CN116795242A - 触控电极结构的检测电路、触控面板及检测设备 - Google Patents

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CN116795242A CN202310747781.XA CN202310747781A CN116795242A CN 116795242 A CN116795242 A CN 116795242A CN 202310747781 A CN202310747781 A CN 202310747781A CN 116795242 A CN116795242 A CN 116795242A
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陈礼龙
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Abstract

本申请公开了一种触控电极结构的检测电路、触控面板及检测设备，属于触控技术领域。触控电极结构包括第一触控电极、第二触控电极、与第一触控电极耦接的第一信号线和与第二触控电极耦接的第二信号线；第一触控电极和第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，第一信号线用于接入驱动信号，第二信号线用于提供感应信号；检测电路包括检测电阻和检测电容，检测电阻的第一端和检测电容的第一端均与第二信号线耦接，检测电阻的第二端和检测电容的第二端相互耦接，以提供检测电压。通过在触控电极结构的后端耦接检测电路，根据检测电路中的元件参数推算出触控电极结构中互电容的容值。

Description

触控电极结构的检测电路、触控面板及检测设备
技术领域
本申请属于触控技术领域，尤其涉及一种触控电极结构的检测电路、触控面板及检测设备。
背景技术
具有触控功能的设备中采用触控电极结构对触控操作进行检测，触控电极结构包括自容式和互容式；其中，互容式的触控电极结构通过两组触控电极形成互电容。触控区域内存在触控操作时，触控操作点的互电容的电容量会发生变化，从而根据电容变化量数据可以计算中触控操作点在触控区域内的坐标。
然而在触控面板制程中，难免会出现加工缺陷导致互电容的实际容值偏离设计容值。但目前，不容易对互电容的偏差进行检测。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种触控电极结构的检测电路、触控面板及检测设备，可以根据检测电路中的元件参数推算出触控电极结构中互电容的容值。
第一方面，本申请提供了一种触控电极结构的检测电路，触控电极结构包括第一触控电极、第二触控电极、与第一触控电极耦接的第一信号线和与第二触控电极耦接的第二信号线；
第一触控电极和第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，第一信号线用于接入驱动信号，第二信号线用于提供感应信号；
检测电路包括检测电阻和检测电容，检测电阻的第一端和检测电容的第一端均与第二信号线耦接，检测电阻的第二端和检测电容的第二端相互耦接，以提供检测电压。
根据本申请的触控电极结构的检测电路，通过在触控电极结构的后端耦接检测电路，检测电路中的检测电阻的阻值和检测电容的容值为已知参数，在触控电极结构施加驱动电压时，可以根据检测电阻的阻值、检测电容的容值、驱动电压和检测电压推算出互电容的容值，进而判断互电容的实际容值与设计容值之间的偏差值。
根据本申请的一个实施例，检测电路还包括：
放大电路，分别与检测电阻的第二端和检测电容的第二端耦接，且配置为对检测电压进行放大，并提供放大后电压。
根据本申请的一个实施例，放大电路包括：
第一放大器，第一放大器的同相输入端分别与检测电阻的第一端和检测电容的第一端耦接，第一放大器的输出端分别与检测电阻的第二端和检测电容的第二端耦接，第一放大器的反相输入端与接地节点耦接。
根据本申请的一个实施例，放大电路包括：
第二放大器，第二放大器的同相输入端分别与检测电阻的第二端和检测电容的第二端耦接，第二放大器的输出端与第二放大器的同相输入端耦接，第二放大器的反相输入端与接地节点耦接。
根据本申请的一个实施例，触控电极结构包括多条第二信号线，各第二信号线分别耦接有检测电路。
第二方面，本申请提供了一种触控面板，包括触控电极结构和检测结构，触控电极结构包括第一触控电极、第二触控电极、与第一触控电极耦接的第一信号线和与第二触控电极耦接的第二信号线；
第一触控电极和第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，第一信号线用于接入驱动信号，第二信号线用于提供感应信号；
检测结构具有根据前述的检测电路。
根据本申请的一个实施例，检测结构包括：
第一导电层，具有电阻区和电容区；
绝缘层，设于第一导电层的电容区上；
第二导电层，第二导电层的第一部分设于绝缘层上，第二导电层的第二部分设于第一导电层上的电阻区上；
第一导电层与第二信号线耦接，或第二导电层与第二信号线耦接。
根据本申请的一个实施例，触控面板还包括多个衬垫；
触控电极结构包括多条第一信号线和多条第二信号线，各第一信号线与衬垫一一对应地耦接，各第二信号线分别耦接有检测结构，各检测结构与衬垫一一对应地耦接。
第三方面，本申请提供了一种检测设备，用于检测触控面板，触控面板包括第一触控电极、第二触控电极、与第一触控电极耦接的第一信号线和与第二触控电极耦接的第二信号线；
第一触控电极和第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，第一信号线用于接入驱动信号，第二信号线用于提供感应信号；
检测设备包括根据前述的检测电路，检测设备配置为根据检测电路提供的检测电压确定互电容的容值。
第四方面，本申请提供了一种检测设备，用于检测触控面板，触控面板包括第一触控电极、第二触控电极、与第一触控电极耦接的第一信号线、与第二触控电极耦接的第二信号线、检测电阻和检测电容；
第一触控电极和第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，第一信号线用于接入驱动信号，第二信号线用于提供感应信号；
检测电阻的第一端和检测电容的第一端均与第二信号线耦接，检测电阻的第二端和检测电容的第二端相互耦接，以提供检测电压；
检测设备包括放大电路，放大电路配置为对检测电压进行放大，并提供放大后电压，检测设备配置为根据放大后电压确定互电容的容值。
根据本申请的触控面板及检测设备，通过在触控电极结构的后端耦接检测电路，检测电路中的检测电阻的阻值和检测电容的容值为已知参数，在触控电极结构施加驱动电压时，可以根据已知参数推算出互电容的容值，进而判断互电容的实际容值与设计容值之间的偏差值。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本申请实施例提供的触控电极结构的检测电路的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的一种检测电路的电路拓扑图之一；
图3是本申请实施例提供的一种触控电极结构的等效电路图；
图4是本申请实施例提供的一种检测电路的电路拓扑图之二；
图5是本申请实施例提供的一种检测电路的电路拓扑图之三；
图6是本申请实施例提供的一种触控面板的结构示意图；
图7是本申请实施例提供的一种检测结构的膜层示意图。
附图标记：
第一触控电极100，第二触控电极200，显示区300，走线区400，第一导电层500，电阻区510，电容区520，绝缘层600，第二导电层700，衬垫800；
第一信号线Tx，第二信号线Rx，互电容Cx，检测电阻Rf，检测电容Cf，第一放大器A1，第二放大器A2。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
应当明白，描述涉及被“连接”或“耦接”在一起的元件或部件，可以是指第一元件/部件直接或者间接的结合到另一个元件/部件。例如，在一个实施例中个，第一元件/部件直接结合到第二元件/部件；在另一个实施例中，第一元件/部件通过第二元件/部件结合到第三元件/部件。
当元件或层被称为“在......上”、“与......相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在......上”、“与......直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本公开教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本公开必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
触控面板根据触控层的位置在结构设计中可以分为外挂式、In cell、On cell的结构。其中，外挂式是指触控层单独封装，并采用FPC(Flexible Printed Circuit，柔性电路板)连接至显示模组；In cell是指触控层嵌入至显示模组的像素结构中；On cell是指触控层嵌入至显示模组中，但位于像素结构之外，其通常位于彩色滤光片和偏光板之间。
显示模组可以为LCD显示模组(Liquid Crystal Display，液晶显示)或者OLED显示模组(Organic Light-Emitting Diode，有机发光半导体)。
互容式的触控电极结构包括触控驱动电极和触控感应电极，触控驱动电极和触控感应电极交叉形成用于触控感测的互电容。触控电极结构可能由于制程中的缺陷造成互电容的实际容值偏离设计容值，为了确保这种异常及时方向，需要进行容值测试。
参照图1，图1示出了一种触控电极结构的检测电路的结构。本申请的一个实施例提供了一种触控电极结构的检测电路。
在本实施方式中，触控电极结构包括第一触控电极100、第二触控电极200、与第一触控电极100耦接的第一信号线Tx和与第二触控电极200耦接的第二信号线Rx，第一触控电极100和第二触控电极200交叉形成用于触控检测的互电容Cx，第一信号线Tx用于接入驱动信号，第二信号线Rx用于提供感应信号。
检测电路包括检测电阻Rf和检测电容Cf，检测电阻Rf的第一端和检测电容Cf的第一端均与第二信号线Rx耦接，检测电阻Rf的第二端和检测电容Cf的第二端相互耦接，以提供检测电压。
在本实施方式中，第一触控电极100接收驱动信号，第二触控电极200用于输出感应信号。当手指触摸触控面板时，影响了触摸点附近的第一触控电极100和第二触控电极200之间的耦合，从而改变了这两个电极之间的电容量。
如图1所示，每一个第一触控电极100和每一个第二触控电极200均为菱形。在其它示例中，第一触控电极100和第二触控电极200还可以是其它形状，如三角形、条形等形状。
第一触控电极100呈阵列布置，形成触控驱动电极阵列；第二触控电极200呈阵列布置，形成触控感应电极阵列。触控驱动电极阵列和触控感应电极阵列相互间插布置，每一个第一触控电极100至少与一个第二触控电极200相邻。每一列第一触控电极100连接一条第一信号线Tx，每一行第二触控电极200连接一条第二信号线Rx。第一触控电极100的列数和第二触控电极200的行数可以自由设置，本实施方式对此不加以限制。
每一列第一触控电极100中的相邻两个第一触控电极100之间通过第一连接部耦接，每一行第二触控电极200中的相邻两个第二触控电极200通过第二连接部耦接。其中，第一连接部和第二连接部位于不同的膜层，以避免干涉。
参照图2，图2示出了检测电路的第一种电路拓扑图。可以理解的是，通过将检测电容Cf与互电容Cx串联，使电容和电压成反比，即Uo＝1/Cf，Ui＝1/Cx。由此可以得到Uo/Ui＝Cx/Cf，也即Cx＝U0*(Cf/Ui)。
其中，Ui为驱动信号的电压，Uo为检测电压，Cf为检测电容Cf的容值，Cx为互电容Cx的容值。
需要说明的是，在检测时，Ui可以根据需求进行输入，Ui可以利用电压检测设备进行检测而知，检测电容Cf的容值也已知。由此，根据Ui、Uo和Cf可以计算出互电容Cx的容值。检测电阻Rf用于保证第二信号线Rx上的感应电流能够传输至后端。检测电容Cf的容值和检测电阻Rf的阻值可以根据需求进行设置，本实施方式对此不加以限制。
参照图3，图3示出了一种触控电极结构的等效电路图。相邻两个第一触控电极100和第二触控电极200等效为一个互电容Cx。可以理解的是，通过选择对应的第一信号线Tx输入驱动电压Ui，并将检测电路耦接与对应的第二信号线Rx，可以对不同位置的互电容Cx进行测试。
根据本申请的触控电极结构的检测电路，通过在触控电极结构的后端耦接检测电路，检测电路中的检测电阻Rf的阻值和检测电容Cf的容值为已知参数，在触控电极结构施加驱动电压时，可以根据检测电阻Rf的阻值、检测电容Cf的容值、驱动电压Ui和检测电压Uo推算出互电容Cx的容值，进而判断互电容的实际容值与设计容值之间的偏差值。
在一些实施例中，检测电路还包括放大电路，放大电路分别与检测电阻Rf的第二端和检测电容Cf的第二端耦接，且配置为对检测电压Uo进行放大，并提供放大后电压。
可以理解的是，放大电路能够对电压进行放大，放大后电压大于检测电压Uo。由此通过增大检测电路的输出电压，使其数值更大，以便于识别及计算。放大电路的放大系数可以根据需求进行设置，本实施方式对此不加以限制。
参照图4，图4示出了检测电路的第二种电路拓扑图。在一些实施例中，放大电路包括第一放大器A1，第一放大器A1的同相输入端分别与检测电阻Rf的第一端和检测电容Cf的第一端耦接，第一放大器A1的输出端分别与检测电阻Rf的第二端和检测电容Cf的第二端耦接，第一放大器A1的反相输入端与接地节点耦接。
在本实施方式中，检测电阻Rf可以用于设置第一放大器A1的放大系数。通过对检测电阻Rf复用可见提高集成度。
参照图5，图5示出了检测电路的第三种电路拓扑图。在一些实施例中，放大电路包括第二放大器A2，第二放大器A2的同相输入端分别与检测电阻Rf的第二端和检测电容Cf的第二端耦接，第二放大器A2的输出端与第二放大器的同相输入端耦接，第二放大器A2的反相输入端与接地节点耦接。
在一些实施例中，第二放大器A2的输出端和同相输入端可以设置配置电阻Ry，配置电阻Ry用于设置第二放大器A2的放大系数。由于第二放大器A2与检测电阻Rf和检测电容Cf前后串联，可以将第二放大器A2与检测电阻Rf和检测电容Cf分离开布置，提高布线自由度。
在一些实施例中，触控电极结构中的各第二信号线Rx分别耦接有检测电路。
可以理解的是，在各第二信号线Rx分别耦接有检测电路的情况下，仅需要选择不同的第一信号线Tx即可实现对触控电极结构中不同位置的互电容Cx进行检测，测试操作更便捷。
参照图6，图6示出了一种触控面板的结构。本申请的一个实施例还提出了一种触控面板。触控电极结构包括第一触控电极100、第二触控电极200、与第一触控电极100耦接的第一信号线Tx和与第二触控电极200耦接的第二信号线Rx，第一触控电极100和第二触控电极200交叉形成用于触控检测的互电容Cx，第一信号线Tx用于接入驱动信号，第二信号线Rx用于提供感应信号。检测结构具有根据前述的检测电路。
触控面板包括显示区300和围绕显示区300的走线区400，触控电极结构设置于显示区300内，检测结构设置于走线区400内。由于检测结构集成于触控面板中，由此可以在触控面板制程中，同步形成触控电极结构和检测结构。并且，通过软件配置还可以在触控面板进行显示时对互电容的容值进行计算。
检测电路的具体结构和原理可以参照前述实施例，本实施方式在此不再赘述。
参照图7，图7示出了一种检测结构的示意图。在一些实施例中，检测结构包括：第一导电层500，具有电阻区510和电容区520；绝缘层600，设于第一导电层500的电容区520上；第二导电层700，第二导电层700的第一部分设于绝缘层600上，第二导电层700的第二部分设于第一导电层500上的电阻区510上；第一导电层500与第二信号线Rx耦接，或第二导电层700与第二信号线Rx耦接。
在一些实施例中，第一导电层500和第二导电层700的材料可以为TiAlTi，绝缘层600的材料可以为SiNx。当然，还可以采用其他材料，本实施方式对此不加以限制。
第一导电层500可以与第一触控电极100和第二触控电极200位于同一膜层，或者第二导电层700可以与第一触控电极100和第二触控电极200位于同一膜层。
第一导电层500的电阻区510与第二导电层700的第二部分接触形成检测电阻Rf，其阻值可以根据R＝ρ×L/S确定，ρ的材料的电阻率，L为第一导电层500和第二导电层700的长度，S为第一导电层500和第二导电层700横截面积。
第一导电层500的电阻区510与第二导电层700的第一部分接触形成检测电容Cf，其容值可以根据C＝εS/4πkd确定，S为第一导电层500的电阻区510与第二导电层700的第一部分之间的正对面积，d为第一导电层500的电阻区510与第二导电层700的第一部分之间的间距，即绝缘层600的厚度。
继续参照图6，触控面板还包括多个衬垫800；触控电极结构包括多条第一信号线Tx和多条第二信号线Rx，各第一信号线Tx与衬垫800一一对应地耦接，各第二信号线Rx分别耦接有检测结构，各检测结构与衬垫800一一对应地耦接。
需要说明的是，衬垫800可以触控面板与其他器件进行连接。在本实施方式中，触控面板通过衬垫800可以检测设备连接，检测设备通过衬垫800输入驱动电压，并通过衬垫800接收检测电压，并对检测电压进行计算。当然，在触控面板进行封装时，衬垫800还可以用于绑定触控芯片。
在本实施方式中，检测结构集成于触控面板中，各第二信号线Rx分别耦接有检测结构，从而便于对各行第二触控电极200对应的互电容的容值进行检测。
在一些实施例中，触控面板中集成检测结构可以具有前述检测电路的部分元件。例如，检测电路包括检测电阻Rf、检测电容Cf和第二放大器A2，其中检测电阻Rf，检测电容Cf集成于触控面板中，第二放大器A2设置于检测设备中。由于不需要将放大器A2集成，可以降低触控面板的加工难度。
本申请的一个实施例还提供了一种检测设备，检测设备用于检测触控面板，触控面板包括第一触控电极100、第二触控电极200、与第一触控电极100耦接的第一信号线Tx和与第二触控电极200耦接的第二信号线Rx，第一触控电极100和第二触控电极200交叉形成用于触控检测的互电容Cx，第一信号线Tx用于接入驱动信号，第二信号线Rx用于提供感应信号；检测设备包括根据前述的检测电路，检测设备配置为根据检测电路提供的检测电压确定互电容的容值。
在本实施方式中，检测电路设置于检测设备中，检测设备与触控面板连接向触控面板输入驱动电压，并利用检测电路接收触控面板反馈的感应信号生成检测电压；检测设备再根据检测电压确定触控面板中的互电容的容值。由此，可以在不改变触控面板的结构的情况下实现容值检测，不需要对触控面板的制程进行调整。其中，检测电路的结构和原理，以及互电容的容值计算过程可以参照前述各实施例，本实施方式在此不再赘述。
作为一种示例，触控电极结构中的互电容的容值正常值为2000fF，在触控电极的膜层异常时，互电容的容值在1200fF以下。由此，检测设备可以设置检测阈值为1200fF，并在检测出的容值小于1200fF，判定触控面板异常。
本申请的一个实施例还提供了一种检测设备，检测设备用于检测触控面板，触控面板包括第一触控电极100、第二触控电极200、与第一触控电极100耦接的第一信号线Tx、与第二触控电极200耦接的第二信号线Rx、检测电阻Rf和检测电容Cf，第一触控电极100和第二触控电极200交叉形成用于触控检测的互电容Cx，第一信号线Tx用于接入驱动信号，第二信号线Rx用于提供感应信号；检测电阻Rf的第一端和检测电容Cf的第一端均与第二信号线Rx耦接，检测电阻Rf的第二端和检测电容Cf的第二端相互耦接，以提供检测电压；检测设备包括放大电路，放大电路配置为对检测电压进行放大，并提供放大后电压，检测设备配置为根据放大后电压确定互电容的容值。
在本实施方式中，检测电阻Rf和检测电容Cf集成于触控面板中，由此可以在触控面板制程中，同步形成触控电极结构和检测结构。并且，通过软件配置还可以在触控面板进行显示时对互电容的容值进行计算。
放大电路能够对电压进行放大，放大后电压大于检测电压Uo。由此通过增大检测电路的输出电压，使其数值更大，以便于识别及计算。并且由于不需要将放大器A2集成，可以降低触控面板的加工难度。检测设备再根据放大后电压确定触控面板中的互电容的容值。互电容的容值计算过程可以参照前述各实施例，本实施方式在此不再赘述。
尽管已经示出和描述了本申请的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种触控电极结构的检测电路，其特征在于，所述触控电极结构包括第一触控电极、第二触控电极、与所述第一触控电极耦接的第一信号线和与所述第二触控电极耦接的第二信号线；
所述第一触控电极和所述第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，所述第一信号线用于接入驱动信号，所述第二信号线用于提供感应信号；
所述检测电路包括检测电阻和检测电容，所述检测电阻的第一端和所述检测电容的第一端均与所述第二信号线耦接，所述检测电阻的第二端和所述检测电容的第二端相互耦接，以提供检测电压。
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述检测电路还包括：
放大电路，分别与所述检测电阻的第二端和所述检测电容的第二端耦接，且配置为对所述检测电压进行放大，并提供放大后电压。
3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述放大电路包括：
第一放大器，所述第一放大器的同相输入端分别与所述检测电阻的第一端和所述检测电容的第一端耦接，所述第一放大器的输出端分别与所述检测电阻的第二端和所述检测电容的第二端耦接，所述第一放大器的反相输入端与接地节点耦接。
4.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述放大电路包括：
第二放大器，所述第二放大器的同相输入端分别与所述检测电阻的第二端和所述检测电容的第二端耦接，所述第二放大器的输出端与所述第二放大器的同相输入端耦接，所述第二放大器的反相输入端与接地节点耦接。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的检测电路，其特征在于，所述触控电极结构包括多条第二信号线，各所述第二信号线分别耦接有所述检测电路。
6.一种触控面板，其特征在于，包括触控电极结构和检测结构，所述触控电极结构包括第一触控电极、第二触控电极、与所述第一触控电极耦接的第一信号线和与所述第二触控电极耦接的第二信号线；
所述第一触控电极和所述第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，所述第一信号线用于接入驱动信号，所述第二信号线用于提供感应信号；
所述检测结构具有根据权利要求1-5中任一项所述的检测电路。
7.根据权利要求6所述的触控面板，其特征在于，所述检测结构包括：
第一导电层，具有电阻区和电容区；
绝缘层，设于所述第一导电层的所述电容区上；
第二导电层，所述第二导电层的第一部分设于所述绝缘层上，所述第二导电层的第二部分设于所述第一导电层上的电阻区上；
所述第一导电层与所述第二信号线耦接，或所述第二导电层与所述第二信号线耦接。
8.根据权利要求6所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括多个衬垫；
所述触控电极结构包括多条第一信号线和多条第二信号线，各所述第一信号线与所述衬垫一一对应地耦接，各所述第二信号线分别耦接有所述检测结构，各所述检测结构与所述衬垫一一对应地耦接。
9.一种检测设备，其特征在于，用于检测触控面板，所述触控面板包括第一触控电极、第二触控电极、与所述第一触控电极耦接的第一信号线和与所述第二触控电极耦接的第二信号线；
所述第一触控电极和所述第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，所述第一信号线用于接入驱动信号，所述第二信号线用于提供感应信号；
所述检测设备包括根据权利要求1-5中任一项所述的检测电路，所述检测设备配置为根据所述检测电路提供的检测电压确定所述互电容的容值。
10.一种检测设备，其特征在于，用于检测触控面板，所述触控面板包括第一触控电极、第二触控电极、与所述第一触控电极耦接的第一信号线、与所述第二触控电极耦接的第二信号线、检测电阻和检测电容；
所述第一触控电极和所述第二触控电极交叉形成用于触控检测的互电容，所述第一信号线用于接入驱动信号，所述第二信号线用于提供感应信号；
所述检测电阻的第一端和所述检测电容的第一端均与所述第二信号线耦接，所述检测电阻的第二端和所述检测电容的第二端相互耦接，以提供检测电压；
所述检测设备包括放大电路，所述放大电路配置为对所述检测电压进行放大，并提供放大后电压，所述检测设备配置为根据所述放大后电压确定所述互电容的容值。
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