CN116633302A - 一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法 - Google Patents
一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116633302A CN116633302A CN202310455756.4A CN202310455756A CN116633302A CN 116633302 A CN116633302 A CN 116633302A CN 202310455756 A CN202310455756 A CN 202310455756A CN 116633302 A CN116633302 A CN 116633302A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- finger
- acoustic wave
- finger portion
- surface acoustic
- wave device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 37
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 17
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000000306 component Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
Abstract
本发明公开了一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法，该结构包括汇流排、假指、间隙和指条组件，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。本发明通过对汇流排、假指、间隙、鱼刺形指条组件结构的优化，实现了有效抑制各阶次杂波模式寄生的同时，还可激发高Q值声波模式。由此，有利于实现声表面波器件的低损耗、通带高平坦度等性能，满足了高速移动通讯等终端对高性能表面波器件的要求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波电子器件技术领域，具体涉及一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法。
背景技术
作为移动通讯的基础和关键，射频前端是雷达、卫星通信电子和移动终端产品的核心组件。射频前端滤波器用于滤除各类寄生杂波，噪音等多种干扰信号，主要包括滤波器/双工器、功率放大器和标签等器件单元。由于声表面波(SAW)滤波器具有体积小、一致性好、可靠性高、损耗低、滤波性能佳等特点，声表面波滤波器已经成为雷达、卫星通信电子和移动终端等最主流的射频前端滤波器。随着高速移动通讯对低损耗、高平坦度等高性能SAW滤波器的需求越来越高，实现横向杂波模式抑制非常的重要。
声表面波滤波器的结构一般包括衬底层、压电层和电极指条层，而电极指条层包括汇流排、假指和指条组件，声表面波滤波器的杂波模式抑制设计主要包括寄生杂波和横向杂波模式抑制设计，其中，寄生杂波模式抑制取决于其压电材料及其切向、电极材料及尺寸、膜层拓扑结构等，而横向杂波模式抑制取决于指条和孔径方向上的结构、材料设计。各种杂波模式的存在限制了SAW滤波器在高性能元器件领域的应用，因此急需设计一种能够有效抑制寄生杂波模式或横向杂波的声表面波器件。
发明内容
针对现有技术存在的上述不足，本发明要解决的技术问题是：如何提供一种能够有效抑制横向杂波模式，提高声表面波器件使用性能的声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构，包括汇流排、假指、间隙和指条组件，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。
优选的，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，所述指条包括沿竖向方向设置的第一指条部和第二指条部，所述第一指条部靠近所述第二指条部的一端向下倾斜，所述第二指条部靠近所述第一指条部的一端向上倾斜，所述第一指条部的倾斜角度和所述第二指条部的倾斜角度相同，且所述第一指条部和第二指条部相互靠近的一端相接形成指条过渡连接部，以使得所述指条整体呈类V型结构，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。
优选的，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置直接相交形成角形过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的所述第一指条部和所述第二指条部连接形成竖向过渡区。
优选的，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过圆弧面过渡连接形成圆弧过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的所述第一指条部和所述第二指条部连接形成竖向过渡区。
优选的，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过内凹圆弧面过渡连接形成内凹圆弧过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过外凸圆弧面过渡连接形成外凸圆弧过渡区。
优选的，所述第一指条部和所述第二指条部外形尺寸相同，以使得所述指条过渡连接部位于所述指条的中间位置。
优选的，相邻两个所述指条之间的轴向距离不小于所述指条的轴向宽度。
优选的，所述第一指条部和所述第二指条部的轴向宽度与对应位置所述假指的轴向宽度相同。
优选的，相邻的所述指条两两一组，同一组的两个所述指条中，其中一个所述指条的第一指条部远离所述第二指条部的一端向上延伸并与所述汇流排相接，另一个所述指条的第二指条部远离所述第一指条部的一端向下延伸与所述汇流排连接。
一种声表面波器件横向杂波模式抑制方法，采用上述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构。
与现有技术相比，本发明具有以下有点：
1、声表面波在传播过程中往往存在一定的能流角，使得声表面波在孔径方向（即与指条平行的方向）上存在散射，进而导致声表面波器件在通带范围内或临带附近存在横向杂波，使得声表面波器件通带平坦度、插入损耗等性能恶化，本方案通过将指条组件整体设计为类鱼刺形结构，可有效抑制声表面波在孔径方向上存在散射，进而减少横向杂波模式寄生，提高声表面波的性能。
2、声表面波在传播过程中，在形状畸变处往往导致声波能量以体波的形式向压电体内散射，导致声表面波器件的Q值（品质因数）恶化，矩形度下降，甚至杂波模式寄生，本发明中指条过渡连接部设计为单侧角形过渡区、单侧圆弧过渡区和双侧圆弧过渡均均可有效抑制声表面波能量向压电体内散射，提高声表面器件的Q值和矩形度，一定程度上抑制杂波模式寄生。
3、本发明通过对汇流排、假指、间隙、鱼刺形指条组件结构的优化，实现了有效抑制各阶次杂波模式寄生的同时，还可激发高Q值声波模式。由此，有利于实现声表面波器件的低损耗、通带高平坦度等性能，满足了高速移动通讯等终端对高性能表面波器件的要求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
附图说明
图1为本发明实施例一中声表面波器件横向杂波模式抑制结构的结构示意图；
图2为本发明实施例二中声表面波器件横向杂波模式抑制结构的结构示意图；
图3为本发明实施例三中声表面波器件横向杂波模式抑制结构的结构示意图。
附图标记说明：汇流排1、假指2、指条3、第一指条部31、第二指条部32、指条过渡连接部33、间隙4。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一个”“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件，并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。“上”“下”“左”“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
实施例一：
如附图1所示，本发明提供一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构，主要是对电极指条层的结构进行优化，包括汇流排1、假指2、间隙4和指条组件，指条组件整体呈类鱼刺形结构。
在本实施例中，指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条3，指条3包括沿竖向方向设置的第一指条部31和第二指条部32，第一指条部31靠近第二指条部32的一端向下倾斜，第二指条部32靠近第一指条部31的一端向上倾斜，第一指条部31的倾斜角度和第二指条部32的倾斜角度相同，且第一指条部31和第二指条部32相互靠近的一端相接形成指条过渡连接部33，以使得指条3整体呈类V型结构，指条组件整体呈类鱼刺形结构。
在本实施例中，指条过渡连接部33内凹的一侧由第一指条部31和第二指条部32的对应位置直接相交形成角形过渡区，指条过渡连接部33外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的第一指条部31和第二指条部32连接形成竖向过渡区。
在本实施例中，第一指条部31和第二指条部32外形尺寸相同，以使得指条过渡连接部33位于指条3的中间位置。
在本实施例中，相邻两个指条3之间的轴向距离不小于指条3的轴向宽度。
在本实施例中，第一指条部31和第二指条部32的轴向宽度与对应位置假指2的轴向宽度相同。
在本实施例中，相邻的指条3两两一组，同一组的两个指条3中，其中一个指条3的第一指条部31远离第二指条部32的一端向上延伸并与汇流排1相接，另一个指条3的第二指条部32远离第一指条部31的一端向下延伸与汇流排1连接。
声表面波器件一般还包括衬底层和压电层，其中电极指条层位于压电层上，压电层采用单层或多层结构，压电层则位于衬底层之上，衬底层采用空腔型结构，也可以采用单层或多层的结构形式。
其中，电极指条层为叉指电极，采用以下材料中的至少一种材料制成：铝Al、铜Cu、金Au、铂Pt及铜铝合金。
压电层采用以下材料中的至少一种材料制成：铌酸锂LiNbO3、钽酸锂LiTaO3、石英Quartz、四硼酸锂、硅酸镓镧、铌酸镓镧。
衬底层采用以下材料中的至少一种材料制成：硅Si、蓝宝石Sapphire、碳化硅SiC、金刚石Diamond、尖晶石。
本发明还提供一种声表面波器件横向杂波模式抑制方法，采用上述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构。
实施例二：
如附图2所示，与实施例一的不同之处在于，在本实施例中，指条过渡连接部33内凹的一侧由第一指条部31和第二指条部32的对应位置通过圆弧面过渡连接形成圆弧过渡区，指条过渡连接部33外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的第一指条部31和第二指条部32连接形成竖向过渡区。
实施例三：
如附图3所示，与实施例一的不同之处在于，在本实施例中，指条过渡连接部33内凹的一侧由第一指条部31和第二指条部32的对应位置通过内凹圆弧面过渡连接形成内凹圆弧过渡区，指条过渡连接部33外凸的一侧由第一指条部31和第二指条部32的对应位置通过外凸圆弧面过渡连接形成外凸圆弧过渡区。
声表面波在传播过程中往往存在一定的能流角，使得声表面波在孔径方向上存在散射，进而导致声表面波器件在通带范围内或临带附近存在横向杂波，使得声表面波器件通带平坦度、插入损耗等性能恶化。
tan（θ）=β
y
/β
x
其中，θ为能流角，β y 为孔径方向上的波数，β x 为声传播方向上的波数。
本方案通过将指条组件整体设计为类鱼刺形结构，可有效抑制声表面波在孔径方向上存在散射，进而减少横向杂波模式寄生，提高声表面波的性能。
声表面波在传播过程中，在形状畸变处往往导致声波能量以体波的形式向压电体内散射，导致声表面波器件的Q值（品质因数）恶化，矩形度下降，甚至杂波模式寄生，本发明中指条过渡连接部33设计为单侧角形过渡区、单侧圆弧过渡区和双侧圆弧过渡均均可有效抑制声表面波能量向压电体内散射，提高声表面器件的Q值和矩形度，一定程度上抑制杂波模式寄生。
本发明通过对汇流排1、假指2、间隙4、鱼刺形指条组件结构的优化，实现了有效抑制各阶次杂波模式寄生的同时，还可激发高Q值声波模式。由此，有利于实现声表面波器件的低损耗、通带高平坦度等性能，满足了高速移动通讯等终端对高性能表面波器件的要求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，那些对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (10)
1.一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构，包括汇流排、假指、间隙和指条组件，其特征在于，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。
2.根据权利要求1所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，所述指条包括沿竖向方向设置的第一指条部和第二指条部，所述第一指条部靠近所述第二指条部的一端向下倾斜，所述第二指条部靠近所述第一指条部的一端向上倾斜，所述第一指条部的倾斜角度和所述第二指条部的倾斜角度相同，且所述第一指条部和第二指条部相互靠近的一端相接形成指条过渡连接部，以使得所述指条整体呈类V型结构，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。
3.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置直接相交形成角形过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的所述第一指条部和所述第二指条部连接形成竖向过渡区。
4.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过圆弧面过渡连接形成圆弧过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由竖向连接面分别与对应位置的所述第一指条部和所述第二指条部连接形成竖向过渡区。
5.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述指条过渡连接部内凹的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过内凹圆弧面过渡连接形成内凹圆弧过渡区，所述指条过渡连接部外凸的一侧由所述第一指条部和所述第二指条部的对应位置通过外凸圆弧面过渡连接形成外凸圆弧过渡区。
6.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述第一指条部和所述第二指条部外形尺寸相同，以使得所述指条过渡连接部位于所述指条的中间位置。
7.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，相邻两个所述指条之间的轴向距离不小于所述指条的轴向宽度。
8.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，所述第一指条部和所述第二指条部的轴向宽度与对应位置所述假指的轴向宽度相同。
9.根据权利要求2所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构，其特征在于，相邻的所述指条两两一组，同一组的两个所述指条中，其中一个所述指条的第一指条部远离所述第二指条部的一端向上延伸并与所述汇流排相接，另一个所述指条的第二指条部远离所述第一指条部的一端向下延伸与所述汇流排连接。
10.一种声表面波器件横向杂波模式抑制方法，其特征在于，采用如权利要求1到9任一所述的声表面波器件横向杂波模式抑制结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310455756.4A CN116633302A (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310455756.4A CN116633302A (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116633302A true CN116633302A (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=87591038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310455756.4A Pending CN116633302A (zh) | 2023-04-25 | 2023-04-25 | 一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116633302A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1574621A (zh) * | 2003-06-19 | 2005-02-02 | 精工爱普生株式会社 | 表面声波滤波器和表面声波谐振器 |
| JP2010010874A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波フィルタ |
| CN111510106A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-07 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种声表面波谐振结构滤波器 |
| CN115567023A (zh) * | 2021-07-01 | 2023-01-03 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 一种声波器件、滤波装置以及声波器件的制备方法 |
-
2023
- 2023-04-25 CN CN202310455756.4A patent/CN116633302A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1574621A (zh) * | 2003-06-19 | 2005-02-02 | 精工爱普生株式会社 | 表面声波滤波器和表面声波谐振器 |
| JP2010010874A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波フィルタ |
| CN111510106A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-07 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种声表面波谐振结构滤波器 |
| CN115567023A (zh) * | 2021-07-01 | 2023-01-03 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 一种声波器件、滤波装置以及声波器件的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10367473B2 (en) | Filter, multiplexer, and communication apparatus | |
| KR20220044383A (ko) | 탄성파 장치 | |
| KR100814005B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 및 이를 이용한 이동통신기기 및 센서 | |
| JP4465625B2 (ja) | 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波共振器 | |
| KR100897174B1 (ko) | 탄성경계파 필터장치 | |
| US7812688B2 (en) | Surface acoustic wave filter, boundary acoustic wave filter, and antenna duplexer using same | |
| US10536132B2 (en) | Elastic wave element, filter element, and communication device | |
| US10122344B2 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| CN103959647A (zh) | 梯型弹性波滤波器和利用该梯型弹性波滤波器的天线共用器 | |
| WO2005125005A1 (ja) | Ｓａｗデバイスとこれを用いた装置 | |
| CN110800212B (zh) | 弹性波装置以及复合滤波器装置 | |
| JP5025963B2 (ja) | 電子部品とその製造方法及びこの電子部品を用いた電子機器 | |
| CN113452339A (zh) | 一种压电薄膜体声波谐振器 | |
| WO2019131530A1 (ja) | 弾性波フィルタ | |
| CN116318035A (zh) | 一种声表面波谐振器和无线通信设备 | |
| EP2355348B1 (en) | Elastic wave filter device | |
| JP3859573B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ及びフィルタ装置 | |
| CN116633302A (zh) | 一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法 | |
| JP7363952B2 (ja) | 弾性波フィルタ | |
| KR102656805B1 (ko) | 탄성파 필터 | |
| CN116470876B (zh) | 一种声表面波器件 | |
| CN113595525A (zh) | 一种射频声表面波滤波器 | |
| EP2068443A1 (en) | Boundary acoustic wave filter | |
| US6838807B2 (en) | Surface acoustic wave device suitable for use in GHz band | |
| CN116505907A (zh) | 一种Lamb波声学器件杂波模式抑制结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |