CN116827209B - 增强型驱动电路及其应用的伺服驱动器 - Google Patents

Abstract

本发明为增强型驱动电路及其应用的伺服驱动器，涉及伺服驱动技术领域，包括并联的U相、V相和W相桥电路，U相桥电路、V相桥电路和W相桥电路的电路结构相同，U相、V相和W相桥电路分别包括U相、V相和W相上桥电路和U相、V相和W相下桥电路，U相上桥电路包括MOS管Q3，U相下桥电路包括MOS管Q4，MOS管Q3和MOS管Q4串联在直流供电源和电源地之间，MOS管Q3和MOS管Q4的串联点作为电机的U相接线端，其特征在于，U相上桥电路还包括光耦U1，MOS管Q3的栅极连接光耦U1的输出侧，光耦U1的输入侧外接PWM控制信号，提供了一种新的可以提高伺服驱动器中频率限制的电路结构，解决了现有技术中升级伺服电机成本高的问题，一定程度提升了伺服驱动器驱动能力。

Description

增强型驱动电路及其应用的伺服驱动器

技术领域

本发明涉及伺服驱动技术领域，具体为增强型驱动电路及其应用的伺服驱动器。

背景技术

伺服驱动器是用来控制伺服电机的一种控制器，其作用类似于变频器作用于普通交流马达，属于伺服系统的一部分，主要应用于高精度的定位系统。一般是通过位置、速度和力矩三种方式对伺服电机进行控制，实现高精度的传动系统定位。

伺服驱动器由单片机控制，根据需求单片机释放PWM信号作为指令，经过正弦波脉宽调制（SPWM）后，整理得到PWM控制信号，得到三路信号相同，三路相位与前三路相反的信号，经过隔离开关分别加到后记驱动电路的每个对应的MOS管的栅极，由驱动电路控制电动机的转动状态。在不同的伺服驱动器中传递至驱动电路的PWM信号的占空比和频率需要现在在不同的范围，如果频率过高，会增加对驱动电路中电压抬升的时间要求，可能会出现由于抬升电压来不及反应而漏信号的情况。但是在一个成熟伺服电机的现有工艺线中，如果设计更高的频率范围，需要更换MOS管的型号及整体供应线，升级成本又过高。

发明内容

本发明提出了增强型驱动电路及其应用的伺服驱动器，提供了一种新的可以提高了伺服驱动器中频率限制的电路结构，解决了现有技术中升级伺服电机成本高的问题，提高了伺服驱动器的驱动能力，提供了一种增强驱动能力的新途径。

本发明的技术方案如下：

增强型驱动电路，包括并联的U相、V相和W相桥电路，所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路的电路结构相同，U相、V相和W相桥电路分别包括U相、V相和W相上桥电路和U相、V相和W相下桥电路，所述U相上桥电路包括MOS管Q3，所述U相下桥电路包括MOS管Q4，所述MOS管Q3和所述MOS管Q4串联在直流供电源和电源地之间，所述MOS管Q3和所述MOS管Q4的串联点作为电机的U相接线端，所述U相上桥电路还包括光耦U1，所述MOS管Q3的栅极连接所述光耦U1的输出侧，所述光耦U1的输入侧外接PWM控制信号；

所述U相下桥电路还包括光耦U6、反相电路和开关拉升电路，所述光耦U6的正向输出侧连接有电压源，所述光耦U6的负向输出侧连接所述MOS管Q4的栅极，所述光耦U6的正向输入侧连接与所述U相上桥电路相位相反的PWM控制信号，所述光耦U6的负向输入侧接地，所述光耦U6的正向输入侧还经过所述反相电路连接所述开关拉升电路的输入端，所述开关拉升电路的输出端连接所述MOS管Q4的栅极，增强所述MOS管Q4的开关能力。

进一步的，所述开关拉升电路包括光电隔离器U32和MOS管Q2，所述MOS管Q2为PMOS管，所述光电隔离器U32的正向输入侧作为所述开关拉升电路的输入端连接所述反相电路，所述光电隔离器U32的负相输入侧接地，所述光电隔离器U32的供电管脚接电压源，所述光电隔离器U32输入侧导通时，所述光电隔离器U32的第一输出端和第二输出端短路；所述光电隔离器U32输入侧断开时，所述光电隔离器U32的第一输出端和第二输出端断路，所述光电隔离器U32的第一输出端为上电位，所述光电隔离器U32的第二输出端为下电位，所述光电隔离器U32的第一输出端连接所述MOS管Q2的栅极，所述光电隔离器U32的第二输出端接地，所述MOS管Q2的源极连接所述MOS管Q4的栅极，所述MOS管Q2的源极经过电阻R4连接所述MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极接低电位。

进一步的，所述反相电路包括NMOS管Q20和PMOS管Q19，所述PMOS管Q19的源极接电压源，所述PMOS管Q19的漏极连接所述NMOS管Q20的漏极，所述NMOS管Q20的源极接地，所述PMOS管Q19的栅极和所述NMOS管Q20的栅极连接作为所述反相电路的输入端连接所述光耦U6，所述PMOS管Q19的漏极和所述NMOS管Q20的漏极串联点作为所述反相电路的输出端连接所述开关拉升电路。

进一步的，在所述U相上桥电路设置有启动电路，所述启动电路的输入端连接PWM控制信号，所述启动电路的输出端连接所述光耦U6的正向向输入侧，所述启动电路用于在信号上升时，提供辅助电压增强上升速度。

进一步的，所述启动电路包括MOS管Q26、MOS管Q27、电感L7、电容C10和二极管D21，所述二极管D21的正极作为所述启动电路的第一输入端，所述二极管D21的负极连接所述MOS管Q27的漏极，所述MOS管Q27的源极作为所述启动电路的输出端，所述二极管D21和所述MOS管Q27的连接点连接有电感L7，所述电感L7的另一端经过所述电容C10接地，所述电容C10与电感L7的串联点连接所述MOS管Q26的漏极，所述MOS管Q26的源极连接所述MOS管Q27的源极，所述MOS管Q26和所述MOS管Q27的栅极连接通断信号。

进一步的，所述MOS管Q27和所述MOS管Q26为NMOS管，所述MOS管Q26和所述MOS管Q27的栅极连接PWM控制信号UHC作为通断信号。

进一步的，还包括电感L8、二极管D19、二极管D20和MOS管Q25，所述MOS管Q25为NMOS管，所述MOS管Q25的栅极作为所述启动电路的第二输入端，连接PWM控制信号UHC的反相信号ULC，所述电感L8和所述二极管D19并联连接在所述MOS管Q25的栅极和漏极之间，所述二极管D20连接在所述MOS管Q25的漏极和所述MOS管Q26的漏极之间，所述二极管D20的负极指向所述MOS管Q26，所述二极管D19的正极连接所述MOS管Q25的漏极，所述MOS管Q25的源极连接所述U相下桥电路的输入端。

进一步的，在所述光耦U1的输出端与所述MOS管Q3的源极之间设置有并联连接的瞬变抑制二极管D2和电阻R6；

在所述光耦U6的输出侧与MOS管Q3的源极之间设置有并联连接的瞬变抑制二极管D4和电阻R5。

进一步的，在所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路上端的直流供电源处设置有第一电流异变检测模块，

在所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路下端共同电源地处设置有第二电流异变检测模块，

所述第一电流异变检测模块和所述第二电流异变检测模块分别应用比较器，将采集到的电流转换为电压值，通过比较采集到的电流与参考电压，而得到桥电路两端是否存在异常的结论。

一种伺服驱动器，该伺服驱动器中的电动机驱动电路应用上述所描述的增强型驱动电路。

本发明的工作原理及有益效果为：

在本申请中并联的U相桥电路、V相桥电路和W相桥电路完全相同，其中每个桥电路中上桥电路和下桥电路的相位完全相反，不能同时导通，在该驱动电路前级还设置有控制信号发生电路，控制信号发生电路接受伺服驱动器中单片机的控制信号，经过SPWM调制发送至该增强型驱动电路，在本驱动电路中U相下桥电路通过反相电路和开关拉升电路增强了光耦U6的变化能力，当U相下桥电路的输入端输入的PWM信号由低到高时，首先光耦U6输入侧导通二极管发亮，则光耦U6的输出侧导通MOS管Q4的栅极被拉直高电位，MOS管Q4导通，同时，输入至U相下桥电路的高电位信号，经过反相电路反相为低电位，输入至开关拉升电路，当光耦U6导通MOS管的栅极为高电位时，开关拉升电路可以保持关断，此时相当于光耦U6于开关拉升电路并联，相当于对于MOS管Q4的pwm信号内阻下降，从而可以提高MOS管Q4的导通速度；U相下桥电路输入信号变低时，一方面光耦U6二极管关断，则输出侧关断，MOS管Q4栅极电压为低电位，同时，输入低电位信号时，经过反相电路转换为高电位，开关拉升电路会将MOS 管Q4的电压进行辅助释放，从而加速下降速度，应用本方法，实现了通断速度的提升。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

图1为本发明中实施例1的电路原理图；

图2为本增强型驱动电路前级控制电路的部分电路原理图；

图3为本发明中实施例2中启动电路的电路原理图；

图4为本发明中U相上桥和U相下桥电路的电路原理图；

图5为本发明中实施例3中启动电路的电路原理图；

图6为本发明中实施例3的中总的增强型驱动电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都涉及本发明保护的范围。

增强型驱动电路，包括并联的U相、V相和W相桥电路，所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路的电路结构相同，U相、V相和W相桥电路分别包括U相、V相和W相上桥电路和U相、V相和W相下桥电路，所述U相上桥电路包括MOS管Q3，所述U相下桥电路包括MOS管Q4，所述MOS管Q3和所述MOS管Q4串联在直流供电源和电源地之间，所述MOS管Q3和所述MOS管Q4的串联点作为电机的U相接线端，所述U相上桥电路还包括光耦U1，所述MOS管Q3的栅极连接所述光耦U1的输出侧，所述光耦U1的输入侧外接PWM控制信号；

所述U相下桥电路还包括光耦U6、反相电路和开关拉升电路，所述光耦U6的正向输出侧连接有电压源，所述光耦U6的负向输出侧连接所述MOS管Q4的栅极，所述光耦U6的正向输入侧连接与所述U相上桥电路相位相反的PWM控制信号，所述光耦U6的负向输入侧接地，所述光耦U6的正向输入侧还经过所述反相电路连接所述开关拉升电路的输入端，所述开关拉升电路的输出端连接所述MOS管Q4的栅极，增强所述MOS管Q4的开关能力。

在所述光耦U1的输出端与所述MOS管Q3的源极之间设置有并联连接的瞬变抑制二极管D2和电阻R6；

在所述光耦U6的输出侧与MOS管Q3的源极之间设置有并联连接的瞬变抑制二极管D4和电阻R5。

其中U相桥电路、V相桥电路和W相桥电路的电路结构完全相同，以下只介绍U相桥的电路结构，并反应其他两路桥电路。在U相上桥电路中光耦U1的输入接前级的PWM信号UHC来控制光耦U1的通断，光耦U1起到了隔离的作用，其中电压源VHU为光耦U1供电稳压管D3和电容C2保证光耦U1的供电压的稳定。

具体实施例1

所述开关拉升电路包括光电隔离器U32和MOS管Q2，所述MOS管Q2为PMOS管，所述光电隔离器U32的正向输入侧作为所述开关拉升电路的输入端连接所述反相电路，所述光电隔离器U32的负相输入侧接地，所述光电隔离器U32的供电管脚接电压源，所述光电隔离器U32输入侧导通时，所述光电隔离器U32的第一输出端和第二输出端短路；所述光电隔离器U32输入侧断开时，所述光电隔离器U32的第一输出端和第二输出端断路，所述光电隔离器U32的第一输出端为上电位，所述光电隔离器U32的第二输出端为下电位，所述光电隔离器U32的第一输出端连接所述MOS管Q2的栅极，所述光电隔离器U32的第二输出端接地，所述MOS管Q2的源极连接所述MOS管Q4的栅极，所述MOS管Q2的源极经过电阻R4连接所述MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极接低电位。

所述反相电路包括NMOS管Q20和PMOS管Q19，所述PMOS管Q19的源极接电压源，所述PMOS管Q19的漏极连接所述NMOS管Q20的漏极，所述NMOS管Q20的源极接地，所述PMOS管Q19的栅极和所述NMOS管Q20的栅极连接作为所述反相电路的输入端连接所述光耦U6，所述PMOS管Q19的漏极和所述NMOS管Q20的漏极串联点作为所述反相电路的输出端连接所述开关拉升电路。

如说明书附图1所示，当输入至U相下桥电路的PWM信号ULC翻转为高电位时，U29中的发光二极管发亮，光耦U29的输出侧导通，将光耦U29输出侧正极的VSI电压可以同光耦U29施加至MOS管Q36的栅极，此时光电隔离器U35的输入端接入经过反相的ULC信号，即为高电位翻转低电位，光电隔离器U35的发光二极管断电，则4、5管脚截止，则5管脚的电位与MOS管Q36基本持平为高电位，则PMOS管Q35的栅极为高电位，PMOS管Q35截止。根据NMOS管的特性，器导通速度与驱动信号释放源的内阻相关，内阻越小导通速度越大，光电隔离器U35的5、6管脚与光耦U29的3、4管脚并联连接，则相对于MOS管Q36，驱动信号源的内阻并联降低，可以提高MOS管36的导通速度，从而提高了驱动能力。

当输入至U相下桥电路的PWM信号ULC翻转为低电位时，光耦U29截止，光耦U29中的发光二极管关闭，光耦U29的输出侧截止，MOS管Q36栅极翻转为低电位，同时ULC信号经过反相器U22处理，光电隔离器U35的正输入端输入高电位，光电隔离器U35的输出端4、5管脚导通，由于光电隔离器U35的5管脚连接MOS管Q36的栅极，光电隔离器U35的4管脚接地，当光电隔离器U35的4、5管脚导通后，会将MOS管Q36的栅极通向电源地，增大了MOS管Q36的夹断速度。

其中对于不同实施例，应用的电路图不同，从而器件的标号会有差异，但是权利要求的撰写和排布是按照图6中的标号撰写，因此具体标注以图6为准，其他标号差异化的器件为了方便阅读和理解，而进行适应性的修改。

具体实施例2

如说明书附图3和4所示，在所述U相上桥电路设置有启动电路，所述启动电路的输入端连接PWM控制信号，所述启动电路的输出端连接所述光耦U6的正向向输入侧，所述启动电路用于在信号上升时，提供辅助电压增强上升速度。

所述启动电路包括MOS管Q26、MOS管Q27、电感L7、电容C10和二极管D21，所述二极管D21的正极作为所述启动电路的第一输入端，所述二极管D21的负极连接所述MOS管Q27的漏极，所述MOS管Q27的源极作为所述启动电路的输出端，所述二极管D21和所述MOS管Q27的连接点连接有电感L7，所述电感L7的另一端经过所述电容C10接地，所述电容C10与电感L7的串联点连接所述MOS管Q26的漏极，所述MOS管Q26的源极连接所述MOS管Q27的源极，所述MOS管Q26和所述MOS管Q27的栅极连接通断信号，其中电感L7的感抗很小。

所述MOS管Q27和所述MOS管Q26为NMOS管，所述MOS管Q26和所述MOS管Q27的栅极连接PWM控制信号UHC作为通断信号。

当U相上桥电路所连接的启动电路输入信号输入PWM信号UHC后，当UHC信号为1时，MOS管Q27和MOS管Q26导通则UHC的高电位信号经过启动电路输出值U相上桥电路，此时由于电感L7极小，在高电位脉冲时，会对电感L7进行充电，UHC电位完成上升沿后，电感充电完成，该时间段视为恒定直流，电感L7相当于导线；当UHC信号为0时，Q27和Q26的栅极为低电位截止，二极管D21反相截止，此时电容C10中存储的电压和电感L7存储的电流保存在电感L7和电容C10中，若UHC信号由低到高，MOS管Q27和MOS管Q26导通，会释放电容C10中的增强电压，是的启动电路输出的UHC+瞬间提升，增强了信号的反应速度。当UHC信号由高到低时，MOS管Q27和MOS管Q26同时关断，直接将截止信号输入U相上桥电路中。

具体实施例3，所述启动电路包括MOS管Q26、MOS管Q27、电感L7、电容C10、二极管D21、电感L8、二极管D19、二极管D20和MOS管Q25，，所述二极管D21的正极作为所述启动电路的第一输入端，所述二极管D21的负极连接所述MOS管Q27的漏极，所述MOS管Q27的源极作为所述启动电路的输出端，所述二极管D21和所述MOS管Q27的连接点连接有电感L7，所述电感L7的另一端经过所述电容C10接地，所述电容C10与电感L7的串联点连接所述MOS管Q26的漏极，所述MOS管Q26的源极连接所述MOS管Q27的源极，所述MOS管Q26和所述MOS管Q27的栅极连接通断信号，其中电感L7的感抗很小，所述MOS管Q25为NMOS管，所述MOS管Q25的栅极作为所述启动电路的第二输入端，连接PWM控制信号UHC的反相信号ULC，所述电感L8和所述二极管D19并联连接在所述MOS管Q25的栅极和漏极之间，所述二极管D20连接在所述MOS管Q25的漏极和所述MOS管Q26的漏极之间，所述二极管D20的负极指向所述MOS管Q26，所述二极管D19的正极连接所述MOS管Q25的漏极，所述MOS管Q25的源极连接所述U相下桥电路的输入端。

当U相上桥电路所连接的启动电路输入信号输入PWM信号UHC后，当UHC信号为1时，ULC信号为低电位，MOS管Q25的栅极为低电位，MOS管Q25截止，MOS管Q27和MOS管Q26导通则UHC的高电位信号经过启动电路输出值U相上桥电路，此时由于电感L7极小，在高电位脉冲时，会对电感L7进行充电，UHC电位完成上升沿后，电感充电完成，该时间段视为恒定直流，电感L7相当于导线，二极管D2在UHC为高电位时，将高电位信号与ULC的低电位信号隔离；当UHC信号为低电位，ULC信号为低电位时，Q27和Q26的栅极为低电位截止，二极管D21反相截止，此时电容C10中存储的电压和电感L7存储的电流保存在电感L7和电容C10中，MOS管Q25导通，ULC沿二极管D19流向U相下桥电路，过了上升沿，ULC相电感L8充电，并保持电容C10上极板的正电荷不发生损耗；若UHC信号由低到高，MOS管Q27和MOS管Q26导通，会释放电容C10中的增强电压，电感L8和电感L7也会释放电流增强后级U相上桥电路的光耦驱动能力，使得启动电路输出的UHC+瞬间提升，增强了信号的反应速度。当UHC信号由高到低时，MOS管Q27和MOS管Q26同时关断，直接将截止信号输入U相上桥电路中，同样MOS管Q25也是，将导通信息发送至U相下桥电路。

在所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路上端的直流供电源处设置有第一电流异变检测模块，

在所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路下端共同电源地处设置有第二电流异变检测模块，

所述第一电流异变检测模块和所述第二电流异变检测模块分别应用比较器，将采集到的电流转换为电压值，通过比较采集到的电流与参考电压，而得到桥电路两端是否存在异常的结论。

一种伺服驱动器，该伺服驱动器中的电动机驱动电路应用上述所描述的增强型驱动电路。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.增强型驱动电路，包括并联的U相、V相和W相桥电路，所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路的电路结构相同，U相、V相和W相桥电路分别包括U相、V相和W相上桥电路和U相、V相和W相下桥电路，所述U相上桥电路包括MOS管Q3，所述U相下桥电路包括MOS管Q4，所述MOS管Q3和所述MOS管Q4串联在直流供电源和电源地之间，所述MOS管Q3和所述MOS管Q4的串联点作为电机的U相接线端，其特征在于，所述U相上桥电路还包括光耦U1，所述MOS管Q3的栅极连接所述光耦U1的输出侧，所述光耦U1的输入侧外接PWM控制信号；

所述U相下桥电路还包括光耦U6、反相电路和开关拉升电路，所述光耦U6的正向输出侧连接有电压源，所述光耦U6的负向输出侧连接所述MOS管Q4的栅极，所述光耦U6的正向输入侧连接与所述U相上桥电路相位相反的PWM控制信号，所述光耦U6的负向输入侧接地，所述光耦U6的正向输入侧还经过所述反相电路连接所述开关拉升电路的输入端，所述开关拉升电路的输出端连接所述MOS管Q4的栅极，增强所述MOS管Q4的开关能力，

在所述U相上桥电路设置有启动电路，所述启动电路的输入端连接PWM控制信号，所述启动电路的输出端连接所述光耦U6的正向向输入侧，所述启动电路用于在信号上升时，提供辅助电压增强上升速度，

所述启动电路包括MOS管Q26、MOS管Q27、电感L7、电容C10和二极管D21，所述二极管D21的正极作为所述启动电路的第一输入端，所述二极管D21的负极连接所述MOS管Q27的漏极，所述MOS管Q27的源极作为所述启动电路的输出端，所述二极管D21和所述MOS管Q27的连接点连接有电感L7，所述电感L7的另一端经过所述电容C10接地，所述电容C10与电感L7的串联点连接所述MOS管Q26的漏极，所述MOS管Q26的源极连接所述MOS管Q27的源极，所述MOS管Q26和所述MOS管Q27的栅极连接通断信号，所述MOS管Q27和所述MOS管Q26为NMOS管，所述MOS管Q26和所述MOS管Q27的栅极连接PWM控制信号UHC作为通断信号。

2.根据权利要求1所述的增强型驱动电路，其特征在于，还包括电感L8、二极管D19、二极管D20和MOS管Q25，所述MOS管Q25为NMOS管，所述MOS管Q25的栅极作为所述启动电路的第二输入端，连接PWM控制信号UHC的反相信号ULC，所述电感L8和所述二极管D19并联连接在所述MOS管Q25的栅极和漏极之间，所述二极管D20连接在所述MOS管Q25的漏极和所述MOS管Q26的漏极之间，所述二极管D20的负极指向所述MOS管Q26，所述二极管D19的正极连接所述MOS管Q25的栅极，所述MOS管Q25的源极连接所述U相下桥电路的输入端。

3.根据权利要求1所述的增强型驱动电路，其特征在于，所述开关拉升电路包括光电隔离器U32和MOS管Q2，所述MOS管Q2为PMOS管，所述光电隔离器U32的正向输入侧作为所述开关拉升电路的输入端连接所述反相电路，所述光电隔离器U32的负相输入侧接地，所述光电隔离器U32的供电管脚接电压源，所述光电隔离器U32输入侧导通时，所述光电隔离器U32的第一输出端和第二输出端短路；所述光电隔离器U32输入侧断开时，所述光电隔离器U32的第一输出端和第二输出端断路，所述光电隔离器U32的第一输出端为上电位，所述光电隔离器U32的第二输出端为下电位，所述光电隔离器U32的第一输出端连接所述MOS管Q2的栅极，所述光电隔离器U32的第二输出端接地，所述MOS管Q2的源极连接所述MOS管Q4的栅极，所述MOS管Q2的源极经过电阻R4连接所述MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极接低电位。

4.根据权利要求1所述的增强型驱动电路，其特征在于，所述反相电路包括NMOS管Q20和PMOS管Q19，所述PMOS管Q19的源极接电压源，所述PMOS管Q19的漏极连接所述NMOS管Q20的漏极，所述NMOS管Q20的源极接地，所述PMOS管Q19的栅极和所述NMOS管Q20的栅极连接作为所述反相电路的输入端连接所述光耦U6，所述PMOS管Q19的漏极和所述NMOS管Q20的漏极串联点作为所述反相电路的输出端连接所述开关拉升电路。

5.根据权利要求1所述的增强型驱动电路，其特征在于，在所述光耦U1的输出端与所述MOS管Q3的源极之间设置有并联连接的瞬变抑制二极管D2和电阻R6；

在所述光耦U6的输出侧与MOS管Q3的源极之间设置有并联连接的瞬变抑制二极管D4和电阻R5。

6.根据权利要求1所述的增强型驱动电路，其特征在于，在所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路上端的直流供电源处设置有第一电流异变检测模块，

在所述U相桥电路、所述V相桥电路和所述W相桥电路下端共同电源地处设置有第二电流异变检测模块，

所述第一电流异变检测模块和所述第二电流异变检测模块分别应用比较器，将采集到的电流转换为电压值，通过比较采集到的电流与参考电压，而得到桥电路两端是否存在异常的结论。

7.一种伺服驱动器，其特征在于，该伺服驱动器中的电动机驱动电路应用权利要求1-6中任意一项所描述的增强型驱动电路。