CN116722433B - 一种输出能量不变的皮秒再生放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种输出能量不变的皮秒再生放大器，包括：种子源、光学隔离系统、再生放大腔、以及与再生放大腔电连接的能量控制器，其中：光学隔离系统置于种子源和再生放大腔之间，用以将种子源发出的激光脉冲通过光学隔离系统导入到再生放大腔内进行能量放大，激光脉冲能量达到阈值后再由光学隔离系统导向外界；能量控制器通过信号线与再生放大腔连接，当再生放大腔内激光脉冲重复频率发生改变时，能量控制器调控再生放大腔，使激光脉冲在再生放大腔内反复振荡放大后，激光脉冲能量保持不变。本发明通过能量控制器自动调节再生腔增益和放大效率，使激光输出单脉冲能量保持不变。
Description
技术领域
本发明涉及激光器领域，尤其涉及一种输出能量不变的皮秒再生放大器。
背景技术
皮秒脉冲激光具有脉宽窄，峰值功率高，光束质量好等特点，在工业加工领域有着广泛应用。其超短脉冲，不会对材料造成热破坏的“冷加工”特性，特别适用于材料的高精细加工。
目前获得高重频大能量的皮秒激光主要采用对皮秒种子激光进行多次放大的技术方案，通常采用行波放大或再生放大技术路线。行波放大，种子激光经过多级放大系统，可将皮秒种子激光能量放大到毫焦级，也是目前国内外激光公司普遍采用的技术路线，但该系统结构复杂，各放大级间模式匹配困难，改变频率时，激光能量和光斑模式会大幅度变化，甚至会损伤激光器元件，造成激光器无法正常出光，严重影响加工效果。常规的再生放大，系统结构简单，通过控制高压Q开关的开关时间，调整种子光在再生腔内放大次数，同样可获得高单脉冲能量激光输出，但改变频率后，再生放大能量会大幅发生变化，有时会因“倍周期”现象导致再生放大光频率减半，能量加倍，对材料造成破坏。
发明内容
根据现有技术中存在的问题，本发明提供一种输出能量不变的皮秒再生放大器，改变皮秒激光重复频率时，激光单脉冲能量保持不变。
本发明的技术方案如下：
一种输出能量不变的皮秒再生放大器，包括：
种子源、光学隔离系统、再生放大腔、以及与再生放大腔电连接的能量控制器，其中：
光学隔离系统置于种子源和再生放大腔之间，用以将种子源发出的激光脉冲通过光学隔离系统导入到再生放大腔内进行能量放大，激光脉冲能量达到阈值后再由光学隔离系统导向外界；
能量控制器通过信号线与再生放大腔连接，当再生放大腔内所述激光脉冲重复频率发生改变时，能量控制器调控再生放大腔，使激光脉冲在再生放大腔内反复振荡放大后，激光脉冲能量保持不变；
其中，能量控制器被配置为基于再生放大腔内激光脉冲重复频率数据，自动调用储存的泵浦能量和脉宽参数，以对再生放大腔进行调控；储存的泵浦能量和脉宽参数为，基于相同的激光脉冲能量，在不同激光脉冲重复频率下对应采集到的调控所述再生放大腔的数据参数。
作为优选的技术方案，再生放大腔包括半导体激光器、电光Q开关；
能量控制器通过导线与半导体激光器和电光Q开关电连接，能量控制器通过调控半导体激光器的泵浦能量，和/或电光Q开关的加压时间或加压频率，以实现激光脉冲能量保持不变。
作为优选的技术方案，储存的泵浦能量和脉宽参数为，基于相同的激光脉冲能量，在不同激光脉冲重复频率下对应采集到的半导体激光器的泵浦能量参数、和/或电光Q开关的加压时间或加压频率参数。
作为优选的技术方案，光学隔离系统包括沿种子源发出的激光脉冲光路方向依次设置的第一偏振片、第一45°旋光器、第一1/2波片、第二偏振片、第二45°旋光器、第二1/2波片、第三偏振片、第一反射镜、平凸透镜、第二反射镜，其中：
第一偏振片、第二偏振片和第三偏光双面均镀有红外光水平偏振减反膜，并且均与光路的光轴方向成红外布儒斯特角放置，消光比大于1000：1；
第一反射镜和第二反射镜的双面均镀有30°红外高反膜，30°红外高反膜对外光的反射率为大于99.8%；第一45°旋光器、第一1/2波片、第二45°旋光器、第二1/2波片以及平凸透镜双面均镀有红外光减反膜，红外光减反膜对红外光的反射率为小于0.2%。
作为优选的技术方案，再生放大腔还包括耦合系统、二项色镜、激光增益介质、第四偏振片、1/4波片、平凹反射镜、平面反射镜、平凸反射镜；
种子源发出的激光脉冲经过第二反射镜反射后的激光脉冲，通过第四偏振片导入再生放大腔内，经再生放大腔反复振荡放大后的激光脉冲，经光学隔离系统的第二偏振片导向外界。
作为优选的技术方案，电光Q开关包括电光晶体，电光晶体为BBO晶体，尺寸为3mm×3mm×20mm；
调控电光Q开关的加压频率范围为1Hz-100kHz，激光脉冲能量保持为300µJ。
作为优选的技术方案，半导体激光器输出的波长为808nm、878nm、885nm、888nm中的一种；半导体激光器的光纤芯直径为100μm、200μm、400μm中的一种；半导体激光器的输出功率为110W。
作为优选的技术方案，耦合系统镀有半导体激光器波长减反膜，耦合比例为1:5~1:10。
作为优选的技术方案，二项色镜与半导体激光器发出的泵浦光的光轴方向成45°放置，二项色镜朝向半导体激光器镀有半导体激光谱线减反膜，远离半导体激光器的一侧镀有红外光谱线高反膜。
作为优选的技术方案，激光增益介质为Nd:YAG、Nd:YVO4、Nd:GdVO4、Nd:YLF、Nd:YAP中的一种；激光增益介质浓度为0.1%-0.5%，尺寸3mm×3mm×15mm或者3mm×3mm×20mm，并且激光增益介质朝向半导体激光器镀的端面镀有泵浦光减反膜，远离半导体激光器的端面镀有红外光减反膜。
作为优选的技术方案，第四偏振片与光轴成红外光布儒斯特角放置，第四偏振片朝向半导体激光器一面镀有红外光水平偏振减反膜，远离半导体激光器的一面镀有垂直偏振高反膜，消光比大于1000:1。
本发明采用的技术方案达到的有益效果：当再生放大腔内频率发生改变时，通过能量控制器控制再生放大腔电光Q开关的开关时间，调整种子光进入再生放大腔往返次数，即放大次数，获得最高能量再生放大光输出，同步改变再生放大光频率和半导体激光器泵浦能量，使再生放大光频率变化时，输出能量保持不变，还可以获取所需的能量输出。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例公开的输出能量不变的皮秒再生放大器结构示意；
图2为本发明实施例公开的输出能量不变的皮秒再生放大器结构示意；
附图标记说明：
种子源10；光学隔离系统20；再生放大腔30；能量控制器40；
第一偏振片200；第一45°旋光器201；第一1/2波片202；第二偏振片203；第二45°旋光器204；第二1/2波片205；第三偏振片206；第一反射镜207；平凸透镜208；第二反射镜209；
半导体激光器300；耦合系统301；二项色镜302；激光增益介质303；第四偏振片304；1/4波片305；电光Q开关306；平凹反射镜307；平面反射镜308；平凸反射镜309。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。在本发明的描述中，需要说明的是，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例
本实施例提供一种输出能量不变的皮秒再生放大器，根据图1-2，包括：
种子源10、光学隔离系统20、再生放大腔30、以及与再生放大腔30电连接的能量控制器40，其中：
光学隔离系统20置于种子源10和再生放大腔30之间，用以将种子源10发出的激光脉冲通过光学隔离系统20导入到再生放大腔30内进行能量放大，激光脉冲能量达到阈值后再由光学隔离系统20导向外界；
能量控制器40通过信号线与再生放大腔30连接，当再生放大腔30内激光脉冲重复频率发生改变时，能量控制器40调控再生放大腔30，使激光脉冲在再生放大腔30内反复振荡放大后，激光脉冲能量保持不变；
其中，能量控制器40被配置为基于再生放大腔30内激光脉冲重复频率数据，自动调用储存的泵浦能量和脉宽参数，以对再生放大腔30进行调控；储存的泵浦能量和脉宽参数为，基于相同的激光脉冲能量，在不同激光脉冲重复频率下对应采集到的调控再生放大腔30的数据参数。
本说明书提供的一种输出能量不变的皮秒再生放大器，包括种子源10、光学隔离系统20、再生放大腔30和能量控制器40，种子源10提供种子激光，通过光学隔离系统20隔离并输出再生放大光。能量控制器40，控制再生放大光频率、单脉冲能量、再生腔增益和放大效率，当放大光重复频率改变时，通过调控再生放大腔30的参数，使输出能量保持不变。
在一种优选的实施方式中，种子源10为皮秒光纤源或皮秒固体源，为再生放大腔30提供种子光信号，种子光注入再生放大腔30时间可调，与再生放大腔30内的电光Q开关306的开关门时间达到最佳匹配 ，使种子光频率固定在某一特定频率即可，比如20MHz，但不限于该频率。
优选地，光学隔离系统20包括沿种子源10发出的激光脉冲光路方向依次设置的第一偏振片200、第一45°旋光器201、第一1/2波片202、第二偏振片203、第二45°旋光器204、第二1/2波片205、第三偏振片206、第一反射镜207、平凸透镜208、第二反射镜209，其中：
第一偏振片200、第二偏振片203和第三偏振片206双面均镀有红外光水平偏振减反膜，并且均与光路的光轴方向成红外布儒斯特角放置，消光比大于1000：1；
第一反射镜207和第二反射镜209的双面均镀有30°红外高反膜，30°红外高反膜对外光的反射率为大于99.8%；第一45°旋光器201、第一1/2波片202、第二45°旋光器204、第二1/2波片205以及平凸透镜208双面均镀有红外光减反膜，红外光减反膜对红外光的反射率为小于0.2%。
具体的，光学隔离系统20用以防止放大后的返回光损坏种子源10并输出放大后的激光脉冲，沿种子源10出射激光脉冲方向依次为第一偏振片，保证种子光偏振态为水平偏振；第一45°旋光器201，可旋转种子光偏振方向；第一1/2波片202，可旋转种子光偏振方向；第二偏振片203，反射输出再生放大光；第二45°旋光器204，可旋转种子光偏振方向和再生放大光偏振方向；第二1/2波片205，旋转种子光偏振方向和再生放大光偏振方向；第三偏振片206反射种子光和再生放大光；第一反射镜207和第二反射镜209，激光脉冲进入再生腔，与再生放大腔30光路重合。平凸透镜208，聚焦激光脉冲进入再生放大腔30，匹配激光脉冲和再生放大光模式。
其中，第一偏振片200、第二偏振片203和第三偏振片206与光轴成红外光布儒斯特角放置，镀红外光水平偏振减反膜，垂直偏振高反膜，消光比大于1000:1，提高光学隔离系统20对再生放大光的隔离能力，防止再生光通过损伤皮秒种子源10器件；第一反射镜207和第二反射镜209镀30°红外光高反膜，红外光反射率大于99.8%；其他器件均镀红外光减反膜，红外光反射率小于0.2%。
优选地，再生放大腔30包括半导体激光器300、耦合系统301、二项色镜302、激光增益介质303、第四偏振片304、1/4波片305、电光Q开关306、平凹反射镜307、平面反射镜308、平凸反射镜309，
种子源10发出的激光脉冲经过第二反射镜209反射后的激光脉冲，通过第四偏振片304导入再生放大腔30内，经再生放大腔30反复振荡放大后的激光脉冲，经光学隔离系统20的第二偏振片203导向外界。
具体的，平凹反射镜307，补偿激光增益介质303热效应，提高腔内红外光基模体积，保证再生放大腔30内脉冲激光的光斑模式为基横模，平面反射镜308为再生放大腔30端镜。种子源10发出的激光脉冲经再生放大腔30多次放大，能量几何倍数提高，可以将纳焦级能量的激光脉冲放大到百微焦级，并具有很好的光束质量和能量稳定性。
优选地，能量控制器40通过信号线与半导体激光器300和电光Q开关306电连接，能量控制器40通过调控半导体激光器300的泵浦能量，和/或电光Q开关306的加压时间或加压频率，以改变再生腔增益和控制激光脉冲在再生放大腔30内放大次数，以实现激光脉冲能量保持不变。
在实际操作场景中，能量控制器40为计算机平台，通过导线与半导体激光器300和电光Q开关306电连接，在调控之前，需要先获取调控参数并存储，具体为基于相同的激光脉冲能量，在不同激光脉冲重复频率下对应采集到调控再生放大腔30的数据参数，再生放大腔30的数据参数包括半导体激光器300的泵浦能量、和/或电光Q开关306的时间和加压频率，以便在调控过程，能够自动调用之前存储的参数数据，需要说明的是，能量控制器40的获取调控参数以及调控过程，均是通过计算机编程的代码实现。
具体的，当再生放大腔30内频率发生变化时，尤其超过1kHz时，由于增益介质储能时间变短，再生放大单脉冲能量会大幅下降，工作周期接近或者超过增益介质上能级寿命时还会因“倍周期”现象导致再生放大光频率减半，能量加倍，对材料造成破坏。通过能量控制器自动调节再生腔增益和放大效率，使激光输出单脉冲能量保持不变，用户可以根据加工需求随时调整激光重复频率，达到相同的加工效果，工作频率范围从1Hz-100kHz，输出单脉冲能量恒定，其激光脉冲能量保持为300µJ。
由于电压上升沿和下降沿均小于10ns，加压时间可调，调控加压时间优选为种子光在再生放大腔30内往返一次所需时间的整数倍。
在实际操作中，在调控能量保持不变输出之前，需要对能量控制器进行设置为，不同频率时，根据实际测试标定泵浦能量和脉宽值，使其输出能量一致，能量控制器存储相应数据，当后续改变再生放大腔内的频率时，能量控制器自动调用之前储存泵浦能量和脉宽数据，使输出能量一致。其中，泵浦能量参数具体指调控半导体激光器300的泵浦能量，脉宽数据具体指调控电光Q开关306的加压时间或加压频率，当脉冲重复频率与加压频率是相同时，加压频率为激光重复频率。
特别强调的一点是，本说明书中提及到的当放大光重复频率改变时，改变电光Q开关306的开关时间和半导体激光器300的泵浦能量，并不是要获得最大的能量输出，而是根据实际情况所需的能量输出。
在一种优选的实施方式中，再生放大腔30内所有光学器件膜层均为高损伤膜，损伤阈值大于1GW/cm2，保证激光脉冲在再生放大腔30放大过程中，不会因能量高而损伤器件，有效提高整机寿命。
在实际工业加工领域根据加工工艺需对激光频率进行有规律切换，采用上述方案，激光单脉冲能量保持不变，加工效果不受频率影响。
优选地，电光Q开关306包括电光晶体，电光晶体为BBO晶体，尺寸为3mm×3mm×20mm；
调控电光Q开关306的加压频率范围为1Hz-100kHz。
具体的，电光Q开关306，通过控制加压频率和开关时间，控制进入再生放大腔30内的激光脉冲光频率和激光脉冲在再生放大腔30内放大次数，将所需参数再生放大光反射出腔外。电光晶体为BBO晶体，尺寸为3mm×3mm×20mm，1/4波电压约3600V，频率范围1Hz-100kHz可调，电压上升沿和下降沿均小于10ns，加压时间可调。加压时间为种子光在再生放大腔30内往返一次所需时间的整数倍。
电光Q开关306不加电时，种子光经光学隔离系统20中的第二反射镜209反射后进入再生发大腔内的第四偏振片304，经第四偏振片304反射导入到再生放大腔30内，其激光脉冲经1/4波片305，偏振方向旋转45°，种子光经过电光Q开关306，平凹反射镜307，平面反射镜308反射回到1/4波片305，偏振方向旋转45°，变成水平偏振光，经第四偏振片304，激光增益介质303，二项色镜302，平凸反射镜309反射回第四偏振片304，激光脉冲经一次双程放大，经第四偏振片304，1/4波片305偏振方向旋转45°，电光Q开关306，平凹反射镜307，平面反射镜308返回到1/4波片305，偏振方向旋转45°为垂直偏振光，经第四偏振片304反射出腔外，激光脉冲在再生放大腔30内往返一次。
当电光Q开关306加1/4波时，激光脉冲在再生放大腔30内不断往返放大，达到预期放大倍数时，关闭1/4波波电压，种子经多次放大后经第四偏振片304反射出腔外，再经光学隔离系统20第二反射镜209、平凸透镜208、第一反射镜207、第三偏振片206、第二1/2波片205、第二45°旋光器204、第二偏振片203反射出光学隔离系统20。
当再生放大腔30内的频率发生改变时，通过能量控制器40控制再生放大腔30电光Q开关306的开关时间，调整种子光进入再生放大腔30往返次数，即放大次数，获得最高能量再生放大光输出，同步改变再生放大光频率和半导体激光器300泵浦能量，使再生放大光频率变化时，输出能量不变。
优选地，半导体激光器300输出的波长为808nm、878nm、885nm、888nm中的一种；半导体激光器300的光纤芯直径为100μm、200μm、400μm中的一种；半导体激光器300的输出功率为110W。
在一种优选的实施方式中，半导体激光器300通过水冷或者半导体制冷片控温，其功率为110W，很好为再生放大腔30增益提供足够的泵浦能量。
优选地，耦合系统301镀有半导体激光器300波长减反膜，耦合比例为1:5~1:10。
具体的，耦合系统301耦合以出光比例1:5~1:10耦合到激光增益介质303中，耦合系统301镀半导体激光器300波长减反膜，使得泵浦光反射率小于0.2%。
优选地，二项色镜302与半导体激光器300发出的泵浦光的光轴方向成45°放置，二项色镜302朝向半导体激光器300镀有半导体激光谱线减反膜，远离半导体激光器300的一侧镀有红外光谱线高反膜。
在一种优选的实施方式中，通过旋转再生放大腔30内的1/4波片305来改变红外光偏振态及偏振方向。
优选地，激光增益介质303为Nd:YAG、Nd:YVO4、Nd:GdVO4、Nd:YLF、Nd:YAP中的一种；激光增益介质303浓度为0.1%-0.5%，尺寸为3mm×3mm×15mm或者3mm×3mm×20mm，并且激光增益介质303朝向半导体激光器300镀的端面镀有泵浦光减反膜，远离半导体激光器300的端面镀有红外光减反膜。
优选地，第四偏振片304与光轴成红外光布儒斯特角放置，第四偏振片304朝向半导体激光器300一面镀有红外光水平偏振减反膜，远离半导体激光器300的一面镀有垂直偏振高反膜，消光比大于1000:1。
以上对本申请实施例一种输出能量不变的皮秒再生放大器进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (8)
1.一种输出能量不变的皮秒再生放大器，其特征在于，包括：
种子源、光学隔离系统、再生放大腔、以及与所述再生放大腔电连接的能量控制器，其中：
所述光学隔离系统置于所述种子源和再生放大腔之间，用以将所述种子源发出的激光脉冲通过光学隔离系统导入到再生放大腔内进行能量放大，所述激光脉冲能量达到阈值后再由所述光学隔离系统导向外界；
所述能量控制器通过信号线与所述再生放大腔连接，当所述再生放大腔内所述激光脉冲重复频率发生改变时，所述能量控制器调控所述再生放大腔，使所述激光脉冲在所述再生放大腔内反复振荡放大后，所述激光脉冲能量保持不变；
其中，所述能量控制器被配置为基于所述再生放大腔内所述激光脉冲重复频率数据，自动调用储存的泵浦能量和脉宽参数，以对所述再生放大腔进行调控；所述储存的泵浦能量和脉宽参数为，基于相同的激光脉冲能量，在不同激光脉冲重复频率下对应采集到的调控所述再生放大腔的数据参数；
所述再生放大腔包括半导体激光器、电光Q开关；
所述能量控制器通过导线与所述半导体激光器和所述电光Q开关电连接，所述能量控制器通过调控所述半导体激光器的泵浦能量，和/或电光Q开关的加压时间或加压频率，以实现激光脉冲能量保持不变；
所述光学隔离系统包括沿所述种子源发出的激光脉冲光路方向依次设置的第一偏振片、第一45°旋光器、第一1/2波片、第二偏振片、第二45°旋光器、第二1/2波片、第三偏振片、第一反射镜、平凸透镜、第二反射镜，其中：
所述第一偏振片、第二偏振片和第三偏振片双面均镀有红外光水平偏振减反膜，并且均与所述光路的光轴方向成红外布儒斯特角放置，消光比大于1000：1；
所述第一反射镜和所述第二反射镜的双面均镀有30°红外高反膜，所述30°红外高反膜对外光的反射率为大于99.8%；所述第一45°旋光器、第一1/2波片、第二45°旋光器、第二1/2波片以及所述平凸透镜双面均镀有红外光减反膜，所述红外光减反膜对红外光的反射率为小于0.2%；
所述再生放大腔还包括耦合系统、二项色镜、激光增益介质、第四偏振片、1/4波片、平凹反射镜、平面反射镜、平凸反射镜；
所述种子源发出的激光脉冲经过所述第二反射镜反射后的激光脉冲，通过所述第四偏振片导入所述再生放大腔内，经所述再生放大腔反复振荡放大后的激光脉冲，经所述光学隔离系统的第二偏振片导向外界。
2.根据权利要求1所述的输出能量不变的皮秒再生放大器，其特征在于，所述储存的泵浦能量和脉宽参数为，基于相同的激光脉冲能量，在不同激光脉冲重复频率下对应采集到的半导体激光器的泵浦能量参数、和/或电光Q开关的加压时间或加压频率参数；
当所述脉冲重复频率与所述加压频率是相同时，加压频率为激光重复频率。
3.根据权利要求1所述的输出能量不变的皮秒再生放大器，其特征在于，所述电光Q开关包括电光晶体，所述电光晶体为BBO晶体，尺寸为3mm×3mm×20mm；
调控所述电光Q开关的加压频率范围为1Hz-100kHz，所述激光脉冲能量保持为300µJ。
4.根据权利要求1所述的输出能量不变的皮秒再生放大器，其特征在于，所述半导体激光器输出的波长为808nm、878nm、885nm、888nm中的一种；所述半导体激光器的光纤芯直径为100μm、200μm、400μm中的一种；所述半导体激光器的输出功率为110W。
5.根据权利要求1所述的输出能量不变的皮秒再生放大器，其特征在于，所述耦合系统镀有半导体激光器波长减反膜，耦合比例为1:5~1:10。
6.根据权利要求1所述的输出能量不变的皮秒再生放大器，其特征在于，所述二项色镜与所述半导体激光器发出的泵浦光的光轴方向成45°放置，所述二项色镜朝向所述半导体激光器镀有半导体激光谱线减反膜，远离所述半导体激光器的一侧镀有红外光谱线高反膜。
7.根据权利要求1所述的输出能量不变的皮秒再生放大器，其特征在于，所述激光增益介质为Nd:YAG、Nd:YVO4、Nd:GdVO4、Nd:YLF、Nd:YAP中的一种；所述激光增益介质浓度为0.1%-0.5%，尺寸为3mm×3mm×15mm或者3mm×3mm×20mm，并且所述激光增益介质朝向所述半导体激光器的端面镀有泵浦光减反膜，远离所述半导体激光器的端面镀有红外光减反膜。
8.根据权利要求1所述的输出能量不变的皮秒再生放大器，其特征在于，所述第四偏振片与光轴成红外光布儒斯特角放置，所述第四偏振片朝向半导体激光器一面镀有红外光水平偏振减反膜，远离所述半导体激光器的一面镀有垂直偏振高反膜，消光比大于1000:1。
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