CN116695085A - 监控系统、薄膜沉积系统和相移薄膜产品的制造方法 - Google Patents

监控系统、薄膜沉积系统和相移薄膜产品的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种监控系统、薄膜沉积系统和相移薄膜产品的制造方法，该监控系统，通过在线监控相移薄膜产品(例如空白相移掩模版等)表面上的反射率和/或透射率，以及，在线监控相移薄膜产品的相移量，并将在线监控到的反射率、透射率和相移量之一用于在线调整制造相移薄膜产品的沉积工艺参数，进而能够提高相移薄膜产品的良率和生产效率，降低生产成本。

Description

监控系统、薄膜沉积系统和相移薄膜产品的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种监控系统、薄膜沉积系统和相移薄膜产品的制造方法。
背景技术
光刻技术的进步使得器件的特征尺寸不断减小，芯片的集成度和性能不断提高。在摩尔定律的引领下，光学光刻技术经历了接触/接近、等倍投影、缩小步进投影、步进扫描投影等曝光方式的变革。
提高光刻分辨率是光刻技术的核心。光刻分辨率是指通过光刻机在硅片表面能曝光的最小特征尺寸，它是决定光刻机性能的核心技术指标。光刻分辨率R的计算公式为R＝K1*λ/NA，其中，λ为光刻机的曝光光源的波长(即曝光波长)，K1为工艺系数因子，NA为光刻投影物镜数值孔径。提高光刻分辨率R可以通过缩短曝光波长λ、降低工艺系数因子K1和提高光刻物镜数值孔径NA等来实现。
曝光波长缩短是光刻技术发展的一个重要方面，已从436nm(h线)、365nm(i线)的紫外与近紫外光，248nm(KrF)、193nm(ArF)深紫外(DUV)，发展到现在的13.5nm的极紫外光(EUV)。曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高，但同时会使焦深(DOF)线性减小。这是因为DOF的计算公式为K2*λ/NA2，其中，λ为曝光波长(即光刻机的曝光光源的波长)，K2为工艺系数因子，NA为光刻投影物镜数值孔径。由于焦深DOF与数值孔径NA的平方成反比，因此增大投影物镜的数值孔径NA，会导致在提高光刻分辨率的同时使投影物镜的焦深急剧减小。
由于硅片平整度误差、胶厚不均匀、调焦误差以及视场弯曲等因素的限制，投影物镜必须具备足够的焦深DOF。因此在一定曝光波长情况下，为保持有足够的焦深，通常采用光刻分辨率增强(Resolution Enhancement Technique，RET)技术，以降低工艺因子k1、提高工艺因子k2。
现有的光刻分辨率增强技术主要有离轴照明技术(Off Axis Illumination，OAI)、相移掩模(Phase Shift Mask，PSM)、光学邻近效应校正(Optical ProximityCorrecttion，OPC)以及亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution Assist Feature，SRAF)。
其中，相移掩模技术为先进光刻技术中常选用技术，它克服了光通过二元掩模版(Binary Mask，BIM)上的小图案时发生衍射的有关问题。如图1所示，该相移光掩模技术的基本原理是：利用光干涉原理成像，在传统掩模(即普通二元掩模版)的某些透光区上增加一层透明的相移层Shifter，使在相移层Shifter上透过的光相移180°，与旁边相邻且没有相移层的透光区透过的非相移光进行干涉，形成相消干涉，从而提高硅晶圆wafer上转移图像的对比度。
相移掩模PSM中，通过相移层Shifter的相位移量φ(rad)依赖于相移层Shifter的复数折射率实部n和相移层厚d，且φ＝2πd(n-1)/λ，这里，λ为曝光光源的波长(即曝光波长)。从而，在设计相移掩模PSM时，要使相位偏移180°，应有相移层厚d＝λ/[2(n-1)]。
目前设计的相移掩模根据形成掩模图案的相移部的透光特性大致在实用性上分为：完全透过性型(Levenson)相移掩模和半色调型(Half Tone)相移掩模。前者完全透过性型的相移部的透光率与非图案部(透光部)相同，是对曝光波长几乎透明的掩模，该类型的相移掩模一般对线宽(Line)与间距(Space)L/S图案的转移有效。后者半色调型的相移部(半透光部)的透光率只有非图案部(透光部)的百分之几到百分之几十程度，该类型的相移掩模对接触孔或孤立空隙图案的非常有效。
半色调型相移掩模又分为单层和双层两种结构。单层型结构简单，且制造容易，因而在目前成为主流，通常是由MoSiN或MoSiON单层膜构成。而双层型结构是由主要控制透过率的层和主要控制相移量的层组合构成，从而能够独立控制以透过率为代表的分光特性和相移量(相位角)。
目前相移掩模无论采用哪种结构，工业界均用PVD(溅射)法大规模生产空白相移掩模版，通过控制设备的工艺参数来保证空白相移掩模版的透过率和相移量，且空白相移掩模版最终的性能通常是在其出腔后，通过QC测试，来确认是否符合要求。但是实际情况下，由于腔体真空度、各种反应气体流量、靶材使用率等等各种因素均会影响空白相移掩模版的膜层的质量和特性，但是，目前空白相移掩模版的制造工艺中没有在线监控(又称为“实时监控”或“在位监控”)，只依赖于设备的控制稳定性来控制生产的空白相移掩模版的性能，严重限制了空白相移掩模版的良率和生产效率。
上述问题也存在于现有的其他相移薄膜产品的制造中。
发明内容
本发明的目的在于提供一种监控系统、薄膜沉积系统和相移薄膜产品的制造方法，能够对相移薄膜产品的沉积工艺进行在线监控，并根据在线监控结果在线调整沉积工艺参数，进而提高相移薄膜产品的良率和生产效率。
为实现上述目的，本发明提供一种监控系统，设置在沉积腔室的外部并用于在线监控相移膜沉积工艺，其包括：
第一监控组件，用于将相应的第一探测光束入射到所述沉积腔室内正在制造的相移薄膜产品的表面上，并测量所述相移薄膜产品对所述第一探测光束的反射率和/或透射率；
第一分束器，用于将第二探测光束分成第三探测光束和第四探测光束，并将所述第三探测光束入射到所述相移薄膜产品的表面上；
第二监控组件，用于使所述第四探测光束与所述相移薄膜产品透射的第三探测光束发生干涉，并根据干涉结果测量所述相移薄膜产品上的相移量；
其中，所述第一监控组件监测到的反射率和/或透射率以及所述第二监控组件监测到的相移量中的至少一个，用于在线调整所述沉积腔室的沉积工艺参数。
可选地，所述第一监控组件包括第一反射单元，用于将所述第一探测光束反射到所述相移薄膜产品的表面上。
可选地，所述第一监控组件还包括反射率监测单元，用于接收所述相移薄膜产品的表面上反射的第一探测光束，以测量所述相移薄膜产品对所述第一探测光束的反射率。
可选地，所述第一监控组件还包括第二反射单元，所述第二反射单元用于将所述相移薄膜产品的表面上反射的第一探测光束反射到所述反射率监测单元中。
可选地，所述第一监控组件还包括透射率监测单元，用于接收所述相移薄膜产品透射的第一探测光束，以测量所述相移薄膜产品对所述第一探测光束的透射率。
可选地，所述第一监控组件还包括第三反射单元，用于将所述相移薄膜产品透射的第一探测光束反射到所述透射率监测单元。
可选地，所述第二监控组件包括：
相位补偿器，用于对所述第四探测光束进行相位补偿；
干涉单元，用于使所述相移薄膜产品透射的第三探测光束和相位补偿后的第四探测光束相汇并发生干涉；
相移监测单元，用于根据所述干涉单元输出的干涉结果来测量所述相移薄膜产品上的相移量。
可选地，所述第二监控组件还包括：
第四反射单元，用于将所述相位补偿器相位补偿后的第四探测光束反射到所述干涉单元中；和/或
第五反射单元，用于将所述相移薄膜产品透射的第三探测光束反射到所述干涉单元中。
可选地，所述第二监控组件还包括第二分束器，所述相移监测单元包括第一光电探测器和第二光电探测器；所述第二分束器用于将所述干涉单元输出的干涉光分束为两路，一路进入所述第一光电探测器以收集干涉图像信息，另一路进入所述第二光电探测器以测量相移量。
可选地，所述干涉单元包括分束棱镜，所述第一光电探测器包括CCD图像传感器或CMOS图像传感器，所述第二光电探测器包括PMT光电倍增管。
可选地，所述第二监控组件还包括设置在所述第二分束器和所述第二光探测器之间的光路上的针孔光阑。
可选地，所述第一探测光束和所述第三探测光束入射到所述相移薄膜产品相对的两个表面上；其中，所述第一监控组件和所述第二监控组件共用同一探测光源，所述的监控系统还包括第三分束器，用于将所述同一探测光源发出的光分束成所述，所述第一探测光束经所述第一监控组件的反射后入射到所述相移薄膜产品的相应表面上，所述第二探测光束入射到所述第一分束器，所述第三探测光束入射到所述相移薄膜产品的另一表面上；或者，所述的监控系统还包括用于发出所述第一探测光束的第一探测光源，以及用于发出第二探测光束的第二探测光源。
可选地，所述第一探测光束入射到所述相移薄膜产品的背面上，所述第三探测光束入射到所述相移薄膜产品的正面上；所述沉积腔室的顶部设有上透明区域，所述上透明区域用于方便所述第三探测光束的入射以及所述相移薄膜产品透射的第一探测光束的穿出；和/或，所述沉积腔室的底部设有下透明区域，所述下透明区域用于方便所述第一探测光束的入射和反射穿出及所述相移薄膜产品透射的第三探测光束的穿出。
可选地，所述相移薄膜产品具有位于最底层的透明基板，所述沉积腔室对应于所述上透明区域和所述下透明区域的室壁均为透明壁；所述透明壁和所述透明基板的材质均为透明玻璃，或者，所述透明壁的材质为透明玻璃，所述透明基板的材质为透明树脂。
可选地，所述相移薄膜产品底部直接放置在所述下透明区域的透明壁的表面上；
或者，所述沉积腔室在所述下透明区域处还设有一空心箱体，所述空心箱体的底壁为所述透明壁，所述空心箱体的顶部具有透光开口，所述相移薄膜产品放置到所述透光开口上后将所述空心箱体封闭；
或者，所述沉积腔室在所述下透明区域的底壁内凹形成一载台，所述载台的顶部为所述透明壁，所述相移薄膜产品放置在所述透明壁上。
可选地，所述相移薄膜产品为空白相移掩模版，所述沉积腔室通过在透明基板上沉积至少一层相移膜，来获得所述空白相移掩模版的相移层。
基于同一发明构思，本发明还提供一种薄膜沉积系统，其包括沉积腔室和如本发明所述的监控系统。
可选地，所述的薄膜沉积系统还包括系统总控制装置、物料腔、机械手和真空缓冲腔；所述物料腔用于放置待薄膜沉积的基板，所述机械手用于将所述物料腔中的基板经所述真空缓冲腔上片到所述沉积腔室中，所述系统总控制装置电性连接所述监控系统，并用于将所述监控系统的所监测到的反射率、透射率和相移量中的至少一个与相应的预设目标进行比对，并根据比对结果调整所述沉积腔室中正在制造的相移薄膜产品所对应的沉积工艺参数。
基于同一发明构思，本发明还提供一种相移薄膜产品的制造方法，其包括在基板上沉积所需的相移层，形成相移薄膜产品；其中，在沉积所需的相移层的过程中还包括：
根据所述基板和沉积的相移材料特性，选择在线监测所述相移薄膜产品的相应表面上的反射率和/或透射率；
将在线监测到的反射率和/或透射率与相应的预设目标进行比对，并根据比对结果在线调整所述相移薄膜产品所对应的沉积工艺参数，直至该相移薄膜产品的反射率和/或透射率均达到相应的预设目标；
继续沉积相移层，并在线监测所述相移薄膜产品的相移量；
根据监测到的相移量和相应的预设目标，调整沉积工艺参数，直至所述相移薄膜产品的相移量达到相应的预设目标。
可选地，所述相移薄膜产品为空白相移掩模版，所述制造方法还包括：在所述沉积腔室内在透明基板上沉积形成所需的相移层之后，还包括：
在所述相移层上沉积遮光层；
在所述遮光层上涂覆光阻层。与现有技术相比，本发明的技术方案至少具有以下有益效果之一：
1、能够通过在线监控相移薄膜产品(例如空白相移掩模版等)表面上的反射率和/或透射率，以及，在线监控相移薄膜产品的相移量，并将在线监控到的反射率、透射率和相移量之一用于在线调整制造相移薄膜产品的沉积工艺参数，进而能够提高相移薄膜产品的良率和生产效率，降低生产成本。
2、监控系统的组件均设置在沉积腔室外面，因此能够降低原有薄膜沉积系统的升级成本。
附图说明
本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。其中：
图1是一种典型的空白掩模版的剖面结构示意图。
图2是本发明第一实施例的监控系统的结构示意图。
图3A至图3C是图2所示的监控系统的几种具体示例结构示意图。
图4是本发明第一实施例的监控系统与系统总控制装置的连接示意图。
图5是本发明第一实施例的相移薄膜产品的制造方法的流程示意图。
图6A至图6D分别是本发明第一实施例的薄膜产品的制造方法中的相移层沉积过程中监测到的相关曲线示意图。
图7至图9是本发明第二实施例的监控系统的各个不同示例的结构示意图。
其中，各附图中的附图标记如下：
1，物料腔；2，真空缓冲腔；3，机械手；4-PVD靶；5’，基板；5，薄膜产品；6、18，探测光源；7-1，第三分束器；7-2，第一分束器；7-3，第二分束器；8-1～8-8，反射镜；9，相位补偿器；10，干涉单元；11，针孔光阑；12，第一光电探测器；13，反射率监测单元；14，透射率监测单元；15，沉积腔室；15-1，上透明区域，15-2，下透明区域；15-3，空心箱体；15-4，载台；16，第二光电探测器；17，系统总控制装置。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为"在…上"、"连接到"其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、连接其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为"直接在…上"、"直接连接到"其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。尽管可使用术语上、第二等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的上元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在……之下”、“在下面”、“下面的”、“在……之上”、“在上面”、“上面的”、“顶面上”、“底面上”、“正面上”、“背面上”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在……之下”、“在下面”、“下面的”、“底面上”、“背面上”的元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”或“顶”或者“正”。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的"一"、"一个"和"所述/该"也意图包括复数形式，除非上下文清楚的指出另外的方式。还应明白术语“包括”用于确定可以特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语"和/或"包括相关所列项目的任何及所有组合。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的技术方案作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
第一实施例
请参考图2，本实施例提供一种监控系统，设置在沉积腔室的外部并用于在线监控相移薄膜沉积工艺，其主要包括探测光源6、第三分束器7-1、第一监控组件、第一分束器7-2和第二监控组件。
第一监控组件和第二监控组件共用同一探测光源6。具体地，探测光源6发出的探测光束被第三分束器7-1分束成第一探测光束a和第二探测光束b，第一监控组件将第一探测光束a入射到沉积腔室15内正在制造的相移薄膜产品5的背面上，并测量所述相移薄膜产品5对第一探测光束a的反射率和/或透射率。第二探测光束b入射到第一分束器7-2中，第一分束器7-2将第二探测光束b分成第三探测光束c和第四探测光束d，并将第三探测光束c入射到相移薄膜产品5的正面上。第二监控组件使第四探测光束d与相移薄膜产品5透射的第三探测光束c相汇并发生干涉，进而根据干涉结果测量相移薄膜产品5上的相移量。其中，第一监控组件监测到的反射率和/或透射率以及第二监控组件监测到的相移量中的至少一个，用于在线调整沉积腔室15的沉积工艺参数。
该沉积腔室15的结构与基于现有的沉积系统中的沉积腔室大致相同，区别主要在于，在沉积腔室15的顶部上设有上透明区域15-1，该上透明区域15-1用于方便第三探测光束c的入射以及相移薄膜产品5透射的第一探测光束a的穿出；在沉积腔室15的底部上设有下透明区域15-2，该下透明区域15-2用于方便第一探测光束a的入射、反射穿出以及相移薄膜产品5透射的第三探测光束c的穿出。也就是说，上透明区域15-1处的沉积腔室15的室壁和下透明区域15-2处的沉积腔室15的室壁均为透明壁。
作为一种示例，当相移薄膜产品5是基于透明基板5’来制造的时，即沉积腔室15中正在制造的相移薄膜产品5具有位于最底层的透明基板5’时，上透明区域15-1的透明壁和/或下透明区域15-2的透明壁的材质可以与透明基板5’的材质相同，例如均为透明玻璃，该透明玻璃可以是合成石英玻璃、硼硅玻璃或苏打玻璃。
在其他示例中，上透明区域15-1的透明壁和下透明区域15-2的透明壁的材质也可以与透明基板5’的材质不同，例如，上透明区域15-1的透明壁和/或下透明区域15-2的透明壁的材质为透明玻璃，透明基板5’的材质为透明树脂。
当然，在本发明的其他实施例中，上透明区域15-1的透明壁和下透明区域15-2的透明壁还可以选用透明玻璃以外的其他任意合适的透明材质来形成，能够承受薄膜沉积工艺的高温、压力等条件即可，本发明对此不做具体限定。
本实施例中，第一监控组件包括第一反射单元、第二反射单元、反射率监测单元13、第三反射单元和透射率监测单元14。
第一反射单元和第二反射单元可以分别由一个或多个反射镜搭建，这取决于第三分束器出射的第一探测光束a的方向、入射到相移薄膜产品5的角度以及反射率监测单元13的设置位置和接收角度等等。作为一种示例，第一反射单元由沿光路依次布设的反射镜8-1、8-2、8-3、8-4组成，第三分束器7-1出射的第一探测光束a经反射镜8-1、8-2、8-3、8-4依次反射后，可以透过下透明区域15-2入射到沉积腔室15内正在制造的相移薄膜产品5的背面上。第二反射单元由一个反射镜8-5搭建，且能够将相移薄膜产品5的背面反射的第一探测光束a反射到反射率监测单元13中，反射率监测单元13测量出相移薄膜产品5对第一探测光束a的反射率。
第一探测光束a入射到相移薄膜产品5背面上不仅会发生反射，还会发生透射，第三反射单元将相移薄膜产品5透射的第一探测光束a反射到透射率监测单元14处接收，以测量出相移薄膜产品对第一探测光束a的透射率。其中，第三反射单元可以由一个或多个反射镜搭建，这取决于第三分束器出射的第一探测光束a的方向、相移薄膜产品5透射的第一探测光束a的出射方向以及透射率监测单元14的设置位置和接收角度等等。作为一种示例，第三反射单元由一个反射镜8-6搭建，反射镜8-6将相移薄膜产品5正面上透射出的第一探测光束a反射到透射率监测单元14中。
应当理解的是，反射率监测单元13和透射率监测单元14可以通过任意合适的光学的和/或电子的元器件来搭建，例如分别通过会聚透镜组和光探测器来搭建。另外，在本实施例的其他示例中，当第三分束器出射的第一探测光束a的方向以及反射率监测单元13的设置位置和接收角度设置合理时，也可以省略第二反射单元以及第一反射单元中的一些反射镜。
第二监控组件包括相位补偿器9、干涉单元10、第四反射单元、第五反射单元、第二分束器7-3和相移监测单元，相移监测单元包括针孔光阑11、第一光电探测器12和第二光电探测器16。
相位补偿器9用于对第一分束器7-2出射的第四探测光束d进行相位补偿。
第四反射单元用于将相位补偿器9相位补偿后的第四探测光束d反射到干涉单元10中，因此，第四反射单元可由一个或多个反射镜搭建，这取决于相位补偿器9出射的第四探测光束d的方向以及干涉单元的设置位置和接收角度等等。作为一种示例，第四反射单元由一个反射镜8-7搭建。
为了尽可能减少第三探测光束c的能量损耗，并保证相移薄膜产品5透射的第三探测光束c能够与第四探测光束d发生干涉，本实施例中，第一分束器7-2出射的第三探测光束c垂直入射到相移薄膜产品5的正面上，从而可以垂直透射而出。第五反射单元用于将相移薄膜产品5背面上透射而出的第三探测光束c反射到干涉单元10中，因此，第五反射单元可由一个或多个反射镜搭建，这取决于相移薄膜产品5背面上透射而出的第三探测光束c的出射方向以及干涉单元10的设置位置和接收角度等等。作为一种示例，第五反射单元由一个反射镜8-8搭建。
相移薄膜产品5背面上透射而出的第三探测光束c以及相位补偿器9补偿后的第四探测光束d在干涉单元10中相汇并发生干涉。干涉单元10可以采用任意合适的光学元器件来搭建，作为一种示例，干涉单元10可以包括分束棱镜。
第二分束器7-3所将干涉单元10输出的干涉光分束为两路，一路进入第一光电探测器12以收集干涉图像信息，另一路经针孔光阑11的约束后进入第二光电探测器16以测量相移量。作为一种示例，第一光电探测器12包括CCD图像传感器或CMOS图像传感器，第二光电探测器16包括PMT光电倍增管。
应当理解的是，在本实施例的其他示例中，当相位补偿器9输出的第四探测光束d的方向以及干涉单元的位置和接收角度设置合理时，也可以省略第四反射单元的设置。同理，当相移薄膜产品5透射的第三探测光束c的方向以及干涉单元的位置和接收角度设置合理时，也可以省略第五反射单元的设置。
值得注意的是，在沉积过程中，沉积腔室15的四周室壁上比较容易沉积相关材料，为了防止相关材料附着或沉积到上透明区域15-1的表面上，使得第三探测光束c顺利照射至相移薄膜产品5的正面上，并使得透射率监测单元14能顺利接收到相移薄膜产品5正面上透射而出的第一探测光束a，可以在上透明区域15-1外围的沉积腔室15顶部增设相应的辅助机构，该辅助机构可以包括喷气嘴等，在薄膜沉积的过程中，可以向该辅助机构中通入例如氩气或氦气等不参与薄膜沉积反应与且不会对沉积腔室15内的薄膜沉积产生不利影响的惰性气体，其中优选通入与PVD辉光放电一样的惰性气体，同时对沉积腔室15进行抽气，在保持沉积腔室15内的真空度的前提下，使得辅助机构喷出的气体在上透明区域15-1表面附近能够形成一层保护气膜，该保护气膜可以阻挡相关材料附着或沉积到上透明区域15-1的表面上，从而保证上透明区域15-1的透光率。当然，在本发明的其他实施例中，该辅助机构还可以采用其他任意合适的结构设计，本发明对此不做具体限定。
另外，在沉积过程中，沉积腔室15的四周室壁上比较容易沉积相关材料，且由于重力的作用，沉积腔室15的底壁上相对更容易沉积相关材料。为了防止相关材料附着或沉积到下透明区域15-2的表面上，使得探测光源6发出的第一探测光束a经第一监控组件的第一反射单元顺利入射到相移薄膜产品5的背面上并反射而出，以及，使得干涉单元10顺利接收到相移薄膜产品5透射过来的第三探测光束c，可以采用以下几种示例来保证下透光区域15-2的透光率：
(1)请参考图3A，在本实施例的一示例中，将相移薄膜产品5的底部直接放置到下透光区域15-2处的透光壁上，由此利用相移薄膜产品5的背面紧贴下透光区域15-2处的透光壁表面的特点，来减少或者避免相关材料沉积到下透光区域15-2处的透光壁上。
(2)请参考图3B，在本实施例的另一示例中，在下透光区域15-2处设置一个空心箱体15-3，该空心箱体15-3的底壁就是下透光区域15-2处透明的沉积腔室的室壁(即透明壁)，空心箱体15-3的顶部具有透光开口(未图示)，相移薄膜产品5的背面放置到该空心箱体15-3顶部的透光开口上后将该空心箱体15-3封闭，从而保护相移薄膜产品5的背面以及下透光区域15-2的顶面，防止相关材料沉积到相移薄膜产品5的背面以及下透光区域15-2的顶面上，保证了下透光区域15-2的透光率。
(3)请参考图3C，在本实施例的又一示例中，沉积腔室15的底壁在下透光区域15-2处向上内凹，从而在沉积腔室15的内部形成一载台15-4，该载台15-4至少顶部为下透光区域15-2(即透明壁)，将相移薄膜产品5的底部直接放置到载台15-4的顶面上，由此利用相移薄膜产品5的背面紧贴下透光区域15-2处的透光壁表面的特点，来减少或者避免相关材料沉积到下透光区域15-2处的透光壁上。
此外，还应当理解的是，本实施例中，探测光源6为线光源，发出的探测光束为光班较小的激光，通过合理布设监控系统的各个组件的位置和角度等等，可以保证在相移薄膜产品5的正面和背面上，第一探测光束a和第三探测光束c不会发生相汇和干涉，由此保证监测效果。
本实施例中，第一监控组件和第二监控组件均设置在沉积腔室15的外部，并未对沉积腔室15内部原有构造产生影响，因此，本实施例的监控系统适用于现有的任意合适的沉积设备的升级，例如真空蒸镀、溅射沉积等物理气相沉积设备，或者，原子层沉积等化学沉积设备等等的升级。
基于此，本实施例还提供一种薄膜沉积系统，其包括沉积腔室15和如本实施例所述的监控系统。该薄膜沉积系统可以是物理气相沉积系统，也可以是化学沉积系统，其通常还包括系统总控制装置17、物料腔1、具有机械手的真空缓冲腔2和具有机械手的卸料腔(未图示)等结构。其中，物料腔1能够在打开后与大气环境连通，用于放置待薄膜沉积的基板5’。真空缓冲腔2能够物料腔1关闭后能够起到真空缓冲的作用，提高效率。真空缓冲腔2处的机械手用于在物料腔1、真空缓冲腔2和/或沉积腔室15达到真空平衡后，将物料腔1中的基板5’经真空缓冲腔2直接或分步上片到沉积腔室15中。其中直接上片的过程是：将物料腔1、真空缓冲腔2和沉积腔室15三者连通，待达到真空平衡后，真空缓冲腔2处的机械手将物料腔1中的基板5’经真空缓冲腔2直接上片到沉积腔室15中。分步上片的过程是：首先连通物料腔1和真空缓冲腔2，待物料腔1和真空缓冲腔2达到真空平衡后，真空缓冲腔2处的机械手先将物料腔1中的基板5’上片到真空缓冲腔2中；然后将物料腔1和真空缓冲腔2之间关断，并连通真空缓冲腔2与沉积腔室15，待真空缓冲腔2和沉积腔室15达到真空平衡后，真空缓冲腔2处的机械手再将基板5’上片到沉积腔室15中。同理，卸料腔处的机械手将沉积腔室15中生产出的相移薄膜产品5下片到卸料腔中。
系统总控制装置17电性连接监控系统中的反射率监测单元13、透射率监测单元14、第一光电探测器12和第二光电探测器16，同时还连接与沉积腔室15的沉积工艺参数调整相关的电学组件，系统总控制装置17用于将监控系统的所监测到的反射率、透射率和相移量中的至少一个与相应的预设目标进行比对，并根据比对结果调整沉积腔室15对正在制造的相移薄膜产品所设置的沉积工艺参数，直至到所监测到的反射率、透射率和相移量均达到预设目标，从而提高相移薄膜产品的良率。
当该薄膜沉积系统为物理气相沉积系统时，该沉沉积腔室15内还还设有至少一个PVD靶3，该PVD靶3用于对沉积腔室15内的基板5’进行相移材料的溅射沉积，以制造出相应的相移薄膜产品5所需的相移层(或称为相移薄膜)。通常在沉积时，PVD靶3做阴极，在沉积腔室15中用正离子(氩离子Ar+等)轰击PVD靶3，将其原子溅射处并迁引到基板上沉积形成相移层，从而获得相移薄膜产品5。
本实施例还提供一种相移薄膜产品的制造方法，其可以采用本实施例的监控系统和薄膜沉积系统来实现，该相移薄膜产品的制造方法包括在基板上沉积所需的相移层，形成相移薄膜产品。其中，在沉积所需的相移层的过程中还包括：
首先，根据基板5’和沉积的相移材料特性，选择在线监测待制造的相移薄膜产品5的相应表面上的反射率和/或透射率；
然后，将在线监测到的反射率和/或透射率与相应的预设目标进行比对，并根据比对结果在线调整该相移薄膜产品5所对应的沉积工艺参数，直至该相移薄膜产品5的反射率和/或透射率均达到相应的预设目标；
接着，继续沉积相移层，并在线监测所述相移薄膜产品的相移量；
根据监测到的相移量和相应的预设目标，调整沉积工艺参数，直至所述相移薄膜产品5的相移量达到相应的预设目标。
作为一种示例，出产的相移薄膜产品5为空白相移掩模版，请参考图1，该空白掩模版包括位于底层的透明基板Qz、形成在透明基板Qz上的相移层shifter、遮光层Cr(即其材料主要成分是铬Cr)以及覆盖在相移层shifter和遮光层Cr上的光阻层(未图示)。其中，透明基板Qz的材质可以合成石英玻璃、石英玻璃、铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃或低热膨胀玻璃(SiO2-TiO2玻璃)等。相移层shifter的材料均不受特别地限定，通常是以氧化铬Cr2O3、氮化铬CrN、氮氧化铬CrON等至少一种的铬化合物为主要成分的材料，或者是以硅和钼(Mo)、锆(Zr)、钽(Ta)、钨(W)或钛(Ti)等至少一种过渡金属为主要成分的材料，第二种材料中进一步还可以含有氮，例如MoSiN等。相移层shifter可以是单层膜或由同一组分构成的层叠膜。遮光层Cr还可以被替换为碳化铬膜等其他铬质膜或者硅膜、氧化铁质膜等其他材质的遮光膜。
下面以空白相移掩模版的制造方法(即在透明基板上沉积相移层并在线监控相移层的质量)为例，来详细说明本实施例的相移薄膜产品的制造方法。
请结合图1至图6D，本实施例的一个示例提供一种空白相移掩模版的制造方法，其包括以下步骤：
S1，在透明基板上沉积MoSi材料，以形成相移层，且在沉积相移层的过程中，监测透明基板背面上的反射率以及透明基板正面上的透射率。其中，在步骤S1中，可以通过探测光源6发射的光束经第三分束器7-1分束后得到第一探测光束a和第二探测光束b，第一探测光束a经第一反射单元的反射镜8-1～8-4反射至透明基板背面上，并通过反射率监测单元13接收透明基板背面上反射的第一探测光束a，进而监测透明基板背面上的反射率，同时通过透射率监测单元14监测透明基板正面上的透射率。其中监测到的反射率的大小能够反映沉积腔室15内当前的工艺气体流量、压力等工艺参数，如图6A所示，其应当是不随相移层沉积的膜厚而变化的常数，且反射率决定了透明基板和沉积的相移层组成的结构的组分。监测到的透射率会随着相移层沉积的膜厚的增加而降低。另外，探测光源6发出的光束的波长为待制造的空白相移掩模版所适用的特定工作波长(即该空白相移掩模版所在的光刻机的曝光光源的波长)，比如436nm、365nm、248nm或193nm等。
S2，可以通过系统总控制装置17来判断监测到的反射率是否达到相应的相移层厚度范围(例如10nm～20nm)内的预设反射率目标，同时判断监测到的透射率是否达到该相移层厚度范围(例如10nm～20nm)内的预设透射率目标。若未达到预设的反射率目标，则系统总控制装置17调整沉积MoSi的工艺气体的流量、压力、功率、沉积时间、真空度等至少一种沉积工艺参数并继续执行步骤S1～S2，若未达到透射率目标，则继续执行步骤S1～S2，即这两种情况下均继续沉积MoSi，直至监测到的反射率和透射率均达到相应的相移层厚度范围(例如10nm～20nm)的预设目标，此时沉积MoSi的总膜厚也达到相应的相移层厚度范围(例如10nm～20nm)。
S3，继续沉积MoSi，且在沉积MoSi的过程中，监测透明基板上的相移层产生的相移量。其中，在步骤S3中，探测光源6发射的光束经第三分束器7-1、第一分束器7-2分束后得到第三探测光束c和第四探测光束d，第三探测光束c经相移薄膜产品5(即相移层和透明基板)的透射后与第四探测光束d在干涉单元10处相汇且发生干涉，通过第一光电探测器12和第二光电探测器16监测到透明基板上的相移层产生的相移量。其中监测到的相移量随相移层的膜厚增加，先线性下降至最低而后突变至最大，之后线性下降，如图6B所示。另外，在本步骤中，还可以继续监测透明基板背面上的反射率和/或相移层正面上的透射率。例如在监测相移量的同时利用第一监控组件监测到相移层正面上的透射率，如图6C所示，监测到的透射率会随着相移层沉积的膜厚的增加而降低。
S4，通过系统总控制装置17判断监测到的相移量是否达到预设相移量目标，同时判断监测到的透射率是否达到预设透射率目标。若未达到预设相移量目标或未达到预设透射率目标，则系统总控制装置17调整沉积MoSi的工艺气体流量、压力、功率、真空度、沉积时间等至少一种沉积工艺参数，直至达到监测到的相移量和透射率(或光密度OD)均达到预设目标，此时相移层的膜厚也达到所需厚度，完成相移层的沉积。
进一步地，本实施例的空白相移掩模版的制造方法，在沉积好相移层之后，还进一步包括：
S5，在相移层上沉积遮光层。该遮光层的沉积可以与相移层的沉积在同一沉积腔室内完成，也可以不在同一沉积腔室内完成。进一步可选地，沉积遮光层的沉积腔室外也设有本发明的监控系统，此时在沉积遮光层(例如为Cr)的过程中，采用类似步骤S1中的监测方法来通过第一监控组件监测透明基板正面上的透射率(或者光密度)。其中监测到的透射率随遮光层的膜厚增加而减小，相应地，监测到的透射率对应的光密度OD随着遮光层的膜厚的增加而线性增大，如图6D所示。其中光密度OD＝lg(1/T)，T为透射率。
S6，通过系统总控制装置17判断监测到的透射率是否达到预设透射率目标或者判断监测到的透射率对应的光密度OD是否达到预设OD目标。若未达到预设的透射率目标(或者未达到预设OD目标)，则系统总控制装置17调整沉积遮光层的工艺气体的流量、压力、时间、真空度、功率等沉积工艺参数的至少一种，直至监测到的透射率(或OD)达到目标，此时遮光层的膜厚也达到所需厚度，完成遮光层的沉积。
之后可以进一步在遮光层上涂覆光刻胶，并在光刻胶固化后完成空白相移掩模版的制造。
应当理解是，在本实施例的其他示例中，在步骤S1中也可以仅仅选择监测透明基板正面上的透射率或者背面上的反射率。同样地，在步骤S3中也可以选择仅仅监测相移量。在步骤S5中也可以选择同时监测相移量、透射率和反射率，或者选择同时监测相移量和反射率。在步骤S6中也可以选择同时监测相移量、透射率和反射率，或者选择同时监测相移量和反射率。
此外，还需要理解的是，本实施例的监控系统和薄膜沉积系统具有普遍适用性，其不仅可以适用于上述需要对相移薄膜产品的正反两面的反射率和透射率都进行监控的情况，也可以适用于只需要对相移薄膜产品的相移量监控以及对相移薄膜产品的相应表面的反射率或透射率进行监控的情况。
第二实施例
针对一些薄膜产品的制造，其全程如果在监控相移薄膜产品的相移量的基础上，只需要监控相移薄膜产品的反射率或者透射率时，可以对第一实施例的监控系统进行相应部件的省略，可以得到本实施例的监控系统及其对应的薄膜沉积系统和薄膜产品的制造方法。
请参考图7，本实施例的第一示例提供一种监控系统和薄膜沉积系统，其监控系统也包括第一监控组件和第二监控组件。其中，该示例的第二监控组件与图2所示的第一实施例的第二监控组件的结构和布设相同，但是其第一监控组件相对图2所示的第一实施例的监控系统和薄膜沉积系统，省略了透射率监测单元14以及第三反射单元(即反射镜8-6)，设备结构简单，成本低。
该示例也提供一种薄膜产品制造方法，该制造方法中可以在基板上沉积相应的相移层时，可以有以下几种监控手段：(1)在基板的背面上监测反射率，这是因为反射率监测单元13设置在基板的背面侧；(2)在基板的背面上监测相移量，这是因为相移监测单元(包括针孔光阑11、第一光电探测器12和第二光电探测器16等)设置在基板的背面侧；(3)在基板的背面上同时监测反射率和相移量。
应当理解的是，此处及下文中的“在基板的背面上监测”均是因为接收相应光束的监测单元设置在基板的背面侧，并非是指探测光束直接入射到基板背面上。同理，下文中的“在基板的正面上监测”均是因为接收相应光束的监测单元设置在基板的正面侧，并非是指探测光束直接入射到基板正面上。
此外，本实施例的制造方法的几种监测手段的具体实施过程可以参考第一实施例中相应内容所述，在此不再赘述。
请参考图8，本实施例的第二示例提供一种监控系统和薄膜沉积系统，其监控系统包括第一监控组件和第二监控组件。其中，该示例的第二监控组件与图2所示的第一实施例的第二监控组件的结构和布设相同，但是其第一监控组件相对图2所示的第一实施例的监控系统和薄膜沉积系统，省略了反射率监测单元13以及第二反射单元(即反射镜8-5)，设备结构简单，成本低。
该示例也提供一种薄膜产品制造方法，该制造方法中可以在基板上沉积相应的相移层时，可以有以下几种监控手段：(1)在基板的正面上监测透射率；(2)在基板的背面上监测相移量；(3)在基板的正面上监测透射率，同时在基板的背面上监测相移量。
该制造方法的几种监测手段的具体实施过程可以参考第一实施例中相应内容所述，在此不再赘述。
请参考图9，本实施例的第三示例提供一种监控系统和薄膜沉积系统，其监控系统也包括第一监控组件和第二监控组件。其中，本示例中的探测光源有两个：一个是探测光源6，其作为第二探测光源，用于发出第二探测光束b进而提供第二监控组件所需的第三探测光束c和第四探测光束d；另一个是探测光源18，其作为第一探测光源，用于提供第一监控组件所需的第一探测光束a。因此该示例的监控系统相对于图2所示的第一实施例的监控系统和薄膜沉积系统，可以省略第三分束器7-1，同时第一反射单元可以省略反射镜8-1～8-3，设备结构简单，布设更灵活。其中，探测光源6和18的波长相同，均为待制造的空白相移掩模版所适用的特定工作波长(即该空白相移掩模版所在的光刻机的曝光光源的波长)，比如436nm、365nm、248nm或193nm等。该示例也提供一种薄膜产品制造方法，该制造方法中可以在基板上沉积相应的相移层时，可以有以下几种监控手段：(1)在基板的背面上监测反射率；(2)在基板的正面上监测透射率；(3)在基板的正面上监测透射率，同时在基板背面上监测反射率；(4)在基板的背面上监测相移量；(5)在基板的背面上同时监测反射率和相移量；(6)在基板的正面上监测透射率，同时在基板的背面上监测相移量；(7)在基板的背面上同时监测反射率和相移量，同时在基板的正面上监测透射率。
该制造方法中的监测手段与第一实施例基本相同，具体实施过程可以参考第一实施例中相应内容所述，在此不再赘述。
应当理解的是，上述各实施例中，由于干涉单元设置在沉积腔室15的下方，探测光源6设置在沉积腔室15的上方，因此相移量在相移薄膜产品5的背面上监测，但是本发明的技术方案并不仅仅限定于此，通过监控组件和探测光源的位置的合理布设，将相移监测单元和/或反射率监测单元均设置在相移薄膜产品5的正面侧，将透射率监测单元设置在相移薄膜产品5的背面侧，从而也可以实现在相移薄膜产品5的正面上监测相移量和/或反射率，在相移薄膜产品的背面上监测透射率，这相当于将上述各实施例中的监控组件180°调转，同样也是本发明的技术方案的保护范围。
综上所述，本发明的技术方案，能够通过在线监控相移薄膜产品(例如空白相移掩模版等)的相应表面上的反射率和/或相应表面上的透射率，以及相移层产生的相移量，并将在线监控到的反射率、透射率和相移量中的至少一个用于在线调整制造相移薄膜产品的沉积工艺参数，进而能够提高相移薄膜产品的良率和生产效率，降低生产成本。而且监控系统的组件均设置在沉积腔室外面，因此能够降低原有薄膜沉积系统的升级成本。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (20)

1.一种监控系统，设置在沉积腔室的外部并用于在线监控相移膜沉积工艺，其特征在于，包括：
第一监控组件，用于将相应的第一探测光束入射到所述沉积腔室内正在制造的相移薄膜产品的表面上，并测量所述相移薄膜产品对所述第一探测光束的反射率和/或透射率；
第一分束器，用于将第二探测光束分成第三探测光束和第四探测光束，并将所述第三探测光束入射到所述相移薄膜产品的表面上；
第二监控组件，用于使所述第四探测光束与所述相移薄膜产品透射的第三探测光束发生干涉，并根据干涉结果测量所述相移薄膜产品上的相移量；
其中，所述第一监控组件监测到的反射率和/或透射率以及所述第二监控组件监测到的相移量中的至少一个，用于在线调整所述沉积腔室的沉积工艺参数。
2.如权利要求1所述的监控系统，其特征在于，所述第一监控组件包括第一反射单元，用于将所述第一探测光束反射到所述相移薄膜产品的表面上。
3.权利要求2所述的监控系统，其特征在于，所述第一监控组件还包括反射率监测单元，用于接收所述相移薄膜产品的表面上反射的第一探测光束，以测量所述相移薄膜产品对所述第一探测光束的反射率。
4.权利要求3所述的监控系统，其特征在于，所述第一监控组件还包括第二反射单元，所述第二反射单元用于将所述相移薄膜产品的表面上反射的第一探测光束反射到所述反射率监测单元中。
5.权利要求2-4中任一项所述的监控系统，其特征在于，所述第一监控组件还包括透射率监测单元，用于接收所述相移薄膜产品透射的第一探测光束，以测量所述相移薄膜产品对所述第一探测光束的透射率。
6.权利要求5所述的监控系统，其特征在于，所述第一监控组件还包括第三反射单元，用于将所述相移薄膜产品透射的第一探测光束反射到所述透射率监测单元。
7.如权利要求1所述的监控系统，其特征在于，所述第二监控组件包括：
相位补偿器，用于对所述第四探测光束进行相位补偿；
干涉单元，用于使所述相移薄膜产品透射的第三探测光束和相位补偿后的第四探测光束相汇并发生干涉；
相移监测单元，用于根据所述干涉单元输出的干涉结果来测量所述相移薄膜产品上的相移量。
8.如权利要求7所述的监控系统，其特征在于，所述第二监控组件还包括：
第四反射单元，用于将所述相位补偿器相位补偿后的第四探测光束反射到所述干涉单元中；和/或
第五反射单元，用于将所述相移薄膜产品透射的第三探测光束反射到所述干涉单元中。
9.如权利要求7所述的监控系统，其特征在于，所述第二监控组件还包括第二分束器，所述相移监测单元包括第一光电探测器和第二光电探测器；所述第二分束器用于将所述干涉单元输出的干涉光分束为两路，一路进入所述第一光电探测器以收集干涉图像信息，另一路进入所述第二光电探测器以测量相移量。
10.如权利要求9所述的监控系统，其特征在于，所述干涉单元包括分束棱镜；所述第一光电探测器包括CCD图像传感器或CMOS图像传感器，所述第二光电探测器包括PMT光电倍增管。
11.如权利要求9所述的监控系统，其特征在于，所述第二监控组件还包括设置在所述第二分束器和所述第二光探测器之间的光路上的针孔光阑。
12.如权利要求1所述的监控系统，其特征在于，所述第一探测光束和所述第三探测光束入射到所述相移薄膜产品相对的两个表面上；其中，所述第一监控组件和所述第二监控组件共用同一探测光源，所述的监控系统还包括第三分束器，用于将所述同一探测光源发出的光分束成所述第一探测光束和第二探测光束，所述第一探测光束经所述第一监控组件的反射后入射到所述相移薄膜产品的相应表面上，所述第二探测光束入射到所述第一分束器，所述第三探测光束入射到所述相移薄膜产品的另一表面上；或者，所述的监控系统还包括用于发出所述第一探测光束的第一探测光源，以及用于发出第二探测光束的第二探测光源。
13.如权利要求12所述的监控系统，其特征在于，所述第一探测光束入射到所述相移薄膜产品的背面上，所述第三探测光束入射到所述相移薄膜产品的正面上；所述沉积腔室的顶部设有上透明区域，所述上透明区域用于方便所述第三探测光束的入射以及所述相移薄膜产品透射的第一探测光束的穿出；和/或，所述沉积腔室的底部设有下透明区域，所述下透明区域用于方便所述第一探测光束的入射和反射穿出及所述相移薄膜产品透射的第三探测光束的穿出。
14.如权利要求13所述的监控系统，其特征在于，所述相移薄膜产品具有位于最底层的透明基板，所述沉积腔室对应于所述上透明区域和所述下透明区域的室壁均为透明壁；所述透明壁和所述透明基板的材质均为透明玻璃，或者，所述透明壁的材质为透明玻璃，所述透明基板的材质为透明树脂。
15.如权利要求14所述的监控系统，其特征在于，所述相移薄膜产品底部直接放置在所述下透明区域的透明壁的表面上；
或者，所述沉积腔室在所述下透明区域处还设有一空心箱体，所述空心箱体的底壁为所述透明壁，所述空心箱体的顶部具有透光开口，所述相移薄膜产品放置到所述透光开口上后将所述空心箱体封闭；
或者，所述沉积腔室在所述下透明区域的底壁内凹形成一载台，所述载台的顶部为所述透明壁，所述相移薄膜产品放置在所述透明壁上。
16.如权利要求1所述的监控系统，其特征在于，所述相移薄膜产品为空白相移掩模版，所述沉积腔室通过在透明基板上沉积至少一层相移膜，来获得所述空白相移掩模版的相移层。
17.一种薄膜沉积系统，其特征在于，包括沉积腔室和如权利要求1-16中任一项所述的监控系统。
18.如权利要求17所述的薄膜沉积系统，其特征在于，还包括系统总控制装置、物料腔、机械手和真空缓冲腔；所述物料腔用于放置待薄膜沉积的基板，所述机械手用于将所述物料腔中的基板经所述真空缓冲腔上片到所述沉积腔室中，所述系统总控制装置电性连接所述监控系统，并用于将所述监控系统的所监测到的反射率、透射率和相移量中的至少一个与相应的预设目标进行比对，并根据比对结果调整所述沉积腔室中正在制造的相移薄膜产品所对应的沉积工艺参数。
19.一种相移薄膜产品的制造方法，其特征在于，包括在基板上沉积所需的相移层，形成相移薄膜产品；其中，在沉积所需的相移层的过程中还包括：
根据所述基板和沉积的相移材料特性，选择在线监测所述相移薄膜产品的相应表面上的反射率和/或透射率；
将在线监测到的反射率和/或透射率与相应的预设目标进行比对，并根据比对结果在线调整所述相移薄膜产品所对应的沉积工艺参数，直至该相移薄膜产品的反射率和/或透射率均达到相应的预设目标；
继续沉积相移层，并在线监测所述相移薄膜产品的相移量；
根据监测到的相移量和相应的预设目标，调整沉积工艺参数，直至所述相移薄膜产品的相移量达到相应的预设目标。
20.如权利要求19所述的相移薄膜产品的制造方法，其特征在于，所述相移薄膜产品为空白相移掩模版，所述制造方法还包括：在所述沉积腔室内在透明基板上沉积形成所需的相移层之后，还包括：
在所述相移层上沉积遮光层；
在所述遮光层上涂覆光阻层。
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