CN116722053A - 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 - Google Patents
太阳能电池及其制备方法、光伏组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116722053A CN116722053A CN202310996038.8A CN202310996038A CN116722053A CN 116722053 A CN116722053 A CN 116722053A CN 202310996038 A CN202310996038 A CN 202310996038A CN 116722053 A CN116722053 A CN 116722053A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- doped polysilicon
- polysilicon layer
- solar cell
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 173
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 164
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 65
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 20
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- -1 silver aluminum Chemical compound 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括硅基底；隧穿氧化层设于硅基底的表面；第一掺杂多晶硅层设于隧穿氧化层的表面；第一掺杂多晶硅层的表面包括金属接触区域和非金属接触区域；激光吸收层设于第一掺杂多晶硅层表面的金属接触区域；激光吸收层能够吸收设定波长的激光而气化蒸发；第二掺杂多晶硅层设于激光吸收层的表面。太阳能电池通过仅在金属接触区域设置第二掺杂多晶硅层，既能实现钝化接触功能，又能减少非金属接触区域对光的遮挡及吸收，提高光利用率，提升电池效率；通过设置激光吸收层，可利用激光去除非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，有效简化制备的工序流程，工艺成本低，易于规模推广。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
背景技术
随着太阳能电池技术的发展，出现了隧穿氧化层钝化接触技术，通过在晶体硅表面制备一层超薄的隧穿氧化层以及在隧穿氧化层上叠加掺杂多晶硅层，形成钝化接触结构，可以显著降低金属接触区域的复合，同时还有良好的接触性能，有效提升太阳能电池的效率。但是钝化接触结构中的多晶硅层对光具有严重的寄生吸收，硅片整面生长厚的多晶硅层将会大幅降低电池对光的利用率，降低电池短路电流，导致一定的电流损失，限制了太阳能电池开路电压和转换效率进一步提升。
相关技术中，通过保留金属电极下层的多晶硅层和隧穿氧化层，而将其他区域未起到钝化接触作用的多个膜层去除，形成选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构，这样既能实现钝化接触的功能，又可以消除非金属区域对光的吸收作用，从而进一步提升太阳能电池的效率。
然而，目前选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构的制备方法，工序流程复杂，存在成本高的问题，无法大规模生产，限制其工业推广。
发明内容
基于此，有必要针对目前选择性多晶硅薄膜钝化接触结构的制备方法工序流程复杂和成本高的问题，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
第一方面，一种太阳能电池，包括：
硅基底；
隧穿氧化层，设于所述硅基底的表面；
第一掺杂多晶硅层，设于所述隧穿氧化层的表面；所述第一掺杂多晶硅层的表面包括金属接触区域和非金属接触区域；
激光吸收层，设于所述第一掺杂多晶硅层表面的所述金属接触区域；所述激光吸收层能够吸收设定波长的激光而气化蒸发；以及
第二掺杂多晶硅层，设于所述激光吸收层的表面。
在其中一个实施例中，所述隧穿氧化层包括二氧化硅层；和/或，所述隧穿氧化层的厚度小于3nm。
在其中一个实施例中，所述激光吸收层包括氧化钛层或氧化铝层；和/或，所述激光吸收层的厚度范围包括1nm-5nm。
在其中一个实施例中，所述第二掺杂多晶硅层的厚度大于所述第一掺杂多晶硅层的厚度。
在其中一个实施例中，所述第一掺杂多晶硅层包括磷掺杂的多晶硅薄膜或者硼掺杂的多晶硅薄膜；和/或，所述第一掺杂多晶硅层的厚度范围包括5nm-100nm。
在其中一个实施例中，所述第二掺杂多晶硅层包括磷掺杂的多晶硅薄膜或者硼掺杂的多晶硅薄膜；和/或，所述第二掺杂多晶硅层的厚度范围包括70nm-200nm。
在其中一个实施例中，所述选择性钝化接触结构还包括钝化减反层和金属电极；所述钝化减反层设于所述第一掺杂多晶硅层表面的所述非金属接触区域及所述第二掺杂多晶硅层的表面；所述金属电极固定连接于所述第二掺杂多晶硅层。
在其中一个实施例中，所述钝化减反层包括氮化硅层或者氧化铝层与氮化硅层的叠层；和/或，所述钝化减反层的厚度范围包括70nm-80nm。
第二方面，一种太阳能电池的制备方法，用于制备第一方面任一项所述的太阳能电池，所述制备方法包括：
提供硅基底；
在所述硅基底的表面制备隧穿氧化层；
在所述隧穿氧化层的表面制备第一掺杂多晶硅层；
在所述第一掺杂多晶硅层的表面制备激光吸收层；
在所述激光吸收层的表面制备第二掺杂多晶硅层；
采用设定波长的激光去除所述第一掺杂多晶硅层表面的非金属接触区域的所述激光吸收层和所述第二掺杂多晶硅层，露出所述第一掺杂多晶硅层表面的所述非金属接触区域，得到所述太阳能电池。
在其中一个实施例中，所述激光包括紫外皮秒激光，所述设定波长的范围包括355nm-532nm。
在其中一个实施例中，所述制备方法还包括：
在所述第一掺杂多晶硅层表面的所述非金属接触区域及所述第二掺杂多晶硅层的表面制备钝化减反层；
在所述钝化减反层上对应于所述第二掺杂多晶硅层的区域制备金属电极。
第三方面，一种光伏组件，包括如第一方面任一项所述的太阳能电池。
上述太阳能电池及其制备方法，通过仅在金属接触区域设置第二掺杂多晶硅层，既能实现钝化接触功能，又可以减少非金属接触区域对光的遮挡及吸收，提高光利用率，减少太阳能电池的电流损失，实现在有效降低金属和非金属接触区域复合的同时，保证电池对光的利用率，兼具良好的接触性能，有效提升太阳能电池的效率。同时，通过在第一掺杂多晶硅层与第二掺杂多晶硅层之间设置激光吸收层，可以利用激光吸收层强烈吸收激光进而气化蒸发的作用去除非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，无需使用掩膜和化学刻蚀工艺，从而可以有效简化制备太阳能电池的工序流程，仅需增加一道激光刻蚀设备，能够与现有晶体硅太阳能电池的量产工艺兼容，工艺成本低，易于规模推广，能快速地投入量产，有效解决目前选择性多晶硅薄膜钝化接触结构的制备方法工序流程复杂和成本高的问题。
附图说明
图1为本申请一实施例中的太阳能电池的示意图。
图2为本申请一实施例中的太阳能电池的制备方法的流程图。
附图标记：
100、太阳能电池；1、硅基底；2、隧穿氧化层；3、第一掺杂多晶硅层；4、激光吸收层；5、第二掺杂多晶硅层；6、钝化减反层；7、金属电极。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图，且可能放大或缩小不同的膜层或区域来显示于单一图示中。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
在晶体硅太阳能电池中，金属电极与晶硅表面接触区域存在严重的复合，复合电流过大，成为制约晶体硅太阳能电池效率提升的重要因素。隧穿氧化层钝化接触结构由一层超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层构成，可以显著降低金属接触区域的复合，同时兼具良好的接触性能，可极大提升太阳能电池的效率。
在太阳能电池的钝化接触结构中，多晶硅层对光具有严重的寄生吸收，硅片整面生长厚的多晶硅层将会大幅降低电池对光的利用率，降低电池短路电流，导致一定的电流损失。如何在有效降低金属和非金属接触区域复合的同时，保证电池对光的利用率，成为迫切需要解决的问题。
为了进一步提升太阳能电池的效率，可以通过保留金属电极下层的多晶硅层和隧穿氧化层，而将其他区域未起到钝化接触作用的多个膜层去除，这样既能实现钝化接触的功能，又可以消除非金属区域对光的吸收作用，这种结构被称为选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构。
目前选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构及其制备方法，通常采用化学刻蚀方式去除非金属接触区域的多晶硅薄膜，或者通过掩膜等方式仅在金属接触区域沉积多晶硅薄膜，以形成选择性多晶硅薄膜的钝化接触接触结构。以上技术方案的工序流程复杂，存在成本高的问题，无法大规模生产，限制其工业推广。
参阅图1，图1示出了本申请一实施例中的太阳能电池的示意图，本申请一实施例提供的太阳能电池100，包括硅基底1、隧穿氧化层2、第一掺杂多晶硅层3、激光吸收层4和第二掺杂多晶硅层5；隧穿氧化层2设于硅基底1的表面；第一掺杂多晶硅层3设于隧穿氧化层2的表面，第一掺杂多晶硅层3的表面包括金属接触区域和非金属接触区域；激光吸收层4设于第一掺杂多晶硅层3表面的金属接触区域，激光吸收层4能够吸收设定波长的激光而气化蒸发；第二掺杂多晶硅层5设于激光吸收层4的表面。
在本实施例中，硅基底1用于制备太阳能电池100，硅基底1可以是硅片，硅片可以为单晶或者多晶硅片，硅片表面掺杂类型可以为P型或者N型；硅基底1具有相对设置的正面和背面，正面用于面向太阳（即受光面），背面用于背对太阳（即背光面）；硅基底1的表面可以是硅基底1的正面，也可以是硅基底1的背面，在这里不做限定。
硅基底1的表面、隧穿氧化层2的表面、第一掺杂多晶硅层3的表面、激光吸收层4的表面以及第二掺杂多晶硅层5的表面相互间均不相邻。
隧穿氧化层2和第一掺杂多晶硅层3依次整面覆盖设于硅基底1的表面，共同形成钝化接触结构，为硅基底1的表面提供良好的表面钝化，以降低表面的复合；由于隧穿氧化层2很薄，第一掺杂多晶硅层3有掺杂，多子可以穿透这两个钝化层，而少子则被阻挡，如果在第一掺杂多晶硅层3的表面进行金属化，就可以得到无需开孔的钝化接触。第一掺杂多晶硅层3的表面包括金属接触区域和非金属接触区域，金属接触区域即用于实现钝化接触的区域，而非金属接触区域即其他无需起到钝化接触作用的区域。
激光吸收层4和第二掺杂多晶硅层5依次层叠设于第一掺杂多晶硅层3表面的金属接触区域，从而在金属接触区域同时具有第一掺杂多晶硅层3和第二掺杂多晶硅层5两层掺杂多晶硅薄膜，使得金属接触区域具有更厚的钝化接触结构，有效提高金属接触区域的钝化水平，可以防止金属化时金属电极破坏钝化接触的效果，显著降低金属接触区域的复合，同时兼具良好的接触性能。
同时，由于仅在钝化接触的金属接触区域设置第二掺杂多晶硅层5，而在无需钝化接触的非金属接触区域仅设置第一掺杂多晶硅层3，使得非金属接触区域具有厚度更薄的多晶硅薄膜，形成选择性多晶硅薄膜的钝化接触结构，可以减少非金属接触区域对光的遮挡及吸收，提高光利用率，防止太阳能电池100的电流损失，实现提升太阳能电池100的效率。
进一步地，金属接触区域的两层掺杂多晶硅薄膜之间设置激光吸收层4，激光吸收层4可以为具有隧穿效应的氧化层薄膜，以保证钝化接触效果；而且激光吸收层4能够吸收设定波长的激光而气化蒸发，从而可以利用激光吸收层4强烈吸收激光进而气化蒸发的作用，通过激光刻蚀方式去除激光吸收层4及位于激光吸收层4的表面上的第二掺杂多晶硅层5。
本实施例的太阳能电池100的形成方式，可以先在硅基底1的表面上依次整面地制备隧穿氧化层2、第一掺杂多晶硅层3、激光吸收层4和第二掺杂多晶硅层5，然后再利用激光吸收层4强烈吸收激光进而气化蒸发的作用，通过激光刻蚀方式去除非金属接触区域的激光吸收层4和第二掺杂多晶硅层5，最终形成本实施例的太阳能电池100。
本申请实施例的太阳能电池100，通过仅在金属接触区域设置第二掺杂多晶硅层5，既能实现钝化接触功能，又可以减少非金属接触区域对光的遮挡及吸收，提高光利用率，减少太阳能电池100的电流损失，实现在有效降低金属和非金属接触区域复合的同时，保证太阳能电池100对光的利用率，兼具良好的接触性能，有效提升太阳能电池100的效率。同时，通过在第一掺杂多晶硅层3与第二掺杂多晶硅层5之间设置激光吸收层4，可以利用激光吸收层4强烈吸收激光进而气化蒸发的作用去除非金属接触区域的激光吸收层4和第二掺杂多晶硅层5，无需使用掩膜和化学刻蚀工艺，从而可以有效简化制备太阳能电池100的工序流程，仅需增加一道激光刻蚀设备，能够与现有晶体硅太阳能电池100的量产工艺兼容，工艺成本低，易于规模推广，能快速地投入量产，有效解决目前选择性多晶硅薄膜钝化接触结构的制备方法工序流程复杂和成本高的问题。
在一些实施例中，隧穿氧化层2可以包括二氧化硅层。
在一些实施例中，隧穿氧化层2的厚度小于3nm，满足量子隧穿效应。可选地，隧穿氧化层2的厚度范围可以包括0.5nm-2.5nm。进一步地，隧穿氧化层2的厚度范围可以包括1nm-2.5nm，例如隧穿氧化层2的厚度可以为1.5nm。
在一些实施例中，激光吸收层4包括氧化钛层或氧化铝层。氧化钛和氧化铝可以强烈吸收355nm激光，进而在激光作用下气化蒸发，从而利用355nm的紫外皮秒激光扫描非金属接触区域，可以快速去除非金属接触区域的激光吸收层4和第二掺杂多晶硅层5，工艺流程简单，成本低，易于规模推广。
优选地，激光吸收层4的厚度范围可以包括1nm-5nm，满足量子隧穿效应。进一步地，激光吸收层4的厚度范围可以包括1nm-3nm，例如激光吸收层4的氧化钛薄膜的厚度可以为3nm。
在一些实施例中，第二掺杂多晶硅层5的厚度大于第一掺杂多晶硅层3的厚度。通过设置位于金属接触区域的第二掺杂多晶硅层5具有更大的厚度，可以进一步防止金属电极破坏钝化接触效果，显著降低金属接触区域的复合，而在非金属接触区域的第一掺杂多晶硅层3具有更小的厚度，有利于进一步减少非金属接触区域对光的遮挡及吸收，提高光利用率，实现钝化接触结构全面钝化与光吸收以及金属电极穿透损伤间的兼容，进一步提升太阳能电池100效率。
在一些实施例中，第一掺杂多晶硅层3包括磷掺杂的多晶硅薄膜或硼掺杂的多晶硅薄膜。硅基底1为N型硅片时，第一掺杂多晶硅层3位于硅基底1为N型硅片的表面，优先为磷掺杂的多晶硅薄膜；硅基底1为P型硅片时，第一掺杂多晶硅层3位于硅基底1为P型硅片的表面，优先为硼掺杂的多晶硅薄膜。
在一些实施例中，第一掺杂多晶硅层3的厚度范围包括5nm-100nm。进一步地，第一掺杂多晶硅层3的厚度范围包括10nm-50nm，例如第一掺杂多晶硅层3的厚度为20nm。
在一些实施例中，第二掺杂多晶硅层5包括磷掺杂的多晶硅薄膜或硼掺杂的多晶硅薄膜。硅基底1为N型硅片时，第一掺杂多晶硅层3位于硅基底1为N型硅片的表面，优先为磷掺杂的多晶硅薄膜；硅基底1为P型硅片时，第一掺杂多晶硅层3位于硅基底1为P型硅片的表面，优先为硼掺杂的多晶硅薄膜。
在一些实施例中，第二掺杂多晶硅层5的厚度范围包括70nm-200nm。进一步地，第二掺杂多晶硅层5的厚度范围包括100nm-150nm，例如第二掺杂多晶硅层5的厚度为150nm。
在一些实施例中，如图1所示，太阳能电池100还包括钝化减反层6和金属电极7；钝化减反层6设于第一掺杂多晶硅层3表面的非金属接触区域以及第二掺杂多晶硅层5的表面；金属电极7固定连接于第二掺杂多晶硅层5。钝化减反层6用于提供场钝化，同时可以降低入射光的反射，增加光学吸收，从而进一步提高光利用率，进而提升太阳能电池100效率。金属电极7穿过钝化减反层6与第二掺杂多晶硅层5固定连接，实现金属电极7与第二掺杂多晶硅层5导电连接，金属电极7用于收集电流。
在一些实施例中，钝化减反层6可以包括氮化硅层，或者氧化铝层与氮化硅层的叠层。在一些实施例中，钝化减反层6的厚度范围包括70nm-80nm。
在一些实施例中，金属电极7可以包括银电极或者银铝电极。
结合图2所示，图2示出了本申请一实施例中的太阳能电池的制备方法的流程图，本申请一实施例提供的太阳能电池的制备方法，用于制备上述任一实施例中的太阳能电池，该制备方法包括以下步骤：
步骤S100，提供硅基底；
步骤S200，在硅基底的表面制备隧穿氧化层；
步骤S300，在隧穿氧化层的表面制备第一掺杂多晶硅层；
步骤S400，在第一掺杂多晶硅层的表面制备激光吸收层；
步骤S500，在激光吸收层的表面制备第二掺杂多晶硅层；
步骤S600，采用设定波长的激光去除第一掺杂多晶硅层表面的非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，露出第一掺杂多晶硅层表面的非金属接触区域，得到太阳能电池。
在本实施例中，设定波长的激光是指能够被激光吸收层强烈吸收，进而使激光吸收层气化蒸发的激光。例如，激光可以是紫外皮秒激光或者紫外纳秒激光。制备太阳能电池时，可以先在硅基底的表面上依次整面地制备隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层、激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，然后再利用激光吸收层可以强烈吸收设定波长的激光进而气化蒸发的作用，采用设定波长的激光去除非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，以使第一掺杂多晶硅层表面的非金属接触区域露出，最终形成上述实施例中的太阳能电池。
通过采用激光去除非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，无需使用掩膜和化学刻蚀工艺，可以有效简化制备太阳能电池选择性钝化接触结构的工序流程，仅需增加一道激光刻蚀设备，能够与现有晶体硅太阳能电池的量产工艺兼容，工艺成本低，易于规模推广，能快速地投入量产，有效解决目前选择性多晶硅薄膜钝化接触结构的制备方法工序流程复杂和成本高的问题。
可选地，提供硅基底的步骤，可以包括对硅基底进行清洗，以去除硅基底表面脏污，提供清洁平整的硅基体以供后续工序使用。
可选地，可以采用热氧化的方式制备硅基底表面的隧穿氧化层。硅在空气中会氧化形成天然的氧化层的过程称为热氧化，可以在硅表面获得性能优良的天然二氧化硅层。
可选地，可以采用低压化学气相沉积法（LPCVD，Low Pressure Chemical VaporDeposition）或者化学气相沉积法（PECVD，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition）制备第一掺杂多晶硅层。PECVD是指等离子体增强化学的气相沉积法，成膜质量好。
可选地，激光的设定波长的范围可以包括355nm-532nm。
在一些实施例中，激光包括紫外皮秒激光，设定波长包括355nm。通过采用355nm的紫外皮秒激光，热影响小，速度快，加工精度高。
在一些实施例中，激光功率范围可以包括1W-10W，可以防止损伤硅基底，节能降耗。
在一些实施例中，制备方法还包括以下步骤：
步骤S700，在第一掺杂多晶硅层表面的非金属接触其区域及第二掺杂多晶硅层的表面制备钝化减反层；
步骤S80，在钝化减反层上对应于第二掺杂多晶硅层的区域制备金属电极。
可选地，可以采用化学气相沉积法或者原子沉积法（ALD，Atomic layerdeposition）制备钝化减反层。原子沉积法是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法，成膜质量好。
可选地，可以采用丝网印刷工艺在钝化减反层上制备金属电极，金属电极印刷在金属接触区域保留的第二掺杂多晶硅层上。
下面以一个具体实施例，进一步说明本申请的太阳能电池的制备方法，具体包括以下步骤：
提供硅基底：硅基底为硅片，对硅片进行清洗；
在硅基底的表面制备隧穿氧化层：采用热氧的方式，在硅片的表面制备厚度为1.5nm的氧化硅层；
在隧穿氧化层的表面制备第一掺杂多晶硅层：采用低压化学气相沉积法沉积或者化学气相沉积法制备磷掺杂或者硼掺杂的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜的厚度为20nm；
在第一掺杂多晶硅层的表面制备激光吸收层：采用低压化学气相沉积法沉积或者化学气相沉积法制备氧化钛薄膜，该氧化钛薄膜的厚度为3nm；
在激光吸收层的表面制备第二掺杂多晶硅层：采用低压化学气相沉积法沉积或者化学气相沉积法制备磷掺杂或者硼掺杂的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜的厚度为150nm；
采用设定波长的激光去除第一掺杂多晶硅层表面的非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅层，露出第一掺杂多晶硅层表面的非金属接触区域：利用波长355nm的皮秒激光扫描非金属接触区域的第二掺杂多晶硅薄膜，利用氧化钛薄膜可强烈吸收355nm激光，进而在激光作用下气化蒸发，从而去除非金属接触区域的激光吸收层和第二掺杂多晶硅薄膜；
制备钝化减反层：采用化学气相沉积法或者原子沉积法沉积氧化铝/氮化硅叠层或者氮化硅叠层；
制备各金属电极：在钝化减反层的表面上采用丝网印刷工艺制备金属电极，金属电极印刷在保留的第二掺杂多晶硅层上，金属电极为银电极或者银铝电极。
采用本实施例的太阳能电池的制备方法制备得到的太阳能电池，可以提升晶体硅太阳能电池的光电转换效率0.2%。
本申请一实施例提供的光伏组件，包括由上述任一实施例提供的太阳能电池。
由于光伏组件包括由上述任一实施例提供的太阳能电池，具有相同的有益效果，在此不再赘述。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (12)
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
硅基底；
隧穿氧化层，设于所述硅基底的表面；
第一掺杂多晶硅层，设于所述隧穿氧化层的表面；所述第一掺杂多晶硅层的表面包括金属接触区域和非金属接触区域；
激光吸收层，设于所述第一掺杂多晶硅层表面的所述金属接触区域；所述激光吸收层能够吸收设定波长的激光而气化蒸发；以及
第二掺杂多晶硅层，设于所述激光吸收层的表面。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层包括二氧化硅层；和/或，所述隧穿氧化层的厚度小于3nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述激光吸收层包括氧化钛层或氧化铝层；和/或，所述激光吸收层的厚度范围包括1nm-5nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层的厚度大于所述第一掺杂多晶硅层的厚度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层包括磷掺杂的多晶硅薄膜或者硼掺杂的多晶硅薄膜；
和/或，所述第一掺杂多晶硅层的厚度范围包括5nm-100nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂多晶硅层包括磷掺杂的多晶硅薄膜或者硼掺杂的多晶硅薄膜；
和/或，所述第二掺杂多晶硅层的厚度范围包括70nm-200nm。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括钝化减反层和金属电极；所述钝化减反层设于所述第一掺杂多晶硅层表面的所述非金属接触区域及所述第二掺杂多晶硅层的表面；所述金属电极固定连接于所述第二掺杂多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化减反层包括氮化硅层或者氧化铝层与氮化硅层的叠层；和/或，所述钝化减反层的厚度范围包括70nm-80nm。
9.一种太阳能电池的制备方法，用于制备如权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述制备方法包括：
提供硅基底；
在所述硅基底的表面制备隧穿氧化层；
在所述隧穿氧化层的表面制备第一掺杂多晶硅层；
在所述第一掺杂多晶硅层的表面制备激光吸收层；
在所述激光吸收层的表面制备第二掺杂多晶硅层；
采用设定波长的激光去除所述第一掺杂多晶硅层表面的非金属接触区域的所述激光吸收层和所述第二掺杂多晶硅层，露出所述第一掺杂多晶硅层表面的所述非金属接触区域，得到所述太阳能电池。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光包括紫外皮秒激光，所述设定波长的范围包括355nm-532nm。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述第一掺杂多晶硅层表面的所述非金属接触区域及所述第二掺杂多晶硅层的表面制备钝化减反层；
在所述钝化减反层上对应于所述第二掺杂多晶硅层的区域制备金属电极。
12.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310996038.8A CN116722053B (zh) | 2023-08-09 | 2023-08-09 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310996038.8A CN116722053B (zh) | 2023-08-09 | 2023-08-09 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116722053A true CN116722053A (zh) | 2023-09-08 |
| CN116722053B CN116722053B (zh) | 2023-10-27 |
Family
ID=87871955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310996038.8A Active CN116722053B (zh) | 2023-08-09 | 2023-08-09 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116722053B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN214043679U (zh) * | 2020-11-25 | 2021-08-24 | 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司 | 太阳能电池 |
| CN114709294A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-07-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN115148857A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-10-04 | 上饶捷泰新能源科技有限公司 | 一种TOPCon电池及其制作方法 |
| CN115985975A (zh) * | 2023-02-02 | 2023-04-18 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池和光伏组件 |
| DE202023101112U1 (de) * | 2022-05-31 | 2023-04-26 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Solarzelle und Photovoltaikmodul |
| CN116093200A (zh) * | 2023-01-06 | 2023-05-09 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种背接触太阳能电池制备方法以及背接触太阳能电池 |
| CN116504858A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-07-28 | 滁州捷泰新能源科技有限公司 | 一种双多晶硅层的TOPCon电池结构及其制备方法 |
-
2023
- 2023-08-09 CN CN202310996038.8A patent/CN116722053B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN214043679U (zh) * | 2020-11-25 | 2021-08-24 | 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司 | 太阳能电池 |
| CN114709294A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-07-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| DE202023101112U1 (de) * | 2022-05-31 | 2023-04-26 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Solarzelle und Photovoltaikmodul |
| CN115148857A (zh) * | 2022-07-14 | 2022-10-04 | 上饶捷泰新能源科技有限公司 | 一种TOPCon电池及其制作方法 |
| CN116093200A (zh) * | 2023-01-06 | 2023-05-09 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种背接触太阳能电池制备方法以及背接触太阳能电池 |
| CN115985975A (zh) * | 2023-02-02 | 2023-04-18 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池和光伏组件 |
| CN116504858A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-07-28 | 滁州捷泰新能源科技有限公司 | 一种双多晶硅层的TOPCon电池结构及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116722053B (zh) | 2023-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2023045347A1 (zh) | 一种背接触电池及其制作方法 | |
| CN110838536A (zh) | 具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池及其制备方法 | |
| US11450777B1 (en) | Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same | |
| US11695087B2 (en) | Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same | |
| US11777045B2 (en) | Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same | |
| US11764316B2 (en) | Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same | |
| CN210778636U (zh) | 具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池 | |
| CN219371041U (zh) | 降低寄生吸收的晶硅电池 | |
| CN114823933A (zh) | 太阳能电池结构及其制作方法 | |
| CN116581181A (zh) | 一种双掺杂层TOPCon电池结构及其制备方法 | |
| CN116504858A (zh) | 一种双多晶硅层的TOPCon电池结构及其制备方法 | |
| CN117133814A (zh) | 选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件 | |
| CN116469945A (zh) | 一种TOPCon电池及其制备方法 | |
| CN116722053B (zh) | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 | |
| CN116469948A (zh) | 一种TOPCon电池及其制备方法 | |
| CN116130558A (zh) | 一种新型全背电极钝化接触电池的制备方法及其产品 | |
| CN116110996A (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| CN214898462U (zh) | 背面接触结构、太阳能电池、电池组件和光伏系统 | |
| JP7486654B1 (ja) | 太陽電池 | |
| CN221176238U (zh) | 电池复合层结构及电池片 | |
| CN214898463U (zh) | 背面接触结构、太阳能电池、电池组件和光伏系统 | |
| CN114883451B (zh) | 一种全背接触晶硅异质结太阳电池结构的制备方法 | |
| CN115000243B (zh) | 一种晶硅异质结太阳电池的制备方法 | |
| CN214898459U (zh) | 背面接触结构、太阳能电池、电池组件和光伏系统 | |
| CN218498078U (zh) | 一种太阳能电池叠层钝化结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |