CN116744736A - 显示装置 - Google Patents

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李荣勋
崔永瑞
金荣志
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Abstract

一实施例涉及的显示装置包括：第一基板，与配置有显示层的第一区域重叠且是玻璃材质；第二基板，配置在所述第一基板上，与弯曲区域及第二区域重叠且被弯曲；有机物层，配置在所述弯曲区域和所述第二区域中；封装层，位于所述显示层上；以及信号布线，从所述显示层开始延伸而位于所述弯曲区域和所述第二区域中，所述第一基板与所述第二区域间隔开。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
基于移动性的电子设备被广泛使用。作为移动用电子设备，除了如移动电话这样的小型电子设备以外，最近还广泛使用平板PC。
这种移动型电子设备为了支持各种功能并且为了向使用者提供如图像或视频这样的视觉信息而包括显示装置。近几年，随着用于驱动显示装置的其他部件变得小型化，显示装置在电子设备中所占的比重处于逐渐增加的趋势，还在开发可从平坦的状态弯曲成具有预定角度的结构。
发明内容
实施例用于提供一种维持基板的可靠性的同时在部分区域中可弯曲来减小周边区域所占的无效区域的面积的显示装置。
一实施例涉及的显示装置包括：第一基板，与配置有显示层的第一区域重叠且是玻璃材质；第二基板，配置在所述第一基板上，与弯曲区域及第二区域重叠且被弯曲；有机物层，配置在所述弯曲区域和所述第二区域中；封装层，位于所述显示层上；以及信号布线，从所述显示层开始延伸而位于所述弯曲区域和所述第二区域中，所述第一基板与所述第二区域间隔开。
可以是，所述第二基板经由所述第一区域、所述弯曲区域和所述第二区域而设置，所述显示装置还包括：阻挡层，在所述第一区域中位于所述第二基板上。
可以是，所述第一基板与位于所述第二区域中的所述第二基板至少部分重叠，位于所述第二区域中的所述第二基板和所述第一基板结合。
可以是，所述第一基板包括与所述弯曲区域相邻的第一侧面，所述第一侧面具有凹凸。
可以是，所述第二基板包括与所述弯曲区域及所述第二区域重叠的碳化区域。
可以是，所述碳化区域所包括的碳含量大于所述第二基板的其余区域所包括的碳含量。
可以是，所述碳化区域的厚度是20纳米至40纳米。
可以是，所述第一基板包括与所述弯曲区域相邻的第一侧面，所述第一侧面具有相对于所述第二基板的一面倾斜的形状。
可以是，所述第一侧面的第一角部与第二角部之间的距离是30微米至500微米。
可以是，与所述弯曲区域及所述第二区域中的至少一部分重叠的玻璃残膜位于所述第二基板的背面上。
可以是，所述显示装置还包括：保护层，与所述弯曲区域及所述第二区域重叠。
一实施例涉及的显示装置包括：第一基板，与配置有显示层的第一区域重叠；第二基板，与弯曲区域及第二区域重叠；有机物层，配置在所述弯曲区域和所述第二区域中；封装层，位于所述显示层上；以及信号布线，从所述显示层开始延伸而与所述弯曲区域及所述第二区域重叠，所述第二基板包括与所述弯曲区域及所述第二区域至少部分重叠的碳化区域。
可以是，所述碳化区域的厚度是20纳米至40纳米。
可以是，所述第一基板不与所述弯曲区域及所述第二区域重叠。
可以是，所述第二基板经由所述第一区域、所述弯曲区域和所述第二区域而设置。
可以是，所述第二基板经由所述弯曲区域和所述第二区域而设置且与所述第一区域间隔开。
可以是，所述显示装置还包括：保护层，在所述弯曲区域和所述第二区域中位于所述第二基板的背面。
一实施例涉及的显示装置包括：第一基板，与配置有显示层的第一区域重叠且是玻璃材质；第二基板，与弯曲区域及第二区域重叠且具有柔性；有机物层，配置在所述弯曲区域和所述第二区域中；封装层，位于所述显示层上；以及信号布线，从所述显示层开始延伸而与所述弯曲区域及所述第二区域重叠，所述第一基板的末端具有朝向所述弯曲区域呈锥形的形态。
可以是，与所述弯曲区域及所述第二区域中的至少一部分重叠的玻璃残膜位于所述第二基板的背面上。
可以是，所述显示装置还包括：保护层，与所述弯曲区域及所述第二区域重叠。
(发明效果)
根据实施例，可提供一种维持基板的可靠性的同时在部分区域中可弯曲来减小周边区域所占的无效区域的面积的显示装置。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。
图2a和图2b分别是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图。
图3是对于一实施例涉及的基板的部分区域的放大图。
图4是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图。
图5、图6、图7、图8、图9和图10分别是一实施例涉及的显示装置的剖视图。
图11、图12、图13和图14分别是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图。
图15、图16、图17分别是示出一实施例涉及的显示装置的制造方法的示意性平面图。
图18、图19、图20和图21分别是对于根据实施例制造出的基板的部分区域的图像。
符号说明：
SUB：基板；L1：第一基板；L2：第二基板；NBA1：第一区域；BA：弯曲区域；NBA2：第二区域；IL：有机物层；ENC：封装层；SL：信号布线。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的各实施例，以便本领域技术人员能够容易实施。本发明可由各种不同的形态实现，并不限于在此说明的实施例。
为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，并在整个说明书中对相同或相似的构成要素赋予相同的符号。
此外，图示的各构成的大小以及厚度为了便于说明而任意示出，本发明并不一定限于图示的情况。在附图中，为了明确表示各层以及区域，有所夸张地示出了厚度。此外，在附图中，为了便于说明，有所夸张地示出了部分层和区域的厚度。
此外，层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间具有其他部分的情况。相反，某一部分直接位于其他部分上时，是指其间不存在其他部分。此外，位于作为基准的部分上或上方是指位于作为基准的部分的上或下方，并不一定指在重力方向侧位于上或上方的情况。
此外，在整个说明书中，某一部分包括某一构成要素时，在没有特别相反的记载的情况下，并不是排除包括其他构成要素，而是指还可以包括其他构成要素。
此外，在整个说明书中，“平面上”是指从上观察对象部分的情况，“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。
以下，参照图1至图3，说明一实施例涉及的显示装置。图1是示意性地示出本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图，图2a和图2b分别是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图，图3是对于一实施例涉及的基板的部分区域的放大图。
显示装置DP可包括基板SUB。显示装置DP可包括沿着第二方向DR2配置的第一区域NBA1、弯曲区域BA和第二区域NBA2。显示装置DP能够以与第一方向DR1平行的弯曲轴BAX为中心被弯曲。以弯曲轴BAX为中心弯曲的显示装置DP的弯曲部分能够以弯曲轴BAX为基准具有相同的曲率半径，但是本发明并不限于此。作为其他实施例，显示装置DP能够以弯曲轴BAX为中心被弯曲，但弯曲部分的曲率半径不恒定。
如图2a和图2b所示，一实施例涉及的显示装置DP的基板SUB可包括第一基板L1和第二基板L2。
第一基板L1可包括有机物或无机物。作为一实施例，第一基板L1可为将包括硅(Si)元素的物质(例如，SiO2)作为主成分的玻璃材质的玻璃基板。第一基板L1可为无法弯曲的刚性(rigid)基板。
第二基板L2可包括有机物。作为一实施例，第二基板L2可包括如聚酰亚胺这样的塑料等有机绝缘物质。第二基板L2可为沿着弯曲轴BAX被弯曲的柔性基板。
第一区域NBA1可包括显示区域DA。如图1所示，第一区域NBA1可包括显示区域DA以及显示区域DA的外侧的非显示区域PA的一部分。第二区域NBA2和弯曲区域BA可包括非显示区域PA。显示装置DP的显示区域DA可相当于第一区域NBA1的一部分，显示装置DP的非显示区域PA可相当于第一区域NBA1的其余部分、第二区域NBA2和弯曲区域BA。
显示区域DA是配置有像素P的区域。显示区域DA可由显示层DL构成，具体的层叠结构将在以下的图4中进行说明。
显示层DL可利用从各个像素P射出的光来提供图像。像素P可与如在第一方向DR1上延伸的扫描线SCL及在第二方向DR2上延伸的数据线DAL这样的信号线连接。虽然未在图1中示出，但是像素P可与驱动电源线、公共电源线等传递直流信号的电源线连接。显示层DL可被与第一基板L1重叠的封装层ENC覆盖。
像素P可包括与前述的信号线及电源线电连接的像素电路以及配置在像素电路上的显示要素(例如，发光二极管(light emitting diode))。像素P可通过发光二极管而例如射出红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
非显示区域PA可包括扫描驱动器SD、焊盘部PAD、驱动电压供给线30、公共电压供给线40和信号布线SL。
扫描驱动器SD可配置在第一区域NBA1中。扫描驱动器SD可被间隔开且在其间夹着显示区域DA。扫描驱动器SD可生成扫描信号，从而通过扫描线SCL将扫描信号传递到各像素P。在图1中示出了配置有两个扫描驱动器SD的情况，但是本发明并不限于此。作为其他实施例，可在显示区域DA的一侧配置一个扫描驱动器SD。
焊盘部PAD可配置在非显示区域PA的一端部(例如，配置在第二区域NBA2中)，包括焊盘P1、P2、P3、P4。焊盘部PAD可不被绝缘层覆盖而是露出，从而与驱动器芯片IC连接。
驱动电压供给线30可将驱动电压提供给像素P。驱动电压供给线30可在非显示区域PA中被配置成与显示区域DA的一侧相邻。
公共电压供给线40可将公共电压提供给像素P。公共电压可为施加到发光二极管的阴极的电压，公共电压供给线40可在非显示区域PA中被配置成部分包围显示区域DA。
信号布线SL可包括第一信号布线S1、第二信号布线S2、第三信号布线S3和第四信号布线S4。第一信号布线S1、第二信号布线S2、第三信号布线S3和第四信号布线S4可配置在显示区域DA的一端部与焊盘部PAD之间且沿着第二方向DR2延伸。第一信号布线S1电连接显示区域DA的信号线和焊盘部PAD，第二信号布线S2电连接驱动电压供给线30和焊盘部PAD。第三信号布线S3电连接扫描驱动器SD和焊盘部PAD，第四信号布线S4电连接公共电压供给线40和焊盘部PAD。
在本说明书中使用与第一信号布线S1、第二信号布线S2、第三信号布线S3及第四信号布线S4不同的符号说明了焊盘部PAD的焊盘P1、P2、P3、P4，但是焊盘P1、P2、P3、P4分别也可为第一信号布线S1、第二信号布线S2、第三信号布线S3和第四信号布线S4的一部分。即，第一信号布线S1的末端部分可相当于焊盘P1，第二信号布线S2的末端部分可相当于焊盘P2，第三信号布线S3的末端部分可相当于焊盘P3，第四信号布线S4的末端部分可相当于焊盘P4。
信号布线SL例如沿着与弯曲轴BAX交叉的方向延伸而经过弯曲区域BA。在图1中示出了第一信号布线S1、第二信号布线S2、第三信号布线S3和第四信号布线S4相对于弯曲轴BAX垂直的情况，但是本发明并不限于此。第一信号布线S1、第二信号布线S2、第三信号布线S3和第四信号布线S4可按照相对于弯曲轴BAX具有预定角度的方式倾斜地延伸，或者可具有并非直线形状的曲线形状、锯齿形状、蛇形(serpentine)形状等各种形状的同时延伸。
如图2a所示，包括第一信号布线S1、第二信号布线S2、第三信号布线S3和第四信号布线S4的信号布线SL可从显示层DL开始延伸而位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中。信号布线SL可配置于位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中的有机物层IL。
有机物层IL可被配置成覆盖至少一部分弯曲区域BA和第二区域NBA2。有机物层IL可包括多个子有机物层，多个子有机物层中的任一个子有机物层可包括与焊盘部PAD相当的开口。有机物层IL可在与形成于显示层DL的子有机物层相同的工序中由与形成于显示层DL的子有机物层相同的物质形成。
第一基板L1可与第一区域NBA1重叠，并且可不与弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠。第一基板L1可与弯曲区域BA及第二区域NBA2间隔开。玻璃材质的任何基板都不位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中。
第二基板L2可与弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠。此外，根据实施例，第二基板L2可与第一区域NBA1重叠。第二基板L2可从第一区域NBA1开始延伸而经由弯曲区域BA和第二区域NBA2来设置。在第一区域NBA1中，第二基板L2可位于第一基板L1上。
如图1和图2b所示，第二基板L2可沿着弯曲轴BAX被弯曲。在弯曲状态下，与第二区域NBA2重叠的第二基板L2可位于第一基板L1的背面上。与第二区域NBA2重叠的第二基板L2的至少一部分可与第一基板L1重叠。由于在弯曲区域BA中仅设置有具有柔性的第二基板L2，因此可容易弯曲第二基板L2。在弯曲状态下，第二基板L2的背面可与第一基板L1的背面结合。根据一实施例，可通过粘接层AL来结合第二基板L2的背面和第一基板L1的背面。
以下，参照图3，更具体说明第一基板L1和第二基板L2。图3是示意性地示出第一基板L1和第二基板L2的放大图。
参照图3，第一基板L1可包括与弯曲区域BA相邻的第一侧面L1-a。此时，第一侧面L1-a可包括不规则或规则的形态的凹凸。在部分去除玻璃材质的第一基板L1的工序中使用齿轮切割(wheel cut)或激光切割(laser cutting)工序的情况下，第一基板L1的侧面可具有凹凸不平的形状。
此外，一实施例涉及的第二基板L2可包括与弯曲区域BA及第二区域NBA2的至少一部分重叠的碳化区域L2-a。碳化区域L2-a所包括的碳含量可大于除了碳化区域L2-a以外的其余第二基板L2所包括的碳含量。碳化区域L2-a的厚度ta可为约20纳米至约40纳米，但并不限于此，可根据第二基板L2的厚度和制造工序来改变。
以下，参照图4，说明显示层DL和有机物层IL的具体的层叠结构。图4是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图。
在一实施例涉及的基板SUB上可设置有阻挡层BL。阻挡层BL可位于第二基板L2上，可与第一区域NBA1重叠。阻挡层BL可包括如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等这样的无机材料。在第一区域NBA1中省略第二基板L2的情况下，阻挡层BL可被省略。
缓冲层BF可位于阻挡层BL上。缓冲层BF可阻断杂质从基板SUB传递到缓冲层BF的上部层(特别是，半导体层ACT)，从而防止半导体层ACT的特性劣化且缓解压力。缓冲层BF可包括氮化硅或氧化硅等无机绝缘物质或有机绝缘物质。缓冲层BF的一部分或整体也可被省略。
半导体层ACT可位于缓冲层BF上。半导体层ACT可包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。半导体层ACT包括沟道区域C、第一区域P和第二区域Q。第一区域P和第二区域Q分别配置在沟道区域C的两侧。沟道区域C可被掺杂少量的杂质或者包括未掺杂杂质的半导体，第一区域P和第二区域Q可包括对比沟道区域C掺杂了大量的杂质的半导体。半导体层ACT也可由氧化物半导体形成，在该情况下，为了保护容易受到高温等外部环境的影响的氧化物半导体物质，可追加单独的保护层(未图示)。
第一栅极绝缘层GI1位于半导体层ACT上。
栅电极GE1位于第一栅极绝缘层GI1上。栅电极GE1可为层叠了包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的任一种的金属膜的单层膜或多层膜。栅电极GE1可与半导体层ACT的沟道区域C重叠。
第二栅极绝缘层GI2可位于栅电极GE1和第一栅极绝缘层GI1上。第一栅极绝缘层GI1和第二栅极绝缘层GI2可为包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
上部电极GE2可位于第二栅极绝缘层GI2上。上部电极GE2可与栅电极GE1的至少一部分重叠的同时形成维持电容器。
第一层间绝缘层ILD1位于上部电极GE2上。第一层间绝缘层ILD1可为包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE位于第一层间绝缘层ILD1上。源电极SE和漏电极DE分别通过形成在第一层间绝缘层ILD1、第一栅极绝缘层GI1和第二栅极绝缘层GI2中的接触孔而与半导体层ACT的第一区域P及第二区域Q连接。
第二层间绝缘层ILD2位于第一层间绝缘层ILD1、源电极SE和漏电极DE上。
连接电极CE可位于第二层间绝缘层ILD2上。连接电极CE、源电极SE和漏电极DE可包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，可为包括它们的单一层结构或多层结构。
第三层间绝缘层ILD3可位于连接电极CE上。第二层间绝缘层ILD2和第三层间绝缘层ILD3可包括如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)这样的一般通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。
第一电极E1可位于第三层间绝缘层ILD3上。第一电极E1可通过第三层间绝缘层ILD3的接触孔而与连接电极CE连接，从而与漏电极DE电连接。
第一电极E1包括如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)这样的金属，也可包括如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电性氧化物(TCO)。第一电极E1可由包括金属物质或透明导电性氧化物的单一层或包括它们的多层形成。例如，第一电极E1可具有铟锡氧化物(ITO)/银(Ag)/铟锡氧化物(ITO)的三重膜结构。
由栅电极GE1、半导体层ACT、源电极SE和漏电极DE形成的晶体管与第一电极E1连接而向发光元件(例如，如上所述的发光二极管)供给电流。
分隔壁ILD4位于第三层间绝缘层ILD3和第一电极E1上。虽然未图示，但是间隔件(未图示)可位于分隔壁ILD4上。分隔壁ILD4具有与第一电极E1的至少一部分重叠且定义发光区域的像素定义层开口部。
分隔壁ILD4可包括如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)这样的一般通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。
发光层EML位于第一电极E1上。功能层(未图示)可位于发光层EML的上部和下部。功能层可包括第一功能层和第二功能层，第一功能层可包括空穴注入层(hole injectionlayer，HIL)和空穴传输层(hole transporting layer，HTL)中的至少一个，第二功能层可为包括电子传输层(electron transporting layer，ETL)和电子注入层(electroninjection layer，EIL)中的至少一个的多重膜。
第二电极E2位于发光层EML上。第二电极E2可包括含有钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)等的反射性金属或者如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电性氧化物(TCO)。
第一电极E1、发光层EML和第二电极E2可构成发光元件。在此，第一电极E1可为作为空穴注入电极的阳极，第二电极E2可为作为电子注入电极的阴极。然而，实施例并不一定限于此，根据显示装置DP的驱动方法，第一电极E1也可成为阴极，第二电极E2也可成为阳极。
空穴和电子分别从第一电极E1和第二电极E2被注入到发光层EML的内部，所注入的空穴和电子结合的激子(exciton)从激发态跃迁至基态时实现发光。
封装层ENC位于第二电极E2上。封装层ENC不仅可覆盖发光元件的上部面来进行密封，还可覆盖至发光元件的侧面来进行密封。由于发光元件非常容易受到水分和氧的影响，因此封装层ENC密封发光元件来阻断外部的水分和氧的流入。
封装层ENC可包括多个层，可形成为包括其中的无机层和有机层这两者的复合膜，作为一例，可形成为依次形成有第一封装无机层、封装有机层和第二封装无机层的三重层。
虽然在本说明书中未图示，但是还可包括位于第二电极E2与封装层ENC之间的盖层(capping layer)。盖层可包括有机物质。盖层从后续工序(例如，溅射工序)中保护第二电极E2，提高发光元件的出光效率。
朝向弯曲区域BA和第二区域NBA2延伸的有机物层IL可包括第二层间绝缘层ILD2、第三层间绝缘层ILD3和分隔壁ILD4。然而，并不限于此，有机物层IL可根据显示层DL的层叠结构而具有各种变形。
信号布线SL可包括位于与上部电极GE2相同的层的第一子信号布线SL1以及位于与连接电极CE相同的层的第二子信号布线SL2。然而，信号布线SL并不限于此，可根据显示层DL的层叠结构而具有各种变形，也可形成在与金属布线相同的任一层。信号布线SL可从第一区域NBA1开始延伸而经过弯曲区域BA延伸至第二区域NBA2。
以下，参照图5至图10，说明一实施例涉及的显示装置。图5、图6、图7、图8、图9和图10分别是一实施例涉及的显示装置的剖视图。以下，省略对于与前述的实施例相同的构成要素的说明。
首先，参照图5，一实施例涉及的第一基板L1的第一侧面L1-a可具有朝向弯曲区域BA倾斜的形态。即，第一基板L1的第一侧面L1-a可具有呈锥形的形态。
第一基板L1的第一侧面L1-a可具有第一角部E11和第二角部E12。此时，第一角部E11与第二角部E12之间的距离tb可为约30微米至约500微米。
第一基板L1可仅位于第一区域NBA1中，位于第二区域NBA2和弯曲区域BA中的玻璃基板可被去除。作为一例，去除玻璃基板的至少一部分的工序可使用蚀刻工序。通过蚀刻工序制造出的第一基板L1的末端可能会具有朝向第二基板L2呈锥形的形态。
接着，参照图6，一实施例涉及的玻璃残膜R可位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中。玻璃残膜R可在蚀刻工序中残留玻璃基板的一部分的同时形成。玻璃残膜R可具有相当薄的厚度，作为一例，可具有30微米以下的厚度。玻璃残膜R可具有不规则的形态。根据实施例，在完全去除位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中的玻璃基板的情况下，可不形成玻璃残膜R。
接着，参照图7，一实施例涉及的第一基板L1的一侧面可包括相对于第一基板L1的下部面倾斜的一面。在本说明书示出了所述一面平坦的形态，但是并不限于此，也可具有曲面形态。此外，第一基板L1的背面、所述倾斜的一面以及相对于第二基板L2的背面垂直的第一基板L1的侧面的一部分可形成预定角度，但是并不限于此，也可具有平滑的形态。所述倾斜的一面可与垂直于第二基板L2的背面的第一基板L1的一侧面形成第一角度θ1。所述第一角度θ1可大于90度且小于180度。
在图7中，第一基板L1可具有第一角部E11和第二角部E12。此时，如在图5中说明的那样，第一角部E11与第二角部E12之间的最小距离可为约30微米至约500微米。
接着，参照图8，一实施例涉及的显示装置DP还可包括位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中的保护层PL。保护层PL可保护位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中的第二基板L2。作为一例，保护层PL可阻断从外部流入到第二基板L2的水分和氧等。保护层PL可设置为膜或树脂的形态，但是并不限于此。
接着，参照图9，一实施例涉及的第二基板L2可与弯曲区域BA和第二区域NBA2重叠。第二基板L2可与第一区域NBA1间隔开。即，在第一区域NBA1中可仅设置刚性的第一基板L1，在弯曲区域BA和第二区域NBA2中可设置柔性的第二基板L2。此时，可具有第二基板L2的侧面与第一基板L1的侧面接触的形态，但是并不限于此。
接着，参照图10，与图9的显示装置DP相比，一实施例涉及的显示装置DP还可包括位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中的保护层PL。保护层PL可保护位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中的第二基板L2。作为一例，保护层PL可阻断从外部流入到第二基板L2的水分和氧等。保护层PL可设置为膜或树脂的形态，但是并不限于此。
以下，参照图11至图14，说明一实施例涉及的显示装置。图11、图12、图13和图14分别是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图。可省略对于与前述的构成要素相同的构成要素的说明。
首先，参照图11，一实施例涉及的基板SUB可包括位于第一区域NBA1中的第一基板L1以及经由第一区域NBA1、弯曲区域BA和第二区域NBA2而设置的第二基板L2。第二基板L2可位于第一基板L1上。
第一基板L1可为将包括硅(Si)元素的物质(例如，SiO2)作为主成分的玻璃材质的玻璃基板。第一基板L1可为不被弯曲的刚性(rigid)基板。
第二基板L2可包括有机物。作为一实施例，第二基板L2可包括如聚酰亚胺这样的塑料等有机绝缘物质。第二基板L2可为沿着弯曲轴弯曲的柔性基板。
在第一区域NBA1中，可配置位于第二基板L2上的显示层DL。显示层DL的具体的层叠结构如前述那样，但是根据实施例可省略阻挡层BL。
从显示层DL延伸的信号布线SL可沿着弯曲区域BA和第二区域NBA2延伸，可通过焊盘部PAD而与驱动器芯片IC电连接。
显示层DL可被与第一基板L1重叠的封装基板EG覆盖。图11的实施例的差异点在于，作为封装部件包括封装基板EG和密封部件FR来替代了前述的封装层ENC。
封装基板EG可与第一基板L1重叠。封装基板EG的宽度可与第一基板L1的宽度相同或小于第一基板L1的宽度。封装基板EG与基板SUB可通过密封部件FR结合，尤其是，封装基板EG与第二基板L2可通过密封部件FR结合。
密封部件FR可包围显示层DL。密封部件FR可在第二基板L2上被配置成包围显示层DL。由基板SUB、封装基板EG和密封部件FR定义的空间可与外部在空间上分离而防止外部的水分或杂质渗透。
封装基板EG可为玻璃基板或树脂基板。密封部件FR可包括如玻璃料这样的无机物或者包括如环氧树脂这样的有机物质。
接着，参照图12，一实施例涉及的显示装置可在图11中说明的显示装置的基础上还包括保护层PL。保护层PL可位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中的同时保护第二基板L2。作为一例，保护层PL可阻断从外部流入到第二基板L2的水分和氧等。保护层PL可被设置为膜或树脂的形态，但是并不限于此。
接着，参照图13，一实施例涉及的显示装置与图11中说明的显示装置的差异在于，第二基板L2与第一区域NBA1间隔开。第二基板L2可仅位于弯曲区域BA和第二区域NBA2中，第一基板L1可仅位于第一区域NBA1中。
接着，参照图14，一实施例涉及的显示装置可在图13中说明的显示装置的基础上还包括位于第二基板L2的背面上的保护层PL。
以下，参照图15至图17，说明一实施例涉及的显示装置的制造方法。图15、图16、图17分别是示出一实施例涉及的显示装置的制造方法的示意性平面图。省略对于与前述的构成要素相同的构成要素的说明。
在前述的附图的基础上参照图15，准备与第一区域NBA1、弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠的玻璃基板GS(a)。可在玻璃基板GS上依次形成前述的第二基板、显示层DL等。接着，在利用掩模MASK遮挡与第一区域NBA1重叠的区域之后，向弯曲区域BA和第二区域NBA2照射激光LASER(b)。然后，对于照射了激光LASER的弯曲区域BA和第二区域NBA2执行齿轮切割或激光切割等切割工序(c)。可去除与弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠的玻璃基板GS，形成与第一区域NBA1重叠的第一基板L1以及与第一区域NBA1、弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠的第二基板L2(d)。
接着，参照图16，准备与第一区域NBA1、弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠的玻璃基板GS。可在玻璃基板GS上依次形成前述的第二基板、显示层DL等。然后，在玻璃基板GS的背面上配置耐酸膜F(a)。接着，去除与弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠的耐酸膜F的一部分(b)。然后，蚀刻并去除被耐酸膜F露出的玻璃基板GS(c)，然后，去除耐酸膜F来形成与第一区域NBA1重叠的第一基板L1以及与第一区域NBA1、弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠的第二基板L2(d)。
接着，参照图17，可对于大面积玻璃基板实施在图16中说明的工序。在准备能够形成多个显示装置的大面积玻璃基板BGS之后，在大面积玻璃基板BGS的背面配置耐酸膜F(a)。接着，对于各个显示装置去除与弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠的耐酸膜F的一部分(b)。然后，蚀刻被耐酸膜F′露出的大面积玻璃基板BGS(c)，在蚀刻工序之后去除耐酸膜F′(d)，切割成各个显示装置(e)。由此，各个显示装置可包括与第一区域NBA1重叠的玻璃材质的第一基板L1以及与第一区域NBA1、弯曲区域BA及第二区域NBA2重叠的第二基板L2。
以下，参照图18至图21，说明实施例涉及的显示装置。图18、图19、图20和图21分别是对于根据实施例制造出的基板的部分区域的图像。
首先，参照图18，确认到实施例涉及的第二基板的一部分包括碳化区域。在通过激光照射工序去除位于弯曲区域和第二区域中的玻璃基板的情况下，确认到位于弯曲区域和第二区域中的第二基板的一部分被碳化。
接着，参照图19，确认到在向位于弯曲区域和第二区域中的玻璃基板照射激光之后通过切割工序去除玻璃基板的一部分的情况下，相当于玻璃基板的第一基板的侧面如左侧(齿轮切割)那样包括凹凸或者如右侧(激光切割)那样表现出特有的表面纹理。
接着，参照图20，确认到在利用蚀刻工序去除位于弯曲区域和第二区域中的玻璃基板的情况下，第一基板的末端具有朝向第二基板呈锥形的形态。如图20所示，第一基板的呈锥形部分的两个角部之间的最小距离是138.76μm。
此外，如图21所示，确认到在利用蚀刻工序去除位于弯曲区域和第二区域中的玻璃基板的情况下，玻璃残膜残留在第二区域和弯曲区域中的至少一部分中。
以上，详细说明了本发明的实施例，但是本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中定义的本发明的基本概念进行的各种变形和改良形态也属于本发明的权利范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
第一基板，与配置有显示层的第一区域重叠且是玻璃材质；
第二基板，配置在所述第一基板上，与弯曲区域及第二区域重叠且被弯曲；
有机物层，配置在所述弯曲区域和所述第二区域中；
封装层，位于所述显示层上；以及
信号布线，从所述显示层开始延伸而位于所述弯曲区域和所述第二区域中，
所述第一基板与所述第二区域间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二基板经由所述第一区域、所述弯曲区域和所述第二区域而设置，
所述显示装置还包括：阻挡层，在所述第一区域中位于所述第二基板上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一基板与位于所述第二区域中的所述第二基板至少部分重叠，位于所述第二区域中的所述第二基板和所述第一基板结合。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一基板包括与所述弯曲区域相邻的第一侧面，
所述第一侧面具有凹凸。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二基板包括与所述弯曲区域及所述第二区域重叠的碳化区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述碳化区域所包括的碳含量大于所述第二基板的其余区域所包括的碳含量。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述碳化区域的厚度是20纳米至40纳米。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一基板包括与所述弯曲区域相邻的第一侧面，
所述第一侧面具有相对于所述第二基板的一面倾斜的形状。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第一侧面的第一角部与第二角部之间的距离是30微米至500微米。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
与所述弯曲区域及所述第二区域中的至少一部分重叠的玻璃残膜位于所述第二基板的背面上。
11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
保护层，与所述弯曲区域及所述第二区域重叠。
12.一种显示装置，包括：
第一基板，与配置有显示层的第一区域重叠；
第二基板，与弯曲区域及第二区域重叠；
有机物层，配置在所述弯曲区域和所述第二区域中；
封装层，位于所述显示层上；以及
信号布线，从所述显示层开始延伸而与所述弯曲区域及所述第二区域重叠，
所述第二基板包括与所述弯曲区域及所述第二区域至少部分重叠的碳化区域。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述碳化区域的厚度是20纳米至40纳米。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第一基板不与所述弯曲区域及所述第二区域重叠。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第二基板经由所述第一区域、所述弯曲区域和所述第二区域而设置。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第二基板经由所述弯曲区域和所述第二区域而设置且与所述第一区域间隔开。
17.根据权利要求12所述的显示装置，还包括：
保护层，在所述弯曲区域和所述第二区域中位于所述第二基板的背面。
18.一种显示装置，包括：
第一基板，与配置有显示层的第一区域重叠且是玻璃材质；
第二基板，与弯曲区域及第二区域重叠且具有柔性；
有机物层，配置在所述弯曲区域和所述第二区域中；
封装层，位于所述显示层上；以及
信号布线，从所述显示层开始延伸而与所述弯曲区域及所述第二区域重叠，
所述第一基板的末端具有朝向所述弯曲区域呈锥形的形态。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
与所述弯曲区域及所述第二区域中的至少一部分重叠的玻璃残膜位于所述第二基板的背面上。
20.根据权利要求18所述的显示装置，还包括：
保护层，与所述弯曲区域及所述第二区域重叠。
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