CN116745910A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的一实施例的发光装置包括：基板；多个发光二极管芯片，位于所述基板的上部；多个光透射层，位于所述多个发光二极管芯片的上表面；侧壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层；以及第一凹槽，设置于位于所述光透射层之间的所述侧壁部的至少一部分的上表面，其中，所述第一凹槽具有小于从最相邻的光透射层到所述第一凹槽的最短宽度的宽度，并且具有小于最相邻的所述光透射层的厚度的深度。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置。
背景技术
发光芯片作为发出通过电子和空穴的再结合而产生的光的半导体元件，最近，应用于显示器、汽车灯具、一般照明等多个领域。由于发光芯片寿命长、耗电量低、响应速度快，从而应用于汽车灯具、显示装置等多种领域。
在应用于汽车灯具或显示器的背光灯等的情况下，可能需要控制朝发光装置侧面的漏光现象。例如，若在发光装置的侧面发生漏光现象，则无法明确区分从汽车灯具发出的光在照射到汽车前方时作为明部和暗部的边界线的截止(Cut off)线。因此，光可能会照射到不必要的区域，据此，可能妨碍其他驾驶员的视野。并且，在显示器的情况下，若在发光装置的侧面发生漏光现象，则很难实现均匀的背光。在一般照明产品中，特别是在特定产品的情况下，也需要能够防止朝侧面的漏光的发光装置。
发明内容
技术问题
本申请所要解决的技术问题在于提供一种能够防止发光装置的漏光现象的发光装置。
本申请所要解决的另一技术问题在于提供一种在包括至少两个以上发光二极管芯片的发光装置中能够防止发光二极管芯片之间的局部区域的漏光现象的发光装置。
技术方案
根据本发明的一实施例的发光装置可以包括：多个发光二极管芯片，位于所述基板的上部；多个光透射层，位于所述多个发光二极管芯片的上表面；侧壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层；以及第一凹槽及第二凹槽，位于所述侧壁部的至少一部分的上表面，其中，所述第一凹槽可以具有小于从最相邻的至少一个所述光透射层到所述第一凹槽的最短宽度的宽度，并且可以具有小于从最相邻的至少一个所述光透射层的上表面到下表面的厚度的深度。
所述基板在上表面及下表面可以具有图案电极，并且可以具有包括电连接所述上表面的图案电极与所述下表面的图案电极的过孔的电路图案。
所述多个光透射层可以包括波长变换物质。
其特征在于，所述多个光透射层的上表面的宽度可以与下表面的宽度相同。
所述多个光透射层的下表面的宽度可以形成为大于所述多个发光二极管芯片的宽度。
其特征在于，所述多个光透射层的上表面的宽度可以大于下表面的宽度。
所述侧壁部可以包括：外壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层的外侧面；以及内壁部，形成于所述多个发光二极管芯片与所述多个光透射层面对的侧面之间。
所述外壁部具有倾斜面，所述倾斜面到所述基板的厚度可以随着远离所述光透射层的侧面相邻的表面而变薄。
所述第一凹槽及所述第二凹槽可以形成为沿所述多个光透射层的侧面可以较长地延伸的直线。
从所述基板到所述第一凹槽的最短距离可以大于从所述基板到所述第二凹槽的最短距离。
所述基板可以包括：第一侧面；以及第二侧面，位于与所述第一侧面相反的位置，其中，可以具有从所述第一侧面延长的第一凹槽延伸部以及从所述第二侧面延长的第二凹槽延伸部。
其特征在于，所述第一凹槽延伸部的长度大于第二凹槽延伸部的长度。
所述侧壁部可以包括外壁部及内壁部，并且所述第一凹槽延伸部及所述第二凹槽延伸部可以位于所述外壁部。
从所述第一侧面到所述第一凹槽延伸部末端的距离可以小于从所述第二侧面到所述第二凹槽延伸部末端的距离。
所述发光装置还可以包括第三凹槽及第四凹槽，与所述第一凹槽及所述第二凹槽垂直相交，并且位于所述多个光透射层的侧面。
从所述多个光透射层的侧面到所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽及所述第四凹槽的各自距离可以相似。
所述第一凹槽及所述第二凹槽可以具有经过所述第四凹槽而位于所述外壁部的延伸部，所述第三凹槽及所述第四凹槽可以具有经过所述第二凹槽而位于所述外壁部的延伸部。
所述第一凹槽与所述第三凹槽在所述多个光透射层的至少四个角邻近的区域可以垂直交叉。
技术效果
根据本发明的一实施例的发光装置可以利用凹槽防止光透射侧壁部而防止向相邻的发光二极管芯片的漏光。
根据本发明的另一实施例的发光装置可以通过调节外壁部的宽度来防止在发光装置的侧面发生的漏光。
附图说明
图1a是用于说明根据本发明的一实施例的发光装置的示意性的立体图。
图1b是沿图1a的截取线A-A’截取的示意性的平面图。
图1c是沿图1a的截取线A-A’截取的示意性的剖视图。
图1d是沿图1a的截取线B-B’截取的示意性的剖视图。
图1e是沿图1a的截取线C-C’截取的示意性的剖视图。
图2是用于说明根据本发明的另一实施例的发光装置的示意性的剖视图。
图3是用于说明根据本发明的另一实施例的发光装置的示意性的剖视图。
图4a是用于说明根据本发明另一实施例的发光装置的示意性的平面图。
图4b是沿图4a的截取线D-D’截取出的示意性的剖视图。
图5是示出根据本发明的一实施例的发光装置的亮度的图表。
图6a是用于说明根据本发明的另一实施例的发光装置的示意性的平面图。
图6b是沿图6a的截取线E-E’截取的示意性的剖视图。
图7a是用于说明根据本发明的另一实施例的发光装置的示意性的平面图。
图7b是沿图7a的截取线F-F’截取的示意性的剖视图。
图8是用于说明根据本发明的又一实施例的发光装置的示意性的剖视图。
图9是用于说明根据本发明的又一实施例的发光装置的示意性的剖视图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细说明本发明的实施例。下面介绍的实施例是作为示例提供的，以便本发明的思想能够充分传达给本发明所属的技术领域中具备普通知识的人员。因此，本发明不限于以下说明的实施例，也可以具体化为其他形式。并且，在附图中，为了方便起见，构成要素的宽度、长度、厚度等可以夸张地表现。并且，当一个构成要素被记载在另一构成要素的“上方”或“上”时，不仅包括各部分在其他部分的“上方”或“上”的情况，还包括夹设在各构成要素和另一构成要素之间的又一构成要素。在说明书整体中相同的附图标记表示相同的构成要素。
图1a至图1e是用于说明根据本发明的一实施例的发光装置的立体图、平面图及剖视图。
参照图1a至图1e，发光装置10可以包括：基板200；以及两个以上的多个发光二极管芯片110，布置在基板200上。所述发光装置10可以包括：发光元件100，分别包括发光二极管芯片110以及位于所述发光二极管芯片110的上表面的光透射层120；侧壁部140，包括位于所述发光元件100之间的内壁部141和围绕所述发光元件100的外壁部143；第一凹槽131，位于所述内壁部141；以及第二凹槽133，位于所述外壁部143。
基板
所述基板200可以是绝缘性基板或导电性基板。所述基板200可以包括诸如AlN之类的热导电性优秀的陶瓷物质。
并且，所述基板200在上表面和/或下表面可以包括电路图案210。为了使所述电路图案210彼此绝缘，所述基板200可以包括绝缘性物质。所述绝缘层可以利用诸如环氧树脂或预浸材料(Prepreg)之类的绝缘性物质形成。
所述基板200的上表面电路图案210a与下表面电路图案210b可以通过贯通基板200的过孔210c而连接。所述过孔210c可以通过在所述基板200形成贯通孔后填充导电性物质的方式来形成。
所述过孔210c可以是从所述基板200的上表面到下表面宽度恒定的结构，但本发明不限于此。例如，所述过孔210c可以是从所述基板200的上表面及下表面到基板内部宽度变窄的结构。并且，可以通过包括两个以上包含所述电路图案210的基板200，使得穿过绝缘层的过孔210c可以彼此交错地设置。
所述电路图案210可以与位于所述基板200上的所述多个发光二极管芯片110电连接，并且可以通过在所述基板200的下部暴露的部分与外部电源电连接，从而向所述多个发光二极管芯片110供应电源。
所述多个发光二极管芯片110可以借由所述电路图案210而分别与单独的电极电连接。通过分别连接供应至所述电极的电源，从而可以单独驱动所述多个发光二极管芯片110。但是，本发明不限于此，所述电极也可以相互电连接。并且，所述发光装置10还可以包括单独的控制部，借由所述控制部可以控制所述多个发光二极管芯片110的驱动。
并且，在本发明中也可以通过沿基板200的侧面形成的连接图案(未示出)来连接上表面电路图案与下表面电路图案，而代替过孔210c。
发光二极管芯片
如本发明的实施例所示，所述多个发光二极管芯片110可以接合到所述基板200上。
所述多个发光二极管芯片110的电极111可以借由共晶接合分别与形成在所述基板200的电路图案210连接，但不限于此，也可以借由焊料接合、环氧接合等连接。为了将所述多个发光二极管芯片110接合到所述基板200，在所述基板200的上表面电路图案210a上可以布置有用于机械及电气接合的导电性物质160。
所述多个发光二极管芯片110中的每一个包括：生长基板110a；以及半导体层110b，包括n型半导体层、p型半导体层以及夹设在n型半导体层与p型半导体层之间的活性层。并且，所述多个发光二极管芯片110中的每一个可以包括布置在所述半导体层110b的下表面的电极111。据此，若供应电源，则所述发光二极管芯片110可以发出光。
另外，在本发明中，所述多个发光二极管芯片110以排列为1x2的情形进行图示和说明，但不限于此，并且多个发光二极管芯片110可以以1x18、4x23、4x28等多种行列(nxm,n＝1,2,3,4,…,m＝1,2,3,4,…)的方式排列。
光透射层
所述光透射层可以透射从所述发光二极管芯片110发出的光，并且可以根据需要转换从所述发光二极管芯片110发出的光的波长，从而发出特定颜色的光。并且，所述光透射层120可以分别发出不同颜色的光。
所述光透射层120可以是诸如硅胶或环氧树脂之类的透明树脂、玻璃、陶瓷等，根据需要在这些材料中可以混合转换光的波长的波长转换物质。例如，透明树脂可以是透明硅胶。所述波长转换物质可以包括量子点(quantum dot)荧光体、无机或有机荧光体中的至少一种，并且可以使用黄色荧光体、红色荧光体及绿色荧光体。
作为所述黄色荧光体的示例可以是以530nm～570nm波长为主波长的掺杂有铈(Ce)的钇(Y)铝(Al)石榴石(YAG:Ce(T3Al3O12:Ce))系列荧光体或硅酸盐(Silicate)系列的荧光体。
作为所述红色荧光体的示例可以是以600nm～700nm波长为主波长的由氧化钇(Y2O3)和铕(EU)的化合物组成的铀氧化物(UOX(Y2O3:EU))系列的荧光体、氮化物(Nitride)荧光体或者氟化物系列荧光体。此时，更为优选的，包含有利于固色再现的Mn4+活性剂荧光体的氟化物化合物KSF荧光体K2SiF6。并且，红色荧光体可以是基于氧化卤化物(oxidohalide)主晶格的Mn(IV)-活性荧光体。基于氧化卤化物(oxidohalide)主晶格的Mn(IV)-活性荧光体可以具有在610nm至640nm之间的范围的发出最大值、高量子良率、高染色性以及稳定性，以下用一般式(Ⅰ)或(Ⅱ)表示。
(A4-aBa)m/2+n/2X2m[MX4O2]n(Ⅰ)
其中，A选自H和D及其混合物组成的群，其中D是重氢；B选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4、ND4、NR4及其两个以上的混合物组成的组合，其中R是烷基或烯丙基；X选自F和Cl及其混合物组成的群中选择；M从Cr、Mo、W、Re及其两个以上的混合物组成的群；并且0≤a≤4；0<m≤10；以及1≤n≤10。
A3BF2M1-xTxO2-2xF4+2x(Ⅱ)
其中，A选自H和D及其混合物组成的群，其中D是重氢；B选自Li、Na、K、Rb、Cs、Cu、Ag、Ti、NH4、ND4、NR4及其两个以上的混合物组成的组合，其中R是烷基或烯丙基；M选自Cr、Mo、W、Re及其两个以上的混合物组成的群；T选自Si、Ge、Sn、Ti、Pb、Ce、Zr、Hf及其两个以上的混合物组成的群；0≤x≤1。
作为所述绿色荧光体的示例可以是以500nm～590nm波长为主波长的磷酸根PO4和镧La和铽Tb的化合物LAP(LaPO4：Ce、Tb)系列的荧光体或SiAlON系列的荧光体。
作为所述蓝色荧光体的示例可以是以420nm～480nm波长为主波长的钡Ba和镁Mg和氧化铝系列的物质和铕EU的化合物BAM(BaMgAl10O17:EU)系列的荧光体。
所述光透射层120具有宽度相同的上表面和下表面，所述上表面及所述下表面可以与所述光透射层120的侧面垂直。所述光透射层120的宽度可以大于所述发光二极管芯片110的宽度，并且可以布置成覆盖所述发光二极管芯片110的上表面。据此，在从所述光透射层120中发出的光的面积可以形成为比发光二极管芯片110相对更宽。所述光透射层120可以具有四边形形态，但不限于此。
根据本发明的另一实施例，参照图2，所述光透射层120的上表面的宽度可以大于下表面的宽度，所述光透射层120的侧面可以从上表面向下表面形成逆倾斜。所述结构可以减少对从所述发光二极管芯片110发出的光的吸收，并且可以改善从侧面提取的光的提取效率。
根据本发明的又一实施例，参照图3，所述光透射层120的上表面的宽度可以大于下表面的宽度，所述光透射层120的侧面可以从上表面向下表面形成逆倾斜。并且，所述光透射层120的下表面比发光二极管芯片110的宽度小。具体地讲，所述发光二极管芯片110的宽度可以形成为比所述光透射层120的上表面的宽度小且比下表面的宽度大。
所述光透射层120的宽度变得比所述发光二极管芯片110的宽度越宽，被所述光透射层120吸收的区域变得越大，从而提取的光的亮度可能降低。因此，优选的，所述光透射层120具有与所述发光二极管芯片110的宽度相似的宽度。
所述光透射层120的厚度可以形成为大于所述发光二极管芯片110的厚度，但不限于此，所述光透射层120的厚度可以形成为小于所述发光二极管芯片110的厚度。例如，所述光透射层120的厚度可以是50um～300um。由于从所述发光二极管芯片110提取的光可能在所述光透射层120所吸收，因此根据需要可以以适当的厚度布置所述光透射层120的厚度。
所述光透射层120可以是玻璃中混合有荧光体的荧光玻璃(PIG：Phosphor inGlass)。根据本发明的一实施例，所述光透射层120可以是PIG，所述PIG对于防止水分、灰尘等的外部物质渗透到发光装置10内部有效。
但是，本发明不限于此，所述光透射层120可以在诸如聚合树脂、玻璃之类的陶瓷中混合荧光体而布置。例如，在所述光透射层120利用诸如环氧树脂或丙烯酸树脂之类的树脂形成的情况下，可以通过在所述发光二极管芯片110上涂覆及固化包含荧光体的树脂来形成光透射层120。
荧光体可以利用多种尺寸的颗粒形成。在混合到光透射层120的荧光体颗粒中，一部分的直径可以是20um以上，一部分的直径可以是7um以下。并且，发出相同色域的荧光体可以包括直径为20um以上的颗粒和直径为7um以下的颗粒，并且可以在其之间具有多种颗粒尺寸。
并且，所述光透射层120还可以包括扩散剂。在塑性加工所述波长变换物质时，所述扩散剂必须具有不被熔化的程度的熔点，例如，所述扩散剂可以是SiO2、TiO2以及Al2O3等。
在所述光透射层120和所述发光二极管芯片110之间可以布置有光透射性粘合层150。所述光透射性粘合层150可以具有光透射性，并且可以利用硅胶树脂、环氧树脂等的有机粘合剂以及低熔点玻璃等的无机粘合剂。
并且，所述光透射性粘合层150可以覆盖所述发光二极管芯片110的生长基板的侧面的至少一部分。光透射性粘合层150可以利用通过压接、烧结、羟基粘合法、表面活性聚合法、原子扩散结合法等直接粘合法等粘合方法。
侧壁部
所述侧壁部140可以形成为围绕包括所述发光二极管芯片110及所述光透射层120的发光元件100。并且，所述侧壁部140可以包括位于所述发光元件100之间的内壁部141及围绕所述发光元件100的外侧面的外壁部143。
所述内壁部141的上表面可以形成在与所述光透射层120的上表面相同的高度上。所述内壁部141的上表面可以平坦，但不限于此，所述内壁部141的上表面可以形成为凹陷或凸出。
所述外壁部143可以形成为内壁的厚度t1比外壁的厚度t2厚。内壁的厚度t1与外壁的厚度t2之差可以是100um以下，具体地可以形成为60um以下。所述内壁可以形成为与相接于所述光透射层120的侧面的上表面大致相似的高度。所述外壁作为所述外壁部143与所述基板200的侧面相邻的区域，所述外壁部143的厚度可以具有从所述内壁到外壁逐渐变薄的倾斜面。
所述侧壁部140的侧面可以在与下方的所述基板200的侧面形成在相同面(co-planar)，但不限于此。例如，所述侧壁部140的侧面可以比所述基板200的侧面形成在更内部，并且，所述侧壁部140的侧面可以从所述基板200的拐角以斜线的形态等形成。
所述侧壁部140可以利用具有透射性和非导电性的材料形成，在这种情况下，优选为还包括弹性。例如，所述侧壁部140可以利用环氧树脂、硅胶树脂及丙烯酸树脂形成。所述侧壁部140可以一同包括上述的树脂中的一种以上及反射性物质而形成。作为所述反射性物质可以包括TiO2、SiO2、ZrO2、F6K2Ti、Al2O3、AlN及BN等。
凹槽
再次参照图1b至1e，所述第一凹槽131可以位于所述侧壁部140。优选地，在所述内壁部141的上表面的中心沿所述多个光透射层120面向的侧面可以设置有所述第一凹槽131的至少一部分131c。并且，第二凹槽133可以位于本发明的所述侧壁部140的所述外壁部143。此时，从所述多个光透射层120的侧面到第一凹槽131及第二凹槽133的各自的距离可以大致相同地形成。
所述第一凹槽131可以位于与所述光透射层120的上表面形成在相同高度的所述内壁部141的上表面，所述第二凹槽133可以位于从所述外壁部143与所述光透射层120的上表面相接的部分向所述基板200的外围方向倾斜的表面。据此，从所述基板200到所述第一凹槽131的最短距离d1可以大于从所述基板200到所述第二凹槽133的最短距离d2。
所述第一凹槽131及所述第二凹槽133可以包括比所述光透射层120的宽度更长地延伸的延伸部。例如，所述第一凹槽131可以具有：第一凹槽延伸部131a，从与第一侧面140a面对的所述光透射层120的侧面延伸；及第二凹槽延伸部131b，从与第二侧面140b面对的所述光透射层120的侧面延伸。从所述第一侧面140a到所述第一凹槽延伸部131a的末端的最短距离可以小于从所述第二侧面140b到所述第二凹槽延伸部131b末端的最短距离。从所述第一侧面140a到所述多个光透射层120的距离可以小于从所述第二侧面140b到所述多个光透射层120的距离，从而可能发生从所述第一侧面140a的漏光现象。因此，通过将所述第一凹槽延伸部131a的长度形成为大于第二凹槽延伸部131b的长度，从而可以缓解从而所述第一侧面140a的漏光现象。
所述第一凹槽延伸部131a及所述第二凹槽延伸部131b也可以形成在位于所述外壁部143的倾斜面的第二凹槽。所述外壁部143具有从所述基板200到外壁的厚度t2小于从所述基板200到内壁的厚度t1的形状。即，所述外壁部143的上表面可以具有倾斜的表面，并且所述第一凹槽延伸部131a及所述第二凹槽延伸部131b可以位于倾斜的表面。因此，从所述基板200到第一凹槽延伸部131a的距离d4及从所述基板200到第二凹槽延伸部131b的距离d5可以形成为小于从所述基板200到布置在所述光透射层120之间的凹槽131c的距离d3。
所述凹槽131的宽度w1可以小于所述内壁部141的第一宽度w2及第二宽度w3，并且所述第一宽度w2及所述第二宽度w3可以大致相似。所述凹槽131的宽度w1可以是5um～70um。优选的，可以是5um～50um，更优选的，可以是5um～30um。并且，所述第一宽度w2及所述第二宽度w3可以是10um～110um。优选的，可以是10um～90um，更优选的，可以是10um～70um。
所述凹槽131、133可以沿所述光透射层120的侧面形成为直线形态，但不限于此，也可以形成为其他形态。例如，参照图4a及4b，所述凹槽131、133可以像虚线一样以具有间距的方式设置。所述虚线的间距可以形成为比本实施例更窄或更宽。所述虚线可以减少被所述凹槽131、133而损失的光，从而可以改善光的提取效率。
所述凹槽131、133的深度可以形成为不超过从所述光透射层120的上表面到下表面的深度方向上的1/2，但不限于此。
所述凹槽131、133可以通过激光照射使所述侧壁部140的至少一部分烧成而形成，但不限于此，并且可以利用所述激光及叶片在所述侧壁部140形成凹槽，并可以在空置部分填充遮光性物质。
参照图5，可以确认A区域中所述光透射层120与所述第二凹槽133之间光被阻挡。并且，可以确认在B区域中位于所述多个光透射层120之间的凹槽131也不会发出光。并且，可以确认光在C区域中光在所述光透射层120与所述凹槽133之间被阻挡。如上所述，根据本发明的实施例的发光装置可以借由所述凹槽131、133防止光通过侧壁部140发出。因此，本发明的发光装置可以防止在多个发光二极管芯片110的边缘附近发生漏光现象。
图6a及图6b是示出根据本发明的另一实施例的发光装置的平面图及剖视图。
参照图6a及图6b，发光装置50可以包括：基板200；多个发光二极管芯片110，位于所述基板200上；多个光透射层120，位于所述多个发光二极管芯片110的上表面；以及第一凹槽131、第二凹槽133、第三凹槽135及第四凹槽137，布置成围绕所述多个光透射层120的侧面。
所述第一凹槽131及所述第三凹槽135可以位于所述多个侧壁部140的内壁部141，所述第二凹槽133及所述第四凹槽137可以位于所述多个侧壁部140的外壁部143。
所述第一凹槽131及第二凹槽133与第三凹槽135及第四凹槽137垂直相交而布置。所述第一凹槽131及第二凹槽133可以具有经过所述第四凹槽137的延伸部。并且，所述第三凹槽135及第四凹槽137可以具有经过所述第二凹槽133的延伸部。所述延伸部可以位于所述外壁部143。
并且，所述第一凹槽131及所述第三凹槽135可以具有在所述内壁部141中交叉的区域。具体地讲，所述第一凹槽131及所述第三凹槽135可以在所述多个光透射层120的至少四个角相邻的区域垂直交叉。
从所述多个光透射层120的侧面到所述第一凹槽131、第二凹槽133、第三凹槽135及第四凹槽137的各自的距离可以大致相同地形成。
图7a及图7b是示出本发明的另一实施例的发光装置的平面图及剖视图。
参照图7a及图7b，发光装置60可以包括：基板200；发光元件100，包括位于所述基板200上的多个发光二极管芯片110和位于所述多个发光二极管芯片110的上表面的多个光透射层120；侧壁部140，布置成围绕所述多个发光二极管芯片110及所述多个光透射层120的侧面；凹槽131、133、137，设置成围绕所述光透射层120侧面；及坝139。
所述坝139形成为低于所述光透射层120的高度，但不限于此，也可以布置成高于光透射层120的高度。所述坝139可以围绕所述发光二极管芯片110及至少一部分的所述光透射层120，并且可以形成为矩形环状。并且，所述坝139可以布置在比基板200的侧面更靠内侧的位置。
在所述坝139与所述发光元件100之间可以布置有所述侧壁部140。当形成所述侧壁部140时，所述坝139可以用于阻挡未固化的液态树脂材料的框架，并且可以形成为与所述侧壁部140紧贴。所述侧壁部140可以具有厚度从所述光透射层120的上表面趋向所述坝139的上表面越来越薄的倾斜面。
所述坝139作为含有反射性物质的树脂可以在所述基板200的上表面形成。例如，所述坝139可以利用在所述侧壁部140示例的环氧树脂、硅胶树脂及丙烯酸树脂形成。并且，可以利用含有光反射性物质的白色树脂或含有黑色颜料等光吸收性物质的黑色树脂。
图8是用于说明根据本发明的又一实施例的发光装置70的示意性的剖视图。
参照图8，根据本实施例的发光装置70与参照图1a至图1e说明的发光装置10大致相似，但侧壁部的结构有所差异。
第一凹槽131可以布置在内壁部141的上表面。如上所述，第一凹槽131可以利用遮光性物质填充。第一凹槽131可以布置在光透射层120之间而阻挡从光透射层120发出的光通过内壁部141发出，据此，可以防止发光装置70的漏光现象。
外壁部143可以包括多个外壁部143a、143b、143c。第一外壁部143a围绕发光二极管芯片110的外侧面。第一外壁部143a的上端可以与光透射层120相接。如图所示，第一外壁部143a的上端可以设置成比发光二极管芯片110的上表面高，并且可以位于光透射层120的厚度的1/2以下。第一外壁部143a的上端也可以位于与光透射性粘合层150的上表面(即，与光透射层120的下表面)相同的高度。
第二外壁部143b围绕第一外壁部143a，进而，围绕光透射层120的外侧面。第二外壁部143b可以与光透射层120的侧面相接。第二外壁部143b可以具有比第一外壁部143a及第三外壁部143c更大的宽度。第二外壁部143b的底面可以与基板200相接，第二外壁部143b的内侧面可以与第一外壁部143a及透射层120相接，第二外壁部143b的外侧面可以与第三外壁部143c相接。第二外壁部143b的上表面从第三外壁部143c的上表面和光透射层120的上表面延伸，并且第二外壁部143b的上表面可以在至少一部分区域具有曲面的形状。第二外壁部143b的上表面和底面的宽度可以彼此不同。并且，第二外壁部143b在与透射层的底面相接的区域中的宽度可以大于底面的宽度，并在与透射层的底面相接的区域中的宽度可以小于上表面的宽度。第二外壁部143b的底面的宽度可以是上表面的宽度的1/2以下。第三外壁部143c围绕第二外壁部143b。第三外壁部143c形成发光装置70的外侧侧壁。第三外壁部143c可以具有越接近基板200宽度越宽的形状。第三外壁部143c的内侧面可以形成为曲面，外侧面可以形成为平行于基板200的侧面的平面。第三外壁部143c的外侧面可以与基板200的侧面平行。在一实施例中，第三外壁部143c的底面与基板200相接，并且内侧面的下端可以相对于基板200具有70度以上100度以下的倾斜角，具体地讲可以具有80度以上90度以下的倾斜角。
第一外壁部143a至第三外壁部143c可以利用硅胶树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂形成，并且可以一同包括所述树脂的一种以上及反射性物质而形成。所述反射性物质可以包括TiO2、SiO2、ZrO2、F6K2Ti、Al2O3、AlN及BN等。
另外，第二外壁部143b可以利用与第一外壁部143a及第三外壁部143c不同的物质形成。例如，第一外壁部143a及第三外壁部143c可以利用含有反射性物质的相同种类的树脂形成，并且，第二外壁部143b可以利用与第一外壁部143a及第三外壁部143c相同或不同种类的树脂形成，但可以包括用于防止裂纹的物质(例如，含有钙的物质)。并且，为了减少光损失，可以控制第二外壁部143b的宽度。例如，第二外壁部143b的最大宽度可以是1500um以下，具体地讲，最大宽度可以是300um～1000um。当第二外壁部143b的最大宽度是600um～1000um时，可以有效地防止裂纹并减少光损失。
内壁部141可以利用与第一外壁部143a相同的物质形成，但不限于此，也可以利用与第二外壁部143b相同的物质形成。
光透射性粘合层150可以包括布置在发光二极管芯片110与光透射层120之间的区域及围绕发光二极管芯片110的侧面的区域。围绕发光二极管芯片110的侧面的光透射性粘合层150的区域可以与内壁部141及第一外壁部143a相接。布置在发光二极管芯片110的上表面的光透射性粘合层150的厚度可以与围绕发光二极管芯片110的侧面的区域的厚度不同。例如，布置在发光二极管芯片110的上表面的光透射性粘合层150的厚度可以形成为2um以上且10um以下。另外，在发光二极管芯片110的侧面形成的光透射性粘合层150越靠近基板200宽度越小。光透射性粘合层150即可以覆盖发光二极管芯片110的一部分侧面，也可以覆盖整个侧面。
在本实施例中，外壁部143可以根据位置而具有不同的宽度。如图8所示，与左侧外壁部143相比，右侧外壁部143具有更大的宽度。尤其，第三外壁部143c的宽度随着位置而彼此不同。但是，根据位置的外壁部143的宽度差异被控制为不影响光谱，例如，控制在100um以下，进而，控制在50um以下。
根据本实施例，由于外壁部143包括多个外壁部143a、143b、143c，因此可以防止通过外壁部143的漏光现象。据此，在上述的实施例中，可以省略在外壁部143上形成的第二凹槽。
图9是用于说明根据本发明另一实施例的发光装置80的示意性的剖视图。
参照图9，根据本实施例的发光装置80与参照图8说明的发光装置70大致相似，但在单一的光透射层覆盖多个发光二极管芯片110上有所差异。
即，一个光透射层120覆盖布置在基板200上的多个发光二极管芯片110。从发光二极管芯片110发出的光通过相同的光透射层120而向外部发出。据此，内壁部141在光透射层120的下方布置在发光二极管芯片110之间，并且省略了上述的第一凹槽。
另外，如参照图8所述，外壁部143可以包括多个外壁部143a、143b、143c来防止漏光现象，因此，可以防止发光装置之间的光的干涉。
以上，对本发明的多种实施例进行了说明，但本发明不限于所述实施例。并且，对于一个实施例说明的事项或构成要素只要不脱离本发明的技术思想，就可以适用于其他实施例。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
基板；
多个发光二极管芯片，位于所述基板的上部；
多个光透射层，位于所述多个发光二极管芯片的上表面；
侧壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层；以及
第一凹槽，设置于位于所述光透射层之间的所述侧壁部的至少一部分的上表面，
其中，所述第一凹槽具有小于从最相邻的光透射层到所述第一凹槽的最短宽度的宽度，并且具有小于最相邻的所述光透射层的厚度的深度。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述基板在上表面及下表面具有图案电极，并且具有包括电连接所述上表面的图案电极与所述下表面的图案电极的过孔的电路图案。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述多个光透射层包括波长变换物质。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
所述多个光透射层的上表面的宽度与下表面的宽度相同。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，
所述多个光透射层的下表面的宽度分别大于所述多个发光二极管芯片的宽度。
6.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
所述多个光透射层的上表面的宽度大于下表面的宽度。
7.根据权利要求1所述的发光装置，包括：
所述侧壁部包括：
外壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层的外侧面；以及
内壁部，形成于所述多个发光二极管芯片与所述多个光透射层面对的侧面之间。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，
所述外壁部具有倾斜面，所述倾斜面到所述基板的厚度随着远离所述光透射层的侧面相邻的表面而变薄。
9.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
第二凹槽，形成于围绕所述多个光透射层的外侧面的侧壁部的上表面，
所述第一凹槽及所述第二凹槽具有沿所述多个光透射层的侧面较长地延伸的形状。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，
从所述基板到所述第一凹槽的最短距离大于从所述基板到所述第二凹槽的最短距离。
11.根据权利要求9所述的发光装置，其中，
所述基板包括：
第一侧面；以及
第二侧面，位于与所述第一侧面相反的位置，
具有从所述第一侧面延长的第一凹槽延伸部以及从所述第二侧面延长的第二凹槽延伸部。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其中，
所述第一凹槽延伸部的长度大于第二凹槽延伸部的长度。
13.根据权利要求11所述的发光装置，其中，
所述侧壁部包括外壁部及内壁部，
所述第一凹槽延伸部及所述第二凹槽延伸部位于所述外壁部。
14.根据权利要求13所述的发光装置，其中，
从所述第一侧面到所述第一凹槽延伸部的末端的距离小于从所述第二侧面到所述第二凹槽延伸部的末端的距离。
15.根据权利要求9所述的发光装置，还包括：
第三凹槽及第四凹槽，与所述第一凹槽及所述第二凹槽垂直相交，并且位于所述多个光透射层的侧面。
16.根据权利要求15所述的发光装置，其中，
从所述多个光透射层的侧面到所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽及所述第四凹槽的各自的距离实质上相同。
17.根据权利要求15所述的发光装置，其中，
所述第一凹槽及所述第二凹槽具有经过所述第四凹槽而位于所述外壁部的延伸部，
所述第三凹槽及所述第四凹槽具有经过所述第二凹槽而位于所述外壁部的延伸部。
18.根据权利要求17所述的发光装置，其中，
所述第一凹槽与所述第三凹槽在所述多个光透射层的至少四个角相邻的区域垂直交叉。
19.一种发光装置，包括：
基板；
多个发光二极管芯片，位于所述基板的上部；
光透射层，位于所述多个发光二极管芯片的上表面；以及
侧壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述光透射层；
其中，所述侧壁部包括：
第一外壁部，围绕所述多个发光二极管芯片的外侧面；
第二外壁部，围绕所述第一外壁部；以及
第三外壁部，围绕所述第二外壁部，
所述第二外壁部与所述光透射层的侧面相接。
20.根据权利要求19所述的发光装置，其中，
所述第二外壁部包括含有钙的防裂纹物质。
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