CN116724269A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置。根据实施方式，显示装置包括：第1基板，其具备沿着第1方向延伸的扫描线、沿着第2方向延伸的信号线、具备漏电极的开关元件、与漏电极的一端部电连接的第1连接电极、与第1连接电极重叠并与第1连接电极电连接的像素电极、和与第1连接电极分离并配置在像素电极周围的供电线；第2基板，其具备具有侧面的第2透明基板、和与像素电极相对的公共电极；液晶层，其配置在第1基板与第2基板之间，并包含高分子分散型液晶；以及发光模块，其沿着侧面配置，供电线具有沿着第2方向延伸的侧缘，第1连接电极是由与供电线相同的材料形成的透明电极，且沿着第1方向延伸并具有与侧缘相对的端部。

Description

显示装置

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置。

背景技术

近年来，已经提出了多种使用了能够在使入射光散射的散射状态和使入射光透过的透明状态之间切换的高分子分散型液晶的装置。在一例中，记载了一种显示装置，其具备第1透光性基板、第2透光性基板、具有封入第1透光性基板与第2透光性基板之间的高分子分散型液晶的液晶层、和与第1透光性基板及第2透光性基板的至少一个侧面相对配置的至少一个发光部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-021974号公报

专利文献2：日本特开2020-091400号公报

发明内容

发明要解决的课题

实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置。

用于解决课题的手段

根据一个实施方式，显示装置具备：

第1基板，其包括：第1透明基板、沿着第1方向延伸的扫描线、沿着与所述第1方向相交叉的第2方向延伸的信号线、具备在所述第2方向上延伸的漏电极并与所述扫描线及所述信号线电连接的开关元件、与所述漏电极的一端部电连接的第1连接电极、与所述第1连接电极重叠并与所述第1连接电极电连接的像素电极、和与所述第1连接电极分离并配置在所述像素电极的周围的供电线；第2基板，其具备：具有侧面的第2透明基板和与所述像素电极相对的公共电极；液晶层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，并包含高分子分散型液晶；和发光模块，其沿着所述侧面配置，所述供电线具有沿着所述第2方向延伸的侧缘，所述第1连接电极是由与所述供电线相同的材料形成的透明电极，且沿着所述第1方向延伸并具有与所述侧缘相对的端部。

发明效果

根据实施方式，能够提供能抑制可靠性降低的显示装置。

附图说明

图1是示出实施方式的显示装置DSP的一例的俯视图。

图2是示出发光模块100附近的区域的俯视图。

图3是示出像素PX的一例的俯视图。

图4是示出图3所示的像素PX中配置的像素电极PE的一例的俯视图。

图5是示出图4所示的开关元件SW的一例的俯视图。

图6是示出沿着图5所示的A-B线的包含第1基板SUB1的显示面板PNL的一例的剖视图。

图7是示出沿着图5所示的C-D线的第1基板SUB1的一例的剖视图。

图8是示出图3所示的绝缘膜IL及遮光层BM的一例的俯视图。

图9是示出另一构成例的俯视图。

图10是示出沿着图9所示的A-B线的包含第1基板SUB1的显示面板PNL的一例的剖视图。

图11是显示装置DSP的剖视图。

具体实施方式

以下参照附图来说明本实施方式。需要说明的是，公开文本只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。

图1是示出本实施方式的显示装置DSP的一例的俯视图。在一例中，第1方向X、第2方向Y及第3方向Z相互正交，但也可以以90度以外的角度相交叉。第1方向X及第2方向Y相当于与构成显示装置DSP的基板的主面平行的方向，第3方向Z相当于显示装置DSP的厚度方向。在本实施方式中，将观察由第1方向X及第2方向Y规定的X-Y平面的情形称为俯视观察。

显示装置DSP具备显示面板PNL、布线基板1、IC芯片2、发光模块100。

显示面板PNL具备第1基板SUB1、第2基板SUB2、包含高分子分散型液晶的液晶层LC及密封部SE。第1基板SUB1及第2基板SUB2形成为沿着X-Y平面的平板状。第1基板SUB1与第2基板SUB2在俯视观察时重叠。第1基板SUB1与第2基板SUB2重叠的区域包含显示图像的显示区域DA。

第1基板SUB1具备第1透明基板10，第2基板SUB2具备第2透明基板20。第1透明基板10具有沿着第1方向X的侧面101及102、和沿着第2方向Y的侧面103及104。第2透明基板20具有沿着第1方向X的侧面201及202、和沿着第2方向Y的侧面203及204。

在图1所示的例子中，在俯视观察时，侧面102及202、侧面103及203、以及侧面104及204分别重叠，但也可以不重叠。侧面201与侧面101不重叠，位于侧面101与显示区域DA之间。第1基板SUB1在侧面101与侧面201之间具有延出部Ex。也就是说，延出部Ex相当于第1基板SUB1之中从与第2基板SUB2重叠的部分起在第2方向Y上延伸的部分，与第2基板SUB2不重叠。

另外，在图1所示的例子中，显示面板PNL形成为在第1方向X上延伸的长方形状。也就是说，侧面101及102、以及侧面201及202是沿着显示面板PNL的长边的侧面，侧面103及104以及侧面203及204是沿着显示面板PNL的短边的侧面。需要说明的是，显示面板PNL可以形成为在第2方向Y上延伸的长方形状，可以形成为正方形状，也可以形成为其他多边形状、或者圆形状、椭圆形状等其他形状。

布线基板1及IC芯片2安装于延出部Ex。布线基板1例如是能够弯折的柔性印刷电路基板。IC芯片2例如内置有输出图像显示所需的信号的显示驱动器等。需要说明的是，IC芯片2也可以安装于布线基板1。在图1所示的例子中，在显示面板PNL上安装有在第1方向X上排列的多个布线基板1，但也可以安装有在第1方向X上延伸的单个布线基板1。另外，在显示面板PNL上，安装有在第1方向X上排列的多个IC芯片2，也可以安装有在第1方向X上延伸的单个IC芯片2。

发光模块100的详细情况在后叙述，发光模块100在俯视观察时与延出部Ex重叠，并沿着第2透明基板20的侧面201配置。

密封部SE将第1基板SUB1与第2基板SUB2粘接。另外，密封部SE形成为矩形框状，在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间包围液晶层LC。

将液晶层LC保持在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间。这样的液晶层LC在俯视观察时遍及由密封部SE包围的区域(包含显示区域DA)而被配置。

如图1中示意性放大所示，液晶层LC包含聚合物31和液晶分子32。在一例中，聚合物31为液晶性聚合物。聚合物31形成为沿着第1方向X延伸的筋状，在第2方向Y上排列。液晶分子32分散于聚合物31的间隙，并使其长轴以沿着第1方向X的方式取向。聚合物31及液晶分子32各自具有光学各向异性或折射率各向异性。聚合物31对电场的响应性低于液晶分子32对电场的响应性。

在一例中，聚合物31的取向方向无论有无电场均几乎不变。另一方面，在液晶层LC被施加了阈值以上的高电压的状态下，液晶分子32的取向方向根据电场而变化。在液晶层LC未被施加电压的状态(初始取向状态)下，聚合物31及液晶分子32各自的光轴大致相互平行，射入液晶层LC的光几乎全部透过液晶层LC(透明状态)。在液晶层LC被施加了电压的状态下，液晶分子32的取向方向变化，聚合物31及液晶分子32各自的光轴相互交叉。因此，射入液晶层LC的光在液晶层LC内散射(散射状态)。

图2是示出发光模块100附近的区域的俯视图。发光模块100具备多个发光元件110和导光体120。多个发光元件110沿着第1方向X排列。导光体120形成为第1方向X上延伸的棒状。导光体120位于密封部SE与发光元件110之间。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上排列为矩阵状的多个像素PX。这些像素PX在图中以虚线表示。另外，各像素PX具备在图中以实线的四边形表示的像素电极PE。

如图2中放大所示，各像素PX具备开关元件SW。开关元件SW例如由薄膜晶体管(TFT)构成，与扫描线G及信号线S电连接。扫描线G与在第1方向X上排列的各像素PX中的开关元件SW电连接。信号线S与在第2方向Y上排列的各像素PX中的开关元件SW电连接。像素电极PE与开关元件SW电连接。

公共电极CE及供电线CL遍及显示区域DA及其周边区域而被配置。对公共电极CE施加规定的电压Vcom。对供电线CL施加例如与公共电极CE相同电位的电压。

各像素电极PE在第3方向Z上与公共电极CE相对。在显示区域DA中，液晶层LC(特别是液晶分子32)由在像素电极PE与公共电极CE之间产生的电场驱动。电容CS例如形成在供电线CL与像素电极PE之间。

如在后所说明的，扫描线G、信号线S、供电线CL、开关元件SW及像素电极PE被设置于第1基板SUB1，公共电极CE被设置于第2基板SUB2。

图3是示出像素PX的一例的俯视图。在此，仅图示第1基板SUB1中包含的一部分构成。

第1基板SUB1具备多条扫描线G、多条信号线S、开关元件SW、供电线CL、金属线ML、绝缘膜IL、连接电极(第1连接电极)CN1。

如上所述，多条扫描线G分别在第1方向X上延伸。多条信号线S分别在第2方向Y上延伸，并与多条扫描线G相交叉。在本说明书中，像素PX与由邻接的两条扫描线G和邻接的两条信号线S规定出的区域相当。开关元件SW被配置在扫描线G与信号线S的交叉部。

绝缘膜IL在各像素PX中形成为规定开口部OP的格子状。绝缘膜IL例如为有机绝缘膜。绝缘膜IL分别与扫描线G、信号线S及开关元件SW重叠。其中，开关元件SW的漏电极DE延伸至开口部OP。连接电极CN1形成为岛状，位于开口部OP，并与漏电极DE的一端部电连接。

供电线CL配置在绝缘膜IL之上，形成为包围像素PX的格子状。供电线CL的平面形状与绝缘膜IL的平面形状大致相同。供电线CL与连接电极CN1分离。供电线CL的开口部OPC与绝缘膜IL的开口部OP重叠。金属线ML配置在供电线CL之上，形成为包围像素PX的格子状。金属线ML形成为具有比供电线CL小的宽度，在俯视观察时不从供电线CL伸出。这些供电线CL及金属线ML分别与扫描线G、信号线S及开关元件SW重叠。

图4是示出图3所示的像素PX中配置的像素电极PE的一例的俯视图。由单点划线表示的像素电极PE与供电线CL的开口部OPC重叠。另外，像素电极PE的周缘部与供电线CL重叠。在像素电极PE与供电线CL之间夹入有绝缘膜，图2所示的电容CS形成在像素电极PE的周缘部与供电线CL之间。

连接电极CN1位于开口部OPC。像素电极PE在开口部OPC中与连接电极CN1重叠。在介于像素电极PE与连接电极CN1之间的绝缘膜中形成有接触孔CH1。像素电极PE在接触孔CH1中与连接电极CN1相接。由此，像素电极PE与开关元件SW电连接。

需要说明的是，图4以虚线图示出了设置于第2基板SUB2的遮光层BM。遮光层BM形成为格子状，在俯视观察时与供电线CL、开关元件SW、连接电极CN1的一部分等重叠。当然，遮光层BM也与图3中示出的扫描线G、信号线S及金属线ML重叠。另外，遮光层BM具有在俯视观察时与像素电极PE重叠的开口AP。如后所述，接触孔CH1位于开口AP。

图5是示出图4所示的开关元件SW的一例的俯视图。开关元件SW具备半导体SC、与扫描线G一体的栅电极GE、与信号线S一体的源电极SO、漏电极DE、和辅助栅电极AG。由单点划线表示的供电线CL与开关元件SW重叠。

半导体SC例如为氧化物半导体，但也可以是多晶硅、非晶硅。在图5所示的例子中，三个半导体SC与栅电极GE重叠，并隔开间隔地沿着第2方向Y排列。辅助栅电极AG与栅电极GE及半导体SC重叠。半导体SC位于栅电极GE与辅助栅电极AG之间。辅助栅电极AG进一步与扫描线G重叠。在扫描线G与辅助栅电极AG之间夹入有连接电极CN2。

在介于扫描线G与连接电极CN2之间的绝缘膜中形成有接触孔CH21。连接电极CN2在接触孔CH21中与扫描线G相接。在介于连接电极CN2与辅助栅电极AG之间的绝缘膜中形成有接触孔CH22。辅助栅电极AG在接触孔CH22中与连接电极CN2相接。由此，辅助栅电极AG与栅电极GE同样地与扫描线G电连接。也就是说，栅电极GE及辅助栅电极AG与扫描线G为相同的电位。

源电极SO及漏电极DE分别沿着第2方向Y延伸，并隔开间隔地沿着第1方向X排列。源电极SO与半导体SC各自的一端侧相接。漏电极DE与半导体SC各自的另一端侧相接。漏电极DE在中途弯曲，延伸至开口部OPC。

漏电极DE的一端部DEA位于开口部OPC，与连接电极(第2连接电极)CN3重叠。在介于漏电极DE与连接电极CN3之间的绝缘膜中形成有接触孔CH3。漏电极DE在接触孔CH3中与连接电极CN3相接。

由单点划线表示的连接电极CN1与连接电极CN3相接。由此，连接电极CN1与开关元件SW电连接，在接触孔CH1中与图4所示的像素电极PE电连接。需要说明的是，如后所述，连接电极CN1是由与供电线CL相同的材料形成的透明电极，另外，漏电极DE及连接电极CN3由金属材料形成。

连接电极CN1形成为沿着第1方向X延伸的宽度长的方式，具有与供电线CL中的沿着第2方向Y延伸的侧缘CLE相对的端部SS。在一例中，端部SS与连接电极CN1中的、沿着第2方向Y延伸的短边相当。另外，连接电极CN1除了短边(端部)SS以外，还具有沿着第1方向延伸的长边LS1及LS2、沿着与第1方向X及第2方向Y相交叉的斜向延伸的斜边OS1及OS2。斜边OS1将短边SS与长边LS1连接，斜边OS2将短边SS与长边LS2连接。

在俯视观察时，接触孔CH1形成在与漏电极DE及连接电极CN3不重叠的位置。接触孔CH3及接触孔CH1在第1方向X上排列。另外，漏电极DE与接触孔CH1、或连接电极CN3与接触孔CH1在第1方向X上排列。接触孔CH3、漏电极DE及连接电极CN3在第1方向X上位于供电线CL与接触孔CH1之间。

另外，在俯视观察时，短边SS位于供电线CL与漏电极DE(或连接电极CN3)之间。短边SS与漏电极DE之间的沿着第1方向X的距离D1小于短边SS与供电线CL之间的沿着第1方向X的距离D2。

供电线CL具有在俯视观察时与连接电极CN1相对的凹部CC。也就是说，供电线CL的沿着第2方向Y延伸的侧缘CLE的一部分凹陷。换言之，就沿着第2方向Y延伸的供电线CL的沿着第1方向X的宽度而言，与连接电极CN1邻接的部分的宽度小于其他部分的宽度。因此，与侧缘CLE形成为直线状的情况相比，能够增大供电线CL与连接电极CN1的距离D2。

需要说明的是，图5中以虚线图示出遮光层BM。遮光层BM在俯视观察时与漏电极DE、连接电极CN3及接触孔CH3重叠，且与接触孔CH1不重叠。也就是说，接触孔CH1位于遮光层BM的开口AP。总之，连接电极CN1如上所述为透明电极，但连接电极CN1中的、与由金属材料形成的漏电极DE及连接电极CN3重叠的部分与遮光层BM重叠，连接电极CN1的其他部分与开口AP重叠。

图6是示出沿着图5所示的A-B线的包含第1基板SUB1的显示面板PNL的一例的剖视图。第1基板SUB1具备第1透明基板10、绝缘膜11至13、绝缘膜IL、开关元件SW、供电线CL、金属线ML、像素电极PE及取向膜AL1。

与扫描线G一体的栅电极GE配置在第1透明基板10之上。绝缘膜11覆盖第1透明基板10及栅电极GE。半导体SC配置在绝缘膜11之上，位于栅电极GE的正上方。与信号线S一体的源电极SO及漏电极DE配置在绝缘膜11之上，分别与半导体SC相接。这些源电极SO及漏电极DE由相同的金属材料形成。绝缘膜12覆盖绝缘膜11、源电极SO及漏电极DE。另外，绝缘膜12在源电极SO与漏电极DE之间与半导体SC相接。

辅助栅电极AG配置在绝缘膜12之上，位于栅电极GE及半导体SC的正上方。连接电极CN3配置在绝缘膜12之上，在形成于绝缘膜12的接触孔CH3中与漏电极DE相接。辅助栅电极AG及连接电极CN3由相同的金属材料形成。绝缘膜IL覆盖辅助栅电极AG。另一方面，连接电极CN3位于开口部OP，从绝缘膜IL露出。

供电线CL配置在绝缘膜IL之上。连接电极CN1与供电线CL分离，在绝缘膜IL的开口部OP、或供电线CL的开口部OPC中配置在绝缘膜12之上。也就是说，该供电线CL及连接电极CN1实质上位于同一层，使用相同的材料一并形成。连接电极CN1配置在连接电极CN3之上，与连接电极CN3相接。

金属线ML配置在供电线CL之上，与供电线CL相接。绝缘膜13覆盖供电线CL、金属线ML及连接电极CN1。另外，绝缘膜13在供电线CL与连接电极CN1之间与绝缘膜12相接。

像素电极PE配置在绝缘膜13之上，在形成于绝缘膜13的接触孔CH1中与连接电极CN1相接。像素电极PE的周缘部隔着绝缘膜13与供电线CL及金属线ML相对。取向膜AL1覆盖像素电极PE及绝缘膜13。

绝缘膜11至13例如为硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等透明的无机绝缘膜。绝缘膜IL例如为丙烯酸树脂等透明的有机绝缘膜。供电线CL、连接电极CN1及像素电极PE是由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等透明导电材料形成的透明电极。也就是说，在接触孔CH1中相互相接的连接电极CN1及像素电极PE均透明。

第2基板SUB2具备第2透明基板20、遮光层BM、公共电极CE、保护层(overcoatlayer)OC和取向膜AL2。

遮光层BM配置在第2透明基板20的内表面20A。遮光层BM隔着液晶层LC与开关元件SW、绝缘膜IL、供电线CL、金属线ML、连接电极CN3、接触孔CH3等相对。遮光层BM的开口AP隔着液晶层LC与像素电极PE、接触孔CH1等相对。公共电极CE与遮光层BM重叠，在开口AP中配置于内表面20A，隔着液晶层LC与像素电极PE相对。保护层OC为透明的有机绝缘膜，覆盖公共电极CE。取向膜AL2覆盖保护层。其中，在第2基板SUB2中，保护层OC也可以省略。在该情况下，取向膜AL2直接覆盖公共电极CE。

图7是示出沿着图5所示的C-D线的第1基板SUB1的一例的剖视图。连接电极CN2配置在绝缘膜11之上，在形成于绝缘膜11的接触孔CH21中与扫描线G相接。连接电极CN2由与源电极SO及漏电极DE相同的金属材料形成。绝缘膜12覆盖绝缘膜11、连接电极CN2、源电极SO及漏电极DE。辅助栅电极AG配置在绝缘膜12之上，在形成于绝缘膜12的接触孔CH22中与连接电极CN2相接。

如上所述，供电线CL及连接电极CN1实质上配置于同一层，是使用相同的材料以同一工序形成的，要求相互电绝缘。在本实施方式中，连接电极CN1具有沿着第1方向X延伸并与沿着第2方向Y延伸的供电线CL的侧缘CLE相对的端部或短边SS。因此，相比于侧缘CLE与连接电极CN1的长边LS1相对的情况而言，能够降低供电线CL与连接电极CN1短路的风险。

而且，供电线CL具有与连接电极CN1相对的凹部CC。因此，与侧缘CLE形成为直线状的情况相比，能够将供电线CL与连接电极CN1之间的距离扩大，能够进一步降低供电线CL与连接电极CN1短路的风险。因此，能够抑制可靠性降低。

供连接电极CN1与像素电极PE相接的接触孔CH1形成在与漏电极DE及连接电极CN3不重叠的位置。遮光层BM与漏电极DE及连接电极CN3重叠，且与接触孔CH1不重叠。漏电极DE及连接电极CN3由金属材料形成，而漏电极DE及连接电极CN3处的不期望的反射光被遮光层BM遮光。因此，由不期望的反射光引起的显示品质降低得到抑制。

另外，形成为透明电极的连接电极CN1及像素电极PE的反射率小于形成为金属电极的漏电极DE及连接电极CN3的反射率。因此，即使包含接触孔CH1的区域与开口AP重叠，连接电极CN1及像素电极PE处的不期望的反射光对显示品质的影响也几乎能够忽略。相反，包含接触孔CH1的区域与开口AP重叠，由此有助于显示的面积增加，能够提高显示图像的亮度。

图8是示出图3所示的绝缘膜IL及遮光层BM的一例俯视图。作为有机绝缘膜的绝缘膜IL如上所述形成为规定开口部OP的格子状。绝缘膜IL具有沿着第1方向X延伸的部分ILX、和沿着第2方向Y延伸的部分ILY。

以虚线表示的遮光层BM形成为格子状，在俯视观察时与绝缘膜IL重叠。遮光层BM具有沿着第1方向X延伸的部分BMX、和沿着第2方向Y延伸的部分BMY。部分BMX的宽度大于部分ILX的宽度，部分BMX与部分ILX中的沿着第1方向X延伸的第1侧缘XE重叠。部分BMY的宽度小于部分ILY的宽度，部分BMY与部分ILY中的、沿着第2方向Y延伸的第2侧缘YE不重叠。

从发光模块100射出的光L1沿着第2方向Y传播。此时，在绝缘膜IL中的、与光L1的传播方向大致正交的第1侧缘XE附近，即使产生不期望的散射，也被与部分ILX重叠的部分BMX遮光。因此，能够抑制显示品质下降。

需要说明的是，在绝缘膜IL中的、与光L1的传播方向大致平行的第2侧缘YE附近几乎未产生散射。因此，第2侧缘YE附近的不期望的散射光对显示品质的影响几乎可以忽略。相反，第2侧缘YE附近与开口AP重叠，由此，有助于显示的面积增加，能够提高显示图像的亮度。

接下来，说明其他构成例。

图9是示出另一构成例的俯视图。开关元件SW的构成与图5所示的例子相同，省略说明。

图9所示的构成例与图5所示的例子相比，在省略了连接电极CN1及连接电极CN3的方面不同。也就是说，图4所示的像素电极PE在与漏电极DE的一端部DEA重叠的接触孔CH11中与漏电极DE相接，与开关元件SW电连接。以虚线表示的遮光层BM在俯视观察时与漏电极DE及接触孔CH11重叠。

图10是示出沿着图9所示的A-B线的包含第1基板SUB1的显示面板PNL的一例的剖视图。在此，主要说明与图6中示出的例子的区别。

绝缘膜12在绝缘膜IL的开口部OP中具有贯通至漏电极DE的接触孔CH11。绝缘膜13覆盖供电线CL、金属线ML、连接电极CN1及绝缘膜12。绝缘膜13在开口部OP中具有贯通至绝缘膜12的接触孔CH12。接触孔CH12与接触孔CH11重叠。

像素电极PE配置在绝缘膜13之上，在接触孔CH12中与绝缘膜12相接，此外，在接触孔CH11中与漏电极DE相接。遮光层BM隔着液晶层LC与开关元件SW、绝缘膜IL、供电线CL、金属线ML、漏电极DE、接触孔CH11及CH12等相对。遮光层BM的开口AP隔着液晶层LC与像素电极PE等相对。

在这样的另一构成例中，也能够获得与上述相同的效果。另外，由于省略连接电极CN1，因此能够防止供电线CL与像素电极PE短路。

接下来，说明本实施方式的显示装置DSP的一个构成例。

图11是显示装置DSP的剖视图。需要说明的是，显示面板PNL仅简化图示主要部分。

显示面板PNL除了第1基板SUB1及第2基板SUB2以外还具备第3透明基板30。第3透明基板30的内表面30A在第3方向Z上与第2透明基板20的外表面20B相对。粘接层AD将第2透明基板20与第3透明基板30粘接。第3透明基板30例如为玻璃基板，但也可以是塑料基板等绝缘基板。第3透明基板30具有与第1透明基板10及第2透明基板20相同的折射率。粘接层AD具有与第2透明基板20及第3透明基板30各自相同的折射率。

第3透明基板30的侧面301位于第2透明基板20的侧面201的正上方。发光模块100的发光元件110与布线基板F电连接，在第3方向Z上设置在第1基板SUB1与布线基板F之间。导光体120在第2方向Y上设置在发光元件110与侧面201之间、以及发光元件110与侧面301之间。导光体120通过粘接层AD1粘接于布线基板F，并通过粘接层AD2粘接于第1基板SUB1。

接下来，参照图11说明从发光元件110射出的光L1。

发光元件110朝向导光体120射出光L1。从发光元件110射出的光L1沿着表示第2方向Y的箭头的方向传播，穿过导光体120从侧面201入射至第2透明基板20，并从侧面301入射至第3透明基板30。射入第2透明基板20及第3透明基板30的光L1被反复反射的同时在显示面板PNL的内部传播。射入未被施加电压的液晶层LC中的光L1几乎无散射地透过液晶层LC。另外，射入被施加了电压的液晶层LC的光L1由液晶层LC散射。

这样的显示装置DSP能够从第1透明基板10的外表面10A侧观察，且还能够从第3透明基板30的外表面30B侧观察。另外，无论是在从外表面10A侧观察显示装置DSP的情况下还是在从外表面30B侧观察的情况下，均能够隔着显示装置DSP观察显示装置DSP的背景。

如以上说明，根据本实施方式，能够提供能够抑制可靠性降低的显示装置。

需要说明的是，对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提出的，并非意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他多种方式实施，能够在不脱离发明要旨的范围内进行多种省略、置换、变更。这些实施方式、其变形包含在发明的范围、要旨中，且包含在权利要求书记载的发明及其等同范围内。

附图标记说明

DSP…显示装置PNL…显示面板DA…显示区域PX…像素SUB1…第1基板10…第1透明基板PE…像素电极SW…开关元件DE…漏电极G…扫描线S…信号线

CL…供电线CLE…侧缘CC…凹部

CN1…连接电极(第1连接电极)CN3…连接电极(第2连接电极)

SUB2…第2基板20…第2透明基板CE…公共电极

LC…液晶层30…第3透明基板

100…发光模块110…发光元件

Claims (8)

1.显示装置，其具备：

第1基板，其包括：第1透明基板、沿着第1方向延伸的扫描线、沿着与所述第1方向相交叉的第2方向延伸的信号线、具备在所述第2方向上延伸的漏电极并与所述扫描线及所述信号线电连接的开关元件、与所述漏电极的一端部电连接的第1连接电极、与所述第1连接电极重叠并与所述第1连接电极电连接的像素电极、和与所述第1连接电极分离并配置在所述像素电极的周围的供电线；

第2基板，其具备：具有侧面的第2透明基板、和与所述像素电极相对的公共电极；

液晶层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，并包含高分子分散型液晶；和

发光模块，其沿着所述侧面配置，

所述供电线具有沿着所述第2方向延伸的侧缘，

所述第1连接电极是由与所述供电线相同的材料形成的透明电极，且沿着所述第1方向延伸并具有与所述侧缘相对的端部。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

在俯视观察时，供所述第1连接电极与所述像素电极相接的接触孔形成在与所述漏电极不重叠的位置，

所述漏电极在所述第1方向上位于所述供电线与所述接触孔之间。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述端部是沿着所述第2方向延伸的短边，

所述短边在俯视观察时位于所述供电线与所述漏电极之间，

所述短边与所述漏电极之间的距离小于所述短边与所述供电线之间的距离。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述供电线具有在俯视观察时与所述第1连接电极相对的凹部。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第2基板进一步具备遮光层，

所述遮光层在俯视观察时与所述漏电极重叠、且与所述接触孔不重叠。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第1基板进一步具备介于所述漏电极和所述第1连接电极之间的第2连接电极，

所述第2连接电极在所述第1方向上位于所述供电线与所述接触孔之间。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第2基板进一步具备遮光层，

所述遮光层在俯视观察时与所述第2连接电极重叠、且与所述接触孔不重叠。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第1基板进一步具备与所述扫描线、所述信号线及与所述开关元件重叠的有机绝缘膜，

所述有机绝缘膜具有沿着所述第1方向延伸的第1侧缘、和沿着所述第2方向延伸的第2侧缘，

所述第2基板进一步具备遮光层，

所述遮光层在俯视观察时与所述第1侧缘重叠、且与所述第2侧缘不重叠。