CN116706688A - 高峰值功率激光二极管组件 - Google Patents

Abstract

激光二极管装置包括具有发射表面和安装表面的激光二极管阵列。散热器在安装表面与激光二极管阵列热连通。散热器远离发射表面的至少一个边缘垂直地延伸。正极和负极电端子板与激光二极管阵列对面的散热器机械连通。电箔与激光二极管阵列以及正极和负极端子电连通。电箔远离发射表面垂直地延伸。正极和负极电端子板与散热器电隔离。散热器、正极和负极电端子板和电箔的横截面面积不大于激光二极管阵列的横截面面积的120％。

Description

高峰值功率激光二极管组件

技术领域

本发明总体上涉及激光二极管阵列，且更具体地涉及高峰值功率激光二极管阵列组件。

背景技术

激光二极管阵列通常包括操作以产生一束或多束高功率光束的多个发射器的多个激光二极管棒。由于这些阵列的运行涉及高能量，因此在发射过程中会产生废热。已知的是提供散热器元件以从激光二极管组件疏散废热。每个激光二极管阵列的最大输出功率受到散热器将热量从激光二极管棒带走的能力的限制。为了调节输出功率，多个激光二极管阵列需要密集布置。然而，当前的散热器设计、电气连接和安装特征使激光二极管阵列体积庞大且扩张。这限制了可以在激光组件中布置在一起的激光二极管阵列的密度，从而又限制或控制了所得一个或多个输出光束的功率、形状和强度。

因此，行业中存在解决上述缺陷和不足的迄今未解决的需求。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种激光二极管装置。简而言之，在架构上，该装置的一个实施方式尤其可以如下实现。激光二极管装置包括具有发射表面和安装表面的激光二极管阵列。散热器与激光二极管阵列在安装表面热连通。散热器远离发射表面的至少一个边缘垂直地延伸。正极和负极电端子板与激光二极管阵列对面的散热器机械连通。电箔与激光二极管阵列以及正极和负极端子电连通。电箔远离发射表面垂直地延伸。正极和负极电端子板与散热器电气隔离。散热器、正极和负极电端子板和电箔的横截面面积不大于激光二极管阵列的横截面面积的120％。

在该装置的一方面，激光二极管阵列、正极和负极电端子板和电箔被钎焊(soldered)到散热器。

在该装置的另一方面，光学组件位于激光二极管阵列上在激光二极管阵列的发射路径内。在一个特定方面，光学组件不延伸超过激光二极管阵列的横截面面积。在另一个特定方面，光学组件的每个光学部件被钎焊到每个相邻的光学部件，并且光学组件被钎焊到激光二极管阵列。在另一个特定方面，光学组件的每个光学部件被焊接(weld)到每个相邻的光学部件，并且光学组件被焊接到激光二极管阵列。

在该装置的另一个方面，正极和负极电端子板定向在相同的方向上。

在该装置的另一方面，电箔邻近散热器定位。

在该装置的另一方面，电箔在激光二极管阵列的相对边缘处连接到激光二极管阵列。

本发明还可以被视为提供制造激光二极管组件的方法。在这方面，这种方法的一个实施方式尤其可以通过以下步骤广泛概括：机械地耦合激光二极管阵列和散热器，其中激光二极管阵列具有发射表面和安装表面，其中散热器远离发射表面的至少一个边缘垂直地延伸，其中发射表面与散热器热连通；将正极和负极电端子板与激光二极管阵列对面的散热器机械地耦合；以及将电箔与激光二极管阵列和正极和负极端子电气地耦合，电箔远离发射表面垂直地延伸，其中正极和负极电端子板与散热器电隔离，并且其中散热器、正极和负极电端子板以及电箔的横截面面积不大于激光二极管阵列的横截面面积的120％。

在该方法的一方面，激光二极管阵列、正极和负极电端子板以及电箔被钎焊到散热器块。

在该方法的另一方面，光学组件在激光二极管阵列的发射路径内机械地耦合到激光二极管阵列上。在一个特定方面，光学组件不延伸超过激光二极管阵列的横截面面积。在另一个特定方面，光学组件的每个光学部件被钎焊到每个相邻的光学部件，并且光学组件被钎焊到激光二极管阵列。在另一个特定方面，光学组件的每个光学部件被焊接到每个相邻的光学部件，并且光学组件被焊接到激光二极管阵列。

在该方法的另一方面，电箔邻近散热器定位。

本发明还可以被视为提供将光学部件附接到激光二极管阵列的方法。在这方面，这种方法的一个实施方式尤其可广泛地通过以下步骤概括：使焊料沿着至少一个光学部件的至少一部分流动；将至少一个光学部件定位在激光二极管阵列上；通过钎焊和焊接的组中的至少一种来附接至少一个光学部件和激光二极管阵列的相邻部分。

在该方法的一个方面，至少一个光学部件定位在激光二极管阵列的横截面面积内。

在该方法的另一个方面，多个光学部件被相互层叠地并且在激光二极管阵列的横截面面积内定位。

在该方法的另一方面，至少一个光学部件包括从光学部件的表面延伸的至少一个基座，并且焊料沿着至少一个基座流动。

在审查以下附图和详细描述后，本发明的其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员来说将是显而易见的或将变得显而易见。所有这些附加的系统、方法、特征和优点旨在包括在本说明书中、在本发明的范围内且受到所附权利要求的保护。

附图说明

参考以下附图可以更好地理解本发明的许多方面。附图中的部件不一定按比例绘制，重点在于清楚地说明本公开的原理。此外，在附图中，相同的附图标记在多个视图中指示相应的部分。

图1A是根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管装置的透视图。

图1B是根据本发明的第一示例性实施方式的图1A的激光二极管装置的俯视示意图。

图2A是根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管装置的阵列的示意图。

图2B是根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管装置的二维阵列的示意图。

图3是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管组件的制造方法的流程图。

图4是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的在激光二极管装置上的光学部件的组件的示意图。在本图中，每个光学元件都安装在带有基座的激光二极管阵列的一侧。

图5是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的在激光二极管装置上的光学部件的组件的示意图。在本图中，第一个光学元件连接到激光二极管阵列的一侧，随后的光学元件通过间隔元件连接到前一个光学元件。

图6是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的将光学部件附接到激光二极管阵列的方法的流程图。

具体实施方式

图1A是根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管装置100的透视图。激光二极管装置(以下称为“装置”)100包括具有发射表面112和安装表面114的激光二极管阵列110。散热器120在安装表面114处与激光二极管阵列110热连通。散热器120远离发射表面114的至少一个边缘垂直地延伸。正极和负极电端子板130、132与激光二极管阵列110对面的散热器120机械连通。电箔140与激光二极管阵列110以及正极和负极端子130、132电连通。电箔140远离发射表面114垂直地延伸。正极和负极电端子板130、132与散热器120电隔离。散热器120、正极和负极电端子板130、132和电箔140的横截面面积不大于激光二极管阵列110的截面面面积的120％。

激光二极管阵列110可以是任何合适的形状、尺寸、布置、数量和取向的激光二极管。激光二极管阵列110可以以任何期望的波长、脉冲长度和功率运行或利用任何期望的波长、脉冲长度和功率运行。激光二极管阵列110可具有发射表面112，其可为发射激光的平面或表面区域。在一个示例中，发射表面112可以定向在激光二极管阵列110的顶部部分，并且发射的光可以从顶部且通常在激光二极管阵列110上方传播出去。在一个示例中，光学组件150可以位于发射的光的路径内。光学组件150可包括用于引导、整形、准直、均化或以其他方式引导发射的光的任何合适的光学部件。在图1A所示的示例中，光学组件150位于激光二极管阵列110的顶部。光可以从发射表面112发射并且沿着页面向上穿过光学组件150，如图1A所示。光学组件150可以固定到激光二极管阵列110。在一个示例中，光学组件150可以通过环氧树脂、胶水或其他化学粘合剂固定。在另一示例中，光学组件150可以通过钎焊或焊接固定。下面将在图4-5中对此更详细的描述。

激光二极管阵列110可以包括安装表面114。在一个示例中，安装表面114可以基本上与发射表面112相对，这取决于阵列内激光二极管的制造和取向。在图1A所示的示例中，安装表面114基本上与激光二极管阵列110顶部上的发射表面112相对，即，位于激光二极管阵列110的底部部分上。安装表面114可以是安装其他部件和结构元件的激光二极管阵列的平面或表面区域。

散热器120在安装表面114处与激光二极管阵列110热连通。散热器120可以是任何合适的尺寸、厚度、形状和材料组合。在一个示例中，散热器120可以是在安装表面114固定到激光二极管阵列110的铜储热器。散热器120可以包括散热器块122。在一个示例中，散热器块122可以是具有与激光二极管阵列110大致相同的横截面积的固体块。在另一示例中，散热器块122可以是具有小于或略大于激光二极管阵列的横截面积的实心块。在另一示例中，散热器块122可以包括翅片、凹槽或增加散热器120的表面积以提供增强的冷却的其他形状。散热器块122可以远离激光二极管阵列110延伸，以从激光二极管阵列110吸走热量。在一个示例中，该延伸可以垂直于发射表面112并且沿着安装表面114的至少一个边缘。

散热器120可包括远离散热器块122延伸的至少一个定位销124。定位销124可用于将装置100安装在基板(例如板、壳体或用于与附加部件集成的其他表面)上。

正极和负极电端子板130、132分别与激光二极管阵列110对面的散热器120机械连通。电端子板130、132可以在散热器块122的下端固定到散热器120。在一个示例中，电端子板130、132可以位于散热器块122的底侧。电端子板130、132可以允许将电力施加到激光二极管阵列110。在一个示例中，电端子板130、132可朝向同一方向。电端子板可以使用电绝缘材料170与散热器电绝缘。电绝缘材料170可以包括任何合适的非导电绝缘材料，包括陶瓷、绝缘塑料、橡胶等。电绝缘材料170可以通过粘合剂、环氧树脂、焊料或任何其他合适的方式固定到电端子板130、132和散热器120。在一个示例中，电端子板130、132、电绝缘材料170和散热器块122可以全部钎焊在一起，以形成单片子组件。

电箔140与激光二极管阵列110以及正极和负极端子130、132电连通。电箔140可以远离发射表面114垂直地延伸。在一个示例中，电箔140可以沿着与散热器120相同的轴线在发射表面114下方延伸。在一个示例中，电箔140可以从激光二极管阵列110的相对边缘延伸。例如，一个电箔140可以从激光二极管阵列110的一个边缘延伸，并且可以对应于正极电端子130，如图1A所示。第二电箔140(在该视图中不可见)可以从激光二极管阵列110的相对边缘延伸，并且可以对应于负极电端子132。散热器120可以位于电箔140之间。在一个示例中，电箔140可以使用电绝缘材料160与散热器120电绝缘，以保持装置100的电气部件与热部件的隔离。电绝缘材料160可以是以上关于电绝缘材料170所描述的相同材料中的任何一种。在一个示例中，电箔140可以钎焊到激光二极管阵列110、电绝缘材料160和端子板130、132。在另一示例中，电箔140可以焊接到激光二极管阵列110、电绝缘材料160和端子板130、132。在另一个示例中，电绝缘材料160被钎焊到散热器122。电绝缘材料160可以是单件，或者可以由固定到散热器120的多件制成。

散热器120、正极电端子板130和负极电端子板132以及电箔140基本上不延伸超过激光二极管阵列110的横截面面积。如图1A所示，激光二极管阵列110的横截面面积可以定义为通过发射表面112和/或安装表面114的水平面内的区域。在一个示例中，组装后的散热器120、正极和负极电端子板130、132和电箔140都可以位于该横截面下方的垂直空间内，使得激光二极管阵列110定义了装置100的最大宽度和深度，而其余部件定义了装置100的垂直长度，如图1A所示。在一个示例中，散热器120、正极和负极电端子板130、132和电箔140可包含与激光二极管阵列110大致相同的横截面面积。在另一示例中，这些部件可包含稍大的横截面面积，多达20％。在另一示例中，光学组件150可以不延伸超过激光二极管阵列110的横截面面积。在一个示例中，至少一个定位销124可以在单个方向上延伸超过横截面区域并延伸到横截面区域之外，以允许安装装置100。

图1B是根据本发明的第一示例性实施方式的图1A的激光二极管装置100的俯视示意图。图1B示出了如何可以确定激光二极管阵列110的横截面面积103并将其与散热器120和电箔140的横截面面积106进行比较。在一个示例中，激光二极管阵列110的横截面面积103可以通过将激光二极管阵列110的宽度101乘以长度102来确定，所述宽度和长度101、102根据沿正交轴的测量确定。散热器120和电箔140的横截面面积106可以通过将散热器120和电箔140组装在一起时的宽度104乘以长度105来确定，所述宽度和长度104、105是根据沿与激光二极管阵列110的宽度和长度101、102相同的正交轴的测量确定的。应当理解，横截面面积106可以包括以上关于图1A描述的任何附加组件，包括用于在操作中隔离电气部件的电绝缘材料160、170。

比较时，散热器120和电箔140的横截面面积106可以不超过激光二极管阵列110的横截面面积103的120％，也就是说，当以这种方式测量时，散热器120和电箔140占据的面积可以比激光二极管阵列110的面积大20％。在一个示例中，横截面面积106、103的比值可以小于120％。例如，该比值可以在100％和120％之间。应当理解，散热器120和电箔140所占的面积可以等于或略大于激光二极管阵列110所占的面积。

图2A是根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管装置100的阵列200的示意图。激光二极管装置100可以包括以上关于图1A描述的所有部件。在图2A中，装置100被示为定向成使得光学组件150和/或激光二极管阵列110面向页面外，并且激光二极管阵列110的发射方向将直接离开页面。在这个方向上，装置100的其余部件位于光学组件150的后面，因此在图中不可见。定位销124未示出，但用于将装置100安装在背板202上。为了图示的清楚起见，没有为每个装置100标记指示定位销124和光学组件150的附图标记。然而，应当理解，图2A中所示的每个装置100都包括光学组件150和定位销124。

如图2A所示，激光二极管装置100的阵列200可以包括位于背板202上且彼此非常接近的多个装置100。应当理解，图2A是示意性的，并且图中所示的邻近度未按比例绘制。在一个示例中，每个装置100可以紧邻另一个装置100定位，使得例如光学组件150的非导电部件接触。在另一示例中，相邻装置100之间的距离204可以小于1mm。在另一个示例中，相邻装置100之间的距离204可以包括绝缘材料，以防止相邻电气部件之间的连通。这可以允许在给定区域内具有更高密度的激光二极管。

应当理解，阵列200可以包括任何数量、尺寸、配置和取向的激光二极管装置100。这可以包括如图2A所示的一维阵列、如图2B所示的包括沿光轴或发射轴的多个行和列的二维阵列。

图2B是根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管装置100的二维阵列210的示意图。如图2B所示，包括以上关于图1A描述的任何部件的多个装置100被配置成彼此非常接近。装置100可以布置成两列，每列具有相邻行中的多个装置100。装置100可以进行配置，使得端子板130、132用于将激光二极管阵列110安装到电绝缘背板组件302。因此，来自二维阵列210的光的发射或传播方向可以是沿着页面向上并且远离背板组件302。在一个示例中，至少一个定位销124可以将装置100彼此间隔开。因此，在第一维度上相邻装置100之间的距离204可以由定位销124的长度来确定。在一个示例中，在第二维度上相邻装置100之间的距离205可以与距离204相同。在另一个示例中，距离204、205可以不同。在一个示例中，装置100可以在相同方向上定向，即，定向为沿公共轴线发射光。在另一个示例中，装置100可以在多个方向上定向，即，相对于光轴或发射轴成不同的角度。

图3是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管组件的制造方法的流程图300。应该注意的是，流程图中的任何过程描述或方框都应理解为表示包括用于在过程中实现特定逻辑功能的一个或多个指令的模块、部分或步骤，替代实现方案包括在本发明的范围内，其中，如本发明的领域的技术人员所理解的那样，根据所涉及的功能，功能可以不按所示或讨论的顺序(包括基本上同时或以相反的顺序)执行。该方法可以包括相对于本发明的任何其他附图公开的任何特征、部件或功能。

步骤310包括，机械地耦合激光二极管阵列和散热器，其中激光二极管阵列具有发射表面和安装表面，其中散热器远离发射表面的至少一个边缘垂直地延伸，其中发射表面和散热器热连通。在一个示例中，激光二极管阵列可以钎焊到散热器，以形成机械耦合以及热耦合。在另一示例中，多个定位销可以位于散热器块上并且可以从散热器向外延伸。

步骤320包括，将正极和负极电端子板与激光二极管阵列对面的散热器机械地耦合。电端子板可以钎焊到散热器，并且可以与散热器电隔离。在一个示例中，电端子板可以附接到散热器的同一面，并且可以定向成朝向同一方向。

步骤330包括，将电箔与激光二极管阵列和正极和负极端子板电耦合，电箔远离发射表面垂直地延伸，其中正极和负极电端子板与散热器电隔离，并且其中散热器、正极和负极电端子板和电箔的横截面面积不大于激光二极管阵列的横截面面积的120％。在一个示例中，电箔可以沿着散热器的一侧或多侧从正极和负极电端子板延伸到激光二极管阵列。电箔可以彼此电隔离。

参考以上的图1A-3可以进一步理解图4-5。图4-5示出了可以被环氧树脂胶合、钎焊或焊接并在操作中与激光二极管阵列110一起使用以引导、成形、准直、均化或以其他方式引导发射的光的光学部件151-152的视图。

图4是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管装置100上的光学部件的组件(“光学组件”)150的示意图。取决于激光二极管阵列110的期望操作，光学组件150可以包括任何合适类型、数量和布置的光学部件。在图4所示的示例中，所示出的部件是准直透镜151和光束整形器组件152。部件的任何其他组合、布置或添加可以包括在本发明的范围内。

在一个示例中，光学部件151、152和一个或多个安装突片410、415可以使用位于每个部件之间的一定量的焊料钎焊在一起。焊料和安装突片410、415可以沿着部件表面的至少一部分定位，例如，沿着光学部件151-152的外表面的至少一部分定位。在一个示例中，焊料和安装突片410、415可以沿着光学部件151-152的多个外表面定位。在另一示例中，焊料和安装突片可以沿着一个或多个光学部件151-152的整个周边定位。焊料可以是任何合适类型和数量的焊料。在一个示例中，这可能包括球形的SnPb(63/37)焊料。在另一个示例中，这可能包括扁平预制件形式的AuSn(80/20)。可以使用任何合适数量、布置和类型的安装突片。作为示例，图4示出了沿着光学部件151-152和激光二极管阵列110的一个或多个外表面放置在多个位置处的安装突片410、415。在一个示例中，每个安装突片410、415的长度可以对应于激光二极管阵列110和其附接到的光学部件151、152之间的距离。例如，附接至紧邻的光学部件151的安装突片410可短于附接至后续光学部件152的安装突片415。在一个示例中，每个安装突片410、415可仅附接至单个光学部件151、152和激光二极管阵列110。在另一示例中，一个或多个安装突片410、415可以附接到多个光学部件151、152。

在一个示例中，光学部件151-152的表面的至少一部分可以镀有金化合物。金化合物可以包括任何合适的化合物，例如AuSn(80/20)。在组装过程中，光学部件151、152和安装突片可以在烘箱中钎焊在一起，或使用合适的胶水环氧树脂胶合在一起。安装板405可以在烘箱中钎焊到激光二极管阵列的侧面或使用合适的胶水环氧树脂胶合。光学部件151-152然后可以通过将安装突片410、415附接到安装板405而组装到激光二极管阵列110。附接区域例如可以用合成气体吹扫，并且可以使用激光钎焊工艺使焊料在部件410、415和405之间流动，以将光学组件150附接到激光二极管阵列110。在另一个示例中，可以使用环氧树脂工艺，从而使用合适的胶水将安装突片410、415附接到安装板405。在另一个示例中，可以使用焊接工艺将安装突片410、415附接到安装板405。

例如，安装突片410、415可由钛、玻璃、具有金属涂层的玻璃或具有金属涂层的陶瓷形成。例如，安装板405可以由玻璃、具有金属涂层的玻璃或具有金属涂层的陶瓷形成。为了图示清楚，安装突片410-415和安装板405仅在图的一侧标示；然而，应当理解，每个部件405、410、415可以被包括在其他位置，包括在图的相对侧，如图4所示。

图5是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的激光二极管装置100上的光学部件的组件(“光学组件”)150的示意图。在图5所示的示例中，第一层光学部件151可以使用以上关于图4描述的方法附接至激光二极管阵列110，后续层的光学部件152使用基座505安装到前一层的光学部件151。在本发明的范围内可以使用安装突片410和基座505的任何组合。

在组装期间，基座505例如可以在烘箱中钎焊到光学部件151、152的端部。在另一个示例中，基座505可以使用合适的胶水被环氧树脂胶合到光学部件151、152。基座505例如可以由钛或玻璃或具有金属涂层的玻璃形成。为了图示清楚，基座505仅在图的左侧标示；然而，应当理解，每个部件152可以包括在其他位置(包括在图的左侧)的基座505，如图5所示。焊料可以在连接之前流过每个基座505。焊料可以包括任何合适类型和数量的焊料，例如AuSn(80/20)。如以上关于图4所描述的，金化合物可用于镀部件152的表面的至少一部分。

光学部件151-152可以相互层叠地组装。如图5所示，连续部件的基座505可以例如用环氧树脂胶合到光学部件151。在另一个示例中，连续部件的基座505可以钎焊到光学部件151。在另一个示例中，连续部件的基座505可以焊接到光学部件151。

图6是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的将光学部件附接到激光二极管阵列的方法的流程图600。参考以上的图1-5可以更好地理解图6，并且图6可以将这些图的任何部件、过程或其他方面并入其中。

步骤610包括，使焊料沿着至少一个光学部件的至少一部分流动。在一个示例中，焊料可以是SnPb(63/37)或AuSn(80/20)。在另一个示例中，焊料可以定位为球。在另一示例中，焊料可以流过在光学部件的表面上方或下方延伸的至少一个基座。

步骤620包括，将至少一个光学部件定位在激光二极管阵列上。在一个示例中，至少一个光学部件可以在由激光二极管阵列发射的光束的发射路径内定位在激光二极管阵列上。在另一个示例中，至少一个光学部件可以定位成完全配合在激光二极管阵列的横截面面积内。在另一示例中，多个光学部件可以在激光二极管阵列的横截面面积内相互层叠地定位。

步骤630包括通过钎焊和焊接的组中的至少一种来附接至少一个光学部件和激光二极管阵列的相邻部分。

需要强调的是，本发明的上述实施方式，特别是任何“优选”的实施方式，仅仅是实现方案的可能的示例，只是为了清楚理解本发明的原理而提出的。在实质上不脱离本发明的精神和原则的情况下，可以对本发明的上述实施方式进行许多变化和改进。所有这些改进和变化旨在包含在本发明的范围内，并且受所附权利要求的保护。

Claims (12)

1.一种激光二极管装置，包括：

激光二极管阵列，其具有发射表面和安装表面；

散热器，其在安装表面处与激光二极管阵列热连通，散热器远离发射表面的至少一个边缘垂直地延伸；与激光二极管阵列对面的散热器机械连通的正极和负极端子板；和

与激光二极管阵列和正极和负极端子电连通的电箔，电箔远离发射表面垂直地延伸，其中正极和负极电端子板与散热器电隔离，以及

其中散热器、正极和负极电端子板和电箔的横截面面积不大于激光二极管阵列的横截面面积的120％。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述激光二极管阵列、正极和负极电端子板和电箔被钎焊到所述散热器上。

3.根据权利要求1或2所述的装置，还包括位于激光二极管阵列的发射路径内的激光二极管阵列上的光学组件，其中，光学组件不延伸超过激光二极管阵列的横截面面积，并且光学组件的每个光学部件被钎焊到每个相邻的光学部件，并且其中光学组件被钎焊到激光二极管阵列。

4.根据权利要求1-3所述的装置，其特征在于，光学组件的每个光学部件被焊接到每个相邻的光学部件，并且其中光学组件被焊接到激光二极管阵列。

5.根据权利要求1-4所述的装置，其特征在于，正极和负极电端子板定位在相同的方向上，或者电箔邻近散热器定位，电箔在激光二极管阵列的相对边缘处连接到激光二极管阵列。

6.一种激光二极管组件的制造方法，包括以下步骤：

机械地耦合激光二极管阵列和散热器，其中激光二极管阵列具有发射表面和安装表面，其中散热器远离发射表面的至少一个边缘垂直地延伸，其中发射表面和散热器热连通；

将正极和负极电端子板与激光二极管阵列对面的散热器机械地耦合；和

将电箔与激光二极管阵列和正极和负极端子电耦合，电箔远离发射表面垂直地延伸，其中正极和负极电端子板与散热器电隔离，以及

其中散热器、正极和负极电端子板和电箔的横截面面积不大于激光二极管阵列的横截面面积的120％。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，激光二极管阵列、正极和负极电端子板和电箔被钎焊到散热器上，并且电箔邻近散热器定位。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于以下步骤：在激光二极管阵列的发射路径内将光学组件机械地耦合在激光二极管阵列上，并且光学组件不延伸超过激光二极管阵列的横截面面积。

9.根据权利要求6-8所述的方法，其特征在于，光学组件的每个光学部件被钎焊到每个相邻的光学部件，并且其中光学组件被钎焊到激光二极管阵列，并且光学组件的每个光学部件焊接到每个相邻的光学部件，并且其中光学组件焊接到激光二极管阵列。

10.一种将光学部件连接到激光二极管阵列的方法，包括以下步骤：

使焊料沿着至少一个光学部件的至少一部分流动；

将至少一个光学部件定位在激光二极管阵列上；和

通过钎焊和焊接的组中的至少一种来连接至少一个光学部件和激光二极管阵列的相邻部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述至少一个光学部件定位在激光二极管阵列的横截面面积内，并且多个光学部件相互层叠地定位且位于激光二极管阵列的横截面面积内。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述至少一个光学部件包括从所述光学部件的一个表面延伸的至少一个基座，并且其中焊料沿着至少一个基座流动。