CN116830015A - 增强现实（ar）辅助式粒子污染检测 - Google Patents

增强现实（ar）辅助式粒子污染检测 Download PDF

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Abstract

一种增强现实(AR)头戴装置，包括：一个或更多个传感器；和处理器，所述处理器被连接至所述一个或更多个传感器。所述一个或更多个传感器可以被配置成在检查期间扫描对象的表面。所述处理器可以被配置成在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息。所述处理器还可以被配置成基于经处理的信息确定在所述对象的表面上是否存在污染物。并且，所述处理器还可以被配置成响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。

Description

增强现实(AR)辅助式粒子污染检测
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年2月16日递交的美国临时专利申请63/149,783的优先权，并且所述专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及光刻系统，例如用于检测污染物的检查系统。
背景技术
光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。光刻设备可以被用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在IC的单独的层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻的目标部分的网格。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分，在扫描器中，通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时平行或反向平行于这个扫描方向同步地扫描所述目标部分来辐照每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。
另一光刻系统是干涉量测光刻系统，在所述干涉量测光刻系统中不存在图案形成装置，而是光束被拆分成两个束，并且通过使用反射系统导致这两个束在所述衬底的目标部分处发生干涉。所述干涉导致在所述衬底的目标部分处形成线。
在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要不同的层被顺序地形成在所述衬底上。层的排序典型地是通过根据每个层的期望图案，针对每个图案转印过程交换不同的掩模版来完成的。对于所述掩模版上的图案和从所述掩模版被转印到所述晶片上的图案，典型的光刻系统在亚纳米容许度或公差内工作。掩模版上的污染物粒子可能将误差引入至被转印的图案。因此，期望保持能够以亚纳米精度将图案准确地转印到晶片上的无污染掩模版。
在光刻设备的环境内，发生高度动态的过程，例如掩模版移交、晶片移交、受控气体流动、真空腔室壁的除气、液体分配(例如，光致抗蚀涂布)、温度变化、金属沉积、许多的可致动部件的快速移动、以及结构的磨损。随时间推移，动态过程在所述光刻设备内引入并积聚污染物颗粒。
发明内容
需要提供用于检测污染物的改善的检查技术。
在一些实施例中，一种增强现实(AR)头戴装置包括以下部件。一个或更多个传感器和连接至所述一个或更多个传感器的处理器。所述一个或更多个传感器可以被配置成在检查期间扫描对象的表面。所述处理器可以被配置成在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息。所述处理器还可以被配置成基于经处理的信息确定在所述对象的表面上是否存在污染物。并且，所述处理器还可以被配置成响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
在一些实施例中，一种方法包括以下操作。使用增强现实(AR)头戴装置的一个或更多个传感器在检查期间扫描对象的表面。在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息。基于经处理的信息确定在所述对象的表面上是否存在污染物。响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
在一些实施例中，一种非暂时性计算机可读取介质存储供一个或更多个处理器执行以执行以下操作的一个或更多个指令的一个或更多个序列。使用增强现实(AR)头戴装置的一个或更多个传感器在检查期间扫描对象的表面。在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息。基于经处理的信息确定在所述对象的表面上是否存在污染物。响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
在下文中参考随附附图详细地描述本公开的另外的特征、以及各个实施例的结构和操作。应注意，本公开不限于本文描述的具体实施例。在本文中仅出于说明性的目的来呈现这样的实施例。基于本发明中包含的教导，相关领域技术人员将明白额外的实施例。
附图说明
并入本文中并构成本说明书的一部分的随附附图图示出本公开，并且与描述一起进一步用于解释本公开的原理并使相关领域的技术人员能够制造并使用本文中描述的实施例。
图1A示出根据一些实施例的反射型光刻设备的示意图。
图1B示出根据一些实施例的透射型光刻设备的示意图。
图2示出根据一些实施例的所述反射型光刻设备的较详细的示意图。
图3示出根据一些实施例的光刻单元的示意图。
图4示出根据一些实施例的增强现实(AR)装置的示意图。
根据下文阐明的具体实施方式，当与附图结合时，将明白本公开的特征，在附图中相同的附图标记始终标识相应的元件。在附图中，相同的附图标记通常指示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。另外，通常，附图标记的最左边的数字标识其中第一次出现所述附图标记的附图。除非另有说明，否则整个本公开中提供的附图不应被解释为成比例的附图。
具体实施方式
本说明书公开了包含本公开的特征的一个或更多个实施例。所公开的(多个)实施例作为示例被提供。本公开的范围不限于所公开的(多个)实施例。要求保护的特征由随附的权利要求限定。
所描述的(多个)实施例以及在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等指示所描述的(多个)实施例可以包括具体的特征、结构或特性，但是每个实施例可以不一定包括所述具体的特征、结构或特性。此外，这样的短语不一定指同一实施例。另外，当结合实施例来描述具体的特征、结构或特性时，应该理解，无论是否明确描述，与其它实施例相结合来实现这样的特征、结构或特性均在本领域技术人员的知识范围内。
为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语，例如“下面”、“下方”、“较低”、“上方”、“在......上”、“较高”等，以描述如附图中图示的一个元件或特征与另一(多个)元件或特征的关系。所述空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作时除了图中描绘的定向之外的不同定向。设备可以被以其他方式定向(转动90度或处于其它定向)并且本文中使用的空间地相对描述语可以同样被相应地解释。
如本文中使用的术语“大约”指示可以基于具体技术而变化的给定量的值。基于所述具体技术，术语“大约”可以指示给定量的值，所述给定量的值在例如所述值的上下10％至30％(例如，所述值的±10％、±20％或±30％)内变化。
可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实施本发明的实施例。本公开的实施例也可以被实施为存储在机器可读介质上的指令，所述指令可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于存储或传输呈机器(例如，计算装置)可读的形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪速存储装置；电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。另外，在本文中，固件、软件、例程和/或指令可以被描述为执行某些动作。然而，应该理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这些动作实际上是由计算装置，处理器，控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置产生的。术语“非暂时性”可以在本文中使用以表征用于存储数据、信息、指令等等的计算机可读介质，其中唯一例外是暂时性传播信号。
然而，在更详细地描述这样的实施例之前，呈现可以实施本公开的实施例的示例性环境是有益的。
示例性光刻系统
图1A和图1B分别是其中可以实施本公开的实施例的光刻设备100和光刻设备100’的示意图。光刻设备100和光刻设备100’分别包括以下部件：照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构被配置成支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并连接至被配置成准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；和衬底台(例如，晶片台)WT，所述衬底台被配置成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并连接至被配置成准确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100和100’还具有投影系统PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)C上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型的。在光刻设备100’中，所述图案形成装置MA和所述投影系统PS是透射型的。
所述照射系统IL可以包括用于对所述辐射束B进行引导、成形或控制的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反射折射性型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或者它们的任何组合。
所述支撑结构MT以依赖于所述图案形成装置MA相对于参考系的定向、所述光刻设备100和100’中的至少一个光刻设备的设计、和其它条件(诸如所述图案形成装置MA是否被保持在真空环境中)的方式来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械式、真空式、静电式、或其它夹持技术来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，所述框架或台可以根据需要是固定的或可移动的。通过使用传感器，所述支撑结构MT可以确保所述图案形成装置MA例如相对于所述投影系统PS位于期望的位置。
术语“图案形成装置”MA应该被广义地解释为表示能够用于在辐射束B的横截面中向所述辐射束B赋予图案以便在所述衬底W的目标部分C中产生图案的任何装置。赋予所述辐射束B的图案可以与在所述目标部分C中产生以形成集成电路的器件的特定功能层相对应。
所述图案形成装置MA可以是透射型的(如在图1B的光刻设备100’中那样)或反射型的(如在图1A的光刻设备100中那样)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列或可编程LCD面板。掩模在光刻术中是众所周知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、或衰减相移掩模类型、以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用较小反射镜的矩阵布置，所述较小反射镜中的每个较小反射镜可以被单独地倾斜，以便沿不同的方向反射入射辐射束。被倾斜的反射镜将图案赋予由较小反射镜的矩阵反射的所述辐射束B。
术语“投影系统”PS可以涵盖任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型以及静电型光学系统或者它们的任何组合，如对于所使用的曝光辐射或者诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空等其它因素所适合的。真空环境可以被用于EUV或电子束辐射，这是因为其它气体可能吸收过多的辐射或电子。真空环境可以因此借助于真空壁和真空泵而被提供至整个束路径。
光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这样的“多平台”机器中，可以并行地使用额外的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。在一些情形下，额外的台可以不是衬底台WT。
所述光刻设备还可以属于如下类型：其中所述衬底的至少一部分还可以被具有相对较高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充所述投影系统与所述衬底之间的空间。浸没液体也可以被施加至所述光刻设备中的其它空间，例如所述掩模与所述投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中公知用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底之类的结构必须浸没在液体中，而是“浸没”仅意味着在曝光期间液体位于所述投影系统与所述衬底之间。
参考图1A和图1B，所述照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。当所述源SO是准分子激光器时，所述源SO和所述光刻设备100、100’可以是分立的物理实体。在这种情况下，不认为所述源SO构成光刻设备100或100’的一部分，并且所述辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(在图1B中)而从所述源SO传递至所述照射器IL。在其它情况下，例如当所述源SO是汞灯时，所述源SO可以是所述光刻设备100、100’的组成部分。可以将所述源SO和所述照射器IL以及需要时所述束传递系统BD一起称为辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(在图1B中)。通常，可以调整所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件(在图1B中)，诸如积分器IN和聚光器CO。所述照射器IL可以被用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
参考图1A，所述辐射束B被入射到所述图案形成装置(例如，掩模)MA上并被所述图案形成装置MA图案化，所述图案形成装置MA被保持在所述支撑结构(例如，掩模台)MT上。在光刻设备100中，所述辐射束B从所述图案形成装置(例如，掩模)MA反射。在已被从所述图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，所述辐射束B穿过所述投影系统PS，所述投影系统PS将所述辐射束B聚焦至所述衬底W的目标部分C上。借助于所述第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪装置、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动所述衬底台WT(例如，以将不同的目标部分C定位在所述辐射束B的路径中)。类似地，所述第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以被用于将所述图案形成装置(例如，掩模)MA相对于所述辐射束B的路径准确地定位。可以通过使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记Pl、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
参考图1B，所述辐射束B入射到所述图案形成装置(例如，掩模MA)上并被所述图案形成装置图案化，所述图案形成装置被保持在所述支撑结构(例如，掩模台MT)上。在已经横穿所述掩模MA的情况下，所述辐射束B穿过所述投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至所述衬底W的目标部分C上。所述投影系统具有与所述照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。部分辐射源自在所述照射系统光瞳IPU处的强度分布，并横穿所述掩模图案而不受所述掩模图案处的衍射的影响，并产生在所述照射系统光瞳IPU处的强度分布的图像。
所述投影系统PS将所述掩模图案MP的图像MP′投影到涂覆在所述衬底W上的光致抗蚀剂层上，其中图像Mp′是由借助于来自所述强度分布的辐射从所述标记图案MP所产生的衍射束形成的。例如，所述掩模图案MP可以包括线和间隔的阵列。所述阵列处的与零阶衍射不同的辐射的衍射会产生被转向的衍射束，所述被转向的衍射束在垂直于所述线的方向上产生方向变化。未被衍射的束(即，所谓的零阶衍射束)横穿所述图案，而传播方向没有任何改变。所述零阶衍射束穿过所述投影系统PS的位于所述投影系统PS的所述共轭光瞳PPU的上游的上部透镜或上部透镜组，以到达所述共轭光瞳PPU。在所述共轭光瞳PPU的平面中并且与所述零阶衍射束相关联的强度分布的一部分是所述照射系统IL的所述照射系统光瞳IPU中的强度分布的图像。光阑装置PD例如被设置成位于或大致位于包括所述投影系统PS的所述共轭光瞳PPU的平面处。
所述投影系统PS被布置为借助于透镜或透镜组L不仅捕获所述零阶衍射束，而且还捕获一阶或一阶和更高阶的衍射束(未示出)。在一些实施例中，可以使用用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射，以利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，一阶衍射束在所述晶片W的水平处与相应的零阶衍射束干涉，从而以可能地最高的分辨率和过程窗口(即，可用焦深与可容许的曝光剂量偏差相结合)产生所述线图案MP的图像。在一些实施例中，可以通过在所述照射系统光瞳IPU的相反象限中提供辐射极(未示出)来减少像散像差。此外，在一些实施例中，可以通过阻挡所述投影系统的所述共轭光瞳PPU中的、与相反象限中的辐射极相关联的零阶束来减少像散像差。这在于2009年3月31日发布的US7,511,799B2中被更详细地描述，通过引用将US7,511,799B2的全部内容并入本文。
借助于所述第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪装置、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动所述衬底台WT(例如，以将不同的目标部分C定位在所述辐射束B的路径中)。类似地，(例如在从掩模库进行机械获取之后或在扫描期间)所述第一定位器PM和另一位置传感器(未在图1B中示出)可以用于相对于所述辐射束B的路径准确地定位所述掩模MA。
通常，可以借助于构成所述第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现所述掩模台MT的移动。类似地，可以采用构成所述第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进器(与扫描器相反)的情况下，所述掩模台MT可以仅被连接至短行程致动器，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。虽然所述衬底对准标记(如图示的)占据了专用目标部分，但是所述衬底对准标记可以位于多个目标部分(被称为划线对准标记)之间的空间中。类似地，在将多于一个的管芯设置在所述掩模MA上的情形中，所述掩模对准标记可以位于这些管芯之间。
掩模台MT和图案形成装置MA可以位于真空腔室V中，在真空腔室V中，真空内机器人IVR可以被用于将图案形成装置(诸如掩模或掩模版)移入和移出真空腔室。替代地，当掩模版平台或掩模台MT和图案形成装置MA处于所述真空腔室外时，真空外机器人可以以类似于所述真空内机器人IVR的方式用于各种运输操作。真空内机器人和真空外机器人两者都需要被校准以将任何有效负载(例如，掩模)平稳地转移至转移站的固定的运动学支架上。
可以用以下模式中的至少一种使用所述光刻设备100和100’：
1.在步进模式中，在将所述支撑结构(例如，掩模台)MT和所述衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同的目标部分C进行曝光。
2.在扫描模式中，在同步地扫描所述支撑结构(例如，掩模台)MT和所述衬底台WT的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定所述衬底台WT相对于所述支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向。
3.在另一模式中，在将保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如，掩模台)MT保持为基本上固定且所述衬底台WT被移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在所述衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于被应用于利用可编程图案形成装置(诸如，可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上文描述的使用模式的组合和/或变形例，或完全不同的使用模式。
在一些实施例中，光刻设备可以产生DUV和/或EUV辐射。例如，光刻设备100’可以被配置成使用DUV源来操作。在另一示例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，所述极紫外(EUV)源被配置成产生用于EUV光刻术的EUV辐射束。通常，所述EUV源被配置在辐射系统中，并且相应的照射系统被配置成调节所述EUV源的所述EUV辐射束。
图2更详细地示出了所述光刻设备100，所述光刻设备100包括源收集器设备SO、照射系统IL和投影系统PS。所述源收集器设备SO被构造和布置成使得可以在所述源收集器设备SO的围封结构220中保持真空环境。发射EUV辐射的等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。可以通过气体或蒸汽(例如，Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)产生EUV辐射，在所述气体或蒸汽中非常热的等离子体210被产生以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。例如，通过引起至少部分电离的等离子体的放电而产生所述非常热的等离子体210。为了高效地产生辐射，可能需要Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它合适的气体或蒸汽的分压例如为10Pa。在一些实施例中，提供被激发的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。
由热的等离子体210发射的辐射从源腔室211经由定位在源腔室211中的开口中或所述开口后方的可选的气体阻挡部或污染物陷阱230(在一些情况下，也被称为污染物阻挡部或翼片阱)而被传递到收集器腔室212中。所述污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230也可以包括气体阻挡部，或气体阻挡部与通道结构的组合。本文中另外指出的污染物陷阱或污染物阻挡部230至少包括通道结构。
所述收集器腔室211可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有辐射收集器上游侧251和辐射收集器下游侧252。横穿收集器CO的辐射可以被从光栅光谱滤波器240反射出以被聚焦在虚源点IF处。所述虚源点IF通常被称为中间焦点，并且所述源收集器设备被布置成使得所述中间焦点IF位于所述围封结构220中的开口219处或附近。所述虚源点IF是发射辐射的等离子体210的图像。光栅光谱滤光片240特别地被用于抑制红外(IR)辐射。
随后，所述辐射横穿所述照射系统IL，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，所述琢面场反射镜装置222和所述琢面光瞳反射镜装置224被布置成在所述图案形成装置MA处提供辐射束221的期望的角分布，以及在所述图案形成装置MA处提供辐射强度的期望的均一性。在所述辐射束221在由所述支撑结构MT保持的所述图案形成装置MA处反射时，形成被图案化的束226，并且所述被图案化的束226通过所述投影系统PS经由反射型元件228、229而被成像到由所述晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。
在照射光学器件单元IL和投影系统PS中通常可以存在比示出的元件更多的元件。所述光栅光谱滤波器240可以是可选地存在的，这依赖于光刻设备的类型。另外，可以存在比图2中示出的反射镜更多的反射镜，例如在所述投影系统PS中可以存在除图2中示出的反射型元件以外的一个至六个额外的反射型元件。
如图2中图示的收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，所述巢状收集器仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。所述掠入射反射器253、254和255围绕光轴O被轴向对称地设置，并且这种类型的收集器光学器件CO优选地与放电产生式等离子体源(经常被称为DPP源)结合使用。
示例性光刻单元
图3示出了根据一些实施例的光刻单元300，有时也被称为光刻元或簇。光刻设备100或100’可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行曝光前过程和曝光后过程的一个或更多个设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影被曝光的抗蚀剂的显影装置DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底输送装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的过程设备之间移动所述衬底，并且将所述衬底传递至所述光刻设备100或100’的进料台LB。通常被统称为轨道或涂覆显影系统的这些装置处于轨道或涂覆显影系统控制单元TCU的控制下，所述轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制所述光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。
示例性污染物检查设备
在一些实施例中，在制造过程期间，图1A的光刻设备100和/或图1B的光刻设备100′以及与维护这些设备相关联的工具需要进行检查以确定其清洁度，以避免任何不完美、缺陷、瑕疵等。可以执行检查技术从而避免表面(例如，掩模版或衬底的表面)上的不期望的缺陷。检查技术可以包括以裸眼视觉地检查对象。这些检查的品质可以依赖于检查对象的个体的视觉的敏锐度以及个体在检查期间的专注程度。此外，一些污染物可能对于裸眼而言太小而难以使用裸眼检测到。
术语“不完美”、“缺陷”、“瑕疵”等可以在本文中用于指代结构与指定的容许度或公差的偏差或不均一性。例如，平整的表面可能具有缺陷，诸如划痕、孔眼或凹陷、外来颗粒、污点等。
在不完美的情境下，术语“外来颗粒”、“污染物颗粒”、“污染物”等可以在本文中用于指代不期望的、不规则的、不期望的等等(本文为不期望的)颗粒物质，这些颗粒物质存在于不被设计为容许存在不期望的颗粒物质的区或表面上，或以其它方式对其上存在颗粒物质的设备的操作产生不利影响。这些“外来粒子”和“污染物”可以包括(但不限于)有机材料，诸如人体组织/细胞，无机污染物，诸如金属/合金切屑。有机污染物可以是在生产、运送和装配期间如何处理部件/模块的结果。无机污染物可以是用于制造部件/模块的技术过程的结果。例如，可以在车床或铣床上处理部件/模块，由此在部件/模块上产生即使经历多个后续清洁步骤仍可以在测试表面上发现的大量较小粒子。无机污染物的一些示例可以包括灰尘、杂散光致抗蚀剂或在所述光刻设备内的其它脱落的材料。脱落的材料的示例可以包括钢、金、银、铝、铜、钯、铂、钛等。材料的脱落可能由于例如制备衬底上的金属互连的过程、以及被致动的结构的摩擦和冲击而发生。污染物可能进入到所述光刻设备的敏感部件(例如，掩模版或衬底)上并且增加光刻过程中的误差的可能性。本公开的实施例提供用于检测光刻设备的敏感部件上的缺陷或过程上的缺陷的结构和功能。
图4示出根据一些实施例的增强现实(AR)头戴装置400的示意图。在一些实施例中，增强现实头戴装置400可以包括一个或更多个传感器402、处理器404和显示器406，例如，用于向用户显示图像的一个或更多个透镜。本领域普通技术人员应该理解，增强现实头戴装置400也可以包括具有连接至透镜保持部分的臂部分的框架。图像可以被投影至设置在框架的开口中的显示器406的至少一个透镜上。在一些实施例中，可以使用增强现实头戴装置400来检查对象410，诸如在图1A的光刻设备100中或在图1B的光刻设备100′中的对象410。作为另一示例，对象410可以是用于服务图1A的光刻设备100或图1B的光刻设备100′的工具。
在一些实施例中，一个或更多个传感器402可以是被配置成捕获对象410的一个或更多个图像的一个或更多个图像捕获装置，例如相机。例如，一个或更多个图像可以是视频馈送内容。在一些实施例中，一个或更多个传感器402可以是一个或更多个超声波传感器，所述一个或更多个超声波传感器被配置成发射超声波且接收从对象410反射回的被反射的波。在一些实施例中，一个或更多个传感器402可以是一个或更多个高光谱成像传感器，例如，空间扫描器、光谱扫描器、快照高光谱成像扫描器等，所述一个或更多个高光谱成像传感器被配置成收集和处理来自整个电磁光谱的信息以获得对象410的图像中的每个像素的光谱。在一些实施例中，一个或更多个传感器可以是图像捕获装置、超声波传感器和高光谱成像传感器的任何组合。本领域普通技术人员应该理解，这些仅是可以使用的传感器的示例，并且根据本公开的一方面进一步涵盖其它传感器。
在一些实施例中，处理器404可以在对象410的检查期间实时地处理来自一个或更多个传感器402的信息，以检测在对象410的表面上存在污染物。例如，一个或更多个图像捕获装置可以在检查期间捕获视频馈送内容。在该示例中，处理器404可以分析视频馈送内容以检测对象410的表面上的两个或更多个斑之间的被反射的亮度的变化。在一些实施例中，两个或更多个斑之间的被反射的亮度的变化可以指示存在污染物。
作为另一示例，对于一个或更多个超声波传感器，处理器404可以通过在对象410的表面上的两个或更多个斑处测量超声波的发射与接收之间的时间来测量增强现实头戴装置400与对象410之间的距离。例如，一个或更多个超声波传感器可以在第一时刻t1处引导超声波从对象410反射且在第二时刻t2处接收在对象410的表面上的两个或更多个斑的反射波。处理器404可以通过在两个或更多个斑中的每个斑处测量t1与t2之间的时间来测量距对象的距离。在一些实施例中，处理器404还可以被配置成比较当前距离与前述距离。在该示例中，处理器404可以响应于通过比较两个或更多个斑处的距离确定对象的表面与增强现实头戴装置之间的距离发生变化，来确定存在污染物。
在另一示例中，对于一个或更多个高光谱成像传感器，处理器404可以分析对象410的图像中的每个像素的电磁光谱。在该示例中，基于电磁光谱在对象410的表面上的两个或更多个斑处从一个像素至另一像素的改变，处理器404可以确定在对象410上存在污染物。
在一些实施例中，响应于检测到污染物的存在，增强现实头戴装置400可以使用显示器406向用户显示所检测的污染物。在一些实施例中，可以增大或放大所检测到的污染物以用于显示。例如，增强现实头戴装置400可以使用一个或更多个传感器捕获和放大在对象410的表面上的污染物的图像以在显示器406上示出所述图像。
在一些实施例中，增强现实头戴装置400可以产生对象410的三维(3D)图。增强现实头戴装置400可以将三维图与来自一个或更多个传感器的信息组合以识别位于对象410上的污染物的位置。因此，在一些实施例中，增强现实头戴装置400可以向用户提供污染物的位置的信息。在一些实施例中，增强现实头戴装置400可以将污染物的位置的信息记录在存储库中，例如将位置的信息存储在存储器或数据库中。
可以使用以下方面进一步描述实施例：
1.一种增强现实(AR)头戴装置，包括：
一个或更多个传感器，所述一个或更多个传感器被配置成在检查期间扫描对象的表面；和
处理器，所述处理器被连接至所述一个或更多个传感器且被配置成：
在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息；
基于经处理的信息来确定在所述对象的表面上是否存在污染物；以及
响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
2.根据方面1所述的增强现实头戴装置，其中：
所述一个或更多个传感器包括被配置成在所述检查期间捕获视频馈送内容的一个或更多个图像捕获装置，以及
所述处理器还被配置成分析所述视频馈送内容以确定来自所述对象的表面上的两个或更多个斑的被反射的亮度是否发生变化。
3.根据方面2所述的增强现实头戴装置，其中，所述处理器还被配置成响应于确定所述被反射的亮度发生变化而确定在所述对象上存在所述污染物。
4.根据方面1所述的增强现实头戴装置，其中：
所述一个或更多个传感器包括一个或更多个超声传感器，所述一个或更多个超声传感器被配置成在时刻t1处引导超声波从所述对象反射，并且在时刻t2处接收所述对象的表面上的两个或更多个斑的反射波；并且
所述处理器还被配置成通过在所述两个或更多个斑中的每个斑处测量t1与t2之间的时间来测量距所述对象的距离。
5.根据方面4所述的增强现实头戴装置，其中，为了确定在所述对象的表面上是否存在所述污染物，所述处理器还被配置成响应于通过比较在所述两个或更多个斑处的距离确定所述对象的表面与所述增强现实头戴装置之间的距离发生变化，确定存在所述污染物。
6.根据方面1所述的增强现实头戴装置，其中，所述处理器还被配置成产生所述对象的三维(3D)图。
7.根据方面6所述的增强现实头戴装置，其中，所述处理器还被配置成将三维图与来自所述一个或更多个传感器的信息组合以识别在所述对象上的污染物的位置。
8.根据方面7所述的增强现实头戴装置，其中，所述处理器还被配置成向用户提供所述污染物的位置信息。
9.一种方法，包括：
使用增强现实(AR)头戴装置的一个或更多个传感器在检查期间扫描对象的表面；
在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息；
基于经处理的信息确定在所述对象的表面上是否存在污染物；以及
响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
10.根据方面9所述的方法，还包括：
使用一个或更多个图像捕获装置作为所述一个或更多个传感器，所述一个或更多个图像被配置成在所述检查期间捕获视频馈送内容；以及
所述处理包括分析所述视频馈送内容以确定来自所述对象的表面上的两个或更多个斑的被反射的亮度是否发生变化。
11.根据方面10所述的方法，其中，确定在所述对象的表面上是否存在所述污染物包括响应于确定所述被反射的亮度发生变化，确定存在所述污染物。
12.根据方面9所述的方法，还包括：
使用一个或更多个超声波传感器作为所述一个或更多个传感器，所述一个或更多个超声波传感器被配置成在时刻t1处引导超声波从所述对象反射，并且在时刻t2处接收所述对象的表面上的两个或更多个斑的被反射的波；以及
所述处理包括通过在所述两个或更多个斑中的每个斑处测量t1与t2之间的时间来测量距所述对象的距离。
13.根据方面12所述的方法，其中，确定在所述对象的表面上是否存在所述污染物包括响应于通过比较在所述两个或更多个斑处的所述距离确定所述对象的表面与所述增强现实头戴装置之间的距离发生变化，确定存在所述污染物。
14.根据方面9所述的方法，还包括产生所述对象的三维(3D)图。
15.根据方面14所述的方法，还包括将三维图与来自所述一个或更多个传感器的信息组合以识别在所述对象上的污染物的位置。
16.根据方面15所述的方法，还包括向用户提供所述污染物的位置的信息。
17.一种非暂时性计算机可读取介质，所述非暂时性计算机可读取介质存储用于由一个或更多个处理器实施以执行操作的一个或更多个指令的一个或更多个序列，所述操作包括：
使用增强现实头戴装置的一个或更多个传感器在检查期间扫描对象的表面；和
在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息；
基于经处理的信息来确定在所述对象的表面上是否存在污染物；以及
响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
18.根据方面15所述的非暂时性计算机可读取介质，所述操作还包括产生所述对象的三维(3D)图。
19.根据方面18所述的非暂时性计算机可读取介质，所述操作还包括将所述三维图与来自所述一个或更多个传感器的信息组合以识别在所述对象上的污染物的位置。
20.根据方面18所述的非暂时性计算机可读取介质，所述操作还包括将所述污染物的位置记录在数据库中。
虽然在本文中可以具体地参考光刻设备在IC的制造中的使用，但是，应该理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的情境下，本文中使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”是同义的。本文中提及的衬底可以在曝光之前或之后例如在轨道单元或涂覆显影系统单元(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对曝光后的抗蚀剂进行显影的工具)、量测单元和/或检查单元中被处理。在适用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如用于产生多层IC，使得本文中使用的术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理的层的衬底。
虽然上文已经具体地参考本公开的实施例在光学光刻术的情境下的使用，但是将理解，本公开可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在情境允许的情况下，本公开不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了产生在衬底上的图案。图案形成装置的形貌可以被压印到供给至所述衬底的抗蚀剂层中，由此所述抗蚀剂通过应用电磁辐射、热、压力或其组合而被固化。在抗蚀剂被固化之后，所述图案形成装置被移出所述抗蚀剂，从而在所述抗蚀剂中留下图案。
应理解，本文中的措辞或术语是出于描述而非限制性目的，使得本公开中的术语或措辞将由相关领域技术人员按照本文中的教导来解释。
如本文中使用的术语“衬底”描述各材料层被添加到其上的材料。在一些实施例中，所述衬底本身可以被图案化，并且添加在其顶部的材料也可以被图案化，或者可以保持不被图案化。
虽然在本文中可以具体地参考根据本公开的设备和/或系统在IC的制造中的使用，但是应该明确地理解，这样的设备和/或系统可以具有许多其它可能的应用。例如，这样的设备和/或系统可以被用于集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、LCD面板、薄膜磁头等。技术人员将理解，在这种替代应用的情境下，在这种情境下的术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用应该被认为分别被更上位的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”替换。
虽然上文已经描述了本公开的具体实施例，但是将理解，可以用与所描述的方式不同的方式来实践本公开。本说明书并不意图限制本公开。
将理解，“具体实施方式”章节而不是“发明内容”章节和“说明书摘要”章节意图被用于解释权利要求。如由(多个)发明者考虑到的，“发明内容”章节和“说明书摘要”章节可以阐明本公开的一个或更多个实施例而不是所有示例性实施例，并且因此不意图以任何方式限制本公开和随附的权利要求。
上文已经借助于图示出指定功能的实施方式及其相互关系的功能性构件块描述了本公开。为了描述方便，在本文中已经任意地限定了这些功能性构造块的边界。只要适当地执行指定功能及其关系，就可以定义替换的边界。
具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本公开的一般性质，使得在不背离本公开的总体构思且不进行过度实验的情况下，其他人可以通过应用本领域技术范围内的知识而容易地修改和/或改变这些具体实施例的各种应用。因此，基于本文中提出的教导和指导，这样的改变和修改旨在落入所公开的实施例的等同物的含义和范围内。
所保护的主题的广度和范围不应该受到上文描述的示例性实施例中的任一示例性实施例的限制，而应该仅由随附的权利要求及其等同物来限定。

Claims (15)

1.一种增强现实(AR)头戴装置，包括：
一个或更多个传感器，所述一个或更多个传感器被配置成在检查期间扫描对象的表面；和
处理器，所述处理器被连接至所述一个或更多个传感器且被配置成：
在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息；
基于经处理的信息确定在所述对象的表面上是否存在污染物；以及
响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
2.根据权利要求1所述的增强现实头戴装置，其中：
所述一个或更多个传感器包括被配置成在所述检查期间捕获视频馈送内容的一个或更多个图像捕获装置；
所述处理器还被配置成分析所述视频馈送内容以确定来自所述对象的表面上的两个或更多个斑的被反射的亮度是否发生变化；以及
所述处理器还被配置成响应于确定所述被反射的亮度发生变化而确定在所述对象上存在所述污染物。
3.根据权利要求1所述的增强现实头戴装置，其中：
所述一个或更多个传感器包括一个或更多个超声传感器，所述一个或更多个超声传感器被配置成在时刻t1处引导超声波从所述对象反射，并且在时刻t2处接收在所述对象的表面上的两个或更多个斑的被反射的波；
所述处理器还被配置成通过在所述两个或更多个斑中的每个斑处测量t1与t2之间的时间来测量距所述对象的距离；以及
为了确定在所述对象的表面上是否存在所述污染物，所述处理器还被配置成响应于通过比较在所述两个或更多个斑处的所述距离确定所述对象的表面与所述增强现实头戴装置之间的距离发生变化，确定存在所述污染物。
4.根据权利要求1所述的增强现实头戴装置，其中：
所述处理器还被配置成产生所述对象的三维(3D)图；
所述处理器还被配置成将所述三维图与来自所述一个或更多个传感器的信息组合以识别位于所述对象上的污染物的位置；以及
所述处理器还被配置成向用户提供所述污染物的位置的信息。
5.一种方法，包括：
使用增强现实(AR)头戴装置的一个或更多个传感器在检查期间扫描对象的表面；
在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息；
基于经处理的信息确定在所述对象的表面上是否存在污染物；以及
响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
使用一个或更多个图像捕获装置作为所述一个或更多个传感器，所述一个或更多个图像被配置成在所述检查期间捕获视频馈送内容；以及
所述处理包括分析所述视频馈送内容以确定来自所述对象的表面上的两个或更多个斑的被反射的亮度是否发生变化。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，确定在所述对象的表面上是否存在所述污染物包括：响应于确定所述被反射的亮度发生变化，确定存在所述污染物。
8.根据权利要求5所述的方法，还包括：
使用一个或更多个超声波传感器作为所述一个或更多个传感器，所述一个或更多个超声波传感器被配置成在时刻t1处引导超声波从所述对象反射，并且在时刻t2处接收位于所述对象的表面上的两个或更多个斑的被反射的波；以及
所述处理包括通过在所述两个或更多个斑中的每个斑处测量t1与t2之间的时间来测量距所述对象的距离。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，确定在所述对象的表面上是否存在所述污染物包括：响应于通过比较在所述两个或更多个斑处的所述距离确定所述对象的表面与所述增强现实头戴装置之间的距离发生变化，确定存在所述污染物。
10.根据权利要求5所述的方法，还包括：
产生所述对象的三维(3D)图；以及
将所述三维图与来自所述一个或更多个传感器的信息组合以识别在所述对象上的污染物的位置。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括向用户提供所述污染物的位置的信息。
12.一种非暂时性计算机可读取介质，所述非暂时性计算机可读取介质存储用于由一个或更多个处理器执行以执行操作的一个或更多个指令的一个或更多个序列，所述操作包括：
使用增强现实头戴装置的一个或更多个传感器在检查期间扫描对象的表面；和
在所述检查期间实时地处理使用所述一个或更多个传感器获得的信息；
基于经处理的信息确定在所述对象的表面上是否存在污染物；以及
响应于确定在所述对象的表面上存在所述污染物，向所述增强现实头戴装置的用户显示所述污染物的图像。
13.根据权利要求12所述的非暂时性计算机可读取介质，所述操作还包括产生所述对象的三维(3D)图。
14.根据权利要求13所述的非暂时性计算机可读取介质，所述操作还包括将所述三维图与来自所述一个或更多个传感器的所述信息组合以识别在所述对象上的污染物的位置。
15.根据权利要求13所述的非暂时性计算机可读取介质，所述操作还包括将所述污染物的位置记录在数据库中。
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