CN116779565A - 封装器件、封装模组和功率变换设备 - Google Patents

封装器件、封装模组和功率变换设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116779565A
CN116779565A CN202310562515.XA CN202310562515A CN116779565A CN 116779565 A CN116779565 A CN 116779565A CN 202310562515 A CN202310562515 A CN 202310562515A CN 116779565 A CN116779565 A CN 116779565A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit board
heat storage
heat
electronic component
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310562515.XA
Other languages
English (en)
Inventor
陈东
陆丰隆
唐云宇
石磊
刘云峰
吕书宜
张鹏程
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Digital Power Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Digital Power Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Digital Power Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Digital Power Technologies Co Ltd
Priority to US18/468,174 priority Critical patent/US20240096729A1/en
Priority to EP23197590.5A priority patent/EP4340016A1/en
Publication of CN116779565A publication Critical patent/CN116779565A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/14—Thermal energy storage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

本申请提供一种封装器件，封装器件包括电路板、电子元器件及储热部，电子元器件电性连接于电路板；储热部设置于所述电路板上或嵌入电路板内，且储热部邻近电子元器件，其中，储热部的比热容高于电路板的比热容，储热部用于存储和释放热量。本申请还提供了应用该封装器件的封装模组和功率变换设备。通过将比热容较高的储热材料引入封装器件的内部，在电子元器件周围的电路板上设置储热部，能够使电子元器件短时间内产生的大量热量被快速存储在储热部内，再被释放到外界，降低电子元器件损坏的风险，提高封装器件的可靠性。

Description

封装器件、封装模组和功率变换设备
技术领域
本申请涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种具有良好短时储热能力及良好散热效果的封装器件、应用该封装器件的封装模组以及应用该封装器件或该封装模组的功率变换设备。
背景技术
为了适配越来越高的功率需求，应用于各种太阳能逆变器、电动机驱动器以及不间断供电电源等电路中的功率半导体器件越来越朝着小型化、高密度化演进。随着功率半导体器件的体积的缩小以及内部元器件密度的提高，散热问题将对功率半导体器件的效率提升产生非常大的影响。现有的功率半导体器件的主要结构包括：陶瓷基板、位于陶瓷基板上表面的线路层、位于陶瓷基板下表面的金属层以及焊接在线路层上的电子元器件，其中，金属层与散热器相耦合，用于将功率半导体器件内部的热量扩散至散热器上，进而实现散热的目的。
如图1所示，传统的功率半导体器件100’包括电路板1’、与电路板1’电性连接的电子元器件2’以及用以封装电路板1’和电子元器件2’的封装体3’，其中电路板1’包括依次叠设的导电层11’、绝缘基板12’和导热层13’，封装器件100’通过导热层13’与散热装置200’连接。其中电子元器件2’工作产生的热量经由导电层11’、绝缘基板12’和导热层13’传递至散热装置200’，以实现散热的目的。当电子元器件2’产生的热量在正常水平时，此散热路径能够使电子元器件2’的温度保持在正常的工作范围内。但是，当电子元器件2’工作产生的热量在短时间内突然增加时，现有的散热路径散热能力有限，很难及时将全部热量传递至功率半导体器件100’的外部，导致电子元器件2’的温度在短时间内大幅上升，以使电子元器件2’过热而损坏，从而降低了功率半导体器件100’的可靠性。
发明内容
鉴于此，为解决以上缺陷的至少之一，本申请实施例有必要提出一种具有良好短时储热能力及良好散热效果的封装器件。
另，本申请实施例还提出一种应用该封装器件的封装模组、以及应用该封装器件或该封装模组的功率变换设备。
本申请实施例第一方面提供了一种封装器件，所述封装器件包括：电路板、电子元器件以及储热部，所述电子元器件电性连接于所述电路板上；所述储热部设置于所述电路板上或嵌入所述电路板内，且所述储热部邻近所述电子元器件设置，其中，所述储热部的比热容高于所述电路板的比热容，所述储热部用于存储和释放热量。
通过在电子元器件周围的电路板上设置储热部，其中储热部的比热容较高，具有暂时存储热量和释放热量的作用，将储热部引入封装器件的内部，使储热部更接近发热的电子元器件，能够使电子元器件(尤其是大功率或高损耗的电子元器件)短时间内产生的大量热量被快速存储在储热部内，之后再被释放到外界，尤其适用于短时电流较大或者短时损耗较高的电子元器件，能迅速并有效降低电子元器件的温度，进而降低电子元器件因短时间内温度大幅上升而损坏的风险，提高封装器件的可靠性和使用寿命。
结合第一方面，在一些实施例中，所述电路板包括相对设置的第一电路板表面和第二电路板表面，所述电子元器件位于所述第一电路板表面上，所述电路板具有至少一容纳空间，所述储热部容置于所述容纳空间内。
通过将储热部内嵌在电路板内，工艺简单，便于实现；而且不影响电路板的整体厚度，在保证优良的储热散热能力的前提下，有利于缩小封装器件的体积；另外，将储热部嵌入电路板，可以使储热部距离发热点(即电子元器件)更近，热量能更块到达储热部，且储热部采用嵌入的方式与电路板连接，能够提高储热部与电路板的界面接触的紧密度，以提高热扩散的速率，从而及时降低电子元器件的温度。
进一步，所述至少一容纳空间具有如下三种结构形式中的至少一种：所述至少一容纳空间贯穿所述第一电路板表面以形成第一凹陷部，所述第一凹陷部用于容置所述储热部；所述至少一容纳空间贯穿所述第二电路板表面以形成第二凹陷部，所述第二凹陷部用于容置所述储热部；以及所述至少一容纳空间贯穿所述第一电路板表面与所述第二电路板表面以形成通孔部，所述通孔部用于容置所述储热部。
储热部在电路板内的内嵌方式有多种，可以根据实际需要进行调整，以利于提高储热效率。容纳空间可以形成如第一凹陷部和第二凹陷部的槽结构，也可以形成如通孔部的开口结构，成型工艺简单，便于操作，且不会影响电路板的整体厚度；另外，可以根据实际电子元器件的功率，计算所需要的储热材料的体积，从而灵活调整第一凹陷部、第二凹陷部和通孔部的体积，使容置的储热部的储热效果达到最优。
结合第一方面，在一些实施例中，所述电路板包括导电层，所述导电层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面构成所述第一电路板表面，所述第二表面构成所述第二电路板表面。
进一步，所述容纳空间包括第一容纳腔，所述第一容纳腔位于所述导电层，所述储热部容置于所述第一容纳腔内。
储热部的设置适用于较多的应用场景，本实施例中的电路板可以是包含导电层的单层结构，即电子元器件仅焊接在导电层上(例如功率开关器件)，将储热部引入导电层内，使储热部更接近发热的电子元器件，储热部能迅速储存电子元器件短时间内产生的大量热量，储热效率更高，进而快速且有效降低电子元器件的温度，降低电子元器件被损坏的风险。
进一步，所述第一容纳腔设置于所述导电层的非电气通流区域。
通过将第一容纳腔设置在导电层的非电气通流区域，这样设置储热部后不会影响导电层的正常电气通流。
结合第一方面，在一些实施例中，所述电路板还包括导热层，所述导热层设置于所述导电层远离所述电子元器件的一侧；所述导热层包括靠近所述第二表面的第三表面以及与所述第三表面相对设置的第四表面，此时，所述第四表面构成所述第二电路板表面。
通过在导电层背离电子元器件的表面增加导热层，可以提高封装器件的导热效率。
进一步，所述容纳空间包括第二容纳腔，所述第二容纳腔位于所述导热层，所述储热部容置于所述第二容纳腔内。
针对电路板为双层的结构形式，储热部还可以设置在导热层内，扩展了储热部的应用场景，此时使储热部可以位于电子元器件的正下方，也可以围绕电子元器件的周缘设置，能起到迅速储热的作用。另外，通常的导热层较导电层厚度较大，更容易内嵌储热部。
结合第一方面，在一些实施例中，所述电路板包括绝缘基板，所述绝缘基板位于所述导电层与所述导热层之间。
本实施例中电路板具有三明治结构，储热部同样可以应用于该三层结构中，进一步扩展了储热部的应用场景；通过增加绝缘基板，可以提高电路板的整体强度，同时绝缘基板散热能力较强，能进一步促进热量的散失。
结合第一方面，在一些实施例中，所述储热部的材质包括金属和相变材料中的至少一种。
比热容高于电路板的金属和相变材料，具有优良的储热和散热的能力，采用这类材料作为储热部可以提高储热部的短时储热能力和散热效率。
本申请实施例第二方面提供了一种封装模组，所述封装模组包括本申请实施例第一方面所述的封装器件以及位于所述电路板背离所述电子元器件的表面上的散热装置。
通过在封装器件上增加散热装置，可以进一步提高散热效率。
本申请实施例第三方面提供了一种功率变换设备，所述功率变换设备包括电路板、以及本申请实施例第一方面所述的封装器件或包括本申请实施例第二方面所述的封装模组，所述封装器件或所述封装模组设置于所述电路板上。
在所述功率变换设备中，所述封装器件中的储热部能够起到良好的储热和散热的作用，降低电子元器件在工作过程中因短时间内温度大幅上升而损坏的风险，从而提升所述功率变换设备的可靠性并延长了功率变换设备的使用寿命。
附图说明
图1是现有的封装模组的结构示意图。
图2是本申请一个实施例的封装器件的结构示意图。
图3是本申请另一个实施例的封装器件的结构示意图。
图4是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图5是本申请另一个实施例的封装器件的结构示意图。
图6是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图7是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图8是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图9是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图10是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图11是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图12是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图13是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图14是图13的封装器件沿XVI-XVI的剖视图。
图15是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图16是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图17是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图18是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图19是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图20是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图21是本申请又一个实施例的封装器件的结构示意图。
图22是本申请一个实施例的封装模组的结构示意图。
图23是本申请另一个实施例的封装模组的结构示意图。
图24是本申请一个实施例的功率变换设备的结构示意图。
图25是本申请另一个实施例的功率变换设备的结构示意图。
主要元件符号说明
封装器件 100,200,300,400,500,600
电路板 1’,10,10a,10b,3200,4200
第一电路板表面 101
第二电路板表面 102
第一凹陷部 103
第二凹陷部 104
通孔部 105
导电层 11’,1,60
第一表面 12,62
第二表面 13,63
第一容纳腔 11,61
绝缘基板 12’,2
导热层 13’,3
第三表面 32
第四表面 33
第二容纳腔 31
储热部 20
电子元器件 2’,30,70
封装体 3’,40
外壳 50
功率半导体器件 100’
封装模组 1000,2000
散热装置 200’,1100,2100
功率变换设备 3000,4000
壳体 3100,4100
具体实施方式
为了降低传统功率半导体器件100’中电子元器件2’(尤其是短时电流较大或者短时损耗较高的电子元器件)在短时间内温度大幅上升而损坏的风险，本申请提供了一种封装器件，下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。
实施例1
请参阅图2，本申请实施例提供了一种具有良好的储热和散热能力的封装器件100，该封装器件100可以是但不限于一种功率半导体器件，可以用于进行功率处理，包括变频、变压、变流以及功率管理等。
该封装器件100包括电路板10、电子元器件30以及储热部20。电子元器件30电性连接于电路板10上，储热部20设置于电路板10上或嵌入电路板10内，且储热部20邻近电子元器件30，其中，储热部20的比热容高于电路板10的比热容，储热部20用于存储和释放热量。封装器件100在工作过程中，电子元器件30和电路板10都会产生热量，但由于电子元器件30的功耗较大，以电子元器件30产生的热量为主，因此，储热部20主要用于存储和释放电子元器件30产生的热量，尤其是短时间内产生的高热。
电路板10包括相对设置的第一电路板表面101和第二电路板表面102，电子元器件30位于第一电路板表面101上，电路板10具有至少一容纳空间，储热部20容置于容纳空间内。
请参阅图2至图4，该容纳空间具有以下三种结构形式中的至少一种：
如图2所示，该容纳空间贯穿第一电路板表面101以形成第一凹陷部103，第一凹陷部103用于容置储热部20。如图3所示，该容纳空间贯穿第二电路板表面102以形成第二凹陷部104，第二凹陷部104用于容置储热部20。如图4所示，该容纳空间贯穿第一电路板表面101与第二电路板表面102以形成通孔部105，通孔部105用于容置储热部20。
可以理解的，电路板10的数量可以是一块也可以是多块，多块电路板10相互电性连接。还可以理解的，以上储热部20的设置可以适用于多种电路板结构，例如，电路板可以是单层板、双层板或多层板，电路板还可以是单面板或双面板，当电路板为双面板时，电路板相对的两表面均可以设有电子元器件，或当电路板是多层板时，电子元器件不仅在电路板的表面还可以内埋在电路板内部。另外，根据电路板10的具体结构的不同，第一电路板表面101和第二电路板表面102具有不同的体现形式。
请参阅图5，具体地，电路板10具有三层结构(类似三明治结构)，电路板10包括依次叠设的导电层1、绝缘基板2以及导热层3，其中，导电层1电性连接电子元器件30。此时，结合参阅图2，导电层1背离绝缘基板2的表面构成了第一电路板表面101，导热层3背离绝缘基板2的表面构成了第二电路板表面102。
导电层1可以是金属导电层，导电层1的材质包括但不限于铜或铜合金等。
导热层3可以是金属导热层，具体可以包括但不限于铜或铜合金等，还可以是其他导热材料，例如高导热树脂等。
绝缘基板2具有绝缘和导热的作用，绝缘基板2的材质为绝缘导热材料，具体可以是绝缘陶瓷或高导热绝缘树脂，但不限于此。在一些实施例中，绝缘基板2可以是绝缘陶瓷基板。
在一些实施例中，该电路板10可以通过覆铜基板(direct bond copper,DBC)或活性金属钎焊基板(active metal brazed,AMB)等制作形成，该类电路板10不仅具有更高的热导率、铜层与绝缘基板2(例如氮化硅陶瓷)之间的结合强度高等特点，而且电路板10的热膨胀系数低(尤其AMB陶瓷基板的热膨胀系数几乎与硅接近)，可应用于高电压操作且没有局部放电现象。可以理解的是，导热层3的厚度可以较厚，便于与散热装置连接，以实现较为理想的导热效果。
请再次参阅图5，电子元器件30可包括一颗或多颗有源器件，例如有源芯片，包括但不限于半导体功率芯片、电源芯片、数字芯片、射频芯片等，在一些实施例中，电子元器件30可以包括绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,MOSFET)等功率芯片。可以理解的，电子元器件30还可包括一颗或多颗无源器件，无源器件包括但不限于电阻、电容、电感、滤波器、耦合器等。电子元器件30的背面可通过贴装方法设置于导电层1上，具体可以通过焊接的方式贴装在导电层1的表面上。可以理解的，电子元器件30还可以通过烧结的方式贴装在导电层1的表面上。
电子元器件30大致封装在电路板10的靠近中部位置，便于在电子元器件30周围引入储热部20。可以理解的，当电子元器件30的数量为多个时，在其中功率较大或损耗较高的电子元器件30周围设置储热部20即可。
本申请实施例中将储热部20邻近电子元器件30设置，是指为了将电子元器件30短时间内产生的大量热量快速传导至储热部20，需根据电子元器件30的实际分布情况，将储热部20的设置位于尽可能靠近电子元器件30，其中也包括与电子元器件30接触以及位于电子元器件30的正下方等。可以理解，储热部20若设置在距离电子元器件30较远的位置，则难以达到存储电子元器件30短时间内产生的高热的目的，至于储热部20距离电子元器件30的最远距离的设置，可以根据具体电子元器件30单位时间内产生的热量、以及电路板10的热传导速率等来计算。
在一些实施例中，储热部20嵌入在导电层1和导热层3中的至少一者内，可以理解的，储热部20还可以内嵌在绝缘基板2内，例如当绝缘基板2采用高导热绝缘树脂制成时，便可以将储热部20内嵌在绝缘基板2内。还可以理解的，储热部20还可以直接设置于电路板10邻近电子元器件30的表面。
储热部20的材质可以是比热容高于导电层1、导热层3以及绝缘基板2的材料，包括但不限于金属以及相变材料(例如无机相变材料、有机相变材料及复合相变材料等)等中的至少一种。在一些实施例中，当导电层1和导热层3的材质均为铜或铜合金时，该储热部20的材质可以是比热容比铜大的金属，例如铝、铝合金、铁以及铁合金等金属材料中的至少一种。
在一些实施例中，该储热部20嵌入邻近电子元器件30的导电层1内。导电层1包括相对设置的第一表面12和第二表面13，导电层1的第一表面12构成了第一电路板表面101，电子元器件30位于第一表面12上，容纳空间包括位于导电层1上的至少一个第一容纳腔11，其中第一容纳腔11邻近电子元器件30设置。第一容纳腔11的容积代表能够填充多大体积的储热部20，可以根据实际电子元器件30的功率或损耗，计算所需要储热部20的体积，从而设置第一容纳腔11的容积，从而可以灵活调整第一容纳腔11的体积，使第一容纳腔11的总体积最优，避免第一容纳腔11的体积过大，浪费储热材料及导电层1的空间，也避免第一容纳腔11体积过小，储热能力不足。因此，本申请实施例对第一容纳腔11的具体形状并不做特别限定，可以是立方体、圆柱体或其他异型腔体结构。本申请实施例通过在导电层1内嵌储热部20，工艺简单，便于实现，且不影响电路板10的整体厚度，在保证优良的储热散热能力的前提下，有利于缩小封装器件100的体积。另外，将储热部20嵌入导电层1，可以使储热部20距离发热点(即电子元器件30)更近，热量能更块到达储热部20，且储热部20采用嵌入的方式与导电层1连接，能够提高储热部20与导电层1的界面接触的紧密度，以提高热扩散的速率，从而及时降低电子元器件30的温度。
可以理解的，一并结合参阅图2至图4，第一容纳腔11可以具有如前所述的第一凹陷部103、第二凹陷部104和通孔部105这三种结构形式。
如图5所示，在一些实施例中，至少一个第一容纳腔11贯穿第一表面12和第二表面13以形成通孔部的结构形式，储热部20内嵌于第一容纳腔11内。本申请实施例通过机械加工或化学蚀刻或光学蚀刻的方式在导电层1上形成第一容纳腔11，此时的第一容纳腔11即为贯通第一表面12和第二表面13的开口，再在第一容纳腔11内填充储热材料以形成储热部20。在一些实施例中，储热部20的厚度与导电层1的厚度一致，即储热部20的上表面与第一表面12齐平，下表面与第二表面13齐平。可以理解的，在其他实施例中，储热部20的上表面还可以凸出第一表面12，或低于第一表面12，储热部20的下表面也可以低于第二表面13，为了导电层1与绝缘基板2接触界面的紧密结合，通常不会将储热部20的下表面设置为凸出第二表面13。
在其他实施例中，如图6所示，至少一个第一容纳腔11还可以仅贯穿第一表面12以形成第一凹陷部的结构形式，在此第一凹陷部内填充储热材料以形成储热部20。可以理解的，至少一个第一容纳腔11还可以仅贯穿第二表面13以形成第二凹陷部的结构形式。
在一些实施例中，如图7所示，可以在电子元器件30附近设置多个第一容纳腔11，从而使储热部20尽可能接近电子元器件30，以进一步提高电子元器件30短时间内产生的大量热量快速储热在储热部20内。具体地，多个第一容纳腔11在导电层1上的设置位置不影响导电层1的电气连通，一般将多个第一容纳腔11设置在导电层1的非电气通流区域(电气通流方向为如图7中双向箭头的方向，则非电气通流方向大致为垂直电气流通的方向，则在非电气通流方向上的区域为非电气通流区域)上。此方案尤其适用于电子元器件30短时电流较大或者短时损耗较高的情况。
在其他实施例中，如图8所示，至少一个第一容纳腔11还可以为异型腔体结构，包括但不限于梯型腔体结构和凸字型腔体结构等，其中，储热部20内嵌在具有异型结构的第一容纳腔11。通过将第一容纳腔11设置成异型结构，可以提高储热部20的体积，尤其适用于短时电流较大或者短时损耗较高的电子元器件30，能快速降低电子元器件30的短时高温。
还可以理解的，在其他实施例中，可以根据实际储热部20的体积以及距离电子元器件30的距离，将以上不同类型的第一容纳腔11相结合。
在一些实施例中，当储热部20的材质为金属时，可以采用电镀的方式在第一容纳腔11内形成储热部20。
封装器件100具体散热路径为：当电子元器件30的损耗在正常水平时，该损耗经由电路板10的导电层1、绝缘基板2和导热层3传递至封装器件100外部的散热装置1100上，使电子元器件30的温度保持在正常的工作范围内，以实现散热的目的。当电子元器件30的损耗在短时间内突然增加时，该损耗未能及时传递至封装器件100的外部，其大部分经由导电层1传递至储热部20并暂时存储在其中，使得该情况下电子元器件30的温度上升幅度较没有储热部20的传统封装器件有显著的下降，从而避免电子元器件30因短时间的过热而损坏，当电子元器件30的损耗恢复到正常水平时，此前存储在储热部20内的热量逐渐的经由绝缘基板2和导热层3传递至封装器件100的外部，使电子元器件30的温度逐渐恢复到正常的工作范围内。
请再次参阅图2，该封装器件100还可以包括封装电路板10、电子元器件30以及储热部20的封装体40，通过增加封装体40可以保护内部的电路板10、电子元器件30以及储热部20，尤其是减少电子元器件30受机械应力、化学污染、光源辐照等因素的影响。可以理解的，电子元器件30可以通过管脚伸出封装体40与外界电路电性连接。该封装体40材质为绝缘封装材料，通常包括绝缘树脂、绝缘硅脂、绝缘导热填料。该绝缘树脂可以选自ABS树脂、聚丙烯(Polypropylene，PP)、环氧树脂(epoxy resin)、聚苯醚(Polyphenylene Oxide，PPO)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等树脂中的一种。可以理解的，具有导热系数高、介电性能好、热膨胀系数低、强度高、硬度大、无毒无害等特性的其他封装材料，也可以适用于本申请实施例提供的封装器件100的封装。
请再次参阅图2，该封装器件100还可以包括一外壳50，该外壳50大致呈立方体结构，外壳50的材质可以是导热材料，具体可以是金属(例如铜、铝等)、添加有导热填料的塑料、玻璃或陶瓷等，其中，所述的导热填料可以是石墨烯颗粒、金属颗粒、金属氧化物颗粒等。
本申请实施例提供的封装器件100，通过在邻近电子元器件30的电路板10上(具体为导电层1内)设置储热部20，其中储热部20的比热容较高，具有暂时存储热量和逐渐释放热量的作用，将储热部20引入封装器件100的内部，能够使储热部20更接近发热的电子元器件30，能够使电子元器件30(尤其是大功率或高损耗的电子元器件)短时间内产生的大量热量被快速暂时存储在储热部20内，当电子元器件30的损耗恢复到正常水平时，此前存储在储热部20内的热量逐渐的经由电路板10被释放到外界。封装器件100内部且在电子元器件30附近引入储热部20，能迅速并有效降低电子元器件30的短时间内的高温，进而降低电子元器件30短时大电流或者短时高损耗情况下损坏的风险，提高了封装器件100短时大电流或者短时高损耗的承受能力，扩宽了封装器件100的工作范围，提高封装器件100的可靠性和使用寿命。
实施例2
请参阅图9，本申请另一实施例提供了一种封装器件200，该封装器件200与前述实施例中的封装器件100的区别在于：电路板10同样具有三层结构，包括依次叠设的导电层1、绝缘基板2和导热层3，其中，储热部20嵌入邻近电子元器件30的导热层3内。
一并结合参阅图2至图4，导热层3包括靠近绝缘基板2的第三表面32和背离绝缘基板2的第四表面33，此时，导热层3的第四表面33构成了电路板10的第二电路板表面102，容纳空间还可以包括位于导热层3上的至少一第二容纳腔31，其中第二容纳腔31邻近电子元器件30设置，储热部20位于第二容纳腔31内。第二容纳腔31可以具有如图2至4所示的三种结构形式。
第二容纳腔31的容积代表能够填充多大体积的储热部20，可以根据实际电子元器件30的功率或损耗，计算所需要储热部20的体积，从而设置第二容纳腔31的容积，从而可以灵活调整第二容纳腔31的体积，使第二容纳腔31的总体积最优，避免第二容纳腔31的体积过大，浪费储热材料及导热层3的空间，也避免第二容纳腔31体积过小，储热能力不足。因此，本申请实施例对第二容纳腔31的具体形状并不做特别限定，可以是立方体、圆柱体或其他异型腔体结构。
在一些实施例中，如图9所示，至少一个第二容纳腔31贯穿第三表面32和第四表面33，储热部20内嵌于第二容纳腔31内。本申请实施例通过机械加工或化学蚀刻或光学蚀刻的方式在导热层3上形成第二容纳腔31，此时的第二容纳腔31即为贯通第三表面32和第四表面33的开口，再在第二容纳腔31内填充储热材料以形成储热部20。在一些实施例中，储热部20的厚度与导热层3的厚度一致，即储热部20的上表面与第三表面32齐平，下表面与第四表面33齐平。可以理解的，在其他实施例中，储热部20的上表面还可以或低于第三表面32或第四表面33，为了导热层3与绝缘基板2以及散热装置1100接触界面的紧密结合，通常不会将储热部20凸出导热层3设置。
在一些实施例中，如图10所示，可以围绕电子元器件30设置多个第二容纳腔31，从而使多个储热部20尽可能接近电子元器件30，以进一步提高电子元器件30短时间内产生的大量热量快速储热在储热部20内。此方案尤其适用于电子元器件30短时电流较大或者短时损耗较高的情况。可以理解的，当将储热部20设置在导热层3上时，还可以在电子元器件30的投影区域内设置储热部，也就是在正对电子元器件30的导热层3开设第二容纳腔31。
在其他实施例中，如图11所示，至少一个第二容纳腔31为异型腔体结构，包括但不限于梯型腔体结构和凸字型腔体结构等，其中，储热部20内嵌在异型结构的第二容纳腔31内。通过将第二容纳腔31设置成具有异型的腔体结构，可以提高储热部20的体积，尤其适用于短时电流较大或者短时损耗较高的电子元器件30，能快速降低电子元器件30的短时高温。
还可以理解的，在其他实施例中，可以根据实际储热部20的体积以及距离电子元器件30的距离，将以上不同类型的第二容纳腔31相结合。
封装器件200具体散热路径为：当电子元器件30的损耗在正常水平时，该损耗经由电路板10的导电层1、绝缘基板2和导热层3传递至封装器件200外部，使电子元器件30的温度保持在正常的工作范围内，以实现散热的目的。当电子元器件30的损耗在短时间内突然增加时，该损耗未能及时传递至封装器件200的外部，其大部分经由导电层1和绝缘基板2传递至导热层3及导热层3内的储热部20并暂时存储在储热部20中，使得该情况下电子元器件30的温度上升幅度较没有储热部20的传统封装器件有显著的下降，从而避免电子元器件30因短时间的过热而损坏，当电子元器件30的损耗恢复到正常水平时，此前存储在导热层3内嵌的储热部20内的热量直接逐渐传递至封装器件100的外部，使电子元器件30的温度逐渐恢复到正常的工作范围内。
与前述实施例相比，本实施例的封装器件200通过在导热层3内嵌入储热部20，工艺简单，便于实现，且不影响电路板10的整体厚度，在保证优良的储热散热能力的前提下，有利于缩小封装器件100的体积。另外，由于一般功率半导体器件的导热层3厚度相较于导电层1的厚度要厚，在导热层3上嵌入储热材料更方便，尤其适用于导电层1厚度太薄难以内嵌储热材料的情况，通过将储热部20嵌入导热层3，可以使储热部20距离发热点(即电子元器件30)更近，热量能更块到达储热部20，且储热部20采用嵌入的方式与导热层3连接，能够提高储热部20与导热层3的界面接触的紧密度，以提高热扩散的速率，从而及时降低电子元器件30的温度。
实施例3
请参阅图12，本申请又一实施例提供了一种封装器件300，该封装器件300与前述实施例中的封装器件100或200的区别在于：储热部20同时嵌入邻近电子元器件30的导电层1和导热层3内，具体嵌入方式请详细参考前述封装器件100和封装器件200，此处不做过多赘述。
封装器件300具体散热路径为：当电子元器件30的损耗在正常水平时，该损耗经由电路板10的导电层1、绝缘基板2和导热层3传递至封装器件300外部，使电子元器件30的温度保持在正常的工作范围内，以实现散热的目的。当电子元器件30的损耗在短时间内突然增加时，该损耗未能及时传递至封装器件200的外部，其中，一部分损耗经由导电层1传递至导电层1内嵌的储热部20并暂时存储在其中，同时另一部分损耗经由导电层1和绝缘基板2传递至导热层3及导热层3内嵌的储热部20并暂时存储在其中，使得该情况下电子元器件30的温度上升幅度较没有储热部20的传统封装器件有显著的下降，从而避免电子元器件30因短时间的过热而损坏，当电子元器件30的损耗恢复到正常水平时，此前存储在导电层1内嵌的储热部20内的热量逐渐的经由绝缘基板2和导热层3传递至封装器件300的外部，存储在导热层3内嵌的储热部20内的热量直接逐渐释放至封装器件300的外部，使电子元器件30的温度逐渐恢复到正常的工作范围内。
与前述实施例相比，本实施例通过将储热部20同时嵌入邻近电子元器件30的导电层1和导热层3内，可以提高储热部20的体积，适用于短时电流较大或者短时损耗较高的电子元器件30，能快速降低电子元器件30的短时高温，降低电子元器件30损坏的风险，进一步扩宽了封装器件300的工作范围，提高封装器件300的可靠性。
实施例4
请参阅图13，本申请又一实施例提供了一种封装器件400，该封装器件400包括电路板、电子元器件70以及储热部20，其中该电路板仅为一导电层60，电子元器件70位于导电层60上且电性连接导电层60，储热部20嵌入导电层60内且邻近电子元器件70。其中，储热部20的比热容高于导电层60的比热容，储热部20用于存储和释放热量。该热量主要由电子元器件70产生。
导电层60包括相对设置的第一表面62和第二表面63，电子元器件70位于第一表面62上，导电层60设有至少一第一容纳腔61，所述至少一第一容纳腔61贯穿第一表面62和所述第二表面63中的至少一个面以形成如前所述的第一凹陷部、第二凹陷部和通孔部的结构，所述储热部20容置于所述至少一第一容纳腔61内。如图14所示，至少一个第一容纳腔61贯穿第一表面62和第二表面63以形成通孔部，储热部20内嵌在该通孔部内，且储热部20的表面不会凸出导电层60的表面。如图15所示，至少一个第一容纳腔61贯穿第一表面62以形成第一凹陷部，储热部20内嵌在该第一凹陷部内，且储热部20的表面与第一表面62齐平。如图16所示，至少一个第一容纳腔61贯穿第一表面62以形成第一凹陷部，储热部20内嵌在该第一凹陷部内，且储热部20的表面凸出第一表面62。
第一容纳腔61的成型方法、储热部的材质以及导电层的材质等请详参前述实施例，此处不做过多赘述。
在一些实施例中，该封装器件400为一功率开关器件，电子元器件70为开关触点，其中，开关触点通过焊接、烧结、铆接等方式连接至导电层60上。当该触点与相邻的另一个触点物理空间上接触，从而实现电气导通；当开关断开时，该触点与相邻的另一个触点物理空间上分离，从而实现电气关断。
封装器件400作为功率开关器件具体散热路径为：当开关触点(及电子元器件70)的损耗在正常水平时，该损耗经由导电层60传递至封装器件400的外部，使触点的温度保持在正常的工作范围内；当开关触点的损耗在短时间内突然增加时，该损耗未能及时传递至封装器件400的外部，其大部分经由导电层60传递至储热部20并暂时存储在其中，使得该情况下触点的温度上升幅度，较无储热部20的传统功率开关器件有显著的下降，从而避免开关触点因短时间的过热而损坏，当开关触点的损耗恢复到正常水平时，此前存储在储热部20内的热量逐渐的经由导电层60传递至封装器件400的外部，使触点的温度逐渐恢复到正常的工作范围内。
储热部20的设置适用于较多的应用场景，当电子元器件70仅焊接在导电层60上时也同样适用(例如功率开关器件)，将储热部20引入封装器件400的内部，使储热部20更接近发热的电子元器件70，储热部20能迅速储存电子元器件70短时间内产生的大量热量，进而快速且有效降低电子元器件70的温度，降低电子元器件70被损坏的风险。提高封装器件400短时大电流或者短时高损耗的承受能力，进一步扩宽了封装器件400的工作范围，提升了封装器件400的可靠性。
实施例5
请参阅图17，本申请又一实施例提供了一种具有良好的储热和散热能力的封装器件500，该封装器件500可以是但不限于一种功率半导体器件，可以用于进行功率处理，包括变频、变压、变流以及功率管理等。
该封装器件500与前述实施例提供的封装器件100的区别在于：该封装器件500包括电路板10a、电子元器件30以及储热部20。电子元器件30电性连接于电路板10a上，储热部20嵌入电路板10a内且邻近电子元器件30，其中，储热部20的比热容高于电路板10a的比热容，储热部20用于存储和释放热量。封装器件500在工作过程中，电子元器件30和电路板10a都会产生热量，但以电子元器件30产生的热量为主，因此，储热部20主要用于存储和释放电子元器件30产生的热量。
如图17所示，该电路板10a可以仅包括导电层1，导电层1包括相对设置的第一表面12和第二表面13，结合参阅图2，第一表面12为图2中的第一电路板表面101，第二表面13为图2中的第二电路板表面102，容纳空间为设置于导电层1上的第一容纳腔11。如图17所示，该第一容纳腔11可以贯穿第一表面12以形成开口朝上的第一凹陷部，储热部20嵌入在该第一容纳腔11内。如图18所示，另一实施例中，第一容纳腔11可以贯穿第一表面12和第二表面13以形成通孔部，储热部20嵌入在该第一容纳腔11内。如图19所示，又一实施例中，该第一容纳腔11还可以贯穿第二表面13以形成开口朝下的第二凹陷部，储热部20嵌入在该第一容纳腔11内。还可以理解的，以上第一容纳腔11的三种开设形式还可以任意组合。
在一些实施例中，该导电层1的材质可以是金属，例如铜或铜合金等，即，该电路板可以是一单层板。
可以理解的，电路板10a的数量可以是一块也可以是多块，多块电路板10a可以相互电性连接。
与前述实施例相比，本实施例中的电路板10a为单层的导电层1，进一步扩展了电路板10a的结构形式，扩大了储热部20的适用场景。通过将储热部20设置在导电层1上，能快速降低电子元器件30的短时高温，降低电子元器件30损坏的风险，提高了封装器件500的可靠性。
实施例6
请参阅图20，本申请又一实施例提供了一种封装器件600，该封装器件600与前述实施例中的封装器件500的区别在于：电路板10b包括依次叠设的导电层1以及导热层3，其中，导电层1电性连接电子元器件30，储热部20可以嵌入导电层1和导热层3中的至少一个内。
如图20所示，结合参阅图2，在一些实施例中，该储热部20嵌入邻近电子元器件30的导电层1内。导电层1包括相对设置的第一表面12和第二表面13，第一表面12构成了图2中的第一电路板表面101，电子元器件30位于第一表面12上，图2中的容纳空间包括位于导电层1上的至少一第一容纳腔11，第一容纳腔11贯穿第一表面12，储热部20容置于第一容纳腔11内。可以理解的，第一容纳腔11还可以贯穿第二表面13，或贯穿第一表面12和第二表面13，其中，第一容纳腔11的具体设置形式请参阅前述实施例，此处不做过多赘述。
如图21所示，结合参阅图2，在一些实施例中，在一些实施例中，该储热部20嵌入邻近电子元器件30的导热层3内，导热层3包括靠近导电层1的第三表面32和背离导电层1的第四表面33，导热层3的第四表面33构成了图2中的第二电路板表面102，容纳空间还可以包括位于导热层3上的至少一第二容纳腔31，其中第二容纳腔31邻近电子元器件30设置，储热部20位于第二容纳腔31内。第二容纳腔31的具体设置形式请参阅前述实施例，此处不做过多赘述。
储热部20的设置适用于较多的应用场景，本实施例中电路板10b为双层板，扩展了电路板10b的结构形式。通过在导电层1和导热层3中的至少一个内设置储热部20，使储热部20更接近发热的电子元器件30，储热部20能迅速储存电子元器件30短时间内产生的大量热量，进而快速且有效降低电子元器件30的温度，降低电子元器件30被损坏的风险。
请参阅图22，本申请一实施例提供了一种封装模组1000，该封装模组1000包括封装器件100(或200,300,500,600)和散热装置1100，其中散热装置1100设置于封装器件100(或200,300,500,600)的外表面，具体地，散热装置1100连接在电路板的第二电路板表面102上。采用本申请实施例提供的封装器件100(或200,300,500,600)，在第二电路板表面102设置一个散热装置1100，有利于提高封装模组1000的散热效果。
在一些实施例中，封装器件100(或200,300,500,600)可以通过焊接或导热界面材料与散热装置1100连接。可以理解的，还可以采用其他方式实现封装器件100(或200,300,500,600)与散热装置1100的连接，例如螺丝连接，为了进一步提高导热效率，可以在封装器件100(或200,300,500,600)和散热装置1100之间增加密封垫。
请参阅图23，本申请另一实施例提供了一种封装模组2000，该封装模组2000与前述封装模组1000的区别在于：该封装模组2000包括封装器件400和散热装置2100，其中散热装置2100设置于封装器件400的外表面，具体地，散热装置2100连接在导电层60背离电子元器件70的表面上。采用本申请实施例提供的封装器件400，在导电层60背离电子元器件70的表面上设置一个散热装置2100，有利于提高封装模组2000的散热效果。
散热装置2100与封装器件400的连接方式请参阅前述封装模组1000，此处不做过多赘述。
如图24所示，本申请一实施例还提供了一种应用上述封装器件100(或200,300,500,600)或上述封装模组1000的功率变换设备3000，其包括壳体3100和设置于所述壳体3100中的上述封装器件100(或200,300,500,600)或上述封装模组1000，该功率变换设备3000还包括电路板3200，封装器件100(或200,300,500,600)或上述封装模组1000设置在电路板3200上。可以理解的，该电路板4200可以与前述电路板结构类似具有短时储热能力的电路板，也可以为区别于前述电路板的另一电路板。该功率变换设备3000可以是车载电源，光伏逆变器，站点能源，及工业电机驱动等，本实施例中，该功率变换设备3000是电动车充电桩。
所述功率变换设备3000中，所述封装器件100(或200,300,500,600)能具有良好的短时储热和良好的散热能力，降低电子元器件30在工作过程中因短时间内温度大幅上升而损坏的风险，从而提升了功率变换设备3000的可靠性并延长了功率变换设备3000的使用寿命。
如图25所示，本申请另一实施例还提供了一种应用上述封装器件400或上述封装模组2000的功率变换设备4000，其包括壳体4100和设置于所述壳体4100中的上述封装器件400或上述封装模组2000，该功率变换设备4000还包括电路板4200，封装器件400或上述封装模组2000设置于电路板4200上。本实施例中，该功率变换设备4000可以是开关电源，但不以此为限。可以理解的，该电路板4200可以与前述电路板结构类似具有短时储热能力的电路板，也可以为区别于前述电路板的另一电路板。
所述功率变换设备4000中，所述封装器件400能具有良好的短时储热和良好的散热能力，降低电子元器件70在工作过程中因短时间内温度大幅上升而损坏的风险，从而提升了功率变换设备4000的可靠性并延长了功率变换设备4000的使用寿命。
需要说明的是，以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内；在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种封装器件，其特征在于，包括：
电路板；
电子元器件，电性连接于所述电路板上；
储热部，设置于所述电路板上或嵌入所述电路板内，且所述储热部邻近所述电子元器件设置；
其中，所述储热部的比热容高于所述电路板的比热容，所述储热部用于存储和释放热量。
2.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述电路板包括相对设置的第一电路板表面和第二电路板表面，所述电子元器件位于所述第一电路板表面上，所述电路板具有至少一容纳空间，所述储热部容置于所述容纳空间内。
3.根据权利要求2所述的封装器件，其特征在于，所述至少一容纳空间具有如下三种结构形式中的至少一种：
所述至少一容纳空间贯穿所述第一电路板表面以形成第一凹陷部，所述第一凹陷部用于容置所述储热部；
所述至少一容纳空间贯穿所述第二电路板表面以形成第二凹陷部，所述第二凹陷部用于容置所述储热部；以及
所述至少一容纳空间贯穿所述第一电路板表面与所述第二电路板表面以形成通孔部，所述通孔部用于容置所述储热部。
4.根据权利要求2或3所述的封装器件，其特征在于，所述电路板包括导电层，
所述导电层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面构成所述第一电路板表面，所述第二表面构成所述第二电路板表面。
5.根据权利要求4所述的封装器件，其特征在于，所述容纳空间包括第一容纳腔，所述第一容纳腔位于所述导电层，所述储热部容置于所述第一容纳腔内。
6.根据权利要求5所述的封装器件，其特征在于，所述第一容纳腔设置于所述导电层的非电气通流区域。
7.根据权利要求4至6中任意一项所述的封装器件，其特征在于，所述电路板还包括导热层，所述导热层设置于所述导电层远离所述电子元器件的一侧；所述导热层包括靠近所述第二表面的第三表面以及与所述第三表面相对设置的第四表面，此时，所述第四表面构成所述第二电路板表面。
8.根据权利要求7所述的封装器件，其特征在于，所述容纳空间包括第二容纳腔，所述第二容纳腔位于所述导热层，所述储热部容置于所述第二容纳腔内。
9.根据权利要求8所述的封装器件，其特征在于，所述电路板包括绝缘基板，所述绝缘基板位于所述导电层与所述导热层之间。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的封装器件，其特征在于，所述储热部的材质包括金属和相变材料中的至少一种。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的封装器件，其特征在于，还包括封装体，所述封装体封装所述电路板、所述电子元器件和所述储热部。
12.一种封装模组，其特征在于，包括如权利要求1至11中任意一项所述的封装器件以及位于所述电路板背离所述电子元器件的表面上的散热装置。
13.一种功率变换设备，其特征在于，包括如权利要求1至11中任一项所述的封装器件或如权利要求12所述的封装模组、以及电路板，所述封装器件或所述封装模组设置于所述电路板上。
CN202310562515.XA 2022-09-16 2023-05-18 封装器件、封装模组和功率变换设备 Pending CN116779565A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/468,174 US20240096729A1 (en) 2022-09-16 2023-09-15 Packaged Device, Packaged Module, and Power Conversion Device
EP23197590.5A EP4340016A1 (en) 2022-09-16 2023-09-15 Packaged device, packaged module, and power conversion device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2022111322643 2022-09-16
CN202211132264.3A CN115551176A (zh) 2022-09-16 2022-09-16 封装器件、封装模组和电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116779565A true CN116779565A (zh) 2023-09-19

Family

ID=84727038

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211132264.3A Pending CN115551176A (zh) 2022-09-16 2022-09-16 封装器件、封装模组和电子设备
CN202310562515.XA Pending CN116779565A (zh) 2022-09-16 2023-05-18 封装器件、封装模组和功率变换设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211132264.3A Pending CN115551176A (zh) 2022-09-16 2022-09-16 封装器件、封装模组和电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN115551176A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
CN115551176A (zh) 2022-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130270689A1 (en) Semiconductor package, semiconductor module, and mounting structure thereof
US11350517B2 (en) Circuit device and power conversion device
CN112997297B (zh) 半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法
CN116779565A (zh) 封装器件、封装模组和功率变换设备
EP4340016A1 (en) Packaged device, packaged module, and power conversion device
JP4496040B2 (ja) 電気素子冷却モジュール
CN210379025U (zh) 功率器件封装结构
CN110676232B (zh) 一种半导体器件封装结构及其制作方法、一种电子设备
US6982482B2 (en) Packaging of solid state devices
JP4496043B2 (ja) 電気素子冷却モジュール
KR20220015220A (ko) 파워모듈 및 그 제조방법
KR20220004442A (ko) 파워모듈
US20200181407A1 (en) Electronics packaging using organic electrically insulating layers
KR20220004445A (ko) 파워모듈
JP4496041B2 (ja) 電気素子冷却モジュール
JP4496042B2 (ja) 電気素子冷却モジュール
EP4340017A1 (en) Packaging device, packaging module, and electronic device
JP4496044B2 (ja) 電気素子冷却モジュール
CN112582386A (zh) 功率模块及其制备方法、电器设备
KR20220003802A (ko) 파워모듈
US20240038630A1 (en) Semiconductor module comprising at least one semiconductor element
KR20220003804A (ko) 파워모듈
KR20210146808A (ko) 파워모듈
KR20220004252A (ko) 파워모듈 및 그 제조방법
KR20210141373A (ko) 파워모듈

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination