CN116682331A - 彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置，所述彩膜基板，包括第一基板，所述第一基板的一侧间隔设有黑矩阵，每个所述黑矩阵远离所述第一基板的一侧设有覆盖该黑矩阵的第一透光层，相邻两个所述黑矩阵对应的所述第一透光层之间设有色阻块，所述色阻块远离所述第一基板的一侧设有第二透光层，所述第二透光层的折射率大于所述第一透光层的折射率。本申请提供的彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置，结构简单，制作方便，成本低，可以有效提高器件出光效率，提高显示效果，使用寿命长，提高了产品整体表现。

Description

彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
MLED包括Mini-LED显示技术以及Micro-LED显示技术(mini/microLightEmittingDiode，微型发光二极管，合称MLED)，目前MLED全彩显示的实现以BMLED(蓝光微型发光二极管)配合QD(量子点色转化层)技术为主，以蓝光作为背光，利用高能量的蓝光激发红或绿量子点产生相应的红光或绿光，从而实现色转换，具有纯净色彩、更广色域、宽视角、超高对比度、快响应速度的高质量特性，但现有器件的彩膜基板出光效率较低，因此，亟需一种可以有效提高出光效率的彩膜基板。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提出一种彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
本申请的第一方面，提供了一种彩膜基板，包括第一基板，所述第一基板的一侧间隔设有黑矩阵，每个所述黑矩阵远离所述第一基板的一侧设有覆盖该黑矩阵的第一透光层，相邻两个所述黑矩阵对应的所述第一透光层之间设有色阻块，所述色阻块远离所述第一基板的一侧设有第二透光层，所述第二透光层的折射率大于所述第一透光层的折射率。
在一些实施方式中，所述第一透光层靠近所述色阻块的一侧与所述第一基板的夹角大于或等于35°。
在一些实施方式中，所述黑矩阵的两侧分别设有一个不同颜色的所述色阻块，所述第一透光层靠近其中一个所述色阻块的一侧与所述第一基板的夹角为第一夹角，所述第一透光层靠近另一个所述色阻块的一侧与所述第一基板的夹角为第二夹角，所述第一夹角与所述第二夹角角度不同。
在一些实施方式中，所述第一透光层靠近所述色阻块的一侧与所述第一基板的夹角和该色阻块的出光亮度呈负相关。
在一些实施方式中，所述黑矩阵和所述第一透光层组合形成的截面形状为梯形或三角形。
在一些实施方式中，所述截面的宽度与厚度的比为2：1至3：1。
在一些实施方式中，所述第一透光层和所述黑矩阵的总厚度，所述第二透光层的厚度为2μm至200μm，所述第二透光层的折射率与所述第一透光层的折射率的差值为0.1至0.6，所述黑矩阵的厚度与所述第一透光层的厚度比为7：3至9：1。
在一些实施方式中，所述色阻块和所述第二透光层之间设有量子点色转化层，所述第二透光层远离所述第一基板的一侧设有缓冲层，所述缓冲层远离所述第一基板的一侧设有填充层。
在一些实施方式中，所述缓冲层远离所述第一基板的一侧与所述第一透光层远离所述第一基板的一端处于同一平面，所述缓冲层的折射率大于所述第一透光层的折射率且小于所述第二透光层的折射率。
本申请的第二方面，提供了一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和如上第一方面所述的彩膜基板，所述彩膜基板中的所述第一基板远离所述阵列基板设置，所述阵列基板包括第二基板，所述第二基板的一侧间隔设有像素界定结构，所述像素界定结构与所述黑矩阵一一对应设置，相邻两个所述像素界定结构之间设有发光层，所述发光层远离所述第二基板的一侧设有封装层。
本申请的第三方面，提供了一种显示装置，包括如上第二方面所述的显示面板。
本申请的第四方面，提供了一种应用于如上第一方面所述的彩膜基板的制作方法，包括：通过第一图形化工艺在第一基板的一侧形成间隔设置的黑矩阵，通过第二图形化工艺在每个所述黑矩阵远离所述第一基板的一侧形成覆盖该黑矩阵的第一透光层，通过第三图形化工艺在相邻两个所述黑矩阵对应的所述第一透光层之间形成色阻块，通过第四图形化工艺在所述色阻块远离所述第一基板的一侧形成第二透光层。
从上面所述可以看出，本申请提供了一种彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置，通过设置第一基板起到承载作用；第一基板的一侧间隔设有黑矩阵，用于区分像素；每个黑矩阵远离所述第一基板的一侧设有覆盖该黑矩阵的第一透光层，相邻两个黑矩阵对应的第一透光层之间设有色阻块，色阻块用于滤光；色阻块远离第一基板的一侧设有第二透光层，第二透光层的折射率大于第一透光层的折射率，当发光层的光从第二透光层照射到第一透光层时，光从光密到光疏会发生全反射，相对于光线直接照射到黑矩阵上反射率更高，因此更多的光线被反射后从色阻块射出，提高了整体的出光效率，并且黑矩阵和第一透光层的组合可以起到像素界定的作用，进一步避免像素间串扰问题；该彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置，结构简单，制作方便，成本低，可以有效提高器件出光效率，提高显示效果，使用寿命长，提高了产品整体表现。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中第一种彩膜面板的截面结构示意图；
图2为本申请实施例中第二种彩膜面板的截面结构示意图；
图3为本申请实施例中显示面板的截面结构示意图；
图4为本申请实施例中第一种第一透光层的截面结构示意图；
图5为本申请实施例中第二种第一透光层的截面结构示意图。
附图标记：1、第一基板；2、黑矩阵；3、第一透光层；4、色阻块；5、第二透光层；6、缓冲层；7、填充层；8、量子点色转化层；9、第二基板；10、像素界定结构；11、发光层；12、封装层；13、第一绝缘层；14、第二绝缘层；15、层间介质层；16、有源层；17、栅极；18、源漏电极；19、第一电极；20、第二电极；21、平坦层。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。
需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
MLED包括Mini-LED显示技术以及Micro-LED显示技术(mini/microLightEmittingDiode，微型发光二极管，合称MLED)，目前MLED全彩显示的实现以BMLED(蓝光微型发光二极管)配合QD(量子点色转化层)技术为主，以蓝光作为背光，利用高能量的蓝光激发红或绿量子点产生相应的红光或绿光，从而实现色转换，具有纯净色彩、更广色域、宽视角、超高对比度、快响应速度的高质量特性，作为下一代显示装置备受关注，但现有器件的彩膜基板出光效率较低，因此，亟需一种可以有效提高出光效率的彩膜基板。
在实现本申请的过程中发现，相关技术中彩膜基板结构包括第一基板，在第一基板上设有间隔的黑矩阵，相邻两个黑矩阵之间设有色阻块，设置黑矩阵是为了区分像素，但器件发光层发出的光照射到黑矩阵的侧面时反射率较低，使得从色阻块取出的光较少，因此出光效率低；此外，MLED+QD器件通常蓝光的出光亮度较低，红光次之，绿光的出光亮度最高，三种出光亮度不均衡极易出现白平衡问题，白平衡是描述器件中红、绿、蓝三基色混合生成后白色精确度的一项指标，白平衡不良会导致显示颜色失真，因此在提高出光效率的同时还需要优化白平衡效果。
以下，通过具体的实施例并结合图1至图5来详细说明本申请的技术方案。
本申请的一些实施例中，提供了一种彩膜基板，如图1至图2所示，包括第一基板1，所述第一基板1的一侧间隔设有黑矩阵2，每个所述黑矩阵2远离所述第一基板1的一侧设有覆盖该黑矩阵2的第一透光层3，相邻两个所述黑矩阵2对应的所述第一透光层3之间设有色阻块4，所述色阻块4远离所述第一基板1的一侧设有第二透光层5，所述第二透光层5的折射率大于所述第一透光层3的折射率。
第一基板1例如为玻璃基板，具体不做限定，通过设置第一基板1起到承载作用，第一基板1的一侧间隔设有黑矩阵2，用于区分像素。
每个黑矩阵2远离所述第一基板1的一侧设有覆盖该黑矩阵2的第一透光层3，相邻两个黑矩阵2对应的第一透光层3之间设有色阻块4，色阻块4例如为蓝色色阻块、红色色阻块或绿色色阻块，具体不做限定，色阻块4用于滤光，使出光的颜色效果更好。
色阻块4远离第一基板1的一侧设有第二透光层5，第一透光层3和第二透光层5的材质例如为负性光刻胶，具体不做限定，第二透光层5的折射率大于第一透光层3的折射率，即第一透光层3和第二透光层5材质可以为两种折射率不同的负性光刻胶；如图3所示，当器件发光层11的光从第二透光层5照射到第一透光层3时，光从光密到光疏会发生全反射，相对于光线直接照射到黑矩阵2上反射率更高，因此更多的光线被反射后从色阻块4射出，提高了整体的出光效率，并且黑矩阵2和第一透光层3的组合可以起到像素界定的作用，进一步避免像素间串扰问题；此外，该方式不需要增加发光层11的材料就可以提高出光效率，成本低，也不需要增大控制电压强度，避免加速器件老化，提高使用寿命。
该彩膜基板结构简单，制作方便，成本低，可以有效提高器件出光效率，提高显示效果，使用寿命长，提高了产品整体表现。
在一些实施例中，所述第一透光层3靠近所述色阻块4的一侧与所述第一基板1的夹角大于或等于35°，例如为35°、40°、45°、50°、55°或60°等。
如图1所示，图中A代表第一透光层3靠近色阻块4的一侧与第一基板1的夹角，当夹角过小时，黑矩阵2侧面的第一透光层3会向第一基板1倾斜，这样光线在从第二透光层5照向第一透光层3时，会向远离第一基板1的方向反射，使得照向色阻块4的光减少，进而降低出光效率；此外，因为色阻块4位于相邻两个黑矩阵2对应的第一透光层3之间，如图2所示，随着夹角变小，相邻两个黑矩阵2间的色阻块4面积也会减小，降低出光面积，进一步降低出光效率，因此，设置夹角≥35°可以有效确保出光效率。
在一些实施例中，如图2和图3所示，所述黑矩阵2的两侧分别设有一个不同颜色的所述色阻块4，所述第一透光层3靠近其中一个所述色阻块4的一侧与所述第一基板1的夹角为第一夹角，所述第一透光层3靠近另一个所述色阻块4的一侧与所述第一基板1的夹角为第二夹角，所述第一夹角与所述第二夹角角度不同。
如图2所示，B色阻块为蓝色色阻块，R色阻块为红色色阻块，G色阻块为绿色色阻块，黑矩阵2的两侧分别设有一个不同颜色的色阻块4，第一透光层3靠近其中一个色阻块4的一侧与第一基板1的夹角为第一夹角，即图中A1，第一透光层3靠近另一个色阻块4的一侧与第一基板1的夹角为第二夹角，即图中A2，第一夹角与第二夹角角度不同，即A1与A2不相等，由前述可知夹角大小会改变色阻块4的出光效率，通过对不同颜色色阻块4设置不同夹角，可以改变色阻块4的出光亮度，为改善白平衡效果提供基础。
在一些实施例中，所述第一透光层3靠近所述色阻块4的一侧与所述第一基板1的夹角和该色阻块4的出光亮度呈负相关。
由前述可知设置不同夹角可以改变色阻块4的出光亮度，通常蓝光的出光亮度最低，需要增益的比例最大，如图2所示，对应设置夹角应当最大，提高蓝色色阻块的出光效率，提高显示亮度；而绿光的出光亮度最高，对应设置夹角应当最小，出光增益的比例最小，以此来改善白平衡不良，在增加整体出光效率的同时优化白平衡，显示效果大大提升；对于红色色阻块、绿色色阻块和蓝色色阻块的出光亮度比可以为3：6：1，以此达到最佳的白平衡效果。
通过改变夹角实现改善白平衡的方式，相较于对不同颜色色阻块4设置不同厚度发光层11的方式，不会增加发光材料使用量，成本低；并且因为改变夹角一方面会改变第二透光层5照射到第一透光层3后的反射光角度，另一方面也会改变色阻块4的出光面积，所以只需要微调夹角度数，就可以大大改善出光亮度，工艺操作更容易，而且夹角改变对于反射光角度改变和出光面积改变是同步的，所以相对于相关技术中只改变不同色阻块4面积比的方式进行调光，本方案对于面积比的调整更微小，确保了像素密度。
在一些实施例中，如图1和图2所示，所述黑矩阵2和所述第一透光层3组合形成的截面形状为梯形或三角形。
黑矩阵2和第一透光层3组合形成的截面形状例如为等腰梯形、不等腰梯形、等腰三角形或不等腰三角形等，具体不做限定，理想状态下第一透光层3的侧面为平面，受实际工艺影响，第一透光层3的侧面可以为曲面，即黑矩阵2和第一透光层3组合形成的截面形状为类梯形或类三角形，具体不做限定。
将截面形状设置为梯形，相对于设置成三角形，工艺操作简单，并且截面的厚度较低，后续设置填充层7和缓冲层6厚度相应较薄，可以提高透光率，确保出光效果。
将截面形状设置为三角形，相对于设置成梯形，黑矩阵2侧面的反光面积更大，全反射效果更佳，对于出光增益效果更强。
在一些实施例中，所述截面的宽度与厚度的比为2：1至3：1。
如图1所示，截面的宽度为D，截面的厚度为H，设置D：H的比例为2：1至3：1，包括2：1、2.5：1或3：1等，当比例较小时，代表截面厚度过大，后续设置填充层7和缓冲层6厚度相应较厚，会降低器件透光率，进而降低出光效果；当比例较大时，代表第一透光层3的侧面与第一基板1的夹角过小，会使增益效果降低，也会降低出光效果。
在一些实施例中，所述第一透光层3和所述黑矩阵2的总厚度小于或等于10μm，所述第二透光层5的厚度为2μm至200μm，所述第二透光层5的折射率与所述第一透光层3的折射率的差值为0.1至0.6，所述黑矩阵2的厚度与所述第一透光层3的厚度比为7：3至9：1。
设置第一透光层3和黑矩阵2的总厚度≤10μm，例如为1μm、5μm或10μm等，避免后续设置填充层7和缓冲层6的厚度较厚，确保透光率。
设置黑矩阵2的厚度与第一透光层3的厚度比为7：3至9：1，例如为7：3、7：2、7：1、8：1或9：1等，避免厚度比过小，黑矩阵2的占比小，对于像素界定的效果差，会出现漏光现象，同时避免厚度比过大，第一透光层3无法覆盖黑矩阵2，出光增益效果变差。
设置第二透光层5的厚度为2μm至200μm，例如为2μm、10μm、50μm、100μm或200μm等，避免厚度过小，形成的全反射面积小，对于出光增益效果差，同时避免厚度过大，器件整体透光率低，出光效果差。
设置第二透光层5的折射率与第一透光层3的折射率的差值为0.1至0.6，例如为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5或0.6等，第二透光层5的折射率例如为1.6至1.9，包括1.6、1.7、1.8或1.9等，第一透光层3的折射率例如为1.3至1.6，包括1.3、1.4、1.5或1.6，当折射率差值过小时，全反射效果不佳，当折射率差值过大时，受制于材料限制，难以实现。
在一些实施例中，如图2和图3所示，所述色阻块4和所述第二透光层5之间设有量子点色转化层8，所述第二透光层5远离所述第一基板1的一侧设有缓冲层6，所述缓冲层6远离所述第一基板1的一侧设有填充层7。
量子点转化层材料是一种尺寸在2nm至20nm的半导体纳米晶体，由CdSe、ZnSe等元素组成，如图3所示，在器件以蓝色发光层BMLED为背光时，可以设置红色量子点色转化层R-QD和绿色量子点色转化层G-QD，蓝光激发红或绿量子点产生相应的红光或绿光，从而实现色转换；或者器件以蓝色发光层BMLED和绿色发光层GMLED为背光，只设置红色量子点色转化层R-QD进行色转换，具体不做限定。
第二透光层5远离第一基板1的一侧设有缓冲层6(Barrier)，缓冲层6远离第一基板1的一侧设有填充层7(Filler)，填充层7和缓冲层6的材质例如为丙烯酸树脂或者环氧树脂，缓冲层6主要用于排除空气，确保光取出，填充层7主要用于流平，使彩膜基板保持平坦。
在一些实施例中，如图2和图3所示，所述缓冲层6远离所述第一基板1的一侧与所述第一透光层3远离所述第一基板1的一端处于同一平面，所述缓冲层6的折射率大于所述第一透光层3的折射率且小于所述第二透光层5的折射率。
缓冲层6远离第一基板1的一侧与第一透光层3远离第一基板1的一端处于同一平面，用于确保彩膜基板保持平坦，理想状态下，同一平面是指缓冲层6远离第一基板1的一侧与第一透光层3远离第一基板1的一端高度完全相同，在实际工艺中，受到工艺水平限制，存在允许范围内的段差，具体不做限定。
缓冲层6的折射率例如为1.4，具体不做限定，缓冲层6的折射率大于第一透光层3的折射率且小于第二透光层5的折射率，这样既可以使光线从缓冲层6照向第一透光层3时实现全反射，又不影响光线从缓冲层6穿过第二透光层5；填充层7的折射率可以和缓冲层6的折射率保持一致，具体不做限定。
本申请的一些实施例中，提供了一种显示面板，如图3所示，包括相对设置的阵列基板和如上任一实施例所述的彩膜基板，所述彩膜基板中的所述第一基板1远离所述阵列基板设置，所述阵列基板包括第二基板9，所述第二基板9的一侧间隔设有像素界定结构10，所述像素界定结构10与所述黑矩阵2一一对应设置，相邻两个所述像素界定结构10之间设有发光层11，所述发光层11远离所述第二基板9的一侧设有封装层12。
如图3所示，彩膜基板和阵列基板相对设置，通过对盒工艺组装在一起，阵列基板包括第二基板9，第二基板9例如为在玻璃基板上涂覆聚酰亚胺形成的柔性基板(PI，Polyimide)等，第二基板9上设有像素界定结构10，用于区分像素发光，相邻两个像素界定结构10之间设有发光层11，发光层11用于发光，发光层11例如为蓝色发光层，具体不做限定，发光层11可以包括主体(Host)材料和掺杂在主体材料中的客体(Dopant)材料，发光层11客体材料的掺杂比例为1％至20％，在该掺杂比例范围内，一方面发光层11主体材料可将激子能量有效转移给发光层11客体材料来激发发光层11客体材料发光，另一方面发光层11主体材料对发光层11客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层11客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命；发光层11远离第二基板9的一侧设有封装层12(TFE)，用于隔绝水汽。
在一些实施例中，第二基板9上设有有源层16，有源层16远离第二基板9的一侧设有第一绝缘层13，第一绝缘层13远离第二基板9的一侧设有栅极17，栅极17远离第二基板9的一侧设有第二绝缘层14，第二绝缘层14远离第二基板9的一侧设有层间介质层15，层间介质层15远离第二基板9的一侧设有源漏电极18，源漏电极18穿过层间介质层15、第二绝缘层14和第一绝缘层13与有源层16连接，源漏电极18远离第二基板9的一侧设有平坦层21，平坦层21远离第二基板9的一侧设有第一电极19，第一电极19通过过孔与源漏电极18连接，第一电极19远离第二基板9的一侧设有发光层11，发光层11远离第二基板9的一侧设有第二电极20。
栅极17(Gate)可以是金属栅极层，也可以是非晶材料导体化的栅极层等；第一绝缘层13(GateInsulator，GI)和第二绝缘层14材料可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，设置绝缘层可以防止短路现象；有源层16包括有源区或沟道区，材质为IGZO等；层间介质层15(inter-layerDielectric，ILD)材质可以为氮化硅等；源漏电极18(SourceDrain，SD)可以采用多种金属材料，例如Mo、Al、Ti、Au、Cu、Hf或Ta等，只要是电导率较高可以用作电极的材料即可；有源层16的两端分别与一个源漏电极18电连接，其中一个为漏极，另一个为源极；第一电极19例如为阳极，第二电极20例如为阴极，用于形成发光回路。
本申请的一些实施例中，提供了一种显示装置，包括如上任一实施例所述的显示面板。
该显示装置产生的效果与上述彩膜基板产生的效果相同，在此不做赘述。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
在本申请实施例中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。本申请实施例中中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示面板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本申请实施例中所描述的附图仅是结构示意图，本申请实施例中的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本申请实施例中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
另外，在阐述了细节以描述本申请的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些细节的情况下或者这些细节有变化的情况下实施本申请实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
本申请的一些实施例中，提供了一种应用于如上任一实施例所述的彩膜基板的制作方法，包括：通过第一图形化工艺在第一基板1的一侧形成间隔设置的黑矩阵2，通过第二图形化工艺在每个所述黑矩阵2远离所述第一基板1的一侧形成覆盖该黑矩阵2的第一透光层3，通过第三图形化工艺在相邻两个所述黑矩阵2对应的所述第一透光层3之间形成色阻块4，通过第四图形化工艺在所述色阻块4远离所述第一基板1的一侧形成第二透光层5。
在一些实施例中，所述通过第二图形化工艺在每个所述黑矩阵2远离所述第一基板1的一侧形成覆盖该黑矩阵2的第一透光层3，包括旋涂光刻胶，采用mask掩模版进行曝光工艺，然后进行显影，最后进行光漂白(Bleaching)工艺，即相比于常规图形化工艺增加了光漂白工艺，如果不经过光漂白工艺，效果会如图4所示，第一透光层3顶面为圆弧形，经过光漂白工艺后，效果会如图3和图5所示，第一透光层3顶面更加平坦化，使得第一透光层3和黑矩阵2的截面形状为类梯形，并且经过光漂白工艺后，可以提高透光率，确保出光效果，经实验测试，未经光漂白工艺的第一透光层3对蓝光透光率为34.83％，经过光漂白工艺后透光率为81.14％。
在一些实施例中，所述彩膜基板的制作方法还包括：在所述第二透光层5远离所述第一基板1的一侧形成缓冲层6，在所述缓冲层6远离所述第一基板1的一侧形成填充层7。
本申请实施例所说的“图形化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，不做限定。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本申请实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本申请实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本申请实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节以描述本申请的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本申请实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
尽管已经结合了本申请的具体实施例对本申请进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。本申请实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：第一基板，所述第一基板的一侧间隔设有黑矩阵，每个所述黑矩阵远离所述第一基板的一侧设有覆盖该黑矩阵的第一透光层，相邻两个所述黑矩阵对应的所述第一透光层之间设有色阻块，所述色阻块远离所述第一基板的一侧设有第二透光层，所述第二透光层的折射率大于所述第一透光层的折射率。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一透光层靠近所述色阻块的一侧与所述第一基板的夹角大于或等于35°。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩阵的两侧分别设有一个不同颜色的所述色阻块，所述第一透光层靠近其中一个所述色阻块的一侧与所述第一基板的夹角为第一夹角，所述第一透光层靠近另一个所述色阻块的一侧与所述第一基板的夹角为第二夹角，所述第一夹角与所述第二夹角角度不同。
4.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一透光层靠近所述色阻块的一侧与所述第一基板的夹角和该色阻块的出光亮度呈负相关。
5.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩阵和所述第一透光层组合形成的截面形状为梯形或三角形。
6.根据权利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，所述截面的宽度与厚度的比为2：1至3：1。
7.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一透光层和所述黑矩阵的总厚度小于或等于10μm，所述第二透光层的厚度为2μm至200μm，所述第二透光层的折射率与所述第一透光层的折射率的差值为0.1至0.6，所述黑矩阵的厚度与所述第一透光层的厚度比为7：3至9：1。
8.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述色阻块和所述第二透光层之间设有量子点色转化层，所述第二透光层远离所述第一基板的一侧设有缓冲层，所述缓冲层远离所述第一基板的一侧设有填充层。
9.根据权利要求8所述的彩膜基板，其特征在于，所述缓冲层远离所述第一基板的一侧与所述第一透光层远离所述第一基板的一端处于同一平面，所述缓冲层的折射率大于所述第一透光层的折射率且小于所述第二透光层的折射率。
10.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板和权利要求1-9任一项所述所述的彩膜基板，所述彩膜基板中的所述第一基板远离所述阵列基板设置，所述阵列基板包括第二基板，所述第二基板的一侧间隔设有像素界定结构，所述像素界定结构与所述黑矩阵一一对应设置，相邻两个所述像素界定结构之间设有发光层，所述发光层远离所述第二基板的一侧设有封装层。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的显示面板。
12.一种应用于权利要求1-9任一项所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括：通过第一图形化工艺在第一基板的一侧形成间隔设置的黑矩阵，通过第二图形化工艺在每个所述黑矩阵远离所述第一基板的一侧形成覆盖该黑矩阵的第一透光层，通过第三图形化工艺在相邻两个所述黑矩阵对应的所述第一透光层之间形成色阻块，通过第四图形化工艺在所述色阻块远离所述第一基板的一侧形成第二透光层。
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