CN116637792A - 一种超声换能器装置及显示装置 - Google Patents

一种超声换能器装置及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116637792A
CN116637792A CN202310609058.5A CN202310609058A CN116637792A CN 116637792 A CN116637792 A CN 116637792A CN 202310609058 A CN202310609058 A CN 202310609058A CN 116637792 A CN116637792 A CN 116637792A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
ultrasonic
ultrasound
electrically connected
units
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310609058.5A
Other languages
English (en)
Inventor
秦云科
佟月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Technology Development Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202310609058.5A priority Critical patent/CN116637792A/zh
Publication of CN116637792A publication Critical patent/CN116637792A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B3/00—Methods or apparatus specially adapted for transmitting mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

本公开实施例公开了一种超声换能器装置及显示装置，通过将薄膜晶体管电路和超声换能器结合，形成了大面积、阵列化的超声波指纹识别结构，能够进行指纹识别，结构简单且识别精度高。

Description

一种超声换能器装置及显示装置
技术领域
本公开涉及超声换能技术领域，特别涉及一种超声换能器装置及显示装置。
背景技术
指纹是人体与生俱来的独一无二的并可与他人相区别的不变特征，它由指端皮肤表面上的一系列脊和谷组成，这些脊和谷的组成细节决定了指纹图案的唯一性。由此发展起来的带有指纹识别功能的显示面板已被用于个人身份验证，增加了显示装置的信息安全性。目前，已发展起来的指纹识别技术有多种，超声波指纹识别是其中的一种。
现有的指纹识别技术依照工作原理，主要可以分为光学指纹识别、电容式指纹识别和超声波指纹识别。其中，光学指纹识别受外界光的影响极强，在外界光的强烈照射下指纹识别的速度和准确度均会下降；电容式指纹识别则在用户的手指上具有油渍和污渍的情况下，不能准确判断出油和水的介电常数而导致指纹识别的速度和准确度降低。与光学指纹识别和电容式指纹识别相比，超声波指纹识别技术依靠超声波的穿透性好、波长短、能量高的特长点，在各种使用情境下(包括强光情境、手指具有油渍或污渍情境)均可以获得较高的识别速度以及识别准确率。
发明内容
本公开实施例提供了一种超声换能器装置及显示装置，具体方案如下：
本公开实施例提供的一种超声换能器装置，包括衬底基板，所述衬底基板包括阵列分布的多个超声单元，每一所述超声单元包括：
薄膜晶体管电路，设置在所述衬底基板上；
至少一个第一超声换能器，设置在所述薄膜晶体管电路背离所述衬底基板的一侧，所述第一超声换能器包括层叠设置在所述薄膜晶体管电路背离所述衬底基板一侧的第一电极、第一振动膜层和第二电极，所述第一电极和所述第一振动膜层之间具有空腔，所述第一电极与所述薄膜晶体管电路电连接，所述第二电极与驱动电压线电连接。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，还包括用于向所述薄膜晶体管电路加载驱动信号的多条驱动信号线，至少存在相邻两行所述超声单元之间共用同一所述驱动信号线，或，至少存在相邻两列所述超声单元之间共用同一所述驱动信号线。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，所述薄膜晶体管电路包括：第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管，以及存储电容；所述驱动信号线包括：第一栅线、第二栅线、第三栅线、第一电压线、第二电压线、所述驱动电压线和信号读取线；其中，
所述第一晶体管的栅极与所述第一栅线电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一电压线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接；
所述第二晶体管的栅极与所述第二栅线电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管的栅极电连接；
所述第三晶体管的第一极与所述第二电压线电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接；
所述第四晶体管的栅极与所述第三栅线电连接，所述第四晶体管的第二极与所述信号读取线电连接；
所述存储电容的第一端与所述第二电压线电连接，所述存储电容的第二端与所述第三晶体管的栅极电连接；
所述第一超声换能器的第一电极与所述第二晶体管的第一极电连接。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，每相邻两列所述超声单元为第一组，所述第一组中的两列所述超声单元之间第一间隙处设置有一条所述驱动电压线，同一所述第一组的两列所述超声单元内所述第一超声换能器的第二电极均与所述第一间隙处的所述驱动电压线电连接。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，所述第一间隙处还设置有与所述驱动电压线间隔设置的所述第一栅线，同一所述第一组的两列所述超声单元内所述第一晶体管的栅极均与所述第一间隙处的所述第一栅线电连接。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，每相邻两个所述第一组所述超声单元之间第二间隙处设置有一条所述第二电压线，所述第二电压线与其两侧的两列所述超声单元内所有所述第三晶体管的第一极均电连接。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，同一所述第一组内相邻两列所述超声单元关于所述第一间隙对称设置，相邻两个所述第一组所述超声单元关于所述第二间隙对称设置。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，每相邻两行所述超声单元为第二组，所述第二组中的两行所述超声单元之间第三间隙处设置有一条所述第一电压线，同一所述第二组的两行所述超声单元内所有所述第一晶体管的第一极均与所述第三间隙处的所述第一电压线电连接。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，每相邻两个所述第二组所述超声单元之间第四间隙处设置有一条所述第二栅线，所述第二栅线与其两侧的两行所述超声单元内所有所述第二晶体管的栅极均电连接。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，同一所述第二组内相邻两列所述超声单元关于所述第三间隙对称设置，相邻两个所述第二组所述超声单元关于所述第四间隙对称设置。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，每一所述超声单元内的所述第一超声换能器的数量为1个或2个，各所述第一超声换能器在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管电路以及各信号线在所述衬底基板上的正投影均不交叠。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，每一所述超声单元内的所述第一超声换能器的数量为3个，各所述第一超声换能器在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管电路以及其他信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，当所述超声单元内的所述第一超声换能器的数量大于或等于2个时，同一所述超声单元内各所述第一超声换能器的第一电极为一体结构，同一所述超声单元内各所述第一超声换能器的第二电极为一体结构，同一所述超声单元内各所述第一超声换能器的空腔通过所述第一振动膜层相互隔开。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，所述第三晶体管的宽长比大于或等于所述第四晶体管的宽长比。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管其中至少之一为双栅晶体管。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，所述第三晶体管的有源层和所述第四晶体管的有源层为一体结构，所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第一极为一体结构，所述第三晶体管的第二极与所述第三晶体管的有源层电连接。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，所述衬底基板还包括位于所述阵列分布的多个超声单元外侧的虚拟超声单元，所述虚拟超声单元包括所述薄膜晶体管电路和第二超声换能器，所述第二超声换能器包括层叠设置在所述薄膜晶体管电路背离所述衬底基板一侧的第三电极、第二振动膜层和第四电极，所述第三电极和所述第二振动膜层之间具有牺牲层，所述第三电极与所述薄膜晶体管电路电连接，所述第四电极与所述驱动电压线电连接。
相应地，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括显示面板以及本公开实施例提供的上述超声换能器装置。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述显示装置中，所述显示面板为液晶显示面板，所述超声换能器装置中的各所述超声单元设置在所述液晶显示面板内的非发光区。
在一种可能的实现方式中，在本公开实施例提供的上述显示装置中，所述显示面板为有机发光显示面板，所述超声换能器装置设置在所述有机发光显示面板的背面。
附图说明
图1为本公开实施例提供的超声换能器装置的一种平面结构示意图；
图2为图1中一个超声单元的截面示意图；
图3为薄膜晶体管电路的具体电路示意图；
图4为图3所示的薄膜晶体管电路的工作时序示意图；
图5为图1中若干超声单元对应的一种layout示意图；
图6为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图7为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图8为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图9为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图10为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图11为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图12为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图13为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图14为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图15为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图16为本公开实施例提供的超声换能器装置的又一种平面结构示意图；
图17为图1中若干超声单元对应的又一种layout示意图；
图18为本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图19为本公开实施例提供的又一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
相关技术中，最常用的超声波指纹识别为PVDF超声波指纹识别，其不受外界光干扰，不需要显示屏提供光源，可实现3D指纹和皮肤深层信息探测，防假能力强，但技术被高通垄断，并且需要PVDF特殊材料和特殊的极化设备，成本较高。
有鉴于此，本公开实施例提供了一种超声换能器装置，如图1所示，包括衬底基板1，衬底基板1包括阵列分布的多个超声单元P；如图2所示，图2为图1中一个超声单元P的截面示意图，每一超声单元P包括：
薄膜晶体管电路2，设置在衬底基板1上；
至少一个第一超声换能器3，设置在薄膜晶体管电路2背离衬底基板1的一侧，第一超声换能器3包括层叠设置在薄膜晶体管电路2背离衬底基板1一侧的第一电极31、第一振动膜层32和第二电极33，第一电极31和第一振动膜层32之间具有空腔34，第一电极31与薄膜晶体管电路2电连接，第二电极33与驱动电压线电连接。
本公开实施例提供的上述超声换能器(CMUT)装置，通过将薄膜晶体管电路和超声换能器结合，形成了大面积、阵列化的超声波指纹识别结构，能够进行指纹识别，结构简单且识别精度高。
具体地，CMUT的主要功能有：在发射阶段，换能器在激励信号作用下将输入的电能转换为机械能传递出去，实现超声波的发射；在接收阶段，换能器将声波转换为电信号，实现超声波的接收。因此，可以将本公开实施例提供的超声换能器(CMUT)装置中的超声单元与显示面板结合，在用户触摸显示面板时，超声波传递到人的手指，由于手指表面的脊和谷对超声波信号的反射强度不同，导致经过手指的脊和谷反射的超声波能量不同，将这种能量的差异转换成电信号的差异，即可进行对指纹的脊和谷的成像，进而进行指纹识别。
可选地，第一振动膜层的材料可以为PI或PET等。
可选地，衬底基板可以采用刚性基板，例如玻璃基板；也可以采用柔性基板，例如PI。
本公开实施例提供的超声换能器制作采用玻璃基或柔性PI基制作，面积可以更大，还能柔性贴合人体和物体表面，优势远超硅基CMUT器件。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图2和图3所示，薄膜晶体管电路包括：第一晶体管T1，第二晶体管T2，第三晶体管T3，第四晶体管T4，以及存储电容CB；其中，
第一晶体管T1的栅极与第一栅线G1电连接，第一晶体管T1的第一极与第一电压线Vbias电连接，第一晶体管T1的第二极与第二晶体管T2的第一极电连接；
第二晶体管T2的栅极与第二栅线G2电连接，第二晶体管T2的第二极与第三晶体管T3的栅极电连接；
第三晶体管T3的第一极与第二电压线Vdd电连接，第三晶体管T3的第二极与第四晶体管T4的第一极电连接；
第四晶体管T4的栅极与第三栅线G3电连接，第四晶体管T4的第二极与信号读取线Vread电连接；
存储电容CB的第一端与第二电压线Vdd电连接，存储电容CB的第二端与第三晶体管T3的栅极电连接；
第一超声换能器3的第一电极与第二晶体管T2的第一极电连接，第一超声换能器3的第二电极33与驱动电压线Vda电连接；其中Vda用于向第二电极33输入直流电压Vdc以及交流电压Vda。
需要说明的是，图3所示的薄膜晶体管电路只是本公开实施例列举的其中一种电路结构，本公开实施例中的薄膜晶体管电路不限于图3所示的结构，其它能够与第一超声换能器结合实现超声指纹识别的电路均属于本公开实施例保护的范围。
如图2所示，第一晶体管T1包括依次层叠设置在衬底基板1和第一超声换能器3之间的第一有源层11、第一栅极12、第一源极13和第一漏极14，第二晶体管T2包括依次层叠设置在衬底基板1和第一超声换能器3之间的第二有源层21、第二栅极22、第二源极23和第二漏极24，第三晶体管T3包括依次层叠设置在衬底基板1和第一超声换能器3之间的第三有源层41、第三栅极42、第三源极43和第三漏极44，第四晶体管T4包括依次层叠设置在衬底基板1和第一超声换能器3之间的第三有源层41、第四栅极51、第三源极43和第三漏极44，即第四晶体管T4可以和第三晶体管T4共用有源层、源极和漏极。其中，第一有源层11、第二有源层21和第三有源层41位于同一膜层(有源层)，第一栅极12、第二栅极22、第三栅极42和第四栅极51位于同一膜层(Gate1层)，存储电容CB的第一极板C1位于Gate1层，存储电容CB的第二极板C2位于Gate2层，第一源极1、第一漏极14、第二源极23、第二漏极24、第三源极43和第三漏极44位于同一膜层(SD层)。
具体地，图3中各晶体管的第一极可以为源极，第二极可以为漏极；当然，也可以是第一极为漏极，第二极为源极。
如图2所示，在衬底基板1和有源层之间还设置遮光层LS，遮光层LS可以用于遮光有源层，也可以用于取代Gate1层与Gate2层形成存储电容CB(本公开以此示意)；在遮光层LS和有源层之间还设置第一缓冲层6，在有源层和Gate1层之间还设置第一栅绝缘层7，在Gate1层和Gate2层之间还设置第二栅绝缘层8，在Gate2层和SD层之间还设置层间绝缘层9，在SD层和第一超声换能器3之间还设置平坦层10，在平坦层10和第一超声换能器3之间还设置第一钝化层20，第一超声换能器3的第一电极31通过贯穿第一钝化层20和平坦层10的过孔与第二晶体管T2的第一极(第二漏极24)电连接，在第一电极31和空腔34之间还设置第二钝化层30，在第二电极33上方还设置第二缓冲层40，在第二缓冲层40上方还设置第三缓冲层50。
当然，对于该超声换能器装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不予赘述。
具体地，如图2所示，空腔34可以采用牺牲层的方式制作，牺牲层刻蚀孔为35，牺牲层的制作方式与现有技术相同，在此不做详述。
下面结合图3所示的薄膜晶体管电路和图4所示的时序对本公开实施例提供的上述超声换能器装置实现指纹识别的原理进行说明，如下：
在t1阶段(超声波发射阶段)，CMUT的第二电极既要加直流电压Vdc，也要加交流电压Vac，第一晶体管T1和第二晶体管T2打开，第一电压线Vbias上为恒定电位，CMUT的第一振动膜层高频振动，发射声波。
在t2阶段(采集阶段)，CMUT左端只需加直流电压Vdc，不需要加交流电压Vac，第一晶体管T1关闭，第二晶体管T2打开，外界声波信号经手指反射到达CMUT，压迫第一振动膜层产生振动，产生交流电流(电荷)，采集半周期内的交流幅值，将电荷储存在存储电容CB中。
在t3阶段(读取阶段)，第三晶体管T3和第四晶体管T4打开，存储电容CB中存储的电荷经过第三晶体管T3的转换成电流，最终经第四晶体管T4输出，通过信号读取线Vread读取输出的电流，实现指纹识别。
在具体实施时，在t2阶段采集完电荷后，可以不直接进行t3阶段的读取，即在t2阶段和t3阶段还可以有缓冲阶段t3’，在需要读取的时候再进行t3阶段，t3’阶段可以将第一电压线Vbias上的电压拉低，以降低功耗。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图3、图5-图8所示，图5-图8分别为图1中若干超声单元P对应的layout(版图)示意图，该超声换能器装置包括用于向薄膜晶体管电路加载驱动信号的多条驱动信号线，驱动信号线包括第一栅线G1、第二栅线G2、第三栅线各、第一电压线Vbias、第二电压线Vdd、驱动电压线Vda和信号读取线Vread，至少存在相邻两行超声单元P之间共用同一驱动信号线(例如Vbias共用)，或，至少存在相邻两列超声单元P之间共用同一驱动信号线(例如Vbias共用)。这样可以节约空间，简化设计，有利于高分辨率的设计。
具体地，如图2和图3所示，第一栅线G1、第二电压线Vdd和信号读取线Vread可以位于SD层，第二栅线G2和第三栅线G3可以位于Gate1层，第一电压线Vbias可以位于Gate2层，驱动电压线Vda和第二电极33位于同一层。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图5所示，每相邻两列超声单元P为第一组A1，第一组A1中的两列超声单元P之间第一间隙B1处设置有一条驱动电压线Vda，同一第一组A1的两列超声单元P内第一超声换能器3的第二电极33均与第一间隙B1处的驱动电压线Vda电连接。这样相邻两列超声单元P共用一条驱动电压线Vda，可以节约空间，简化设计，有利于高分辨率的设计。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图6所示，第一间隙B1处还设置有与驱动电压线Vda间隔设置的第一栅线G1，同一第一组A1的两列超声单元P内第一晶体管T1的栅极均与第一间隙B1处的第一栅线G1电连接。这样相邻两列超声单元P共用一条第一栅线G1，可以进一步节约空间，进一步简化设计，有利于进一步高分辨率的设计。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图5所示，每相邻两个第一组(A1)超声单元P之间第二间隙B2处设置有一条第二电压线Vdd，第二电压线Vdd与其两侧的两列超声单元P内所有第三晶体管T3的第一极均电连接。这样相邻两列超声单元P共用一条第二电压线Vdd，可以进一步节约空间，进一步简化设计，有利于进一步高分辨率的设计。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图5和图6所示，同一第一组A1内相邻两列超声单元P关于第一间隙B1对称设置，相邻两个第一组(A1)超声单元P关于第二间隙B2对称设置。这样相邻左右两个超声单元P为镜像对称结构，每一超声单元P的尺寸可以为75微米*75微米，当然不限于此。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图7所示，每相邻两行超声单元P为第二组A2，第二组A2中的两行超声单元P之间第三间隙B3处设置有一条第一电压线Vbias，同一第二组A2的两行超声单元P内所有第一晶体管T1的第一极均与第三间隙B3处的第一电压线Vbias电连接。这样相邻两行超声单元P共用一条第一电压线Vbias，可以进一步节约空间，进一步简化设计，有利于进一步高分辨率的设计。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图8所示，每相邻两个第二组(A2)超声单元P之间第四间隙B4处设置有一条第二栅线G2，第二栅线G2与其两侧的两行超声单元P内所有第二晶体管T2的栅极均电连接。这样相邻两行超声单元P共用一条第二栅线G2，可以进一步节约空间，进一步简化设计，有利于进一步高分辨率的设计。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图7和图8所示，同一第二组A2内相邻两列超声单元P关于第三间隙B3对称设置，相邻两个第二组(A2)超声单元P关于第四间隙B4对称设置。这样相邻上下左右四个超声单元P为镜像对称结构，每一超声单元P的尺寸可以为75微米*75微米，当然不限于此。
具体地，如图5-图8所示，图5是以相邻两列超声单元P共用一条驱动电压线Vda以及相邻两列超声单元P共用一条第二电压线Vdd为例，图6是在图5的基础上以相邻两列超声单元P共用一条第一栅线G1为例，图7是在图5的基础上以相邻两行超声单元P共用一条第一电压线Vbias为例，图8是在图5的基础上以相邻两行超声单元P共用一条第一电压线Vbias以及相邻两行超声单元P共用一条第二栅线G2为例。在具体实施时，本公开实施例提供的上述超声换能器装置可以同时采用Vda共用、Vdd共用、G1共用、Vbias共用、G2共用，当然也可以选择采用其中一种或几种信号线共用的方式。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，对于布线空间充足的情况下，上述提到的各共用信号线也可以不共用，如图9所示，超声单元间隙处包含完整的所有信号线。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图2、图5-图8所示，每一超声单元P内的第一超声换能器3的数量为1个，各第一超声换能器3在衬底基板1上的正投影与薄膜晶体管电路2以及各信号线(例如Vda、Vdd、G1、Vbias、G2)在衬底基板1上的正投影均不交叠。这样可以降低交叠电容(寄生电容)，从而提高第一超声换能器3的机械能-电能之间的转换性能。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图10所示，每一超声单元P内的第一超声换能器3的数量为2个，各第一超声换能器3在衬底基板1上的正投影与薄膜晶体管电路2以及各信号线(例如Vda、Vdd、G1、Vbias、G2)在衬底基板1上的正投影均不交叠。这样一方面可以降低交叠电容(寄生电容)，提高第一超声换能器3的机械能-电能之间的转换性能；另一方面两个第一超声换能器3有利于提高发射声压和信号接收灵敏度。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图11所示，每一超声单元P内的第一超声换能器3的数量为3个，各第一超声换能器3在衬底基板1上的正投影与薄膜晶体管电路2以及其他信号线(例如G3等)在衬底基板1上的正投影存在交叠。这样可以保证交叠电容在可接受的范围内，设置三个第一超声换能器3有利于进一步提高发射声压和信号接收灵敏度，因此可以根据需要设计一个、两个或三个第一超声换能器3。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，图10和图11所示的结构可以同时采用上述各信号线共用的方案。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图10和图11所示，当超声单元P内的第一超声换能器3的数量大于或等于2个时，同一超声单元P内各第一超声换能器3的第一电极31为一体结构，同一超声单元P内各第一超声换能器3的第二电极33为一体结构，同一超声单元P内各第一超声换能器3的空腔34通过第一振动膜层32相互隔开。这样在制作时，可以先制作一体成型的第一电极31，在第一电极31上形成第二钝化层30，在第二钝化层30上形成牺牲层，对牺牲层进构图，使得牺牲层对应两个或三个待形成的空腔图形，在牺牲层上形成第一振动膜层32，在第一振动膜层32对应三个空腔结构连接处制作牺牲层刻蚀孔35，从牺牲层刻蚀孔35处将牺牲层去除。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图2、图5-图11所示，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4均可以根据实际需求，采用不同TFT结构和尺寸；例如采用LTPO工艺，其中第二晶体管T2可以采用Oxide TFT以降低漏电流Ioff，降低存储电容CB存储的电荷的损失，以稳定第三晶体管T3的栅极电位。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图12所示，第三晶体管T3的宽长比等于第四晶体管T4的宽长比。当然，也可以是第三晶体管T3的宽长比大于第四晶体管T4的宽长比，这样可以提高电压转换为电流的效率。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图13所示，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4其中至少之一为双栅晶体管。图13是以第三晶体管T3为双栅晶体管为例，这样一方面可以降低漏电流，另一方面可以提高各晶体管之间膜层的均一性以减少各晶体管之间的差异。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图14所示，第三晶体管T3的有源层和第四晶体管T4的有源层为一体结构(均为41)，第三晶体管T3的第二极和第四晶体管T4的第一极为一体结构(称为第四漏极52)，第三晶体管T3的第二极52与第三晶体管T3的有源层电连接。这样第三晶体管T3包括第三有源层41、第三栅极42、第三源极43和第四漏极52，第四晶体管T4包括第三有源层41、第四栅极51、第三漏极44(此时作为第四晶体管的源极)和第四漏极52，通过增加与第三有源层41通过过孔连接的第四漏极52，可以降低晶体管的电阻，提高信号传输性能。
在具体实施时，薄膜晶体管电路2里的存储电容CB也可以省掉，利用Vdd和第三晶体管T3的栅极形成的电容代替存储电容CB，可以简化薄膜晶体管电路。
在具体实施时，为了降低超声波指纹识别时的噪声，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图15所示，图15为超声换能器装置的又一种平面示意图，衬底基板1还包括位于阵列分布的多个超声单元P外侧的虚拟超声单元P’；如图16所示，图16为图15中一个超声单元P和一个虚拟超声单元P’的layout示意图，虚拟超声单元P’包括上述薄膜晶体管电路2和第二超声换能器3’，第二超声换能器3’包括层叠设置在薄膜晶体管电路2背离衬底基板1一侧的第三电极31’、第二振动膜层32’和第四电极33’，第三电极31’和第二振动膜层32’之间具有牺牲层36，第三电极31’与薄膜晶体管电路2电连接，第四电极33’与驱动电压线Vda电连接。具体地，虚拟超声单元P’由于保留牺牲层36，即没有牺牲层刻蚀孔35，因此其既不能发射声波信号，也不能接收声波信号，相当于dymmy单元，dummy单元的布置可以有多种方式，一般需要多个，可以多行，多列，或是分散设置等，图16是以在阵列分布的超声单元P左右两侧为例。通过设置虚拟超声单元P’，虚拟超声单元P’只输出晶体管和信号线等因素所产生的基础信号(含噪声)，用正常超声单元P接收到的信号减去dummy单元的基础信号，得到的即是纯粹的声波信号，因此可大大降低噪声，提高指纹识别精度。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，以上实施例中提到的各信号线共用、一个超声单元设计两个或三个第一超声换能器、设计不同宽长比的T3和T4、设计双栅结构晶体管以及增设T3和T4的源漏极方案，可以根据需要进行灵活组合。例如，如图17所示，示意出四个超声单元P，左上角的超声单元P为T3和T4的宽长比不同的结构，右上角的超声单元P为包括两个第一超声换能器3的结构，左下角的超声单元P为第三晶体管T3具有双栅结构，右下角的超声单元P为包括三个第一超声换能器3的结构。其中，第一超声换能器3个数的多少，可使得发射强度和接收灵敏度有所差异；第一超声换能器3不同的尺寸，可以使得发射声波的频率和接收信号的频率差异化，有可能满足某些特定需求；当第一超声换能器3设计相同，设计不同的晶体管，可以对信号接收灵敏度进行差异化。这样，同一超声换能器装置中不同超声单元P设计成不同的结构，各超声单元P可以读取不同的信号，实现不同的功能，因此本领域技术人员可以根据实际需要设计同一超声换能器装置中不同超声单元P的结构。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述超声换能器装置中，如图5-图15和图17所示，空腔35的形状可以为但不限于圆形，例如还可以为方形等。
在具体实施时，第一超声换能器中各膜层的材料、薄膜晶体管电路中各膜层的材料以及其它一些绝缘层的材料均与现有技术中相同，在此不做详述。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，如图18和图19所示，包括显示面板以及本公开实施例提供的上述超声换能器装置。由于该显示装置解决问题的原理与前述一种超声换能器装置相似，因此该显示装置的实施可以参见前述超声换能器装置的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述显示装置中，如图18所示，显示面板可以为液晶显示面板100，超声换能器装置中的各超声单元P设置在液晶显示面板100内的非发光区BB。这样可以将阵列分布的多个超声单元P均匀分散设置在液晶显示面板100的非发光区BB，可以实现大面积的指纹识别功能。指纹识别原理可以参见前述一种超声换能器装置中的描述。
具体地，如图18所示，液晶显示面板100包括相对设置的阵列基板和彩膜基板以及设置在二者之间的液晶层101；其中，阵列基板包括：衬底102，设置在衬底102上的像素电路103，与像素电路103电连接的像素电极104，与像素电极104绝缘设置的公共电极105，位于公共电极105和阴液晶层101之间的第一取向层106；彩膜基板包括：盖板107，设置在盖板107面向阵列基板一侧的彩膜层108和黑矩阵层109，设置在彩膜层108和黑矩阵层109面向阵列基板一侧的平坦层110，以及设置在平坦层110面向阵列基板一侧的第二取向层111等。
具体地，液晶显示面板100还包括本领域技术人员熟知的其它必不可少的结构，在此不做详述。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述显示装置中，如图19所示，显示面板可以为有机发光显示面板200，超声换能器装置300设置在有机发光显示面板200的背面。这样可以将阵列分布的多个超声单元P均匀分散设置在有机发光显示面板200的背面，可以实现大面积的指纹识别功能。指纹识别原理可以参见前述一种超声换能器装置中的描述。
在具体实施时，在本公开实施例提供的上述显示装置中，如图19所示，有机发光显示面板200和超声换能器装置300之间可以设置有利于声波传输的传输层400，传输层400可以是环氧胶类材料或其它能起到声波高效传输的材料。
需要说明的是，有机发光显面板的结构与现有技术中的相同，在此不做详述。
在具体实施时，本公开实施例提供的上述显示装置还可以是声波笔，该声波笔可发射声波(一种频率或多种频率)，显示装置的屏幕中设置相应的晶体管+CMUT结构用于接收声波，该声波笔可用于写字，画画等。
在具体实施时，本公开实施例提供的上述显示装置还可以是平板扬声器或者麦克风，用作发声产品或者收声(语音识别)等方面。
在具体实施时，本公开实施例提供的上述具有超声换能器制作的显示装置还可以用于超声成像领域，例如医疗影像领域的B超等。
本公开实施例提供了一种超声换能器装置及显示装置，通过将薄膜晶体管电路和超声换能器结合，形成了大面积、阵列化的超声波指纹识别结构，能够进行指纹识别，结构简单且识别精度高。
尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (20)

1.一种超声换能器装置，其中，包括衬底基板，所述衬底基板包括阵列分布的多个超声单元，每一所述超声单元包括：
薄膜晶体管电路，设置在所述衬底基板上；
至少一个第一超声换能器，设置在所述薄膜晶体管电路背离所述衬底基板的一侧，所述第一超声换能器包括层叠设置在所述薄膜晶体管电路背离所述衬底基板一侧的第一电极、第一振动膜层和第二电极，所述第一电极和所述第一振动膜层之间具有空腔，所述第一电极与所述薄膜晶体管电路电连接，所述第二电极与驱动电压线电连接。
2.如权利要求1所述的超声换能器装置，其中，还包括用于向所述薄膜晶体管电路加载驱动信号的多条驱动信号线，至少存在相邻两行所述超声单元之间共用同一所述驱动信号线，或，至少存在相邻两列所述超声单元之间共用同一所述驱动信号线。
3.如权利要求2所述的超声换能器装置，其中，所述薄膜晶体管电路包括：第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管，以及存储电容；所述驱动信号线包括：第一栅线、第二栅线、第三栅线、第一电压线、第二电压线、所述驱动电压线和信号读取线；其中，
所述第一晶体管的栅极与所述第一栅线电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一电压线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接；
所述第二晶体管的栅极与所述第二栅线电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管的栅极电连接；
所述第三晶体管的第一极与所述第二电压线电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接；
所述第四晶体管的栅极与所述第三栅线电连接，所述第四晶体管的第二极与所述信号读取线电连接；
所述存储电容的第一端与所述第二电压线电连接，所述存储电容的第二端与所述第三晶体管的栅极电连接；
所述第一超声换能器的第一电极与所述第二晶体管的第一极电连接。
4.如权利要求3所述的超声换能器装置，其中，每相邻两列所述超声单元为第一组，所述第一组中的两列所述超声单元之间第一间隙处设置有一条所述驱动电压线，同一所述第一组的两列所述超声单元内所述第一超声换能器的第二电极均与所述第一间隙处的所述驱动电压线电连接。
5.如权利要求4所述的超声换能器装置，其中，所述第一间隙处还设置有与所述驱动电压线间隔设置的所述第一栅线，同一所述第一组的两列所述超声单元内所述第一晶体管的栅极均与所述第一间隙处的所述第一栅线电连接。
6.如权利要求4或5所述的超声换能器装置，其中，每相邻两个所述第一组所述超声单元之间第二间隙处设置有一条所述第二电压线，所述第二电压线与其两侧的两列所述超声单元内所有所述第三晶体管的第一极均电连接。
7.如权利要求6所述的超声换能器装置，其中，同一所述第一组内相邻两列所述超声单元关于所述第一间隙对称设置，相邻两个所述第一组所述超声单元关于所述第二间隙对称设置。
8.如权利要求3-7任一项所述的超声换能器装置，其中，每相邻两行所述超声单元为第二组，所述第二组中的两行所述超声单元之间第三间隙处设置有一条所述第一电压线，同一所述第二组的两行所述超声单元内所有所述第一晶体管的第一极均与所述第三间隙处的所述第一电压线电连接。
9.如权利要求8所述的超声换能器装置，其中，每相邻两个所述第二组所述超声单元之间第四间隙处设置有一条所述第二栅线，所述第二栅线与其两侧的两行所述超声单元内所有所述第二晶体管的栅极均电连接。
10.如权利要求9所述的超声换能器装置，其中，同一所述第二组内相邻两列所述超声单元关于所述第三间隙对称设置，相邻两个所述第二组所述超声单元关于所述第四间隙对称设置。
11.如权利要求1-10任一项所述的超声换能器装置，其中，每一所述超声单元内的所述第一超声换能器的数量为1个或2个，各所述第一超声换能器在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管电路以及各信号线在所述衬底基板上的正投影均不交叠。
12.如权利要求1-10任一项所述的超声换能器装置，其中，每一所述超声单元内的所述第一超声换能器的数量为3个，各所述第一超声换能器在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管电路以及其他信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠。
13.如权利要求11或12所述的超声换能器装置，其中，当所述超声单元内的所述第一超声换能器的数量大于或等于2个时，同一所述超声单元内各所述第一超声换能器的第一电极为一体结构，同一所述超声单元内各所述第一超声换能器的第二电极为一体结构，同一所述超声单元内各所述第一超声换能器的空腔通过所述第一振动膜层相互隔开。
14.如权利要求3-13任一项所述的超声换能器装置，其中，所述第三晶体管的宽长比大于或等于所述第四晶体管的宽长比。
15.如权利要求3-14任一项所述的超声换能器装置，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管其中至少之一为双栅晶体管。
16.如权利要求3-15任一项所述的超声换能器装置，其中，所述第三晶体管的有源层和所述第四晶体管的有源层为一体结构，所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第一极为一体结构，所述第三晶体管的第二极与所述第三晶体管的有源层电连接。
17.如权利要求1-16任一项所述的超声换能器装置，其中，所述衬底基板还包括位于所述阵列分布的多个超声单元外侧的虚拟超声单元，所述虚拟超声单元包括所述薄膜晶体管电路和第二超声换能器，所述第二超声换能器包括层叠设置在所述薄膜晶体管电路背离所述衬底基板一侧的第三电极、第二振动膜层和第四电极，所述第三电极和所述第二振动膜层之间具有牺牲层，所述第三电极与所述薄膜晶体管电路电连接，所述第四电极与所述驱动电压线电连接。
18.一种显示装置，其中，包括显示面板以及如权利要求1-17任一项所述的超声换能器装置。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中，所述显示面板为液晶显示面板，所述超声换能器装置中的各所述超声单元设置在所述液晶显示面板内的非发光区。
20.如权利要求18所述的显示装置，其中，所述显示面板为有机发光显示面板，所述超声换能器装置设置在所述有机发光显示面板的背面。
CN202310609058.5A 2023-05-26 2023-05-26 一种超声换能器装置及显示装置 Pending CN116637792A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310609058.5A CN116637792A (zh) 2023-05-26 2023-05-26 一种超声换能器装置及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310609058.5A CN116637792A (zh) 2023-05-26 2023-05-26 一种超声换能器装置及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116637792A true CN116637792A (zh) 2023-08-25

Family

ID=87622447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310609058.5A Pending CN116637792A (zh) 2023-05-26 2023-05-26 一种超声换能器装置及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116637792A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111758099B (zh) 指纹识别模组及其驱动方法、制作方法、显示装置
EP3362943B1 (en) Integrated piezoelectric micromechanical ultrasonic transducer pixel and array
US12016249B2 (en) Piezoelectric sensor and manufacturing method thereof, method for recognizing fingerprint, and electronic device
US11263426B2 (en) Fingerprint identification device and driving method thereof, display device
US11521416B2 (en) Ultrasonic fingerprint recognition sensor and manufacturing method thereof, and display device
WO2020102965A1 (zh) 超声换能器件及电子装置
CN110201872B (zh) 一种检测面板、显示装置、检测面板驱动方法和制作方法
US20230053804A1 (en) Display panel, control method thereof, and display device
CN110472606B (zh) 一种超声波识别模组、其驱动方法及显示装置
WO2021032185A1 (zh) 指纹识别模组及其驱动方法和显示装置
CN110168735A (zh) 显示基板及其驱动方法和显示装置
CN111782090B (zh) 显示模组、超声波触控检测方法、超声波指纹识别方法
WO2020186983A1 (zh) 指纹识别结构及其驱动方法、显示装置
CN110275577A (zh) 超声模组及显示屏
CN113506514B (zh) 显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
KR102376692B1 (ko) 압전 초음파 변환 장치, 이 장치를 포함하는 생체 정보 측정 장치 및 이 장치를 포함하는 디스플레이 장치
TWI725826B (zh) 類壓電ｄ３３振動式裝置及整合其的顯示器
CN116637792A (zh) 一种超声换能器装置及显示装置
US20230005290A1 (en) Fingerprint identification structure, driving method thereof and electronic device
WO2022001538A1 (zh) 超声波传感器、超声波传感器的制备方法和显示装置
CN113345944B (zh) 显示基板及其显示方法、显示装置
TWI771064B (zh) 類壓電d33裝置及使用其的電子設備
TWM642391U (zh) 超聲波指紋識別模組和裝置
CN117935321A (zh) 一种指纹识别模组及其制作方法
CN117943267A (zh) 超声换能器、指纹识别模组及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination