下面，详细地说明图16A至图16F所示的电子设备。

图16A是示出便携式信息终端9101的立体图。可以将便携式信息终端9101例如用作智能手机。注意，在便携式信息终端9101中，也可以设置扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等。此外，作为便携式信息终端9101，可以将文字及图像信息显示在其多个面上。在图16A中示出显示三个图标9050的例子。此外，可以将以虚线的矩形示出的信息9051显示在显示部9001的其他面上。作为信息9051的一个例子，可以举出提示收到电子邮件、SNS或电话等的信息；电子邮件、SNS等的标题；电子邮件或SNS等的发送者姓名；日期；时间；电池余量；以及天线接收信号强度的显示等。或者，可以在显示有信息9051的位置上显示图标9050等。

图16B是示出便携式信息终端9102的立体图。便携式信息终端9102具有将信息显示在显示部9001的三个以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分别显示于不同的面上的例子。例如，在将便携式信息终端9102放在上衣口袋里的状态下，使用者能够确认显示在从便携式信息终端9102的上方看到的位置上的信息9053。使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端9102，由此能够判断是否接电话。

图16C是示出手表型便携式信息终端9200的立体图。可以将便携式信息终端9200例如用作智能手表(注册商标)。此外，显示部9001的显示面弯曲，可沿着其弯曲的显示面进行显示。此外，便携式信息终端9200例如通过与可进行无线通信的耳麦相互通信可以进行免提通话。此外，通过利用连接端子9006，便携式信息终端9200可以与其他信息终端进行数据传输及充电。充电也可以通过无线供电进行。

图16D至图16F是示出可以折叠的便携式信息终端9201的立体图。此外，图16D是将便携式信息终端9201展开的状态的立体图、图16F是折叠的状态的立体图、图16E是从图16D的状态和图16F的状态中的一个转换成另一个时中途的状态的立体图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，而在展开状态下因为具有无缝拼接较大的显示区域所以显示的浏览性强。便携式信息终端9201所包括的显示部9001被由铰链9055连结的三个外壳9000支撑。显示部9001例如可以在曲率半径0.1mm以上且150mm以下的范围弯曲。

本实施方式所示的结构例子及对应该结构例子的附图等的至少一部分可以与其他结构例子或附图等适当地组合。

本实施方式的至少一部分可以与本说明书所记载的其他实施方式适当地组合而实施。

[符号说明]

20：发光器件、21：下部电极、25：上部电极、100：绝缘表面、100b：绝缘体、101：像素电极、101b：导电膜、102：分隔壁、102b：绝缘膜、103：EL层、103-1：EL层、103-2：EL层、103-3：EL层、103a：EL层、103b：EL层、104：部分、105b：材料、106：第二电极、107a：发光器件、107b：发光器件、107c：发光器件、108：载流子传输层、109：载流子注入层、201：晶体管、202：晶体管、204：连接部、205：晶体管、209：晶体管、210：晶体管、211：绝缘层、212：绝缘层、213：绝缘层、214：绝缘层、215：绝缘层、218：绝缘层、221：导电层、222a：导电层、222b：导电层、223：导电层、225：绝缘层、228：区域、231：半导体层、231i：沟道形成区域、231n：低电阻区域、242：连接层、400A：发光装置、400B：发光装置、400C：发光装置、411a：像素电极、411b：像素电极、411c：像素电极、413：第二电极、416：保护层、416a：无机绝缘层、416b：有机绝缘层、416c：无机绝缘层、417：遮光层、421：绝缘层、426：光学调整层、426a：光学调整层、426b：光学调整层、426c：光学调整层、430a：发光器件、430b：发光器件、430c：发光器件、442：粘合层、443：空间、451：衬底、452：衬底、453：衬底、454：衬底、455：粘合层、462：显示部、464：电路、465：布线、466：导电层、472：FPC、473：IC、1400：液滴喷射装置、1402：衬底、1403：液滴喷射单元、1404：成像单元、1405：头部、1406：虚线、1407：控制单元、1408：存储介质、1409：图像处理单元、1410：计算机、1411：标记、1413：材料供应源、1412：头部、1414：材料供应源、1415：材料供应源、1416：头部、4440：中间层、4411：发光层、4412：发光层、4413：发光层、4420：层、4420-1：层、4420-2：层、4430：层、4430-1：层、4430-2：层、6500：电子设备、6501：外壳、6502：显示部、6503：电源按钮、6504：按钮、6505：扬声器、6506：麦克风、6507：照相机、6508：光源、6510：保护构件、6511：显示面板、6512：光学构件、6513：触控传感器面板、6515：FPC、6516：IC、6517：印刷电路板、6518：电池、7000：显示部、7100：电视装置、7101：外壳、7103：支架、7111：遥控操作机、7200：笔记本型个人计算机、7211：外壳、7212：键盘、7213：指向装置、7214：外部连接端口、7300：数字标牌、7301：外壳、7303：扬声器、7311：信息终端设备、7400：数字标牌、7401：柱子、7411：信息终端设备、8000：照相机、8001：外壳、8002：显示部、8003：操作按钮、8004：快门按钮、8006：镜头、8100：取景器、8101：外壳、8102：显示部、8103：按钮、8200：头戴显示器、8201：安装部、8202：透镜、8203：主体、8204：显示部、8205：电缆、8206：电池、8300：头戴显示器、8301：外壳、8302：显示部、8304：固定工具、8305：透镜、8400：头戴显示器、8401：外壳、8402：安装部、8403：缓冲构件、8404：显示部、8405：透镜、9000：外壳、9001：显示部、9003：扬声器、9005：操作键、9006：连接端子、9007：传感器、9008：麦克风、9050：图标、9051：信息、9052：信息、9053：信息、9054：信息、9055：铰链、9101：便携式信息终端、9102：便携式信息终端、9200：便携式信息终端、9201：便携式信息终端

Claims (17)

1.一种发光装置，包括：

形成在绝缘表面上并沿第一方向延伸的多个分隔壁；

以岛状形成在所述绝缘表面上的多个像素电极；

设置在所述像素电极上的EL层；以及

设置在所述EL层上的第二电极，

其中，所述分隔壁具有绝缘性，

沿所述第一方向排列的每列所述像素电极位于所述多个分隔壁中的相邻的所述分隔壁与分隔壁之间，

并且，在沿所述第一方向排列的所述像素电极中的在第一方向上相邻的所述像素电极之间，所述EL层接触所述绝缘表面。

2.一种发光装置，包括：

形成在绝缘表面上并沿第一方向延伸的多个分隔壁；

以岛状形成在所述绝缘表面上的多个像素电极；

设置在所述像素电极上的EL层；以及

设置在所述EL层上的第二电极，

其中，所述分隔壁具有绝缘性，

沿所述第一方向排列的每列所述像素电极位于所述多个分隔壁中的相邻的所述分隔壁与分隔壁之间，

所述像素电极的大致平行于所述第一方向的端部被所述分隔壁覆盖，

并且，在沿所述第一方向排列的所述像素电极中的在第一方向上相邻的所述像素电极之间，所述EL层接触所述绝缘表面。

3.根据权利要求1所述的发光装置，

其中所述EL层连续设置在沿所述第一方向排列的所述像素电极上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，包括：

多个沿所述第一方向排列的所述像素电极的列，

其中位于相邻的所述像素电极的列之间的所述分隔壁为一个。

5.根据权利要求4所述的发光装置，

其中所述EL层的接触所述像素电极的层至发光层的层按沿所述第一方向排列的所述像素电极的列独立。

6.根据权利要求4或5所述的发光装置，

其中所述相邻的像素电极的列各自包括的EL层包含不同发光材料。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的发光装置，包括：

至少三个沿所述第一方向排列的所述像素电极的列，

其中在所述三个所述像素电极的列中，形成在任一个所述像素电极的列上的EL层包含呈现红色发光的发光材料，在其他两个所述像素电极的列中，形成在一个所述像素电极的列上的EL层包含呈现绿色发光的发光材料，形成在另一个所述像素电极的列上的EL层包含呈现蓝色发光的发光材料。

8.根据权利要求7所述的发光装置，

其中通过液滴喷射法形成所述像素电极的按列独立的部分的所述EL层。

9.根据权利要求7或8所述的发光装置，

其中在通过ToF-SIMS测量所述像素电极的按列独立的部分的所述EL层时，在负模式的测量结果中在m/z＝80附近观察到信号。

10.根据权利要求4至7中任一项所述的发光装置，

其中所述EL层的一部分连续在不同列的所述像素电极上。

11.根据权利要求10所述的发光装置，

其中所述EL层的电子传输层及/或电子注入层连续在不同列的所述像素电极上。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的发光装置，

其中所述第二电极跨着所述多个像素电极连续设置。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光装置，

其中所述像素电极的端部的至少一部分具有锥形形状。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的发光装置，

其中在沿大致垂直于所述绝缘表面的面截断所述像素电极时，具有端部的角度为5度以上且90度以下的部分。

15.一种显示装置，包括：

权利要求1至14中任一项所述的发光装置。

16.一种电子设备，包括：

权利要求1至14中任一项所述的发光装置；以及

传感器、操作按钮、扬声器或麦克风。

17.一种照明装置，包括：

权利要求1至14中任一项所述的发光装置；以及

外壳。