CN116827334A - 一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 claims description 12
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 claims description 12
- 101150070189 CIN3 gene Proteins 0.000 claims description 7
- 101150110971 CIN7 gene Proteins 0.000 claims description 7
- 101150110298 INV1 gene Proteins 0.000 claims description 7
- 101100397044 Xenopus laevis invs-a gene Proteins 0.000 claims description 7
- 101100286980 Daucus carota INV2 gene Proteins 0.000 claims description 5
- 101100508840 Daucus carota INV3 gene Proteins 0.000 claims description 5
- 101100397045 Xenopus laevis invs-b gene Proteins 0.000 claims description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
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- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
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Abstract
一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路,涉及原码转补码电路领域。本发明是为了解决解决现有的原码转补码电路运算速度慢、功耗高、版图面积大的问题。本发明所述的一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路,所述四变量原码转补码电路的与逻辑和或逻辑分别通过与门忆阻器和或门忆阻器实现。本发明结构简单、运算速度快、功耗低、结构合理、便于实施,能够在数字电路领域中用作计算和存储的研究。
Description
技术领域
本发明属于电路领域,尤其涉及原码转补码电路。
背景技术
原码转补码电路是数字电路中广泛使用的重要电路。在冯·诺依曼计算机系统中,数值一律用补码的形式进行存储。使用补码时,可以将符号位和其它位进行统一处理,并且在进行加法或减法计算时都可以使用加法电路来处理。这在电路设计上提供了相当大的便利。正数的补码就是它本身,与原码相同,不需要进行改变;负数的补码是对其原码进行按位取反,但符号位除外,然后再对整体进行加1。
现有常用的原码转补码电路通常都是基于三个异或门以及一个加法器设计而成的。首先,这种设计是基于CMOS进行的设计,而CMOS运算速度慢、功耗高;其次,CMOS版图面积大,极大的限制了其应用领域。
发明内容
本发明是为了解决现有基于三个异或门以及一个加法器设计而成的基于原码转补码电路,存在运算速度慢、功耗高、版图面积大的问题,现提供一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路。
一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路,所述四变量原码转补码电路的与逻辑和或逻辑分别通过与门忆阻器和或门忆阻器实现。
进一步的,上述四变量原码转补码电路具有4个输入端IN1~IN4和4个输出端OUT1~OUT4;
其特征在于,所述四变量原码转补码电路包括:反相器INV1~INV4、7个与门忆阻器和2个或门忆阻器,所述7个与门忆阻器分别为二输入与门忆阻器AND1和AND5~AND6以及三输入与门忆阻器AND2~AND4和AND7,所述2个或门忆阻器分别为四输入或门忆阻器OR1和三输入或门忆阻器OR2;
所述输入端IN1分别连接输出端OUT1、反相器INV1的输入端以及三输入与门忆阻器AND3、AND4和AND7的第一输入端,
所述输入端IN2分别连接二输入与门忆阻器AND1和三输入与门忆阻器AND2的第一输入端以及反相器INV2的输入端,
所述输入端IN3分别连接三输入与门忆阻器AND3的第二输入端、二输入与门忆阻器AND5的第一输入端、二输入与门忆阻器AND6的第一输入端以及反相器INV3的输入端,
所述输入端IN4分别连接三输入与门忆阻器AND4和AND7的第二输入端、输出端OUT4以及反相器INV4的输入端,
反相器INV1的输出端分别连接二输入与门忆阻器AND1和AND5的第二输入端,
反相器INV2的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND3和AND4的第三输入端,
反相器INV3的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND2的第二输入端和三输入与门忆阻器AND7的第三输入端,
反相器INV4的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND2的第三输入端二输入与门忆阻器AND6的第二输入端,
二输入与门忆阻器AND1的输出端连接四输入或门忆阻器OR1的第一输入端,三输入与门忆阻器AND2~AND4的输出端分别连接四输入或门忆阻器OR1的第二、三和四输入端,
二输入与门忆阻器AND5~AND6的输出端分别连接三输入或门忆阻器OR2第一和二输入端,三输入与门忆阻器AND7的输出端连接三输入或门忆阻器OR2第三输入端,
四输入或门忆阻器OR1的输出端连接输出端OUT2,三输入或门忆阻器OR2的输出端连接输出端OUT3。
进一步的,设4个输入端IN1~IN4的输入信号分别为a、b、c、d,4个输出端OUT1~OUT4的输出信号分别为A、B、C、D,高电平为1,低电平为0,则有:
当a=0时,A=a、B=b、C=c、D=d;
当a=1时,A=a,对b、c、d的值分别取反,并将取反的三个数作为一个3位数,在该3位数上加1进行二进制运算,并将运算结果后三位上的数字分别作为B、C、D的取值。
本发明提供了一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路,忆阻器相对于CMOS速度更快、集成度更高、功耗更低;另外,本发明相较于现有基于三个异或门以及一个加法器的原码转补码电路,结构简单合理、便于实施。本发明能够在数字电路领域中用作计算和存储的研究,对未来基于忆阻器的电路研究有重要意义。
附图说明
图1为忆阻器二输入与门电路结构图;
图2为忆阻器二输入与门逻辑符号图;
图3为忆阻器三输入与门电路结构图;
图4为忆阻器三输入与门逻辑符号图;
图5为忆阻器三输入或门电路结构图;
图6为忆阻器三输入或门逻辑符号图;
图7为忆阻器四输入或门电路结构图;
图8为忆阻器四输入或门逻辑符号图;
图9为CMOS反相器逻辑符号图;
图10为基于忆阻器的四变量原码转补码电路的电路图;
图11为基于忆阻器的四变量原码转补码电路的仿真结果示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
忆阻器是一种两端器件,具有两层金属电极中间夹绝缘层式的三明治结构。它是表示磁通与电荷关系的电路器件。忆阻器具有电阻的量纲,但和电阻不同的是,忆阻器的阻值是由流经它的电荷确定。因此,通过测定忆阻器的阻值,便可知道流经它的电荷量,从而有记忆电荷的作用。
与传统的CMOS器件构成的数字电路相比较,基于忆阻器的逻辑电路运算速度更快、集成度更高、功耗更低。近些年来,许多科研人员使用忆阻器进行数字电路的设计,如加法器、数据选择器、译码器、计数器等基础电路的设计。但是基于忆阻器的原码转补码电路很少有人研究。为此,本实施方式提供一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路,具体如下:
参照图10和图11,本实施方式中四变量原码转补码电路的与逻辑和或逻辑分别通过与门忆阻器和或门忆阻器实现。具体如下:
所述基于忆阻器的四变量原码转补码电路具有4个输入端IN1~IN4和4个输出端OUT1~OUT4。
所述四变量原码转补码电路包括:反相器INV1~INV4、7个与门忆阻器和2个或门忆阻器。所述7个与门忆阻器分别为二输入与门忆阻器AND1和AND5~AND6以及三输入与门忆阻器AND2~AND4和AND7。所述2个或门忆阻器分别为四输入或门忆阻器OR1和三输入或门忆阻器OR2。
所述输入端IN1分别连接输出端OUT1、反相器INV1的输入端以及三输入与门忆阻器AND3、AND4和AND7的第一输入端。
所述输入端IN2分别连接二输入与门忆阻器AND1和三输入与门忆阻器AND2的第一输入端以及反相器INV2的输入端。
所述输入端IN3分别连接三输入与门忆阻器AND3的第二输入端、二输入与门忆阻器AND5的第一输入端、二输入与门忆阻器AND6的第一输入端以及反相器INV3的输入端。
所述输入端IN4分别连接三输入与门忆阻器AND4和AND7的第二输入端、输出端OUT4以及反相器INV4的输入端。
反相器INV1的输出端分别连接二输入与门忆阻器AND1和AND5的第二输入端。
反相器INV2的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND3和AND4的第三输入端。
反相器INV3的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND2的第二输入端和三输入与门忆阻器AND7的第三输入端。
反相器INV4的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND2的第三输入端二输入与门忆阻器AND6的第二输入端。
二输入与门忆阻器AND1的输出端连接四输入或门忆阻器OR1的第一输入端,三输入与门忆阻器AND2~AND4的输出端分别连接四输入或门忆阻器OR1的第二、三和四输入端。
二输入与门忆阻器AND5~AND6的输出端分别连接三输入或门忆阻器OR2第一和二输入端,三输入与门忆阻器AND7的输出端连接三输入或门忆阻器OR2第三输入端。
四输入或门忆阻器OR1的输出端连接输出端OUT2,三输入或门忆阻器OR2的输出端连接输出端OUT3。
上述基于忆阻器的四变量原码转补码电路的逻辑关系为:
设4个输入端IN1~IN4的输入信号分别为a、b、c、d,4个输出端OUT1~OUT4的输出信号分别为A、B、C、D,高电平为1,低电平为0,则有:
当a=0时,A=a、B=b、C=c、D=d;
当a=1时,A=a,对b、c、d的值分别取反,并将取反的三个数作为一个3位数,在该3位数上加1进行二进制运算,并将运算结果后三位上的数字分别作为B、C、D的取值。
具体的,本实施方式给出如下表格具体说明本本实施方式所述的基于忆阻器的四变量原码转补码电路的逻辑关系:
以a、b、c、d分别为0000举例,此时a=0,则A=a=0、B=b=0、C=c=0、D=d=0。
以a、b、c、d分别为1000举例,此时a=1,则将b、c、d取反获得111,在111上加1进行二进制运算,获得1000,去掉溢出位1,剩余000,则B、C、D分别为000。
按照以上运算规则,则有:
当输入信号a、b、c、d分别为低电平、低电平、低电平、低电平时,对应逻辑“0”、“0”、“0”、“0”,则输出信号A、B、C、D分别为低电平、低电平、低电平、低电平,对应逻辑“0”、“0”、“0”、“0”;
当输入信号a、b、c、d分别为低电平、低电平、低电平、高电平时,对应逻辑“0”、“0”、“0”、“1”,输出信号A、B、C、D分别为低电平、低电平、低电平、高电平,对应逻辑“0”、“0”、“0”、“1”;
当输入信号a、b、c、d分别为低电平、低电平、高电平、低电平时,对应逻辑“0”、“0”、“1”、“0”,输出信号A、B、C、D分别为低电平、低电平、高电平、低电平,对应逻辑“0”、“0”、“1”、“0”;
当输入信号a、b、c、d分别为低电平、低电平、高电平、高电平时,对应逻辑“0”、“0”、“1”、“1”,输出信号A、B、C、D分别为低电平、低电平、高电平、高电平,对应逻辑“0”、“0”、“1”、“1”;
当输入信号a、b、c、d分别为低电平、高电平、低电平、低电平时,对应逻辑“0”、“1”、“0”、“0”,输出信号A、B、C、D分别为低电平、高电平、低电平、低电平,对应逻辑“0”、“1”、“0”、“0”;
当输入信号a、b、c、d分别为低电平、高电平、低电平、高电平时,对应逻辑“0”、“1”、“0”、“1”,输出信号A、B、C、D分别为低电平、高电平、低电平、高电平,对应逻辑“0”、“1”、“0”、“1”;
当输入信号a、b、c、d分别为低电平、高电平、高电平、低电平时,对应逻辑“0”、“1”、“1”、“0”,输出信号A、B、C、D分别为低电平、高电平、高电平、低电平,对应逻辑“0”、“1”、“1”、“0”;
当输入信号a、b、c、d分别为低电平、高电平、高电平、高电平时,对应逻辑“0”、“1”、“1”、“1”,输出信号A、B、C、D分别为低电平、高电平、高电平、高电平,对应逻辑“0”、“1”、“1”、“1”;
当输入信号a、b、c、d分别为高电平、低电平、低电平、低电平时,对应逻辑“1”、“0”、“0”、“0”,输出信号A、B、C、D分别为高电平、低电平、低电平、低电平,对应逻辑“1”、“0”、“0”、“0”;
当输入信号a、b、c、d分别为高电平、低电平、低电平、高电平时,对应逻辑“1”、“0”、“0”、“1”,输出信号A、B、C、D分别为高电平、高电平、高电平、高电平,对应逻辑“1”、“1”、“1”、“1”;
当输入信号a、b、c、d分别为高电平、低电平、高电平、低电平时,对应逻辑“1”、“0”、“1”、“0”,输出信号A、B、C、D分别为高电平、高电平、高电平、低电平,对应逻辑“1”、“1”、“1”、“0”;
当输入信号a、b、c、d分别为高电平、低电平、高电平、高电平时,对应逻辑“1”、“0”、“1”、“1”,输出信号A、B、C、D分别为高电平、高电平、低电平、高电平,对应逻辑“1”、“1”、“0”、“1”;
当输入信号a、b、c、d分别为高电平、高电平、低电平、低电平时,对应逻辑“1”、“1”、“0”、“0”,输出信号A、B、C、D分别为高电平、高电平、低电平、低电平,对应逻辑“1”、“1”、“0”、“0”;
当输入信号a、b、c、d分别为高电平、高电平、低电平、高电平时,对应逻辑“1”、“1”、“0”、“1”,输出信号A、B、C、D分别为高电平、低电平、高电平、高电平,对应逻辑“1”、“0”、“1”、“1”;
当输入信号a、b、c、d分别为高电平、高电平、高电平、低电平时,对应逻辑“1”、“1”、“1”、“0”,输出信号A、B、C、D分别为高电平、低电平、高电平、低电平,对应逻辑“1”、“0”、“1”、“0”;
当输入信号a、b、c、d分别为高电平、高电平、高电平、高电平时,对应逻辑“1”、“1”、“1”、“1”,输出信号A、B、C、D分别为高电平、低电平、低电平、高电平,对应逻辑“1”、“0”、“0”、“1”。
综上所述,本发明的基于忆阻器的四变量原码转补码电路能够完成原码转补码功能,对该电路进行仿真验证,仿真结果如图11所示。仿真结果符合预期,逻辑状态准确、稳定。证明了本发明的基于忆阻器的四变量原码转补码电路的电路结构可行性。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明,但是应该理解的是,这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是,可以对示例性的实施例进行许多修改,并且可以设计出其他的布置,只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是,可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是,结合单独实施例所描述的特征可以使用在其它所述实施例中。
Claims (3)
1.一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路,其特征在于,所述四变量原码转补码电路的与逻辑和或逻辑分别通过与门忆阻器和或门忆阻器实现。
2.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路,所述四变量原码转补码电路具有4个输入端IN1~IN4和4个输出端OUT1~OUT4;
其特征在于,所述四变量原码转补码电路包括:反相器INV1~INV4、7个与门忆阻器和2个或门忆阻器,所述7个与门忆阻器分别为二输入与门忆阻器AND1和AND5~AND6以及三输入与门忆阻器AND2~AND4和AND7,所述2个或门忆阻器分别为四输入或门忆阻器OR1和三输入或门忆阻器OR2;
所述输入端IN1分别连接输出端OUT1、反相器INV1的输入端以及三输入与门忆阻器AND3、AND4和AND7的第一输入端,
所述输入端IN2分别连接二输入与门忆阻器AND1和三输入与门忆阻器AND2的第一输入端以及反相器INV2的输入端,
所述输入端IN3分别连接三输入与门忆阻器AND3的第二输入端、二输入与门忆阻器AND5的第一输入端、二输入与门忆阻器AND6的第一输入端以及反相器INV3的输入端,
所述输入端IN4分别连接三输入与门忆阻器AND4和AND7的第二输入端、输出端OUT4以及反相器INV4的输入端,
反相器INV1的输出端分别连接二输入与门忆阻器AND1和AND5的第二输入端,
反相器INV2的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND3和AND4的第三输入端,
反相器INV3的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND2的第二输入端和三输入与门忆阻器AND7的第三输入端,
反相器INV4的输出端分别连接三输入与门忆阻器AND2的第三输入端二输入与门忆阻器AND6的第二输入端,
二输入与门忆阻器AND1的输出端连接四输入或门忆阻器OR1的第一输入端,三输入与门忆阻器AND2~AND4的输出端分别连接四输入或门忆阻器OR1的第二、三和四输入端,
二输入与门忆阻器AND5~AND6的输出端分别连接三输入或门忆阻器OR2第一和二输入端,三输入与门忆阻器AND7的输出端连接三输入或门忆阻器OR2第三输入端,
四输入或门忆阻器OR1的输出端连接输出端OUT2,三输入或门忆阻器OR2的输出端连接输出端OUT3。
3.根据权利要求2所述的一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路,其特征在于,设4个输入端IN1~IN4的输入信号分别为a、b、c、d,4个输出端OUT1~OUT4的输出信号分别为A、B、C、D,高电平为1,低电平为0,则有:
当a=0时,A=a、B=b、C=c、D=d;
当a=1时,A=a,对b、c、d的值分别取反,并将取反的三个数作为一个3位数,在该3位数上加1进行二进制运算,并将运算结果后三位上的数字分别作为B、C、D的取值。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310835984.4A CN116827334B (zh) | 2023-07-07 | 2023-07-07 | 一种基于忆阻器的四变量原码转补码电路 |
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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